JPH07245448A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH07245448A JPH07245448A JP3557294A JP3557294A JPH07245448A JP H07245448 A JPH07245448 A JP H07245448A JP 3557294 A JP3557294 A JP 3557294A JP 3557294 A JP3557294 A JP 3557294A JP H07245448 A JPH07245448 A JP H07245448A
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- Japan
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- layer
- semiconductor laser
- quantum well
- barrier layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、低しきい電流（特に１．５
ｍＡ以下）、かつ高いスロープ効率で発振する光インタ
コネクト用長波長帯半導体レーザアレイを提供すること
にある。 【構成】 半導体レーザの活性層３を歪量子井戸構造と
し、その障壁層歪量と障壁層膜厚を適切な値（歪量を−
０．２％から＋０．２％、かつ障壁層膜厚が８ｎｍから
１２ｎｍ）に設定する。さらに活性層幅、歪量子井戸層
の井戸数、歪量子井戸層構造（歪量を＋１．２から＋
１．６％、かつ量子井戸層膜厚が５から７ｎｍ）を適切
に設定する。 【効果】 本発明によれば、加入者系光通信、光インタ
コネクト等のシステムに適用可能な低動作電流動作の長
波長帯半導体レーザを得ることができる。
ｍＡ以下）、かつ高いスロープ効率で発振する光インタ
コネクト用長波長帯半導体レーザアレイを提供すること
にある。 【構成】 半導体レーザの活性層３を歪量子井戸構造と
し、その障壁層歪量と障壁層膜厚を適切な値（歪量を−
０．２％から＋０．２％、かつ障壁層膜厚が８ｎｍから
１２ｎｍ）に設定する。さらに活性層幅、歪量子井戸層
の井戸数、歪量子井戸層構造（歪量を＋１．２から＋
１．６％、かつ量子井戸層膜厚が５から７ｎｍ）を適切
に設定する。 【効果】 本発明によれば、加入者系光通信、光インタ
コネクト等のシステムに適用可能な低動作電流動作の長
波長帯半導体レーザを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低しきい電流、かつ高
いスロープ効率で発振する長波長帯半導体レ−ザ、及び
レーザアレイに関する。
いスロープ効率で発振する長波長帯半導体レ−ザ、及び
レーザアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】光インタコネクト用長波長帯半導体レー
ザアレイには、低しきい電流動作が要求されている。こ
の一つの例が“Low-Threshold(1.8mA) and High-Effici
ency(0.39W/A) 1.3-μm Strained Quantum Well 10-Ele
ment Laser Arrays for High-Throughput Optical Inte
rconnections", A.Oishi etal, 19th European Confere
nce on Optical Fiber Communication,Porceedings, Vo
l. 3,1993, ThC12.6に示されており、１．８ｍＡの低し
きい電流動作が報告されている。
ザアレイには、低しきい電流動作が要求されている。こ
の一つの例が“Low-Threshold(1.8mA) and High-Effici
ency(0.39W/A) 1.3-μm Strained Quantum Well 10-Ele
ment Laser Arrays for High-Throughput Optical Inte
rconnections", A.Oishi etal, 19th European Confere
nce on Optical Fiber Communication,Porceedings, Vo
l. 3,1993, ThC12.6に示されており、１．８ｍＡの低し
きい電流動作が報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、し
きい電流は１．８ｍＡに低減されているが、６００Ｍｂ
ｉ／ｓ以上の大容量光インタコネクトシステムに応用す
るには、さらなる低しきい化が必要である。
きい電流は１．８ｍＡに低減されているが、６００Ｍｂ
ｉ／ｓ以上の大容量光インタコネクトシステムに応用す
るには、さらなる低しきい化が必要である。
【０００４】本発明の目的は、さらなる低しきい電流
（特に１．５ｍＡ以下）、かつ高いスロープ効率で発振
する長波長帯半導体レーザアレイを提供することにあ
る。
（特に１．５ｍＡ以下）、かつ高いスロープ効率で発振
する長波長帯半導体レーザアレイを提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、多重歪量
子井戸活性層構造と共振器構造を適切な値に設定する
と、１．５ｍＡ以下の低しきい電流で、かつ高いスロー
プ効率で発振する長波長帯半導体レーザを実現できるこ
とを、理論計算、及び実験的に見出した。すなわち、上
記目的は、長波長帯半導体レーザにおいて、活性層を多
重歪量子井戸構造で形成し、歪量子井戸層の歪量を＋
１．２％〜＋１．６％、歪量子井戸層の量子井戸数が４
から６、歪量子井戸層の膜厚を５ｎｍ〜７ｎｍ、障壁層
の歪量を−０．２％〜＋０．２％、障壁層の組成波長を
１．１０μｍ〜１．２０μｍ、障壁層の膜厚を８〜１２
ｎｍ、活性層の幅を０．８μｍ〜１．４μｍ、共振器長
を１５０μｍ〜２２０μｍ、前端面の反射率をＲｆ、後
端面の反射率をＲｒとした時に、Ｒｆを６５％〜７５
％、Ｒｒを９０％〜９８％に設定すること、ｐ型ＩｎＰ
基板上にメサストライプ状の活性層を形成し、これをｐ
／ｎ／ｐ型の電流ブロック層で埋め込むことにより、達
成される。
子井戸活性層構造と共振器構造を適切な値に設定する
と、１．５ｍＡ以下の低しきい電流で、かつ高いスロー
プ効率で発振する長波長帯半導体レーザを実現できるこ
とを、理論計算、及び実験的に見出した。すなわち、上
記目的は、長波長帯半導体レーザにおいて、活性層を多
重歪量子井戸構造で形成し、歪量子井戸層の歪量を＋
１．２％〜＋１．６％、歪量子井戸層の量子井戸数が４
から６、歪量子井戸層の膜厚を５ｎｍ〜７ｎｍ、障壁層
の歪量を−０．２％〜＋０．２％、障壁層の組成波長を
１．１０μｍ〜１．２０μｍ、障壁層の膜厚を８〜１２
ｎｍ、活性層の幅を０．８μｍ〜１．４μｍ、共振器長
を１５０μｍ〜２２０μｍ、前端面の反射率をＲｆ、後
端面の反射率をＲｒとした時に、Ｒｆを６５％〜７５
％、Ｒｒを９０％〜９８％に設定すること、ｐ型ＩｎＰ
基板上にメサストライプ状の活性層を形成し、これをｐ
／ｎ／ｐ型の電流ブロック層で埋め込むことにより、達
成される。
【０００６】
【作用】以下、本発明の作用について図２及び図３を用
いて説明する。図２は、１．３μｍ帯多重歪量子井戸構
造のＸ線回折半値幅の障壁層歪量依存性の実験結果であ
る。ここで、多重歪量子井戸構造は、歪量は＋１．４
％、膜厚６ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸層と膜厚１
０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ障壁層の２０周期構成である。
図２の如く、結晶性を表すＸ線回折半値幅は、障壁層歪
量が０％で最小値となる。これまでは、多重歪量子井戸
構造において、障壁層に井戸層とは逆方向の歪を加え
て、障壁層内部での歪応力の伝搬を抑え、積層周期数増
大に伴う結晶劣化の抑制を図ることが行なわれてきた。
しかし、ＩｎＧａＡｓＰ４元材料では、この効果を得る
ことはできないことが判明した。従って、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰ系多重歪量子井戸構造を形成する場
合、良好な多重歪量子井戸構造形成を実現するためには
障壁層の歪量は−０．２から＋０．２％の範囲内である
ことが分かる。
いて説明する。図２は、１．３μｍ帯多重歪量子井戸構
造のＸ線回折半値幅の障壁層歪量依存性の実験結果であ
る。ここで、多重歪量子井戸構造は、歪量は＋１．４
％、膜厚６ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸層と膜厚１
０ｎｍのＩｎＧａＡｓＰ障壁層の２０周期構成である。
図２の如く、結晶性を表すＸ線回折半値幅は、障壁層歪
量が０％で最小値となる。これまでは、多重歪量子井戸
構造において、障壁層に井戸層とは逆方向の歪を加え
て、障壁層内部での歪応力の伝搬を抑え、積層周期数増
大に伴う結晶劣化の抑制を図ることが行なわれてきた。
しかし、ＩｎＧａＡｓＰ４元材料では、この効果を得る
ことはできないことが判明した。従って、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰ系多重歪量子井戸構造を形成する場
合、良好な多重歪量子井戸構造形成を実現するためには
障壁層の歪量は−０．２から＋０．２％の範囲内である
ことが分かる。
【０００７】図３はフォトルミネッセンス（ＰＬ）強度
の障壁層膜厚依存性の測定結果である。ここで、歪量子
井戸層膜厚は６ｎｍであり、歪量は＋１．４％である。
また多重歪量子井戸構造は５周期構造である。これより
障壁層膜厚が７ｎｍ以下で、ＰＬ強度は急激に低下し
た。すなわち良好な結晶性を有する多重歪量子井戸構造
を得るためには、障壁層膜厚８ｎｍ以上を必要とする。
しかし障壁層膜厚１２ｎｍ以上ではキャリアの注入効率
は低下する。従って、良好なレ−ザ特性を得るために
は、障壁層膜厚は８から１２ｎｍであることがわかる。
の障壁層膜厚依存性の測定結果である。ここで、歪量子
井戸層膜厚は６ｎｍであり、歪量は＋１．４％である。
また多重歪量子井戸構造は５周期構造である。これより
障壁層膜厚が７ｎｍ以下で、ＰＬ強度は急激に低下し
た。すなわち良好な結晶性を有する多重歪量子井戸構造
を得るためには、障壁層膜厚８ｎｍ以上を必要とする。
しかし障壁層膜厚１２ｎｍ以上ではキャリアの注入効率
は低下する。従って、良好なレ−ザ特性を得るために
は、障壁層膜厚は８から１２ｎｍであることがわかる。
【０００８】以上の障壁層の歪量及び膜厚の範囲設定に
より歪量子井戸層膜厚が５ｎｍから７ｎｍで、量子井戸
数が４から６において、量子井戸層歪量は１．２から
１．６％まで導入することが可能となった。本構造を活
性層とし、障壁層の組成波長を１．１０μｍから１．２
０μｍ、活性層の幅を０．８μｍから１．４μｍ、共振
器長を１７０μｍから２２０μｍ、前端面の反射率をＲ
ｆ、後端面の反射率をＲｒとした時に、Ｒｆを６５％か
ら７５％、Ｒｒを９０％から９８％に設定すること、ｐ
型ＩｎＰ基板上にメサストライプ状の活性層を形成し、
これをｐ／ｎ／ｐ型の電流ブロック層で埋め込むことに
より、１．５ｍＡ以下の低しきい電流で、かつ０．３Ｗ
／Ａ以上の高いスロープ効率で発振する長波長帯半導体
レーザを実現できた。
より歪量子井戸層膜厚が５ｎｍから７ｎｍで、量子井戸
数が４から６において、量子井戸層歪量は１．２から
１．６％まで導入することが可能となった。本構造を活
性層とし、障壁層の組成波長を１．１０μｍから１．２
０μｍ、活性層の幅を０．８μｍから１．４μｍ、共振
器長を１７０μｍから２２０μｍ、前端面の反射率をＲ
ｆ、後端面の反射率をＲｒとした時に、Ｒｆを６５％か
ら７５％、Ｒｒを９０％から９８％に設定すること、ｐ
型ＩｎＰ基板上にメサストライプ状の活性層を形成し、
これをｐ／ｎ／ｐ型の電流ブロック層で埋め込むことに
より、１．５ｍＡ以下の低しきい電流で、かつ０．３Ｗ
／Ａ以上の高いスロープ効率で発振する長波長帯半導体
レーザを実現できた。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を用いて説明
する。
する。
【００１０】（実施例１）第１図は本発明をｐ型基板上
１．３μｍ帯歪量子井戸半導体レーザに適用したもので
ある。有機金属気相成長法により、ｐ−ＩｎＰ基板１上
にｐ-ＩnＰクラッド層２(キャリア濃度＝１×１０18ｃ
ｍ-3、厚さ２μｍ)を成長した後、アンド-プ歪多重量子
井戸活性層３(波長１.３μｍ、井戸数２〜５)、ｎ-Ｉn
Ｐクラッド層４(キャリア濃度＝１．５×１０18ｃｍ
-3、厚さ１μｍ)を成長する。この時歪多重量子井戸活
性層３は、歪量＋１．２〜＋１．６％、膜厚５〜７ｎｍ
のＩnＧaＡsＰ歪量子井戸層と歪量−０．２から＋０．
２％で膜厚８〜１２ｎｍのＩnＧaＡsＰ障壁層で形成し
た。その後ＣＶＤ法によりＳiＯ2膜を被着しホトリソ工
程を経た後、ＳiＯ2膜をマスクとしてウェットエッチン
グにより図中に示されるような変曲点の無い滑らかな側
面を有するメサストライプを形成する。メサストライプ
はＳiＯ2膜下部が側面からエッチングされＳiＯ2膜がオ
−バ−ハング状になるようにする。また活性層幅は０．
８〜１．４μｍ、メサ深さは２.５〜３．５μｍであ
る。次に、ＳiＯ2膜を被着したまま、有機金属気相成長
法により、メサストライプの側面をｐ-ＩnＰ埋込層５
(キャリア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ０.５〜１μ
ｍ)、ｎ-ＩnＰ埋込層６(キャリア濃度〜２×１０18ｃｍ
-3、厚さ０.５〜１μｍ)、ｐ-ＩnＰ埋込層７(キャリア
濃度〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ１〜３μｍ)、ｎ-ＩnＰ
層８(キャリア濃度〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ〜０.５μ
ｍ)で埋め込み、ｐ／ｎ／ｐ型の電流ブロック層を形成
した。
１．３μｍ帯歪量子井戸半導体レーザに適用したもので
ある。有機金属気相成長法により、ｐ−ＩｎＰ基板１上
にｐ-ＩnＰクラッド層２(キャリア濃度＝１×１０18ｃ
ｍ-3、厚さ２μｍ)を成長した後、アンド-プ歪多重量子
井戸活性層３(波長１.３μｍ、井戸数２〜５)、ｎ-Ｉn
Ｐクラッド層４(キャリア濃度＝１．５×１０18ｃｍ
-3、厚さ１μｍ)を成長する。この時歪多重量子井戸活
性層３は、歪量＋１．２〜＋１．６％、膜厚５〜７ｎｍ
のＩnＧaＡsＰ歪量子井戸層と歪量−０．２から＋０．
２％で膜厚８〜１２ｎｍのＩnＧaＡsＰ障壁層で形成し
た。その後ＣＶＤ法によりＳiＯ2膜を被着しホトリソ工
程を経た後、ＳiＯ2膜をマスクとしてウェットエッチン
グにより図中に示されるような変曲点の無い滑らかな側
面を有するメサストライプを形成する。メサストライプ
はＳiＯ2膜下部が側面からエッチングされＳiＯ2膜がオ
−バ−ハング状になるようにする。また活性層幅は０．
８〜１．４μｍ、メサ深さは２.５〜３．５μｍであ
る。次に、ＳiＯ2膜を被着したまま、有機金属気相成長
法により、メサストライプの側面をｐ-ＩnＰ埋込層５
(キャリア濃度〜１×１０18ｃｍ-3、厚さ０.５〜１μ
ｍ)、ｎ-ＩnＰ埋込層６(キャリア濃度〜２×１０18ｃｍ
-3、厚さ０.５〜１μｍ)、ｐ-ＩnＰ埋込層７(キャリア
濃度〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ１〜３μｍ)、ｎ-ＩnＰ
層８(キャリア濃度〜２×１０18ｃｍ-3、厚さ〜０.５μ
ｍ)で埋め込み、ｐ／ｎ／ｐ型の電流ブロック層を形成
した。
【００１１】次に、ＳiＯ2膜を除去した後、有機金属気
相成長法によりｎ-ＩnＰ平坦化層９(キャリア濃度〜２
×１０18ｃｍ-3、厚さ〜２μｍ)、ｎ-ＩnＧaＡs（Ｐ）
キャップ層１０(キャリア濃度＞５×１０18ｃｍ-3、厚
さ〜０．３μｍ)で平坦に埋め込んだ。以上の有機金属
気相成長法において、ｎ型不純物はＳｉ、ｐ型不純物は
Ｚｎを用いた。その後ＳiＯ2膜１１で電流狭窄を行った
後ｎ電極１２を形成、更に基板側を研磨して基板膜厚１
００μｍ程度にした後ｐ電極１３を蒸着により形成し素
子化を行った。その後、共振器長１７０〜２２０μｍに
劈開し、前端面はＳｉＯ2とＴｉＯ2の周期構造でコーテ
ィングすることにより反射率７０％の高反射率膜を施
し、後端面はＳｉＯ2とアモルファスＳｉの周期構造で
コーティングすることにより反射率９５％の高反射率膜
を施した。
相成長法によりｎ-ＩnＰ平坦化層９(キャリア濃度〜２
×１０18ｃｍ-3、厚さ〜２μｍ)、ｎ-ＩnＧaＡs（Ｐ）
キャップ層１０(キャリア濃度＞５×１０18ｃｍ-3、厚
さ〜０．３μｍ)で平坦に埋め込んだ。以上の有機金属
気相成長法において、ｎ型不純物はＳｉ、ｐ型不純物は
Ｚｎを用いた。その後ＳiＯ2膜１１で電流狭窄を行った
後ｎ電極１２を形成、更に基板側を研磨して基板膜厚１
００μｍ程度にした後ｐ電極１３を蒸着により形成し素
子化を行った。その後、共振器長１７０〜２２０μｍに
劈開し、前端面はＳｉＯ2とＴｉＯ2の周期構造でコーテ
ィングすることにより反射率７０％の高反射率膜を施
し、後端面はＳｉＯ2とアモルファスＳｉの周期構造で
コーティングすることにより反射率９５％の高反射率膜
を施した。
【００１２】本実施例による半導体レ−ザでは、発振波
長１.３μｍ、室温でのしきい電流値１．０〜１．５m
Ａ、スロ−プ効率０.３０〜０．４０mＷ／mＡの低しき
い値、高効率の長波長帯半導体レ−ザを実現できた。
長１.３μｍ、室温でのしきい電流値１．０〜１．５m
Ａ、スロ−プ効率０.３０〜０．４０mＷ／mＡの低しき
い値、高効率の長波長帯半導体レ−ザを実現できた。
【００１３】本発明ではＩｎＧａＡｓＰ系長波長半導体
レ−ザについて説明したが、本材料に限らず、ＩｎＧａ
ＡｌＡｓ系の長波長帯半導体レ−ザにたいしても適用可
能である。さらに、本実施例では、光インタコネクト、
波長多重通信などに使用する半導体レーザアレイについ
て説明したが、単体の半導体レーザ素子への適用につい
ても適用可能であることはいうまでもない。
レ−ザについて説明したが、本材料に限らず、ＩｎＧａ
ＡｌＡｓ系の長波長帯半導体レ−ザにたいしても適用可
能である。さらに、本実施例では、光インタコネクト、
波長多重通信などに使用する半導体レーザアレイについ
て説明したが、単体の半導体レーザ素子への適用につい
ても適用可能であることはいうまでもない。
【００１４】
【発明の効果】本発明では、障壁層膜厚と障壁層歪量を
適切な値に設定することにより、量子井戸層に１．２か
ら１．６％の圧縮歪を有する多重歪量子井戸活性層を形
成でき、１．５ｍＡ以下の低しきい電流で、かつ０．３
０Ｗ／Ａ以上の高いスロープ効率で発振する長波長帯半
導体レーザを提供できる。従って、実際の加入者系光通
信、光インタコネクト等のシステムに適用可能な低動作
電流動作の長波長帯半導体レーザの実現に対して効果が
ある。
適切な値に設定することにより、量子井戸層に１．２か
ら１．６％の圧縮歪を有する多重歪量子井戸活性層を形
成でき、１．５ｍＡ以下の低しきい電流で、かつ０．３
０Ｗ／Ａ以上の高いスロープ効率で発振する長波長帯半
導体レーザを提供できる。従って、実際の加入者系光通
信、光インタコネクト等のシステムに適用可能な低動作
電流動作の長波長帯半導体レーザの実現に対して効果が
ある。
【図１】本発明の実施例を表す構造図。
【図２】本発明の作用を示す図。
【図３】本発明の作用を示す図。
１…ｐ-ＩnＰ基板、２…ｐ-ＩnＰクラッド層、３…歪量
子井戸活性層、４…ｎ-ＩnＰクラッド層、５…ｐ-ＩnＰ
埋込層、６…ｎ-ＩnＰ埋込層、７…ｐ-ＩnＰ層、８…ｎ
-ＩnＰ層、９…ｎ-ＩnＰ平坦化層、１０…ｎ-ＩnＧaＡs
Ｐキャップ層、１１…ＳiＯ2膜、１２…ｎ電極、１３…
ｐ電極。
子井戸活性層、４…ｎ-ＩnＰクラッド層、５…ｐ-ＩnＰ
埋込層、６…ｎ-ＩnＰ埋込層、７…ｐ-ＩnＰ層、８…ｎ
-ＩnＰ層、９…ｎ-ＩnＰ平坦化層、１０…ｎ-ＩnＧaＡs
Ｐキャップ層、１１…ＳiＯ2膜、１２…ｎ電極、１３…
ｐ電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大石 昭夫 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所光技術開発進推本部内 (72)発明者 魚見 和久 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】半導体基板上に、少なくとも光を発生する
活性層と光を閉じ込めるクラッド層と、発生した光から
レーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザ
において、上記活性層が少なくとも一層の歪量子井戸層
と障壁層を有し、該歪量子井戸層の格子定数をａｗ、上
記半導体基板の格子定数をａｓとし、上記歪量子井戸層
の歪量Δａｗ／ａを（ａｗ−ａｓ）／ａｓと定義したと
きに、Δａｗ／ａが＋１．２％≦Δａｗ／ａ≦＋１．６
％、かつ上記障壁層の格子定数をａｂとし、上記障壁層
の歪量Δａｂ／ａを（ａｂ−ａｓ）／ａｓと定義したと
きに、Δａｂ／ａが−０．２％≦Δａｂ／ａ≦＋０．２
％、かつ上記歪量子井戸層の膜厚が５ｎｍから７ｎｍで
あることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
レーザ光の波長が１．２５μｍ〜１．４０μｍの範囲で
あり、かつ上記障壁層の組成波長が室温において１．１
０μｍ〜１．２０μｍであり、かつ上記障壁層の膜厚が
８から１２ｎｍ、かつ上記歪量子井戸層の量子井戸数が
４から６であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】請求項１〜２のいずれかに記載の半導体レ
ーザにおいて、上記半導体基板がｐ型ＩｎＰ基板で、か
つ上記活性層がメサストライプ状に形成され、該メサス
トライプ状の活性領域の側面がｐ／ｎ／ｐ型の電流ブロ
ック層で埋め込まれていることを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レ
ーザにおいて、上記活性層の幅が０．８μｍ〜１．４μ
ｍであることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レ
ーザにおいて、上記共振器の長さが１７０μｍから２２
０μｍ、前端面の反射率をＲｆ、後端面の反射率をＲｒ
とした時に、Ｒｆが６５％≦Ｒｆ≦７５％、Ｒｒが９０
％≦Ｒｒ≦９８％であるであることを特徴とする半導体
レーザ。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の半導体レ
ーザにおいて、上記半導体基板上にメサストライプ状の
活性領域が複数個形成されたアレイ構造になっているこ
とを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3557294A JPH07245448A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3557294A JPH07245448A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245448A true JPH07245448A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12445482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3557294A Pending JPH07245448A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7356061B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Multi-beam semiconductor laser |
-
1994
- 1994-03-07 JP JP3557294A patent/JPH07245448A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7356061B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-04-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Multi-beam semiconductor laser |
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