JPH07258370A - Production of polyurea film - Google Patents

Production of polyurea film

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JPH07258370A
JPH07258370A JP8096894A JP8096894A JPH07258370A JP H07258370 A JPH07258370 A JP H07258370A JP 8096894 A JP8096894 A JP 8096894A JP 8096894 A JP8096894 A JP 8096894A JP H07258370 A JPH07258370 A JP H07258370A
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JP
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Patent type
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polyurea
diisocyanate
film
dimethyl
polyurea film
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Pending
Application number
JP8096894A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Iijima
Yoshikazu Takahashi
Yoshiyuki Ukishima
禎之 浮島
正行 飯島
善和 高橋
Original Assignee
Showa Shell Sekiyu Kk
Ulvac Japan Ltd
日本真空技術株式会社
昭和シェル石油株式会社
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Publication date

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/30Low-molecular-weight compounds
    • C08G18/32Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
    • C08G18/3225Polyamines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2150/00Compositions for coatings
    • C08G2150/50Compositions for coatings applied by spraying at least two streams of reaction components

Abstract

PURPOSE: To provide a method for producing by vapor deposition polymn., a polyurea film which does not undergo thermal decomposition even when heated to 230-300°C.
CONSTITUTION: A diamine component and a diisocyanate component are evaporated separately from different evaporation sources and are subjected to vapor deposition polymn. to form a polyurea film on the surface of a substrate plate. The film is then irradiated with UV rays and/or electron beams.
COPYRIGHT: (C)1995,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ポリ尿素膜の新規な製造方法、とくにレジスト用または電気絶縁用ポリ尿素膜の製造方法に関する。 The present invention relates to a novel method for producing a polyurea film, a method for producing a particular resist or electrically insulating polyurea film.

【0002】 [0002]

【従来技術】蒸着重合法で得られたポリ尿素は、230 Polyurea obtained in the Prior Art deposition polymerization method, 230
〜300℃に加熱されると熱分解をおこす。 Is heated to to 300 ° C. If cause pyrolysis. たとえば薄膜状ポリ尿素を230〜300℃に加熱すると、薄膜は熱分解して消失するという性質を示す。 For example, heating the thin film polyurea to 230 to 300 ° C., the thin film exhibits properties that disappears by pyrolysis.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、23 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention, 23
0〜300℃に加熱されても熱分解をおこすことのない蒸着重合法ポリ尿素薄膜を製造する方法を提供する点にある。 In that it provides a method be heated to 0 to 300 ° C. to produce a free vapor deposition polymerization polyurea thin film can cause pyrolysis.

【0004】 [0004]

【課題を解決するための手段】本発明の第一は、真空中で(a)ジアミン成分と(b)ジイソシアナート成分とを別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、ついで、このポリ尿素膜に紫外線および/または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法に関する。 The first of the present invention SUMMARY OF] is evaporated in vacuo and the (a) a diamine component and (b) a diisocyanate component from separate evaporation sources, vapor deposition polymerization this on the substrate surface by forming a polyurea film, and then a process for producing a polyurea film and then irradiating ultraviolet and / or electron beam to the polyurea membrane. 本発明の第二は、真空中で(a)ジアミン成分、(b)ジイソシアナート成分および(c)増感剤を別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、ついで、このポリ尿素膜に紫外線および/または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法に関する。 The second aspect of the present invention, in a vacuum (a) a diamine component, (b) and evaporated diisocyanate component and (c) a sensitizer from separate evaporation sources, polyurea by vapor deposition polymerization it on the substrate surface film is formed, then, a method for producing a polyurea film and then irradiating ultraviolet and / or electron beam to the polyurea membrane. 本発明の第三は、真空中で(a)ジアミン成分と(b)ジイソシアナート成分とを別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、ついで、(c)増感剤を別の蒸発源から前記ポリ尿素膜上に蒸着させ、必要に応じてこれを繰り返した後、これに紫外線および/または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法に関する。 The third aspect of the present invention, evaporated in vacuo and the (a) a diamine component and (b) a diisocyanate component from separate evaporation sources, which polyurea film is formed by vapor deposition polymerization on the substrate surface, followed , polyurea, which comprises irradiating a (c) a sensitizer is deposited from a separate evaporation sources on the polyurea membrane, after repeating this as necessary, to which ultraviolet light and / or electron beam film forming method for the production of.

【0005】本発明のポリ尿素膜の製造方法は、ポリ尿素膜によるパターン形成、模様形成法として有用である。 The preparation method of the polyurea film according to the present invention, pattern formation using polyurea film is useful as a pattern forming method. その具体的方法は、つぎのとおりである。 The specific method is as follows. すなわち、真空中でポリ尿素の原料モノマーを蒸発させ、基板表面で蒸着重合させてポリ尿素膜を形成し、次いで形成されたポリ尿素膜にパターン形成用のフォトマスクを使用して紫外線および/または電子線を照射し、露光した後、該ポリ尿素膜を加熱し、未露光部分の膜を熱分解させて除去してポリ尿素膜にパターンを形成するものである。 That, evaporated raw material monomers of polyurea in vacuum, by vapor deposition polymerization on the substrate surface to form a polyurea film and then ultraviolet rays using a photomask for patterning the formed polyurea film and / or irradiated with an electron beam, after exposure, heating the polyurea film is a film of unexposed portions so as to form a pattern on polyurea film is removed by pyrolysis.

【0006】このパターン形成法は電子回路等のパターン形成法として極めて有用であり、これらの工程を真空中で行うことにより、パターン形成プロセス中での不純物の混入、ダストを防止することができるとともに、従来法のように現像液による処理とその洗浄といった工程がないなど、有利な点が多い。 [0006] The pattern forming method is extremely useful as a pattern forming method such as an electronic circuit, by performing these steps in a vacuum, contamination of impurities in a patterning process, it is possible to prevent dust , such as no step treatment with a developing solution and such that the cleaning as in the conventional method, advantages often.

【0007】この方法を実施するに当り、別の蒸発源として着色剤を使用すれば、パターン化されたポリ尿素膜の形成と同時にポリ尿素膜を着色することができ、基板上に模様を形成する方法としても利用できる。 [0007] per To implement this method, the use of colorants as separate evaporation sources, can be colored simultaneously polyurea film with the formation of the patterned polyurea film, forming a pattern on a substrate It can also be utilized as a way to.

【0008】本発明で用いることのできる(a)ジアミン成分としては、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′ [0008] The (a) a diamine component usable in the present invention, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4 '
−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン、 - diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane,
3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル、2,2′−ジクロロ−4,4′−ジアミノ−5, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diamino biphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diamino biphenyl, 2,2'-dichloro-4,4'-diamino -5,
5′−ジメトキシビフェニル、2,2′,5,5′−テトラクロロ−4,4′−ジアミノビフェニル、4,4′ 5'-dimethoxytrityl-biphenyl, 2,2 ', 5,5'-tetrachloro-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'
−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)、4,4′− - methylene - bis (2-chloroaniline), 4,4'-
ジアミノジフェニルスルホン、2,7−ジアミノフルオレン、4,4′−ジアミノ−p−ターフェニル、1,3 Diaminodiphenyl sulfone, 2,7-diamino-fluorene, 4,4'-diamino -p- terphenyl, 1,3
−ジアミノ−5−シアノベンゼン、等の一種または二種以上を混合して、使用することができる。 - diamino-5-cyano benzene, mixed one or more kinds of like, can be used.

【0009】本発明で用いることができる(b)ジイソシアナート成分としては、4,4′−ジイソシアン酸メチレンジフェニル、3,3′−ジメチルジフェニル− [0009] As the (b) diisocyanate components which may be used in the present invention, 4,4'-diisocyanate, methylene diphenyl, 3,3'-dimethyl-diphenyl -
4,4′−ジイソシアナート、o−ジアニシジンジイソシアナート、メチレンビス(4−イソシアナート−3− 4,4'-diisocyanate, o- dianisidine diisocyanate, methylene bis (4-isocyanato-3-
メチルベンゼン)、メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、メチレンビス(o−クロロフェニルイソシアナート)、5−クロロ−2,4−トルエンジイソシアナート、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−TDI)、2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、3,5−ジイソシアナートベンゾトリフルオライド、ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、ジシクロヘキシルメタン−4, Methylbenzene), methylenebis (4-isocyanato-2-methylbenzene), methylene bis (o-chlorophenyl isocyanate), 5-chloro-2,4-toluene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI ), 2,4-toluene diisocyanate (2, 4-TDI), 2,6-toluene diisocyanate (2, 6-TDI), 3,5-diisocyanate benzotrifluoride, bis (4-isocyanatocyclohexyl Natofueniru) ether, dicyclohexylmethane -4,
4′−ジイソシアナート、ノルボルナンジイソシアナートメチル、p−フェニレンジイソシアナート、p−キシレンジイソシアナート、テトラメチルキシレンジイソシアナート、1,5−ナフタレンジイソシアナート、2, 4'-diisocyanate, norbornane diisocyanate methyl, p- phenylene diisocyanate, p- xylene diisocyanate, tetramethyl xylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, 2,
6−ナフタレンジイソシアナート、トランス−1,4− 6-naphthalene diisocyanate, trans-1,4
シクロヘキシルジイソシアナート、イソフォロンジイソシアナート1,3−ビス(イソシアナートメチル)ベンゼン、などの一種または二種以上を混合して、使用することができる。 Cyclohexyl diisocyanate, isophorone diisocyanate 1,3-bis (isocyanatomethyl) benzene, and mixtures of one or two or more can be used, such as.

【0010】好ましいポリ尿素としては、下記のa/b [0010] Preferred polyureas, following a / b
の組合せによるポリ尿素を挙げることができる。 The combination can be given polyurea by the. 4, 4,
4′−ジアミノジフェニルメタン/3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート、4,4′− 4'-diaminodiphenylmethane / 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate, 4,4'-
ジアミノジフェニルメタン/o−ジアニシジンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/4,4′ Diaminodiphenylmethane / o-dianisidine diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenylmethane / methylenebis (4-isocyanato-2-methylbenzene), 4,4'-diaminodiphenylmethane / 4,4 '
−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、4, - diphenylmethane diisocyanate (MDI), 4,
4′−ジアミノジフェニルメタン/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−TDI)、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/p−フェニレンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/1,5−ナフタレンジイソシアナート、4, 4'-diaminodiphenylmethane / 2,4-toluene diisocyanate (2,4-TDI), 4,4'- diaminodiphenylmethane / 2,6-toluene diisocyanate (2,6-TDI), 4,4 ' - diaminodiphenylmethane / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane / p- phenylene diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenylmethane / 1,5-naphthalene diisocyanate, 4,
4′−ジアミノジフェニルエーテル/3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート、4,4′ 4'-diaminodiphenyl ether / 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate, 4,4 '
−ジアミノジフェニルエーテル/o−ジアニシジンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/4, - diaminodiphenyl ether / o-dianisidine diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenyl ether / methylene bis (4-isocyanato-2-methylbenzene), 4,4'-diaminodiphenyl ether / 4,
4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、 4'-diphenyl methane diisocyanate (MDI),
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−TDI)、4,4′− 4,4'-diaminodiphenyl ether / 2,4-toluene diisocyanate (2,4-TDI), 4,4'-
ジアミノジフェニルエーテル/2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/p−フェニレンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/1,5−ナフタレンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/1, Diaminodiphenyl ether / 2,6-toluene diisocyanate (2, 6-TDI), 4,4'-diaminodiphenyl ether / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether / p- phenylenediamine isocyanate, 4,4'-diaminodiphenyl ether / 1,5-naphthalene diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenyl ether / 1,
3−ビス(イソシアナートメチル)ベンゼン、4,4′ 1,3-bis (isocyanatomethyl) benzene, 4,4 '
−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/ - diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane /
3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/o−ジアニシジンジイソシアナート、4, 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / o-dianisidine diisocyanate, 4,
4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−TDI)、4,4′−ジアミノ−3, 4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / methylenebis (4-isocyanato-2-methylbenzene), 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / 2,4-toluene diisocyanate (2,4-TDI), 4,4'- diamino -3,
3′−ジメチルジフェニルメタン/2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/ビス(4− 3'-dimethyl diphenylmethane / 2,6-toluene diisocyanate (2,6-TDI), 4,4'- diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / bis (4-
イソシアナートフエニル)エーテル、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/p−フェニレンジイソシアナート、4,4′−ジアミノ−3,3′ Isocyanate phenylpropyl) ether, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / p- phenylene diisocyanate, 4,4'-diamino-3,3 '
−ジメチルジフェニルメタン/1,5−ナフタレンジイソシアナート、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/3,3′−ジメチルジフェニル−4, - dimethyldiphenylmethane / 1,5-naphthalene diisocyanate, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / 3,3'-dimethyl-diphenyl-4,
4′−ジイソシアナート、3,3′−ジメトキシ−4, 4'-diisocyanate, 3,3'-dimethoxy-4,
4′−ジアミノビフェニル/o−ジアニシジンジイソシアナート、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/メチレンビス(4−イソシアナート−2− 4'-Amino-biphenyl / o-dianisidine diisocyanate, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / methylenebis (4-isocyanato-2-
メチルベンゼン)、3,3′−ジメトキシ−4,4′− Methylbenzene), 3,3'-dimethoxy-4,4'-
ジアミノビフェニル/4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、3,3′−ジメトキシ−4, Diaminobiphenyl / 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 3,3'-dimethoxy-4,
4′−ジアミノビフェニル/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−TDI)、3,3′−ジメトキシ− 4'-Amino-biphenyl / 2,4-toluene diisocyanate (2,4-TDI), 3,3'- dimethoxy -
4,4′−ジアミノビフェニル/2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、3,3′−ジメトキシ− 4,4'-diamino-biphenyl / 2,6-toluene diisocyanate (2, 6-TDI), 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 3,3'-dimethoxy -
4,4′−ジアミノビフェニル/p−フェニレンジイソシアナート、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/1,5−ナフタレンジイソシアナート、 4,4'-diaminobiphenyl / p- phenylene diisocyanate, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / 1,5-naphthalene diisocyanate,
3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/ 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl /
3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/o−ジアニシジンジイソシアナート、3,3′ 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / o-dianisidine diisocyanate, 3,3 '
−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、 - dimethyl-4,4'-diamino biphenyl / methylenebis (4-isocyanato-2-methylbenzene),
3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/ 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl /
4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MD 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MD
I)、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−T I), 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / 2,4-toluene diisocyanate (2, 4-T
DI)、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/2,6−トルエンジイソシアナート(2,6− DI), 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / 2,6-toluene diisocyanate (2,6
TDI)、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/p−フェニレンジイソシアナート、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/1,5−ナフタレンジイソシアナート、4,4′−メチレン−ビス(2 TDI), 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diamino biphenyl / p- phenylene diisocyanate , 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / 1,5-naphthalene diisocyanate, 4,4'-methylene - bis (2
−クロロアニリン)/3,3′−ジメチルジフェニル− - chloroaniline) / 3,3'-dimethyl-diphenyl -
4,4′−ジイソシアナート、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/o−ジアニシジンジイソシアナート、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−TDI)、4,4′−メチレン−ビス(2− 4,4'-diisocyanate, 4,4'-methylenebis (2-chloroaniline) / o-dianisidine diisocyanate, 4,4'-methylenebis (2-chloroaniline) / methylenebis (4 - isocyanato-2-methylbenzene), 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 4,4'-methylene - bis (2-chloro aniline) / 2,4-toluene diisocyanate (2,4-TDI), 4,4'- methylene - bis (2-
クロロアニリン)/2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、4,4′−メチレン−ビス(2− Chloroaniline) / 2,6-toluene diisocyanate (2,6-TDI), 4,4'- methylene - bis (2-
クロロアニリン)/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/p−フェニレンジイソシアナート、4, Chloroaniline) / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / p-phenylene diisocyanate, 4,
4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/1,5 4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / 1,5
−ナフタレンジイソシアナート、1,3−ジアミノ−5 - naphthalene diisocyanate, 1,3-diamino -5
−シアノベンゼン/2,6−ナフタレンジイソシアナート、 - cyano benzene / 2,6-naphthalene diisocyanate,

【0011】基板上に形成されたポリ尿素膜は、紫外線および/または電子線を照射するとポリ尿素膜内で架橋反応が起こり、紫外線および/または電子線が照射されたポリ尿素部分は解重合しないポリ尿素となるので、紫外線および/または電子線照射後、加熱処理を施すと未照射部分のポリ尿素を解重合により蒸発し、除去することができる。 [0011] Poly Nyosomaku formed on the substrate is irradiated with ultraviolet rays and / or electron beam crosslinking reaction occurs in the polyurea membrane, polyurea moiety ultraviolet and / or electron beam is irradiated not depolymerize since the polyurea can after UV and / or electron beam irradiation, evaporated by polyurea depolymerization unirradiated portion when subjected to a heat treatment, it is removed.

【0012】また、このポリ尿素膜製造工程においては、原料モノマーと同時に増感剤を蒸発させて、ポリ尿素薄膜層内に分散させるか、ポリ尿素薄膜を形成した後に、別の蒸発源から増感剤を蒸発させ、前記ポリ尿素膜の表面上に分散付着させることもできる。 Further, in the polyurea film production process, the raw material monomer and simultaneously sensitizer is evaporated or dispersed in polyurea film layer, after the formation of the polyurea film, increasing from another evaporation source evaporated sensitive agent can also be dispersed deposited on the surface of the polyurea membrane.

【0013】この増感剤は、照射された紫外線および/ [0013] The sensitizer, ultraviolet rays are irradiated and /
または電子線を吸収して励起し、フリーラジカルを生じるので、照射された部分のポリ尿素の解重合や光架橋反応が促進されるため高感度化による露光時間の短縮やパターニングの加工精度が向上する。 Or absorb an electron beam to excite, since they produce free radicals, improve processing accuracy of shortening patterning exposure time by a high sensitivity for depolymerization or photo-crosslinking reaction of the polyurea of ​​the irradiated portion is promoted to.

【0014】通常、増感剤は、ポリ尿素薄膜に対して0.1〜10重量%程度が配合される。 [0014] Normally, a sensitizer is preferably about 0.1 to 10% by weight relative to the polyurea membrane is blended.

【0015】これら増感剤は、自己開裂型と水素引き抜き型とに分類される。 [0015] These sensitizers may be classified into a self-cleavage type and a hydrogen abstraction type. 自己開裂型は、紫外線および/または電子線を吸収、励起し、分子内開裂によりラジカルを生成するタイプで、アセトフェノン系、ジケトン系、 Self-cleavage type is, absorb ultraviolet light and / or electron beam to excite, a type of generating a radical by intramolecular cleavage, acetophenone, diketone,
アシルオキシムエステルなどが挙げられる。 Such as acyl oxime ester, and the like. 水素引き抜き型は、光励起により効率よく原料モノマーや溶媒などから水素を引きぬいてラジカルを発生するもので、芳香族ケトン類などが挙げられる。 Hydrogen extraction is survived pull hydrogen from such efficient material monomer and solvent by photoexcitation as to generate radicals, and aromatic ketones.

【0016】本発明で使用する増感剤としては、つぎのものを例示することができる。 [0016] As the sensitizer used in the present invention can be exemplified by the following. 1)芳香族ケトン類 ベンゾフェノン、キサントン、N,N,N′,N′−テトラメチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノン、N, 1) an aromatic ketone benzophenone, xanthone, N, N, N ', N'-tetramethyl-4,4'-diamino benzophenone, N,
N,N′,N′−テトラエチル−4,4′−ジアミノベンゾフェノンなど 2)アセトフェノン類 アセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、p−N, N, N ', such as N'- tetraethyl-4,4'-diamino benzophenone 2) acetophenones acetophenone, trichloro acetophenone, p-N,
N−ジメチルアミノアセトフェノン、2−ヒドロキシ− N- dimethylamino acetophenone, 2-hydroxy -
2−メチル−プロピオフェノン、ベンゾインエーテル、 2-methyl - propiophenone, benzoin ethers,
2,2′−ジエトキシアセトフェノンなど 3)安息香酸類 p−N,N−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、p− 2,2'-diethoxyacetophenone, etc. 3) benzoic acid p-N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl, p-
N,N−ジメチルアミノ安息香酸エチルなど 4)ジケトン類 ベンジル、メチルベンゾイルホルメートなど 5)その他 アシルオキシムエステル類やアシルホスフィンオキシド類など N, N-dimethylaminobenzoic acid ethyl etc. 4) diketones benzyl, methylbenzoyl formate, etc. 5) Other acyl oxime esters and acyl phosphine oxides such as

【0017】蒸着重合室内で、前記原料モノマーを蒸発させて基板上で蒸着重合させる際の真空度としては、 [0017] In the vapor deposition polymerization chamber, the raw material monomer is evaporated as degree of vacuum depositing polymerized on the substrate,
1.3×10 -3 〜1.3×10 -2 Pa(1×10 -5 〜1 1.3 × 10 -3 ~1.3 × 10 -2 Pa (1 × 10 -5 ~1
×10 -4 Torr)程度に設定する。 × set to 10 -4 Torr) degree.

【0018】また、前記原料モノマーを蒸着重合させる基板の材質としては、ポリ尿素膜の成膜後、紫外線および/または電子線を照射し、加熱によりパターンを形成させるため、温度350℃以上の耐熱性を有する材質であればよく、例えばガラス、シリコンウエハ、金属板、 Further, the material monomer as a material of the substrate depositing polymerization, after the formation of polyurea film is irradiated with ultraviolet rays and / or electron beam, for forming a pattern by heating, the temperature 350 ° C. or more refractory may be a material having a gender, for example, glass, silicon wafer, metal plate,
ポリイミドフィルムなどが挙げられる。 Such as a polyimide film, and the like.

【0019】また、露光室内で基板上のポリ尿素膜に紫外線および/または電子線を照射させる際の真空度としては、1.3×10 -3 〜1.3×10 -2 Pa(1×10 Further, as the degree of vacuum to be irradiated with ultraviolet rays and / or electron beam polyurea film on the substrate with an exposure chamber, 1.3 × 10 -3 ~1.3 × 10 -2 Pa (1 × 10
-5 〜1×10 -4 Torr)程度に設定する。 -5 ~1 × 10 -4 Torr) to set the degree.

【0020】また、現像室内で紫外線および/または電子線が照射されたポリ尿素膜を加熱する際の温度は、ポリ尿素膜の膜厚並びにポリ尿素膜の種類、基板の材質により設定するが、一般には250〜330℃程度とし、 Further, temperature for heating the polyurea film UV and / or electron beam is irradiated in the developing chamber, the film thickness and the type of polyurea film polyurea film, although set by the material of the substrate, in general, it is about 250~330 ℃,
また加熱する際の真空度としては、1.3×10 -3 As the degree of vacuum during the heating, 1.3 × 10 -3 ~
1.3×10 -2 Pa(1×10 -5 〜1×10 -4 Tor 1.3 × 10 -2 Pa (1 × 10 -5 ~1 × 10 -4 Tor
r)程度に設定する。 r) is set to such an extent.

【0021】本発明の実施例で用いるパターン形成装置は、真空中で感光性合成樹脂の原料モノマーを蒸発させる蒸発源と、原料モノマーの蒸着重合でポリ尿素膜が形成される基板を互いに対向して配置した蒸着重合室と、 The pattern forming apparatus used in an embodiment of the present invention, the evaporation source for evaporating the raw material monomer of the photosensitive synthetic resin in vacuo, opposed to the substrate polyurea film at a deposition polymerization of the raw material monomer is formed and vapor deposition polymerization chamber arranged Te,
基板上のポリ尿素膜に紫外線および/または電子線を照射する紫外線源および/または電子線源と、該ポリ尿素膜にパターンを形成するフォトマスクを配置した露光室と、紫外線および/または電子線の照射露光後のポリ尿素膜に加熱処理を施す加熱装置を配置した現像室とからなる。 An ultraviolet source and / or an electron beam source for irradiating ultraviolet rays and / or electron beam polyurea film on the substrate, an exposure chamber arranged a photomask for forming a pattern in the polyurea membrane, UV and / or electron beam irradiation comprising a developing chamber that the heating device is arranged for performing heat treatment on the polyurea film after exposure.

【0022】図1は、パターン形成装置の1例を示すもので、ポリ尿素膜を形成する蒸着重合室1、該ポリ尿素膜に紫外線を照射するための露光室2、紫外線を照射されたポリ尿素膜に加熱処理を施す現像室3から構成されており、バルブ4により蒸着重合室1、露光室2、現像室3の順で互いに連通されている。 [0022] FIG. 1 shows an example of a pattern forming apparatus, vapor deposition polymerization chamber 1 to form a polyurea film, the exposure chamber 2 for irradiating ultraviolet rays to said polyurea film was irradiated with ultraviolet poly is composed from the developing chamber 3 is subjected to a heat treatment to urea film are communicated with each other in order of vapor deposition polymerization chamber 1, an exposure chamber 2, the developing chamber 3 by the valve 4.

【0023】また、蒸着重合室1の上流側にバルブ5を介して外部の真空ポンプその他の真空排気系6に接続された真空室7を配置し、また、現像室3の下流側にバルブ8を介して外部の真空ポンプその他の真空排気系9に接続された真空室10を配置し、真空排気系6、真空排気系9のいずれか一方、または両方の真空排気系の作動により蒸着重合室1内、露光室2内、現像室3内を夫々所定の圧力に設定できるようにした。 Further, the vacuum chamber 7 which is connected to an external vacuum pump other evacuation system 6 via the valve 5 to the upstream side of the vapor deposition polymerization chamber 1 arranged, also, the valve 8 on the downstream side of the developing chamber 3 place a vacuum chamber 10 connected to an external vacuum pump other vacuum evacuation system 9 via the vacuum exhaust system 6, either one, or vapor deposition polymerization chamber by the operation of both of the vacuum exhaust system of the vacuum evacuation system 9 within 1, within the exposure chamber 2, was set to the developing chamber 3 can be set to respective predetermined pressure.

【0024】前記蒸着重合室1内に、蒸着重合膜(ポリ尿素膜)を形成させるための基板11を保持する基板ホルダー12を配置すると共に、該蒸着重合室1の下方に前記基板11に対向させてポリ尿素膜の一方の原料モノマー(a)としてジアミン、他方の原料モノマー(b) [0024] opposite to the vapor deposition polymerization chamber 1, together with placing the substrate holder 12 for holding a substrate 11 for forming the vapor-deposited polymer film (polyurea film), on the substrate 11 to the lower the vapor deposition polymerization chamber 1 is allowed to diamine as one of the raw material monomer of the polyurea film (a), the other of the raw material monomer (b)
としてジイソシアナートを夫々蒸発させるためのガラス製の蒸発源13、13を設け、該各蒸発源13をその近傍に設けられた水晶振動の蒸発モニター14と、ヒーター15とによって、前記原料モノマー(a)および(b)の蒸発量を常に一定化させる所定温度にコントロールできるようにした。 The diisocyanate and provided glass evaporation sources 13, 13 for respectively evaporated, the evaporation monitor 14 of the quartz which is provided a respective evaporation sources 13 in the vicinity thereof, by a heater 15 as the raw material monomer ( a) and the amount of evaporation (b) always to be able to control to a predetermined temperature for a predetermined reduction.

【0025】また、基板11と両蒸発源13との間にシャッター16を配置し、また、両蒸発源13間に仕切板17を設けた。 Further, placing the shutter 16 between the substrate 11 and the two evaporation sources 13, also provided with a partition plate 17 between the two evaporation source 13.

【0026】前記露光室2内の下方に基板ホルダー12 The substrate holder 12 below the exposure chamber 2
に保持された基板11に対向させて紫外線源18を設け、基板11の前方に所定形状のパターンを備えるフォトマスク19を設けて、前記蒸着重合室1内で基板11 The ultraviolet light source 18 to face the substrate 11 held provided, is provided a photomask 19 having a pattern of a predetermined shape in front of the substrate 11, the substrate 11 by the vapor deposition polymerization chamber 1
表面に形成されたポリ尿素膜に紫外線源18より紫外線を照射してパターン状に露光させるようにした。 And to expose the pattern on polyurea film formed on the surface by irradiating ultraviolet rays from the ultraviolet light source 18.

【0027】前記現像室3内に基板ホルダー12に保持された基板11背面側にハロゲンランプからなる加熱装置20を設けて、前記露光室2内で紫外線に照射されて架橋したポリ尿素膜を所定温度に加熱して非露光部分のポリ尿素膜を解重合させて除去するようにした。 [0027] said developing chamber 3 heating apparatus consisting of a halogen lamp to the held substrate 11 rear side substrate holder 12 within 20 provided, given the polyurea film crosslinked by irradiation to UV light in the exposure chamber 2 and so as to remove by heating to a temperature of polyurea film in the unexposed portion was depolymerized.

【0028】本発明の実施態様を以下に列記する。 [0028] The embodiments of the present invention are listed below. (1) 真空中で(a)ジアミン成分と(b)ジイソシアナート成分とを別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、ついで、このポリ尿素膜に紫外線または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法。 (1) was evaporated in vacuo and (a) a diamine component and (b) a diisocyanate component from separate evaporation sources, which polyurea film is formed by vapor deposition polymerization on the substrate surface, then the polyurea method for producing a polyurea film and then irradiating ultraviolet rays or electron beams in the membrane. (2) 真空中で(a)ジアミン成分、(b)ジイソシアナート成分および(c)増感剤を別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、ついで、このポリ尿素膜に紫外線または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法。 (2) in a vacuum (a) a diamine component was evaporated from (b) diisocyanate component and (c) a sensitizer separate evaporation sources, which polyurea film is formed by vapor deposition polymerization on the substrate surface , then method for producing polyurea film and then irradiating ultraviolet rays or electron beams to the polyurea membrane. (3) 真空中で(a)ジアミン成分と(b)ジイソシアナート成分とを別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、ついで、(c)増感剤を別々の蒸発源から前記ポリ尿素膜上に蒸着させ、必要に応じてこれを繰り返した後、これに紫外線または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法。 (3) and evaporated in vacuo and (a) a diamine component and (b) a diisocyanate component from separate evaporation sources, which polyurea film is formed by vapor deposition polymerization on the substrate surface, then, (c) the sensitizer is deposited from different evaporation sources on the polyurea membrane, after repeating this as necessary, the manufacturing method of the polyurea film, characterized in that this is irradiated with ultraviolet rays or electron beam. (4) 前記ポリ尿素膜がレジスト用ポリ尿素膜である前項(1)、(2)または(3)のポリ尿素膜の製造方法。 (4) preceding the polyurea film is a resist polyurea film (1), (2) or the method of manufacturing the polyurea membrane (3). (5) (a)のジアミン成分と(b)のジイソシアナート成分の組合せが4,4′−ジアミノジフェニルメタン/3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/o (5) a combination of the diisocyanate component is 4,4'-diaminodiphenylmethane / 3,3'-dimethyl-diphenyl-4,4'-diisocyanate (a) diamine component and (b), 4, 4 ' - diaminodiphenylmethane / o
−ジアニシジンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/ - dianisidine diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenylmethane / methylenebis (4-isocyanato-2-methylbenzene), 4,4'-diaminodiphenylmethane / 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 4 , 4'-diaminodiphenylmethane /
2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−TD 2,4-toluene diisocyanate (2,4-TD
I)、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/2,6− I), 4,4'-diaminodiphenylmethane / 2,6
トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、4, Toluene diisocyanate (2,6-TDI), 4,
4′−ジアミノジフェニルメタン/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、4,4′−ジアミノジフェニルメタン/p−フェニレンジイソシアナート、4, 4'-diaminodiphenylmethane / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane / p- phenylene diisocyanate, 4,
4′−ジアミノジフェニルメタン/1,5−ナフタレンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/ 4'-diaminodiphenylmethane / 1,5-naphthalene diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenyl ether / 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate 4,4'-diaminodiphenyl ether /
o−ジアニシジンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4− o- dianisidine diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenyl ether / methylene bis (4-isocyanato-2-methylbenzene), 4,4'-diaminodiphenyl ether / 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 4,4'-diaminodiphenyl ether / 2,4-toluene diisocyanate (2,4
TDI)、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/ TDI), 4,4'- diaminodiphenyl ether /
2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TD 2,6-toluene diisocyanate (2, 6-TD
I)、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、4,4′− I), 4,4'-diaminodiphenyl ether / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 4,4'-
ジアミノジフェニルエーテル/p−フェニレンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/ Diaminodiphenyl ether / p- phenylene diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenyl ether /
1,5−ナフタレンジイソシアナート、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル/1,3−ビス(イソシアナートメチル)ベンゼン、4,4′−ジアミノ−3,3′− 1,5-naphthalene diisocyanate, 4,4'-diaminodiphenyl ether / 1,3-bis (isocyanatomethyl) benzene, 4,4'-diamino-3,3'-
ジメチルジフェニルメタン/3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/o−ジアニシジンジイソシアナート、4,4′−ジアミノ−3, Dimethyldiphenylmethane / 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / o-dianisidine diisocyanate, 4,4'-diamino - 3,
3′−ジメチルジフェニルメタン/メチレンビス(4− 3'-dimethyl diphenylmethane / methylenebis (4-
イソシアナート−2−メチルベンゼン)、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/4, Isocyanato-2-methylbenzene), 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / 4,
4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、 4'-diphenyl methane diisocyanate (MDI),
4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−T 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / 2,4-toluene diisocyanate (2, 4-T
DI)、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、4,4′−ジアミノ−3,3′− DI), 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl-diphenylmethane / 2,6-toluene diisocyanate (2,6-TDI), 4,4'- diamino-3,3'-
ジメチルジフェニルメタン/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、4,4′−ジアミノ−3,3′− Dimethyldiphenylmethane / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 4,4'-diamino-3,3'-
ジメチルジフェニルメタン/p−フェニレンジイソシアナート、4,4′−ジアミノ−3,3′−ジメチルジフェニルメタン/1,5−ナフタレンジイソシアナート、 Dimethyldiphenylmethane / p- phenylene diisocyanate, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyl diphenyl methane / 1,5-naphthalene diisocyanate,
3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/o−ジアニシジンジイソシアナート、3, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / o-Zia Western Jinji isocyanate, 3,
3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/2,4−トルエンジイソシアナート(2,4−TDI)、3,3′−ジメトキシ−4,4′ 3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / methylenebis (4-isocyanato-2-methylbenzene), 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / 2,4-toluene diisocyanate (2,4-TDI), 3,3'- dimethoxy-4,4 '
−ジアミノビフェニル/2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TDI)、3,3′−ジメトキシ−4, - diaminobiphenyl / 2,6-toluene diisocyanate (2,6-TDI), 3,3'- dimethoxy-4,
4′−ジアミノビフェニル/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、3,3′−ジメトキシ−4,4′ 4'-aminobiphenyl / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 3,3'-dimethoxy-4,4 '
−ジアミノビフェニル/p−フェニレンジイソシアナート、3,3′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノビフェニル/1,5−ナフタレンジイソシアナート、3,3′ - diaminobiphenyl / p- phenylene diisocyanate, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl / 1,5-naphthalene diisocyanate, 3,3 '
−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/3,3′ - dimethyl-4,4'-diamino biphenyl / 3,3 '
−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート、 - dimethyl-4,4'-diisocyanate,
3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/ 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl /
o−ジアニシジンジイソシアナート、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/メチレンビス(4 o- dianisidine diisocyanate, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / methylenebis (4
−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、3,3′− - isocyanato-2-methylbenzene), 3,3'-
ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/4,4′− Dimethyl-4,4'-diamino biphenyl / 4,4'
ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、3, Diphenyl methane diisocyanate (MDI), 3,
3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/2, 3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / 2,
4−トルエンジイソシアナート(2,4−TDI)、 4-toluene diisocyanate (2,4-TDI),
3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/ 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl /
2,6−トルエンジイソシアナート(2,6−TD 2,6-toluene diisocyanate (2, 6-TD
I)、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、 I), 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether,
3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/ 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl /
p−フェニレンジイソシアナート、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル/1,5−ナフタレンジイソシアナート、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/3,3′−ジメチルジフェニル−4, p- phenylene diisocyanate, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl / 1,5-naphthalene diisocyanate, 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / 3,3 ' - dimethyl-diphenyl-4,
4′−ジイソシアナート、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/o−ジアニシジンジイソシアナート、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/メチレンビス(4−イソシアナート−2−メチルベンゼン)、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/4,4′−ジフェニルメタンジイソシアナート(MDI)、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/2,4−トルエンジイソシアナート(2, 4'-diisocyanate, 4,4'-methylenebis (2-chloroaniline) / o-dianisidine diisocyanate, 4,4'-methylenebis (2-chloroaniline) / methylene bis (4-isocyanatocyclohexyl inert-2-methylbenzene), 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / 2,4-toluene diisocyanate (2,
4−TDI)、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/2,6−トルエンジイソシアナート(2, 4-TDI), 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / 2,6-toluene diisocyanate (2,
6−TDI)、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/ビス(4−イソシアナートフエニル)エーテル、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/p−フェニレンジイソシアナート、4,4′−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)/1,5−ナフタレンジイソシアナート、1,3−ジアミノ−5−シアノベンゼン/2,6−ナフタレンジイソシアナート、である前項(1)、(2)、(3)または(4)のポリ尿素膜の製造方法。 6-TDI), 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / bis (4-isocyanato-phenylalanine) ether, 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / p-phenylenediamine isocyanate, 4,4'-methylene - bis (2-chloroaniline) / 1,5-naphthalene diisocyanate, 1,3-diamino-5-cyano-benzene / 2,6-naphthalene diisocyanate, and is set forth in the preceding paragraph (1), (2), (3) or (4) the method of producing a polyurea membrane.

【0029】 [0029]

【実施例】 【Example】

実施例1 まず、各バルブ4、5、8を閉じた状態で蒸着重合室1 Example 1 First, vapor deposition polymerization chamber 1 in the closed state of the valves 4, 5, 8
内で基板ホルダー12に縦75mm、横26mm、厚さ1mmのガラス製の基板11を保持すると共に、蒸着重合室1内の蒸発源13、13の一方に原料モノマー(a)として4,4′−ジアミノジフェニルメタン(以下、原料モノマーa 1という)と、他方に原料モノマー(b)として4,4′−ジイソシアン酸メチレンジフェニル(以下、原料モノマーb 1という)を夫々充填し、 Vertical 75mm to the substrate holder 12 at the inner, lateral 26 mm, holds the glass substrate 11 having a thickness of 1 mm, while the raw material monomer of the evaporation sources 13, 13 of the vapor deposition polymerization chamber 1 (a) as 4,4 ' - diaminodiphenylmethane (hereinafter, raw as monomers a 1) and the other in a raw material monomer (b) 4,4' diisocyanate, methylene diphenyl (hereinafter, referred to as a raw material monomer b 1) to the respective filling,
シャッター16を閉じた状態で各バルブ4、5、8を開き、蒸着重合室1、露光室2および現像室3内の全圧力を真空室7の真空排気系6および真空室10の真空排気系9を介して1.3×10 -3 Pa(1×10 -5 Tor Open the valves 4, 5, 8 in the closed state of the shutter 16, the vapor deposition polymerization chamber 1, an exposure chamber 2 and the vacuum exhaust system of the vacuum exhaust system 6 and the vacuum chamber 10 of the vacuum chamber 7 the total pressure in the developing chamber 3 through 9 1.3 × 10 -3 Pa (1 × 10 -5 Tor
r)に設定した後、各バルブ4、5、8を閉じた。 After setting to r), it closed the valves 4, 5, 8.

【0030】つぎに、蒸発モニター14、14で蒸発源13、13から各原料モノマーa 1 、b 1の蒸発量を測定しながら、ヒーター15、15によって原料モノマーa Next, while measuring the evaporation amount of each starting monomer a 1, b 1 from the evaporation source 13 by evaporation monitors 14 and 14, the raw material monomer a by the heater 15, 15
1を温度110±1.0℃に、また原料モノマーb 1を温度70±0.2℃に夫々加熱した。 1 to a temperature 110 ± 1.0 ° C., it was also respectively heated raw material monomers b 1 to a temperature 70 ± 0.2 ° C..

【0031】ついで、原料モノマーa 1 、b 1が所定温度に達して所要の蒸発量が得られた後、シャッター16を開き、蒸着重合室1内の基板ホルダー12に保持された基板11表面に該原料モノマーa 1 、b 1を200Å/分の析出速度で膜厚2500Åに蒸着し、堆積させた後、 [0031] Next, after the raw material monomer a 1, b 1 is required evaporation amount reaches the predetermined temperature is obtained, the shutter is opened 16, the retained substrate 11 surface in the substrate holder 12 of the vapor deposition polymerization chamber 1 after the raw material monomer a 1, b 1 deposited at a deposition rate of 200 Å / min to a thickness 2500 Å, deposited,
シャッター16を閉じ、基板11表面でポリ尿素の重合反応を起こさせてポリ尿素膜を形成した。 Closing the shutter 16, to form a polyurea membrane to cause a polymerization reaction of the polyurea in the substrate 11 surface.

【0032】なお、原料モノマーa 1 、b 1は、化学量論的にポリ尿素膜が形成されるように蒸発量の調整によって1:1のモル比で蒸発するようにした。 [0032] The starting monomer a 1, b 1 is the amount of evaporation adjusted to stoichiometric polyurea film is formed 1: to evaporate at a molar ratio. また、原料モノマーa 1 、b 1の蒸発時における蒸着重合室1内の圧力は、6.5×10 -3 Pa(5×10 -5 Torr)とした。 The pressure of the vapor deposition polymerization chamber 1 during evaporation material monomer a 1, b 1 was set to 6.5 × 10 -3 Pa (5 × 10 -5 Torr).

【0033】つぎに、蒸着重合室1と露光室2との間のバルブ4のみを開き、蒸着重合室1内でポリ尿素膜が形成された基板11を予め圧力が1.3×10 -3 Pa(1 Next, open the only valve 4 between the vapor deposition polymerization chamber 1 and the exposure chamber 2, the vapor deposition polymerization chamber advance pressure board 11 which polyurea film is formed in the 1 1.3 × 10 -3 Pa (1
×10 -5 Torr)に設定された露光室2内に搬送した後、該バルブ4を閉じると共に、ステンレス製からなる幅5mm、長さ5mmの方形状のパターン10本が穿設されたフォトマスク19上に基板11表面のポリ尿素膜側を固定した。 After conveyed to × 10 -5 Torr) set in the exposure chamber 2, along with closing the valve 4, a photomask width 5mm consisting of stainless steel, ten patterns of rectangular shape of length 5mm have been bored 19 was fixed polyurea film side surface of the substrate 11 on. 続いて、フォトマスク19を通して紫外線源18から中心波長254nm、10Wの紫外線をポリ尿素膜に5分間照射した。 Followed by irradiation for five minutes from the ultraviolet source 18 through a photomask 19 center wavelength 254 nm, a 10W ultraviolet polyurea membrane.

【0034】つぎに、露光室2と現像室3との間のバルブ4のみを開き、露光室2内でポリ尿素膜に紫外線を照射された基板11を予め圧力が1.3×10 -3 Pa(1 Next, the exposure chamber 2 and opened only valve 4 between the developing chamber 3, advance pressure board 11, which is irradiated with ultraviolet rays polyurea film in the exposure chamber 2 1.3 × 10 -3 Pa (1
×10 -5 Torr)に設定された現像室3内に搬送した後、該バルブ4を閉じると共に、基板11をヒーター2 After conveyed to × 10 -5 Torr) which is set to the developing chamber 3, along with closing the valve 4, the heater substrate 11 2
0下の所定位置に固定した。 0 is fixed at a predetermined position below. 続いて、ヒーター20により基板11を温度300℃で5分間加熱処理による現像を施した。 Subsequently, it subjected to development with 5 minutes heating the substrate 11 at a temperature 300 ° C. by the heater 20.

【0035】つぎに、現像室3と真空室10との間のバルブ8のみを開き、現像室3内でポリ尿素膜に現像処理が施された基板11を予め圧力が1.3×10 -3 Pa Next, the developing chamber 3 and open only the valve 8 between the vacuum chamber 10, the pressure of the substrate 11 to the development processing in polyurea film is applied in the developing chamber 3 in advance 1.3 × 10 - 3 Pa
(1×10 -5 Torr)に設定された真空室10内に搬送した後、該バルブ8を閉じ、真空室10内を大気圧にした後、基板11を真空室10内より取り出した。 After conveyed to the (1 × 10 -5 Torr) which is set to vacuum chamber 10, closing the valve 8, after the vacuum chamber 10 to the atmospheric pressure, taken out of the vacuum chamber 10 the substrate 11.

【0036】真空室10内より取り出した基板11表面のポリ尿素膜を調べたところ、紫外線が照射された照射部分のポリ尿素膜はそのまま基板表面に膜厚1800Å [0036] Examination of polyurea film on the substrate 11 surface taken out from the vacuum chamber 10, the film thickness poly Nyosomaku intact substrate surface irradiated portion with ultraviolet is irradiated 1800Å
で残り、紫外線が未照射部分のポリ尿素膜は解重合して基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 In the rest, UV does not remain in the polyurea membrane depolymerization substrate surface unirradiated portion, it was found that the pattern having the same shape as that of the pattern of the photomask are formed.

【0037】実施例2 一方の原料モノマー(a)として、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル(以下、原料モノマーa 2という) [0037] As Example 2 One of the raw material monomer (a), 4,4'-diaminodiphenyl ether (hereinafter, referred to as the raw material monomer a 2)
を用い、その加熱温度を135±2℃とし、他方の原料モノマー(b)として4,4′−ジイソシアン酸メチレンジフェニル(以下、原料モノマーb 2という)を用い、その加熱温度を70±0.2℃とした以外は、前記実施例1と同様の方法で基板11表面にポリ尿素膜を形成した。 Used, and the heating temperature 135 ± 2 ° C., another raw material monomer (b) as 4,4' diisocyanate, methylene diphenyl (hereinafter, referred to as raw material monomers b 2) used, the heating temperature 70 ± 0. except for using 2 ° C., to form a polyurea film on the surface of the substrate 11 in the same manner as in example 1.

【0038】そして、前記実施例1と同様の方法で基板11表面に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、加熱装置で現像した後、ポリ尿素膜を調べたところ、前記実施例1と同様に紫外線が未照射の未照射部分のポリ尿素膜は解重合により除去されて基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 [0038] Then, after the Example 1 irradiated with ultraviolet rays polyurea film formed on the substrate 11 surface in a manner similar to, and developed with a heating device were examined polyurea film, as in Example 1 not remain in the non-polyurea film irradiated portion is removed by depolymerization with the substrate surface similarly ultraviolet unirradiated, it was found that the pattern shape and the same shape of the pattern of the photomask are formed.

【0039】実施例3 一方の原料モノマー(a)として、4,4′−ジアミノジフェニルメタン(以下、原料モノマーa 3という)を用い、その加熱温度を100±0.2℃とし、他方の原料モノマー(b)として3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナート(以下、原料モノマーb [0039] As Example 3 One of the raw material monomer (a), 4,4'-diaminodiphenylmethane (hereinafter, raw as monomer a 3) used, and the heating temperature is 100 ± 0.2 ° C., the other of the raw material monomer (b) a 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate (hereinafter, raw material monomers b
3という)を用い、その加熱温度を135±1℃とした以外は、前記実施例1と同様の方法で基板11表面にポリ尿素膜を形成した。 Using 3 hereinafter), except that the heating temperature is 135 ± 1 ° C., to form a polyurea film on the surface of the substrate 11 in the same manner as in Example 1.

【0040】そして、前記実施例1と同様の方法で基板11表面に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、加熱装置で現像した後、ポリ尿素膜を調べたところ、前記実施例1と同様に紫外線が未照射の未照射部分のポリ尿素膜は解重合により除去されて基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 [0040] Then, after the Example 1 irradiated with ultraviolet rays polyurea film formed on the substrate 11 surface in a manner similar to, and developed with a heating device were examined polyurea film, as in Example 1 not remain in the non-polyurea film irradiated portion is removed by depolymerization with the substrate surface similarly ultraviolet unirradiated, it was found that the pattern shape and the same shape of the pattern of the photomask are formed.

【0041】ポリ尿素膜への現像、即ち、加熱装置による基板への加熱温度を290℃とし、加熱時間を10分間とした以外は、前記実施例1と同様の方法で基板表面にポリ尿素膜の形成、並びにポリ尿素膜への紫外線照射を行った。 The development of the polyurea membrane, ie, the heating temperature of the substrate by the heating device and 290 ° C., except that the heating time was 10 minutes, a polyurea film on the substrate surface in the same manner as in Example 1 formation, and were UV irradiation of the polyurea membrane.

【0042】そして、現像後ポリ尿素膜を調べたところ、前記実施例1と同様に紫外線が未照射の未照射部分のポリ尿素膜は解重合により除去されて基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 [0042] Then, were examined after development polyurea film, polyurea film unirradiated portion similarly ultraviolet unirradiated as in Example 1 does not remain on the substrate surface is removed by depolymerization, it was found that the pattern shape and the same shape of the pattern of the photomask are formed.

【0043】実施例5 ポリ尿素膜への現像、即ち、加熱装置による基板への加熱温度を310℃とした以外は、前記実施例1と同様の方法で基板表面にポリ尿素膜の形成、並びにポリ尿素膜への紫外線照射を行った。 The development of the Example 5 polyurea film, i.e., except that the heating temperature of the substrate by the heating device and 310 ° C., the formation of polyurea film on the substrate surface in the same manner as in Example 1, and It was irradiated with ultraviolet rays to polyurea film.

【0044】そして、現像後ポリ尿素膜を調べたところ、前記実施例1と同様に紫外線が未照射の未照射部分のポリ尿素膜は解重合により除去されて基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 [0044] Then, were examined after development polyurea film, polyurea film unirradiated portion similarly ultraviolet unirradiated as in Example 1 does not remain on the substrate surface is removed by depolymerization, it was found that the pattern shape and the same shape of the pattern of the photomask are formed.

【0045】実施例6 実施例1のa 1のかわりに、3,3′−ジメチル−4, [0045] Instead of a 1 Example 6 Example 1, 3,3'-dimethyl-4,
4′−ジアミノビフェニルを使用する以外は、実施例1 But using 4'-aminobiphenyl, Example 1
と同一の蒸着重合、紫外線照射、現像を行った。 Same vapor deposition polymerization with ultraviolet irradiation, was developed. その結果、紫外線が照射された照射部分のポリ尿素膜はそのまま基板表面に残り、紫外線が未照射部分のポリ尿素膜は解重合して基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 As a result, poly Nyosomaku the irradiated portion with ultraviolet is irradiated remaining intact substrate surface, polyurea film ultraviolet unirradiated portion is not left on the substrate surface by depolymerization, and the pattern shape of the photomask it was found that the pattern of the same shape are formed.

【0046】実施例7 一方の原料モノマー(a)として、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノフェニルを用い、その加熱温度を110±1℃とし、他方の原料モノマー(b)として3,3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアナートを用い、その加熱温度を135±1℃とした以外は、前記実施例1と同様の方法で基板11表面にポリ尿素膜を形成した。 [0046] As Example 7 One of the raw material monomer (a), using the 3,3'-dimethyl-4,4'-aminophenyl, and the heating temperature was 110 ± 1 ° C., as the other raw material monomer (b) using 3,3'-dimethyl-4,4'-diisocyanate, except that the heating temperature is 135 ± 1 ° C., forming a polyurea film on the surface of the substrate 11 in the same manner as in example 1 did.

【0047】そして、前記実施例1と同様の方法で基板11表面に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、加熱装置で現像した後、ポリ尿素膜を調べたところ、前記実施例1と同様に紫外線が未照射の未照射部分のポリ尿素膜は解重合により除去されて基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 [0047] After the above Example 1 irradiated with ultraviolet rays polyurea film formed on the substrate 11 surface in the same manner as, and developed with a heating device were examined polyurea film, as in Example 1 not remain in the non-polyurea film irradiated portion is removed by depolymerization with the substrate surface similarly ultraviolet unirradiated, it was found that the pattern shape and the same shape of the pattern of the photomask are formed.

【0048】実施例8 一方の原料モノマー(a)として、4,4′−ジアミノジフェニルエーテルを用い、その加熱温度を135±1 [0048] As Example 8 One of the raw material monomer (a), 4,4'-diaminodiphenyl ether with, the heating temperature 135 ± 1
℃とし、他方の原料モノマー(b)として1,3−ビス(イソシアナートメチル)ベンゼンを用い、その加熱温度を42±0.2℃とし、さらに基板11の温度を10 ° C. and the other as a raw material monomer (b) 1,3-bis using (isocyanatomethyl) benzene, and the heating temperature is 42 ± 0.2 ° C., further the temperature of the substrate 11 10
℃に保持して、原料モノマー(a)、(b)の蒸発時の蒸着重合室1内の圧力を1.8×10 -4 Torr、速度17Å/分とした以外は、前記実施例1と同様の方法で基板11表面にポリ尿素膜を形成した。 ℃ held in the raw material monomer (a), 1.8 × 10 -4 Torr pressure vapor-deposited polymer chamber 1 during evaporation (b), except that the speed 17 Å / min, as in Example 1 to form a polyurea film on the surface of the substrate 11 in a similar manner. そして、前記実施例1と同様の方法で基板11表面に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、加熱装置で現像した後、ポリ尿素膜を調べたところ、前記実施例1と同様に紫外線が未照射の未照射部分のポリ尿素膜は解重合により除去されて基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 Then, after the Example 1 irradiated with ultraviolet rays polyurea film formed on the substrate 11 surface in a manner similar to, and developed with a heating device were examined polyurea membrane, UV in the same manner as in Example 1 There was found to be polyurea film does not remain on the substrate surface is removed by depolymerization, the pattern shape and the same shape of the pattern of the photomask forming unirradiated portions of the unirradiated.

【0049】実施例9 一方の原料モノマー(a)として、1,3−ジアミノ− [0049] As Example 9 One of the raw material monomer (a), 1,3-diamino -
5−シアノベンゼンを用い、その加熱温度を104±1 Using 5-cyano benzene, the heating temperature 104 ± 1
℃とし、他方の原料モノマー(b)として2,6−ナフタレンジイソシアナートを用いて、その蒸発温度を75 ℃ and, using a 2,6-naphthalene diisocyanate as the other raw material monomer (b), the evaporation temperature 75
±0.2℃として、さらに基板11温度を5℃に保持して、原料モノマー(a)、(b)の蒸発時における蒸着重合室1内の圧力を4.0×10 -5 Torrとした以外は前記実施例1と同様の方法で基板11表面にポリ尿素膜を形成した。 As ± 0.2 ° C., further holds the substrate 11 temperature to 5 ° C., the raw material monomers (a), was set to 4.0 × 10 -5 Torr pressure vapor-deposited polymer chamber 1 during evaporation of (b) except it formed a polyurea film on the surface of the substrate 11 in the same manner as in example 1. そして、前記実施例1と同様の方法で基板11表面に形成されたポリ尿素膜に紫外線を照射し、 Then, ultraviolet rays are irradiated to polyurea film formed on the substrate 11 surface in the same manner as in Example 1,
加熱装置で現像した後、ポリ尿素膜を調べたところ、前記実施例1と同様に紫外線が未照射の未照射部分のポリ尿素膜は解重合により除去されて基板表面には残っておらず、フォトマスクのパターン形状と同形のパターンが形成されていることが分かった。 After developing the heating device was examined polyurea film, polyurea film unirradiated portion similarly ultraviolet unirradiated as in Example 1 does not remain on the substrate surface is removed by depolymerization, it was found that the pattern shape and the same shape of the pattern of the photomask are formed.

【0050】前記各実施例では、基板ホルダー12への基板11の保持を蒸着重合室1内で行ったが、真空室7 [0050] In each of Examples, it was subjected to the holding of the substrate 11 to the substrate holder 12 in the vapor deposition polymerization chamber 1, a vacuum chamber 7
内で行なってもよい。 It may be carried out at the inner.

【0051】前記図1装置では、蒸着重合室1内、露光室2内、現像室3内の排気を真空室7の真空排気系6、 [0051] The in Figure 1 apparatus, the deposition polymerization chamber 1, within the exposure chamber 2, evacuation of the vacuum chamber 7 to evacuation in the developing chamber 3 system 6,
真空室10の真空排気系9のいずれか一方、または両方で行うようにしたが、蒸着重合室1、露光室2、現像室3に夫々真空ポンプその他の真空排気系を設置して、各室毎に排気するようにしてもよい。 Either one of the vacuum evacuation system 9 of the vacuum chamber 10, or has been to perform both, vapor deposition polymerization chamber 1, an exposure chamber 2, installed respectively vacuum pump other evacuation system in the developing chamber 3, each chamber it is also possible to exhaust every.

【0052】本発明は、真空中で基板表面へのポリ尿素膜の成形工程、ポリ尿素膜への紫外線照射による露光工程、紫外線照射後の未照射部分のポリ尿素の解重合による現像工程を連続して行うことができるので、電極蒸着プロセス、絶縁膜形成プロセスなどの他の真空プロセスと連結して真空中で一貫して基板表面の合成樹脂膜へのパターンを形成することができる。 [0052] The present invention is a continuous molding process polyurea film on the substrate surface, step exposed to ultraviolet radiation to polyureas film, by depolymerization of polyurea unirradiated portion after UV irradiation and development steps in vacuo it can be performed by, and can electrode deposition process consistently in vacuum in conjunction with other vacuum processes such as the insulating film forming process to form a pattern on the synthetic resin film on the substrate surface.

【0053】 [0053]

【効果】本発明により、230〜300℃に加熱されても熱分解をおこすことのない蒸着重合法ポリ尿素膜を得ることができた。 [Effect] According to the invention, it was possible to obtain a deposition polymerization method polyurea film be cause thermal decomposition even when heated to 230 to 300 ° C.. そして、本発明の方法と、蒸着重合法ポリ尿素膜の特性とを組合わせれば、有利なパターン形成方法となる。 Then, the method of the present invention, if combined with characteristics of vapor deposition polymerization polyurea film, a favorable pattern forming method.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明のパターン形成装置の1実施例の説明線図である。 FIG. 1 is an explanatory diagram of one embodiment of a pattern forming apparatus of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 蒸着重合室 2 露光室 3 現像室 4 バルブ 5 バルブ 6 真空排気系 7 真空室 8 バルブ 9 真空排気系 10 真空室 11 基板 12 基板ホルダー 13 蒸発源 14 蒸発モニター 15 ヒーター 16 シャッター 17 仕切板 18 紫外線源 19 フオトマスク 20 加熱装置 a 原料モノマー b 原料モノマー 1 vapor deposition polymerization chamber 2 the exposure chamber 3 developing chamber 4 Valve 5 Valve 6 evacuation system 7 vacuum chamber 8 valve 9 evacuation system 10 vacuum chamber 11 the substrate 12 substrate holder 13 evaporation source 14 evaporates monitor 15 heater 16 shutter 17 partition plate 18 UV source 19 Fuotomasuku 20 heating device a raw monomer b material monomer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯島 正行 茨城県つくば市東光台5−9−7 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Iijima Tsukuba, Ibaraki Prefecture Masayuki Tokodai 5-9-7 Japan vacuum technology Co., Ltd. Tsukuba super material within the Institute

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 真空中で(a)ジアミン成分と(b)ジイソシアナート成分とを別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、 1. A evaporated in vacuo and the (a) a diamine component and (b) a diisocyanate component from separate evaporation sources, which polyurea film is formed by vapor deposition polymerization on the substrate surface,
    ついで、このポリ尿素膜に紫外線および/または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法。 Then, the manufacturing method of the polyurea film and then irradiating ultraviolet and / or electron beam to the polyurea membrane.
  2. 【請求項2】 真空中で(a)ジアミン成分、(b)ジイソシアナート成分および(c)増感剤を別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、ついで、このポリ尿素膜に紫外線および/または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法。 Wherein in vacuo (a) a diamine component, the (b) and evaporated diisocyanate component and (c) a sensitizer from separate evaporation sources, polyurea film by vapor deposition polymerization it on the substrate surface formed, then the production method of the polyurea film and then irradiating ultraviolet and / or electron beam to the polyurea membrane.
  3. 【請求項3】 真空中で(a)ジアミン成分と(b)ジイソシアナート成分とを別々の蒸発源から蒸発させ、これを基板表面上で蒸着重合によりポリ尿素膜を形成し、 3. evaporated in vacuo and the (a) a diamine component and (b) a diisocyanate component from separate evaporation sources, which polyurea film is formed by vapor deposition polymerization on the substrate surface,
    ついで、(c)増感剤を別の蒸発源から前記ポリ尿素膜上に蒸着させ、必要に応じてこれを繰り返した後、これに紫外線および/または電子線を照射することを特徴とするポリ尿素膜の製造方法。 Then, poly and irradiating the (c) a sensitizer is deposited from a separate evaporation sources on the polyurea membrane, after repeating this as necessary, to which ultraviolet light and / or electron beam method for producing urea film.
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