JPH07251525A - Light emitting element array device - Google Patents

Light emitting element array device

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JPH07251525A
JPH07251525A JP7277394A JP7277394A JPH07251525A JP H07251525 A JPH07251525 A JP H07251525A JP 7277394 A JP7277394 A JP 7277394A JP 7277394 A JP7277394 A JP 7277394A JP H07251525 A JPH07251525 A JP H07251525A
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JP
Japan
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light
light emitting
emitting element
substrate
element array
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7277394A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirofumi Iguchi
弘文 井口
Kazuyuki Higuchi
和行 樋口
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP7277394A priority Critical patent/JPH07251525A/en
Publication of JPH07251525A publication Critical patent/JPH07251525A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a light emitting element array device reducing the effect caused by the scattered light in the light emitted from a light emitting element by simple constitution and capable of always well irradiating an object with light. CONSTITUTION:The incidence quantity of the light, which is emitted toward an area other than the surface of a substrate 3 from the light emitting part 14 of an LED chip 4 to become scattered light, to the surface of the substrate 3 is absorbed by a light absorbing layer 29 to be reduced to a large extent to accurately irradiate an object with light in uniform quantity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は各種の光源として用いら
れる発光素子アレイ装置に係り、特に散乱光による影響
を低減して良好な光照射を行なうことができる発光素子
アレイ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting element array device used as various light sources, and more particularly to a light emitting element array device capable of reducing the influence of scattered light and performing good light irradiation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、例えばLEDのような発光素
子を複数個アレイ状に配列した構成の発光素子アレイ装
置が提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a light emitting element array device having a structure in which a plurality of light emitting elements such as LEDs are arranged in an array has been proposed.

【0003】図3は、この種の発光素子アレイ装置の一
例を示したものであり、電子写真装置において感光体へ
光書き込みを行なう光書き込みヘッドの構成要素とされ
ている。
FIG. 3 shows an example of a light emitting element array device of this type, which is a constituent element of an optical writing head for optically writing on a photosensitive member in an electrophotographic apparatus.

【0004】この発光素子アレイ装置1は、光ファイバ
ー束2を埋設したガラス等からなる基板3上に電極パタ
ーン(図示せず)を形成し、この電極パターンを形成し
た基板3上に発光素子としてのLEDチップ4、4及び
このLEDチップ4、4を駆動するための駆動ICチッ
プ5、5をそれぞれアレイ状に配列するとともにこれら
各LEDチップ4及び駆動ICチップ5と電極パターン
とをそれぞれ半田付けにより接続することにより形成さ
れている。
In this light emitting element array device 1, an electrode pattern (not shown) is formed on a substrate 3 made of glass or the like in which the optical fiber bundle 2 is embedded, and a substrate 3 on which this electrode pattern is formed serves as a light emitting element. The LED chips 4, 4 and the driving IC chips 5, 5 for driving the LED chips 4, 4 are arranged in an array, respectively, and the LED chips 4, the driving IC chips 5 and the electrode patterns are soldered respectively. It is formed by connecting.

【0005】図4は、図3に示す発光素子アレイ装置1
の要部を示す断面図であり、図5は、その電極パターン
の形状を示す上面図である。
FIG. 4 shows a light emitting element array device 1 shown in FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the main part of FIG. 5, and FIG. 5 is a top view showing the shape of the electrode pattern.

【0006】図4に示すように、光ファイバー束2が埋
設されている基板3の上面には、スパッタリング等によ
りSiO2 からなるアンダーコート層6が形成されてお
り、アンダーコート層6上にはLEDチップ4及び駆動
ICチップ5に信号を伝達するための電極パターン7が
形成されている。
As shown in FIG. 4, an undercoat layer 6 made of SiO 2 is formed by sputtering or the like on the upper surface of the substrate 3 in which the optical fiber bundle 2 is embedded, and the LED is formed on the undercoat layer 6. Electrode patterns 7 for transmitting signals to the chip 4 and the driving IC chip 5 are formed.

【0007】この電極パターン7は、更に複数の層から
構成されており、基板3側から順にアンダーコート層6
との密着強度を上げるためのCr層8、主導体層となる
Cu層9、およびNi層10並びに半田付け性を良くす
るためのAu層11が積層されて構成されている。
The electrode pattern 7 is further composed of a plurality of layers, and the undercoat layer 6 is formed in order from the substrate 3 side.
The Cr layer 8 for increasing the adhesion strength with the Cu layer 9, the Cu layer 9 serving as the main conductor layer, the Ni layer 10, and the Au layer 11 for improving the solderability are laminated.

【0008】また、電極パターン7上にはLEDチップ
4あるいは駆動ICチップ5に設けられた半田バンプ1
2、12と電極パターン7を構成するAu層11とを接
続する際に半田流れが生じないように透明な感光性ポリ
イミドによる半田ダム層13が更に積層されており、半
田付け時に、この半田ダム層13により半田バンプ12
が位置決めされることによりLEDチップ4の基板3に
対する位置決めが自動的になされるようになっている。
The solder bumps 1 provided on the LED chip 4 or the driving IC chip 5 are provided on the electrode pattern 7.
A solder dam layer 13 made of a transparent photosensitive polyimide is further laminated so as to prevent a solder flow when connecting the Nos. 2 and 12 and the Au layer 11 forming the electrode pattern 7, and the solder dam layer 13 is formed at the time of soldering. Solder bump 12 by layer 13
The LED chip 4 is automatically positioned with respect to the substrate 3 by positioning.

【0009】また、LEDチップ4の側部および基板3
との間には、熱膨張によって生じるLEDチップ4と基
板3との間、および半田バンプ12とLEDチップ4あ
るいは基板3との間に生じる機械的な歪を緩和するとと
もに、LEDチップ4の発光部14から基板3へ向けて
放射された光が拡散するのを抑制するために、その屈折
率が空気よりも大である透明樹脂15が充填されてい
る。
The side portion of the LED chip 4 and the substrate 3
Between the LED chip 4 and the substrate 3 caused by thermal expansion, and between the solder bumps 12 and the LED chip 4 or the substrate 3 are alleviated, and the LED chip 4 emits light. In order to suppress diffusion of light emitted from the portion 14 toward the substrate 3, a transparent resin 15 having a refractive index higher than that of air is filled.

【0010】前記電極パターン7は、図5に示すように
共通電極16とこの共通電極16と対向する個別電極1
7とから構成されている。
As shown in FIG. 5, the electrode pattern 7 includes a common electrode 16 and an individual electrode 1 facing the common electrode 16.
7 and 7.

【0011】各個別電極17には、そのリード部18の
先端、すなわち共通電極16と対向する側の端部に、そ
れぞれ前述したLEDチップ4の半田バンプ12と接続
されるためのリード部18より面積の大きい半田ランド
部19が形成されており、また互いに隣接する各個別電
極17の半田ランド部18、18は、千鳥状に配置され
ている。
Each individual electrode 17 has a lead portion 18 for connecting to the solder bump 12 of the LED chip 4 described above at the tip of the lead portion 18, that is, the end portion on the side facing the common electrode 16. The solder lands 19 having a large area are formed, and the solder lands 18, 18 of the individual electrodes 17 adjacent to each other are arranged in a zigzag pattern.

【0012】このように構成されている発光素子アレイ
装置1は、制御信号に基づいて駆動IC5からの信号が
特定の電極パターン7を介してLEDチップ4に供給さ
れることによりLEDチップ4の特定の発光部14が発
光して、この発光部からの光が、図11に矢印Aで示す
ように透明樹脂15を通って基板3の一方の面から基板
3に埋設されている光ファイバー束2に入射するととも
に他方の面から外部へ導かれ、光書き込み等に供せられ
る。
In the light-emitting element array device 1 thus configured, the signal from the driving IC 5 is supplied to the LED chip 4 through the specific electrode pattern 7 based on the control signal, so that the LED chip 4 is identified. 11 emits light, and the light from this light emitting portion passes through the transparent resin 15 from one surface of the substrate 3 to the optical fiber bundle 2 embedded in the substrate 3 as shown by an arrow A in FIG. Upon incidence, it is guided to the outside from the other surface and is used for optical writing.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな発光素子アレイ装置においては、LEDチップ4の
発光部14で発生した光のうち基板3以外の方向へ放出
された光が散乱光となってその一部が基板3面に入射し
てしまい、光の取り出しを良好に行なえない、という問
題があった。
However, in such a light emitting element array device, of the light generated in the light emitting section 14 of the LED chip 4, the light emitted in the direction other than the substrate 3 becomes scattered light. There is a problem that a part of the light is incident on the surface of the substrate 3 and the light cannot be extracted well.

【0014】すなわち、LEDチップ4では、図4に示
すようにそのPN接合面20において光が発生し、発生
した光はここから等方的に放射される。そのため、発生
した光の一部は、図中矢印Bおよび矢印Cで示すような
方向にも放射されることになり、LEDチップ4の切断
面4aおよび4bからチップ外へ放出される。
That is, in the LED chip 4, light is generated at the PN junction surface 20 as shown in FIG. 4, and the generated light is radiated isotropically from here. Therefore, a part of the generated light is also radiated in the directions shown by arrows B and C in the figure, and is emitted from the cut surfaces 4a and 4b of the LED chip 4 to the outside of the chip.

【0015】このチップ外へ放出された光は、そのまま
透明樹脂15内へ入射して更に進むが、この透明樹脂1
5の屈折率は空気よりも大きいので、透明樹脂15と空
気との界面においてその一部は反射して散乱光となり、
この散乱光の一部が図中矢印DあるいはEで示すように
透明なポリイミドからなる半田ダム層13を介して基板
3の方向に向かうことになる。
The light emitted to the outside of the chip enters the transparent resin 15 as it is and proceeds further.
Since the refractive index of 5 is larger than that of air, part of it is reflected at the interface between the transparent resin 15 and air to become scattered light,
A part of this scattered light goes toward the substrate 3 through the solder dam layer 13 made of transparent polyimide as shown by an arrow D or E in the figure.

【0016】この散乱光のうち、図中矢印Eで示した
光、すなわち共通電極16側へ向かった光は、光が到達
する領域の基板面が図4に示すように不透明な金属層か
らなる共通電極16によりすべて被覆されているので基
板面に到達することはないが、図中矢印Dで示した光、
すなわち個別電極17側へ向かった光は、各個別電極1
7、17の間の領域(図5における互いに隣接するリー
ド部18、18の間および互いに隣接するランド部1
7、17の間、あるいはリード部18と隣接するランド
部19との間)を通って基板3の一方の面に到達し、基
板3に埋設されている光ファイバー2、あるいは基板そ
のものを通って他方の面から外部に放出されることにな
る。
Of the scattered light, the light indicated by arrow E in the figure, that is, the light directed to the common electrode 16 side, has a substrate surface in a region where the light reaches, as shown in FIG. 4, made of an opaque metal layer. It does not reach the substrate surface because it is entirely covered by the common electrode 16, but the light indicated by the arrow D in the figure
That is, the light traveling toward the individual electrode 17 side is transmitted to each individual electrode 1
The area between 7 and 17 (between the lead portions 18 and 18 adjacent to each other and the land portion 1 adjacent to each other in FIG. 5).
7 and 17 or between the lead portion 18 and the adjacent land portion 19) to reach one surface of the substrate 3, and the other side through the optical fiber 2 embedded in the substrate 3 or the substrate itself. Will be released to the outside from the surface.

【0017】このような散乱光は不必要な光であり、所
望の箇所以外の場所から放出されることになるので、例
えば感光体へ光書き込みを行なう光書き込みヘッドとし
て用いた場合には、感光体上の所望の箇所以外、すなわ
ち不必要な場所が露光されてしまうことになり、その結
果として不要な場所にまで静電潜像が形成されてしま
い、画像の尾引き現象や不鮮明な画像が発生するという
問題があった。
Since such scattered light is unnecessary light and is emitted from a place other than a desired place, when it is used as an optical writing head for optical writing on a photoconductor, for example, it is exposed to light. Except for the desired spot on the body, that is, unnecessary spots are exposed, and as a result, an electrostatic latent image is formed even on unnecessary spots. There was a problem that it occurred.

【0018】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であり、簡易な構成によりLEDチップなどの発光素子
から放出された光のうちの散乱光による影響を低減し、
対象物に対して常に良好な光照射を行なうことができる
発光素子アレイ装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of these points, and reduces the influence of scattered light in the light emitted from a light emitting element such as an LED chip with a simple structure,
It is an object of the present invention to provide a light emitting element array device that can always perform good light irradiation on an object.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1に記載の発光素子アレイ装置は、光ファ
イバー束を埋設した基板の第1面に共通電極パターン及
び個別電極パターンを形成するとともに、複数のLED
チップをその発光部が前記基板の第1面と対向するよう
に前記基板上にアレイ状に配列して、このLEDチップ
の発光部からの光を前記光ファイバー束を介して前記基
板の第2面から導出させる発光素子アレイ装置におい
て、前記基板上における前記LEDチップの前記個別電
極側に、前記LEDチップに駆動信号を供給するための
駆動ICチップをアレイ状に配列し、前記LEDチップ
の発光部と前記基板との間および前記LEDチップと前
記駆動ICとの間に透明樹脂を充填するとともに、少な
くともこのLEDチップと駆動ICとの間に充填された
透明樹脂の上面に、前記LEDチップの発光部から放射
された光を吸収する光吸収層を設けたことを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, the light emitting element array device according to claim 1 forms a common electrode pattern and an individual electrode pattern on a first surface of a substrate in which an optical fiber bundle is embedded. And multiple LEDs
The chips are arranged in an array on the substrate so that the light emitting portions thereof face the first surface of the substrate, and the light from the light emitting portions of the LED chips is transmitted through the optical fiber bundle to the second surface of the substrate. In the light emitting element array device derived from the above, a driving IC chip for supplying a driving signal to the LED chip is arranged in an array on the individual electrode side of the LED chip on the substrate, and a light emitting portion of the LED chip is arranged. A transparent resin is filled between the LED chip and the drive IC and between the LED chip and the drive IC, and at least the upper surface of the transparent resin filled between the LED chip and the drive IC emits light from the LED chip. It is characterized in that a light absorption layer for absorbing the light emitted from the section is provided.

【0020】請求項2に記載の発光素子アレイ装置は、
請求項1に記載の発光素子アレイ装置において、前記光
吸収層は、発光素子アレイの発光色の補色関係にある色
により形成してなることを特徴とする。
A light emitting element array device according to a second aspect is
The light emitting element array device according to claim 1, wherein the light absorption layer is formed of a color having a complementary color relationship with a light emission color of the light emitting element array.

【0021】請求項3に記載の発光素子アレイ装置は、
請求項1に記載の発光素子アレイ装置において、前記光
吸収層は、黒色系の色により形成してなることを特徴と
する。 請求項4に記載の発光素子アレイ装置は、請求
項2および請求項3に記載の発光素子アレイ装置におい
て、前記光吸収層は、油性インクにより形成してなるこ
とを特徴とする。
A light emitting element array device according to a third aspect is
The light emitting element array device according to claim 1, wherein the light absorption layer is formed of a black color. A light emitting element array device according to a fourth aspect is the light emitting element array device according to the second and third aspects, wherein the light absorbing layer is formed of an oil-based ink.

【0022】[0022]

【作用】請求項1から請求項4に記載の本発明によれ
ば、発光素子の発光部から基板面以外の方向に向かって
放射されて散乱光となった光の基板面への入射量を、吸
収によって大幅に低減することができ、対象物に対して
常に良好な光照射を行なうことができる。
According to the present invention as set forth in claims 1 to 4, the amount of light incident on the substrate surface, which is scattered light emitted from the light emitting portion of the light emitting element in a direction other than the substrate surface, is determined. , And can be significantly reduced by absorption, and good light irradiation can always be performed on an object.

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】尚、以下の各実施例の説明において、すで
に説明した従来のものと同一の部分には、同一の符号を
付してその詳細な説明は省略する。
In the following description of each embodiment, the same parts as those of the conventional one described above are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0025】図1は、本発明の発光素子アレイ装置の実
施例を示したものであり、本実施例における発光素子ア
レイ装置1の要部を示す断面図である。
FIG. 1 shows an embodiment of a light emitting element array device of the present invention, and is a cross-sectional view showing the main part of a light emitting element array device 1 in this embodiment.

【0026】本実施例は、LEDチップと駆動ICとの
間に充填される透明樹脂上に、LEDチップの発光部か
ら放射された光を吸収する光吸収層を設けたことによ
り、LEDチップ4のPN接合面20から基板3に向か
う方向以外の方向に放出された光が進行する領域に透明
樹脂と空気との界面が実質的に存在しないようにすると
ともに、光吸収層によりこの光を吸収し、散乱光そのも
のの発生を防止するものである。
In this embodiment, the LED chip 4 is provided by providing the light absorbing layer for absorbing the light emitted from the light emitting portion of the LED chip on the transparent resin filled between the LED chip and the driving IC. The interface between the transparent resin and the air is substantially absent in the region where the light emitted from the PN junction surface 20 other than the direction toward the substrate 3 travels, and the light absorbing layer absorbs the light. However, the generation of scattered light itself is prevented.

【0027】すなわち、LEDチップ4と基板3との間
およびLEDチップ4と駆動ICチップ5との間には、
熱膨張によってLEDチップ4、基板3、および半田バ
ンプ12の間に生じる機械的な歪を緩和するとともに、
LEDチップ4の発光部14から基板3へ向けて放射さ
れた光が拡散するのを抑制するための、屈折率が空気よ
りも大きな透明樹脂15が充填されているが、本実施例
においては、この透明樹脂15の上に光吸収層29が設
けられており、この光吸収層29は、その空気との界面
がLEDチップ4および駆動ICチップ5の上面よりも
上方に位置するような状態で形成されている。
That is, between the LED chip 4 and the substrate 3 and between the LED chip 4 and the driving IC chip 5,
While relaxing the mechanical strain generated between the LED chip 4, the substrate 3 and the solder bump 12 by thermal expansion,
A transparent resin 15 having a refractive index larger than that of air is filled in order to suppress diffusion of light emitted from the light emitting portion 14 of the LED chip 4 toward the substrate 3. However, in the present embodiment, A light absorption layer 29 is provided on the transparent resin 15, and the light absorption layer 29 is positioned such that its interface with the air is located above the upper surfaces of the LED chip 4 and the drive IC chip 5. Has been formed.

【0028】この光吸収層29の形成は、発光部14か
ら放射された光の色と補色関係にある色を用いることに
より多くの光を吸収することができ散乱光を防止でき
る。具体的な例として図2の色度図を用いて説明する
と、例えば発光部14から放射された光の色が黄色の場
合、図中の点Wを通る対角線上の色となる青または青緑
が補色関係となり、この色を光吸収層29として形成す
ることで効率よく散乱光を防止できる。同様に発光部1
4から放射された光の色が赤色の場合、光吸収層29を
緑または青緑にすればよい。また光吸収層29を黒色系
の色にすれば発光部14から放射された光の色に関係な
く全ての色の光を吸収することができる。
The light absorption layer 29 can absorb a large amount of light and prevent scattered light by using a color having a complementary color relationship with the color of the light emitted from the light emitting section 14. As a concrete example, the chromaticity diagram of FIG. 2 will be described. For example, when the color of the light emitted from the light emitting unit 14 is yellow, the color on the diagonal line passing through the point W in the figure is blue or blue-green. Has a complementary color relationship, and by forming this color as the light absorption layer 29, scattered light can be efficiently prevented. Similarly, the light emitting unit 1
When the color of the light emitted from 4 is red, the light absorption layer 29 may be green or blue green. Further, if the light absorption layer 29 has a black color, it is possible to absorb all colors of light regardless of the color of the light emitted from the light emitting section 14.

【0029】さらに光吸収層29を形成する際に有機溶
媒中にカーボンブラック等の顔料を分散させた油性イン
クを用いて形成することにより油性インクの性質上速乾
性に優れており発光素子アレイ装置を製造する際の製造
工程を簡略化できる。なお図1において光吸収層29は
比較的厚みがあるように書いているがインク等を塗布し
た場合その厚さは極薄く形成できるものである。
Further, when the light absorbing layer 29 is formed by using an oil-based ink in which a pigment such as carbon black is dispersed in an organic solvent, it is excellent in quick-drying due to the nature of the oil-based ink, and the light-emitting element array device. The manufacturing process for manufacturing can be simplified. In FIG. 1, the light absorption layer 29 is described as being relatively thick, but when ink or the like is applied, the thickness can be made extremely thin.

【0030】次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0031】LEDチップ4のPN接合面20で発生し
た光のうち、基板3面と平行な方向、すなわち図1にお
いて矢印BおよびCで示される方向に放射された光はL
EDチップ4の切断面4aおよび4bからチップ外へ放
出され、このチップ外へ放出された光は、そのまま透明
樹脂15内へ入射して更に進む。これらの光は、図中矢
印MおよびNで示すように透明樹脂15から更に光吸収
層29へ進行してここで吸収されて減衰する。
Of the light generated on the PN junction surface 20 of the LED chip 4, the light emitted in the direction parallel to the surface of the substrate 3, that is, the directions indicated by arrows B and C in FIG.
The light emitted from the cut surfaces 4a and 4b of the ED chip 4 to the outside of the chip, and the light emitted to the outside of the chip enters the transparent resin 15 as it is and proceeds further. These lights further propagate from the transparent resin 15 to the light absorption layer 29 as indicated by arrows M and N in the figure, and are absorbed and attenuated there.

【0032】したがって、本実施例によればLEDチッ
プ4の発光部14から基板3に向かう方向以外の方向に
放出された光が散乱光となって基板3面に入射すること
がなく、均一な光量で且つ精度良く対象物に対して光照
射を行なうことができる。
Therefore, according to the present embodiment, the light emitted from the light emitting portion 14 of the LED chip 4 in a direction other than the direction toward the substrate 3 does not become scattered light and does not enter the surface of the substrate 3 and is uniform. It is possible to irradiate an object with light with a high light amount and high accuracy.

【0033】尚、本発明は、上述した実施例に限定され
るものではなく、必要に応じて種々変更することが可能
である。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but can be variously modified as necessary.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上のように本発明の発光素子アレイ装
置は光吸収層を形成するという簡易な構成によりLED
チップなどの発光素子から放出された光のうちの散乱光
による影響を低減することが可能となり、対象物に対し
て常に良好な光照射を行なうことができる。さらに発光
部から放射される光の色と補色関係にある色を光吸収層
にもちいることにより、効率のよい光吸収が可能となり
散乱光を防止できる。
As described above, the light emitting element array device of the present invention has a simple structure in which the light absorbing layer is formed.
It is possible to reduce the influence of scattered light in the light emitted from a light emitting element such as a chip, and it is possible to always perform good light irradiation on an object. Furthermore, by using a color having a complementary color relationship with the color of the light emitted from the light emitting portion for the light absorbing layer, efficient light absorption is possible and scattered light can be prevented.

【0035】また油性インクは速乾性のため樹脂のよう
に一定時間固まるまで放置する必要がなく発光素子アレ
イ装置を製造するさいの製造工程を簡略化でき、しかも
油性インクによる光吸収層は極薄い層であるので発光素
子アレイ装置の大きさを大きくすることなく使用できる
という顕著な効果を奏する。
Further, since the oil-based ink is quick-drying, it is not necessary to leave it to set for a certain time like a resin until it is solidified, and therefore the manufacturing process when manufacturing the light-emitting element array device can be simplified, and the light-absorbing layer made of the oil-based ink is extremely thin. Since it is a layer, there is a remarkable effect that it can be used without increasing the size of the light emitting element array device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の発光素子アレイ装置の実施例における
要部を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part in an embodiment of a light emitting element array device of the present invention.

【図】補色関係を示す色度図である。FIG. 6 is a chromaticity diagram showing a complementary color relationship.

【図3】従来の発光素子アレイ装置の全体構成を示す斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing an overall configuration of a conventional light emitting element array device.

【図4】図3の発光素子アレイ装置の要部を示す断面図
である。
4 is a cross-sectional view showing a main part of the light emitting element array device of FIG.

【図5】図3の発光素子アレイ装置の電極パターンの形
状を示す上面図である。
5 is a top view showing a shape of an electrode pattern of the light emitting element array device of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光素子アレイ装置 2 光ファイバー束 3 基板 4 LEDチップ 5 駆動ICチップ 7 電極パターン 13、24 半田ダム層 14 発光部 15、27、28 透明樹脂 16 共通電極 17、21 個別電極 19、23 半田ランド部 20 PN接合面 29 光吸収層 1 Light-Emitting Element Array Device 2 Optical Fiber Bundle 3 Substrate 4 LED Chip 5 Driving IC Chip 7 Electrode Pattern 13, 24 Solder Dam Layer 14 Light Emitting Portion 15, 27, 28 Transparent Resin 16 Common Electrode 17, 21 Individual Electrode 19, 23 Solder Land Part 20 PN junction surface 29 Light absorbing layer

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成6年8月23日[Submission date] August 23, 1994

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の発光素子アレイ装置の実施例における
要部を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part in an embodiment of a light emitting element array device of the present invention.

【図2】 補色関係を示す色度図である。 FIG. 2 is a chromaticity diagram showing a complementary color relationship.

【図3】従来の発光素子アレイ装置の全体構成を示す斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing an overall configuration of a conventional light emitting element array device.

【図4】図3の発光素子アレイ装置の要部を示す断面図
である。
4 is a cross-sectional view showing a main part of the light emitting element array device of FIG.

【図5】図3の発光素子アレイ装置の電極パターンの形
状を示す上面図である。
5 is a top view showing a shape of an electrode pattern of the light emitting element array device of FIG.

【符号の説明】 1 発光素子アレイ装置 2 光ファイバー束 3 基板 4 LEDチップ 5 駆動IDチップ 7 電極パターン 13、24 半田ダム層 14 発光部 15、27、28 透明樹脂 16 共通電極 17、21 個別電極 19、23 半田ランド部 20 PN接合面 29 光吸収層[Description of Reference Signs] 1 light emitting element array device 2 optical fiber bundle 3 substrate 4 LED chip 5 driving ID chip 7 electrode pattern 13, 24 solder dam layer 14 light emitting part 15, 27, 28 transparent resin 16 common electrode 17, 21 individual electrode 19 , 23 Solder land portion 20 PN junction surface 29 Light absorbing layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 33/00 M N ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 33/00 MN

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ファイバー束を埋設した基板の第1面
に共通電極パターン及び個別電極パターンを形成すると
ともに、複数のLEDチップをその発光部が前記基板の
第1面と対向するように前記基板上にアレイ状に配列し
て、このLEDチップの発光部からの光を前記光ファイ
バー束を介して前記基板の第2面から導出させる発光素
子アレイ装置において、 前記基板上における前記LEDチップの前記個別電極側
に、前記LEDチップに駆動信号を供給するための駆動
ICチップをアレイ状に配列し、前記LEDチップの発
光部と前記基板との間および前記LEDチップと前記駆
動ICとの間に透明樹脂を充填するとともに、少なくと
もこのLEDチップと駆動ICとの間に充填された透明
樹脂の上面に、前記LEDチップの発光部から放射され
た光を吸収する光吸収層を設けたことを特徴とする発光
素子アレイ装置。
1. A common electrode pattern and an individual electrode pattern are formed on a first surface of a substrate in which an optical fiber bundle is embedded, and a plurality of LED chips are arranged so that their light emitting portions face the first surface of the substrate. In the light emitting element array device, which is arranged in an array on the substrate and guides the light from the light emitting portion of the LED chip from the second surface of the substrate via the optical fiber bundle, the individual LED chips on the substrate A driving IC chip for supplying a driving signal to the LED chip is arranged in an array on the electrode side, and is transparent between the light emitting portion of the LED chip and the substrate and between the LED chip and the driving IC. The resin is filled and at least the upper surface of the transparent resin filled between the LED chip and the driving IC is exposed from the light emitting portion of the LED chip. Emitting element array device is characterized by providing a light-absorbing layer that absorbs light.
【請求項2】 前記光吸収層は、前記発光素子アレイの
発光色の補色関係にある色により形成してなることを特
徴とする請求項1に記載の発光素子アレイ装置。
2. The light emitting element array device according to claim 1, wherein the light absorption layer is formed of a color having a complementary color relationship with a light emission color of the light emitting element array.
【請求項3】 前記光吸収層は、黒色系の色により形成
してなることを特徴とする請求項1に記載の発光素子ア
レイ装置。
3. The light emitting element array device according to claim 1, wherein the light absorption layer is formed in a blackish color.
【請求項4】 前記光吸収層は、油性インクにより形成
してなることを特徴とする請求項2および請求項3に記
載の発光素子アレイ装置。
4. The light emitting element array device according to claim 2, wherein the light absorption layer is formed of an oil-based ink.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11103094A (en) * 1997-09-29 1999-04-13 Unitec:Kk Light-emitting diode measuring selecting device
KR20200024162A (en) 2017-06-30 2020-03-06 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Thermosetting material and molding method of the thermosetting material

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