JPH07263496A - Bonding tool - Google Patents
Bonding toolInfo
- Publication number
- JPH07263496A JPH07263496A JP7011151A JP1115195A JPH07263496A JP H07263496 A JPH07263496 A JP H07263496A JP 7011151 A JP7011151 A JP 7011151A JP 1115195 A JP1115195 A JP 1115195A JP H07263496 A JPH07263496 A JP H07263496A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- tool
- gold
- bonding tool
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
- B23K20/106—Features related to sonotrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45644—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はTAB(Tape Au
tomated Bonding)の分野に係わり、更
に特に、TABインナリードボンディングを行うための
工具に係わるものである。The present invention relates to a TAB (Tape Au).
The present invention relates to the field of bonded bonding, and more particularly to tools for performing TAB inner lead bonding.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路(IC)のような電子素
子の製造では、入力パッドと出力パッドと電力パッドと
接地パッドとが外部リードに接合又は結合されなければ
ならない。半導体製造技術分野で知られている手法の1
つはTABであり、TABは当業者に公知である。図7
に示されるように、この製造手法は、テープ14の個々
の区画又はフレームに取り付けられたチップ26用平面
基体を与えるために、写真フィルムと同様の連続した絶
縁性テープ14を使用する。この手法は、テープ14に
取り付けられたフレームの使用と単独のフレームの使用
とのどちらによっても行われることが可能である。導電
トレースの放射線状金属(一般的には金めっき銅)パタ
ーン20、21、22が各フレーム上にエッチングによ
って形成される。これらのトレースは、扇状に広がる、
即ち、フレームの中心から4つの縁に放射状に広がるこ
とも、その各々の平行線セットがチップ26の各々1つ
の縁から垂直方向に延在する4つの平行線セットである
ことも可能である。チップ26の接点パッド28(通常
はアルミニウム)がフレームの中央部分内の対応する導
電トレースパッド24の位置に正確に位置決めされるこ
とが可能であるように、チップ26がフレームの中央に
正確に位置合わせされる。その後で、チップ26がTA
Bフレームに取り付けられる。2. Description of the Related Art In the manufacture of electronic devices such as semiconductor integrated circuits (ICs), input pads, output pads, power pads and ground pads must be joined or bonded to external leads. One of the methods known in the field of semiconductor manufacturing technology
One is TAB, which is known to those skilled in the art. Figure 7
As shown in Figure 1, this manufacturing technique uses a continuous insulating tape 14 similar to photographic film to provide a planar substrate for the chips 26 mounted in individual compartments or frames of the tape 14. This approach can be done either by using a frame attached to tape 14 or by using a single frame. Radial metal (typically gold plated copper) patterns 20, 21, 22 of conductive traces are etched on each frame. These traces fan out,
That is, it can extend radially from the center of the frame to four edges, or each set of parallel lines can be four sets of parallel lines extending vertically from each one edge of the chip 26. The tip 26 is precisely located in the center of the frame so that the contact pads 28 (typically aluminum) of the tip 26 can be accurately located at the locations of the corresponding conductive trace pads 24 in the center portion of the frame. Be matched. After that, the chip 26 becomes TA
It is attached to the B frame.
【0003】チップパッド28をフレームの導電トレー
スパッド24にこのように接続することは、「インナー
リードボンディング」と呼ばれ、超音波ボンディング法
又はサーモソニックボンディング(Thermoson
ic Bonding)法によって行われる。こうした
ボンディングは全て、ボンディング工具32をフレーム
の導電トレースパッド24に接触させることによって行
われる。ボンディング工具32がトレースパッド24と
接触した直後に、超音波ボンディング又はサーモソニッ
クボンディングが、その特定のチップパッド28と導電
トレースパッド24とに対して行われる。工具32が金
リード24と接触する時に工具32がその金リードを掴
むように、接触端部34は、微細なパターンが付けられ
た粗い表面を持たなければならない。従って、超音波エ
ネルギー又はサーモソニックエネルギーが工具32に加
えられる時に、工具32が金リード24を掴んでアルミ
ニウムボンディングパッド28上に金リード24を動か
す。この超音波振動は金リード24とアルミニウムパッ
ド28との間の分子結合の形成を生じさせる。This connection of the chip pads 28 to the conductive trace pads 24 of the frame is referred to as "inner lead bonding" and is an ultrasonic bonding method or thermosonic bonding (Thermoson).
ic Bonding) method. All such bonding is done by contacting the bonding tool 32 with the conductive trace pads 24 of the frame. Immediately after the bonding tool 32 makes contact with the trace pad 24, ultrasonic bonding or thermosonic bonding is performed on that particular chip pad 28 and the conductive trace pad 24. The contact end 34 must have a rough surface with a fine pattern so that the tool 32 grips the gold lead 24 as it contacts the gold lead 24. Therefore, when ultrasonic or thermosonic energy is applied to the tool 32, the tool 32 grips the gold lead 24 and moves the gold lead 24 onto the aluminum bond pad 28. This ultrasonic vibration causes the formation of molecular bonds between the gold leads 24 and the aluminum pads 28.
【0004】ボンディング工具32は、一般的に、導電
性金属バインダー(典型的にはニッケル)中の焼結炭化
チタン又は炭化タングステンで作られる。こうした炭化
物は、ボンディング工具32に硬度を与え、一方、ボン
ディング工具32が放電加工プロセスを使用して製造さ
れるので、導電性金属(バインダー)が必要とされる。
工具32の製造においては、その親工具が、標準的な精
密加工技術を使用して工具鋼で作られる。この親工具
は、電極を作り出すために軟銅ブランクの中に押し込ま
れ、この電極は、従来の放電加工工程を使用して工具3
2の接触端部34を形成するために使用される。Bonding tool 32 is generally made of sintered titanium carbide or tungsten carbide in a conductive metal binder (typically nickel). Such carbides impart hardness to the bonding tool 32, while a conductive metal (binder) is required because the bonding tool 32 is manufactured using an electrical discharge machining process.
In the manufacture of tool 32, its parent tool is made of tool steel using standard precision machining techniques. This parent tool is pressed into an annealed copper blank to create an electrode, which electrode is cut using a conventional electrical discharge machining process.
It is used to form the two contact ends 34.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ボンデ
ィング工具32を製造するためのこのプロセスは、精密
工具製造業者にとっては非常に効率的であり経済性に優
れているが、優秀な工具をもたらすことがない。この製
造方法で作られた工具の接触端部34は、通常のサーモ
ソニックボンディング条件においては、ボンディングリ
ード上の金の存在下で、極めて急速に磨耗する可能性が
高い。更に、ボンディングリードからの金がボンディン
グ工具の表面上に付着する傾向がある。本発明者は、超
音波条件下ではリード24中の金がボンディング工具3
2中の金属を磨耗させてその金属中に拡散し、それによ
って工具32が比較的僅かな回数のボンディングの後で
その形状を失うということを発見した。この条件は、数
100個のI/Oパッドを各々が有する可能性がある集
積回路の大量生産にとって非常に不適切である。典型的
なボンディング工具は、一般的に、100回程度のボン
ディングに亙ってその形状を維持し、その後で新たな工
具に交換されなければならない。現在の製造技術によっ
て作られるボンディング工具は頻繁に交換される必要が
あり、このことは集積回路の製造コストを更に上昇させ
る。However, this process for producing the bonding tool 32 is very efficient and economical for precision tool manufacturers, but can result in excellent tools. Absent. The contact end 34 of the tool made by this manufacturing method is likely to wear very rapidly in the presence of gold on the bonding leads under normal thermosonic bonding conditions. Moreover, gold from the bonding leads tends to deposit on the surface of the bonding tool. The present inventor has found that under the ultrasonic conditions, the gold in the lead 24 is the bonding tool 3
It has been found that the metal in 2 wears and diffuses into it, causing tool 32 to lose its shape after a relatively few number of bonds. This condition is very unsuitable for mass production of integrated circuits, each of which may have hundreds of I / O pads. A typical bonding tool generally maintains its shape over 100 or so times of bonding and then must be replaced with a new tool. Bonding tools made by current manufacturing techniques need to be replaced frequently, which further increases the cost of manufacturing integrated circuits.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】ボンディング工具の製造
業者の中には、金による磨耗に対して耐久性があるセラ
ミック製工具かダイヤモンド製工具か合金製工具を製造
することを主張する者もあるが、本発明者は、こうした
工具が放電加工を可能にする金属バインダーを含むとい
うことを発見した。例えば、Dewel Tool C
ompany,Inc.(Nvato,Calforn
ia)がセラミックスーパー工具を宣伝し、Small
Precision Tools(Petalaum
a,California)がダイヤモンドタブ工具を
宣伝しているが、本発明者は、こうした工具が金属バイ
ンダーを含み、その耐摩耗性は従来の炭化チタン製工具
又は炭化タングステン製工具に比べて著しく優れている
というわけではないということを発見している。Some manufacturers of bonding tools insist on producing ceramic, diamond or alloy tools that are resistant to wear by gold. However, the inventor has discovered that such tools include a metal binder that enables electrical discharge machining. For example, Dewel Tool C
company, Inc. (Nvato, Calforn
ia) advertises ceramic super tools, Small
Precision Tools (Petalaum)
a, California) to advertise diamond tab tools, the inventor has found that such tools include a metal binder and their wear resistance is significantly superior to conventional titanium carbide or tungsten carbide tools. I have found that it is not.
【0007】本発明の目的は、従来技術のボンディング
工具よりも遥かに多い回数のボンディングに亙ってボン
ディング工具がその形状を維持することを可能にする、
改良されたボンディング工具とその製造方法とを提供す
ることである。明確に言えば、本発明のボンディング工
具は、何らかの変形又は劣化が発見される前に約50
0,000回のボンディングに亙ってその形状を維持す
ることが可能である。バンプレスボンディング(Bum
pless Bonding)では、ボンディング工具
がリードを掴んで、超音波によってリードをボンディン
グパッドに接合することが必要であるので、ボンディン
グ工具がそのボンディング先端上に粗い表面を維持する
ことが更に重要である。従って、本発明の工具は、バン
プレスボンディングにおいて特に適切に機能する。It is an object of the present invention to allow a bonding tool to maintain its shape over a greater number of bonds than prior art bonding tools.
It is an object of the present invention to provide an improved bonding tool and its manufacturing method. To be clear, the bonding tool of the present invention is about 50% before any deformation or deterioration is discovered.
It is possible to maintain its shape over 10,000 bondings. Bumpless bonding (Bum
Since press bonding requires the bonding tool to grab the lead and ultrasonically bond the lead to the bonding pad, it is even more important for the bonding tool to maintain a rough surface on its bonding tip. Therefore, the tool of the present invention works particularly well in bumpless bonding.
【0008】本発明の別の目的は、(例えば、金リード
の方向に無関係に、任意の方向にボンディングを行うた
めに使用されることが可能である)全方向性のボンディ
ング工具を提供することである。これは、どんな方向か
ら見ても実質的に同一である隆起パターンをボンディン
グ工具に付与することによって実現される。例えば、隆
起ボンディングリングをボンディング工具に付与する。Another object of the invention is to provide an omnidirectional bonding tool (which can be used, for example, to bond in any direction independent of the direction of the gold leads). Is. This is accomplished by imparting to the bonding tool a raised pattern that is substantially the same in any direction. For example, a raised bonding ring is applied to the bonding tool.
【0009】導電性金属材料を含まない、焼結酸化アル
ミニウムセラミック(Al2 O3 )製のボンディング工
具によって、本発明の上記の目的と他の目的とが実現さ
れる。本発明は、ボンディング工具が金リード又は金め
っきリードと接触する他のタイプのボンディング方式の
ためのボンディング工具(例えば、ゴールドウェッジボ
ンディング工具)を製造するためにも使用されることが
可能である。The above and other objects of the invention are realized by a bonding tool made of sintered aluminum oxide ceramic (Al 2 O 3 ) which is free of conductive metal material. The present invention can also be used to manufacture bonding tools for other types of bonding schemes where the bonding tool contacts gold or gold plated leads (eg, gold wedge bonding tools).
【0010】本発明の他の目的と特徴と利点とが、以下
の詳細な説明と添付図面とを参照することによって明ら
かになるだろう。添付図面においては、その全ての図を
通じて、同一の参照符号が同一の特徴を表している。Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent with reference to the following detailed description and accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals represent like features throughout the drawings.
【0011】[0011]
【実施例】さて、本発明者が現在考え得る最善の本発明
の実現形態を示す本発明の特定の実施例を、詳細に説明
する。別の実施例も必要に応じて手短に説明する。図1
から図3を参照すると、これらの図には、本発明の第1
の実施例による、実質的に焼結酸化アルミニウムセラミ
ックで作られたボンディング工具100が示されてい
る。ボンディング工具100は、約0.0624±0.
0001インチの直径を有する円筒形シャンク本体部分
102と、円錐形端部部分104とによって構成され
る。ボンディング工具100の全長は約0.470±
0.005インチである。円錐形端部部分104は接触
端部表面106で終端し、この接触端部表面106は約
0.004+0.0003/−0インチの直径を有す
る。図2と図3とに示されるように、接触端部表面10
6は、約0.0004インチの幅の3つの概ね平らな内
側接触領域110と、約0.0002インチの幅の2つ
の概ね平らな外側接触領域112とを有する。接触領域
110、112は溝108によって隔てられ、これらの
溝は幅が約0.0006±0.0001インチで深さが
約0.0003±0.0001インチである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Now, a specific embodiment of the present invention showing the best mode of realization of the present invention currently conceivable by the present inventors will be described in detail. Other embodiments will be briefly described as needed. Figure 1
3 to 3, these figures show the first of the invention.
There is shown a bonding tool 100 substantially made of a sintered aluminum oxide ceramic, according to an embodiment of the present invention. The bonding tool 100 is about 0.0624 ± 0.
It is constituted by a cylindrical shank body portion 102 having a diameter of 0001 inches and a conical end portion 104. The total length of the bonding tool 100 is about 0.470 ±
It is 0.005 inches. The conical end portion 104 terminates in a contact end surface 106, which has a diameter of about 0.004 + 0.0003 / -0 inches. As shown in FIGS. 2 and 3, the contact end surface 10
6 has three generally flat inner contact areas 110 of about 0.0004 inch width and two generally flat outer contact areas 112 of about 0.0002 inch width. Contact areas 110, 112 are separated by grooves 108, which are about 0.0006 ± 0.0001 inches wide and about 0.0003 ± 0.0001 inches deep.
【0012】製造時には、テーパ付き端部部分104を
有する酸化アルミニウム(アルミナ)セラミック製の円
筒形ブランクが、公知の成形及び焼結プロセスによって
作られる。このテーパは約30度の開先角度である。そ
の後で、最終的な形状と寸法とを形成するために、上記
円筒形ブランクが研磨されラップ仕上げされる。更に、
そのブランクが特定の長さにレーザ又はダイヤモンド工
具で切断される。その次に、レーザ又はダイヤモンド工
具加工技術を使用して溝108が接触端部表面106内
に形成される。更に、当業者には明らかであるように、
単結晶性サファイアのような他の硬質材料が、ボンディ
ング工具の製造に使用されることが可能である。During manufacture, an aluminum oxide (alumina) ceramic cylindrical blank having a tapered end portion 104 is made by known forming and sintering processes. This taper has a groove angle of about 30 degrees. The cylindrical blank is then ground and lapped to form the final shape and dimensions. Furthermore,
The blank is cut with a laser or diamond tool to a specified length. Grooves 108 are then formed in the contact end surface 106 using laser or diamond tooling techniques. Furthermore, as will be apparent to those skilled in the art,
Other hard materials such as single crystal sapphire can be used in the manufacture of bonding tools.
【0013】次に図4から図6を参照すると、本発明に
従って実質的に焼結酸化アルミニウムセラミックによっ
て形成されたボンディング工具200が示されている。
ボンディング工具200は、約0.0624±0.00
01インチの直径を有する円筒形シャンク本体部分20
2と、円錐形端部部分204とによって構成される。ボ
ンディング工具200の全長は約0.470±0.00
5インチである。円錐形端部部分204は接触端部表面
206で終端する。図5と図6とに示されるように、接
触端部表面206は、約0.0046インチの外径と約
0.0042インチの内径とを有する概ね平らな接触リ
ング214を有する。図6に示されるように、接触リン
グ214は、直径約0.0026インチの窪み領域20
8の上方に約0.0008インチの高さを有する、円形
隆起構造である。Referring now to FIGS. 4-6, there is shown a bonding tool 200 formed substantially of a sintered aluminum oxide ceramic in accordance with the present invention.
The bonding tool 200 is about 0.0624 ± 0.00
Cylindrical shank body portion 20 having a diameter of 01 inches
2 and the conical end portion 204. The total length of the bonding tool 200 is about 0.470 ± 0.00
It is 5 inches. The conical end portion 204 terminates in a contact end surface 206. As shown in FIGS. 5 and 6, the contact end surface 206 has a generally flat contact ring 214 having an outer diameter of about 0.0046 inches and an inner diameter of about 0.0042 inches. As shown in FIG. 6, the contact ring 214 includes a recessed region 20 having a diameter of about 0.0026 inches.
8 is a circular ridge structure having a height of about 0.0008 inches above 8.
【0014】製造の際には、テーパ付き端部部分204
を有する酸化アルミニウム(アルミナ)セラミック製の
円筒形シャンクが、公知の成形及び焼結プロセスによっ
て作られる。このテーパは約30度の開先角度である。
このテーパ付き端部部分204は、中心軸線XXから約
45度の角度にある傾斜壁212を含む。その後で、最
終的な形状と寸法とを形成するために、その円筒形シャ
ンクが研磨されラップ仕上げされる。更に、そのシャン
クが特定の長さにレーザ又はダイヤモンド工具で切断さ
れる。端部部分204内の窪み領域208が、超音波加
工プロセス又は研磨プロセスを使用して形成される。During manufacture, the tapered end portion 204
A cylindrical shank made of aluminum oxide (alumina) ceramic with a is made by known forming and sintering processes. This taper has a groove angle of about 30 degrees.
The tapered end portion 204 includes a beveled wall 212 at an angle of about 45 degrees from the central axis XX. The cylindrical shank is then ground and lapped to form the final shape and dimensions. In addition, the shank is cut to length with a laser or diamond tool. The recessed region 208 in the end portion 204 is formed using an ultrasonic machining process or a polishing process.
【0015】このボンディング工具は、接触端部が全方
向性であるので、優れていると考えられる。従って、ボ
ンディングされるべき素子の方向に対して、この工具の
方向は任意のものであってよい。従って、従来技術のボ
ンディング工具と本発明の第1の実施例との場合には、
接触端部の隆起部分の方向をリード指状突起の方向に対
して垂直であるように位置合わせすることが必要である
のとは対照的に、この実施例の場合には、こうした位置
合わせが不要である。こうした位置合わせ手順では、同
じ1つの方向にあるリード指状突起全てがボンディング
され、その後で、反対方向(又は、他の任意の方向)の
リード指状突起をボンディングする前に、ボンディング
工具を位置合わせすることが必要である。This bonding tool is considered excellent because the contact ends are omnidirectional. Therefore, the orientation of this tool can be arbitrary with respect to the orientation of the element to be bonded. Therefore, in the case of the conventional bonding tool and the first embodiment of the present invention,
In contrast to the need to align the orientation of the ridges of the contact ends so that they are perpendicular to the orientation of the lead fingers, in this embodiment such alignment is It is unnecessary. These alignment procedures bond all the lead fingers in one and the same direction, and then position the bonding tool before bonding the lead fingers in the opposite direction (or any other direction). It is necessary to match.
【0016】本発明のボンディング工具の作製が完了す
ると、このボンディング工具は、TABのために他のボ
ンディング工具を使用する場合と(2つの相違点を除い
て)全く同じボンディング装置と仕方とで使用されるこ
とが可能である。第1の相違点は、従来のボンディング
工具の耐用寿命期間が数100回のボンディングにすぎ
ないのとは対照的に、本発明のアルミナボンディング工
具が、500,000回以上のボンディングというボン
ディング耐用寿命期間を有するということである。第2
の相違点は、従来技術のボンディング工具ではボンディ
ング対象の素子のリード指状突起との正確な位置合わせ
を必要とするが、本発明の第2の実施例のボンディング
工具は、ボンディング対象の素子のリード指状突起との
正確な位置合わせを必要としないということである。意
図された用途と使用ボンディング装置とに応じてボンデ
ィング工具の寸法を変更することが必要であるというこ
とを、当業者は容易に理解するだろう。Once the fabrication of the bonding tool of the present invention is complete, the bonding tool is used with exactly the same bonding equipment and method (with two differences) as is the case with other bonding tools for TAB. Can be done. The first difference is that the alumina bonding tool of the present invention has a bonding service life of more than 500,000 bondings, in contrast to the conventional bonding tool having a bonding life of only several hundred bondings. It means having a period. Second
However, the bonding tool of the prior art requires accurate alignment with the lead fingers of the element to be bonded, but the bonding tool of the second embodiment of the present invention is It does not require precise alignment with the lead fingers. Those skilled in the art will readily appreciate that it may be necessary to change the dimensions of the bonding tool depending on the intended application and the bonding equipment used.
【0017】本発明の上記の説明は、本発明の例示と説
明とのために行われてきた。本発明を上記の実施例その
ものに限定することは意図されておらず、他の変更例と
変形例とが上記開示内容に従って実現可能である。例え
ば、本発明のボンディング工具は、その使用バインダー
材料が容易に金によって磨耗させられるニッケル又は他
の材料でない限り、必ずしも酸化アルミニウムセラミッ
クである必要はなく、ルビーやサファイヤのような任意
の硬質材料であることが可能である。更に、本発明の開
示内容が、ボンディング工具の同様の磨耗問題が存在す
る金ワイヤとのウェッジボンディングのためのボンディ
ング工具に対しても、適用されることが可能である。想
定された特定の用途に適合する様々な具体例と変更例と
の形で当業者が本発明を最良に適用することを可能にす
るように本発明の原理とその実際的な応用とを最適に説
明するために、上記の実施例を選択し説明した。従来の
技術によって限定される範囲を除いて、添付クレームが
本発明の他の具体例の全てを含むと解釈されなければな
らないことが意図されている。The foregoing description of the invention has been presented for purposes of illustration and description of the invention. The present invention is not intended to be limited to the above embodiments themselves, and other modifications and variations can be realized according to the above disclosure. For example, the bonding tool of the present invention need not be an aluminum oxide ceramic, but any hard material such as ruby or sapphire, unless the binder material used is nickel or other material that is easily abraded by gold. It is possible. Further, the disclosure of the present invention can be applied to bonding tools for wedge bonding with gold wires where similar wear problems of bonding tools exist. Optimizing the principles of the invention and its practical application to enable those skilled in the art to best apply the invention in the form of various embodiments and modifications to suit the particular application envisioned. For purposes of explanation, the above example has been selected and described. It is intended that the appended claims be construed to include all other embodiments of the invention except to the extent limited by the prior art.
【0018】上記実施例で説明した本発明に係るボンデ
イング方法(TAB)及びその工具は下記のように具現
化できる。 [1]金リード又は金めっきリードと電子素子又は電子
回路の接点パッドとの間を超音波によって又はサーモソ
ニック的に接合するためのTAB工具であって、第1の
端部と第2の端部とを有する、金属バインダーを含まな
い硬質セラミック材料のシャンクと、前記シャンクの前
記第1の端部に位置する、金属バインダーを含まない硬
質セラミック材料のボンディング先端とを含み、前記ボ
ンディング先端が前記金リードと圧縮接触する時に、そ
の顕微鏡的に粗い表面が前記金リードを掴み前記ボンデ
ィング工具が超音波によって又はサーモソニック的に前
記金リードを前記接触パッド上に移動させ、前記金リー
ドと前記接点パッドとの間を接合するように、前記ボン
ディング先端が顕微鏡的に粗い表面を有する前記ボンデ
ィング工具である。 [2]前記シャンクが酸化アルミニウムセラミックを含
む上記[1]に記載のボンディング工具である。 [3]前記ボンディング先端が酸化アルミニウムセラミ
ックを含む上記[1]に記載のボンディング工具であ
る。The bonding method (TAB) and the tool thereof according to the present invention described in the above embodiment can be embodied as follows. [1] A TAB tool for ultrasonically or thermosonically joining a gold lead or a gold-plated lead and a contact pad of an electronic element or an electronic circuit, the first end and the second end A hard ceramic material shank of a metal binder-free hard ceramic material having a portion, and a bonding tip of a hard ceramic material free of a metal binder located at the first end of the shank, wherein the bonding tip is When in compression contact with a gold lead, its microscopically rough surface grips the gold lead and the bonding tool ultrasonically or thermosonically moves the gold lead onto the contact pad, the gold lead and the contact The bonding tip is the bonding tool having a microscopically rough surface so as to bond with a pad. [2] The bonding tool according to the above [1], wherein the shank contains an aluminum oxide ceramic. [3] The bonding tool according to the above [1], wherein the bonding tip includes an aluminum oxide ceramic.
【0019】[4]前記ボンディング先端が99.99
%の焼結酸化アルミニウムセラミックを含む上記[3]
に記載のボンディング工具である。 [5]前記ボンディング先端の前記顕微鏡的に粗い表面
が、前記接点パッドよりも僅かに寸法が小さい隆起リン
グを有する上記[4]に記載のボンディング工具であ
る。 [6]前記ボンディング先端の前記顕微鏡的に粗い表面
が、前記表面上に延在する複数の隆起した指状突起を有
する上記[1]に記載のボンディング工具である。 [7]前記ボンディング先端の前記顕微鏡的に粗い表面
が、前記金リード又は金めっきリードと超音波圧縮接触
させられる時に前記金リード又は金めっきリードを掴ん
で移動させることが可能な全方向性の隆起パターンを有
する上記[1]に記載のボンディング工具である。[4] The bonding tip is 99.99.
%, Including [3] sintered aluminum oxide ceramic
The bonding tool described in 1. [5] The bonding tool according to the above [4], wherein the microscopically rough surface of the bonding tip has a raised ring slightly smaller in size than the contact pad. [6] The bonding tool according to the above [1], wherein the microscopically rough surface of the bonding tip has a plurality of raised fingers extending on the surface. [7] The microscopically rough surface of the bonding tip has an omnidirectional property capable of grasping and moving the gold lead or the gold plating lead when the gold lead or the gold plating lead is brought into ultrasonic compression contact. The bonding tool according to the above [1], which has a raised pattern.
【0020】[8]ボンディング工具を製造するための
方法であって、前記方法が、(a)その軸線の一方の端
部に第1の副次的部分を有し且つその軸線の他方の端部
に第2の副次的部分を有する軸線を有する、99.99
%焼結酸化アルミニウムセラミックの充実シャンクを形
成する段階と、(b)前記シャンクの前記第2の副次的
部分に隣接し且つ前記第2の副次的部分と幅が等しい広
幅の端部と、前記シャンクから反対側に位置し且つ前記
シャンクの前記軸線に対して垂直である表面を有する狭
幅の端部とを有するテーパ付き端部部分を、前記第1の
副次的部分に形成する段階と、(c)前記テーパ付き端
部部分の前記狭幅の端部の前記表面内に、顕微鏡的に粗
い予め決められたパターンを形成する段階とを含む前記
方法である。[8] A method for manufacturing a bonding tool, the method comprising: (a) having a first sub-portion at one end of its axis and the other end of its axis. With an axis having a second subportion in the section, 99.99
% Forming a solid shank of sintered aluminum oxide ceramic, and (b) a wide end adjacent to the second sub-portion of the shank and of equal width to the second sub-portion. Forming a tapered end portion on the first sub-portion having a narrow end located opposite the shank and having a surface perpendicular to the axis of the shank. And (c) forming a microscopically rough predetermined pattern in the surface of the narrow end of the tapered end portion.
【0021】[9]前記充実シャンクを形成する前記段
階が、円筒形シャンクを形成することを更に含む上記
[8]に記載の方法である。 [10]前記テーパ付き端部部分を形成する前記段階
が、充実円錐形端部部分を形成することを更に含む上記
[9]に記載の方法である。 [11]前記テーパ付き端部部分の前記狭幅の端部の前
記表面内に前記予め決められたパターンを形成する前記
段階が、前記予め決められたパターンをレーザを使って
形成することを含む上記[8]に記載の方法である。 [12]前記テーパ付き端部部分の前記狭幅の端部の前
記表面内に前記予め決められたパターンを形成する前記
段階が、前記予め決められたパターンをダイヤモンド工
具を使って形成することを含む上記[8]に記載の方法
である。 [13]前記テーパ付き端部部分の前記狭幅の端部の前
記表面内に前記予め決められたパターンを形成する前記
段階が、前記前記表面内に円形の窪みを研磨によって形
成することを含む上記[8]に記載の方法である。 [14]前記テーパ付き端部部分の前記狭幅の端部の前
記表面内に前記予め決められたパターンを形成する前記
段階が、前記前記表面内に前記予め決められたパターン
を超音波加工することを含む上記[8]に記載の方法で
ある。[9] The method according to [8] above, wherein the step of forming the solid shank further comprises forming a cylindrical shank. [10] The method of [9] above, wherein the step of forming the tapered end portion further comprises forming a solid cone end portion. [11] The step of forming the predetermined pattern in the surface of the narrow end of the tapered end portion includes forming the predetermined pattern using a laser. The method is described in [8] above. [12] The step of forming the predetermined pattern in the surface of the narrow end of the tapered end portion includes forming the predetermined pattern using a diamond tool. The method according to [8] above, including the method. [13] The step of forming the predetermined pattern in the surface of the narrow end of the tapered end portion includes forming a circular depression in the surface by polishing. The method is described in [8] above. [14] The step of forming the predetermined pattern in the surface of the narrow end of the tapered end portion ultrasonically processes the predetermined pattern in the surface. The method according to [8] above, including the above.
【0022】[15]金リード又は金めっきリードと電
子素子の接点パッドとの間を接合するための方法であっ
て、(a)前記接点パッドの付近に前記金リード又は金
めっきリードを位置決めする段階と、(b)圧縮力が前
記ボンディング工具に加えられる時に前記金リード又は
金めっきリードが前記接点パッドと密着接触させられる
ように、前記金リード又は金めっきリードの付近に、9
9.99%焼結酸化アルミニウムセラミックを含む充実
ボンディング工具の顕微鏡的に粗い表面を位置決めする
段階と、(c)前記金リード又は金めっきリードと前記
接点パッドとの間に分子結合が生じさせられるまで、前
記ボンディング工具が前記金リード又は金めっきリード
を掴んで前記接点パッド上に移動させるように、前記ボ
ンディング工具に対して超音波圧力又はサーモソニック
圧力を加える段階とを含む前記方法である。[15] A method for joining between a gold lead or a gold plated lead and a contact pad of an electronic element, which is (a) positioning the gold lead or the gold plated lead in the vicinity of the contact pad. And (b) near the gold or gold-plated lead so that the gold or gold-plated lead is in intimate contact with the contact pad when compressive force is applied to the bonding tool.
Locating a microscopically rough surface of a solid bonding tool comprising 9.99% sintered aluminum oxide ceramic; (c) creating a molecular bond between the gold or gold plated lead and the contact pad. Up to the step of applying ultrasonic pressure or thermosonic pressure to the bonding tool so that the bonding tool grips the gold lead or the gold plated lead and moves it onto the contact pad.
【0023】[16]金リード又は金めっきリードと電
子素子の接点パッドとの間の分子結合であって、前記分
子結合が、(a)前記接点パッドの付近に前記金リード
又は金めっきリードを位置決めする段階と、(b)圧縮
力が前記ボンディング工具に加えられる時に前記金リー
ド又は金めっきリードが前記接点パッドと密着接触させ
られるように、前記金リード又は金めっきリードの付近
に、99.99%焼結酸化アルミニウムセラミックの充
実ボンディング工具の顕微鏡的に粗い表面を位置決めす
る段階と、(c)前記金リード又は金めっきリードと前
記接点パッドとの間に分子結合が生じさせられるまで、
前記ボンディング工具が前記金リード又は金めっきリー
ドを掴んで前記接点パッド上に移動させるように、前記
ボンディング工具に対して超音波圧力又はサーモソニッ
ク圧力を加える段階とによって形成される前記分子結
合。[16] A molecular bond between the gold lead or the gold-plated lead and the contact pad of the electronic element, wherein the molecular bond is (a) the gold lead or the gold-plated lead in the vicinity of the contact pad. 99. Positioning, and (b) proximate the gold or gold-plated leads so that the gold or gold-plated leads are in intimate contact with the contact pads when a compressive force is applied to the bonding tool. Positioning a microscopically rough surface of a 99% sintered aluminum oxide ceramic solid bonding tool, (c) until a molecular bond is created between the gold or gold plated lead and the contact pad.
Applying ultrasonic or thermosonic pressure to the bonding tool so that the bonding tool grips and moves the gold or gold plated lead onto the contact pad.
【0024】[0024]
【発明の効果】上記説明したように本発明に係るボンデ
ィング工具(TAB)は、第1の端部と第2の端部とを
有する、金属バインダーを含まない硬質セラミック材料
のシャンクと、シャンクの第1の端部に位置する、金属
バインダーを含まない硬質セラミック材料のボンディン
グ先端とを含み、ボンディング先端が金リードと圧縮接
触する時に、その顕微鏡的に粗い表面が金リードを掴み
ボンディング工具が超音波によって又はサーモソニック
的に金リードを接触パッド上に移動させ、金リードと接
点パッドとの間を接合するように、ボンディング先端が
顕微鏡的に粗い表面を有するようにしたことにより、ボ
ンデイ ングの回数が従来技術に比べて大幅にその形状を
維持させることができる。具体的にはボンデイ ング工具
として、何らかの変形又は劣化が発見される前に約5
0、000回のボンデイ ングを行ってもその形状を維持
することができる。As described above, the bonding tool (TAB) according to the present invention comprises a shank of a hard ceramic material containing no metal binder and having a first end and a second end. A bonding tip of a hard ceramic material containing no metal binder, located at the first end, the microscopically rough surface of the bonding tip gripping the gold lead when the bonding tip makes compression contact with the gold lead; Bonding tips have a microscopically rough surface to move the gold leads onto the contact pads by sonication or thermosonically so as to provide a bond between the gold leads and the contact pad. The shape can be maintained to a large extent as compared with the prior art. Specifically, as a bonding tool, it takes about 5 minutes before any deformation or deterioration is discovered.
The shape can be maintained even after performing 0000 times of bonding.
【図1】本発明の第1の実施例によるボンディング工具
の拡大側面断面図である。FIG. 1 is an enlarged side sectional view of a bonding tool according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施例によるボンディング工具
の端部先端表面の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of the end tip surface of the bonding tool according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第1の実施例によるボンディング工具
の端部先端表面の拡大側面断面図である。FIG. 3 is an enlarged side sectional view of a tip surface of an end portion of the bonding tool according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第2の実施例によるボンディング工具
の拡大側面断面図である。FIG. 4 is an enlarged side sectional view of a bonding tool according to a second embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第2の実施例によるボンディング工具
の端部先端表面の拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of an end tip surface of a bonding tool according to a second embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第2の実施例によるボンディング工具
の端部先端表面の拡大側面断面図である。FIG. 6 is an enlarged side sectional view of an end tip surface of a bonding tool according to a second embodiment of the present invention.
【図7】テープと集積回路上の配置とボンディング工具
とを含む、従来のTABプロセスの斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a conventional TAB process including tapes, integrated circuit placement and bonding tools.
100、200 ボンディング工具 102、202 円筒形シャンク本体部分 104、204 円錐形端部部分 106、206 接触端部表面 108 溝 208 窪み領域 214 接触リング 100, 200 Bonding tool 102, 202 Cylindrical shank body part 104, 204 Conical end part 106, 206 Contact end surface 108 Groove 208 Recessed area 214 Contact ring
Claims (1)
又は電子回路の接点パッドとの間を超音波により接合又
はサーモソニック的に接合するためのボンディング工具
であって、 第1の端部と第2の端部とを有する、金属バインダーを
含まない硬質セラミック材料のシャンクと、 前記シャンクの前記第1の端部に位置する、金属バイン
ダーを含まない硬質セラミック材料のボンディング先端
とを含み、 前記ボンディング先端が前記金リードと圧縮接触する時
に、その顕微鏡的に粗い表面が前記金リードを掴み前記
ボンディング工具が超音波によって又はサーモソニック
的に前記金リードを前記接触パッド上に移動させ、前記
金リードと前記接点パッドとの間を接合するように、前
記ボンディング先端が顕微鏡的に粗い表面を有する前記
ボンディング工具。1. A bonding tool for ultrasonic bonding or thermosonic bonding between a gold lead or a gold plated lead and a contact pad of an electronic element or an electronic circuit, the bonding tool comprising: a first end portion; A metal ceramic binder-free hard ceramic material shank having two ends, and a metal binder free hard ceramic material bonding tip located at the first end of the shank; When the tip comes into compressive contact with the gold lead, its microscopically rough surface grips the gold lead and the bonding tool ultrasonically or thermosonically moves the gold lead onto the contact pad, The bonding tip having a microscopically rough surface so as to bond between the contact pad and the contact pad. Swing tool.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18828294A | 1994-01-28 | 1994-01-28 | |
US188-282 | 1994-01-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07263496A true JPH07263496A (en) | 1995-10-13 |
Family
ID=22692510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7011151A Pending JPH07263496A (en) | 1994-01-28 | 1995-01-27 | Bonding tool |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07263496A (en) |
GB (1) | GB2285943B (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5816472A (en) * | 1994-01-28 | 1998-10-06 | Hewlett-Packard Company | Bonding tool for tape automated assembly |
US6691909B2 (en) | 2001-10-10 | 2004-02-17 | Ford Global Technologies, Llc | Sonotrode for ultrasonic welding apparatus |
US6523732B1 (en) * | 2001-10-10 | 2003-02-25 | Ford Global Technologies, Inc. | Ultrasonic welding apparatus |
US6612479B2 (en) | 2001-10-10 | 2003-09-02 | Ford Global Technologies, Llc | Apparatus and method for joining layers of materials |
US7597231B2 (en) | 2006-04-10 | 2009-10-06 | Small Precision Tools Inc. | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps |
WO2009014494A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Small Precision Tools Inc. | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps |
CN111822842A (en) * | 2020-07-14 | 2020-10-27 | 中车株洲电机有限公司 | Ultrasonic welding method |
CN114309920A (en) * | 2021-12-23 | 2022-04-12 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | Ceramic cleaver and preparation method thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8624513D0 (en) * | 1986-10-13 | 1986-11-19 | Microelectronics & Computer | Single point bonding method |
US4772498A (en) * | 1986-11-20 | 1988-09-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Silicon carbide capillaries |
EP0375707B1 (en) * | 1987-08-17 | 1992-02-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Tool arrangement for ultrasonic welding |
US5180093A (en) * | 1991-09-05 | 1993-01-19 | Cray Research, Inc. | Apparatus for ultrasonic bonding |
-
1995
- 1995-01-20 GB GB9501151A patent/GB2285943B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-01-27 JP JP7011151A patent/JPH07263496A/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2285943A (en) | 1995-08-02 |
GB2285943B (en) | 1996-09-11 |
GB9501151D0 (en) | 1995-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5816472A (en) | Bonding tool for tape automated assembly | |
US7500590B2 (en) | Multi-part capillary | |
US5217154A (en) | Semiconductor bonding tool | |
JP2953424B2 (en) | Lead frame for face down bonding | |
US7004369B2 (en) | Capillary with contained inner chamfer | |
EP0686454A1 (en) | Capillary and method of bonding | |
EP0791955B1 (en) | Integrated circuit interconnections | |
US20080314963A1 (en) | Bonding Tool With Improved Finish | |
EP1381489B1 (en) | Controlled attenuation capillary | |
US6715658B2 (en) | Ultra fine pitch capillary | |
US7134588B2 (en) | Bonding tool for ultrasonic bonding and method of ultrasonic bonding | |
JPH02271558A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
EP1189722B1 (en) | Efficient energy transfer capillary | |
JPH07263496A (en) | Bonding tool | |
US4754912A (en) | Controlled collapse thermocompression gang bonding | |
US20020033408A1 (en) | Controlled attenuation capillary with planar surface | |
EP2167269B1 (en) | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps | |
JP2005537682A (en) | Wire wedge bonding in electronic device manufacturing with reversible wedge bonding equipment | |
JP2780502B2 (en) | Array substrate of fine metal spheres and method of manufacturing the same | |
JP3528357B2 (en) | TAB mounting bonding tool | |
US20030010812A1 (en) | Bonding tool capable of bonding inner leads of tab tapes to electrode pads in high quality and high productivity and bonding method | |
JPH04101425A (en) | Method and jig for forming metal protrusion | |
JPS62214630A (en) | Manufacture of film carrier with bump | |
JPH0527980B2 (en) | ||
JP2000228421A (en) | Wedge bonding tool |