JPH07252665A - Electroless plating solution generating no pseudo-whisker - Google Patents

Electroless plating solution generating no pseudo-whisker

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JPH07252665A
JPH07252665A JP6987394A JP6987394A JPH07252665A JP H07252665 A JPH07252665 A JP H07252665A JP 6987394 A JP6987394 A JP 6987394A JP 6987394 A JP6987394 A JP 6987394A JP H07252665 A JPH07252665 A JP H07252665A
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tin
pseudo
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plating
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Masato Ishii
正人 石井
Tatsuo Kataoka
龍男 片岡
Hiroaki Kurihara
宏明 栗原
Yoshiichi Akashi
芳一 明石
Hideaki Makita
秀明 牧田
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Abstract

PURPOSE:To obtain the electroless plating solution with which the pseudo whisker is prevented from being generated and accordingly, no short-circuit is caused even when the line width and spacing of the wiring are very narrow and which has a long life as a plating solution when the solution is used for the tin plating at the time of mounting an IC on a printed circuit board, TAB tape, etc. CONSTITUTION:This tin plating solution contains as the essential components an alkanesulfonic acid, tin borofluoride, hypophosphorous acid, thiourea and polyoxyethylene or its derivative, or further, in addition to these essential components, phenolsulfonic acid.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はICの実装に際し、疑似
ウィスカーの発生しない無電解めっき液に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroless plating solution which does not generate pseudo whiskers when mounting an IC.

【0002】[0002]

【従来の技術およびその問題点】ICの集積密度の向
上、小型化、高性能化に伴って、これを実装するキャリ
アー、例えばTAB(Tape Automated Bonding)テープ
やプリント回路配線板の配線密度も極めて高いものが必
要になり、従ってその配線ライン幅やピッチ間隔も極め
て狭いものが必要になっている。一般に、ICを実装す
るには、ワイヤーボンディング法、フリップチップ法、
TABテープ法があるが、特にTABテープにおいて
は、ICのバンプとTABのインナーリードの接続やア
ウターリードの接続に錫めっきによる方法が採用されて
いる。錫めっきの場合、狭ピッチで最大の問題となるの
がウィスカーの発生であり、数ミクロンメートルの長さ
のウィスカーでさえ、回路ショートの危険性をはらんで
いる。
2. Description of the Related Art As the integration density of ICs is improved, miniaturized, and improved in performance, the carrier on which the ICs are mounted, for example, TAB (Tape Automated Bonding) tapes and printed circuit wiring boards also have extremely high wiring densities. A high one is required, and accordingly, a wiring line width and a pitch interval thereof are extremely narrow. Generally, to mount an IC, a wire bonding method, a flip chip method,
Although there is a TAB tape method, particularly in the TAB tape, a method using tin plating is used for connecting the IC bumps to the TAB inner leads and the outer leads. In the case of tin plating, whiskers are the biggest problem at a narrow pitch, and even a whisker having a length of several microns has a risk of short circuit.

【0003】錫めっきの代表的方法としては無電解錫め
っき法があり、置換型、還元型等多数の無電解錫めっき
法が提案されているが、ウィスカー防止の観点からは、
特にウィスカーの発生機構が解明されていなかったため
いずれも満足できるものがない状況である。
There is an electroless tin plating method as a typical tin plating method, and many electroless tin plating methods such as substitution type and reduction type have been proposed. From the viewpoint of preventing whiskers,
In particular, none of the conditions are satisfactory because the mechanism of whisker generation has not been clarified.

【0004】本発明者らは、上記したような錫めっき時
に問題となるウィスカーの発生を防止するための研究を
鋭意実施し、ウィスカーの発生過程を追及する中で、ウ
ィスカーには、めっき中に生成成長しめっき終了後は成
長しないものと、めっき後数日経過した後生成成長する
ものの2種類が存在することを突きとめた。このうち、
めっき中に生成し、成長するものを疑似ウィスカーと命
名し、数日後生成し、成長する従来から知られているも
のを真正ウィスカーと命名した。図1には真正ウィスカ
ー(7000倍)を、図2には疑似ウィスカー(200
00倍)の顕微鏡写真をそれぞれ示す。なお、真正ウィ
スカーはその結晶中に銅も含まれるが、疑似ウィスカー
は純粋な錫からなる。本発明者らは、それぞれのウィス
カーについてその防止策を研究したが、真正ウィスカー
に関しては、めっき直後高温でアニール処理を施すこと
によってその生成、成長を防止することが出来るため、
疑似ウィスカーが防止できれば、ウィスカー防止対策と
しては完成するものと考え、疑似ウィスカーの発生しな
い錫めっき液を提供することを目的として種々検討を重
ねた結果、本発明をなすに至ったものである。
The present inventors have diligently conducted research to prevent the formation of whiskers, which is a problem during tin plating as described above, and in pursuit of the whisker generation process, whiskers were formed during plating. It was found that there are two types, one that grows and grows and does not grow after the end of plating, and the other that grows and grows several days after plating. this house,
The one that was generated and grew during plating was named a pseudo-whisker, and the one that was known and that was generated and grew several days later was named a genuine whisker. Fig. 1 shows a genuine whisker (7000 times), and Fig. 2 shows a pseudo whisker (200 times).
00X) micrographs are shown. The true whiskers include copper in their crystals, but the pseudo whiskers are made of pure tin. The present inventors have studied the preventive measures for each whisker, but for the genuine whiskers, it is possible to prevent their generation and growth by annealing at high temperature immediately after plating.
Assuming that the pseudo whiskers can be prevented, it will be completed as a measure for preventing the whiskers. As a result of various studies for the purpose of providing a tin plating solution in which the pseudo whiskers are not generated, the present invention has been accomplished.

【0005】[0005]

【問題点を解決するための手段】本発明の錫めっき液
は、アルカンスルホン酸、ホウフッ化錫、次亜燐酸、チ
オ尿素及びポリオキシエチレン又はその誘導体を必須成
分とする。このめっき液において、さらにフェノールス
ルホン酸を含有させても良い。
The tin plating solution of the present invention contains alkanesulfonic acid, tin borofluoride, hypophosphorous acid, thiourea and polyoxyethylene or its derivatives as essential components. The plating solution may further contain phenolsulfonic acid.

【0006】疑似ウィスカーの観察から、めっき液を構
成する成分の中で疑似ウィスカーの発生に最も大きく関
与する組成成分は、有機化合物であることを見出した。
これらの有機化合物の代表的なものはフェノールスルホ
ン酸や界面活性剤であり、これに代わって疑似ウィスカ
ーの発生に最も影響が少なく、めっき液の特性を向上さ
せる有機化合物の選定を行なった。その結果、アルカン
スルホン酸及びポリエチレングリコール又はその誘導体
の組合せ、もしくはアルカンスルホン酸、フェノールス
ルホン酸及びポリエチレングリコール又はその誘導体の
組合せが最も疑似ウィスカーの発生が少なく、めっき被
膜特性も優れていることを見出した。
From the observation of pseudo-whiskers, it was found that the composition component most greatly involved in the generation of pseudo-whiskers among the components constituting the plating solution was an organic compound.
Typical of these organic compounds are phenol sulfonic acids and surfactants. Instead, we selected organic compounds that had the least effect on the generation of pseudo-whiskers and improved the characteristics of the plating solution. As a result, it was found that the combination of alkane sulfonic acid and polyethylene glycol or its derivative, or the combination of alkane sulfonic acid, phenol sulfonic acid and polyethylene glycol or its derivative has the least occurrence of pseudo-whiskers and has excellent plating film properties. It was

【0007】2価の錫源としては、ホウフッ化錫、硫酸
錫、塩化錫、有機酸錫等多数の錫塩が存在するが、その
中でめっき液が安定(2価の錫が酸化されて4価の錫と
なり、溶解度が小さいため白色沈殿を生じ、液中に懸濁
するが、これが最も少ない)しているのはホウフッ化錫
であった。銅は錫よりも貴であり、一般には置換反応は
起らない。これを可能にするのが錯化剤であり、チオ尿
素がよく知られている。またチオ尿素の再生剤としてフ
ェノールスルホン酸、2価の錫の酸化防止あるいは液の
安定剤として次亜燐酸塩、めっきむらの解消剤として界
面活性剤等が知られている。なお、錫源としてホウフッ
化錫の代わりにアルカンスルホン酸錫を用い、ホウフッ
化錫の代わりにホウフッ酸を用いても良い。
As the divalent tin source, there are many tin salts such as tin borofluoride, tin sulfate, tin chloride, and organic acid tin. Among them, the plating solution is stable (the divalent tin is oxidized. It became tetravalent tin, and because of its low solubility, white precipitates were formed and suspended in the liquid, but this was the least. It was tin borofluoride. Copper is more noble than tin and generally does not undergo a substitution reaction. Complexing agents make this possible, and thiourea is well known. Also known are phenolsulfonic acid as a regenerant of thiourea, antioxidation of divalent tin or a hypophosphite as a stabilizer of liquid, and a surfactant as a solution of uneven plating. As the tin source, tin alkane sulfonate may be used instead of tin borofluoride, and borofluoric acid may be used instead of tin borofluoride.

【0008】めっき液中の錫量は、メタル換算でめっき
液1リットル中10グラムから60グラムが適当であ
る。10グラム以下ではピンホールの多いめっき被膜と
なり、60グラム以上では、めっき被膜上に粒子状の錫
結晶が多数生成し、外観的にもめっきむらを生じる。チ
オ尿素は銅と反応してイオン化傾向を逆転させる。この
量が多すぎる(240グラム以上)と疑似ウィスカーの
発生が多くなり、少なすぎる(80グラム以下)とめっ
き速度が遅くなり、錫めっき表面に多数の結晶粒を生
じ、めっき表面の平滑性、均一性が無くなる。次亜燐酸
塩は錫イオンの酸化防止に必要であり、多いほど良い
が、溶解度に限界があり、60℃から70℃でのめっき
液中での溶解度は50グラムから60グラムである。疑
似ウィスカー発生防止の観点からは、有機化合物が存在
しないほうが良いが、めっき被膜の特性向上には必須で
あるので、前述のように有機化合物の中で最も疑似ウィ
スカーの発生が少ないのはアルカンスルホン酸とポリエ
チレングリコール又はその誘導体の組合せ、もしくはア
ルカンスルホン酸、フェノールスルホン酸及びポリエチ
レングリコール又はその誘導体の組合せであるが、アル
カンスルホン酸の量としては、多すぎる(240グラム
以上)場合はめっき液の浸透性が強くなりすぎて、レジ
ストや糊剤の層間にめっき液が侵入して製品の品質上の
問題を発生しやすくなり、少なすぎる(80グラム以
下)とめっき被膜の特性の劣化が認められる。アルカン
スルホン酸の例としては、メタンスルホン酸、エタンス
ルホン酸、プロパンスルホン酸、2−プロパンスルホン
酸、ブタンスルホン酸、2−ブタンスルホン酸、ペンタ
ンスルホン酸、クロルプロパンスルホン酸等が挙げられ
るが、中でもメタンスルホン酸が最も好ましい。
The appropriate amount of tin in the plating solution is 10 to 60 grams per liter of the plating solution in terms of metal. When the amount is 10 g or less, a plated film with many pinholes is formed, and when the amount is 60 g or more, a large number of particulate tin crystals are formed on the plated film, and uneven plating appears on the appearance. Thiourea reacts with copper to reverse its ionization tendency. If this amount is too large (240 g or more), the generation of pseudo whiskers will increase, and if it is too small (80 g or less), the plating rate will be slow, and many crystal grains will be generated on the tin-plated surface, and the smoothness of the plated surface, The uniformity is lost. Hypophosphite is necessary for preventing oxidation of tin ions, and the higher the amount, the better, but the solubility is limited, and the solubility in the plating solution at 60 ° C to 70 ° C is 50 to 60 g. From the viewpoint of preventing the generation of pseudo whiskers, it is better that no organic compound is present, but it is essential for improving the characteristics of the plating film. A combination of an acid and polyethylene glycol or its derivative, or a combination of alkane sulfonic acid, phenol sulfonic acid and polyethylene glycol or its derivative, but if the amount of alkane sulfonic acid is too much (240 g or more), the plating solution Permeability becomes too strong, and the plating solution penetrates between the layers of the resist and sizing agent, which tends to cause product quality problems. When the amount is too small (80 grams or less), deterioration of the characteristics of the plating film is observed. . Examples of alkane sulfonic acids include methane sulfonic acid, ethane sulfonic acid, propane sulfonic acid, 2-propane sulfonic acid, butane sulfonic acid, 2-butane sulfonic acid, pentane sulfonic acid, chloropropane sulfonic acid, and the like. Of these, methanesulfonic acid is most preferable.

【0009】上記アルカンスルホン酸の量に対応したポ
リエチレングリコール又はその誘導体の量は、少なすぎ
る(0.1グラム以下)とめっきむらやめっき面の部所
による結晶の大きさの差を生じ、光沢むらやめっき厚の
差を生じる。多すぎる(30グラム以上)と疑似ウィス
カーの発生が認められる。ポリエチレングリコールの分
子量は4000以下のものに疑似ウィスカーの発生を誘
起しない効果が認められ、分量が低いほど溶解性が良好
であるが、逆にめっき液の増粘効果が低く、分子量40
0程度が最適である。ポリエチレングリコールの誘導体
の例としては一般に界面活性剤として使用されているポ
リオキシエチレンレニルフェニルエーテルやポリオキシ
エチレンオクチルフェニルエーテル等を挙げることがで
きる。
If the amount of polyethylene glycol or its derivative corresponding to the amount of the alkanesulfonic acid is too small (less than 0.1 gram), uneven plating or a difference in crystal size depending on the part of the plated surface may occur, resulting in uneven gloss. Or a difference in plating thickness occurs. If too much (30 grams or more), generation of pseudo whiskers is recognized. Polyethylene glycol having a molecular weight of 4000 or less has the effect of not inducing the generation of pseudo-whiskers, and the lower the amount, the better the solubility, but on the contrary, the thickening effect of the plating solution is low and the molecular weight is 40%.
The optimum value is 0. Examples of the polyethylene glycol derivative include polyoxyethylene phenyl phenyl ether and polyoxyethylene octyl phenyl ether which are generally used as surfactants.

【0010】上述した本発明めっき液の組成成分の好適
な組合せを示せば、以下のようである。 めっき液 ホウフッ化錫(金属錫に換算して) 10〜60グラム 次亜燐酸ナトリウム 20〜50グラム チオ尿素 80〜240グラム アルカンスルホン酸 80〜240グラム ポリエチレングリコール又はその誘導体 0.1〜30グラム である。
The preferred combinations of the composition components of the plating solution of the present invention described above are as follows. Plating solution Tin borofluoride (converted to metallic tin) 10 to 60 grams Sodium hypophosphite 20 to 50 grams Thiourea 80 to 240 grams Alkane sulfonic acid 80 to 240 grams Polyethylene glycol or its derivative 0.1 to 30 grams is there.

【0011】[0011]

【実施例1】 めっき液Aとして ホウフッ化錫(メタル換算して) 35グラム/リットル チオ尿素 210グラム/リットル 次亜燐酸ナトリウム 40グラム/リットル メタンスルホン酸 160グラム/リットル ポリエチレングリコール又はその誘導体 からなる液のポリエチレングリコール又はその誘導体の
種類及び濃度を変化させてTABの銅パターン上に錫め
っきパターン上の疑似ウィスカーの発生状況、めっき面
の性状、レジストや糊面への浸透性、液寿命等につきテ
ストした。得られた結果を表1に示す。表1において、
No.1〜4はポリエチレングリコールとしてPEG#
400を用い、その濃度を変化させたもの、No.5〜
8はポリエチレングリコールの誘導体としてポリオキシ
エチレンノニルフェニールエーテルを用いメタンスルホ
ン酸の濃度を変化させたもの、No.9〜12はポリエ
チレングリコールの誘導体としてポリオキシエチレンオ
クチルフェニールエーテルを用いてその濃度を変化させ
ると共にメタンスルホン酸の濃度を変化させたものをそ
れぞれ示す。
Example 1 As plating solution A tin borofluoride (calculated as metal) 35 g / liter thiourea 210 g / liter sodium hypophosphite 40 g / liter methanesulfonic acid 160 g / liter polyethylene glycol or its derivative By changing the type and concentration of polyethylene glycol or its derivatives in the liquid, the occurrence of pseudo whiskers on the tin plating pattern on the copper pattern of TAB, the properties of the plating surface, the permeability to the resist or adhesive surface, the liquid life, etc. Tested The results obtained are shown in Table 1. In Table 1,
No. 1-4 are PEG # as polyethylene glycol
No. 400, the concentration of which was changed, 5-
No. 8 was obtained by using polyoxyethylene nonylphenyl ether as a derivative of polyethylene glycol and changing the concentration of methanesulfonic acid. Nos. 9 to 12 respectively show polyoxyethylene octylphenyl ether as a derivative of polyethylene glycol, the concentration of which was changed and the concentration of methanesulfonic acid was changed.

【0012】[0012]

【表1】 [Table 1]

【0013】表1よりメタンスルホン酸を70グラム/
リットルから80グラム/リットルの間の量以上を含む
液では、疑似ウィスカーは全く発生しないことがわか
る。また界面活性剤(ポリエチレングリコールを含む)
が極めて少ないとめっき面にむらができて、部所によっ
て光沢が異なることが分かる。しかし、界面活性剤が多
すぎると疑似ウィスカーが発生するが、界面活性剤の種
類によってその適量範囲が異なることを示している。ま
たウィスカーの発生はバラツキが大きく、温度、液の老
朽化度、組成成分のバラツキで異なり、統計処理をしな
いとその傾向は明確に把握できない。界面活性剤は単独
ではなく、混合して使用される場合も存在する。従っ
て、本発明では最大公約数を取って0.1グラム以上3
0グラム以下とした。なお、この液の最大の欠点は液が
極めて浸透しやすいことにあり、レジストや糊剤の選定
に際して特別の注意が必要になる。
From Table 1, 70 g of methanesulfonic acid /
It can be seen that the pseudo-whiskers do not occur at all in the liquid containing more than the amount between liter and 80 g / liter. Also a surfactant (including polyethylene glycol)
It can be seen that when the amount is extremely small, the plated surface becomes uneven and the gloss differs depending on the part. However, when the amount of the surfactant is too large, pseudo whiskers are generated, but it is shown that the appropriate amount range varies depending on the type of the surfactant. In addition, the occurrence of whiskers varies greatly, and varies depending on the temperature, the degree of deterioration of the liquid, and the variation of composition components, and the tendency cannot be clearly understood without statistical processing. There are cases where the surfactants are used alone, not as a mixture. Therefore, in the present invention, taking the greatest common divisor, 0.1 g or more 3
It was set to 0 gram or less. The biggest drawback of this liquid is that the liquid easily penetrates, and special care is required when selecting a resist or a sizing agent.

【0014】[0014]

【実施例2】次に、メタンスルホン酸とフェニールスル
ホン酸を併用しためっき液を使用した例を示す。 めっき液B ホウフッ化錫(メタル換算) 40グラム/リットル チオ尿素 210グラム/リットル 次亜燐酸ナトリウム 40グラム/リットル PEG#400 25グラム/リットル メタンスルホン酸 80グラム/リットル フェノールスルホン酸 80〜240グラム/リットル この液でめっきした結果を表2に示す。
Example 2 Next, an example using a plating solution in which methanesulfonic acid and phenylsulfonic acid are used in combination is shown. Plating solution B Tin borofluoride (metal conversion) 40 g / l Thiourea 210 g / l Sodium hypophosphite 40 g / l PEG # 400 25 g / l Methanesulfonic acid 80 g / l Phenolsulfonic acid 80-240 g / 1 The results of plating with this solution are shown in Table 2.

【0015】[0015]

【表2】 [Table 2]

【0016】表3より、メタンスルホン酸とフェノール
スルホン酸の併用においては、メタンスルホン酸の浸透
性が抑えられ、調和のとれためっき液となることが示さ
れた。フェノールスルホン酸が多すぎると(240グラ
ム/リットル以上)疑似ウィスカーの発生が認められ
る。
From Table 3, it is shown that the combined use of methanesulfonic acid and phenolsulfonic acid suppresses the permeability of methanesulfonic acid and results in a harmonious plating solution. If the amount of phenolsulfonic acid is too much (240 g / l or more), generation of pseudo whiskers is recognized.

【0017】[0017]

【比較例】次に、アルカンスルホン酸を使用しないめっ
き液を使用した比較例を示す。 めっき液C ホウフッ化錫(メタル換算して) 35グラム/リットル チオ尿素 210グラム/リットル 次亜燐酸ナトリウム 40グラム/リットル フェノールスルホン酸 210グラム/リットル ポリエチレングリコール#400 15ミリリットル/リットル
Comparative Example Next, a comparative example using a plating solution that does not use alkanesulfonic acid will be shown. Plating solution C Tin borofluoride (converted to metal) 35 g / l Thiourea 210 g / l Sodium hypophosphite 40 g / l Phenolsulfonic acid 210 g / l Polyethylene glycol # 400 15 ml / l

【0018】得られた結果を表3に示す。この液では最
大長10ミクロンメートル以上の疑似ウィスカーが時々
発生し、5ミクロンメートル以上のウィスカーの発生は
防止出来ないものであった。
The results obtained are shown in Table 3. With this liquid, pseudo-whiskers with a maximum length of 10 μm or more occasionally occurred, and generation of whiskers with a maximum length of 5 μm or more could not be prevented.

【0019】[0019]

【表3】 [Table 3]

【0020】[0020]

【発明の効果】以上のような本発明によれば、プリント
回路配線板、TABテープ等のIC実装時における錫め
っきに使用する場合、極めて狭い配線ライン幅やピッチ
間隔を有する場合も疑似ウィスカーの発生が防止できる
ことから、回路のショートを起さず、液寿命の長い無電
解めっき液が得られる。
As described above, according to the present invention, when used for tin plating during IC mounting of a printed circuit wiring board, a TAB tape or the like, even if the wiring has an extremely narrow wiring line width or pitch interval, the pseudo whisker can be used. Since it can be prevented from being generated, an electroless plating solution that has a long life and does not cause a short circuit can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】真正ウィスカーを7000倍にして示す顕微鏡
写真。
FIG. 1 is a micrograph showing a genuine whisker at a magnification of 7,000.

【図2】疑似ウィスカーを20000倍にして示す顕微
鏡写真。
FIG. 2 is a micrograph showing a pseudo whisker at a magnification of 20,000.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アルカンスルホン酸、ホウフッ化錫、次
亜燐酸、チオ尿素及びポリエチレングリコール又はその
誘導体を必須成分とする無電解めっき液。
1. An electroless plating solution containing alkanesulfonic acid, tin borofluoride, hypophosphorous acid, thiourea and polyethylene glycol or a derivative thereof as essential components.
【請求項2】 アルカンスルホン酸、ホウフッ化錫、次
亜燐酸、チオ尿素、フェノールスルホン酸及びポリエチ
レングリコール又はその誘導体を必須成分とする無電解
めっき液。
2. An electroless plating solution containing alkane sulfonic acid, tin borofluoride, hypophosphorous acid, thiourea, phenol sulfonic acid and polyethylene glycol or a derivative thereof as essential components.
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