JPH07268655A - 導電性酸化金属膜のエッチング方法 - Google Patents
導電性酸化金属膜のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH07268655A JPH07268655A JP5720294A JP5720294A JPH07268655A JP H07268655 A JPH07268655 A JP H07268655A JP 5720294 A JP5720294 A JP 5720294A JP 5720294 A JP5720294 A JP 5720294A JP H07268655 A JPH07268655 A JP H07268655A
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- JP
- Japan
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- etching
- substrate
- tank
- metallic film
- electric conductive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング装置にダメージを与えることなく
エッチングレートを高めることができ、かつそのエッチ
ングレートの変動を抑えて容易な管理でエッチング処理
を行なうことができる導電性酸化金属膜のエッチング方
法を提供する。 【構成】 基板ａに形成された導電性酸化金属膜をエッ
チング槽１２内で塩素系のエッチング液を用いてエッチ
ングする方法であって、そのエッチング時にエッチング
槽１２内に噴射ノズル１８から酸素ガスを供給し、この
酸素ガスに基づいてエッチング時の酸化反応を促進させ
る。
エッチングレートを高めることができ、かつそのエッチ
ングレートの変動を抑えて容易な管理でエッチング処理
を行なうことができる導電性酸化金属膜のエッチング方
法を提供する。 【構成】 基板ａに形成された導電性酸化金属膜をエッ
チング槽１２内で塩素系のエッチング液を用いてエッチ
ングする方法であって、そのエッチング時にエッチング
槽１２内に噴射ノズル１８から酸素ガスを供給し、この
酸素ガスに基づいてエッチング時の酸化反応を促進させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板の上に成膜した導電
性酸化金属膜をエッチングする方法に関する。
性酸化金属膜をエッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子を製造する工程中には、基
板の上に導電性酸化金属膜としてのＩＴＯ（酸化インジ
ュウム・錫）の薄膜を形成し、このＩＴＯ膜をエッチン
グして所定形状の透明電極にパターン化する工程があ
る。
板の上に導電性酸化金属膜としてのＩＴＯ（酸化インジ
ュウム・錫）の薄膜を形成し、このＩＴＯ膜をエッチン
グして所定形状の透明電極にパターン化する工程があ
る。
【０００３】図２にはＩＴＯ膜をエッチングするエッチ
ング装置の構成を概略的に示してあり、このエッチング
装置はローダー１、エッチング槽２、水洗槽３、乾燥ユ
ニット４およびアンローダー５を一連に配置してなる。
そして前記ローダー１、エッチング槽２、水洗槽３、乾
燥ユニット４およびアンローダー５の内部の中段部分に
それぞれ基板搬送用のローラ６が設けられている。
ング装置の構成を概略的に示してあり、このエッチング
装置はローダー１、エッチング槽２、水洗槽３、乾燥ユ
ニット４およびアンローダー５を一連に配置してなる。
そして前記ローダー１、エッチング槽２、水洗槽３、乾
燥ユニット４およびアンローダー５の内部の中段部分に
それぞれ基板搬送用のローラ６が設けられている。
【０００４】エッチング槽１２の内部には、ローラ６の
上方に位置して複数のシャワーノズル７が設けられ、こ
のエッチング槽２内にエッチング液が収容されている。
また、水洗槽３の内部には、ローラ６の上方に位置して
複数のシャワーノズル９が設けられ、この水洗槽３内に
洗浄水が収容されている。
上方に位置して複数のシャワーノズル７が設けられ、こ
のエッチング槽２内にエッチング液が収容されている。
また、水洗槽３の内部には、ローラ６の上方に位置して
複数のシャワーノズル９が設けられ、この水洗槽３内に
洗浄水が収容されている。
【０００５】さらに、乾燥ユニット４の内部には、ロー
ラ６の上方および下方に位置してエアナイフ１０が設け
られている。図に示すａは基板であり、この基板ａの表
面に導電性酸化金属膜としてのＩＴＯ膜が形成されお
り、このＩＴＯ膜をエッチングする工程について述べる
と、次の通りである。
ラ６の上方および下方に位置してエアナイフ１０が設け
られている。図に示すａは基板であり、この基板ａの表
面に導電性酸化金属膜としてのＩＴＯ膜が形成されお
り、このＩＴＯ膜をエッチングする工程について述べる
と、次の通りである。
【０００６】まず、基板ａをローダー１に搬入し、この
ローダー１から基板ａをエッチング槽２内に搬送し、こ
の基板ａをエッチング槽２内のエッチング液中の上層部
分に配置させる。そしてこの基板ａの表面に向けてシャ
ワーノズル７からエッチング液を噴射する。この処理に
より、基板ａの表面のＩＴＯ膜がエッチングされる。
ローダー１から基板ａをエッチング槽２内に搬送し、こ
の基板ａをエッチング槽２内のエッチング液中の上層部
分に配置させる。そしてこの基板ａの表面に向けてシャ
ワーノズル７からエッチング液を噴射する。この処理に
より、基板ａの表面のＩＴＯ膜がエッチングされる。
【０００７】エッチングの完了後には、基板ａを水洗槽
３内に搬送し、この基板ａにシャワーノズル９から洗浄
水を噴射して基板ａに付着しているエッチング液を洗い
流す。そしてこの洗浄後に、基板ａを乾燥ユニット４内
に搬送し、この基板ａにエアナイフ１０から乾燥用のエ
アを噴射して水切りを行ない、基板ａを乾燥させ、この
乾燥後に基板ａをアンローダー５を通してエッチング装
置から搬出する。
３内に搬送し、この基板ａにシャワーノズル９から洗浄
水を噴射して基板ａに付着しているエッチング液を洗い
流す。そしてこの洗浄後に、基板ａを乾燥ユニット４内
に搬送し、この基板ａにエアナイフ１０から乾燥用のエ
アを噴射して水切りを行ない、基板ａを乾燥させ、この
乾燥後に基板ａをアンローダー５を通してエッチング装
置から搬出する。
【０００８】ＩＴＯ膜のエッチング液としては、ＨＣｌ
（塩酸）＋ＨＮＯ3 （硝酸）＋Ｈ2Ｏ（水）の混合液等
の塩酸系エッチング液が用いられ、このエッチング液に
よる酸化反応でＩＴＯ膜がエッチングされ、ＩＴＯ膜に
対するエッチングレートはそのエッチング液のＨ+ の濃
度により決まる。
（塩酸）＋ＨＮＯ3 （硝酸）＋Ｈ2Ｏ（水）の混合液等
の塩酸系エッチング液が用いられ、このエッチング液に
よる酸化反応でＩＴＯ膜がエッチングされ、ＩＴＯ膜に
対するエッチングレートはそのエッチング液のＨ+ の濃
度により決まる。
【０００９】そこで、ＩＴＯ膜のエッチング時間を短く
してエッチング処理工程のスループットを向上させるた
めにエッチング液中のＨＣｌ濃度を高める方法が採られ
ることがある。
してエッチング処理工程のスループットを向上させるた
めにエッチング液中のＨＣｌ濃度を高める方法が採られ
ることがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
ング液中のＨＣｌ濃度を高め過ぎると、その濃度の高い
ＨＣｌによりエッチング装置とくにエッチング槽がダメ
ージを受けて耐久性が低下し、また時間の経過と共にＨ
Ｃｌ成分の蒸発によりその濃度が変化し、この結果、Ｉ
ＴＯ膜に対するエッチングレートが時間の経過に伴い変
動してしまい、エッチング処理の管理が面倒となる。
ング液中のＨＣｌ濃度を高め過ぎると、その濃度の高い
ＨＣｌによりエッチング装置とくにエッチング槽がダメ
ージを受けて耐久性が低下し、また時間の経過と共にＨ
Ｃｌ成分の蒸発によりその濃度が変化し、この結果、Ｉ
ＴＯ膜に対するエッチングレートが時間の経過に伴い変
動してしまい、エッチング処理の管理が面倒となる。
【００１１】本発明はこのような点に着目してなされた
もので、その目的とするところは、エッチング装置にダ
メージを与えることなくエッチングレートを高めること
ができ、かつそのエッチングレートの変動を抑えて容易
な管理でエッチング処理を行なうことができる導電性酸
化金属膜のエッチング方法を提供することにある。
もので、その目的とするところは、エッチング装置にダ
メージを与えることなくエッチングレートを高めること
ができ、かつそのエッチングレートの変動を抑えて容易
な管理でエッチング処理を行なうことができる導電性酸
化金属膜のエッチング方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような目的
を達成するために、基板に形成された導電性酸化金属膜
をエッチング槽内で塩素系のエッチング液を用いてエッ
チングする方法であって、そのエッチング時にエッチン
グ槽内に酸素ガスを供給し、この酸素ガスに基づいてエ
ッチング時の酸化反応を促進させるようにしたものであ
る。
を達成するために、基板に形成された導電性酸化金属膜
をエッチング槽内で塩素系のエッチング液を用いてエッ
チングする方法であって、そのエッチング時にエッチン
グ槽内に酸素ガスを供給し、この酸素ガスに基づいてエ
ッチング時の酸化反応を促進させるようにしたものであ
る。
【００１３】
【作用】エッチング槽内に酸素ガスを導入すると、エッ
チング槽内におけるエッチング液の液面と接する気相雰
囲気中の酸素分圧が上昇し、この酸素分圧の上昇により
基板の上の導電性酸化金属膜の酸化反応が促進され、こ
の導電性酸化金属膜に対するエッチングレートが高ま
り、導電性酸化金属膜の所定領域が短時間でエッチング
される。
チング槽内におけるエッチング液の液面と接する気相雰
囲気中の酸素分圧が上昇し、この酸素分圧の上昇により
基板の上の導電性酸化金属膜の酸化反応が促進され、こ
の導電性酸化金属膜に対するエッチングレートが高ま
り、導電性酸化金属膜の所定領域が短時間でエッチング
される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１を参照
して説明する。図１には、本発明を実施するためのエッ
チング装置の構成を概略的に示してある。このエッチン
グ装置はローダー１１、エッチング槽１２、水洗槽１
３、乾燥ユニット１４およびアンローダー１５を一連に
配置してなる。そして前記ローダー１１、エッチング槽
１２、水洗槽１３、乾燥ユニット１４およびアンローダ
ー１５の内部の中段部分にそれぞれ基板搬送用のローラ
１６が設けられている。
して説明する。図１には、本発明を実施するためのエッ
チング装置の構成を概略的に示してある。このエッチン
グ装置はローダー１１、エッチング槽１２、水洗槽１
３、乾燥ユニット１４およびアンローダー１５を一連に
配置してなる。そして前記ローダー１１、エッチング槽
１２、水洗槽１３、乾燥ユニット１４およびアンローダ
ー１５の内部の中段部分にそれぞれ基板搬送用のローラ
１６が設けられている。
【００１５】エッチング槽１２の内部には、ローラ１６
の上方に位置してエッチング液を噴射する複数のシャワ
ーノズル１７が設けられているとともに、さらにローラ
１６の上方および下方に位置してそれぞれ複数の噴射ノ
ズル１８が設けられている。そしてこのエッチング槽１
２内にＨＣｌ（塩酸）＋ＨＮＯ3 （硝酸）＋Ｈ2 Ｏ
（水）の混合液等の塩酸系エッチング液が収容されてい
る。
の上方に位置してエッチング液を噴射する複数のシャワ
ーノズル１７が設けられているとともに、さらにローラ
１６の上方および下方に位置してそれぞれ複数の噴射ノ
ズル１８が設けられている。そしてこのエッチング槽１
２内にＨＣｌ（塩酸）＋ＨＮＯ3 （硝酸）＋Ｈ2 Ｏ
（水）の混合液等の塩酸系エッチング液が収容されてい
る。
【００１６】また、水洗槽１３の内部には、ローラ１６
の上方に位置して酸素ガスを噴射する複数のシャワーノ
ズル１９が設けられ、この水洗槽１３内に洗浄水が収容
されている。
の上方に位置して酸素ガスを噴射する複数のシャワーノ
ズル１９が設けられ、この水洗槽１３内に洗浄水が収容
されている。
【００１７】さらに、乾燥ユニット１４の内部には、ロ
ーラ１６の上方および下方に位置してエアナイフ２０が
設けられている。図に示すａは基板であり、この基板ａ
の表面に導電性酸化金属膜としてのＩＴＯ膜が形成され
ている。
ーラ１６の上方および下方に位置してエアナイフ２０が
設けられている。図に示すａは基板であり、この基板ａ
の表面に導電性酸化金属膜としてのＩＴＯ膜が形成され
ている。
【００１８】次にこの基板ａの表面に形成されたＩＴＯ
膜をエッチングする工程について説明する。まず、基板
ａをローダー１１に搬入し、このローダー１１から基板
ａをエッチング槽１２内に搬送し、この基板ａをエッチ
ング槽１２内のエッチング液中の上層部分に配置させ
る。そしてこの基板ａの表面に向けてシャワーノズル１
７からエッチング液を噴射する。さらにこれに合せて噴
射ノズル１８から酸素ガス（Ｏ2 ）を噴射してエッチン
グ槽１２内に導入する。
膜をエッチングする工程について説明する。まず、基板
ａをローダー１１に搬入し、このローダー１１から基板
ａをエッチング槽１２内に搬送し、この基板ａをエッチ
ング槽１２内のエッチング液中の上層部分に配置させ
る。そしてこの基板ａの表面に向けてシャワーノズル１
７からエッチング液を噴射する。さらにこれに合せて噴
射ノズル１８から酸素ガス（Ｏ2 ）を噴射してエッチン
グ槽１２内に導入する。
【００１９】この酸素ガスの導入により、エッチング槽
１２内におけるエッチング液の液面と接する気相雰囲気
中の酸素分圧が上昇する。基板ａの表面のＩＴＯ膜はエ
ッチング液に基づく酸化反応によりエッチングされる
が、ここで、エッチング槽１２内の酸素分圧が上昇して
いることにより、その酸化反応が促進され、ＩＴＯ膜に
対するエッチングレートが高まり、ＩＴＯ膜の所定領域
が短時間でエッチングされる。
１２内におけるエッチング液の液面と接する気相雰囲気
中の酸素分圧が上昇する。基板ａの表面のＩＴＯ膜はエ
ッチング液に基づく酸化反応によりエッチングされる
が、ここで、エッチング槽１２内の酸素分圧が上昇して
いることにより、その酸化反応が促進され、ＩＴＯ膜に
対するエッチングレートが高まり、ＩＴＯ膜の所定領域
が短時間でエッチングされる。
【００２０】エッチングの完了後には、基板ａを水洗槽
１３内に搬送し、この基板ａにシャワーノズル１９から
洗浄水を噴射して基板ａに付着しているエッチング液を
洗い流す。
１３内に搬送し、この基板ａにシャワーノズル１９から
洗浄水を噴射して基板ａに付着しているエッチング液を
洗い流す。
【００２１】基板ａの洗浄後には、基板ａを乾燥ユニッ
ト１４内に搬送し、この基板ａにエアナイフ２０から乾
燥用のエアを噴射して水切りを行ない、基板ａを乾燥さ
せる。そしてこの乾燥後に基板ａをアンローダー１５を
通してエッチング装置から搬出する。
ト１４内に搬送し、この基板ａにエアナイフ２０から乾
燥用のエアを噴射して水切りを行ない、基板ａを乾燥さ
せる。そしてこの乾燥後に基板ａをアンローダー１５を
通してエッチング装置から搬出する。
【００２２】このように、基板ａのＩＴＯ膜をエッチン
グ槽１２内でエッチングする際にそのエッチング槽１２
内に酸素ガスを導入することにより、ＩＴＯ膜の酸化反
応を促進させてエッチングレートを高めることができ、
したがってエッチング液のＨＣｌ濃度を高めることなく
エッチング時間を短縮させてエッチング処理工程のスル
ートップを向上させることができる。
グ槽１２内でエッチングする際にそのエッチング槽１２
内に酸素ガスを導入することにより、ＩＴＯ膜の酸化反
応を促進させてエッチングレートを高めることができ、
したがってエッチング液のＨＣｌ濃度を高めることなく
エッチング時間を短縮させてエッチング処理工程のスル
ートップを向上させることができる。
【００２３】そしてエッチング液のＨＣｌ濃度を高める
必要がないから、エッチング装置とくにエッチング槽に
ダメージを与えるようなことがなく、またＨＣｌ成分の
蒸発に伴うエッチングレートの変動を小さく抑えること
ができ、エッチング処理の管理が容易となる。
必要がないから、エッチング装置とくにエッチング槽に
ダメージを与えるようなことがなく、またＨＣｌ成分の
蒸発に伴うエッチングレートの変動を小さく抑えること
ができ、エッチング処理の管理が容易となる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、エ
ッチング液中のＨＣｌ濃度を高めることなく、導電性酸
化金属膜の酸化反応を促進してエッチングレートを高め
ることができ、したがってエッチング装置とくにエッチ
ング槽にダメージを与えることがなく、またそのエッチ
ングレートが変動せずに安定するから、エッチング処理
の管理が容易となる利点がある。
ッチング液中のＨＣｌ濃度を高めることなく、導電性酸
化金属膜の酸化反応を促進してエッチングレートを高め
ることができ、したがってエッチング装置とくにエッチ
ング槽にダメージを与えることがなく、またそのエッチ
ングレートが変動せずに安定するから、エッチング処理
の管理が容易となる利点がある。
【図１】本発明の実施に用いるエッチング装置の一例を
示す構成図。
示す構成図。
【図２】従来のエッチング装置の構成図。
ａ…基板 １２…エッチング槽 １８…酸素ガス噴射用の噴射ノズル
Claims (1)
- 【請求項１】基板に形成された導電性酸化金属膜をエッ
チング槽内で塩素系のエッチング液を用いてエッチング
する方法であって、そのエッチング時にエッチング槽内
に酸素ガスを供給し、この酸素ガスに基づいてエッチン
グ時の酸化反応を促進させることを特徴とする導電性酸
化金属膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5720294A JPH07268655A (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 導電性酸化金属膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5720294A JPH07268655A (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 導電性酸化金属膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268655A true JPH07268655A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13048920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5720294A Pending JPH07268655A (ja) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | 導電性酸化金属膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07268655A (ja) |
-
1994
- 1994-03-28 JP JP5720294A patent/JPH07268655A/ja active Pending
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