JPH0726363Y2 - In-line type film deposition system - Google Patents

In-line type film deposition system

Info

Publication number
JPH0726363Y2
JPH0726363Y2 JP7576489U JP7576489U JPH0726363Y2 JP H0726363 Y2 JPH0726363 Y2 JP H0726363Y2 JP 7576489 U JP7576489 U JP 7576489U JP 7576489 U JP7576489 U JP 7576489U JP H0726363 Y2 JPH0726363 Y2 JP H0726363Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cart
chamber
shield plate
line type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7576489U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0314148U (en
Inventor
佳興 横山
正義 今村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP7576489U priority Critical patent/JPH0726363Y2/en
Publication of JPH0314148U publication Critical patent/JPH0314148U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0726363Y2 publication Critical patent/JPH0726363Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、インライン式成膜装置の各処理位置に基板を
搬送するための搬送用基板カートに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of use] The present invention relates to a transfer substrate cart for transferring a substrate to each processing position of an in-line type film forming apparatus.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

基板上に薄膜を形成する成膜装置として、従来よりスパ
ッタリング装置が用いられている。一般に、スパッタリ
ング装置では、まず基板をエッチング、すなわち逆スパ
ッタリングすることにより表面のクリーニングを行う。
次に基板を所定の温度まで加熱し、この加熱された基板
上にスパッタリングによるターゲット原子を付着させて
成膜を行うようにしている。また、スパッタリング法を
用いて量産ベースで成膜を行う場合、インライン方式が
採用されている。このインライン方式による成膜装置で
は、成膜すべき基板が各室に搬送されることにより、連
続して成膜処理が行われるようになっている。
A sputtering apparatus has been conventionally used as a film forming apparatus for forming a thin film on a substrate. Generally, in a sputtering apparatus, first, the surface of a substrate is cleaned by etching, that is, reverse sputtering.
Next, the substrate is heated to a predetermined temperature, and target atoms by sputtering are attached to the heated substrate to form a film. Further, in the case of forming a film on a mass production basis using a sputtering method, an in-line method is adopted. In this in-line type film forming apparatus, the substrate to be film-formed is conveyed to each chamber so that the film forming process is continuously performed.

このインライン式スパッタリング装置における逆スパッ
タリング室の一例を第5図に示す。第5図は、逆スパッ
タリング室50の縦断面図である。ここでは、サイド・ス
パッタ型、すなわち基板を縦姿勢に保持した状態で、成
膜を行うものを例にとる。図において、基板を各室に搬
送するための基板カート51が紙面垂直方向に移動可能に
設けられている。基板カート51上には、その両端側に2
つの基板(基板ホルダ)52が相対向して保持されてい
る。一方、逆スパッタリング室50の上壁側には、2つの
アースシールド板53が、それぞれ対向する基板52の背面
側と所定の隙間をなすよう垂設されている。このアース
シールド板53は、逆スパッタリング時、基板背面側でグ
ロー放電が起きないようにするためのもので、それぞれ
チャンバ壁を介してアースに接続されている。また、逆
スパッタリング室50の側壁には、各基板52に対向して平
行平板電極54が配置されている。この平行平板電極54
は、側壁を介してそれぞれアースに接続されている。そ
して、逆スパッタリング時においては、基板52に高周波
電圧を印加して、基板52と平板電極54との間でグロー放
電を起こさせ、基板表面のエッチングを行っている。
An example of the reverse sputtering chamber in this in-line type sputtering apparatus is shown in FIG. FIG. 5 is a vertical sectional view of the reverse sputtering chamber 50. Here, as an example, a side-sputtering type, that is, one in which film formation is performed in a state in which the substrate is held in a vertical position is used. In the figure, a substrate cart 51 for transporting the substrate to each chamber is provided so as to be movable in the direction perpendicular to the paper surface. On the board cart 51, 2 on both sides
Two substrates (substrate holders) 52 are held facing each other. On the other hand, on the upper wall side of the reverse sputtering chamber 50, two earth shield plates 53 are vertically provided so as to form a predetermined gap with the back side of the substrate 52 facing each other. The earth shield plate 53 is for preventing glow discharge on the back surface side of the substrate during reverse sputtering, and is connected to the earth via the chamber wall. Further, parallel plate electrodes 54 are arranged on the sidewalls of the reverse sputtering chamber 50 so as to face the substrates 52. This parallel plate electrode 54
Are each connected to ground via a side wall. At the time of reverse sputtering, a high frequency voltage is applied to the substrate 52 to cause glow discharge between the substrate 52 and the plate electrode 54, and the substrate surface is etched.

〔考案が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the device]

前記従来の装置において、安定して基板のエッチングを
行うためには、各基板52と、それぞれに対向するアース
シールド板53との隙間は一定(約5mm以下)にする必要
がある。ところが、アースシールド板53は逆スパッタリ
ング室50の壁面に固定されており、また基板はシールド
面方向に移動自在になっている。このため、アースシー
ルド板と基板との間隔を一定に保つことは難しい。ま
た、加熱により、アースシールド板53及び基板カート51
は変形するため、前記隙間を一定に保つのはさらに困難
となる。極端な場合には、基板52がアースシールド板53
に接触して短絡し、逆スパッタリングを行うことができ
ないという問題が生じる。
In the conventional apparatus, in order to perform stable etching of the substrate, the gap between each substrate 52 and the ground shield plate 53 facing each other must be constant (about 5 mm or less). However, the earth shield plate 53 is fixed to the wall surface of the reverse sputtering chamber 50, and the substrate is movable in the shield surface direction. Therefore, it is difficult to keep the distance between the earth shield plate and the substrate constant. Further, by heating, the ground shield plate 53 and the substrate cart 51
Is deformed, it is more difficult to keep the gap constant. In extreme cases, the board 52 may be the earth shield plate 53.
However, there is a problem in that reverse sputtering cannot be performed.

この考案の目的は、基板とアースシールド板との接触を
防止して、均一な基板クリーニングを安定して行うこと
ができるインライン式成膜装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an in-line type film forming apparatus capable of preventing contact between a substrate and an earth shield plate and stably performing uniform substrate cleaning.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

この考案に係るインライン式成膜装置の搬送用基板カー
トは、インライン式成膜装置の各処理位置に基板を搬送
するための搬送用基板カートであって、基板が装着され
る基板ホルダ部と、異常放電を防止するためのシールド
板とを備えている。前記シールド板は前記基板ホルダ部
の背面側に所定の間隔を介して設けられている。
A transfer substrate cart of an in-line type film forming apparatus according to the present invention is a transfer substrate cart for transferring a substrate to each processing position of the in-line type film forming apparatus, and includes a substrate holder part on which a substrate is mounted, And a shield plate for preventing abnormal discharge. The shield plate is provided on the back surface side of the substrate holder portion with a predetermined gap.

〔作用〕[Action]

この考案に係るインライン式成膜装置の搬送用基板カー
トでは、基板カートの基板ホルダ部に基板が装着され、
この基板カートが成膜装置の各室あるいは各処理位置に
搬送される。そして、各室で基板への成膜処理が行われ
る。
In the substrate cart for transport of the in-line type film forming apparatus according to the present invention, the substrate is mounted on the substrate holder part of the substrate cart,
This substrate cart is transported to each chamber or each processing position of the film forming apparatus. Then, the film forming process on the substrate is performed in each chamber.

逆スパッタリング時には、基板表面のエッチングを行う
ことにより、基板クリーニングを行う。この時、シール
ド板が基板カートの基板ホルダ部背面側に設けられてい
るので、基板とシールド板との距離は常に一定に保たれ
る。
During the reverse sputtering, the substrate surface is etched to clean the substrate. At this time, since the shield plate is provided on the rear side of the substrate holder of the substrate cart, the distance between the substrate and the shield plate is always kept constant.

〔実施例〕〔Example〕

本考案の一実施例が適用されるインライン式スパッタリ
ング装置の概略構成を第4図に示す。以下、サイド・ス
パッタ型を例にとる。図において、本スパッタリング装
置は、基板の搬入・搬出が行われるロード室1と、基板
を加熱するための加熱室2と、基板のクリーニングを行
うためのクリーニング室(逆スパッタ室)3と、基板上
に成膜処理を行うための成膜室(スパッタ室)4とから
構成されている。各室の隔壁には、ゲート弁5が設けら
れている。また、ロード室1の大気側の隔壁には、出入
口弁6が設けられている。加熱室2内には、ヒータ等を
有する加熱機構部7が設けられている。逆スパッタ室3
内には、基板成膜面をエッチングするためのエッチング
機構部8が設けられている。スパッタ室4内には、ター
ゲットを有するスパッタリング機構部9が設けられてい
る。また、各室には、基板11が装着された基板カート12
を搬送するための搬送ローラ10がそれぞれ設けられてい
る。
FIG. 4 shows a schematic configuration of an in-line type sputtering apparatus to which an embodiment of the present invention is applied. Hereinafter, the side sputter type will be taken as an example. In the figure, the present sputtering apparatus includes a load chamber 1 for loading and unloading a substrate, a heating chamber 2 for heating the substrate, a cleaning chamber (reverse sputtering chamber) 3 for cleaning the substrate, and a substrate. It is composed of a film forming chamber (sputtering chamber) 4 for performing a film forming process thereon. A gate valve 5 is provided on the partition wall of each chamber. In addition, an inlet / outlet valve 6 is provided on the partition wall on the atmosphere side of the load chamber 1. A heating mechanism portion 7 having a heater and the like is provided in the heating chamber 2. Reverse sputtering chamber 3
An etching mechanism portion 8 for etching the substrate film formation surface is provided therein. A sputtering mechanism section 9 having a target is provided in the sputtering chamber 4. In addition, each room has a board cart 12 with a board 11 mounted thereon.
Conveying rollers 10 for conveying the are respectively provided.

次に、基板カート12の詳細を第1図及び第2図に示す。
第1図は基板カート12が逆スパッタ室3内に搬送された
状態を示し、第2図は基板カート12がスパッタ室4内に
搬送された状態を示す。なお、いずれも縦断面を示して
いる。
Next, details of the substrate cart 12 are shown in FIGS.
FIG. 1 shows a state where the substrate cart 12 is transported into the reverse sputtering chamber 3, and FIG. 2 shows a state where the substrate cart 12 is transported into the sputtering chamber 4. Note that each shows a vertical section.

まず、搬送用基板カート12について第1図を用いて説明
する。第2図に示すものについても同様である。なお、
図では、基板カート12の片側部分のみを示しており、他
方の側も同様の構成を有している。基板カート12には、
平板状のベース14が設けられている。このベース14の下
面両側部には、回転自在なローラ15が設けられている。
このローラ15により、基板カート12は、逆スパッタ室3
の底壁に配設されたレール16上を移動自在となってい
る。また、ベース14の一端には、紙面垂直方向に延びる
ラック17が固定されている。このラック17は、図示しな
いピニオンと噛み合っており、このピニオンは駆動用モ
ータに連結されている。
First, the transfer substrate cart 12 will be described with reference to FIG. The same applies to those shown in FIG. In addition,
In the figure, only one side of the substrate cart 12 is shown, and the other side has the same configuration. The board cart 12 has
A flat plate-shaped base 14 is provided. Rotatable rollers 15 are provided on both sides of the lower surface of the base 14.
This roller 15 causes the substrate cart 12 to move to the reverse sputtering chamber 3
It is movable on a rail 16 arranged on the bottom wall of the. A rack 17 extending in the direction perpendicular to the plane of the drawing is fixed to one end of the base 14. The rack 17 meshes with a pinion (not shown), and the pinion is connected to a drive motor.

ベース14上の両側部にはアングル18が固定されている。
このアングル18に、紙面垂直方向に延在するアースシー
ルド板20の下部が固定されている。また、アースシール
ド板20の下部には、孔が形成されており、この孔に断面
H字状の絶縁カラー26が装着されている。なお、このア
ースシールド板20は、ベース14を介してアースに接続さ
れている。
Angles 18 are fixed on both sides of the base 14.
The lower part of the earth shield plate 20 extending in the direction perpendicular to the paper surface is fixed to the angle 18. A hole is formed in the lower portion of the earth shield plate 20, and an insulating collar 26 having an H-shaped cross section is attached to this hole. The earth shield plate 20 is connected to the earth via the base 14.

また、ベース14上には、アースシールド板20のシールド
面に対向して、サブホルダ22が設けられている。サブホ
ルダ22は、絶縁カバー26内を挿通するボルト25によっ
て、絶縁カラー26の一端に固定されている。この絶縁カ
ラー26によって、サブホルダ22とアースシールド板20と
の隙間は、約3〜5mmに保たれるようになっている。サ
ブホルダ22には、クリーニングすべき基板11が装着され
た基板ホルダ21が固定されている。また、図示していな
いが、基板11と対向する逆スパッタ室3の壁面上には、
アース接続された平板電極が設けられている。また、基
板11と対向する壁面には、基板11に高周波電圧を印加す
るための高周波導入用ロッド(図示せず)が紙面左右方
向に進退自在に設けられている。なお、ボルト25の頭部
の回りには、キャップ27が装着されている。
A sub holder 22 is provided on the base 14 so as to face the shield surface of the earth shield plate 20. The sub-holder 22 is fixed to one end of the insulating collar 26 by a bolt 25 inserted through the insulating cover 26. With this insulating collar 26, the gap between the sub-holder 22 and the earth shield plate 20 is kept at about 3 to 5 mm. A substrate holder 21 on which a substrate 11 to be cleaned is mounted is fixed to the sub holder 22. Although not shown, on the wall surface of the reverse sputtering chamber 3 facing the substrate 11,
A flat plate electrode connected to the ground is provided. Further, on a wall surface facing the substrate 11, a high frequency introducing rod (not shown) for applying a high frequency voltage to the substrate 11 is provided so as to be movable back and forth in the lateral direction of the drawing. A cap 27 is attached around the head of the bolt 25.

次に、第2図に示すアース接続機構30について説明す
る。アース説明機構30は、成膜時に基板11をアースに接
続するための機構である。このアース接続機構30は、ス
パッタ室4の底壁上に上方向に突出して固定された支持
ロッド31と、支持ロッド31に一端が回動自在に連結され
たアーム32と、アーム32の他端に回転自在に装着された
ローラ33とを有している。また、第3図の平面図に示す
ように、アーム32の両側方には、バネ35が設けられてい
る。このバネ35により、アーム32は両側方から常時付勢
されるようになっている。また、基板11と対向するスパ
ッタ室4の内壁には、高周波電源に接続されたターゲッ
ト29が設けられている。
Next, the ground connection mechanism 30 shown in FIG. 2 will be described. The ground explanation mechanism 30 is a mechanism for connecting the substrate 11 to the ground during film formation. The earth connection mechanism 30 includes a support rod 31 fixed to the bottom wall of the sputtering chamber 4 so as to project upward, an arm 32 having one end rotatably connected to the support rod 31, and the other end of the arm 32. And a roller 33 that is rotatably mounted on. Further, as shown in the plan view of FIG. 3, springs 35 are provided on both sides of the arm 32. The arm 35 is always urged from both sides by the spring 35. A target 29 connected to a high frequency power source is provided on the inner wall of the sputtering chamber 4 facing the substrate 11.

次に、動作について説明する。Next, the operation will be described.

まず、基板11が装着された基板カート12がロード室1に
搬入される。ロード室1内を真空排気し、所定の真空圧
になったところで、ゲート弁5を開けて、基板カート12
を逆スパッタ室3に搬入し、基板表面のエッチング(ク
リーニング)を行う。
First, the substrate cart 12 on which the substrate 11 is mounted is carried into the load chamber 1. The inside of the load chamber 1 is evacuated and when the predetermined vacuum pressure is reached, the gate valve 5 is opened and the substrate cart 12
Is carried into the reverse sputtering chamber 3, and the substrate surface is etched (cleaned).

このエッチング処理を行う場合には、第1図において、
図示しない高周波導入用ロッドを突出させ、その先端を
サブホルダ22に当接させる。次に、高周波導入用ロッド
からサブホルダ22等を介して基板11に高周波電圧を印加
し、基板11と、これに対向する平板電極との間でグロー
放電を起こさせることにより、基板11表面のエッチング
を行う。この時、基板カート14上の基板11背面側には、
アースシールド板20が設けられており、また、基板11と
アースシールド板20との間隔は、絶縁カラー26により常
に一定に保たれている。したがって、基板11背面側で異
常放電が起こるのを防止することができる。また、基板
11とアースシールド板20との接触を防止して両者間での
短絡を防止することができる。これにより、基板表面側
での放電状態を安定させることができ、基板クリーニン
グを安定して行うことができる。
When performing this etching process, in FIG.
A high-frequency introducing rod (not shown) is projected, and its tip is brought into contact with the sub-holder 22. Next, a high-frequency voltage is applied to the substrate 11 from the high-frequency introducing rod via the sub-holder 22 or the like to cause glow discharge between the substrate 11 and a flat plate electrode facing the substrate 11, thereby etching the surface of the substrate 11. I do. At this time, on the back side of the board 11 on the board cart 14,
An earth shield plate 20 is provided, and the gap between the substrate 11 and the earth shield plate 20 is always kept constant by an insulating collar 26. Therefore, it is possible to prevent abnormal discharge from occurring on the rear surface side of the substrate 11. Also the substrate
It is possible to prevent contact between 11 and the ground shield plate 20 and prevent a short circuit between them. Thereby, the discharge state on the substrate surface side can be stabilized, and the substrate cleaning can be stably performed.

クリーニング終了後は、高周波導入用ロッドを退避位置
まで後退させる。そして、ゲート弁5を開け、基板カー
ト12を加熱室2に搬入する。基板11が所定の温度になっ
たところで、基板カート12をスパッタ室4内に搬入して
所定の成膜処理を行う。
After the cleaning is completed, the high frequency introduction rod is retracted to the retracted position. Then, the gate valve 5 is opened and the substrate cart 12 is carried into the heating chamber 2. When the substrate 11 reaches a predetermined temperature, the substrate cart 12 is carried into the sputtering chamber 4 and a predetermined film forming process is performed.

基板11の成膜処理を行う場合には、第2図において、た
とえば基板カート12が紙面手前側から奥側に搬送されて
くる。基板カート12がスパッタ室4内に搬入されると、
第3図に示すように、サブホルダ22がローラ33に当接
し、アーム32を矢印方向に回動させる。この時、アーム
32には、バネ35により回動方向とは逆方向の力が作用す
るため、ローラ33は、常にサブホルダ22と接触した状態
にある。これにより、基板11はアースに接続される。こ
の状態で、ターゲット29に高周波電力を供給して、ター
ゲット29と基板11との間でグロー放電を起こさせ、基板
11に成膜処理を行う。
In the case of performing the film forming process on the substrate 11, for example, the substrate cart 12 is conveyed from the front side of the paper to the back side in FIG. When the substrate cart 12 is carried into the sputtering chamber 4,
As shown in FIG. 3, the sub-holder 22 contacts the roller 33 and rotates the arm 32 in the arrow direction. At this time, the arm
Since the spring 35 exerts a force in the direction opposite to the rotation direction on the roller 32, the roller 33 is always in contact with the sub holder 22. As a result, the substrate 11 is connected to the ground. In this state, high frequency power is supplied to the target 29 to cause glow discharge between the target 29 and the substrate 11,
A film forming process is performed on 11.

このような本実施例では、基板11とアースシールド板20
とは同じ基板カート12に配置されて移動するため、間隔
は常に一定に保たれる。したがって、基板背面側での異
常放電を防止することができるとともに、基板とアース
シールド板との接触による短絡を防止でき、均一な基板
クリーニングを安定して行うことができる。
In this embodiment, the board 11 and the earth shield plate 20 are
Since they are placed on the same substrate cart 12 and moved, the intervals are always kept constant. Therefore, it is possible to prevent abnormal discharge on the back surface side of the substrate, prevent short circuits due to contact between the substrate and the ground shield plate, and perform uniform substrate cleaning in a stable manner.

〔他の実施例〕[Other Examples]

(a)前記実施例では、本考案をサイド・スパッタ型に
適用したものを示したが、本考案は、基板を横姿勢に保
持して成膜を行うデボアップ型(基板を上方に配置)や
デボダウン型(基板を下方に配置)にも同様に適用する
ことができる。
(A) In the above embodiments, the present invention is applied to the side sputter type, but the present invention shows a devo-up type (where the substrate is arranged above) in which the substrate is held in a horizontal position for film formation. The same can be applied to the devo-down type (the substrate is arranged below).

(b)前記実施例では、エッチング機構部、加熱機構
部、及びスパッタリング機構部がそれぞれ独立した室に
配置されたインライン式を示したが、前記各機構が1つ
のプロセス室に配置されたインライン式にも、本考案を
同様に適用することができる。
(B) In the above embodiment, the in-line type in which the etching mechanism section, the heating mechanism section, and the sputtering mechanism section are arranged in independent chambers is shown, but the in-line type in which each mechanism is arranged in one process chamber is shown. Also, the present invention can be similarly applied.

(c)本考案の適用は、スパッタリング装置に限定され
ず、プラズマCVD装置等の成膜装置にも同様に適用する
ことができる。
(C) The application of the present invention is not limited to a sputtering apparatus, but can be similarly applied to a film forming apparatus such as a plasma CVD apparatus.

〔考案の効果〕[Effect of device]

この考案に係るインライン式成膜装置の搬送用基板カー
トでは、基板ホルダ側の背面側に所定の間隔を介してシ
ールド板が設けられるので、基板背面側での異常放電を
防止して、基板表面側での放電状態を安定させることが
でき、これにより、均一な基板クリーニングを安定して
行うことができる。
In the transfer substrate cart of the in-line type film forming apparatus according to the present invention, since the shield plate is provided on the back side of the substrate holder side with a predetermined gap, abnormal discharge on the back side of the substrate is prevented and the substrate surface is prevented. The discharge state on the side can be stabilized, and thus uniform substrate cleaning can be stably performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図及び第2図は本考案の一実施例による搬送用基板
カートの縦断面図、第3図は第2図の一部平面図、第4
図は本考案の一実施例が適用されるインライン式成膜装
置の概略構成図、第5図は従来装置の逆スパッタ室の概
略構成図である。 3…クリーニング室、10…搬送ローラ、11…基板、12…
基板カート、14…ベース、20…アースシールド板、21…
基板ホルダ、22…サブホルダ。
1 and 2 are vertical cross-sectional views of a carrier substrate cart according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a partial plan view of FIG. 2, and FIG.
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of an in-line type film forming apparatus to which an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a reverse sputtering chamber of a conventional apparatus. 3 ... Cleaning chamber, 10 ... Transport roller, 11 ... Substrate, 12 ...
Substrate cart, 14 ... Base, 20 ... Earth shield plate, 21 ...
Substrate holder, 22 ... Sub holder.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】基板が装着される基板ホルダ部と、前記基
板ホルダ部背面側に所定間隔を介して設けられ、異常放
電を防止するためのシールド板とを備えた搬送用基板カ
ートを有することを特徴とするインライン式成膜装置。
1. A transporting substrate cart having a substrate holder part on which a substrate is mounted, and a shield plate provided on the rear side of the substrate holder part with a predetermined space therebetween to prevent abnormal discharge. An in-line type film forming apparatus.
JP7576489U 1989-06-28 1989-06-28 In-line type film deposition system Expired - Lifetime JPH0726363Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7576489U JPH0726363Y2 (en) 1989-06-28 1989-06-28 In-line type film deposition system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7576489U JPH0726363Y2 (en) 1989-06-28 1989-06-28 In-line type film deposition system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0314148U JPH0314148U (en) 1991-02-13
JPH0726363Y2 true JPH0726363Y2 (en) 1995-06-14

Family

ID=31616628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7576489U Expired - Lifetime JPH0726363Y2 (en) 1989-06-28 1989-06-28 In-line type film deposition system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0726363Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0314148U (en) 1991-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3781384B2 (en) Vacuum coating equipment
KR0182772B1 (en) Sputtering apparatus, device for exchanging target and method for the same
KR100367963B1 (en) Coating apparatus for semiconductor process
JP3909888B2 (en) Tray transfer type in-line deposition system
US20100122655A1 (en) Ball supported shadow frame
JPH0950992A (en) Film forming device
US11242596B2 (en) Film forming method
KR100680239B1 (en) Apparatus of forming a film and system of forming a film using the same
JPH0726363Y2 (en) In-line type film deposition system
TW516336B (en) Temperature-controlled chamber, and vacuum processing apparatus using the same, and heating method to process the object, cooling method to process the object
JPH01173710A (en) Substrate holding mechanism for thin film forming device
JPH05136010A (en) Electrode forming equipment of chip parts
KR101066979B1 (en) Apparatus to Sputter
JPH11233600A (en) Electrostatic attractor and vacuum processor using the same
JPH01103828A (en) Plasma cvd device
JP2811845B2 (en) Mobile film forming equipment
JPH0379759A (en) Substrate feeding mechanism of inline type film forming device
JP3753896B2 (en) Magnetron sputtering equipment
KR20000026442A (en) Semiconductor equipment having dust unit and method for collecting dust
JPH06173000A (en) Continuous film forming device
JP2001015576A (en) Device and method for substrate transporting, treatment device, and substrate treatment system
JPH05171441A (en) Sputtering device
JP3645121B2 (en) Vacuum deposition system
JP2002008226A (en) Device and method for manufacture of information recording disk and method for plasma ashing
JPH06186549A (en) Heating method and heating furnace for substrate