JPH0724808Y2 - Automatic gain control circuit - Google Patents

Automatic gain control circuit

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JPH0724808Y2
JPH0724808Y2 JP1990007821U JP782190U JPH0724808Y2 JP H0724808 Y2 JPH0724808 Y2 JP H0724808Y2 JP 1990007821 U JP1990007821 U JP 1990007821U JP 782190 U JP782190 U JP 782190U JP H0724808 Y2 JPH0724808 Y2 JP H0724808Y2
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automatic gain
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は自動利得制御回路に係り、特に出力信号レベル
に応じて生成された制御信号により入力信号レベルを調
整する自動利得制御回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automatic gain control circuit, and more particularly to an automatic gain control circuit that adjusts an input signal level by a control signal generated according to an output signal level.

従来の技術 テレビジョンの映像中間周波増幅段(PIF増幅段)では
入力信号の変化に対して常に一定の検波レベルを得る必
要がある。このため、自動利得制御(AGC)回路が用い
られている。
2. Description of the Related Art In a video intermediate frequency amplification stage (PIF amplification stage) of a television, it is necessary to always obtain a constant detection level with respect to changes in the input signal. For this reason, automatic gain control (AGC) circuits are used.

従来、このような自動利得制御回路では第4図に示すよ
うな回路構成のものが用いられていた。
Conventionally, such an automatic gain control circuit has a circuit configuration as shown in FIG.

第4図に示すように、制御端子3に入力される制御信号
によりトランジスタQ1を制御して、PINダイオードD1
の順方向電流を制御する。この順方向電流によりPINダ
イオードD1,D2の高周波抵抗値の度合を制御することに
より入力端子1に入力される入力信号の減衰量を変化さ
せ、出力端子2より出力される出力信号のレベルを一定
に保持していた。
As shown in FIG. 4, the transistor Q 1 is controlled by the control signal input to the control terminal 3 to control the forward current to the PIN diode D 1 . By controlling the degree of the high frequency resistance value of the PIN diodes D 1 and D 2 with this forward current, the attenuation amount of the input signal input to the input terminal 1 is changed, and the level of the output signal output from the output terminal 2 is changed. Was held constant.

従来の制御信号に対する減衰量の特性は制御信号に応じ
てそのまま、電流を制御していたため、PINダイオードD
1,D2の特性により第5図に示すような特性を有してい
た。
Since the current is controlled according to the control signal as it is, the characteristic of the attenuation amount with respect to the conventional control signal, the PIN diode D
Due to the characteristics of 1 and D 2 , it had the characteristics shown in FIG.

考案が解決しようとする課題 しかるに、従来の自動利得制御回路はトランジスタによ
りPINダイオードD1の順方向電流を制御して減衰量のコ
ントロールを行っていたため、制御信号に対する減衰量
の特性が第5図に示すような特性になり、制御信号のわ
ずかな変化に対して減衰量が大きく変化してしまい、し
たがってコントロールしにくく、安定した出力が得られ
ない等の問題点があった。
However, since the conventional automatic gain control circuit controls the amount of attenuation by controlling the forward current of the PIN diode D 1 with a transistor, the characteristic of the amount of attenuation with respect to the control signal is shown in FIG. The characteristics are as shown in (3), and the amount of attenuation changes greatly with a slight change in the control signal, so that it is difficult to control and stable output cannot be obtained.

本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、減衰量の制
御が容易で安定した出力が得られる自動利得制御回路を
提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an automatic gain control circuit in which the amount of attenuation can be easily controlled and a stable output can be obtained.

課題を解決するための手段 本考案は、出力信号レベルに応じてレベルが変化する制
御信号により整流素子の順方向電流を制御することによ
り入力信号レベルが制御され、出力信号レベルを一定に
保持する自動利得制御回路において、第1のゲートに前
記制御信号が供給され、第2のゲートにバイアス電圧が
供給され、前記制御信号に応じて前記整流素子の順方向
電流を制御するデュアルゲート型電界効果トランジスタ
と、 前記デュアルゲート型電界効果トランジスタの前記第2
のゲートに接続され、前記バイアス電圧を前記制御信号
に対する前記入力信号の減衰量の特性がリニアな特性に
近似する電圧に調整する分圧抵抗と、 前記デュアルゲート型電界効果トランジスタの前記第1
のゲートに帰還をかける帰還回路とを具備してなる。
Means for Solving the Problems According to the present invention, the input signal level is controlled by controlling the forward current of the rectifying element by a control signal whose level changes according to the output signal level, and the output signal level is held constant. In the automatic gain control circuit, the first gate is supplied with the control signal, the second gate is supplied with a bias voltage, and a dual-gate field effect for controlling the forward current of the rectifying element according to the control signal is provided. A transistor, and the second of the dual gate field effect transistor.
A voltage dividing resistor connected to the gate of the dual gate type field effect transistor for adjusting the bias voltage to a voltage at which the characteristic of the attenuation amount of the input signal with respect to the control signal approximates a linear characteristic.
And a feedback circuit that feeds back to the gate of.

作用 本考案によれば、整流素子に流れる順方向電流は第1の
ゲートに制御信号及び帰還回路を介して帰還信号が供給
され、第2のゲートに分圧抵抗によりバイアス電圧が制
御信号に対する入力信号の減衰量の特性がリニアな特性
に近似するように調整されて供給されたデュアルゲート
型電界効果トランジスタにより制御されるため、制御信
号に対して入力信号の減衰量をリニアに変化させること
ができる。
According to the present invention, the forward current flowing through the rectifying device is supplied with the feedback signal through the control signal and the feedback circuit to the first gate, and the bias voltage is input to the second gate through the voltage dividing resistor for the control signal. Since the characteristics of the signal attenuation amount are controlled by the dual-gate field effect transistor that is adjusted and supplied so as to approximate the linear characteristics, the attenuation amount of the input signal can be changed linearly with respect to the control signal. it can.

また、減衰量の特性の調整は分圧抵抗により行なえるた
め、容易かつ、自由に行なえる。
Further, the characteristic of the attenuation amount can be adjusted by the voltage dividing resistor, so that it can be easily and freely performed.

実施例 第1図は本考案の一実施例の回路構成図を示す。Embodiment FIG. 1 shows a circuit configuration diagram of an embodiment of the present invention.

入力端子1には高周波入力信号が入力され、出力端子2
より出力信号が出力される。入力端子1は直流成分除去
用のコンデンサC1を介してゲイン制御用PINダイオードD
1のカソードに接続され、出力端子2は直流成分除去用
のコンデンサC2を介してゲイン制御用PINダイオードD1
のアノードに接続される。2ゲートFET4及び抵抗R6,R7
により制御回路7が構成されている。
A high frequency input signal is input to the input terminal 1 and an output terminal 2
The output signal is output. The input terminal 1 is a gain control PIN diode D via a DC component removing capacitor C 1.
The output terminal 2 is connected to the cathode of 1 and the gain control PIN diode D 1 is connected via the capacitor C 2 for removing the DC component.
Connected to the anode of. 2 Gate FET 4 and resistors R 6 and R 7
The control circuit 7 is constituted by.

コンデンサC2とPINダイオードD1との接続点にはPINダイ
オードD1への順方向バイアスを制御するための2ゲート
FET(電界効果トランジスタ)4のソースが信号カット
用のチョークコイルL1を介して接続されている。
At the connection point between the capacitor C 2 and the PIN diode D 1 , there are 2 gates to control the forward bias to the PIN diode D 1 .
The source of FET (field effect transistor) 4 is connected through a choke coil L 1 for signal cutting.

2ゲートFET4のドレインはバイアス端子5に接続されて
いる。ゲートG1は抵抗R5を介して制御端子3に接続され
ると共にPINダイオードD1のカソードとの間に帰還回路
6が接続される。また、もう一方のゲートG2にはバイア
ス端子5に印加される電圧を抵抗R6,R7により分圧した
分圧電圧が印加される。
The drain of the 2-gate FET 4 is connected to the bias terminal 5. The gate G 1 is connected to the control terminal 3 via the resistor R 5 , and the feedback circuit 6 is connected to the cathode of the PIN diode D 1 . Further, a divided voltage obtained by dividing the voltage applied to the bias terminal 5 by the resistors R 6 and R 7 is applied to the other gate G 2 .

帰還回路6は高周波信号除去用のコイルL2と抵抗R2とを
直列に接続した回路で、2ゲートFET4のゲートG1に帰還
がかかる構成とされている。
The feedback circuit 6 is a circuit in which a coil L 2 for removing a high frequency signal and a resistor R 2 are connected in series, and the feedback is applied to the gate G 1 of the 2-gate FET 4.

PINダイオードD1のカソードは抵抗R1を介して接地され
ると共に直列に接続されたPINダイオードD2及びコンデ
ンサC3を介して、接地される。
The cathode of the PIN diode D 1 is grounded via the resistor R 1 and also grounded via the PIN diode D 2 and the capacitor C 3 which are connected in series.

PINダイオードD2はカソードがPINダイオードD1のカソー
ド側と接続されており、そのアノードにはバイアス端子
5に印加された電圧を抵抗R3,R4により分圧した分圧電
圧が印加される。
The cathode of the PIN diode D 2 is connected to the cathode side of the PIN diode D 1 , and the divided voltage obtained by dividing the voltage applied to the bias terminal 5 by the resistors R 3 and R 4 is applied to the anode thereof. .

次に回路の動作について説明する。まず、制御端子3に
制御信号がかけられると、FET4のゲートG1に電圧がかか
る。すると、FET4のドレイン−ソースがオンとなる。FE
T4がオンになるとチョークコイルL1を介して抵抗R1に電
圧が印加されPINダイオードD1に順方向電流が流れる。
したがって、PINダイオードD1の抵抗値が小さくなり入
力端子1より入力された入力信号がPINダイオードD1
通過して出力端子2より出力される。
Next, the operation of the circuit will be described. First, when a control signal is applied to the control terminal 3, a voltage is applied to the gate G 1 of the FET 4. Then, the drain-source of FET4 is turned on. FE
T4 is the voltage applied to the resistor R 1 via a choke coil L 1 when turned on a forward current flows to the PIN diode D 1.
Therefore, the resistance value of the PIN diode D 1 becomes small, and the input signal input from the input terminal 1 passes through the PIN diode D 1 and is output from the output terminal 2.

また、制御信号レベルが低下すると、FET4のドレイン電
流が小さくなる。そのため抵抗T1に印加される電圧が低
くなるのでPINダイオードD1がオフ側に近づき、PINダイ
オードD2の抵抗値は小さくなっていき、したがって、入
力信号はPINダイオードD1を通過する信号が減少し、PIN
ダイオードD2を通過接地される信号が増加し、出力信号
の振幅は低下する。
Further, when the control signal level decreases, the drain current of FET4 decreases. Therefore, the voltage applied to the resistor T 1 becomes low, the PIN diode D 1 approaches the OFF side, and the resistance value of the PIN diode D 2 becomes smaller.Therefore, the input signal is the signal passing through the PIN diode D 1. Decrease and PIN
The signal grounded through the diode D 2 increases, and the amplitude of the output signal decreases.

このとき、抵抗R1に印加される電圧に対応した電圧が帰
還回路6を介してFET4のゲートG1に帰還されて、また、
FET4のゲートG2には抵抗R6,R7により分圧された分圧電
圧が印加されているため、AGC電圧に対する減衰量の変
化の特性がなだらかになる。
At this time, the voltage corresponding to the voltage applied to the resistor R 1 is fed back to the gate G 1 of the FET 4 via the feedback circuit 6, and
Since the divided voltage divided by the resistors R 6 and R 7 is applied to the gate G 2 of the FET 4, the characteristic of the change in the attenuation amount with respect to the AGC voltage becomes gentle.

第3図は本考案の他の実施例の回路図を示す。FIG. 3 shows a circuit diagram of another embodiment of the present invention.

本実施例は整流素子であるPINダイオードD3,D4,D5をπ
型に配置した構成で、第1図と同一構成部分には同一符
号を付す。コンデンサC4〜C5は直流成分をカットし、チ
ョークコイルL3〜L5は高周波成分をカットする。また抵
抗R8〜R11によりPINダイオードD3〜D6への印加電圧を調
整している。
This embodiment of the PIN diode D 3, D 4, D 5 is a rectifying element π
With the configuration arranged in a mold, the same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. Capacitors C 4 to C 5 cut DC components, and choke coils L 3 to L 5 cut high frequency components. Also it is adjusted the voltage applied to the PIN diode D 3 to D 6 by the resistor R 8 to R 11.

次にその動作について説明する。制御端子3に制御信号
がかかると、FET4のゲートG1に電圧がかかり、FET4に電
流が流れ、チョークコイルL3を介してPINダイオードD4
に順方向電流が流れる。また、帰還用抵抗R8を介して抵
抗R9に電圧がかかり、チョークコイルL4を介して、PIN
ダイオードD4及びD5に逆方向電圧がかかる。
Next, the operation will be described. When the control signal to the control terminal 3 is applied, a voltage is applied to the gate G1 of the FET 4, a current flows in the FET 4, PIN diode D 4 via the choke coil L 3
A forward current flows through. In addition, a voltage is applied to the resistor R 9 via the feedback resistor R 8 and the PIN is applied via the choke coil L 4.
Reverse voltage is applied to the diodes D 4 and D 5 .

このとき、PINダイオードD4は順方向電圧が大きくなる
ようにバイアス電圧及び抵抗R8,R9が設定されているた
め、PINダイオードD4の抵抗値は小さくなる。また、こ
のとき、PINダイオードD3,D5は抵抗値が大きくなるよう
に抵抗R10,R11の値が設定される。このため、入力端子
1より入力された入力信号はPINダイオードD4を介して
出力端子2より出力される。
At this time, since the PIN diode D 4 bias voltage to the forward voltage is increased and the resistor R 8, R 9 are set, the resistance value of the PIN diode D 4 becomes small. At this time, the values of the resistors R 10 and R 11 are set so that the resistance values of the PIN diodes D 3 and D 5 become large. Therefore, the input signal input from the input terminal 1 is output from the output terminal 2 via the PIN diode D 4 .

次に制御信号が小さくなると、抵抗R9にかかる電圧も小
さくなり、PINダイオードD3,D6に順方向電圧がかかり、
その抵抗値が小さくなる。このため、入力端子1より入
力される入力信号はPINダイオードD3及びD5を通ってコ
ンデンサC5及びコンデンサC6より接地に流れだすため出
力端子2からの出力は小さくなる。
Next, when the control signal decreases, the voltage applied to the resistor R 9 also decreases, and the forward voltage is applied to the PIN diodes D 3 and D 6 ,
The resistance value becomes small. Therefore, the input signal input from the input terminal 1 flows to the ground from the capacitors C 5 and C 6 through the PIN diodes D 3 and D 5 , and the output from the output terminal 2 becomes small.

このように帰還をかけながら整流素子であるPINダイオ
ードD3〜D5の抵抗値を変えることにより、第2図に実線
で示すような第1図に示す実施例と同様ななだらかな特
性を得ることができる。
By changing the resistance values of the PIN diodes D 3 to D 5 which are the rectifying elements while feedback is applied in this way, the same smooth characteristics as the embodiment shown in FIG. 1 as shown by the solid line in FIG. 2 are obtained. be able to.

考案の効果 上述の如く、本考案によれば、整流素子に流れる順方向
電流は第1のゲートに制御信号及び帰還回路を介して帰
還信号が供給され、第2のゲートに分圧抵抗によりバイ
アス電圧が制御信号に対する入力信号の減衰量の特性が
リニアな特性に近似するように調整されて供給されたデ
ュアルゲート型電界効果トランジスタにより制御される
ため、制御信号に対して入力信号の減衰量をリニアに変
化させることができ、また、減衰量の特性の調整は分圧
抵抗により行なえるため、容易かつ、自由に行なえる等
の特長を有する。
EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the present invention, the forward current flowing through the rectifying element is supplied with the feedback signal through the control signal and the feedback circuit to the first gate, and the second gate is biased by the voltage dividing resistor. Since the voltage is controlled by the dual gate type field effect transistor that is adjusted and supplied so that the characteristic of the attenuation of the input signal with respect to the control signal approximates a linear characteristic, the amount of attenuation of the input signal with respect to the control signal is controlled. Since it can be changed linearly, and the characteristic of the attenuation amount can be adjusted by a voltage dividing resistor, it has an advantage that it can be easily and freely performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案の一実施例の回路構成図、第2図は本考
案の一実施例の特性図、第3図は本考案の他の実施例の
回路構成図、第4図は従来の一例の回路図、第5図は従
来の一例の特性図である。 1……入力端子、2……出力端子、3……制御端子、4
……2ゲートFET、5……バイアス端子、6……帰還回
路。
FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram of one embodiment of the present invention, FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is a characteristic diagram of a conventional example. 1 ... input terminal, 2 ... output terminal, 3 ... control terminal, 4
...... 2 gate FET, 5 …… bias terminal, 6 …… feedback circuit.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】出力信号レベルに応じてレベルが変化する
制御信号により整流素子の順方向電流を制御することに
より入力信号の減衰量を制御して、該出力信号レベルを
一定に保持する自動利得制御回路において、 第1のゲートに前記制御信号が供給され、第2のゲート
にバイアス電圧が供給され、前記制御信号に応じて前記
整流素子の順方向電流を制御するデュアルゲート型電界
効果トランジスタと、 前記デュアルゲート型電界効果トランジスタの前記第2
のゲートに接続され、前記バイアス電圧を前記制御信号
に対する前記入力信号の減衰量の特性がリニアな特性に
近似する電圧に調整する分圧抵抗と、 前記デュアルゲート型電界効果トランジスタの前記第1
のゲートに帰還をかける帰還回路とを具備してなる自動
利得制御回路。
1. An automatic gain for controlling an amount of attenuation of an input signal by controlling a forward current of a rectifying element by a control signal whose level changes according to an output signal level to keep the output signal level constant. In the control circuit, a dual gate type field effect transistor is provided in which the control signal is supplied to a first gate, a bias voltage is supplied to a second gate, and a forward current of the rectifying element is controlled according to the control signal. The second of the dual gate field effect transistor
A voltage dividing resistor connected to the gate of the dual gate type field effect transistor for adjusting the bias voltage to a voltage at which the characteristic of the attenuation amount of the input signal with respect to the control signal approximates a linear characteristic.
Automatic gain control circuit comprising a feedback circuit that feeds back to the gate of the.
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