JPH07249792A - 赤外線検出素子およびその製造方法 - Google Patents
赤外線検出素子およびその製造方法Info
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- JPH07249792A JPH07249792A JP6037389A JP3738994A JPH07249792A JP H07249792 A JPH07249792 A JP H07249792A JP 6037389 A JP6037389 A JP 6037389A JP 3738994 A JP3738994 A JP 3738994A JP H07249792 A JPH07249792 A JP H07249792A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】本発明は、赤外線検出感度が向上された白金シ
リサイドショットキー接合型赤外線検出素子と、その製
造方法を提供する。 【構成】光電変換部に、シリコン２と白金シリサイド膜
１の界面（白金シリサイドショットキー接合）を配置す
る。白金シリサイド膜の厚さは、３０Å以上４０Å以下
に限定する。このためには、その製造途中でシリコン基
板に被着させる白金膜の堆積膜厚を１５Å以上２０Å以
下に限定する。このように限定すれば、量子効率を最大
に、且つ、ショットキー接合の障壁高さを最小にでき
る。このため、検出感度の向上した赤外線検出素子が得
られる。
リサイドショットキー接合型赤外線検出素子と、その製
造方法を提供する。 【構成】光電変換部に、シリコン２と白金シリサイド膜
１の界面（白金シリサイドショットキー接合）を配置す
る。白金シリサイド膜の厚さは、３０Å以上４０Å以下
に限定する。このためには、その製造途中でシリコン基
板に被着させる白金膜の堆積膜厚を１５Å以上２０Å以
下に限定する。このように限定すれば、量子効率を最大
に、且つ、ショットキー接合の障壁高さを最小にでき
る。このため、検出感度の向上した赤外線検出素子が得
られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線検出素子に関
し、より詳しくは、白金シリサイド膜を配置したショッ
トキー型赤外線検出素子に関するものである。
し、より詳しくは、白金シリサイド膜を配置したショッ
トキー型赤外線検出素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】白金シリサイド膜とシリコン基板のショ
ットキー接合を光電変換部に用いた赤外線検出素子は、
慣用技術であるシリコン半導体素子の製造プロセスを使
用して形成できるという利点がある。このため、多数の
光電変換部を一列に配置したラインセンサばかりでな
く、マトリクス状に配置したエリアセンサとしても、広
く用いられている。
ットキー接合を光電変換部に用いた赤外線検出素子は、
慣用技術であるシリコン半導体素子の製造プロセスを使
用して形成できるという利点がある。このため、多数の
光電変換部を一列に配置したラインセンサばかりでな
く、マトリクス状に配置したエリアセンサとしても、広
く用いられている。
【０００３】図を引用し、従来の白金シリサイドショッ
トキー接合型赤外線検出素子（以下、赤外線検出素子と
言う）を説明する。なお、その構造は、本発明の赤外線
検出素子と類似しており、本発明の赤外線検出素子の断
面図である図１を引用して説明する。白金シリサイド膜
１は、Ｐ型シリコン基板２上に配置される。その膜厚
は、６０〜８０Åである。それらの界面は、ショットキ
ー接合であり、これは、赤外線を光電変換する光電変換
部である。白金シリサイド膜１の周囲には、ガードリン
グ５が配置される。ガードリング５は、白金シリサイド
膜１に電界が集中し、耐圧が低下することによる信号電
荷のリークを防止する。シリコン基板２の表面には、絶
縁膜６が配置される。これは、シリコン酸化膜等の赤外
線を透過する膜を使用する。そして、その上に、金属反
射膜７が配置される。さらに、その上には、保護膜８が
配置される。シリコン基板２の裏面には、反射防止膜３
が配置される。
トキー接合型赤外線検出素子（以下、赤外線検出素子と
言う）を説明する。なお、その構造は、本発明の赤外線
検出素子と類似しており、本発明の赤外線検出素子の断
面図である図１を引用して説明する。白金シリサイド膜
１は、Ｐ型シリコン基板２上に配置される。その膜厚
は、６０〜８０Åである。それらの界面は、ショットキ
ー接合であり、これは、赤外線を光電変換する光電変換
部である。白金シリサイド膜１の周囲には、ガードリン
グ５が配置される。ガードリング５は、白金シリサイド
膜１に電界が集中し、耐圧が低下することによる信号電
荷のリークを防止する。シリコン基板２の表面には、絶
縁膜６が配置される。これは、シリコン酸化膜等の赤外
線を透過する膜を使用する。そして、その上に、金属反
射膜７が配置される。さらに、その上には、保護膜８が
配置される。シリコン基板２の裏面には、反射防止膜３
が配置される。
【０００４】赤外線入射光９は、シリコン基板２の裏面
側に形成した反射防止膜３を経て光電変換部に入射し、
その一部は、光電変換され光電流となる。光電変換され
ずに透過した赤外線は、絶縁膜６を経て金属反射膜７に
よって反射され、再度光電変換部に入射する。そして、
光電変換され光電流となる。光電変換部を透過した光を
絶縁膜上の反射膜で反射させて再度光電変換部に入射さ
せる構造は、赤外線の検出感度を向上させることがで
き、オプティカルキャビティ構造として周知の技術であ
る。
側に形成した反射防止膜３を経て光電変換部に入射し、
その一部は、光電変換され光電流となる。光電変換され
ずに透過した赤外線は、絶縁膜６を経て金属反射膜７に
よって反射され、再度光電変換部に入射する。そして、
光電変換され光電流となる。光電変換部を透過した光を
絶縁膜上の反射膜で反射させて再度光電変換部に入射さ
せる構造は、赤外線の検出感度を向上させることがで
き、オプティカルキャビティ構造として周知の技術であ
る。
【０００５】白金シリサイドショットキー接合は、次の
製造方法に従って形成される。シリコン基板２上に熱酸
化膜４を形成する。次に、光電変換形成予定部の熱酸化
膜４を周知のフォトリソエッチング法に従い除去する。
次に、シリコン基板２上に白金を堆積する。この膜厚
は、３０〜４０Åである。そして、シリコン基板２全体
を加熱する。これにより、シリコンと白金は、熱処理に
よる化学反応を生じ、白金シリサイド膜と、この膜とシ
リコン基板との界面にショットキー接合が形成される。
白金シリサイド膜の厚さは、およそ６０〜８０Åであ
る。
製造方法に従って形成される。シリコン基板２上に熱酸
化膜４を形成する。次に、光電変換形成予定部の熱酸化
膜４を周知のフォトリソエッチング法に従い除去する。
次に、シリコン基板２上に白金を堆積する。この膜厚
は、３０〜４０Åである。そして、シリコン基板２全体
を加熱する。これにより、シリコンと白金は、熱処理に
よる化学反応を生じ、白金シリサイド膜と、この膜とシ
リコン基板との界面にショットキー接合が形成される。
白金シリサイド膜の厚さは、およそ６０〜８０Åであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような白金シリ
サイド膜を用いたショットキー接合型の赤外線検出素子
は、慣用技術であるシリコン半導体素子の製造プロセス
を使用して形成できるという利点がある。この利点は、
化合物半導体等を使用した赤外線検出素子にはない大き
な特徴である。しかし、ショットキー接合型の赤外線検
出素子は、赤外線の検出感度が低いという問題があっ
た。
サイド膜を用いたショットキー接合型の赤外線検出素子
は、慣用技術であるシリコン半導体素子の製造プロセス
を使用して形成できるという利点がある。この利点は、
化合物半導体等を使用した赤外線検出素子にはない大き
な特徴である。しかし、ショットキー接合型の赤外線検
出素子は、赤外線の検出感度が低いという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、この問題点に鑑みてなされたも
のであり、白金シリサイドショットキー接合型赤外線検
出素子の赤外線検出感度を向上させることを目的とす
る。
のであり、白金シリサイドショットキー接合型赤外線検
出素子の赤外線検出感度を向上させることを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究の
結果、驚くべきことに、白金シリサイド膜の膜厚を３０
Å以上４０Å以下に限定すれば、赤外線検出感度が向上
することを突き止め、発明するに至った。すなわち、本
発明は、第１に「シリコン基板上に白金シリサイド膜を
配置し、前記シリコン基板と前記白金シリサイド膜の界
面（ショットキー接合）を赤外線の光電変換部とする赤
外線検出素子において、前記白金シリサイド膜は、３０
Å以上４０Å以下であることを特徴とする赤外線検出素
子」を提供する。
結果、驚くべきことに、白金シリサイド膜の膜厚を３０
Å以上４０Å以下に限定すれば、赤外線検出感度が向上
することを突き止め、発明するに至った。すなわち、本
発明は、第１に「シリコン基板上に白金シリサイド膜を
配置し、前記シリコン基板と前記白金シリサイド膜の界
面（ショットキー接合）を赤外線の光電変換部とする赤
外線検出素子において、前記白金シリサイド膜は、３０
Å以上４０Å以下であることを特徴とする赤外線検出素
子」を提供する。
【０００９】また、白金シリサイド膜の膜厚を３０Å以
上４０Å以下にするためには、白金の堆積膜厚を１５Å
以上２０Å以下に限定すれば、可能であることを突き止
めた。すなわち、本発明は、第２に「シリコン基板上に
白金膜を堆積する工程と、前記シリコン基板全体を加熱
して熱処理による化学反応で白金シリサイド膜を形成し
同時に前記シリコン基板と前記白金シリサイド膜の界面
にショットキー接合を形成する工程を有し、前記ショッ
トキー接合によって赤外線を光電変換する赤外線検出素
子の製造方法において、前記白金膜の堆積膜厚は、１５
Å以上２０Å以下であることを特徴とする赤外線検出素
子の製造方法」を提供する。
上４０Å以下にするためには、白金の堆積膜厚を１５Å
以上２０Å以下に限定すれば、可能であることを突き止
めた。すなわち、本発明は、第２に「シリコン基板上に
白金膜を堆積する工程と、前記シリコン基板全体を加熱
して熱処理による化学反応で白金シリサイド膜を形成し
同時に前記シリコン基板と前記白金シリサイド膜の界面
にショットキー接合を形成する工程を有し、前記ショッ
トキー接合によって赤外線を光電変換する赤外線検出素
子の製造方法において、前記白金膜の堆積膜厚は、１５
Å以上２０Å以下であることを特徴とする赤外線検出素
子の製造方法」を提供する。
【００１０】
【作用】本発明は、白金シリサイド膜形成のために堆積
する白金膜の膜厚を１５〜２０Åに限定することで、赤
外線検出素子の検出感度を向上させるものである。以
下、この膜厚の限定が、なぜこの素子の検出感度を向上
させるのに優れた作用があるのか説明する。
する白金膜の膜厚を１５〜２０Åに限定することで、赤
外線検出素子の検出感度を向上させるものである。以
下、この膜厚の限定が、なぜこの素子の検出感度を向上
させるのに優れた作用があるのか説明する。
【００１１】ショットキー接合型赤外線検出素子の分光
感度Ｒは、一般に式１で表される。
感度Ｒは、一般に式１で表される。
【００１２】
【数１】
【００１３】ここで、λは入射光の波長、Ｃ１は量子効
率係数、φｂはショットキー接合の障壁高さである。波
長λを固定にすれば、分光感度Ｒは、その波長における
光の検出感度になる。白金シリサイドショットキー接合
型赤外線検出素子は、３〜５μｍの波長帯の赤外線を検
出ためによく使用される。よって、ここで、波長４μｍ
の赤外線を照射したときの出力電流値を検出感度と定義
する。
率係数、φｂはショットキー接合の障壁高さである。波
長λを固定にすれば、分光感度Ｒは、その波長における
光の検出感度になる。白金シリサイドショットキー接合
型赤外線検出素子は、３〜５μｍの波長帯の赤外線を検
出ためによく使用される。よって、ここで、波長４μｍ
の赤外線を照射したときの出力電流値を検出感度と定義
する。
【００１４】式１より、量子効率係数Ｃ１を高くする
か、あるいは、ショットキー接合の障壁高さφｂを低く
すれば、分光感度Ｒは、向上することが判明する。よっ
て、波長を４μｍに固定すれば、素子の赤外線検出感度
は、向上するのである。量子効率係数Ｃ１やショットキ
ー接合の障壁高さφｂは、白金シリサイド膜の膜厚に依
存する。また、白金シリサイド膜の膜厚は堆積した白金
膜の膜厚の２倍になる。そこで、膜厚の異なる白金膜を
形成することにより、白金シリサイド膜厚の異なる赤外
線検出素子を製造し、白金膜の堆積膜厚と量子効率係数
Ｃ１やショットキー接合の障壁高さφｂとの関連を検討
した。
か、あるいは、ショットキー接合の障壁高さφｂを低く
すれば、分光感度Ｒは、向上することが判明する。よっ
て、波長を４μｍに固定すれば、素子の赤外線検出感度
は、向上するのである。量子効率係数Ｃ１やショットキ
ー接合の障壁高さφｂは、白金シリサイド膜の膜厚に依
存する。また、白金シリサイド膜の膜厚は堆積した白金
膜の膜厚の２倍になる。そこで、膜厚の異なる白金膜を
形成することにより、白金シリサイド膜厚の異なる赤外
線検出素子を製造し、白金膜の堆積膜厚と量子効率係数
Ｃ１やショットキー接合の障壁高さφｂとの関連を検討
した。
【００１５】図２は、白金膜の堆積膜厚と量子効率係数
の測定結果を示すグラフである。堆積膜厚が１５Åまで
は、膜厚が薄くなると量子効率係数は、ゆるやかに増加
する。堆積膜厚が１５Å以下になると、量子効率係数
は、急激に減少する。従って、堆積膜厚は、１５〜２０
Åの範囲で量子効率係数を最大にすることができる。図
３は、白金膜の堆積膜厚とショットキー接合の障壁高さ
の測定結果を示すグラフである。堆積膜厚が約２５Å以
下になると、急激に障壁高さは低くなり、１５〜２０Å
の領域で最も低くなる。また、１５Å以下になると障壁
高さは急激に高くなる。
の測定結果を示すグラフである。堆積膜厚が１５Åまで
は、膜厚が薄くなると量子効率係数は、ゆるやかに増加
する。堆積膜厚が１５Å以下になると、量子効率係数
は、急激に減少する。従って、堆積膜厚は、１５〜２０
Åの範囲で量子効率係数を最大にすることができる。図
３は、白金膜の堆積膜厚とショットキー接合の障壁高さ
の測定結果を示すグラフである。堆積膜厚が約２５Å以
下になると、急激に障壁高さは低くなり、１５〜２０Å
の領域で最も低くなる。また、１５Å以下になると障壁
高さは急激に高くなる。
【００１６】以上のように、膜厚１５Å以上２０Å以下
で、量子効率係数は最大になり、ショットキー接合の障
壁高さは最小になる。このため、白金シリサイドショッ
トキー型赤外線検出素子は、白金膜の堆積膜厚をこの膜
厚範囲にすることで、赤外線の検出感度を最も高くする
ことができるのである。図４は、波長４μｍの赤外線に
対する検出感度と白金膜の堆積膜厚との測定結果を示す
グラフである。白金膜の堆積膜厚が１５〜２０Åの範囲
の赤外線検出素子は、堆積膜厚が３０Åのものと比較し
て、約１．５倍の検出感度であった。
で、量子効率係数は最大になり、ショットキー接合の障
壁高さは最小になる。このため、白金シリサイドショッ
トキー型赤外線検出素子は、白金膜の堆積膜厚をこの膜
厚範囲にすることで、赤外線の検出感度を最も高くする
ことができるのである。図４は、波長４μｍの赤外線に
対する検出感度と白金膜の堆積膜厚との測定結果を示す
グラフである。白金膜の堆積膜厚が１５〜２０Åの範囲
の赤外線検出素子は、堆積膜厚が３０Åのものと比較し
て、約１．５倍の検出感度であった。
【００１７】
【実施例】以下、図を引用し、本発明の実施例を説明す
る。しかし、本発明は、これに限られるものではない。
図１は、本発明に係る赤外線検出素子の断面図である。
白金シリサイド膜１は、Ｐ型のシリコン基板２上に配置
した。その膜厚は、３５Åであった。シリコン基板２と
白金シリサイド膜１の界面は、ショットキー接合であ
り、これは、赤外線を光電変換する光電変換部である。
白金シリサイド膜１の周囲には、ガードリング５を配置
した。ガードリング５は、白金シリサイド膜１に電界が
集中し、耐圧が低下することによる信号電荷のリークを
防止する。シリコン基板２の表面には、シリコン酸化膜
６を配置した。そして、その上に、Ａｌによる反射膜７
を配置した。その膜厚は、５０００Åとした。さらに、
その上には、保護膜としてシリコン酸化膜８を配置し
た。シリコン基板２の裏面には、スパッタによるＳｉＯ
膜を反射防止膜３として配置した。膜厚は、４０００Å
とした。
る。しかし、本発明は、これに限られるものではない。
図１は、本発明に係る赤外線検出素子の断面図である。
白金シリサイド膜１は、Ｐ型のシリコン基板２上に配置
した。その膜厚は、３５Åであった。シリコン基板２と
白金シリサイド膜１の界面は、ショットキー接合であ
り、これは、赤外線を光電変換する光電変換部である。
白金シリサイド膜１の周囲には、ガードリング５を配置
した。ガードリング５は、白金シリサイド膜１に電界が
集中し、耐圧が低下することによる信号電荷のリークを
防止する。シリコン基板２の表面には、シリコン酸化膜
６を配置した。そして、その上に、Ａｌによる反射膜７
を配置した。その膜厚は、５０００Åとした。さらに、
その上には、保護膜としてシリコン酸化膜８を配置し
た。シリコン基板２の裏面には、スパッタによるＳｉＯ
膜を反射防止膜３として配置した。膜厚は、４０００Å
とした。
【００１８】赤外線入射光９は、シリコン基板２の裏面
側に形成した反射防止膜３を経て光電変換部に入射し、
その一部は、光電変換され光電流となった。光電変換さ
れずに透過した赤外線は、絶縁膜６を経て金属反射膜７
によって反射され、再度光電変換部に入射した。そし
て、光電変換され光電流となった。本実施例において
は、このように、オプチカルキャビティー構造とした。
しかし、白金シリサイド膜の膜厚が３０Å以上４０Å以
下であれば、オプティカルキャビティ構造でなくとも、
本発明の範疇である。
側に形成した反射防止膜３を経て光電変換部に入射し、
その一部は、光電変換され光電流となった。光電変換さ
れずに透過した赤外線は、絶縁膜６を経て金属反射膜７
によって反射され、再度光電変換部に入射した。そし
て、光電変換され光電流となった。本実施例において
は、このように、オプチカルキャビティー構造とした。
しかし、白金シリサイド膜の膜厚が３０Å以上４０Å以
下であれば、オプティカルキャビティ構造でなくとも、
本発明の範疇である。
【００１９】以下、本発明の赤外線検出素子の製造方法
を説明する。まず、Ｐ型シリコン基板２に熱酸化により
シリコン熱酸化膜４を形成する。次に、フォトリソエッ
チングによりガードリング形成予定部の熱酸化膜４を除
去し、次いで、イオン注入によりリンイオンを注入す
る。そして、熱処理を行い、ガードリング５を形成す
る。
を説明する。まず、Ｐ型シリコン基板２に熱酸化により
シリコン熱酸化膜４を形成する。次に、フォトリソエッ
チングによりガードリング形成予定部の熱酸化膜４を除
去し、次いで、イオン注入によりリンイオンを注入す
る。そして、熱処理を行い、ガードリング５を形成す
る。
【００２０】次に、光電変換形成予定部の熱酸化膜４を
フォトリソエッチングにより除去すし、シリコン基板２
上に白金を堆積する。この膜厚は、１５Å以上２０Åと
する。そして、シリコン基板２全体を加熱する。この加
熱は、窒素雰囲気中で４５０℃にて行った。その他、真
空中で行ってもよい。これにより、シリコンと白金は、
熱処理による化学反応を生じ、白金シリサイド膜と、こ
の膜とシリコン基板との界面にショットキー接合が形成
される。白金シリサイド膜の厚さは、およそ３０〜４０
Åとなる。シリコン表面と接触していないシリコン酸化
膜４の上の白金膜は反応しない。この未反応の白金膜を
王水に浸漬して除去する。
フォトリソエッチングにより除去すし、シリコン基板２
上に白金を堆積する。この膜厚は、１５Å以上２０Åと
する。そして、シリコン基板２全体を加熱する。この加
熱は、窒素雰囲気中で４５０℃にて行った。その他、真
空中で行ってもよい。これにより、シリコンと白金は、
熱処理による化学反応を生じ、白金シリサイド膜と、こ
の膜とシリコン基板との界面にショットキー接合が形成
される。白金シリサイド膜の厚さは、およそ３０〜４０
Åとなる。シリコン表面と接触していないシリコン酸化
膜４の上の白金膜は反応しない。この未反応の白金膜を
王水に浸漬して除去する。
【００２１】次に、ＣＶＤによるシリコン酸化膜６とス
パッタによるＡｌの反射膜７からなるオプティカルキャ
ビティ構造を形成する。さらに、その上に、保護膜８と
してＣＶＤによるシリコン酸化膜を形成する。反射膜７
はＡｌに限らず、タングステン等でもよい。また、保護
膜８は、シリコン窒化膜でもよい。最後に、基板２の裏
面に反射防止膜として、スパッタによるＳｉＯ膜を形成
し、本発明の赤外線検出素子は、完成する。
パッタによるＡｌの反射膜７からなるオプティカルキャ
ビティ構造を形成する。さらに、その上に、保護膜８と
してＣＶＤによるシリコン酸化膜を形成する。反射膜７
はＡｌに限らず、タングステン等でもよい。また、保護
膜８は、シリコン窒化膜でもよい。最後に、基板２の裏
面に反射防止膜として、スパッタによるＳｉＯ膜を形成
し、本発明の赤外線検出素子は、完成する。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、白金シ
リサイド膜の厚さを３０Å以上４０Å以下の範囲に限定
することより、量子効率係数が最大で、ショットキー接
合の障壁高さが最小となる赤外線検出素子を製造するこ
とができる。このため、検出感度の向上した赤外線検出
素子が得られるという効果がある。
リサイド膜の厚さを３０Å以上４０Å以下の範囲に限定
することより、量子効率係数が最大で、ショットキー接
合の障壁高さが最小となる赤外線検出素子を製造するこ
とができる。このため、検出感度の向上した赤外線検出
素子が得られるという効果がある。
【００２３】また、オプティカルキャビティ構造を本発
明の赤外線検出素子に採用することで、さらに検出感度
を高くすることができる。
明の赤外線検出素子に採用することで、さらに検出感度
を高くすることができる。
【図１】本発明に係る赤外線検出素子の断面図である。
【図２】白金膜の堆積膜厚と量子効率係数の測定結果を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】白金膜の堆積膜厚とショットキー接合の障壁高
さの測定結果を示すグラフである。
さの測定結果を示すグラフである。
【図４】波長４μｍの赤外線に対する検出感度と白金膜
の堆積膜厚との測定結果を示すグラフである。
の堆積膜厚との測定結果を示すグラフである。
１・・・白金シリサイド膜 ２・・・Ｐ型シリコン基板 ３・・・反射防止膜（ＳｉＯ膜） ４・・・シリコン熱酸化膜 ５・・・ガードリング ６・・・絶縁膜（シリコン酸化膜） ７・・・金属反射膜（Ａｌ） ８・・・保護膜（シリコン酸化膜） ９・・・赤外線入射光 以上
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板上に白金シリサイド膜を配
置し、前記シリコン基板と前記白金シリサイド膜の界面
（ショットキー接合）を赤外線の光電変換部とする赤外
線検出素子において、 前記白金シリサイド膜は、３０Å以上４０Å以下である
ことを特徴とする赤外線検出素子。 - 【請求項２】 前記赤外線検出素子は、裏面から赤外線
を入射させ、且つ、オプチカルキャビティー構造を有す
ることを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。 - 【請求項３】 シリコン基板上に白金膜を堆積する工程
と、前記シリコン基板全体を加熱して熱処理による化学
反応で白金シリサイド膜を形成し同時に前記シリコン基
板と前記白金シリサイド膜の界面にショットキー接合を
形成する工程を有し、前記ショットキー接合によって赤
外線を光電変換する赤外線検出素子の製造方法におい
て、 前記白金膜の堆積膜厚は、１５Å以上２０Å以下である
ことを特徴とする赤外線検出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6037389A JPH07249792A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6037389A JPH07249792A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249792A true JPH07249792A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12496182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6037389A Pending JPH07249792A (ja) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7897993B2 (en) | 2004-08-31 | 2011-03-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | GaN based luminescent device on a metal substrate |
-
1994
- 1994-03-08 JP JP6037389A patent/JPH07249792A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7897993B2 (en) | 2004-08-31 | 2011-03-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | GaN based luminescent device on a metal substrate |
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