JPH07244614A - Memory access system - Google Patents

Memory access system

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Publication number
JPH07244614A
JPH07244614A JP6032162A JP3216294A JPH07244614A JP H07244614 A JPH07244614 A JP H07244614A JP 6032162 A JP6032162 A JP 6032162A JP 3216294 A JP3216294 A JP 3216294A JP H07244614 A JPH07244614 A JP H07244614A
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JP
Japan
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data
volatile memory
memory
nonvolatile memory
writing
Prior art date
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Pending
Application number
JP6032162A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Kataoka
稔 片岡
Shoichi Otsuka
昭一 大塚
Koushin Irie
厚神 入江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fanuc Corp
Original Assignee
Fanuc Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH07244614A publication Critical patent/JPH07244614A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide the memory access system which can hold data even when the power source is turned OFF and also enables fast access. CONSTITUTION:A volatile memory 2 has enough capacity to store the protection data 11 in a nonvolatile memory 1 and a transfer means 3 transfers the protection data 11 to the nonvolatile memory when the power source is turned ON. Then a request to read the protection data is made by a processor or other devices to the volatile memory 2. In a buffer 6 provided so as to speed up writing to the nonvolatile memory 1, data can be written faster than in the nonvolatile memory 1, and alteration data 4 written in the nonvolatile memory 1 can temporarily be stored. A writing means 5 when altering the protection data writes the alteration data 4 in the volatile memory 2 and also writes the data in the nonvolatile memory 1 as well through the buffer 6. Consequently, the protection data 21 in the volatile memory 2 can be accessed fast and when the power source is OFF, the protection data 11 are held in the nonvolatile memory 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はバッテリにより各種デー
タを保持する不揮発性メモリを備えたデータ処理装置の
メモリアクセス方式に関し、特に不揮発性メモリに対す
るアクセス速度を改善したメモリアクセス方式に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory access method for a data processing device having a non-volatile memory for holding various data by a battery, and more particularly to a memory access method for improving the access speed to the non-volatile memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、数値制御装置はデータ記憶のため
各種のメモリを備えている。数値制御装置で記憶されて
いるデータには、システム制御用プログラムの他に、各
種パラメータ、工具データ、機械の可動記録等、長期に
わたって使用されるデータがある。そのようなデータは
電源切断時においてもデータを保持する必要がある。
(以後、これらの保持すべきデータを保護データと呼
ぶ。)そのため、保護データを記憶するためのメモリと
して、バッテリによってバックアップされた不揮発性メ
モリが使用されている。この不揮発性メモリに記憶され
た保護データは、そのデータに変更が生じるたびに書き
変えられ、更新される。(以後、不揮発性メモリとはバ
ッテリによってバックアップされた不揮発性メモリを指
す。) この不揮発性メモリ内の保護データに書き込みを行うの
は、数値制御装置のプロセッサだけではなく、数値制御
装置に接続されたプログラマブルコントローラ(PC)
等のバスマスタになることのできる外部装置がデータを
書き込む場合もある。どの装置に書き込みを許可するか
は、メモリコントローラが制御している。
2. Description of the Related Art Conventionally, numerical control devices have various memories for storing data. The data stored in the numerical control device includes, in addition to the system control program, various parameters, tool data, machine movement records, and other data used for a long period of time. Such data needs to be retained even when the power is turned off.
(Hereinafter, these data to be held are referred to as protected data.) Therefore, as a memory for storing the protected data, a non-volatile memory backed up by a battery is used. The protected data stored in the non-volatile memory is rewritten and updated every time the data is changed. (Hereinafter, non-volatile memory refers to non-volatile memory backed up by a battery.) It is not only the processor of the numerical control device that writes the protected data in this non-volatile memory, but it is connected to the numerical control device. Programmable controller (PC)
In some cases, an external device such as a bus master may write data. The memory controller controls which device is allowed to write.

【0003】また、不揮発性メモリ内の保護データを電
源投入と同時に揮発性メモリに転送し、揮発性メモリに
対しアクセスさせる場合もある。
In some cases, the protected data in the non-volatile memory is transferred to the volatile memory at the same time when the power is turned on, and the volatile memory is accessed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、不揮発性メモ
リのアクセス速度は一般的に85ns〜100ns程度
である。これに対し数値制御装置のプロセッサの1サイ
クルの処理速度は30ns、あるいはそれ以上である。
このように、不揮発性メモリのアクセス速度は非常に低
速である。そのため、プロセッサが不揮発性メモリにア
クセスするときには、プロセッサはアクセスが終了する
まで待たされていた。その結果、不揮発性メモリのアク
セス速度の遅さが装置全体の処理速度の高速化を妨げて
しまっている。
However, the access speed of the non-volatile memory is generally about 85 ns to 100 ns. On the other hand, the processing speed of one cycle of the processor of the numerical control device is 30 ns or more.
Thus, the access speed of the non-volatile memory is very low. Therefore, when the processor accesses the nonvolatile memory, the processor is kept waiting until the access is completed. As a result, the slow access speed of the non-volatile memory hinders an increase in the processing speed of the entire device.

【0005】また、数値制御装置のプロセッサと、プロ
グラマブルコントローラ(PC)が同時に不揮発性メモ
リに対しアクセス要求を出した場合、一方がアクセスし
ている間は、もう一方は不揮発性メモリにアクセスでき
ず待たされてしまう。
Further, when the processor of the numerical controller and the programmable controller (PC) simultaneously issue access requests to the nonvolatile memory, while one is accessing, the other cannot access the nonvolatile memory. I will be kept waiting.

【0006】そして、プロセッサの処理速度が高速にな
るに従い、プロセッサの処理速度と不揮発性メモリのア
クセス速度との差が広がってきている。さらに、数値制
御装置が高機能になり、幾種類もの外部装置が不揮発性
メモリに対しアクセスをするため、アクセス要求の衝突
が頻繁に発生するようになってきている。よって、プロ
セッサの高速化や数値制御装置の高機能化にともなっ
た、不揮発性メモリの高速化が強く求められている。
As the processing speed of the processor becomes faster, the difference between the processing speed of the processor and the access speed of the non-volatile memory is getting wider. Further, since the numerical control device is highly functional and various kinds of external devices access the non-volatile memory, collisions of access requests are frequently occurring. Therefore, there is a strong demand for speeding up of the non-volatile memory with the speeding up of the processor and the sophistication of the numerical controller.

【0007】なお、高速のアクセスが可能な不揮発性メ
モリもあるが非常に高価である。また、揮発性メモリは
高速ページモードを使用すれば20〜30nsでのアク
セスが可能であり、不揮発性メモリ内の保護データを揮
発性メモリに転送して、揮発性メモリに対してアクセス
をすれば高速のアクセスが可能となるが、この場合停電
等の不慮の事故の際にデータが破壊されてしまう。
There is a non-volatile memory which can be accessed at high speed, but it is very expensive. The volatile memory can be accessed in 20 to 30 ns by using the fast page mode. If the protected data in the nonvolatile memory is transferred to the volatile memory and the volatile memory is accessed, High-speed access is possible, but in this case the data will be destroyed in the event of an accident such as a power failure.

【0008】このように、不慮の事故の際にもデータを
保持することができる安価な不揮発性メモリに対し、高
速にアクセスすることができないという問題点があっ
た。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであ
り、電源切断時にもデータを保持することができ、しか
も高速にアクセスすることができるメモリアクセス方式
を提供することを目的とする。
As described above, there is a problem in that an inexpensive nonvolatile memory that can retain data even in the case of an accident cannot be accessed at high speed. The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a memory access method capable of retaining data even when the power is turned off and enabling high-speed access.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、バッテリにより各種データを保持する不
揮発性メモリを備えたデータ処理装置のメモリアクセス
方式において、保護データを格納し、前記不揮発性メモ
リより高速にアクセス可能な揮発性メモリと、電源投入
時に前記保護データを前記揮発性メモリに転送する転送
手段と、前記不揮発性メモリよりも高速にデータを書き
込むことができ、前記保護データを変更するための変更
データを一時的に格納できるバッファと、前記変更デー
タを、前記揮発性メモリに書き込むとともに、前記バッ
ファを介して前記不揮発性メモリにも書き込む書込手段
と、を有することを特徴とするメモリアクセス方式が提
供される。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention stores a protected data in a memory access system of a data processing device having a non-volatile memory for holding various data by a battery, Volatile memory that can be accessed faster than a non-volatile memory, transfer means that transfers the protection data to the volatile memory when power is turned on, and data can be written at a higher speed than the non-volatile memory. A buffer capable of temporarily storing change data for changing, and a writing unit that writes the change data in the volatile memory and also writes the change data in the nonvolatile memory via the buffer. A memory access method is provided.

【0010】[0010]

【作用】電源投入時に転送手段が保護データを揮発性メ
モリに転送する。そして、揮発性メモリは、プロセッサ
または他の装置から保護データに対する読み取り要求が
あると保護データを出力する。
When the power is turned on, the transfer means transfers the protected data to the volatile memory. Then, the volatile memory outputs the protected data when there is a read request for the protected data from the processor or another device.

【0011】不揮発性メモリに対する書き込みを高速す
るために設けられたバッファは、不揮発性メモリよりも
高速にデータを書き込むことができ、不揮発性メモリに
書き込まれる変更データを一時的に格納することができ
る。
The buffer provided for speeding up the writing to the non-volatile memory can write the data faster than the non-volatile memory, and can temporarily store the change data to be written in the non-volatile memory. .

【0012】書込手段は、保護データを変更するとき
に、変更データを、揮発性メモリに書き込むとともに、
バッファを介して不揮発性メモリにも書き込む。これに
よって、保護データに高速にアクセスすることができ、
揮発性メモリ内の保護データと不揮発性メモリ内の保護
データとが同一に保たれる。
The writing means writes the changed data to the volatile memory when changing the protected data, and
It also writes to the non-volatile memory via the buffer. This gives you fast access to protected data,
The protected data in the volatile memory and the protected data in the non-volatile memory are kept the same.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明の概略構成を示すブロック図であ
る。不揮発性メモリ1はバッテリによってバックアップ
されており、保護データ11が格納されている。この保
護データ11は、各種パラメータ、工具データ、機械の
可動記録等、長期にわたって使用されるデータである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of the present invention. The non-volatile memory 1 is backed up by a battery, and the protected data 11 is stored therein. The protection data 11 is data used for a long time such as various parameters, tool data, machine movement record, and the like.

【0014】揮発性メモリ2は、不揮発性メモリ1に比
べ高速のアクセスが可能であり、保護データ11が十分
格納できるような記憶容量をもっている。そして、転送
手段3によって、保護データ11が揮発性メモリ2に転
送される。この転送手段3は、プロセッサが必要に応じ
て実行するか、あるいは電源投入時に自動的に転送する
ようなコントローラを設けることもできる。
The volatile memory 2 can be accessed at a higher speed than the non-volatile memory 1 and has a storage capacity enough to store the protected data 11. Then, the transfer means 3 transfers the protected data 11 to the volatile memory 2. The transfer means 3 may be provided with a controller that is executed by a processor as needed or automatically transferred when the power is turned on.

【0015】以後、電源が入っているあいだは、揮発性
メモリ2は転送された保護データ21を格納しており、
プロセッサからのアクセス要求や、他の装置からのDM
A(ダイレクト・メモリ・アクセス)等のアクセス要求
は、揮発性メモリ2内の保護データ21にアクセスされ
る。なお、この揮発性メモリ2は、プロセッサが各種デ
ータを処理する際の作業領域と兼用で使用することもで
きる。つまり、揮発性メモリ2の一部を保護データ21
の格納領域として使用し、他の部分は各種データや入出
力信号等を一時的に格納する汎用的な目的で使用でき
る。
After that, while the power is on, the volatile memory 2 stores the transferred protected data 21,
Access request from processor and DM from other device
An access request such as A (direct memory access) accesses the protected data 21 in the volatile memory 2. The volatile memory 2 can also be used as a work area when the processor processes various data. That is, a part of the volatile memory 2 is protected by the protected data 21.
Other storage areas can be used for general purpose to temporarily store various data, input / output signals, and the like.

【0016】これで、保護データ21を揮発性メモリ2
から高速に読み出すことができるようになる。書込手段
5は、保護データ11、21を書き換えるための変更デ
ータ4が送られると、揮発性メモリ2の該当部分を書き
換えるとともに、バッファ6を介して不揮発性メモリ1
にも書き込みを行う。この書込手段5は、後述するメモ
リコントローラが実行する。この際、不揮発性メモリ1
内の保護データ11と揮発性メモリ2内の保護データ2
1とを、同一のメモリアドレス空間に配置することによ
って、変更データ4の書き込みを容易にすることができ
る。
Now, the protected data 21 is stored in the volatile memory 2
Can be read at high speed. When the change data 4 for rewriting the protected data 11 and 21 is sent, the writing means 5 rewrites the corresponding portion of the volatile memory 2 and also the nonvolatile memory 1 via the buffer 6.
Also write. This writing means 5 is executed by a memory controller described later. At this time, the nonvolatile memory 1
Protected data 11 inside and protected data 2 inside volatile memory 2
By arranging 1 and 1 in the same memory address space, the writing of the change data 4 can be facilitated.

【0017】バッファ6は、不揮発性メモリ1よりも高
速にデータの書き込みや読み取りができる一時的な記憶
領域を持っている。このバッファ6は、プロセッサや他
の装置から送られてきた変更データ4が高速に書き込ま
れ、書き込み終了の信号を出力する。それによって、プ
ロセッサや他の装置はすぐに次の命令に実行を移せる。
そして、バッファ6内に格納された変更データ61は、
書込手段5によって不揮発性メモリ1のアクセス速度に
あわせて、不揮発性メモリ1に書き込まれる。
The buffer 6 has a temporary storage area in which data can be written and read at a higher speed than the nonvolatile memory 1. The change data 4 sent from the processor or another device is written into the buffer 6 at high speed, and a write end signal is output. This allows the processor or other device to immediately shift execution to the next instruction.
Then, the change data 61 stored in the buffer 6 is
The writing means 5 writes the data in the nonvolatile memory 1 in accordance with the access speed of the nonvolatile memory 1.

【0018】これで、高速の書き込みが可能になり、し
かも不揮発性メモリ1内の保護データ11と揮発性メモ
リ2内の保護データ21とは、常に同一に保たれる。図
2は本発明を実施するための数値制御装置の概略構成図
である。プロセッサ70は数値制御装置全体を制御す
る。不揮発性メモリ1はCMOS(相補形金属酸化膜半
導体)を用いたメモリであり、バッテリ73によってバ
ックアップされている。そして、各種パラメータ、工具
データ、ピッチ誤差補正データ等、長期にわたって使用
される保護データを格納している。この不揮発性メモリ
1への入力はライトバッファ6aを介して入力されてお
り、このライトバッファ6aは不揮発性メモリ1に書き
込まれる変更データが高速に書き込まれ、一時的に格納
する。格納された変更データは、不揮発性メモリ1の取
り込み速度に合わせて不揮発性メモリ1に書き込まれ
る。
This enables high-speed writing, and the protected data 11 in the non-volatile memory 1 and the protected data 21 in the volatile memory 2 are always kept the same. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a numerical controller for carrying out the present invention. The processor 70 controls the entire numerical controller. The non-volatile memory 1 is a memory using CMOS (complementary metal oxide semiconductor) and is backed up by a battery 73. It also stores various parameters, tool data, pitch error correction data, and other protection data used for a long period of time. The input to the non-volatile memory 1 is input via the write buffer 6a, and the change data written in the non-volatile memory 1 is written into the non-volatile memory 1 at high speed and temporarily stored therein. The stored change data is written in the non-volatile memory 1 according to the loading speed of the non-volatile memory 1.

【0019】揮発性メモリ2は、DRAM(ダイナミッ
クRAM)やSRAM(スタティックRAM)が使用さ
れ、不揮発性メモリ1より大きな記憶容量をもつ。この
揮発性メモリ2には、入出力信号等の一時的なデータと
して使用されるとともに、不揮発性メモリ1内の保護デ
ータを格納する。
The volatile memory 2 uses DRAM (dynamic RAM) or SRAM (static RAM) and has a larger storage capacity than the non-volatile memory 1. The volatile memory 2 is used as temporary data such as an input / output signal and stores the protected data in the nonvolatile memory 1.

【0020】メモリコントローラ71は、不揮発性メモ
リ1や揮発性メモリ2の入出力を管理している。そし
て、電源投入時にプロセッサ70から、不揮発性メモリ
1内の保護データを揮発性メモリ2に転送するように指
令されると、保護データの転送を行う。また、プロセッ
サからの揮発性メモリ2への書き込み命令が、保護デー
タを書き換えるものであった際には、変更データを揮発
性メモリ2とライトバッファ6aとに並行して書き込み
を行う。
The memory controller 71 manages input / output of the nonvolatile memory 1 and the volatile memory 2. When the processor 70 issues an instruction to transfer the protected data in the nonvolatile memory 1 to the volatile memory 2 when the power is turned on, the protected data is transferred. When the write command from the processor to the volatile memory 2 is to rewrite the protected data, the changed data is written in the volatile memory 2 and the write buffer 6a in parallel.

【0021】この数値制御装置には、PMC(プログラ
マブル・マシン・コントローラ)74が設けられてお
り、バス76を介してプロセッサ70やメモリ等と接続
されている。PMC74はバス76経由でT機能信号
(工具選択指令)等を受け取り、この信号をシーケンス
・プログラムで処理し、動作指令として信号を出力し、
工作機械を制御する。
This numerical controller is provided with a PMC (Programmable Machine Controller) 74, which is connected to a processor 70, a memory and the like via a bus 76. The PMC 74 receives a T function signal (tool selection command) or the like via the bus 76, processes this signal with a sequence program, and outputs a signal as an operation command.
Control machine tools.

【0022】このPMC74は、バス76のバスマスタ
になることができる。バスマスタになっている間は、バ
ス76を制御することができ、プロセッサを介さず、揮
発性メモリ2や不揮発性メモリ1にアクセスすることが
可能である。なお、どの装置にメモリアクセスを許可す
るかは、メモリコントローラ71が管理している。
The PMC 74 can be a bus master of the bus 76. While being the bus master, the bus 76 can be controlled, and the volatile memory 2 and the non-volatile memory 1 can be accessed without going through the processor. The memory controller 71 manages which device is permitted to access the memory.

【0023】このように、ハードウェア的には従来の数
値制御装置にライトバッファ6aをさらに設けるだけで
良いため、容易にしかも安価に本発明を実施することが
できる。
As described above, in terms of hardware, since it is only necessary to additionally provide the write buffer 6a in the conventional numerical control device, the present invention can be implemented easily and at low cost.

【0024】図3はライトバッファの書き込み動作を説
明するブロック図である。このブロック図は、変更デー
タをライトバッファ6aに出力するプロセッサ70と、
受け取ったデータを一端格納した後、不揮発性メモリ1
に出力するライトバッファ6aと、ライトバッファ6a
から出力された変更データを格納する不揮発性メモリ1
と、これらの動作を制御するメモリコントローラ71と
で構成されている。ライトバッファ6aは揮発性メモリ
2(図1に示す)と同等か、あるいはそれ以上の速度で
データを書き込むことができるメモリを使用する。例え
ば、DRAM(ダイナミックRAM)またはSRAM
(スタティックRAM)を用いる。図中のライトバッフ
ァ6a内に区分けされた1つの領域が1バイトであり、
ライトバッファ6aには4バイトのデータを4個格納す
ることができる。そして、斜線部分はすでに変更データ
4a,4bが格納されている領域であり、空白の部分が
空き領域62である。
FIG. 3 is a block diagram for explaining the write operation of the write buffer. This block diagram shows a processor 70 that outputs changed data to the write buffer 6a,
After storing the received data once, the nonvolatile memory 1
Write buffer 6a for outputting to
Non-volatile memory 1 for storing change data output from
And a memory controller 71 that controls these operations. The write buffer 6a uses a memory capable of writing data at a speed equal to or higher than that of the volatile memory 2 (shown in FIG. 1). For example, DRAM (dynamic RAM) or SRAM
(Static RAM) is used. One area divided in the write buffer 6a in the figure is 1 byte,
Four 4-byte data can be stored in the write buffer 6a. The shaded area is the area in which the modified data 4a and 4b are already stored, and the blank area is the empty area 62.

【0025】プロセッサ70から変更データの書き込み
要求があると、メモリコントローラ71はライトバッフ
ァ6aに空き領域62があることを確認し、プロセッサ
70に書き込み可能であることを知らせる。そして、プ
ロセッサ70は書き込みを行う。この際、図示していな
い揮発性メモリ2(図1に示す)にも並行して書き込み
を行う。プロセッサ70は、ライトバッファ6aへの書
き込みが終了するとすぐに、次の命令を実行する。
When a change data write request is issued from the processor 70, the memory controller 71 confirms that there is a free area 62 in the write buffer 6a and informs the processor 70 that writing is possible. Then, the processor 70 performs writing. At this time, writing is also performed in parallel to the volatile memory 2 (not shown) (shown in FIG. 1). The processor 70 executes the next instruction as soon as the writing to the write buffer 6a is completed.

【0026】ライトバッファ6aに変更データ4a,4
bが格納されると、メモリコントローラ71は不揮発性
メモリ1にこの変更データ4a,4bを順次書き込んで
いく。
Change data 4a, 4 in the write buffer 6a
When b is stored, the memory controller 71 sequentially writes the change data 4a and 4b in the nonvolatile memory 1.

【0027】このようにして、プロセッサ70は高速に
変更データを出力し、次の命令を実行することができ、
ライトバッファ6aに格納された変更データ4a,4b
は不揮発性メモリ1の書き込み速度にあわせて、不揮発
性メモリ1に格納することができる。
In this way, the processor 70 can output the modified data at high speed and execute the next instruction,
Change data 4a, 4b stored in the write buffer 6a
Can be stored in the non-volatile memory 1 according to the writing speed of the non-volatile memory 1.

【0028】なお、プロセッサ70が4バイトのデータ
を4個づつ出力するような設計の場合には、ライトバッ
ファ6aに4バイト×4の空き領域ができるのをまっ
て、変更データを出力する。
In the case where the processor 70 is designed to output four 4-byte data each, the write buffer 6a waits for an empty area of 4 bytes × 4 and outputs the changed data.

【0029】図4は本発明を一つのIC(集積回路)で
実施するための数値制御装置の概略構成図である。この
図において、図2の数値制御装置と大きく相違する点
は、不揮発性メモリ1と、揮発性メモリ2との間にライ
トバッファ6aが設けられており、それらは一つのIC
76内で構成されいる。さらに、データの転送を管理す
る内部メモリコントローラ71aをIC76内部に設け
たことにある。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a numerical controller for implementing the present invention with one IC (integrated circuit). In this figure, a big difference from the numerical controller of FIG. 2 is that a write buffer 6a is provided between the non-volatile memory 1 and the volatile memory 2, and these write buffers 6a are one IC.
It is composed within 76. Further, an internal memory controller 71a for managing data transfer is provided inside the IC 76.

【0030】IC76内において、内部メモリコントロ
ーラ71aは電源が投入されると不揮発性メモリ1内の
保護データを揮発性メモリ2に転送する。さらに、揮発
性メモリ2に格納された保護データが、変更されると直
ぐにその変更データをライトバッファ6aに書き込む。
そして、その変更データを不揮発性メモリ1の速度にあ
わせて、不揮発性メモリ1に書き込む。この不揮発性メ
モリ1はバッテリ73によってバックアップされてい
る。
In the IC 76, the internal memory controller 71a transfers the protected data in the nonvolatile memory 1 to the volatile memory 2 when the power is turned on. Furthermore, as soon as the protected data stored in the volatile memory 2 is changed, the changed data is written in the write buffer 6a.
Then, the changed data is written in the nonvolatile memory 1 according to the speed of the nonvolatile memory 1. The nonvolatile memory 1 is backed up by the battery 73.

【0031】プロセッサ70が、揮発性メモリ2内の保
護データへの書き込み要求を出すと、メモリコントロー
ラ71は揮発性メモリ2に書き込みを行う。また、工作
機械75を制御するPMC74が、バス76を介して揮
発性メモリ2内の保護データを変更する場合も同様であ
る。
When the processor 70 issues a write request to the protected data in the volatile memory 2, the memory controller 71 writes to the volatile memory 2. The same applies when the PMC 74 controlling the machine tool 75 changes the protection data in the volatile memory 2 via the bus 76.

【0032】このようにして、電源投入時の保護データ
の揮発性メモリ2への転送や、変更データの不揮発性メ
モリ1への転送を、IC76内部だけで実施することが
できる。そのため、プロセッサ70やPMC74からは
通常の揮発性メモリとして扱うことができ、高速にアク
セスが可能であり、しかも保護データは不揮発性メモリ
1内に電源切断時にも保持される。
In this way, the transfer of the protected data to the volatile memory 2 and the transfer of the changed data to the non-volatile memory 1 when the power is turned on can be carried out only inside the IC 76. Therefore, it can be handled as a normal volatile memory from the processor 70 and the PMC 74, can be accessed at high speed, and the protected data is retained in the nonvolatile memory 1 even when the power is turned off.

【0033】従って、従来の数値制御装置の揮発性メモ
リを本発明のIC76に変えることによって、他の装置
やプログラムを変更する必要がなく、容易に電源切断時
にもデータを保持できる高速アクセス可能なメモリを構
成することができる。
Therefore, by changing the volatile memory of the conventional numerical control device to the IC 76 of the present invention, it is not necessary to change other devices and programs, and data can be easily retained even when the power is turned off and high speed access is possible. The memory can be configured.

【0034】図4の説明ではライトバッファ6aは、揮
発性メモリ2と不揮発性メモリ1との間に設けられてい
るが、図2のようにプロセッサ70から直接ライトバッ
ファ6aに書き込めるような構成を、一つのIC内に設
けることもできる。この場合、内部メモリコントローラ
は、揮発性メモリ2の入力側に設けられ揮発性メモリ2
に入力されるデータを管理し、変更データの入力がある
と並行して不揮発性メモリ1への転送を行う。
In the description of FIG. 4, the write buffer 6a is provided between the volatile memory 2 and the non-volatile memory 1. However, as shown in FIG. 2, the processor 70 can directly write to the write buffer 6a. , Can be provided in one IC. In this case, the internal memory controller is provided on the input side of the volatile memory 2 and
The data input to the non-volatile memory 1 is managed in parallel with the input of change data.

【0035】また、上記の説明では数値制御装置を想定
して説明したが、本発明はプログラマブル・コントロー
ラ、ロボット制御装置、および汎用の目的に使用される
コンピュータでも同様に実施することができる。
Further, although the above description has been made assuming a numerical controller, the present invention can be similarly implemented in a programmable controller, a robot controller, and a computer used for general purposes.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では電源投
入時に保護データを揮発性メモリに転送し、保護データ
の読み取りを揮発性メモリに対して行わせ、変更データ
の書き込みは揮発性メモリと不揮発性メモリとに行い、
その際の不揮発性メモリへの書き込みはバッファを介し
て高速に行うように構成したため、電源切断時にも保護
データを保持することができ、しかも保護データに対し
高速にアクセスできる。
As described above, according to the present invention, when the power is turned on, the protection data is transferred to the volatile memory, the protection data is read to the volatile memory, and the change data is written to the volatile memory. Do with non-volatile memory,
Since the writing to the non-volatile memory at that time is configured to be performed at high speed through the buffer, the protected data can be retained even when the power is turned off, and the protected data can be accessed at high speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の概略構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of the present invention.

【図2】本発明を実施するための数値制御装置の概略構
成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a numerical control device for carrying out the present invention.

【図3】ライトバッファの書き込み動作を説明するブロ
ック図である。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a write operation of a write buffer.

【図4】本発明を一つのIC(集積回路)で実施するた
めの数値制御装置の概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a numerical controller for implementing the present invention with one IC (integrated circuit).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 不揮発性メモリ 2 揮発性メモリ 3 転送手段 4、61 変更データ 5 書込手段 6 バッファ 11、21 保護データ 1 non-volatile memory 2 volatile memory 3 transfer means 4, 61 change data 5 writing means 6 buffers 11, 21 protected data

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 バッテリにより各種データを保持する不
揮発性メモリを備えたデータ処理装置のメモリアクセス
方式において、 保護データを格納し、前記不揮発性メモリより高速にア
クセス可能な揮発性メモリと、 電源投入時に前記保護データを前記揮発性メモリに転送
する転送手段と、 前記不揮発性メモリよりも高速にデータを書き込むこと
ができ、前記保護データを変更するための変更データを
一時的に格納できるバッファと、 前記変更データを、前記揮発性メモリに書き込むととも
に、前記バッファを介して前記不揮発性メモリにも書き
込む書込手段と、 を有することを特徴とするメモリアクセス方式。
1. A memory access method for a data processing device comprising a non-volatile memory for holding various data by means of a battery, a volatile memory storing protected data, which can be accessed at a higher speed than the non-volatile memory, and power-on. Transfer means for sometimes transferring the protection data to the volatile memory, a buffer capable of writing data faster than the non-volatile memory, and temporarily storing change data for changing the protection data, A memory access method comprising: writing the modified data in the volatile memory and also writing the modified data in the nonvolatile memory via the buffer.
【請求項2】 前記不揮発性メモリと、前記揮発性メモ
リと、前記転送手段と、前記バッファと、前記書込手段
とは一つのIC(集積回路)に構成したことを特徴とす
る請求項1記載のメモリアクセス方式。
2. The non-volatile memory, the volatile memory, the transfer means, the buffer, and the writing means are integrated into one IC (integrated circuit). Memory access method described.
【請求項3】 前記データ処理装置は、数値制御装置で
あることを特徴とする請求項1記載のメモリアクセス方
式。
3. The memory access method according to claim 1, wherein the data processing device is a numerical control device.
【請求項4】 前記データ処理装置は、プログラマブル
コントローラであることを特徴とする請求項1記載のメ
モリアクセス方式。
4. The memory access method according to claim 1, wherein the data processing device is a programmable controller.
JP6032162A 1994-03-02 1994-03-02 Memory access system Pending JPH07244614A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7953953B2 (en) 2006-01-13 2011-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for reducing page replacement time in system using demand paging technique
US8281073B2 (en) 2009-02-19 2012-10-02 Canon Kabushiki Kaisha Information processing apparatus and method of controlling same

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