JPH072616Y2 - 種子ホルダー - Google Patents

種子ホルダー

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JPH072616Y2
JPH072616Y2 JP1988093898U JP9389888U JPH072616Y2 JP H072616 Y2 JPH072616 Y2 JP H072616Y2 JP 1988093898 U JP1988093898 U JP 1988093898U JP 9389888 U JP9389888 U JP 9389888U JP H072616 Y2 JPH072616 Y2 JP H072616Y2
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JP
Japan
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rod
seed
crucible
holder
crystal
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JP1988093898U
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English (en)
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JPH0217564U (ja
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誠一 齋藤
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は種子ホルダーに関し、特にチョクラルスキー法
で単結晶を育成する単結晶育成装置に用いる種子ホルダ
ーに関する。
〔従来の技術〕
チョクラルスキー法で単結晶を育成する際、種子結晶の
固定は上下機構の引上シャフトの先端に種子ホルダーを
取付けるのが通常である。特に、高融点（1500℃以上）
酸化物の単結晶育成に使用する種子ホルダーにサファイ
ヤ棒を取付け、更に、白金もしくはイリジウム金属で製
作した種子結晶固定治具を接続する。なお、白金ホルダ
ーは、種子結晶を回転した時るつぼの中心位置に速やか
かつ簡単に種子結晶を設定できるようにするために用い
る。又、サファイヤ棒は高周波加熱の際、高電位による
放電を防止する絶縁物の作用をする。
〔考案が解決しようとする課題〕
高融点酸化物の単結晶育成には通常高周波誘導でるつぼ
を加熱して原料を融解後、種子結晶を溶融液になじませ
微速で引上げ単結晶化を行う。上記の育成の前に種子結
晶を固定した種子ホルダーはるつぼ中心の上部に置かれ
ているが、るつぼの加熱を開始した時点から原料及び保
温耐火物から炭化物微種子を含む黒煙が立ち昇り、絶縁
物のサファイヤ棒への付着が始まることにより次第に電
導性が起き、最悪の場合には放電による熱でサファイヤ
棒が割れ溶融液中に落下するか、あるいは、高周波発振
が放電で停止する。この現象は雰囲気ガス中に酸素が含
まれる場合、顕著である。
即ち、従来の種子ホルダーは、黒煙の付着による放電で
絶縁物のサファイヤ棒が割れたり高周波発振が停止して
結晶育成ができなくなるという欠点がある。
本考案の目的は、雰囲気ガス中の酸素濃度を高めても高
電位による放電を防止し良好に結晶育成ができる種子ホ
ルダーを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本考案の種子ホルダーは、下端に種子結晶を保持し上端
を白金ホルダーに支持される絶縁性の棒と、該棒が貫通
し前記棒の中間に固着される300℃の耐熱性を有する上
方に開口したるつぼ型の絶縁体とを含んで構成される。
〔作用〕
本考案の種子ホルダーは、酸素が数10ppm以上混合した
酸素濃度の雰囲気ガス中で原料の加熱開始から融解及び
育成の間中黒煙が立ち昇り、種子ホルダーの絶縁体の棒
に付着することで電導性が起き高電位で放電が起きるこ
とを、絶縁体の棒の中間に設けた上部が開口したるつぼ
型の絶縁物により防止し、結晶育成を終了することがで
きる。
〔実施例〕
次に、本考案の実施例について図面を参照して説明す
る。
第１図は本考案の一実施例の断面図である。
第１図に示すように、先端が円筒状の白金ホルダー１に
絶縁体のサファイヤ棒２が固定され、サファイヤ棒２の
中間からやや上部に内径8mm深さ10mmの上方が開口した
るつぼ型の石英円筒３がサファイヤ棒２に貫通して固定
されている。
更に、サファイヤ棒２の先端にイットリウムバナデイト
の種子結晶４が固定されている。イットリウムバナデイ
トの単結晶を育成するために高周波誘導加熱コイル（図
示せず）の中心にるつぼ（図示せず）が保温を施した状
態で組入れられ、更に、るつぼの中心部に種子ホルダー
が置かれている。なお、種子結晶４をるつぼの中心に位
置合せするために、白金ホルダー１が用いられる。
高周波誘導で加熱が開始されると、るつぼ円の原料及び
保温耐火物等から炭化物の微粒子を含む黒煙が立ち昇
り、サファイヤ棒２に付着が始まるが、石英円筒３で覆
った部分には、黒煙の付着が起らず、その結果、高電位
による放電が防止でき長時間安定に結晶育成ができる。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案は、絶縁体棒に上方が開口し
たるつぼ型の絶縁物を設けることにより、原料加熱から
溶解及び結晶育成の間に発生する黒煙が絶縁体棒の全面
に付着することを防止できるので、絶縁体棒の電導性化
を防止し高電位による放電を抑止する効果がある。更
に、雰囲気中の酸素濃度を高めても放電による事故がな
く結晶育成の能率を向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の断面図である。 １…白金ホルダー、２…サファイヤ棒、３…石英円筒、
４…種子結晶。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】下端に種子結晶を保持し上端を白金ホルダ
    ーに支持される絶縁性の棒と、該棒が貫通し前記棒の中
    間に固着される300℃の耐熱性を有する上方に開口した
    るつぼ型の絶縁体とを含むことを特徴とする種子ホルダ
    ー。
JP1988093898U 1988-07-14 1988-07-14 種子ホルダー Expired - Lifetime JPH072616Y2 (ja)

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JP1988093898U JPH072616Y2 (ja) 1988-07-14 1988-07-14 種子ホルダー

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JPH0217564U JPH0217564U (ja) 1990-02-05
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54123585A (en) * 1978-03-20 1979-09-25 Mitsubishi Metal Corp Method and apparatus for growing high dissociation pressure compound single crystal for semiconductor by pulling double-sealed melt
JPS6430367U (ja) * 1987-08-14 1989-02-23

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JPH0217564U (ja) 1990-02-05

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