KR20130029358A - Method of removing impurities from plating liquid - Google Patents

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요시유키 하키리
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Abstract

PURPOSE: A method of removing impurities from plating liquid is provided to enable to reduce impurities at low concentration without a special device for removing the impurities from electroless tin plating liquid. CONSTITUTION: A method of removing impurities from plating liquid comprises; a step for forming precipitate of impurities by adding aromatic organic sulfonic acid, a hydrate thereof, and a salt thereof and cooling the same; and a step for removing the precipitate form the electroless tin plating liquid.

Description

도금액으로부터 불순물의 제거방법{METHOD OF REMOVING IMPURITIES FROM PLATING LIQUID}METHOD OF REMOVING IMPURITIES FROM PLATING LIQUID}

본 발명은 주석 도금액으로부터 불순물을 제거하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 불순물의 침전을 형성하고, 특수 장치의 사용없이 주석 도금 용액으로부터 불순물을 제거함으로써 주석 도금 용액으로부터 불순물을 제거하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for removing impurities from a tin plating liquid. More specifically, the present invention relates to a method for removing impurities from a tin plating solution by forming a precipitate of impurities and removing impurities from the tin plating solution without using a special apparatus.

최근들어, 기계 부품, 가요성 기판, 및 전자 부품용 인쇄배선판 및 회로 패턴 등을 도금하는데 무전해 주석 도금이 널리 사용되고 있다. 이들 물품의 무전해 주석 도금은 보통 구리 또는 구리 합금상에 주석 치환 도금으로서 수행되곤 한다. 구리 또는 구리 합금상에 주석 치환 도금이 수행되면, 치환된 구리가 구리 이온으로 되어 도금액에 용해되고, 도금이 진행됨에 따라 구리 이온이 축적된다. 이렇게 축적된 구리 이온은 허용가능하지 않은 도금막을 형성하고, 조의 성능을 떨어뜨임으로써 조는 새것으로 교체되어야 한다.In recent years, electroless tin plating has been widely used for plating mechanical components, flexible substrates, printed wiring boards and circuit patterns for electronic components. Electroless tin plating of these articles is often performed as tin substitution plating on copper or copper alloys. When tin-substituted plating is performed on copper or a copper alloy, the substituted copper becomes copper ions to be dissolved in the plating solution, and copper ions accumulate as the plating proceeds. The copper ions thus accumulated form an unacceptable plated film and the bath must be replaced with a new one by degrading the bath's performance.

도금액을 처리하는 방법으로 배치(batch) 방법 및 유량증감(feed-and-bleed) 방법이 알려져 있다. 배치 방법은 조가 노후되면 새로운 도금조로 새로이 교체시키는 방법이다; 무전해 주석 도금조에서는 구리 농도가 상승하고, 조의 성능이 떨어질 때마다 조가 새로 교체되어야 한다. 이는 조의 제작 작업수 증가, 생산성 저하 및 폐조 처리에 드는 비용 증가와 같은 문제가 있다. 또한, 유량증감 방법은 도금액이 넘쳐 흐르면서 도금이 진행되는 방법이다. 도금 작업의 중단없이 시스템으로부터 구리가 제거될 수 있으나, 다량의 도금액이 보충되어야 하고, 이는 비용을 가중시킨다.As a method of treating a plating liquid, a batch method and a feed-and-bleed method are known. The placement method is to replace the bath with a new plating bath when the bath is old; In electroless tin plating baths, the baths must be replaced each time the copper concentration rises and the bath deteriorates. This causes problems such as an increase in the number of manufacturing operations of the bath, a decrease in productivity, and an increase in the cost of treating the waste tank. In addition, the flow rate increase and decrease method is a method in which plating proceeds while the plating liquid overflows. Copper can be removed from the system without interrupting the plating operation, but a large amount of plating liquid must be replenished, which adds cost.

이와 같은 문제점들을 해결하기 위해서 다양한 방법이 제안되었다. 예를 들어, 일본 미심사 특허출원 제5-222540호에서는, 도금액의 일부를 취해 조내 구리-티오우레아 복합물을 냉각 침전시키고, 여과로 구리-티오우레아 복합물을 제거한 후, 여액을 도금 탱크로 돌려 보낸다. 다른 방법이 일본 미심사 특허출원 제2002-317275호에 기술되었는데, 여기에서는 제5-222540호와 동일한 작업이 수행되었다; 도금액을 40 ℃ 이하로 냉각하여 구리-티오우레아 복합물을 침전시키고, 여과하여 제거한다.Various methods have been proposed to solve these problems. For example, in Japanese Unexamined Patent Application No. 5-222540, a part of the plating liquid is taken, and the copper-thiourea complex is cooled and precipitated in the tank, the copper-thiourea complex is removed by filtration, and the filtrate is returned to the plating tank. . Another method is described in Japanese Unexamined Patent Application No. 2002-317275, where the same operation as in No. 5-222540 was performed; The plating solution is cooled to 40 ° C. or lower to precipitate the copper-thiourea composite, which is filtered off.

또 다른 방법이 일본 미심사 특허출원 제10-317154호에 기술되었으며, 여기에서는 재생셀에 애노드, 캐소드 및 양이온/음이온 교환막을 제공하였다. 재생셀에서 구리는 애노드상에 전착되고, 양이온 교환막을 통과한 주석 이온이 전기분해후 도금액에 첨가되어 도금 탱크로 복귀된다. 그밖에, 구리-티오우레아 복합물을 산화시켜 분해한 방법이 일본 미심사 특허출원 제4-276082호에 기술되었다.Another method is described in Japanese Unexamined Patent Application No. 10-317154, in which an anode, a cathode and a cation / anion exchange membrane were provided in a regeneration cell. In the regeneration cell, copper is electrodeposited on the anode, and tin ions passing through the cation exchange membrane are added to the plating solution after electrolysis and returned to the plating tank. In addition, a method of oxidizing and decomposing a copper-thiourea composite is described in Japanese Unexamined Patent Application No. 4-276082.

그러나, 본 발명자가 연구한 바에 따르면, 5-222540호 및 2002-317275호의 방법에 따른 구리 제거는 불충분한 것으로 판명되었다. 따라서, 구리를 제거하여 농도를 저하시키는 방법이 필요하다. 10-317154호의 방법은 전기분해 셀의 재생을 필요로 하고, 장치가 복잡하다. 또한, 4-276082호에 기술된 방법은 구리-티오우레아 복합물을 산화 및 분해시키기 위한 시약 및 장치를 필요로 한다. 따라서, 주석 도금액으로부터 불순물을 제거하는 개량방법이 여전히 필요하다.However, according to the study by the present inventors, the copper removal according to the methods of 5-222540 and 2002-317275 turned out to be insufficient. Therefore, there is a need for a method of removing copper to lower the concentration. The method of 10-317154 requires regeneration of the electrolysis cell and the apparatus is complex. In addition, the method described in 4-276082 requires reagents and apparatus for oxidizing and degrading copper-thiourea complexes. Therefore, there is still a need for an improved method for removing impurities from tin plating solutions.

발명의 요약Summary of the Invention

비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 포함하는 무전해 주석 도금액에 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 첨가하고, 냉각하여 불순물의 침전을 형성한 후; 무전해 주석 도금액으로부터 불순물의 침전을 제거하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.Adding an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to an electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound, and cooling to form a precipitate of impurities; A method is provided that includes removing precipitation of impurities from an electroless tin plating solution.

상기 방법으로 무전해 주석 도금액에서 불순물을 제거하기 위한 특수 장치를 필요로 하지 않으면서 주석 도금액에서 불순물을 제거하거나, 통상의 방법보다 낮은 농도로 불순물을 감소시키는 것이 가능하다.In this way it is possible to remove impurities from the tin plating liquid or to reduce impurities to a lower concentration than conventional methods without requiring a special device for removing impurities from the electroless tin plating liquid.

본 발명자들은 이러한 문제를 해결하기 위해 부단히 연구한 결과, 비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 무전해 주석 도금액에 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 첨가하고, 냉각하여 침전을 형성함으로써 무전해 주석 도금액중에 불순물의 농도를 통상의 방법보다 낮은 농도로 감소시킬 수 있음을 발견하였다.The present inventors have steadily studied to solve this problem, and found that by adding an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to an electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or a thiourea compound, and cooling to form a precipitate It has been found that the concentration of impurities in the electroless tin plating solution can be reduced to lower concentrations than conventional methods.

본 발명의 일 측면으로, 방법은 비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 무전해 주석 도금액에 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 첨가하고, 냉각하여 침전을 형성함으로써 무전해 주석 도금액으로부터 불순물을 제거하는 것을 포함한다.In one aspect of the present invention, the process is performed by adding an additive containing aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to an electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound, and cooling to form a precipitate by Removing impurities from the tin plating solution.

본 발명의 다른 측면으로, 방법은 상기 언급된 무전해 주석 도금액을 사용하여 구리 또는 구리 합금상에 무전해 주석 도금을 수행한 후, 비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 무전해 주석 도금액에 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 첨가하고, 냉각에 의해 형성된 침전을 제거함으로써 무전해 주석 도금액을 재생하는 것을 포함한다.In another aspect of the invention, the process comprises electroless tin plating on copper or a copper alloy using the electroless tin plating solution mentioned above, followed by electroless containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound. Adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to the tin plating liquid and regenerating the electroless tin plating liquid by removing the precipitate formed by cooling.

본 발명의 또 다른 측면으로, 방법은 비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 무전해 주석 도금액을 사용하여 무전해 주석 도금막을 형성하는 것을 포함한다; 상기 언급된 무전해 주석 도금이 수행되는 도금 탱크로부터 도금액의 일부 또는 전부가 고체/액체 분리 장치에 의해 상기 언급된 도금 탱크에 재순환되고, 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제가 상기 언급된 도금액에 첨가되며, 냉각으로 형성된 침전이 상기 언급된 고체/액체 분리 장치로 포획 및 제거된다.In another aspect of the invention, the method includes forming an electroless tin plated film using an electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound; From the plating tank in which the above-mentioned electroless tin plating is performed, part or all of the plating liquid is recycled to the above-mentioned plating tank by a solid / liquid separation device, and an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof is mentioned. The precipitate, which is added to the plating liquid and formed by cooling, is captured and removed by the solid / liquid separation device mentioned above.

본 발명의 또 다른 측면으로, 방법은 무전해 주석 도금이 수행되는 주요 탱크, 침전이 형성되는 침전 탱크, 무전해 주석 도금액이 순환될 수 있도록 주요 탱크와 침전 탱크를 연결하는 순환 파이프, 및 침전 탱크와 주요 탱크 사이에 설치된 고체/액체 분리 장치가 구비되어 있고 또한, 비이온성 계면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 주석 도금액을 사용하는 다수의 탱크 도금 장치를 사용하여 도금될 물품상에 무전해 주석 도금을 수행하는 것을 포함한다; 이 방법은 (A) 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 침전 탱크내 주석 도금액에 첨가하는 단계, (B) 주석 도금액을 냉각하는 단계 및 (C) 냉각으로 형성된 침전을 고체/액체 분리 장치를 사용하여 포획하는 단계를 포함하며; 상기 단계들은 (A), (B), (C) 또는 (B), (A), (C) 순으로 수행된다.In another aspect of the invention, the method comprises a main tank in which electroless tin plating is performed, a settling tank in which precipitation is formed, a circulation pipe connecting the main tank and the settling tank so that the electroless tin plating solution can be circulated, and a settling tank A solid / liquid separation device installed between the main tank and the main tank, and is electrolessly mounted on the article to be plated using a number of tank plating devices using a nonionic surfactant and a tin plating solution containing a thiourea or thiourea compound. Performing tin plating; The process comprises solid / liquid separation of (A) adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or salt thereof to the tin plating liquid in the precipitation tank, (B) cooling the tin plating liquid and (C) the precipitation formed by cooling. Capturing using the device; The steps are carried out in the order (A), (B), (C) or (B), (A), (C).

본 발명의 그밖의 다른 측면으로, 방법은 도금액을 저장하고 무전해 주석 도금이 수행되는 도금 탱크, 도금액의 일부 또는 전부가 재순환될 수 있는 방식으로 도금 탱크에 연결된 재순환 파이프, 도금액의 재순환 경로에 배치되어 있는 고체/액체 분리 장치, 및 도금 탱크내에 도금액을 냉각 또는 가열하는 온도 조절 장치를 구비하고 있고 비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 주석 도금액을 이용하는 단일 탱크 도금 장치를 사용하여 도금될 물품상에 무전해 주석 도금을 수행하는 것을 포함한다; 이 방법은 도금될 물품을 도금 탱크내에 도금액에 침지시키는 단계, 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 도금액에 첨가하고 냉각으로 침전을 형성하는 단계, 및 형성된 침전을 상기 언급된 고체/액체 분리 장치를 사용하여 도금액으로부터 제거하는 단계를 포함한다.In another aspect of the present invention, the method comprises a plating tank in which a plating liquid is stored and electroless tin plating is performed, a recycling pipe connected to the plating tank in a manner in which part or all of the plating liquid can be recycled, a recycling path of the plating liquid. Using a single tank plating device having a solid / liquid separation device, and a temperature control device for cooling or heating the plating liquid in the plating tank, and using a tin plating liquid containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound. Performing electroless tin plating on the article to be plated; This method comprises the steps of immersing an article to be plated in a plating liquid in a plating liquid, adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to the plating liquid and forming a precipitate by cooling, and forming the precipitate formed by the solid / liquid mentioned above. Removing from the plating liquid using a separation device.

본 발명의 추가의 측면으로, 방법은 비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하고 구리 또는 구리 합금의 무전해 주석 도금에 사용되는 무전해 주석 도금액을 처리하는 것을 포함한다; 도금액의 처리방법에서, 상기 언급된 도금액중의 구리 이온 농도는 도금액에 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 첨가하고, 냉각하여 침전을 형성함으로써 감소된다.In a further aspect of the invention, the method comprises treating an electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound and used for electroless tin plating of copper or copper alloys; In the treatment method of the plating liquid, the copper ion concentration in the above-mentioned plating liquid is reduced by adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to the plating liquid, and cooling to form a precipitate.

본 발명의 방법은 무전해 주석 도금액에서 불순물을 제거하기 위한 특수 장치의 사용없이 주석 도금액중의 불순물을 통상의 방법보다 낮은 농도로 감소시킬 수 있다. 또한, 불순물을 제거함으로써, 도금액은 장시간 사용될 수 있고, 도금액 폐기 및 새로운 조의 제조 횟수가 크게 감소된다. 따라서, 공업적 생산성에 크게 기여한다.The method of the present invention can reduce the impurities in the tin plating liquid to a lower concentration than the conventional method without using a special apparatus for removing impurities from the electroless tin plating liquid. In addition, by removing impurities, the plating liquid can be used for a long time, and the number of times of discarding the plating liquid and manufacturing a new bath is greatly reduced. Therefore, it greatly contributes to industrial productivity.

발명의 상세한 설명DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

명세서 및 청구범위에서, ℃는 섭씨도를 의미한다; g는 그램을 의미한다; L은 리터를 의미한다; ml은 밀리리터를 의미한다; dm은 데시미터를 의미한다; ㎛은 미크론 또는 마이크로미터를 의미한다. 달리 언급이 없으면, 모든 양은 중량%이다. 명세서 및 청구범위에서 "도금 용액", "도금액" 및 "도금조"는 동일한 의미를 지니며, 상호혼용하여 사용된다. 또한, 명세서 및 청구범위에서 용어 "주석 도금액"은 "주석 도금액" 만을 의미하는 것은 아니며; 또한 주석 합금 도금액"도 포함한다. 마찬가지로, 용어 "무전해 주석 도금액"은 "무전해 주석 도금액"만을 의미하는 것은 아니며; 또한 "무전해 주석 합금 도금액"도 포함한다.In the specification and claims, ° C means degrees Celsius; g means gram; L means liter; ml means milliliters; dm stands for decimeter; Μm means micron or micrometer. Unless otherwise stated, all amounts are in weight percent. In the specification and claims, "plating solution", "plating solution" and "plating bath" have the same meaning and are used interchangeably. In addition, in the specification and claims, the term “tin plating liquid” does not mean only “tin plating liquid”; It also includes tin alloy plating liquid. Likewise, the term "electroless tin plating liquid" does not only mean "electroless tin plating liquid", but also includes "electroless tin alloy plating liquid".

본 발명에서, 관련 도금액은 주석 도금액이다; 무전해 주석 도금액이 특히 바람직하며, 구리 또는 구리 합금상의 주석 치환 도금(또는 주석 합금 치환 도금)이 수행될 수 있는 주석 도금액이 더욱 바람직하다. 이때, 상기 언급된 바와 같이, 용어 "주석 도금액" 및 "무전해 주석 도금액"은 또한 주석 외에 다른 금속 성분을 함유하는 것도 포함한다. 상기 언급된 주석 도금액은 수용성 주석 염 또는 수용성 주석 염 및 기타 금속 염, 비이온성 계면활성제, 및 복합화제로서 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유한다.In the present invention, the related plating liquid is a tin plating liquid; Electroless tin plating solutions are particularly preferred, and tin plating solutions in which tin substitution plating (or tin alloy substitution plating) on copper or copper alloy can be performed are more preferred. At this time, as mentioned above, the terms "tin plating liquid" and "electroless tin plating liquid" also include those containing other metal components in addition to tin. The tin plating liquids mentioned above contain thiourea or thiourea compounds as water soluble tin salts or water soluble tin salts and other metal salts, nonionic surfactants, and complexing agents.

주석 도금액에 사용되는 수용성 주석 염은 도금액이 만들어지는 경우 물에 용해되는 것이기만 하면 어떤 타입도 가능하다. 예를 들어, 황산주석, 염화제일주석, 붕불석, 주석 알칸 설포네이트 및 주석 알칸올 설포네이트 등이 사용될 수 있다.The water soluble tin salt used in the tin plating solution can be of any type as long as it is soluble in water when the plating solution is made. For example, tin sulfate, stannous chloride, borosilicate, tin alkane sulfonate, tin alkanol sulfonate, and the like can be used.

또한, 수용성 주석 염과 함께 사용될 수 있는 기타 금속염의 예로는 납, 구리, 은, 비스무스 또는 코발트 등의 염을 들 수 있다. 이들의 특정 예로는 염화납, 아세트산납, 납 알칸 설포네이트, 염화구리, 질산은, 염화비스무스 및 황산코발트 등이 포함된다.In addition, examples of other metal salts that can be used with the water-soluble tin salts include salts such as lead, copper, silver, bismuth or cobalt. Specific examples thereof include lead chloride, lead acetate, lead alkane sulfonate, copper chloride, silver nitrate, bismuth chloride, cobalt sulfate, and the like.

도금액내 주석 및 주석 외의 금속 성분의 총량은 보통 금속 이온으로서 10 내지 100 g/L, 바람직하게는 30 내지 50 g/L의 범위로 존재한다.The total amount of tin and non-tin metal components in the plating solution is usually present as metal ions in the range of 10 to 100 g / L, preferably 30 to 50 g / L.

주석 또는 주석 외의 다른 금속 성분을 용해시키기 위해 산이 주석 도금액에 첨가될 수 있다. 사용될 수 있는 산으로는 황산, 염산, 알칸 설폰산, 알칸올 설폰산 및 방향족 설폰산 등을 예로 들 수 있다. 이들 산은 개별적으로 사용되거나, 2 이상 병용 사용될 수 있다. 도금액에 첨가되는 산의 총량은 보통 1 내지 300 g/L, 바람직하게는 50 내지 100 g/L의 범위이다.Acids may be added to the tin plating solution to dissolve tin or other metal components other than tin. Acids which may be used include sulfuric acid, hydrochloric acid, alkanesulfonic acid, alkanol sulfonic acid, aromatic sulfonic acid and the like. These acids may be used individually or in combination of two or more. The total amount of acid added to the plating liquid is usually in the range of 1 to 300 g / L, preferably 50 to 100 g / L.

본 발명에 사용되는 주석 도금액은 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 포함한다. 이들은 구리와 같은 용해된 금속의 복합화제로 작용할 수 있다. 전기화학적 관점에서, 티오우레아 또는 티오우레아 화합물은 산업계에서 구리 또는 구리 합금상에 주석의 치환 도금을 가능케 하는 성분의 일원으로 익히 알려졌으나, 표준 전극 전위에 대해 이론적으로 가능하지는 않다. 사용된 티오우레아는 통상적으로 수득할 수 있는 티오우레아일 수 있다. 시판 티오우레아도 사용될 수 있다.The tin plating liquid used in the present invention includes a thiourea or a thiourea compound. They can act as complexing agents of dissolved metals such as copper. From an electrochemical point of view, thiourea or thiourea compounds are well known in the industry as members of components that allow substitutional plating of tin on copper or copper alloys, but are not theoretically possible for standard electrode potentials. The thiourea used may be thiourea, which is usually obtainable. Commercial thioureas can also be used.

티오우레아 화합물은 티오우레아 유도체, 예를 들어 1-메틸티오우레아,1,3-디메틸-2-티오우레아, 트리메틸티오우레아, 디에틸티오우레아, N,N-디이소프로필티오우레아, 1(3-하이드록시프로필)-2-티오우레아, 1-메틸-3-(3-하이드록시프로필)-2-티오우레아, 1-메틸-3-(3-메톡시프로필)-2-티오우레아, 1,3-비스(3-하이드록시프로필)-2-티오우레아, 알릴티오우레아, 1-아세틸-2-티오우레아, 1-페닐-3-(2-티아졸릴)티오우레아, 벤질 이소티오우레아, 하이드로클로라이드, 1-알릴-2-티오우레아, 1벤조일-2-티오우레아 등을 들 수 있다. 상기 언급된 티오우레아 또는 티오우레아 화합물은 개별적으로 사용되거나, 2 이상 병용 사용될 수 있다. 티오우레아 또는 티오우레아 화합물의 양은 보통 50 내지 250 g/L, 바람직하게는 100 내지 200 g/L 범위이다.Thiourea compounds include thiourea derivatives such as 1-methylthiourea, 1,3-dimethyl-2-thiourea, trimethylthiourea, diethylthiourea, N, N-diisopropylthiourea, 1 (3 -Hydroxypropyl) -2-thiourea, 1-methyl-3- (3-hydroxypropyl) -2-thiourea, 1-methyl-3- (3-methoxypropyl) -2-thiourea, 1 , 3-bis (3-hydroxypropyl) -2-thiourea, allylthiourea, 1-acetyl-2-thiourea, 1-phenyl-3- (2-thiazolyl) thiourea, benzyl isothiourea, Hydrochloride, 1-allyl-2-thiourea, 1benzoyl-2-thiourea and the like. The thiourea or thiourea compounds mentioned above may be used individually or in combination of two or more. The amount of thiourea or thiourea compound is usually in the range from 50 to 250 g / L, preferably from 100 to 200 g / L.

본 발명에 사용된 주석 도금액은 비이온성 계면활성제를 함유한다. 이들 비이온성 계면활성제의 예로는 옥틸페놀, 알킬아민, 알킬 에테르, 블록 폴리머, 나프틸 에테르 등, 비이온성 계면활성제를 들 수 있다. 그의 특정 예로는 폴리옥시에틸렌 옥틸 페놀, 폴리옥시에테르 [sic]β-나프틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬아민, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 세틸 에테르 등이 있다. 이중에서 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 페놀, 및 폴리옥시에틸렌 알킬아민이 특히 바람직하다.The tin plating liquid used in the present invention contains a nonionic surfactant. Examples of these nonionic surfactants include nonionic surfactants such as octylphenol, alkylamines, alkyl ethers, block polymers, naphthyl ethers, and the like. Specific examples thereof include polyoxyethylene octyl phenol, polyoxyether [ sic ] β-naphthyl ether, polyoxyethylene alkylamine, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene cetyl ether and the like. Especially preferred are polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene octyl phenols, and polyoxyethylene alkylamines.

1 또는 2 또는 그 이상의 이들 비이온성 계면활성제가 사용될 수 있다. 이들 비이온성 계면활성제의 사용량은 보통 1 내지 100 g/L, 바람직하게는 5 내지 50 g/L 범위이다.One or two or more of these nonionic surfactants may be used. The amount of these nonionic surfactants used is usually in the range of 1 to 100 g / L, preferably 5 to 50 g / L.

주석 도금액은 필요에 따라 상기 언급된 성분외에, 항산화제를 포함할 수 있다. 항산화제의 예로는 카테콜, 하이드로퀴논 및 차아인산 등을 들 수 있다.The tin plating liquid may contain an antioxidant, in addition to the above-mentioned components as necessary. Examples of antioxidants include catechol, hydroquinone and hypophosphorous acid.

치환 도금, 즉 무전해 주석 도금은 보통 도금조를 만들고, 온도를 50 내지 75 ℃의 범위로 조절한 후, 표면상에 구리 또는 구리 합금 같은 금속을 가지는 도금품을 도금액에 20 내지 300 초 침지시킴으로써 수행된다. 주석이 도금품 표면상의 구리 같은 금속을 치환하여 주석막으로 되고, 주석 이온 대신 도금품 상의 구리 같은 금속이 도금액에 용해된다. 따라서, 도금이 진행될 수록 도금액내에 주석이 감소된다. 또한, 티오우레아 또는 티오우레아 복합화제가 도금품상의 구리 또는 다른 금속과 복합물을 형성하고, 도금이 진행됨에 따라 티오우레아 또는 티오우레아 화합물이 감소되는 것으로 여겨진다. 그밖에, 산 및 다른 성분은 도금품을 끌어내면, 즉 집어내면 감소되고, 도금이 진행됨에 따라 또한 감소된다. 도금이 진행됨에 따라 도금액에서 감소되는 이들 성분은 적절한 방식으로 보충된다. 그러나, 도금이 진행됨에 따라 구리와 같은 용리 금속은 증가하여 조에 축적되고; 이에 따라 도금막의 질이 떨어지거나 조의 성능이 저하된다.Substituted plating, i.e. electroless tin plating, is usually performed by making a plating bath, adjusting the temperature in the range of 50 to 75 DEG C, and then immersing a plated product having a metal such as copper or a copper alloy on the surface for 20 to 300 seconds. Is performed. Tin substitutes a metal such as copper on the surface of the plated product to form a tin film, and metal such as copper on the plated product is dissolved in the plating solution instead of tin ions. Therefore, tin is reduced in the plating liquid as the plating proceeds. It is also believed that thiourea or thiourea complexing agents form complexes with copper or other metals on the plated product, and that the thiourea or thiourea compounds decrease as the plating proceeds. In addition, the acid and other components are reduced as the plated article is pulled out, i.e. picked up, and also decreases as the plating proceeds. As the plating proceeds, these components which are reduced in the plating liquid are replenished in an appropriate manner. However, as the plating proceeds, eluting metals such as copper increase and accumulate in the bath; As a result, the plating film is degraded or the performance of the bath is degraded.

본 발명은 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염[이하에 간단히 "방향족 유기 설폰산"으로 칭함]을 비이온성 계면활성제를 함유하는 주석 도금액에 첨가한 후, 냉각시켜 불순물인 구리와 같은 용리 금속을 함유하는 침전을 형성하여 도금액내 구리와 같은 용리 금속의 축적을 억제하는 것을 특징으로 한다. 도금액에 방향족 유기 설폰산을 첨가한 후 도금액을 냉각함으로써, 도금액에 용해된 구리 이온 복합물과 같은 용리 금속 복합물이 침전을 형성하여 도금액내 구리 이온과 같은 용리 금속 이온의 농도가 감소될 수 있다. 또한, "냉각하여 침전을 형성하는 것"은 방향족 설폰산을 함유하는 첨가제를 도금액에 첨가한 후 냉각으로 침전을 침전시키는 경우, 및 도금액을 침전이 침전되지 않는 범위에서 냉각시킨 후, 방향족 설폰산 첨가제를 첨가하고, 침전을 침전시키는 경우도 포함한다.The present invention adds an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof (hereinafter simply referred to as "aromatic organic sulfonic acid") to a tin plating liquid containing a nonionic surfactant, and then cooled to contain an eluting metal such as copper as an impurity. It is characterized by forming a precipitate to suppress the accumulation of an eluting metal such as copper in the plating liquid. By adding an aromatic organic sulfonic acid to the plating liquid and then cooling the plating liquid, an eluting metal complex such as a copper ion complex dissolved in the plating liquid may form a precipitate so that the concentration of eluting metal ions such as copper ions in the plating liquid may be reduced. In addition, "cooling to form a precipitate" refers to an aromatic sulfonic acid after adding an additive containing an aromatic sulfonic acid to the plating liquid and then precipitating the precipitate by cooling, and cooling the plating liquid in a range where precipitation does not precipitate. It also includes the case where an additive is added and precipitation is precipitated.

본 발명의 방법에 의해 침전이 형성된 후, 도금액중 구리와 같은 용리 금속의 농도는 선행기술의 방법에 따른 것보다 훨씬 낮다. 상세한 반응 메카니즘은 알려지지 않았으나, 도금액중에 용리된 금속 이온, 예컨대 구리 이온이 티오우레아 또는 티오우레아 화합물 복합물로 존재하고, 비이온성 계면활성제 및 방향족 유기 설폰산이 존재하는 경우 티오우레아 또는 티오우레아 화합물 복합물의 용해도가 저온에서 낮아져 침전이 형성되기 때문인 것으로 판단된다. 비이온성 계면활성제는 방향족 유기 설폰산과 함게 침전 형성에 일부 기여하는 것으로 여겨진다; 비이온성 계면활성제로서는 침전이 더욱 효율적으로 형성되도록 하기 위한 특정의 것이 선택될 수 있다.After precipitation is formed by the method of the present invention, the concentration of the eluting metal, such as copper, in the plating liquid is much lower than that according to the method of the prior art. The detailed reaction mechanism is unknown, but the solubility of the thiourea or thiourea compound complex when metal ions eluted, e. It is believed that this is because is lowered at low temperatures to form a precipitate. Nonionic surfactants are believed to contribute in part to the precipitation formation with aromatic organic sulfonic acids; As the nonionic surfactant, specific ones can be selected to allow the precipitate to be formed more efficiently.

상기 언급된 바와 같이, 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염이 본 발명의 주석 도금액에 첨가되는 첨가제중에 함유된다. 명세서 및 청구범위에서, 용어 "방향족 유기 설폰산"이란 방향족 유기 설폰산 및/또는 이들 첨가제를 가리킨다. 또한, 용어 "방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 포함한다"는 것은 방향족 유기 설폰산 또는 방향족 유기 설폰산의 염중 어느 하나를 포함하는 것일 뿐 아니라 둘 다를 포함하는 것을 가리킨다. 방향족 유기 설폰산의 예로서는 페놀설폰산, 벤젠설폰산, 톨루엔설폰산 및 나프탈렌설폰산뿐 아니라, 상기 언급된 방향족 유기 설폰산의 수화물 등을 들 수 있다. 또한, 방향족 유기 설폰산의 염은 임의의 원하는 염, 예를 들면 나트륨, 칼륨, 암모늄 등일 수 있다. 방향족 유기 설폰산 및 그의 염은 혼합물로서 사용될 수 있다.As mentioned above, aromatic organic sulfonic acids or salts thereof are contained in the additives added to the tin plating liquid of the present invention. In the specification and claims, the term "aromatic organic sulfonic acid" refers to aromatic organic sulfonic acids and / or these additives. In addition, the term "comprising aromatic organic sulfonic acids or salts thereof" refers to both aromatic organic sulfonic acids or salts of aromatic organic sulfonic acids, as well as to include both. Examples of the aromatic organic sulfonic acid include phenol sulfonic acid, benzene sulfonic acid, toluene sulfonic acid and naphthalene sulfonic acid, as well as hydrates of the aforementioned aromatic organic sulfonic acids. In addition, the salts of aromatic organic sulfonic acids can be any desired salts, such as sodium, potassium, ammonium, and the like. Aromatic organic sulfonic acids and salts thereof can be used as mixtures.

방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제는 또한 방향족 유기 설폰산 이외의 다른 성분들을 함유할 수 있다. 예를 들면, 도금이 진행되는 동안 소비되거나 감소되는 성분, 이를테면 비이온성 계면활성제, 티오우레아, 티오우레아 화합물, 및 산이 이들 첨가제중에 함유될 수 있으며, 이들 첨가제의 첨가로 상기 성분들이 도금액에 보충될 수 있다. 또한, 첨가제는 고체 또는 액체일 수 있다; 예를 들어, 첨가제는 방향족 유기 설폰산 및 다른 임의 성분들이 물에 용해되어 있는 수용액 상태일 수 있다. 첨가제를 수용액으로 만들게 되면, 첨가되는 방향족 유기 설폰산 및 다른 임의 성분들의 양의 제어가 용이해진다.Additives containing aromatic organic sulfonic acids or salts thereof may also contain components other than aromatic organic sulfonic acids. For example, components consumed or reduced during plating, such as nonionic surfactants, thioureas, thiourea compounds, and acids may be included in these additives, and the addition of these additives may cause the components to be replenished in the plating solution. Can be. In addition, the additive may be a solid or a liquid; For example, the additive may be in the form of an aqueous solution in which aromatic organic sulfonic acid and other optional components are dissolved in water. Making the additive an aqueous solution facilitates control of the amount of aromatic organic sulfonic acid and other optional components added.

첨가되는 첨가제의 양은 주석 도금액내 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염의 농도가 5 내지 200 g/L, 바람직하게는 20 내지 100 g/L, 특히 바람직하게는 50 내지 100 g/L 범위가 되도록 하는 양이다. 사용량이 작으면, 침전이 일어나지 않을 것이다. 충분한 침전을 얻기 위해서는, 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염이 20 g/L 또는 그 이상의 농도가 되는 양으로 사용되도록 하는 것이 바람직하다. 사용량이 너무 많으면 조의 성능이 저하될 것이다; 주석의 상태 악화, 침전 속도 저하 등이다.The amount of the additive added is such that the concentration of the aromatic organic sulfonic acid or salt thereof in the tin plating solution is in the range of 5 to 200 g / L, preferably 20 to 100 g / L, particularly preferably 50 to 100 g / L. . If the usage is small, no precipitation will occur. In order to obtain sufficient precipitation, it is preferable to allow the aromatic organic sulfonic acid or its salt to be used in an amount such that the concentration is 20 g / L or more. Too much usage will degrade Joe's performance; Deterioration of the state of tin, lowering of the precipitation rate, and the like.

첨가되는 첨가제의 양은 조내 구리 농도로 결정하는 것이 바람직하다. 1 g의 구리를 제거하기 위해서는, 1 내지 30 g의 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염, 바람직하게는 1 내지 20 g, 및 특히 바람직하게는 2 내지 10 g이 첨가된다. 사용량이 작으면, 침전이 일어나지 않을 것이다. 사용량이 너무 많고, 구리 제거후에 방향족 유기 설폰산이 조내에 남아 있으면, 조의 성능이 저하될 것이다; 주석의 상태 악화, 침전 속도 저하 등이다.The amount of additive added is preferably determined by the copper concentration in the bath. To remove 1 g of copper, 1 to 30 g of aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof, preferably 1 to 20 g, and particularly preferably 2 to 10 g, are added. If the usage is small, no precipitation will occur. If the amount used is too high and aromatic organic sulfonic acid remains in the bath after copper removal, the performance of the bath will be degraded; Deterioration of the state of tin, lowering of the precipitation rate, and the like.

본 발명의 제1 방법은 비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물를 함유하는 무전해 주석 도금액에 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 첨가하고, 냉각하여 침전을 형성하여 도금액으로부터 불순물을 제거하는 방법이다.In the first method of the present invention, an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof is added to an electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or a thiourea compound, and cooled to form a precipitate to remove impurities from the plating solution. How to remove.

이때, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제가 첨가되는 주석 도금액은 바람직하게는 주석 도금, 특히 무전해 주석 도금에 이미 사용되었던 것이다. 이는, 무전해 주석 도금의 경우, 무전해 주석 도금에 사용된 액체이면, 무전해 주석 도금 처리가 완료된 후의 도금액이거나, 또는 전해 주석 도금 처리가 중간 단계에서의 도금액일 수 있다. 불순물의 예는 도금품으로부터 용리된 구리 및 다른 금속, 예컨대 니켈, 아연, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐 등일 수 있다. 불순물은 특히 구리이다; 구리는 본 발명에 의해 도금액으로부터 효율적으로 제거될 수 있다. 상기 언급된 바와 같이, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제가 도금에 사용되고 구리 같은 용리 금속의 농도가 증가되는 도금액에 첨가되는 경우, 구리 같은 용리 금속을 함유하는 불용 물질은 냉각으로 침전된다. 이러한 용해되지 않은 성분을 제거하면 구리 같은 용리 금속이 도금액으로부터 제거될 수 있다. 용해되지 않은 성분을 제거하기 위해, 임의의 소정 방법, 예를 들면, 여과, 침강 분리 및 원심분리 등이 사용될 수 있다.At this time, the tin plating liquid to which the additive containing aromatic organic sulfonic acid is added is preferably one already used for tin plating, in particular electroless tin plating. In the case of electroless tin plating, this may be a plating liquid after the electroless tin plating treatment is completed, or a plating liquid in which the electrolytic tin plating treatment is an intermediate step, as long as it is a liquid used for electroless tin plating. Examples of impurities may be copper and other metals eluted from the plated article, such as nickel, zinc, chromium, molybdenum, tungsten and the like. The impurity is especially copper; Copper can be efficiently removed from the plating liquid by the present invention. As mentioned above, when an additive containing an aromatic organic sulfonic acid is added to the plating solution where plating is used and the concentration of the eluting metal such as copper is increased, insoluble matter containing the eluting metal such as copper is precipitated by cooling. Removing these undissolved components can remove the eluting metal, such as copper, from the plating liquid. In order to remove undissolved components, any desired method may be used, such as filtration, sedimentation and centrifugation.

본 발명의 제2 방법은 상기 언급된 무전해 주석 도금액을 사용하여 구리 또는 구리 합금 상에 무전해 주석 도금을 수행한 후, 비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 무전해 주석 도금액에 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 첨가하고, 냉각으로 형성된 침전을 제거하여 도금액을 재생하는 방법이다.The second method of the present invention is carried out by electroless tin plating on copper or copper alloy using the electroless tin plating solution mentioned above, followed by electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound. An additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof is added to the mixture, and the precipitate formed by cooling is removed to regenerate the plating solution.

상기 바와 같이, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제를 도금액에 첨가하여 침강된 침전을 제거하고 냉각하여, 불순물, 특히 구리 같은 용리된 금속을 도금액으로부터 제거할 수 있다. 침전을 제거한 후, 도금액은 재사용될 수 있으며; 소비 또는 감소된 다른 성분을 보충하여 도금액으로 계속 사용할 수 있다. 따라서, 경과된 도금액을 폐기할 필요가 없게 되고 산업 생산성을 향상시킬 수 있다. 소모되거나 감소된 성분은 보충될 성분들, 예를 들면 비이온성 계면활성제, 티오우레아, 티오우레아 화합물, 주석, 산 등을 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제에 추가하여 보충할 수 있다.As described above, an additive containing aromatic organic sulfonic acid can be added to the plating liquid to remove precipitated precipitate and cool to remove impurities, especially eluted metals such as copper, from the plating liquid. After removing the precipitate, the plating liquid can be reused; Other components that have been consumed or reduced can be supplemented to continue using the plating liquid. Therefore, it is not necessary to discard the passed plating liquid and the industrial productivity can be improved. The components consumed or reduced can be supplemented by adding components to be supplemented, such as nonionic surfactants, thioureas, thiourea compounds, tin, acids and the like to additives containing aromatic organic sulfonic acids.

본 발명의 제3 방법은 비이온성 계면활성제와 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 무전해 주석 도금액을 사용하고; 상기 무전해 주석 도금이 수행되는 도금조로부터 제거된 도금액의 일부 또는 전부를 고체/액체 분리 장치에 의해 상기 도금조에 재순환시키고 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 상기 도금액에 첨가하고 냉각으로 생성된 침전을 포획하여 고체/액체 분리 장치에 의해 제거하는, 무전해 주석 도금막을 형성하는 방법이다.The third method of the present invention uses an electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound; Part or all of the plating liquid removed from the plating bath in which the electroless tin plating is performed is recycled to the plating bath by a solid / liquid separation device, and an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof is added to the plating solution and cooled by It is a method of forming an electroless tin plating film which captures the produced precipitate and removes it by the solid / liquid separation device.

이 방법에서는 또한, 도금액을 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제를 첨가하고 침전이 나타나지 않는 범위의 온도로 냉각하거나, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제를 첨가한 후 침전물이 생성되는 온도로 냉각시킬 수 있다. 무전해 주석 도금 용액의 재순환은 바람직하게 도금 작업이 중지되었을 때 수행된다. 또한, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제는 도금 작업이 중지되었을 때 첨가할 수 있고, 도금액의 소비 또는 감소된 필요 성분은 침전을 제거한 후 도금 용액에 보충하고, 도금 용액을 도금에 적합한 온도로 가열한 후, 도금을 재개한다. 필요성분, 예를 들면 비이온성 계면활성제, 티오우레아, 티오우레아 화합물, 산 등을 첨가하고, 이들을 방향족 유기 설폰산과 함께 첨가제에 포함시켜서 상기 필요성분을 보충할 수 있다.In this method, the plating liquid can also be cooled to a temperature at which the additive containing aromatic organic sulfonic acid is added and the temperature does not appear, or to the temperature at which the precipitate is formed after the addition of the aromatic organic sulfonic acid is added. have. Recycling of the electroless tin plating solution is preferably performed when the plating operation is stopped. In addition, additives containing aromatic organic sulfonic acids can be added when the plating operation is stopped, and the consumption or reduced necessary components of the plating liquid are supplemented to the plating solution after removing the precipitate, and the plating solution is heated to a temperature suitable for plating. After that, plating is resumed. Necessary components such as nonionic surfactants, thioureas, thiourea compounds, acids and the like can be added and these can be included in the additive together with the aromatic organic sulfonic acid to supplement the necessary ingredients.

고체/액체 분리 장치는 도금액과 생성된 침전을 분리할 수 있는 어떤 것도 가능하며; 예를 들면, 필터, 침강분리, 원심분리 등을 사용하는 여과를 사용할 수 있다. 여기에서, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제의 첨가는 바람직하게 도금작용으로 인해 열화된 도금액, 즉 도금조의 성능이 도금하는 과정에서 저하된 도금액에 대해 수행하여 물품은 금속 이온, 예를 들면 구리, 니켈, 아연, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐 등의 이온의 용리로 도금된다. 상기 바와 같이 도금막은 일반적인 도금조를 구성하고 50 내지 75 ℃의 범위 내에서 온도를 조절한 후, 표면에 구리 또는 구리 합금 같은 금속을 가지는 도금될 물품을 20 내지 300 초동안 도금액에 침지하여 형성된다. 도금 공정에서, 구리 이온은 도금액으로 용리되고: 따라서 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제의 첨가, 도금액의 냉각, 도금액의 재순환 및 침전물의 포획과 제거를 필요한 순서로 필요한 시기에 수행할 수 있다.The solid / liquid separation device may be anything capable of separating the plating liquid and the resulting precipitate; For example, filtration using a filter, sedimentation, centrifugation, or the like can be used. Here, the addition of the additive containing aromatic organic sulfonic acid is preferably performed on the plating liquid deteriorated due to the plating action, that is, the plating liquid whose performance of the plating bath is degraded in the plating process, so that the article is made of metal ions such as copper, Plated by elution of ions such as nickel, zinc, chromium, molybdenum and tungsten. As described above, the plating film is formed by forming a general plating bath and controlling the temperature within a range of 50 to 75 ° C., and then immersing the article to be plated having a metal such as copper or a copper alloy on the surface in a plating solution for 20 to 300 seconds. . In the plating process, copper ions are eluted into the plating liquid: therefore, the addition of additives containing aromatic organic sulfonic acids, cooling of the plating liquid, recycling of the plating liquid, and capturing and removing precipitates can be carried out in the required order in the required order.

본 발명의 제4 방법은 무전해 주석 도금을 수행하는 주요 탱크, 침전물이 형성되는 침전 탱크, 주요 탱크와 침전 탱크를 연결하여 무전해 도금액이 재순환될 수 있게 하는 재순환 파이프, 및 침전 탱크와 주요 탱크 사이에 장치된 고체/액체 분리 장치를 가지고 비이온성 계면활성제와 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 주석 도금액을 사용하는, 다수의 탱크 도금장치를 사용하여 도금될 물품에 무전해 도금을 수행하는 방법이다; 이 방법은 (A) 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 침전탱크 내의 도금액에 첨가하고; (B) 도금액을 냉각하며; (C) 냉각으로 생성된 침전을 고체/액체 분리 장치를 사용하여 포획하는 단계를 포함하고, 이 단계들은 (A), (B), (C) 또는 (B), (A), (C) 순서로 수행된다.The fourth method of the present invention is a main tank for performing electroless tin plating, a settling tank in which a precipitate is formed, a recirculation pipe connecting the main tank and the settling tank so that the electroless plating solution can be recycled, and the settling tank and the main tank A method of performing electroless plating on an article to be plated using a plurality of tank plating apparatuses using a solid plating solution interposed therebetween and using a tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound. to be; This method comprises (A) adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to the plating liquid in the precipitation tank; (B) cool the plating liquid; (C) capturing the precipitate produced by cooling using a solid / liquid separation device, which steps (A), (B), (C) or (B), (A), (C) It is done in order.

본 발명의 제4 방법은, 무전해 도금이 수행되는 주요 탱크뿐만 아니라 침전을 형성하는 침전 탱크가 제공된 다수의 탱크 장치를 사용하는 것을 특징으로 한다. 적어도 2개의 탱크가 필요하지만, 또한 필요하다면 3개 이상의 탱크를 사용할 수 있다. 사용된 주요 탱크와 침전 탱크는 각각의 도금 처리와 침전 형성을 수행할 수 있는 한, 원하는 크기와 형태를 가질 수 있다. 온도조절장치는 바람직하게 주요 탱크와 침전 탱크에 장치되며; 가열은 우선적으로 주요 탱크에서 수행되고 냉각은 우선적으로 침전 탱크에서 수행된다. 주요 탱크와 침전 탱크는 무전해 도금액이 2개 탱크 사이에서 순환할 수 있도록 파이프로 연결된다. 파이프는 도금액이 순환될 수 있는 한, 어떠한 종류도 가능하다. 또한, 고체/액체 분리 장치는 도금액이 침전 탱크에서 주요 탱크로 흐르고 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제를 첨가하고 냉각하여 형성된 침전물을 분리할 수 있는 경로에 설치될 수 있다. 단계 (A)-(C)는 (A), (B), (C) 또는 (B), (A), (C)의 순서로 수행될 수 있다.The fourth method of the present invention is characterized by using a plurality of tank apparatuses provided with a settling tank which forms a precipitate as well as a main tank to which electroless plating is performed. At least two tanks are required, but three or more tanks can also be used if necessary. The main tank and the settling tank used may have the desired size and shape as long as the respective plating treatment and the precipitation formation can be carried out. The thermostat is preferably installed in the main tank and in the settling tank; Heating is preferentially carried out in the main tank and cooling is preferentially carried out in the settling tank. The main tank and the settling tank are piped to allow the electroless plating solution to circulate between the two tanks. The pipe may be of any kind as long as the plating liquid can be circulated. In addition, the solid / liquid separation apparatus may be installed in a path through which the plating liquid flows from the precipitation tank to the main tank and separates the precipitate formed by adding and cooling an additive containing aromatic organic sulfonic acid. Steps (A)-(C) may be performed in the order of (A), (B), (C) or (B), (A), (C).

이러한 순서 중 하나에서, 침전물은 침전 탱크에서 형성되지만, 도금작용은 주요 탱크에서 계속되며; 이것은 도금작용을 중지할 필요가 없다는 이점이 있다. 주요 탱크 내 도금액의 온도는 바람직하게 50-75 ℃이며, 도금 탱크의 도금액의 온도는 바람직하게 5-30 ℃의 범위이다. (A) 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 도금액에 첨가하고, (B) 도금액을 냉각하고, (C) 침전물을 고체/액체 분리 장치를 사용하여 포획하는 단계에서 제조된 침전물을 포획하는 방법은 상기 바와 같다.In one of these sequences, the precipitate is formed in the settling tank, but plating continues in the main tank; This has the advantage that there is no need to stop the plating operation. The temperature of the plating liquid in the main tank is preferably 50-75 ° C, and the temperature of the plating liquid of the plating tank is preferably in the range of 5-30 ° C. Capture the precipitate prepared in the step (A) adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or salt thereof to the plating liquid, (B) cooling the plating liquid and (C) capturing the precipitate using a solid / liquid separation device. The method is as described above.

본 발명의 제5 방법은, 도금액을 저장하고 무전해 주석 도금을 수행하는 도금 탱크, 도금액의 일부 또는 전체를 재순환시킬 수 있는 방법으로 도금 탱크에 연결된 재순환 파이프, 도금액의 재순환 경로에 장치된 고체/액체 분리 장치, 및 도금 탱크에서 도금액을 냉각하거나 가열하는 온도조절장치를 가지며, 또한 비이온성 계면활성제와 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 함유하는 주석 도금액을 사용하는, 단일 탱크 도금 장치를 사용하여 도금될 물품에 무전해 주석 도금을 수행하는 방법이며; 이 방법은 (A) 도금될 물품을 도금 탱크에서 도금액에 침지하고, (B) 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 도금액에 첨가하고 냉각하여 침전물을 생성하고, (C) 생성된 침전물을 상기 고체/액체 분리 장치를 사용하여 도금액에서 제거하는 단계를 포함한다.The fifth method of the present invention provides a plating tank for storing a plating liquid and performing electroless tin plating, a recycling pipe connected to the plating tank in a manner capable of recycling part or all of the plating liquid, and solids installed in a recycling path of the plating liquid. A liquid separation device, and a thermostat for cooling or heating the plating liquid in the plating tank, and also being plated using a single tank plating device, using a tin plating liquid containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound. A method of performing electroless tin plating on an article; This method involves (A) immersing the article to be plated in a plating solution in a plating tank, (B) adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to the plating solution and cooling to produce a precipitate, (C) the resulting precipitate Removing from the plating liquid using the solid / liquid separation device.

본 발명의 제5 방법은 단일 탱크 장치를 사용하는 것을 특징으로 하며, 여기에서 단일 탱크 도금장치는 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제를 무전해 도금이 수행되는 도금 탱크에 첨가하여 침전물을 형성하기 위해 사용된다. 사용된 도금 탱크는 도금 처리 및 침전 형성을 수행할 수 있다면 어떠한 크기 및 형태도 가능하다. 온도조절장치는 도금액을 원하는 온도로 조절할 수 있다면 어떠한 형태도 가능하다. 상기 바와 같이 순환 파이프 및 고체/액체 분리 장치를 원하는 형태로 사용할 수 있다.The fifth method of the present invention is characterized by using a single tank apparatus, wherein the single tank plating apparatus is used to form an precipitate by adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid to a plating tank in which electroless plating is performed. Used. The plating tank used can be of any size and shape as long as it can perform plating treatment and precipitation formation. The thermostat can be in any form as long as the plating liquid can be adjusted to the desired temperature. As described above, circulation pipes and solid / liquid separation devices can be used in the desired form.

단계 (A)에서, 도금될 물품은 도금 탱크의 도금 용액에 침지되고 치환 도금이 수행된다. 도금 탱크 내에서 도금액 온도는 바람직하게 50-75 ℃이다. 치환 도금이 도금 탱크에서 진행될 때, 도금되는 물품에서 용리된 구리 이온은 도금액에 축적된다. 단계 (B)에서, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제는 도금 탱크의 도금액에 첨가된다. 첨가방법은 상기 바와 같다. 또한, 단계 (B)에서, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제가 첨가된 도금 탱크 내의 도금액은 냉각된다. 냉각은 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제를 첨가하기 전후에 수행할 수 있다. 냉각 시 도금액의 온도는 바람직하게 상기 바와 같이 5-30 ℃의 범위이다. 도금 온도는 단계 (B) 동안 도금에 적합한 범위 이하이므로 도금작용은 중지될 것이다. 단계 (C)에서, 도금 탱크에서 생성된 침전물은 순환 파이프를 통해 고체/액체 분리 장치로 보내져서 도금액으로부터 분리되어 제거된다. 도금액의 재순환은 단계 (B)가 종료된 후 수행될 것이다.In step (A), the article to be plated is immersed in the plating solution of the plating tank and displacement plating is performed. The plating liquid temperature in the plating tank is preferably 50-75 ° C. As the substitution plating proceeds in the plating tank, the copper ions eluted from the article to be plated accumulate in the plating liquid. In step (B), an additive containing aromatic organic sulfonic acid is added to the plating liquid in the plating tank. The addition method is as above. Further, in step (B), the plating liquid in the plating tank to which the additive containing aromatic organic sulfonic acid is added is cooled. Cooling may be carried out before or after adding the additive containing the aromatic organic sulfonic acid. The temperature of the plating liquid upon cooling is preferably in the range of 5-30 ° C. as above. The plating operation will be stopped because the plating temperature is below the range suitable for plating during step (B). In step (C), the precipitate produced in the plating tank is sent to the solid / liquid separation device through the circulation pipe to be separated and removed from the plating liquid. Recycling of the plating liquid will be performed after step (B) is finished.

본 발명의 제6 방법은 비이온성 계면활성제와 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 포함하고 구리 또는 구리 합금의 무전해 주석 도금에 사용되는 무전해 주석 도금액의 매니징 방법이며; 도금액의 매니징 방법에서, 상기 도금액 중의 구리이온 농도는 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염을 함유하는 첨가제를 도금액에 첨가하고 냉각하여 침전물을 생산하여 감소된다.The sixth method of the present invention is a method for managing an electroless tin plating solution containing a nonionic surfactant and a thiourea or thiourea compound and used for electroless tin plating of copper or copper alloys; In the plating liquid management method, the copper ion concentration in the plating liquid is reduced by adding an additive containing an aromatic organic sulfonic acid or a salt thereof to the plating liquid and cooling to produce a precipitate.

상기 모든 타입의 도금 탱크에 있어서, 도금액 중의 구리 농도를 측정하고, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제를 구리 농도가 도금에 나쁜 영향을 미치는 상한선에 이르기 전의 적합한 시간에 도금액에 첨가한 다음, 방향족 유기 설폰산을 함유하는 첨가제가 첨가된 도금액을 냉각하고, 침전물을 생성하여 도금액 중의 구리이온 농도를 감소시키고 무전해 도금액을 최적 상태로 조절한다. 도금액 중 구리이온의 측정은 바람직한 방법으로 수행할 수 있으며, 예를 들면 구리이온 농도는 도금액의 일부를 샘플링하여 원자 흡수 또는 ICP에 의해 측정할 수 있다.
In all the above types of plating tanks, the copper concentration in the plating liquid is measured, and the additive containing aromatic organic sulfonic acid is added to the plating liquid at a suitable time before the copper concentration reaches an upper limit that adversely affects the plating, and then the aromatic organic The plating liquid to which the additive containing sulfonic acid is added is cooled, and a precipitate is formed to reduce the copper ion concentration in the plating liquid and to adjust the electroless plating liquid to an optimum state. The measurement of copper ions in the plating liquid can be carried out in a preferred manner, for example, the copper ion concentration can be measured by atomic absorption or ICP by sampling a portion of the plating liquid.

실시예: Example

실시예 1 - 5Examples 1-5

무전해 도금 용액은 다음 조성으로 제조되었다:Electroless plating solutions were prepared with the following composition:

- 틴 플루오보레이트 (Sn2+로서): 37 g/LTin fluoroborate (as Sn 2+ ): 37 g / L

- 메탄설폰산: 50 g/LMethanesulfonic acid: 50 g / L

- 차아인산: 30 g/LHypophosphate: 30 g / L

- 티오설페이트: 100 g/LThiosulfate: 100 g / L

- 표 1의 비이온성 계면활성제: 50 g/LNonionic surfactant of Table 1: 50 g / L

Figure pat00001

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20 g/L의 구리 분말을 상기 주석 도금액 각각에 첨가하여 교반하면서 5시간 동안 65 ℃에서 가열하였다. 구리와 주석의 치환반응이 완료되었을 때, 구리 이온을 함유하여 열화된 무전해 주석 도금액이 제조되었다. 시뮬레이트된 열화 도금액을 65 ℃로 유지하고; 70 g/L 파라톨루엔설폰산을 첨가제로서 첨가하고, 도금액을 25 ℃로 냉각하였다. 도금 용액을 냉각한 후에 자유 물질이 도금액에 생성되었다. 자유 물질은 도금 용액을 필터(0.2 마이크론)에 통과시켜서 제거하고 여과한 후 도금 용액 중의 구리 농도를 원자 흡수로 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.20 g / L of copper powder was added to each of the tin plating solutions and heated at 65 ° C. for 5 hours with stirring. When the substitution reaction of copper and tin was completed, an electroless tin plating solution containing copper ions deteriorated was prepared. Maintaining the simulated deteriorated plating solution at 65 ° C; 70 g / L paratoluenesulfonic acid was added as an additive and the plating liquid was cooled to 25 ° C. After cooling the plating solution, free material was produced in the plating liquid. The free material was removed by passing the plating solution through a filter (0.2 micron), filtered and the copper concentration in the plating solution was measured by atomic absorption. The results are shown in Table 2.

Figure pat00002

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실시예 6Example 6

실시예 4의 파라톨루엔설폰산 대신에 벤젠설폰산을 사용하고; 벤젠설폰산을 첨가제로서 실시예 4와 동일한 방법으로 65 ℃에서 유지된 구리이온을 함유하는 시뮬레이트된 열화 액체에 첨가한 다음, 도금액을 25 ℃로 냉각하였다. 도금 용액을 냉각한 후, 자유 물질을 도금액에서 생성하였다. 생성된 자유 물질이 침전으로 유발되고, 상징액을 샘플링하여 도금 용액 중의 구리 농도를 원자 흡수로 측정하였다. 측정된 구리 농도는 0.4 g/L였다.
Benzenesulfonic acid was used instead of the paratoluenesulfonic acid of Example 4; Benzenesulphonic acid was added as a additive to the simulated deteriorating liquid containing copper ions maintained at 65 ° C. in the same manner as in Example 4, and then the plating liquid was cooled to 25 ° C. After cooling the plating solution, free material was produced in the plating liquid. The resulting free material was caused by precipitation and the supernatant was sampled to measure the copper concentration in the plating solution by atomic absorption. The measured copper concentration was 0.4 g / L.

실시예 7Example 7

구리이온을 함유하는 시뮬레이트된 열화 무전해 주석 도금액을 실시예 3에서와 같은 방법으로 제조하였다. 상기 시뮬레이트된 열화 도금액을 30 ℃로 냉각하였다. 이때, 자유 물질은 생성되지 않았다. 시뮬레이트된 열화 도금액을 30 ℃로 유지하고 70 g/L 파라톨루엔설폰산을 첨가하였다. 첨가 직후, 도금액 중에서 자유 물질이 생성되었다. 도금 용액을 필터(0.2 마이크론)를 통과시켜서 자유물질을 제거하고 여과 후 도금 용액 중의 구리 농도를 원자 흡수로 측정하였다. 측정된 구리 농도는 0.9 g/L였다.
A simulated deteriorated electroless tin plating solution containing copper ions was prepared in the same manner as in Example 3. The simulated deteriorated plating solution was cooled to 30 ° C. At this time, no free material was produced. The simulated deteriorated plating solution was maintained at 30 ° C. and 70 g / L paratoluenesulfonic acid was added. Immediately after addition, free material was produced in the plating liquid. The plating solution was passed through a filter (0.2 micron) to remove free material and the copper concentration in the plating solution after filtration was measured by atomic absorption. The measured copper concentration was 0.9 g / L.

비교예 1Comparative Example 1

비이온성 계면활성제를 사용하지 않은 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하였으며, 여과 후 도금액 중의 구리 농도를 원자 흡수로 측정하였다. 그 결과를 표 3에 나타내었다.The same procedure as in Example 1 was conducted except that no nonionic surfactant was used, and the copper concentration in the plating solution after filtration was measured by atomic absorption. The results are shown in Table 3.

비이온성 계면활성제를 사용하지 않은 경우, 구리 제거율은 실시예 1-7 보다 훨씬 더 나빴으며, 방향족 유기 설폰산이 소모되지 않은 것을 확인하였다.When no nonionic surfactant was used, the copper removal rate was much worse than that of Examples 1-7, and it was confirmed that the aromatic organic sulfonic acid was not consumed.

Figure pat00003

Figure pat00003

비교예 2Comparative Example 2

파라톨루엔설폰산 대신에 이세티온산(isethionic acid)을 사용한 것을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 수행하였으며, 여과 후 도금액 중의 구리 농도를 원자 흡수로 측정하였다. 측정된 구리이온 농도는 7.2 g/L였다.
Except for using isethionic acid (isethionic acid) instead of paratoluenesulfonic acid was carried out in the same manner as in Example 2, the copper concentration in the plating solution after filtration was measured by atomic absorption. The measured copper ion concentration was 7.2 g / L.

비교예 3Comparative Example 3

파라톨루엔설폰산 대신에 이세티온산(isethionic acid)을 사용하고 비이온성 계면활성제를 사용하지 않은 것을 제외하고, 실시예 2와 동일한 방법으로 수행하였으며, 여과 후 도금액 중의 구리 농도를 원자 흡수로 측정하였다. 측정된 구리이온 농도는 7.4 g/L였다.
The same procedure as in Example 2 was carried out, except that isethionic acid was used instead of paratoluenesulfonic acid and no nonionic surfactant was used. The concentration of copper in the plating solution after filtration was measured by atomic absorption. . The measured copper ion concentration was 7.4 g / L.

실시예 8Example 8

불순물 반복 제거시험과 불순물을 제거한 후의 도금 성능을 평가하는 시험을 수행하였다. 실시예 4와 유사한 도금액을 사용하여 무전해 주석 도금을 다음 조건 하에서 수행하였다. 구리를 실시에 4와 동일한 방법으로 첨가하여 시뮬레이트된 열화 도금 용액을 제조하고, 무전해 주석 도금을 이 시뮬레이트된 열화 도금액으로 수행하였다. 이 후, 파라톨루엔설폰산을 실시예 1에서와 같이 첨가하고, 도금 후에 불순물을 여과하였다. 추가로 소모된 티오우레아, 비이온성 계면활성제(폴리옥시에틸렌 β-나프틸 에테르), 및 틴 플루오보레이트 등을 여과 후 도금액에 첨가하고 구리를 첨가하기 전에 도금액에서와 같은 농도로 농도를 조절하였다. 이 방법을 총 4회 수행하였다.An impurity repeated removal test and a test for evaluating plating performance after removing impurities were performed. Using a plating liquid similar to that of Example 4, electroless tin plating was performed under the following conditions. Copper was added in the same manner as in Example 4 to prepare a simulated deteriorated plating solution, and electroless tin plating was performed with this simulated deteriorated plating solution. Thereafter, paratoluenesulfonic acid was added as in Example 1, and impurities were filtered after plating. Further spent thiourea, nonionic surfactant (polyoxyethylene β-naphthyl ether), tin fluoroborate and the like were added to the plating liquid after filtration and the concentration was adjusted to the same concentration as in the plating liquid before the addition of copper. This method was performed four times in total.

결과를 표 4에 나타내었다.The results are shown in Table 4.

도금 조건: 온도 65 ℃; 도금 시간 195초Plating conditions: temperature 65 ℃; Plating time 195 seconds

Figure pat00004
Figure pat00004

Claims (6)

비이온성 표면활성제 및 티오우레아 또는 티오우레아 화합물을 포함하는 무전해 주석 도금액에 방향족 유기 설폰산, 그의 수화물 또는 그의 염을 첨가하고, 냉각하여 불순물의 침전을 형성한 후; 무전해 주석 도금액으로부터 불순물의 침전을 제거하는 것을 포함하는 방법.Adding an aromatic organic sulfonic acid, a hydrate thereof, or a salt thereof to an electroless tin plating solution comprising a nonionic surfactant and a thiourea or a thiourea compound, followed by cooling to form a precipitate of impurities; Removing the precipitation of impurities from the electroless tin plating solution. 제 1 항에 있어서, 구리 또는 구리 합금을 무전해 주석 도금액과 접촉시켜 구리 또는 구리 합금상에 주석을 도금하는 것을 추가로 포함하는 방법.The method of claim 1, further comprising contacting the copper or copper alloy with an electroless tin plating solution to plate tin on the copper or copper alloy. 제 1 항에 있어서, 불순물의 침전이 고체/액체 분리 장치에 의해 제거되는 방법.The method of claim 1 wherein the precipitation of impurities is removed by a solid / liquid separation device. 제 1 항에 있어서, 방향족 유기 설폰산 또는 그의 염의 양이 5 내지 200 g/L인 방법.The method of claim 1 wherein the amount of aromatic organic sulfonic acid or salt thereof is from 5 to 200 g / L. 제 1 항에 있어서, 방향족 유기산이 페놀설폰산, 벤젠설폰산, 톨루엔설폰산 및 나프탈렌설폰산중에서 선택되는 방법.The process of claim 1 wherein the aromatic organic acid is selected from phenolsulfonic acid, benzenesulfonic acid, toluenesulfonic acid and naphthalenesulfonic acid. 제 1 항에 있어서, 불순물의 침전이 구리, 니켈, 아연, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐 이온의 하나 이상을 포함하는 방법.The method of claim 1 wherein the precipitation of impurities comprises one or more of copper, nickel, zinc, chromium, molybdenum and tungsten ions.
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