JPH0726202B2 - Film thickness adjustment method in magnetron sputtering - Google Patents
Film thickness adjustment method in magnetron sputteringInfo
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- JPH0726202B2 JPH0726202B2 JP60284934A JP28493485A JPH0726202B2 JP H0726202 B2 JPH0726202 B2 JP H0726202B2 JP 60284934 A JP60284934 A JP 60284934A JP 28493485 A JP28493485 A JP 28493485A JP H0726202 B2 JPH0726202 B2 JP H0726202B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 この発明は、マグネトロンスパッタにおいて基板上に形
成される薄膜の膜厚分布を均一に調整する膜厚分布調整
方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a film thickness distribution adjusting method for uniformly adjusting the film thickness distribution of a thin film formed on a substrate in magnetron sputtering.
（ロ） 従来の技術 従来、マグネトロンスパッタにおいては、同一の磁力を
有する１又は２の磁石片を組合せた磁石により、アルミ
ニウム（Al）板等よりなるターゲット近傍に磁場を形成
していた。(B) Conventional Technology Conventionally, in magnetron sputtering, a magnetic field is formed in the vicinity of a target made of an aluminum (Al) plate or the like by a magnet in which 1 or 2 magnet pieces having the same magnetic force are combined.
例えば、プレーナマグネトロンスパッタ装置において
は、第３図に示すように、磁石支持板37上中央に、各棒
状の永久磁石よりなる磁石片38を一の磁極が上面となる
ように取着し、更に前記支持板37周縁上には、前記磁石
片38を囲むような枠状の、磁石片38と同じ高さの永久磁
石よりなる磁石片39が、磁石片38と反対の磁極を上面と
して取付けたものが知られている。For example, in a planar magnetron sputtering apparatus, as shown in FIG. 3, a magnet piece 38 made of rod-shaped permanent magnets is attached to the center of a magnet supporting plate 37 so that one magnetic pole is the upper surface, and On the periphery of the support plate 37, a frame-shaped magnet piece 39 surrounding the magnet piece 38, and a magnet piece 39 made of a permanent magnet having the same height as the magnet piece 38, was attached with the magnetic pole opposite to the magnet piece 38 as the upper surface. Things are known.
（ハ） 発明が解決しようとする問題点 上記従来の磁石を用いてターゲット近傍空間に磁界を形
成するマグネトロンスパッタにおいては、ターゲットの
材質等の相違により、ターゲットに対向して置かれる基
板上に形成される薄膜の膜厚分布が不均一となる場合が
あったが、その場合には、ターゲットや基板の位置を調
整することにより、基板上に形成される薄膜の膜厚分布
を均一になるように調整していた。しかし、この調整操
作によっては、大まかな膜厚調整しか行うことができ
ず、膜厚の不均一を完全に取り除くことは困難である不
都合があった。(C) Problems to be Solved by the Invention In magnetron sputtering in which a magnetic field is formed in the space near the target by using the above-mentioned conventional magnet, the magnetron sputtering is formed on the substrate facing the target due to the difference in the material of the target and the like. In some cases, the film thickness distribution of the thin film formed was not uniform.In that case, the film thickness distribution of the thin film formed on the substrate should be made uniform by adjusting the position of the target and the substrate. Was adjusted to. However, with this adjusting operation, only rough adjustment of the film thickness can be performed, and it is difficult to completely eliminate the unevenness of the film thickness.
又、前記ターゲットや基板等は、真空容器内に置かれて
いるため、上記調整操作は手間がかかる不都合もあっ
た。Further, since the target, the substrate, and the like are placed in a vacuum container, there is a disadvantage that the adjusting operation is troublesome.
この発明は、上記不都合に鑑みなされたもので、膜厚調
整操作が容易で、且つ細かな膜厚調整を可能にするマグ
ネトロンスパッタの膜厚調整方法の提供を目的としてい
る。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a film thickness adjusting method for magnetron sputtering, which allows easy film thickness adjusting operation and enables fine film thickness adjustment.
（ニ） 問題点を解決するための手段 上記不都合を解決するための手段として、この発明のマ
グネトロンスパッタにおける膜厚調整方法は、ターゲッ
ト近傍空間に磁界を形成するための磁石を、矩形状の支
持板と、この支持板の周縁に１極を上面にして枠状に配
された複数の永久磁石よりなる磁石片と、支持板の中央
に前記極とは反対の極を上面にして配された複数の永久
磁石よりなる磁石片とで構成し、ターゲットに対向して
位置する基板上に形成される薄膜の膜厚の大小に応じ
て、その膜厚の大小部分に対向する磁石片を磁力の異な
る磁石片に変えて磁力を変化させると共に、高さの異な
る磁石片に変えて該磁石片とターゲット間の距離を変化
させることにより、ターゲット近傍空間に形成される磁
界の分布を変更し、基板上の薄膜の膜厚分布を調整する
ものである。(D) Means for Solving Problems As a means for solving the above-mentioned inconveniences, the film thickness adjusting method in magnetron sputtering according to the present invention is configured such that a magnet for forming a magnetic field in the space near the target is supported in a rectangular shape. A plate, a magnet piece consisting of a plurality of permanent magnets arranged in a frame shape with one pole on the periphery of the support plate, and a pole opposite to the pole on the center of the support plate. Depending on the thickness of the thin film formed on the substrate facing the target, it is composed of a plurality of permanent magnets. By changing the magnetic force by changing to different magnet pieces, and changing the distance between the magnet pieces and the target by changing to magnet pieces having different heights, the distribution of the magnetic field formed in the space near the target can be changed. Top thin film It is intended to adjust the distribution.
（ホ） 作用 この発明のマグネトロンスパッタにおける膜厚調整方法
は、磁石を、矩形状の支持板、この支持板の周縁に配さ
れた枠状の複数の永久磁石よりなる磁石片及び中央に配
された複数の永久磁石よりなる磁石片で構成し、ターゲ
ットに対向して位置する基板上に形成される薄膜の膜厚
の大小に応じて、その膜厚の大小部分に対向する磁石片
の磁力と、その磁石片とターゲット間の距離とを独立に
可変とした結果、ターゲット近傍空間に形成される磁界
の分布を細かく変更することが可能となる。そして、タ
ーゲット上に発生するプラズマの密度も細かく変更する
ことが可能となり、プラズマ中のアルゴンガス等の分子
がターゲット表面に衝突し、ターゲット表面から飛び出
すアルミニウム等の原子の数が制御できる結果、基板表
面に形成される薄膜の膜厚分布を細かく均一に調整する
ことが可能である。(E) Action In the film thickness adjusting method in magnetron sputtering according to the present invention, the magnets are arranged in the center of the rectangular support plate, a plurality of frame-shaped permanent magnets arranged at the periphery of the support plate, and in the center. In addition, the magnetic force of the magnet piece facing the target of the thickness of the thin film, which is composed of a plurality of permanent magnets, is formed according to the thickness of the thin film formed on the substrate facing the target. As a result of independently changing the distance between the magnet piece and the target, it is possible to finely change the distribution of the magnetic field formed in the space near the target. Then, it becomes possible to finely change the density of plasma generated on the target, and molecules such as argon gas in the plasma collide with the target surface, and as a result, the number of atoms such as aluminum jumping out from the target surface can be controlled, resulting in the substrate It is possible to finely and uniformly adjust the film thickness distribution of the thin film formed on the surface.
又、ターゲットや基板の位置を調節する必要がないの
で、膜厚の調整操作を容易化できる。Moreover, since it is not necessary to adjust the positions of the target and the substrate, the film thickness adjusting operation can be facilitated.
（ヘ） 実施例 この発明の一実施例を、第１図及び第２図に基づいて、
以下に説明する。(F) Embodiment An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
This will be described below.
第２図は、この発明の膜厚調整方法が適用されるプレー
ナマグネトロンスパッタ装置１の縦断面図である。２
は、基台４上にベルジャー３を載置して構成される真空
容器である。基台４には、下方より、図示しない真空ポ
ンプに接続されるパイプ５が挿通され、真空容器２内の
空気が排気され、高真空に保たれる。又、基台４中央に
は、長方形状の開口部６が開設されている。FIG. 2 is a vertical sectional view of the planar magnetron sputtering apparatus 1 to which the film thickness adjusting method of the present invention is applied. Two
Is a vacuum container configured by mounting the bell jar 3 on the base 4. A pipe 5 connected to a vacuum pump (not shown) is inserted into the base 4 from below, the air in the vacuum container 2 is exhausted, and a high vacuum is maintained. A rectangular opening 6 is provided in the center of the base 4.
前記開口部６は、フッ素樹脂等よりなるインシュレータ
7aを介して、カソード９上面により下方から閉塞され
る。カソード９は、下面を基台４下面にボルト7c,7cで
固着されるＬ字状のフッ素樹脂等よりなるインシュレー
タ7b,7bにより支持されている。このカソード９は、１
つの極が接地されている直流又は高周波電圧源Ｖの他の
極に接続される。前記カソード９上面には、凹部10が設
けられ、更に、この凹部10を密閉するように、バッキン
グプレート11によって被蓋される。前記凹部10内には、
図示しない循環手段により冷却水Ｗが循環される。前記
バッキングプレート11上には、アルミニウム等よりなる
ターゲット12が固定される。更に、開口部６上縁に沿っ
てシールド８が設けられ、カソード９上面及びバッキン
グプレート11の周縁を遮蔽している。The opening 6 is an insulator made of fluororesin or the like.
It is blocked from below by the upper surface of the cathode 9 via 7a. The cathode 9 is supported by the insulators 7b, 7b made of an L-shaped fluororesin or the like, the lower surface of which is fixed to the lower surface of the base 4 with bolts 7c, 7c. This cathode 9 is 1
One pole is connected to the other pole of a DC or RF voltage source V which is grounded. A recess 10 is provided on the upper surface of the cathode 9 and is covered with a backing plate 11 so as to seal the recess 10. In the recess 10,
The cooling water W is circulated by a circulation means (not shown). A target 12 made of aluminum or the like is fixed on the backing plate 11. Further, a shield 8 is provided along the upper edge of the opening 6 to shield the upper surface of the cathode 9 and the periphery of the backing plate 11.
このターゲット12上方には、ターゲット12表面に対向す
るように、図示しない支持手段によって、表面に薄膜を
形成すべき基板13が支持され、適当な手段により接地又
はバイアス電圧が加えられる。Above this target 12, a substrate 13 on which a thin film is to be formed is supported by a supporting means (not shown) so as to face the surface of the target 12, and ground or a bias voltage is applied by an appropriate means.
カソード９下面には、磁石16がボルト14,14によってカ
ソード９下面に固着される磁石押えさ部材15,15により
取付けられる。磁石16は、第１図に示すように、支持板
17上の中央には磁極のうちの１極、例えばＮ極を上面に
し、永久磁石よりなる磁石片18a,18bが並べて固着され
る。一方、支持板17周縁上には、前記磁石片18a,18b上
面の磁性とは反対の極、この場合にはＳ極を上面にし
て、永久磁石よりなる磁石片19a,19b,20a,20b,20c,20d
が枠状に配され、取付けられる。磁石片18aと18b、19a
と19b,20aと20b,20cと20dは、磁力及びその高さ、即ち
磁極とターゲット間の距離の異なるものを含ませること
ができる。或いは、各磁石片のそれぞれの支持板17に対
する高さを調整する機構を設けることができる。A magnet 16 is attached to the lower surface of the cathode 9 by means of magnet pressing members 15, 15 fixed to the lower surface of the cathode 9 by bolts 14, 14. The magnet 16 has a support plate, as shown in FIG.
Magnet pieces 18a, 18b made of permanent magnets are arranged and fixed in the center of 17 with one pole of the magnetic poles, for example, N pole as the upper surface. On the other hand, on the periphery of the support plate 17, the poles opposite to the magnetism of the upper surfaces of the magnet pieces 18a, 18b, in this case, the S pole is made the upper surface, and the magnet pieces 19a, 19b, 20a, 20b, and 20b made of permanent magnets are used. 20c, 20d
Are arranged and attached in a frame shape. Magnet pieces 18a and 18b, 19a
And 19b, 20a and 20b, 20c and 20d can contain magnetic forces and their heights, ie different magnetic pole-target distances. Alternatively, a mechanism for adjusting the height of each magnet piece with respect to each support plate 17 can be provided.
次に、この実施例に使用されるプレーナマグネトロンス
パッタ装置１の使用例を説明する。Next, a usage example of the planar magnetron sputtering apparatus 1 used in this embodiment will be described.
まず、ベルジャー３を上方に上げて、バッキングプレー
ト11上にターゲット12を、図示しない支持手段に基板13
（被膜が必要な面を下方に向ける）をそれぞれセットす
る。First, the bell jar 3 is lifted upward so that the target 12 is placed on the backing plate 11 and the substrate 13 is placed on the support means (not shown).
(Surface to be coated faces downward).
次いで、ベルジャー３を基台４上に降ろし、真空容器２
を密閉し、パイプ５より真空容器２内の空気を排気し、
高真空状態が得られたならば、図示しない注入手段によ
りアルゴンガス等を少量、真空容器２内に注入する。そ
して、カソード９と基板13には、電圧源Ｖの直流又は高
周波電圧（例えば5kV）が加えられる。Next, the bell jar 3 is lowered onto the base 4, and the vacuum container 2
And the air inside the vacuum container 2 is exhausted from the pipe 5,
When a high vacuum state is obtained, a small amount of argon gas or the like is injected into the vacuum container 2 by an injection means (not shown). Then, a direct current or a high frequency voltage (for example, 5 kV) from the voltage source V is applied to the cathode 9 and the substrate 13.
以下、アルゴンガスを例にとって説明を続けると、アル
ゴンガスの分子は、カソード９と基板13間に生じた電界
によりアルゴン陽イオン（以下Ar+と記す）と電子e-に
電離される。Ar+はターゲット12表面に衝突し、ターゲ
ット12表面のAl原子を上方に飛び出させる。又、前記Ar
+及び電子e-は、ターゲット12近傍に形成される磁石16
の磁場に捉えられ、サイクロイド運動をし、このサイク
ロイド運動するAr+及び電子e-がアルゴン分子に衝突し
て電離させ、Ar+と電子e-が増殖される結果、密度の高
いプラズマがターゲット12近傍に発生する。このプラズ
マ中よりAr+がターゲット12表面に衝突し、更に多くのA
l原子が上方に飛ばされる。Continuing the description using argon gas as an example, the molecules of the argon gas are ionized into argon cations (hereinafter referred to as Ar + ) and electrons e − by the electric field generated between the cathode 9 and the substrate 13. Ar + collides with the surface of the target 12 and causes Al atoms on the surface of the target 12 to fly upward. Also, the Ar
+ And the electron e − are generated by the magnet 16 formed near the target 12.
Is captured by the magnetic field of the electron and makes a cycloidal motion. The cycloidally moving Ar + and electron e − collide with the argon molecule to be ionized, and as a result, Ar + and electron e − are propagated, resulting in a dense plasma of the target 12 It occurs in the vicinity. Ar + collides with the surface of the target 12 from this plasma, and more A
l Atom is thrown upward.
このように、ターゲット12表面より飛び出したAl原子
が、基板13表面に捉えられて堆積し、Alの薄膜が形成さ
れるが、ターゲット12の材質等の微妙な相違により、基
板13表面に形成される薄膜の膜厚分布が均一とならない
場合には、ボルト14,14を緩めて磁石16を取り外し、磁
石16を構成する磁石片18a,18b,19a,19b,20a,20b,20c,20
dのうち、必要なものを予め用意されている磁力又は高
さの異なる磁石片と交換した後、再度、カソード９下面
に取付ける。In this way, Al atoms protruding from the surface of the target 12 are captured and deposited on the surface of the substrate 13 to form a thin film of Al, but due to subtle differences in the material of the target 12 etc., they are formed on the surface of the substrate 13. If the film thickness distribution of the thin film is not uniform, loosen the bolts 14 and 14 and remove the magnet 16 to form the magnet pieces 18a, 18b, 19a, 19b, 20a, 20b, 20c, 20
Of d, necessary ones are exchanged with magnet pieces having different magnetic forces or different heights, and then attached again to the lower surface of the cathode 9.
一般に、ターゲット12上の磁場の強い部分と対向する基
板13表面に形成される薄膜の膜厚は大きくなるため、基
板13表面の薄膜の膜厚の小さい部分に対向するターゲッ
ト12の部分の下方に位置する１又は２以上の磁石片を、
磁力の強いもの又は高さが高いものと交換し、ターゲッ
ト12の当該部分の薄膜の膜厚が大きい部分に生じた場合
には、上記操作と逆の操作を行う。Generally, since the thickness of the thin film formed on the surface of the substrate 13 facing the strong magnetic field on the target 12 is large, the thin film is formed below the portion of the target 12 facing the small thickness portion of the thin film on the surface of the substrate 13. Position one or more magnet pieces,
When the target 12 is replaced with one having a strong magnetic force or one having a high height, and when the thin film in the relevant part of the target 12 has a large film thickness, the reverse operation to the above operation is performed.
薄膜の形成された基板13は、真空容器２内に空気を導入
し、大気圧とした後、ベルジャー３を上方に上げて、外
部に取り出される。The substrate 13 on which the thin film is formed is taken out to the outside by introducing air into the vacuum chamber 2 to bring it to atmospheric pressure, then raising the bell jar 3 upward.
なお、この実施例に示す装置は、単品制御用の比較的簡
易なプレーナマグネトロンスパッタ装置であるが、多数
の基板を処理するために、基板を真空容器に搬入・搬出
するための搬送手段を備え、自動化されたプレーナマグ
ネトロンスパッタ装置にも、この発明の膜厚調整方法は
適用できるものである。Although the apparatus shown in this embodiment is a relatively simple planar magnetron sputtering apparatus for controlling a single item, it is provided with a transfer means for loading and unloading substrates into a vacuum container in order to process a large number of substrates. The film thickness adjusting method of the present invention can also be applied to an automated planar magnetron sputtering apparatus.
又、上記実施例においては、プレーナマグネトロンスパ
ッタ装置にこの発明の膜厚調整方法を適用したものを示
しているが、Ｓ−Gunスパッタ装置や同軸マグネトロン
スパッタ装置等の他のマグネトロンスパッタ装置につい
ても応用可能なものである。Further, in the above embodiment, the film thickness adjusting method of the present invention is applied to the planar magnetron sputtering apparatus, but it is also applied to other magnetron sputtering apparatuses such as the S-Gun sputtering apparatus and the coaxial magnetron sputtering apparatus. It is possible.
（ト） 発明の効果 この発明のマグネトロンスパッタにおける膜厚調整方法
は、ターゲット近傍空間に磁界を形成するための磁石
を、矩形状の支持板と、この支持板の周縁に１極を上面
にして枠状に配された複数の永久磁石よりなる磁石片
と、支持板の中央に前記極とは反対の極を上面にして配
された複数の永久磁石よりなる磁石片とで構成し、ター
ゲットに対向して位置する基板上に形成される薄膜の膜
厚の大小に応じて、その膜厚の大小部分に対向する磁石
片を磁力の異なる磁石片に変えて磁力を変化させると共
に、高さの異なる磁石片に変えて該磁石片とターゲット
間の距離を変化させることにより、ターゲット近傍空間
に形成される磁界の分布を変更し、基板上の薄膜の膜厚
分布を調整するものであるから、ターゲット材質等によ
り生じる膜厚分布の不均一をターゲット近傍空間に生じ
る磁界を細かく変更することによって防止できる利点を
有すると共に、真空容器内のターゲット（カソード）と
基板間の距離を変更することなく、膜厚分布を容易に調
整できる利点を有する。(G) Effect of the Invention In the film thickness adjusting method in magnetron sputtering according to the present invention, a magnet for forming a magnetic field in the space near the target is provided with a rectangular support plate and one pole on the periphery of the support plate as an upper surface. A magnet piece composed of a plurality of permanent magnets arranged in a frame shape, and a magnet piece composed of a plurality of permanent magnets arranged with the pole opposite to the pole in the center of the support plate as an upper surface, and used as a target. Depending on the thickness of the thin film formed on the substrate facing each other, the magnet piece facing the large or small portion of the film thickness is changed to a magnet piece having a different magnetic force to change the magnetic force, and By changing the distance between the magnet piece and the target by changing to a different magnet piece, the distribution of the magnetic field formed in the space near the target is changed, and the film thickness distribution of the thin film on the substrate is adjusted. Depending on the target material etc. This has the advantage that unevenness of the film thickness distribution can be prevented by finely changing the magnetic field generated in the space near the target, and the film thickness distribution can be achieved without changing the distance between the target (cathode) and the substrate in the vacuum container. Has the advantage that it can be easily adjusted.
又、基板を搬入・搬出する搬送手段を備え付けて自動化
されたマグネトロンスパッタ装置にも適用可能であり、
装置の自動運転を中断することなく続行することができ
る。It can also be applied to an automated magnetron sputtering device equipped with a transfer means for loading and unloading substrates.
The automatic operation of the device can be continued without interruption.
第１図は、この発明の実施例に使用される磁石の外観斜
視図、第２図は、この発明の実施例に使用されるプレー
ナマグネトロンスパッタ装置の縦断面図、第３図は、従
来の磁石の外観斜視図である。 12:ターゲット、13:基板,16:磁石、18a・18b・19a・19b
・20a・20b・20c・20d:磁石片FIG. 1 is an external perspective view of a magnet used in an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a planar magnetron sputtering apparatus used in an embodiment of the present invention, and FIG. It is an appearance perspective view of a magnet. 12: Target, 13: Substrate, 16: Magnet, 18a ・ 18b ・ 19a ・ 19b
・ 20a ・ 20b ・ 20c ・ 20d: Magnet pieces
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−87270（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−137965（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−81969（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−137965（ＪＰ，Ｕ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-58-87270 (JP, A) JP-A-58-137965 (JP, A) JP-A-58-81969 (JP, A) Actual development Sho-59- 137965 (JP, U)
Claims (1)
の磁石を、矩形状の支持板と、この支持板の周縁に１極
を上面にして枠状に配された複数の永久磁石よりなる磁
石片と、支持板の中央に前記極とは反対の極を上面にし
て配された複数の永久磁石よりなる磁石片とで構成し、
前記ターゲットに対向して位置する基板上に形成される
薄膜の膜厚の大小に応じて、その膜厚の大小部分に対向
する磁石片を磁力の異なる磁石片に変えて磁力を変化さ
せると共に、高さの異なる磁石片に変えて該磁石片と前
記ターゲット間の距離を変化させることにより、前記タ
ーゲット近傍空間に形成される磁界の分布を変更し、前
記基板上の薄膜の膜厚分布を調整するマグネトロンスパ
ッタにおける膜厚調整方法。1. A magnet for forming a magnetic field in a space in the vicinity of a target, the magnet comprising a rectangular support plate and a plurality of permanent magnets arranged in a frame shape with one pole on the periphery of the support plate. And a magnet piece composed of a plurality of permanent magnets arranged with the pole opposite to the pole in the center of the support plate as the upper surface,
Depending on the thickness of the thin film formed on the substrate facing the target, the magnetic piece is changed to a magnet piece having a different magnetic force to face the large and small portions of the film thickness, and the magnetic force is changed. By changing the magnet pieces having different heights and changing the distance between the magnet pieces and the target, the distribution of the magnetic field formed in the space near the target is changed, and the film thickness distribution of the thin film on the substrate is adjusted. Method for adjusting film thickness in magnetron sputtering.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284934A JPH0726202B2 (en) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | Film thickness adjustment method in magnetron sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284934A JPH0726202B2 (en) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | Film thickness adjustment method in magnetron sputtering |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142765A JPS62142765A (en) | 1987-06-26 |
| JPH0726202B2 true JPH0726202B2 (en) | 1995-03-22 |
Family
ID=17684950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60284934A Expired - Lifetime JPH0726202B2 (en) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | Film thickness adjustment method in magnetron sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726202B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8048277B2 (en) | 2008-08-18 | 2011-11-01 | Canon Anelva Corporation | Magnet unit and magnetron sputtering apparatus |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0288766A (en) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Hitachi Ltd | Electrode, device, and method for sputtering |
| WO2006082863A1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic circuit device for magnetron sputtering and its manufacturing method |
| JP5734612B2 (en) * | 2010-10-04 | 2015-06-17 | 株式会社アルバック | Cathode unit and deposition system |
| CN115287614A (en) * | 2022-07-22 | 2022-11-04 | 宣城开盛新能源科技有限公司 | Method for improving TCO film thickness uniformity of CIGS chip and film coating device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS583975A (en) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Hitachi Ltd | Method and device for forming film by sputtering |
| JPS5881969A (en) * | 1981-11-06 | 1983-05-17 | Kokusai Electric Co Ltd | Sputter source of magnetron sputtering |
| JPS5887270A (en) * | 1981-11-18 | 1983-05-25 | Hitachi Ltd | Structural body of sputtering target of planar magnetron type |
| JPS5920469A (en) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Hitachi Ltd | Planar magnetron type sputtering device |
| JPS59137965U (en) * | 1983-03-03 | 1984-09-14 | 日本真空技術株式会社 | Magnetron type spatuta cathode |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP60284934A patent/JPH0726202B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8048277B2 (en) | 2008-08-18 | 2011-11-01 | Canon Anelva Corporation | Magnet unit and magnetron sputtering apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62142765A (en) | 1987-06-26 |
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