JPH07258821A - 硬質被膜付き金属物品およびその製造方法 - Google Patents

硬質被膜付き金属物品およびその製造方法

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JPH07258821A
JPH07258821A JP6051596A JP5159694A JPH07258821A JP H07258821 A JPH07258821 A JP H07258821A JP 6051596 A JP6051596 A JP 6051596A JP 5159694 A JP5159694 A JP 5159694A JP H07258821 A JPH07258821 A JP H07258821A
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JP
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weight
film
coating
corrosion
less
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JP6051596A
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Atsuo Kawana
淳雄 川名
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ピンホール腐食を低減し、耐食性、耐摩耗性
を向上させた硬質被膜付き金属物品およびその製造方法
を提供する。 【構成】 金属材料の表面にCrの窒化物被膜が形成さ
れ、その中にNiを10重量%以上15重量%以下、M
oを2重量%以上3重量%以下、Cuを1重量%以上
2.5重量%以下含む。上記窒化物被膜をNiを10重
量%以上15重量%以下、Moを2重量%以上3重量%
以下、Cuを1重量%以上2.5重量%以下含むCr合
金を蒸発源にしてイオンプレーティング法で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、鋼材などの金属材料の
表面に被膜として耐食性および耐摩耗性を向上させた硬
質被膜付き金属物品およびその製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】高速度鋼、金型用鋼などを用いた金属材
料物品に耐食性、耐摩耗性を付与するには、一般にその
表面に耐食性、耐摩耗性被膜を形成している。耐食性、
耐摩耗性被膜の形成方法には、めっき法、溶射法、気相
析出法等が知られている。めっき法は、Cr,Niなど
を材料とする、緻密でかつ膜厚の厚い被膜を形成するこ
とができる。溶射法は、金属の酸化物または炭化物を主
成分とする硬質化合物を金属表面に吹き付ける方法で、
硬質化合物を材料表面に緻密に製膜することができ、ま
た高い平滑性を得ることができる。気相析出法は、例え
ばイオンプレーティング法(PVD)による金属材料表
面への硬質被膜の形成方法が知られている。イオンプレ
ーティング法は低温処理が可能であるため、金属材料の
硬度や強度の低下、寸法変形などを少なくすることがで
きる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
では、いずれの場合も被膜中にピンホールが生じ、十分
な被膜特性、特にピンホールを起点とした孔食発生など
の問題が生じ、基材よりも被覆材の耐食性の方が劣ると
いったことがある。そのため、耐食性を向上させるに
は、被膜中のピンホールを除去しなければならない。
【0004】このピンホール除去にはいろいろな試みが
行われている。例えば、黒河、滝沢らは製膜条件を変化
させることにより被膜組織を緻密化してピンホール自体
を減少させている(表面技術、41(1990),p.
524、または、表面技術、42(1991),p.1
02)。また、門らは、被膜の膜厚を厚くしてピンホー
ルが金属材料の基材に達しないようにしている(防食技
術、36(1987),p.551)。
【0005】また、めっき法により被膜形成した鋼材は
硬度が不十分であり、機械装置などにおいて激しく振動
する箇所や、大きな圧力の負荷、もしくは衝撃が加わる
箇所の部品には用いられない。溶射法では、溶射という
方法自体のため、ピンホールの発生率が高い上に被膜の
面粗度が粗く、平滑性を特に要求される部材には用いら
れない。イオンプレーティング法では、硬質被膜が緻密
となり耐摩耗性は向上するが、被膜中にピンホールがか
なり存在するため、耐食性の点で未だ十分でない。
【0006】そこで本発明は、上記問題を解決して、イ
オンプレーティング法による硬質被膜の製膜において、
ピンホール腐食を低減し、耐食性、耐摩耗性を向上させ
た硬質被膜付き金属物品およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成するために研究を重ね、CrにNi,Mo,Cuなど
を添加し、窒化物被膜として形成することによって上記
目的を達し得ることを見出だした。すなわち、本発明の
硬質被膜付き金属物品は、金属材料の表面にCrの窒化
物被膜が形成され、該被膜中にNiを10重量%以上1
5重量%以下、Moを2重量%以上3重量%以下、Cu
を1重量%以上2.5重量%以下含む点に特徴がある。
【0008】また、このような硬質被膜付き金属物品の
製造方法は、金属材料の表面にイオンプレーティング法
により、Niを10重量%以上15重量%以下、Moを
2重量%以上3重量%以下、Cuを1重量%以上2.5
重量%以下含むCrの窒化物被膜を形成する硬質被膜付
き金属物品の製造方法にあたり、Niを10重量%以上
15重量%以下、Moを2重量%以上3重量%以下、C
uを1重量%以上2.5重量%以下含むCr合金を蒸発
源として用いる点に特徴がある。
【0009】本発明に用いる金属材料には、例えばS1
5Cなどの肌焼鋼、S45Cなどの構造用鋼、SUP1
0などのバネ鋼、SUJ2などの軸受鋼、SACM1な
どの窒化鋼、SKD6などの熱間加工用工具鋼、SKD
11などの冷間加工用工具鋼、SKH51などの高速度
鋼、SUS301などの耐食耐酸鋼等種々の鋼、超合
金、A7075Pなどのアルミニウム合金などが挙げら
れる。
【0010】該硬質被膜は、Crを主成分とした窒化物
であるが、該硬質被膜中にはNiを10重量%以上15
重量%以下、Moを2重量%以上3重量%以下、Cuを
1重量%以上2.5重量%以下含有しなければならな
い。これらの割合の範囲を越えて上記元素が該硬質被膜
中に含まれるとCr窒化物の強度が低下するので好まし
くない。またこれらの組成の範囲未満であると耐食性を
十分に発揮しないため不都合である。
【0011】本発明の方法で製造される硬質被膜は、蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法など
の公知の方法を用いても成膜できるが、強固な付着力を
要求される被膜に対しては、イオンプレーティング法が
良く、特に多成分系の合金膜を作製する際、工業的にも
比較的容易に成膜するためには、カソードアーク放電型
イオンプレーティング法が最も望ましい。
【0012】その理由としては、公知の抵抗加熱方式や
電子銃加熱方式などのイオンプレーティング法では、合
金を蒸発させる際、溶融金属のプールができ、そのため
本発明のような多成分合金を蒸発源に用いる場合では、
各成分元素ごとの融点に基づいて蒸発が起こるため合金
組成の制御が困難である。また、合金を成分原料ごとに
ルツボに入れ、それぞれ独立して蒸発を行うことも可能
ではあるがこのような複数の蒸発源を用いることは、装
置のコストを上昇させ、かつ各蒸発源の蒸発量の制御を
繁雑にするため不都合である。
【0013】これに対しカソードアーク放電型イオンプ
レーティング法による成膜方法は、(1)金属を蒸発さ
せる工程、(2)蒸発した金属をイオン化する工程、
(3)イオン化した金属を加速する工程、(4)反応性
ガスを導入する工程よりなる。工程(1)において金属
の蒸発源には、Niを10重量%以上15重量%以下、
Moを2重量%以上3重量%以下、Cuを1重量%以上
2.5重量%以下含むCr合金を用いる。工程(1)及
び(2)は、蒸発源の表面にアーク放電を起こさせ、そ
の高エネルギーのアークにより固相から溶融状態を経ず
に直接蒸発、イオン化をさせることにより行う。このた
め、合金の各成分元素蒸発量の差が比較的少なくて済
み、かつ単一の蒸発源として合金をそのまま用いること
ができるのは、生産管理上非常に有効である。また、工
程(2)では公知のグロー放電や高周波放電などを併用
しても構わない。
【0014】工程(3)では、基板である金属材料に負
のバイアス電圧を印加し、金属イオンを基板に向け加速
する。通常は、500V以下の負のバイアス電圧を印加
するが、場合によっては、0Vであっても差支えない。
但し、この場合、成膜速度が低下する傾向が見られる。
【0015】工程(4)において本発明では、反応性ガ
スとしてN2 ,NH3 ,炭化水素類、または、例えば
(CH3 3 Nなどの窒素を含む有機化合物が使用でき
る。反応性ガスの圧力は、用いるガスの種類により異な
るが、一般に10-3〜101 Torrの範囲内で適宜選
択すれば良い。ただし、場合によって蒸発源のアーク放
電をより安定にするために、ArやHeなどの不活性ガ
スを反応容器内に導入するものであるが本発明にとって
も何等限定を与えるものではない。
【0016】製膜に先立つ基板の加熱をイオン照射で行
う場合は、工程(1)から工程(3)を用いて行う。工
程(3)においてイオン化したCr金属イオンを加速す
る負のバイアス電圧は、500Vから2000Vが好ま
しく、さらに好ましくは800Vから1500Vであ
る。
【0017】
【作用】Crの窒化物は硬質化合物であり、優れた耐摩
耗性を示す。この硬質化合物をイオンプレーティング法
で製膜すると、その製膜条件あるいは表面の不純物、き
ず、汚れ等の原因により被膜中にピンホールと呼ばれる
基板まで貫通した穴状の欠陥が生じる。硬質被膜を形成
した金属材料の腐食の形態はこのピンホールを通した基
板の金属の溶出によって生じる。さらにClイオン雰囲
気の腐食の場合、ピンホールを起点とした孔食が生じ、
場合によっては硬質被膜を被覆しない場合より耐食性が
劣ってしまうことがある。これはピンホール内部が孔食
の初期段階である腐食孔(ピット)の役割を果たすこと
によるものである。
【0018】この孔食は該金属材料の内部に向かって爆
発的に腐食が進行し、該金属材料に致命的なダメージを
与える。孔食はピンホールがたとえ1個でも存在する限
り発生する可能性があり、製膜条件や膜中の不純物、き
ず、汚れ等の原因を取り除くことでは、完全に孔食発生
を抑えることはできない。
【0019】一方、Crの窒化物中にNi,Mo,Cu
といった元素を添加すると表面に不動態被膜を形成し易
くなり、仮にピンホールが存在したとしても腐食環境中
で不動態被膜を形成し、ピンホール内部を自己修復し、
孔食発生の原因をなくすことができるのである。
【0020】
【実施例】
(実施例1)本発明の方法により硬質被膜を形成し、評
価した。装置にはカソードアーク方式のイオンプレーテ
ィング装置を用いた。蒸発源としてはNiを12重量
%、Moを2.4重量%、Cuを1.3重量%含むCr
合金を該装置用に円板状に加工したターゲットを作製
し、装置に取り付けた。基材の金属材料には、厚さ2m
m、1辺の長さ17mmの正方形のステンレス基板(S
US304)および、被膜の組成を電子線マイクロ分析
装置(EPMA)により調べるのに基板の影響(Cr,
Ni成分など)を取り除くため、基板として15mm
角、厚み2mmの純アルミニウム板を用いた。これらの
基材を有機溶剤で洗浄し、装置反応容器内の所定位置に
セットした。その後反応容器内を1×10-5Torrま
で排気した。
【0021】次に、基材に1000Vの負のバイアス電
圧を印加し、Cr合金カソードよりアーク放電を生起さ
せた。この時のアーク放電電流は70Aであった。赤外
放射温度計により基材表面温度を監視しながら、アーク
放電を3分間続け、Cr等を蒸発、イオン化させ、基材
表面のスパッタクリーニングを行った。アーク放電中は
最大300℃まで基材表面温度の上昇が認められた。
【0022】次にCr合金カソードのアーク放電を止
め、反応容器内に窒素ガスを流しながら、基板に300
Vの負のバイアス電圧を印加し、再びCr合金カソード
よりアーク放電を生起させた。この時のアーク放電電流
は70Aであった。アーク放電は60分間続け、Cr窒
化物被膜を形成した。
【0023】形成された硬質被膜の厚みをボールクレー
ター法により測定したところ、膜厚は3.4μmであっ
た。形成された硬質被膜の表面のビッカース硬度Hv
(荷重50g)は2400で、十分な硬度を有してい
た。
【0024】また得られた硬質被膜の内、アルミニウム
基板の試料をEPMAにより測定したところ、該被膜中
にNiを11重量%、Moを2.2重量%、Cuを1.
2重量%含むことが確認された。
【0025】次に得られた被膜製品について孔食電位測
定(JIS−G0577に準拠)を行い、孔食電位を求
めた。孔食電位は測定したアノード分極曲線から電流密
度が0.1A/m2 に達する電位より求める。この孔食
電位が基材であるSUS304の値(0.55[V v
s Ag/AgCl])より高ければ、十分な耐孔食性
があるものと判断される。得られたCr窒化物膜のアノ
ード分極曲線は電位の上昇は酸素発生領域まで見られ
ず、試験後の試料表面の観察結果からも孔食は認められ
なかった。
【0026】(比較例1)金属蒸発源としてTiを用
い、実施例1と同様の方法でTiNを60分間形成し、
実施例1と同様の試験を行った。得られた被膜の厚みは
3.5μmであった。ビッカース硬度Hvは2300
で、十分な硬度を有していたが、孔食電位は0.24
[V vs Ag/AgCl]で、基板の孔食電位より
低く、耐孔食性は劣っていた。
【0027】
【発明の効果】本発明の硬質被膜付き金属物品およびそ
の製造方法によれば、硬質被膜中のピンホールを自己修
復し、孔食の起点となるピンホールをなくすことがで
き、耐摩耗性に加えて耐食性を向上させることができ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属材料の表面にCrの窒化物被膜が形
    成され、該被膜中にNiを10重量%以上15重量%以
    下、Moを2重量%以上3重量%以下、Cuを1重量%
    以上2.5重量%以下含むことを特徴とする硬質被膜付
    き金属物品。
  2. 【請求項2】 Niを10重量%以上15重量%以下、
    Moを2重量%以上3重量%以下、Cuを1重量%以上
    2.5重量%以下含むCr合金を蒸発源として用い、金
    属材料の表面にイオンプレーティング法により、Niを
    10重量%以上15重量%以下、Moを2重量%以上3
    重量%以下、Cuを1重量%以上2.5重量%以下含む
    Crの窒化物被膜を形成することを特徴とする硬質被膜
    付き金属物品の製造方法。
JP6051596A 1994-03-23 1994-03-23 硬質被膜付き金属物品およびその製造方法 Pending JPH07258821A (ja)

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