JPH07245063A - クライストロン装置 - Google Patents
クライストロン装置Info
- Publication number
- JPH07245063A JPH07245063A JP3357694A JP3357694A JPH07245063A JP H07245063 A JPH07245063 A JP H07245063A JP 3357694 A JP3357694 A JP 3357694A JP 3357694 A JP3357694 A JP 3357694A JP H07245063 A JPH07245063 A JP H07245063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- klystron
- drift tube
- electron beam
- klystron device
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、集束磁界の交流又はパルス動作に
よる渦電流の発生を極力抑制し、総合電力効率を高めた
クライストロン装置を提供することを目的とする。 【構成】この発明のクライストロン装置は、電子ビ−ム
路に沿って複数の共振空胴１０がドリフト管１１で連結
され、更に電子ビ−ム路に集束磁界を与えるように磁界
発生装置７が備えられ、且つ共振空胴を形成する空胴壁
１２およびドリフト管が、薄肉導体１１ａ，１２ａ又は
導体めっきが施された絶縁体１１ｂ，１２ｂからなり、
上記の目的を達成することが出来る。
よる渦電流の発生を極力抑制し、総合電力効率を高めた
クライストロン装置を提供することを目的とする。 【構成】この発明のクライストロン装置は、電子ビ−ム
路に沿って複数の共振空胴１０がドリフト管１１で連結
され、更に電子ビ−ム路に集束磁界を与えるように磁界
発生装置７が備えられ、且つ共振空胴を形成する空胴壁
１２およびドリフト管が、薄肉導体１１ａ，１２ａ又は
導体めっきが施された絶縁体１１ｂ，１２ｂからなり、
上記の目的を達成することが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はクライストロン装置に
係り、特にその高周波作用部の改良に関する。
係り、特にその高周波作用部の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、クライストロン装置は、電子ビ
−ムが発生される電子銃部と、複数の共振空胴がドリフ
ト管で連結された高周波作用部と、高周波エネルギが取
り出される出力導波管部と、用済み後の電子ビ−ムが捕
獲されるコレクタ部と、電子ビ−ムが集束される磁界発
生装置とからなっている。
−ムが発生される電子銃部と、複数の共振空胴がドリフ
ト管で連結された高周波作用部と、高周波エネルギが取
り出される出力導波管部と、用済み後の電子ビ−ムが捕
獲されるコレクタ部と、電子ビ−ムが集束される磁界発
生装置とからなっている。
【０００３】このようなクライストロン装置の主要部
は、従来、図３に示すように構成され、図中の符号１は
電子銃部であり、２はカソ−ドである。そして、電子銃
部１には、複数の共振空胴３がドリフト管４で連結され
た高周波作用部５とコレクタ部６が順次連結されてい
る。更に、高周波作用部５の外側には、磁界発生装置例
えば電磁石コイル７が配設されている。尚、８は電子ビ
−ムである。又、出力導波管部は図示を省略している。
は、従来、図３に示すように構成され、図中の符号１は
電子銃部であり、２はカソ−ドである。そして、電子銃
部１には、複数の共振空胴３がドリフト管４で連結され
た高周波作用部５とコレクタ部６が順次連結されてい
る。更に、高周波作用部５の外側には、磁界発生装置例
えば電磁石コイル７が配設されている。尚、８は電子ビ
−ムである。又、出力導波管部は図示を省略している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、クライスト
ロン装置の動作は連続波型，パルス型の２種類に大別出
来る。高電圧電源，励振器はそれぞれの動作環境に合わ
せて、連続もしくはパルス動作を行う。しかし、電磁石
コイル７の動作には、動作環境に関係なく定常電源を使
用している。これは時間的に変化する磁界を使用した場
合、クライストロン装置を構成する導体内部に生ずる渦
電流に起因する逆磁界により、必要とする磁界分布が得
難いためである。
ロン装置の動作は連続波型，パルス型の２種類に大別出
来る。高電圧電源，励振器はそれぞれの動作環境に合わ
せて、連続もしくはパルス動作を行う。しかし、電磁石
コイル７の動作には、動作環境に関係なく定常電源を使
用している。これは時間的に変化する磁界を使用した場
合、クライストロン装置を構成する導体内部に生ずる渦
電流に起因する逆磁界により、必要とする磁界分布が得
難いためである。
【０００５】通常、クライストロン装置の効率を問題に
する場合は、クライストロンのビ−ム電力と高周波出力
で判断し、カソ−ドヒ−タ入力電力，励振入力電力，電
磁石通電電力等は考慮していない。連続波動作型クライ
ストロン装置では、クライストロンのビ−ム電力と比較
して後者の消費電力は数％程度のため、クライストロン
の効率をクライストロン装置の総合効率と考えて問題な
い。しかし、パルス動作型の場合、特に電磁石通電電力
はクライストロン・ビ−ム電力の５〜２５％以上を消費
する。このため、クライストロン装置の総合効率はクラ
イストロンの効率より数〜１０数％以上減少する。特
に、動作周波数が高い方（Ｘバンド）が顕著である。
する場合は、クライストロンのビ−ム電力と高周波出力
で判断し、カソ−ドヒ−タ入力電力，励振入力電力，電
磁石通電電力等は考慮していない。連続波動作型クライ
ストロン装置では、クライストロンのビ−ム電力と比較
して後者の消費電力は数％程度のため、クライストロン
の効率をクライストロン装置の総合効率と考えて問題な
い。しかし、パルス動作型の場合、特に電磁石通電電力
はクライストロン・ビ−ム電力の５〜２５％以上を消費
する。このため、クライストロン装置の総合効率はクラ
イストロンの効率より数〜１０数％以上減少する。特
に、動作周波数が高い方（Ｘバンド）が顕著である。
【０００６】この発明は、以上のような不都合を解決す
るものであり、非定常磁界動作時に導体内部に発生する
渦電流を極力抑制し、総合電力効率を高め、パルス動作
にも好適なクライストロン装置を提供することを目的と
する。
るものであり、非定常磁界動作時に導体内部に発生する
渦電流を極力抑制し、総合電力効率を高め、パルス動作
にも好適なクライストロン装置を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、電子ビ−ム
路に沿って複数の共振空胴がドリフト管で連結され、更
に電子ビ−ム路に集束磁界を与えるように磁界発生装置
が備えられたクライストロン装置において、共振空胴を
形成する空胴壁およびドリフト管が、薄肉導体又は導体
めっきが施された絶縁体からなるクライストロン装置で
ある。
路に沿って複数の共振空胴がドリフト管で連結され、更
に電子ビ−ム路に集束磁界を与えるように磁界発生装置
が備えられたクライストロン装置において、共振空胴を
形成する空胴壁およびドリフト管が、薄肉導体又は導体
めっきが施された絶縁体からなるクライストロン装置で
ある。
【０００８】
【作用】この発明によれば、非定磁界場動作で問題とな
る渦電流の影響を極力抑えることが可能となり、集束磁
界をパルス又は交流動作させることが出来る。従って、
電磁石通電電力を減少出来、クライストロン装置の総合
効率が向上する。
る渦電流の影響を極力抑えることが可能となり、集束磁
界をパルス又は交流動作させることが出来る。従って、
電磁石通電電力を減少出来、クライストロン装置の総合
効率が向上する。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の一実施例
を詳細に説明する。即ち、この発明によるクライストロ
ン装置は図１に示すように構成され、従来例（図３）と
同一箇所は同一符号を付すことにすると、図中の符号１
は電子銃部であり、２はカソ−ドである。この電子銃部
１には、高周波作用部９とコレクタ部６が順次連結され
ている。この場合、高周波作用部９は複数の共振空胴１
０がドリフト管１１で連結されてなっているが、この発
明ではドリフト管１１および共振空胴１０を形成する空
胴壁１２が、それぞれ母材である絶縁体１１ｂ，１２ｂ
と薄肉導体１１ａ，１２ａとからなっている。更に、こ
の高周波作用部９の外側には、磁界発生装置例えば電磁
石コイル７が配設されている。
を詳細に説明する。即ち、この発明によるクライストロ
ン装置は図１に示すように構成され、従来例（図３）と
同一箇所は同一符号を付すことにすると、図中の符号１
は電子銃部であり、２はカソ−ドである。この電子銃部
１には、高周波作用部９とコレクタ部６が順次連結され
ている。この場合、高周波作用部９は複数の共振空胴１
０がドリフト管１１で連結されてなっているが、この発
明ではドリフト管１１および共振空胴１０を形成する空
胴壁１２が、それぞれ母材である絶縁体１１ｂ，１２ｂ
と薄肉導体１１ａ，１２ａとからなっている。更に、こ
の高周波作用部９の外側には、磁界発生装置例えば電磁
石コイル７が配設されている。
【００１０】（変形例）図２はこの発明の変形例を示し
たもので、隣接する共振空胴１０で囲まれた絶縁体１２
ｂに磁界発生装置である電磁石コイル１３が一体に埋設
されている。この結果、上記実施例と同様効果が得られ
ると共に更に小形化が可能である。
たもので、隣接する共振空胴１０で囲まれた絶縁体１２
ｂに磁界発生装置である電磁石コイル１３が一体に埋設
されている。この結果、上記実施例と同様効果が得られ
ると共に更に小形化が可能である。
【００１１】尚、上記実施例および変形例では、薄肉導
体１１ａ，１２ａを使用したが、薄肉導体１１ａ，１２
ａの代りに母材である絶縁体１１ｂ，１２ｂに導体めっ
きを施しても良い。
体１１ａ，１２ａを使用したが、薄肉導体１１ａ，１２
ａの代りに母材である絶縁体１１ｂ，１２ｂに導体めっ
きを施しても良い。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、高周波作用部の共振
空胴を形成する空胴壁およびドリフト管が薄肉導体又は
導体めっきが施された絶縁体からなっているので、非定
常磁界動作で問題となる渦電流の影響を極力抑えること
が可能となり、集束磁界をパルス又は交流動作させるこ
とが出来る。更に、電磁石通電電力を減少出来、クライ
ストロン装置の総合効率が向上する。
空胴を形成する空胴壁およびドリフト管が薄肉導体又は
導体めっきが施された絶縁体からなっているので、非定
常磁界動作で問題となる渦電流の影響を極力抑えること
が可能となり、集束磁界をパルス又は交流動作させるこ
とが出来る。更に、電磁石通電電力を減少出来、クライ
ストロン装置の総合効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係るクライストロン装置
を示す縦断面図。
を示す縦断面図。
【図２】この発明の変形例に係るクライストロン装置を
示す縦断面図。
示す縦断面図。
【図３】従来のクライストロン装置を示す縦断面図。
１…電子銃部、２…カソ−ド、６…コレクタ部、７，１
３…電磁石コイル（磁界発生装置）、９…高周波作用
部、１０共振空胴、１１…ドリフト管、１２…空胴壁、
１１ａ，１２ａ…薄肉導体、１１ｂ，１２ｂ…絶縁体。
３…電磁石コイル（磁界発生装置）、９…高周波作用
部、１０共振空胴、１１…ドリフト管、１２…空胴壁、
１１ａ，１２ａ…薄肉導体、１１ｂ，１２ｂ…絶縁体。
Claims (1)
- 【請求項１】 電子ビ−ム路に沿って複数の共振空胴が
ドリフト管で連結され、更に上記電子ビ−ム路に集束磁
界を与えるように磁界発生装置が備えられたクライスト
ロン装置において、 上記共振空胴を形成する空胴壁および上記ドリフト管
が、薄肉導体又は導体めっきが施された絶縁体からなる
ことを特徴とするクライストロン装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3357694A JPH07245063A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | クライストロン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3357694A JPH07245063A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | クライストロン装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245063A true JPH07245063A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12390366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3357694A Pending JPH07245063A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | クライストロン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245063A (ja) |
-
1994
- 1994-03-03 JP JP3357694A patent/JPH07245063A/ja active Pending
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