JPH07242738A - Epoxy resin composition and sealed semiconductor device - Google Patents

Epoxy resin composition and sealed semiconductor device

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JPH07242738A
JPH07242738A JP5996694A JP5996694A JPH07242738A JP H07242738 A JPH07242738 A JP H07242738A JP 5996694 A JP5996694 A JP 5996694A JP 5996694 A JP5996694 A JP 5996694A JP H07242738 A JPH07242738 A JP H07242738A
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JP
Japan
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epoxy resin
resin composition
resin
inorganic filler
composition
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Application number
JP5996694A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomonori Tajima
友徳 田嶋
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Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain an epoxy resin composition giving a cured sealing resin which is excellent in moisture resistance and adherence, suffers neither from debonding from a semiconductor chip or a lead frame nor internal cracking, has excellent anti-reflowing property, and is capable of ensuring long-term reliability. CONSTITUTION:This composition comprises as essential components an epoxy resin, a phenolic resin represented by the formula (wherein R is H or an alkyl and n is 0 or 1), an inorganic filler, and a curing accelerator, the amount of the filler being 25-90wt.% based on the whole composition. This device comprises a semiconductor chip sealed with a cured resin obtained from this composition.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、接着性、耐リ
フロー性に優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition having excellent moisture resistance, adhesiveness and reflow resistance, and a semiconductor encapsulation device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits,
At the same time as technology development for high integration and high reliability, automation of the mounting process of semiconductor devices is being promoted. For example, when mounting a flat package type semiconductor device on a circuit board, conventionally, soldering is performed for each lead pin, but recently, a solder dipping method or a solder reflow method has been adopted.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型
フェノール性樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物
によって封止した半導体装置は、封止樹脂と半導体チッ
プ、あるいは封止樹脂とリードフレームの間の剥がれ
や、内部樹脂クラックが生ずる欠点があり、特に実装時
に耐クラック性が著しく劣るという欠点があった。
A semiconductor device sealed with a conventional epoxy resin such as a novolac type epoxy resin, a dicyclopentadiene type phenolic resin and a resin composition composed of silica powder includes a sealing resin and a semiconductor chip, Alternatively, there is a drawback that peeling between the sealing resin and the lead frame and internal resin cracks occur, and in particular, the crack resistance during mounting is extremely poor.

【0004】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、耐湿性、接着性に優れ、封止樹脂と半導
体チップ或いは封止樹脂とリードフレームとの剥がれや
内部樹脂クラックの発生がなく、耐リフロー性に優れ、
長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導
体封止装置を提供しようとするものである。
The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks and is excellent in moisture resistance and adhesiveness, and peeling between the sealing resin and the semiconductor chip or the sealing resin and the lead frame and the occurrence of internal resin cracks. And has excellent reflow resistance,
It is intended to provide an epoxy resin composition and a semiconductor encapsulation device capable of guaranteeing long-term reliability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のフェノー
ル樹脂を用いることによって、耐湿性、接着性、耐リフ
ロー性等に優れた樹脂組成物が得られることを見いだ
し、本発明を完成したものである。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies aimed at achieving the above-mentioned object, the present inventor has found that the use of a specific phenol resin has excellent moisture resistance, adhesiveness, reflow resistance and the like. It was found that a resin composition can be obtained, and the present invention has been completed.

【0006】即ち、本発明は、(A)エポキシ樹脂、
(B)次の一般式で示されるフェノール樹脂、
That is, the present invention relates to (A) epoxy resin,
(B) a phenolic resin represented by the following general formula,

【0007】[0007]

【化3】 (但し、式中Rは、水素原子又はアルキル基を、n は 0
又は 1以上の整数を表す)(C)無機質充填剤および
(D)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に
対して前記(C)の無機質充填剤を25〜90重量%の割合
で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物で
ある。また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物によっ
て、半導体チップが封止されてなることを特徴とする半
導体封止装置である。
[Chemical 3] (Wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group, and n is 0
Or (representing an integer of 1 or more) (C) an inorganic filler and (D) a curing accelerator as essential components, and the proportion of the inorganic filler (C) is 25 to 90% by weight with respect to the entire resin composition. It is an epoxy resin composition characterized by containing. A semiconductor encapsulation device is obtained by encapsulating a semiconductor chip with a cured product of this epoxy resin composition.

【0008】以下、本発明を詳細に説明する。The present invention will be described in detail below.

【0009】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、一般に封止用として使用されているものは広く使用
することができ、特に限定されるものではない。具体的
な化合物として、エピビス型エポキシ樹脂のほか、例え
ば、
As the epoxy resin (A) used in the present invention, those generally used for sealing can be widely used and are not particularly limited. As a specific compound, in addition to the epibis type epoxy resin, for example,

【0010】[0010]

【化4】 (但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す)[Chemical 4] (However, in the formula, n represents 0 or an integer of 1 or more)

【0011】[0011]

【化5】 (但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す) 本発明に用いる(B)フェノール樹脂としては、シクロ
ヘキサンジオンとフェノール類との反応によって得られ
るもののフェノール樹脂、すなわち前記の一般式化3で
示されるものが使用される。具体的な化合物として、例
えば、
[Chemical 5] (Wherein n represents 0 or an integer of 1 or more) As the (B) phenol resin used in the present invention, a phenol resin obtained by a reaction of cyclohexanedione and phenols, that is, the above-mentioned general formula 3 The one shown in is used. As a specific compound, for example,

【0012】[0012]

【化6】 [Chemical 6]

【0013】[0013]

【化7】 等が挙げられる。また、このフェノール樹脂の他にフェ
ール、アルキルフェノール等のフェノール類とホルムア
ルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドとを反応させて
得られるノボラック型フェノール樹脂およびこれらの変
性樹脂を併用することができる。
[Chemical 7] Etc. In addition to this phenol resin, a novolac type phenol resin obtained by reacting phenols such as fail and alkylphenol with formaldehyde or paraformaldehyde and modified resins thereof can be used in combination.

【0014】本発明に用いる(C)無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm 以下の
シリカ粉末が好ましく使用される。平均粒径30μm を超
えると耐湿性および成形性が劣り好ましくない。無機質
充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90
重量%含有するように配合することが好ましい。その割
合が25重量%未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田
浸漬後の耐湿性に劣り、また90重量%を超えると極端に
流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましくない。
As the inorganic filler (C) used in the present invention, generally used ones are widely used. Among them, silica powder having a low impurity concentration and an average particle diameter of 30 μm or less is preferably used. . If the average particle size exceeds 30 μm, the moisture resistance and moldability are poor, which is not preferable. The blending ratio of the inorganic filler is 25 to 90 with respect to the entire resin composition.
It is preferable to mix them so as to contain them by weight. When the proportion is less than 25% by weight, the hygroscopicity of the resin composition is high and the moisture resistance after solder immersion is poor, and when it exceeds 90% by weight, the fluidity is extremely deteriorated and the moldability is poor, which is not preferable.

【0015】本発明に用いる(D)硬化促進剤として
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、D
BU系硬化促進剤、その他の硬化促進剤等が広く使用で
きる。これらは単独又は2 種以上併用することができ
る。硬化促進剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対し
て0.01〜5 重量%含有するように配合することが望まし
い。その割合が0.01重量%未満では樹脂組成物のゲルタ
イムが長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量%を超
えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、さらに
電気特性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
As the curing accelerator (D) used in the present invention, a phosphorus curing accelerator, an imidazole curing accelerator, D
BU-based curing accelerators and other curing accelerators can be widely used. These can be used alone or in combination of two or more kinds. It is desirable that the curing accelerator is blended in an amount of 0.01 to 5% by weight based on the total resin composition. If the proportion is less than 0.01% by weight, the gel time of the resin composition will be long and the curing characteristics will be poor, and if it exceeds 5% by weight, the fluidity will be extremely poor and the moldability will be poor, and the electrical characteristics will also be poor and the moisture resistance will be poor. It is inferior in sex and is not preferable.

【0016】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充填剤および硬化
促進剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限
度において、また必要に応じて例えば、天然ワックス
類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、
エステル類、パラフィン等の離型剤、三酸化アンチモン
等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、シランカッ
プリング剤、ゴム系やシリコーン系の低応力付与剤等を
適宜添加配合することができる。
The epoxy resin composition of the present invention contains an epoxy resin, a specific phenolic resin, an inorganic filler and a curing accelerator as essential components, but within the range not deviating from the object of the present invention, and if necessary, for example, , Natural waxes, synthetic waxes, metal salts of straight chain fatty acids, acid amides,
A releasing agent such as esters or paraffin, a flame retardant such as antimony trioxide, a coloring agent such as carbon black, a silane coupling agent, a rubber-based or silicone-based low stress imparting agent, and the like can be appropriately added and blended.

【0017】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、前述したエポキシ樹
脂、特定のフェノール樹脂、無機質充填剤、硬化促進剤
およびその他の成分を配合し、ミキサー等によって十分
均一に混合し、さらに熱ロールによる溶融混合処理また
はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ
適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
こうして得られた成形材料は、半導体装置をはじめとす
る電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適
用すれば優れた特性と信頼性を付与させることができ
る。
A general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material is to add the above-mentioned epoxy resin, a specific phenol resin, an inorganic filler, a curing accelerator and other components to a mixer, etc. The mixture can be sufficiently uniformly mixed by means of the above method, and further subjected to melt mixing treatment with a hot roll or mixing treatment with a kneader or the like, and then cooled and solidified to be pulverized to an appropriate size to obtain a molding material.
When the molding material thus obtained is applied to sealing, coating, insulation, etc. of electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent properties and reliability can be imparted.

【0018】また、本発明の半導体封止装置は、上述の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後、加熱して
硬化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半
導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以
上に加熱して硬化させることが望ましい。
The semiconductor encapsulation device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor chip using the above molding material. The semiconductor chip to be sealed is not particularly limited to, for example, an integrated circuit, a large scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode and the like. The most common method of sealing is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. After sealing with a molding material, it is heated and cured, and finally a semiconductor sealing device sealed with this cured product is obtained. For curing by heating, it is desirable to heat and cure at 150 ° C or higher.

【0019】[0019]

【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、エポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂を用いる
ことによって、樹脂組成物のガラス転移温度が上昇し、
熱機械的特性と低応力性および接着性が向上し、半田浸
漬、半田リフロー後の樹脂クラックの発生がなくなるも
のである。
In the epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention, the glass transition temperature of the resin composition is increased by using the epoxy resin and the specific phenol resin.
The thermo-mechanical properties, low stress and adhesiveness are improved, and the occurrence of resin cracks after solder immersion and solder reflow is eliminated.

【0020】[0020]

【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「%」とは「重
量%」を意味する。
EXAMPLES Next, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples and comparative examples, “%” means “% by weight”.

【0021】実施例1 次式で示されるエポキシ樹脂10%、Example 1 10% of an epoxy resin represented by the following formula,

【0022】[0022]

【化8】 次式で示されるフェノール樹脂7.5 %、[Chemical 8] 7.5% of phenolic resin represented by the following formula,

【0023】[0023]

【化9】 シリカ粉末81%、硬化促進剤 0.2%、エステルワックス
類 0.3%およびシランカップリング剤 1%を常温で混合
し、さらに90〜95℃で混練冷却した後、粉砕して成形材
料(A)を製造した。
[Chemical 9] 81% of silica powder, 0.2% of hardening accelerator, 0.3% of ester waxes and 1% of silane coupling agent are mixed at room temperature, further kneaded and cooled at 90 to 95 ° C, and then crushed to produce molding material (A). did.

【0024】実施例2 実施例1で用いた化8のエポキシ樹脂10%、実施例1で
用いた化9のフェノール樹脂3.5 %、ノボラック型フェ
ノール樹脂4 %、シリカ粉末81%、硬化促進剤0.2%、
エステルワックス類 0.3%およびシランカップリング剤
1%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料(B)を製造した。
Example 2 10% of the epoxy resin of Chemical formula 8 used in Example 1, 3.5% of the phenolic resin of Chemical formula 9 used in Example 1, 4% of novolac type phenolic resin, 81% of silica powder, 0.2% of curing accelerator %,
0.3% of ester waxes and silane coupling agent
1% was mixed at room temperature, further kneaded and cooled at 90 to 95 ° C., and then pulverized to produce a molding material (B).

【0025】比較例1 実施例1で用いた化8のエポキシ樹脂10%、次式に示し
たジシクロペンタジエン型フェノール性樹脂7.5 %、
Comparative Example 1 10% of the epoxy resin of Chemical formula 8 used in Example 1, 7.5% of dicyclopentadiene type phenolic resin represented by the following formula,

【0026】[0026]

【化10】 シリカ粉末81%、硬化促進剤 0.2%、エステルワックス
類 0.3%およびシランカップリング剤 1%を常温で混合
し、さらに90〜95℃で混練冷却した後、粉砕して成形材
料(C)を製造した。
[Chemical 10] 81% of silica powder, 0.2% of hardening accelerator, 0.3% of ester wax and 1% of silane coupling agent are mixed at room temperature, further kneaded and cooled at 90 to 95 ° C, and then crushed to produce molding material (C). did.

【0027】比較例2 比較例1で用いた化8のエポキシ樹脂10%、比較例1で
用いた化10のフェノール性樹脂5.5 %、ノボラック型
フェノール樹脂2 %、シリカ粉末81%、硬化促進剤 0.2
%、エステルワックス類 0.3%およびシランカップリン
グ剤 1%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練冷却し
た後、粉砕して成形材料(D)を製造した。
Comparative Example 2 10% of the epoxy resin of Chemical formula 8 used in Comparative Example 1, 5.5% of the phenolic resin of Chemical formula 10 used in Comparative Example 1, 2% of novolac type phenolic resin, 81% of silica powder, curing accelerator 0.2
%, Ester waxes 0.3% and silane coupling agent 1% were mixed at room temperature, further kneaded and cooled at 90 to 95 ° C., and then pulverized to produce a molding material (D).

【0028】こうして製造した成形材料(A)〜(D)
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表1に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、優れた諸特性を
有しており、本発明の顕著な効果を確認することができ
た。
Molding materials (A) to (D) thus produced
Was used to transfer transfer into a mold heated to 170 ° C., and the semiconductor chip was sealed and cured to manufacture a semiconductor sealing device. Various tests were conducted on these semiconductor encapsulation devices, and the results are shown in Table 1. The epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention have excellent properties, and It was possible to confirm the remarkable effect of.

【0029】[0029]

【表1】 *1 :トランスファー成形によって直径50mm、厚さ3mm
の成形品を作り、これを127℃, 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 *2 :吸水率の場合と同様な成形品を作り、 175℃,8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 *3 :JIS−K−6911に準じて試験した。 *4 ::15×15mmダミーチップをQFP(36×36×3.6
mm)パッケージ納め、成形材料を用いて175 ℃,2 分間
トランスファー成形した後、175 ℃,8 時間の後硬化を
行った。こうして得た半導体封止装置を85℃,85%,16
8 時間の吸湿処理した後、240 ℃の半田浴に 1分間浸漬
した。その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を観察し、
外部樹脂クラックの発生の有無を評価した。
[Table 1] * 1: Diameter 50 mm, thickness 3 mm by transfer molding
The molded product of No. 1 was prepared, and it was left in saturated steam at 127 ° C. and 2.5 atm for 24 hours and measured by the increased weight. * 2: Make a molded product similar to the case of water absorption, 175 ℃, 8
After post-curing for a certain time, a test piece of an appropriate size was prepared and measured using a thermomechanical analyzer. * 3: Tested according to JIS-K-6911. * 4 :: A 15x15mm dummy chip is replaced by a QFP (36x36x3.6
(mm) Packaged, transfer molded using the molding material for 2 minutes at 175 ° C, and then post-cured at 175 ° C for 8 hours. The semiconductor encapsulation device obtained in this way was used at 85 ℃, 85%, 16
After absorbing moisture for 8 hours, it was immersed in a solder bath at 240 ° C for 1 minute. After that, observe the package surface with a stereomicroscope,
The occurrence of external resin cracks was evaluated.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、耐湿性、接着性に優れ、封止樹脂と半導体チップあ
るいは封止樹脂とリードフレームとの剥がれや内部樹脂
クラックの発生がなく、耐リフロー性に優れ、長期信頼
性を保証することができる。
As is clear from the above description and Table 1, the epoxy resin composition and the semiconductor encapsulating device of the present invention have excellent moisture resistance and adhesiveness, and are superior in encapsulating resin and semiconductor chip or encapsulating resin. There is no peeling from the lead frame or internal resin cracks, excellent reflow resistance, and long-term reliability can be guaranteed.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)次の一般式
で示されるフェノール樹脂、 【化1】 (但し、式中Rは、水素原子又はアルキル基を、n は0
又は1 以上の整数を表す)(C)無機質充填剤および
(D)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に
対して前記(C)の無機質充填剤を25〜90重量%の割合
で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
1. An epoxy resin (A), a phenol resin represented by the following general formula (B), and (Wherein R is a hydrogen atom or an alkyl group, and n is 0
Or (representing an integer of 1 or more) (C) an inorganic filler and (D) a curing accelerator as essential components, and the proportion of the inorganic filler (C) in the whole resin composition is 25 to 90% by weight. An epoxy resin composition comprising:
【請求項2】 (A)エポキシ樹脂、(B)次の一般式
で示されるフェノール樹脂、 【化2】 (但し、式中Rは、水素原子、アルキル基を、n は0 又
は1 以上の整数を表す)(C)無機質充填剤および
(D)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に
対して前記(C)の無機質充填剤を25〜90重量%の割合
で含有したエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、半導
体チップが封止されてなることを特徴とする半導体封止
装置。
2. An epoxy resin (A), a phenol resin represented by the following general formula (B), and (However, in the formula, R represents a hydrogen atom, an alkyl group, and n represents an integer of 0 or 1 or more.) (C) An inorganic filler and (D) a curing accelerator are essential components, and the entire resin composition is used. On the other hand, a semiconductor encapsulation device in which a semiconductor chip is encapsulated by a cured product of an epoxy resin composition containing the inorganic filler (C) in a proportion of 25 to 90% by weight.
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