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JPH07236093A - Imaging device - Google Patents

Imaging device

Info

Publication number
JPH07236093A
JPH07236093A JP2279794A JP2279794A JPH07236093A JP H07236093 A JPH07236093 A JP H07236093A JP 2279794 A JP2279794 A JP 2279794A JP 2279794 A JP2279794 A JP 2279794A JP H07236093 A JPH07236093 A JP H07236093A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
element
correction
image
picture
pickup
Prior art date
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Granted
Application number
JP2279794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mikito Hayashi
Nobuo Kobayashi
Seiichiro Nagai
Masayuki Nishiki
Kunio Shiraishi
信夫 小林
幹人 林
清一郎 永井
邦夫 白石
雅行 西木
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Medical Eng Co Ltd
東芝メディカルエンジニアリング株式会社
株式会社東芝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

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Abstract

PURPOSE:To provide an image pickup device capable of reducing the remaining correction and the deviation of correction and producing an image of high resolution by accurately correcting the offset amount due to the dark current of the solid-state image pickup element. CONSTITUTION:The device is provided with a solid-state image pickup element 13a which outputs the picture data corresponding to the picked up optical image. It is also provided with a storage means (offset memory 20) storing the correction data measured to correct the offset amount due to the dark current for each picture element of the solid-state image pickup element 13a and an offset correction means (driving circuit 20 and adder 19) correcting the picture data of the solid-state image pickup element 13a based on the correction data stored in the storage means. Further, the offset correction amount is changed according to the image pickup time, the temperature of the solid-state image pickup element, picture element value, the location of the picture element. When the picture element value is high, the replacement of the picture element value itself is performed. The offset correction is performed based on the analog amount. Further, the correction and the change of data is performed according to the presence of the picture element value dependent area in the characteristic of the correction data.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明は、X線診断装置などに使われる撮像装置に係り、とくに光学像を撮像する撮像素子としてCCD(Charge Coupled Device )などの固体撮像素子を用いた撮像装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to an imaging device used for X-ray diagnosis apparatus, an imaging apparatus using a solid-state image sensor such as CCD (Charge Coupled Device) as an imaging device in particular for imaging an optical image .

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来、この種の撮像装置を搭載した機器として、例えば医用のX線透視装置がある。 Conventionally, as a device equipped with this kind of imaging device, for example, a medical X-ray fluoroscopy device. このX線透視装置では、被検体を透過してきたX線がイメージ・インテンシファイヤ(I.I.)で光信号に変換され、この光信号が撮像装置に入射される。 In this X-ray fluoroscopic apparatus, is converted into an optical signal by the X-ray image intensifier which has been transmitted through the subject (I.I.), the optical signal is incident on the imaging device. 撮像装置では、そのTVカメラの固体撮像素子により、光信号が電気信号に変換される。 In the imaging device, the solid-state imaging device of the TV camera, the optical signal is converted into an electric signal. そして、この撮像装置から出力された電気信号に基づきモニタに透視像が表示されるようになっている。 The fluoroscopic images are to be displayed on the monitor based on the electric signal output from the imaging device.

【0003】固体撮像素子では、受光部に配置される受光素子の内、被写体像を実際に光電変換させる有効画素領域と、光学的黒(オプチカルブラック)と称する、遮光された画素領域とを有している。 [0003] In the solid-state imaging device, among the light receiving elements arranged in the light receiving unit, chromatic and effective pixel area which actually photoelectrically convert an object image, referred to as an optical black (optical black) and a light-shielded pixel area are doing. この光学的黒の画素領域からは暗電流が出力される一方で、有効画素領域からの暗電流はそのままオフセット分として有効画素領域の各画素の出力電流に重畳されるので、このオフセットを補正する必要がある。 This from an optical black pixel region while a dark current is output, the dark current from the effective pixel region is superimposed directly on the output current of each pixel in the effective pixel region as offset, to correct the offset There is a need.

【0004】このオフセット補正には種々の手法がある。 [0004] This offset correction there are a variety of techniques. その一つとして、暗時画像から暗時出力が一定レベル以上である欠陥(傷)画素の位置を予め検出し、その欠陥画素の画素値を隣接画素の画素値で置換する手法がある。 As one, dark output is detected in advance the position of the predetermined level or higher than a defect (flaw) pixel from the image dark, there is a method of replacing a pixel value of the defective pixel in the pixel values ​​of the adjacent pixels. また、別の手法として、例えば、特開平2−16 Further, as another method, for example, JP-A-2-16
4184号公報記載の如く、光学像を固体撮像素子に入射させないタイミングで暗時出力をメモリに記憶させ、 As No. described in JP 4184, it stores the dark output at a timing that does not enter the optical image on the solid-state imaging device in a memory,
この記憶値を光学像入射時の固体撮像素子の出力から差し引き、これにより画素毎のオフセット補正をデジタル処理で行う手法も知られている。 Subtracting the stored value from the output of the solid-state imaging device at the time of the optical image incident, thereby also known technique for offset correction for each pixel in the digital processing.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した従来のホフセット補正には以下のような種々の未解決の問題があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, the conventional Hofusetto correction described above had various unsolved problems as follows.

【0006】まず、隣接画素の画素値で置換する手法では、欠陥画素が暗電流のばらつきに起因する場合、固体撮像素子の温度が高い状態で使用したり、撮像時間の長い撮像モードで使用する(すなわち、光蓄積時間が大きい)と、欠陥画素の数が必然的に増えるため、単なる画素値の置換では不十分で、補正残しが多くなり、画像の空間解像度が劣化するという問題があった。 [0006] First, in the method of replacing the pixel values ​​of the adjacent pixels, if defective pixels are caused by variations in the dark current, the temperature of the solid-state imaging device or used in a high state, for use in long imaging mode of the imaging time (i.e., the light accumulating time is large) and, since the number of defective pixels is increased necessarily, insufficient substituted just pixel values, the correction leaves is increased, the spatial resolution of the image is degraded . また、暗電流以外の成分は正常な信号分であるにも関わらず、その正常な信号情報を置換により捨てていたことになり、画像から得られる情報量が減少するという問題があった。 Further, components other than the dark current despite a normal signal component, will be had discarded by replacing the normal signal information, the amount of information obtained from the image is disadvantageously reduced.

【0007】一方、暗時出力を光入射時の出力から差し引く手法にも、補正精度が低いなど、以下の不都合が残されていた。 On the other hand, even with a method of subtracting the dark output from the output during the light incidence, such as a low correction accuracy, the following disadvantages have been left.

【0008】まず、画素毎の補正量が画素値に依存する固体撮像素子を使用している場合、画素アドレス毎の画素値特性は図21のように表される。 [0008] First, when the correction amount for each pixel using a solid-state imaging device depends on the pixel value, the pixel value characteristics for each pixel address can be expressed as in FIG. 21. 同図では、横軸に画素アドレスをとり、縦軸に画素値をとるとともに、温度や光蓄積時間などの条件を条件1から条件2に変えると、画素値の平均レベルがグラフ1からグラフ2に変化する様子を示している。 In the figure, the horizontal axis represents the pixel address, the vertical axis together with taking a pixel value, changing the conditions such as temperature and light accumulating time from condition 1 to condition 2, the graph the mean level of the pixel values ​​from the graph 1 2 It shows how to change to. これにより、画素毎の変分も変分1から変分2に変化(例えば大きくなる)している。 Accordingly, and variation also changes from variation 1 to variation 2 of each pixel (e.g., increased).
この固体撮像素子に対する補正特性は通常、図21記載のグラフのように表される。 The correction characteristic for the solid-state imaging device is usually expressed as a graph 21 wherein. 横軸に画素値(=光の強さの平均レベル)、縦軸に変分(=補正量)をとり、ある画素の「画素値−変分」特性を表している。 The horizontal axis in the pixel value (= average level of intensity of light), the vertical axis represents the variational (= correction amount) of a certain pixel - represents "pixel value variation" properties. この特性から分かるように、画素値=0(即ち、暗時出力)からある値PVd までの範囲(画素値依存域Rp )では、変分値もある初期値から徐々に増加し、画素値PVd 以降では変分値が一定となっている。 As can be seen from this characteristic, a pixel value = 0 (i.e., dark signal), the range up to a certain value PVd from (pixel value dependent areas Rp), gradually increases from an initial value which is also variation value, the pixel value PVd variation value has become a constant in the later. このような特性を示す固体撮像素子の場合、画素値依存域Rp では暗時出力と補正量が異なるため、画素値依存域Rp に入る入射光レベルのときに、正確なオフセット補正を行うことができないという不都合がある。 If the solid-state imaging device having such characteristics, since the output correction amount dark the pixel value dependent area Rp is different, when the incident light level entering the pixel value dependent areas Rp, is possible to perform accurate offset correction there is a disadvantage that can not be.

【0009】一方、上述したように、画素毎の補正量が画素値に依存しない、つまり図22における画素値依存域Rp が無いフラットな特性の固体撮像素子を使用する場合でも、撮像モードに応じて撮像時間が変わるため、 On the other hand, as described above, even when the correction amount for each pixel does not depend on the pixel values, i.e. the use of solid-state imaging device of flat characteristics is not a pixel value dependent areas Rp in Figure 22, according to an imaging mode since the change in the imaging time Te,
必要な補正量も変わる。 Correction amount required will also vary. しかし、上述のように暗時出力である一定値の補正量を差し引くだけでは、正確に補正できない。 However, just subtracting the correction amount of a predetermined value is output when dark as described above, can not be accurately corrected. すなわち、撮像モードに応じて撮像素子の光蓄積時間が変わり、画素毎の補正量はその光蓄積時間に依存するが、暗時出力の蓄積時間は撮像時の蓄積時間と必ずしも一致しないため、正確な補正量を得ることができないからである。 That is, change the light accumulating time of the image pickup device according to the imaging mode, the correction amount for each pixel is dependent on the light accumulation time, the accumulation time of dark output is not necessarily match the accumulation time at the time of imaging, accurate it is because it can not do to obtain the correction amount.

【0010】さらに、特開平2−164184号公報記載のように、デジタル処理でオフセット補正を行う場合、各画素の補正量(正又は負)にもビット長を割り当てる必要があるため、画素値に有効なビット長(ダイナミックレンジ)が減少する。 Furthermore, as in JP-A 2-164184 JP, when performing offset correction digitally, it is necessary to allocate a bit length in the correction amount (positive or negative) of each pixel, the pixel value valid bit length (dynamic range) is reduced. 例えばダイナミックレンジが4096(=12ビット)で補正量=−100であるとすると、有効なビット長は、4096−100=39 For example, the dynamic range is assumed to be the correction amount = -100 4096 (= 12 bits), the effective bit length, 4096-100 = 39
96となってしまう。 It becomes 96.

【0011】この発明は、上述した従来技術の問題に鑑みてなされたもので、撮像素子の温度が高い状態で使用したり、撮像時間が長い場合でも、補正残し(補正ばらつき)を減らし、空間解像度の劣化を防止できるようにすることを第1の目的とする。 [0011] The present invention has been made in view of the prior art problems described above, reduced or used in a state temperature is high in the image pickup device, even when the imaging time is long, compensation leave (correction variation), space to make it possible to prevent deterioration of resolution is a first object. また、画像から得られる情報量の減少を防止することを第2の目的とする。 Also to prevent a decrease in the amount of information obtained from the image and the second object. さらに、画素毎の補正量が画素値に依存するタイプの固体撮像素子を使用する場合でも、精度の高いオフセット補正を行うことを第3の目的とする。 Furthermore, even when the correction amount of each pixel uses a type of solid-state imaging device depends on the pixel values, and a third object of carrying out the accurate offset correction. さらにまた、画素毎の補正量が画素値に依存しないタイプの固体撮像素子を使用する場合で、撮像時間が変わる場合でも、より正確なオフセット補正を行うようにすることを、第4の目的とする。 Furthermore, in the case where the correction amount of each pixel using a solid-state image sensor of the type that does not depend on the pixel values, even when the imaging time is changed, to make it more accurate offset correction, and the fourth object to.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成させるため、この発明に係る撮像装置では、撮像した光学像に対応した画素値から成る画像データを出力する固体撮像素子を備える。 Means for Solving the Problems] To achieve the above object, an imaging apparatus according to the present invention includes a solid-state image sensor which outputs image data consisting of pixel values ​​corresponding to the optical image captured. さらに、上記固体撮像素子の画素毎の暗電流に起因したオフセット量を補正するための予め測定された補正データを記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された補正データに基づいて上記固体撮像素子からの画像データを画素毎に補正するオフセット補正手段とを備えたことを要部とする。 Furthermore, storage means for storing previously measured corrected data is for correcting the offset amount due to the dark current of each pixel of the solid-state imaging device, a solid-state image capturing based on the correction data stored in the storage means and main portion further comprising an offset correcting means for correcting the image data from the device for each pixel.

【0013】とくに、請求項2〜4記載の発明に係る撮像装置では、前記補正データの画素値に対する特性は画素値に依存する画素値依存域を有し、且つこの補正データは当該撮像装置の出荷時に測定されたデータである。 [0013] Particularly, in the imaging apparatus according to the invention of claim 2 to 4, wherein, the characteristic for the pixel values ​​of the correction data has a pixel value dependent area that depends on the pixel value, and the correction data of the imaging apparatus is the measured data at the time of shipment.
例えば、前記補正データは出荷時に、前記画素値依存域以外の領域に対応した画素値の光量を前記固体撮像素子に入射させて測定されたデータである。 For example, the correction data at the time of shipment, is data the amount was measured by entering the solid-state imaging device of the pixel values ​​corresponding to the region other than the pixel value dependent area. また、前記光学像を前記固体撮像素子に入射し続ける撮像時間、前記固体撮像素子の温度、前記画像データの画素値、及び前記画素の位置の各パラメータの1つ又は複数の組み合わせに基づいて前記補正データを変更する補正データ変更手段を付加した。 The imaging time to continue entering the optical image on the solid-state imaging device, the temperature of the solid-pixel value of the image data, and based on one or more combinations of the parameters of the position of the pixel the It was added to the correction data changing means for changing the correction data.

【0014】とくにまた、請求項5記載の発明に係る撮像装置では、前記補正データ変更手段により変更された補正データが基準値を越えるか否かを画素毎に判断する判断手段と、この判断手段により上記補正データが基準値を越えると判断されたとき、その判断対象の画素の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加した。 [0014] Particularly Further, in the image pickup apparatus according to the fifth aspect of the present invention, a determination means for the correction the correction data changed by the data changing means determines whether or not exceeds the reference value for each pixel, the determination means said correction data when it is determined that exceeds the reference value, obtained by adding a replacement means for replacing the pixel value of the pixel of the determination target pixel value obtained from the pixel values ​​of the pixels in the vicinity thereof by. また、請求項6記載の発明に係る撮像装置では、前記画像データを置換する必要のあるアドレスを予め記憶させた置換アドレスメモリ手段と、前記固体撮像素子による撮像対象の画素位置が上記置換アドレスメモリ手段に記憶させた置換アドレスに一致するとき、その画素の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加した。 Further, in the imaging apparatus according to the invention of claim 6, wherein the image data and the replacement address memory means which has previously stored addresses that need replacing, the solid-pixel positions above replacement address to be imaged by the memory when matching the replacement address is stored in the unit, it was added to a replacement means for replacing the pixel value of the pixel in pixel value obtained from the pixel values ​​of the pixels in the vicinity thereof.

【0015】とくにまた、請求項7記載の発明に係る撮像装置では、前記オフセット補正手段は補正データをアナログ量に変換するD/A変換器と、このD/A変換器のアナログ量の変換データと前記固体撮像素子のアナログ量の画像データとを加算する加算器とを備えるとともに、この加算器の加算結果をデジタル量に変換するA/ [0015] Particularly Further, in the image pickup apparatus according to the invention according to claim 7, wherein the offset correction means comprises a D / A converter for converting the correction data into an analog quantity, converts data of an analog amount of the D / A converter together and a adder for adding the analog quantity of the image data of the solid-converts the addition result of the adder into a digital quantity a /
D変換器を備えた。 Equipped with a D converter.

【0016】一方、請求項8、9記載の発明に係る撮像装置では、前記補正データの画素値に対する特性は画素値に依存しない特性であり、且つこの補正データは光学像を固体撮像素子の入射させない状態で測定された暗時出力データである。 [0016] On the other hand, in the imaging apparatus according to the invention of claim 8,9, wherein, the characteristic for the pixel values ​​of the correction data is a characteristic that does not depend on the pixel values, and the correction data is incident of the solid-state imaging device an optical image is measured in a state where not to the a output data dark. 例えば、前記暗時出力データは撮像時の直前のフレーム期間にて測定されたデータであり、 For example, the output data when the dark is the measured data at a frame period immediately before the time of imaging,
前記光学像を前記固体撮像素子に入射し続ける撮像時間に基づいて上記暗時出力データを変更する補正データ変更手段を付加した。 It was added to the correction data changing means for changing the output data dark above with reference to the optical image on the solid-state imaging continue entering time imaging device.

【0017】とくに、請求項10記載の発明に係る撮像装置では、前記補正データ変更手段により変更された補正データが基準値を越えるか否かを画素毎に判断する判断手段と、この判断手段により上記補正データが基準値を越えると判断されたとき、その判断対象の画素の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加した。 [0017] Particularly, in the imaging apparatus according to the invention of claim 10, wherein the determination means for the correction the correction data changed by the data changing means determines whether or not exceeds the reference value for each pixel, by the determination means when the correction data is determined to exceed the reference value, obtained by adding a replacement means for replacing the pixel value of the pixel of the determination target pixel value obtained from the pixel values ​​of the pixels in the vicinity thereof. また、請求項11記載の発明に係る撮像装置では、前記画像データを置換する必要のあるアドレスを予め記憶させた置換アドレスメモリ手段と、前記固体撮像素子による撮像対象の画素位置が上記置換アドレスメモリ手段に記憶させた置換アドレスに一致するとき、その画素の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加した。 Further, in the imaging apparatus according to the invention of claim 11, wherein the image data and the replacement address memory means which has previously stored addresses that need replacing, the solid-pixel positions above replacement address to be imaged by the memory when matching the replacement address is stored in the unit, it was added to a replacement means for replacing the pixel value of the pixel in pixel value obtained from the pixel values ​​of the pixels in the vicinity thereof.

【0018】また、請求項12記載の発明に係る撮像装置では、オフセット補正手段は補正データをアナログ量に変換するD/A変換器と、このD/A変換器のアナログ量の変換データと前記固体撮像素子のアナログ量の画像データとを加算する加算器とを備えるとともに、この加算器の加算結果をデジタル量に変換するA/D変換器を備えた。 Further, the image pickup apparatus according to the invention according to claim 12, a D / A converter offset correcting means for converting the correction data into an analog quantity, and converting the data of the analog amount of the D / A converter together comprising an adder for adding the image data of the analog quantity of the solid-state imaging device, comprising an a / D converter for converting the addition result of the adder into a digital amount.

【0019】 [0019]

【作用】請求項1〜3及び8記載の発明では、予め測定された画素毎の補正データに基づいてオフセット補正が行われる。 [Action] In the invention according to claim 1-3 and 8, the offset correction is performed based on the correction data for each pixel measured in advance. このとき、補正データは、画素値依存域を有する補正量特性の固体撮像素子の場合、出荷時にその領域外に対応した入射光量で収集されるし、画素値依存域が無い補正量特性の固体撮像素子の場合、暗時出力が補正データとして収集される。 In this case, the correction data, if the solid-state imaging device of the correction amount characteristic having a pixel value dependent areas, to be collected by the amount of incident light corresponding to the area outside the factory, there is no pixel value dependent region correction amount characteristics of the solid If the imaging device, dark output is collected as the correction data. このように補正量特性に応じて、収集時期及び収集状態を変えるので、簡単な構成ながら、精度の高いオフセット補正が行われる。 Thus in accordance with the correction amount characteristic, since changing the acquisition timing and collection conditions, while simple structure, highly accurate offset correction is performed.

【0020】また、請求項4〜6、10,11記載の発明では、撮像時間、固体撮像素子の温度、画素値、画素位置の各パラメータの内、任意の一つ又は任意の組み合わせで補正量を変更する態様、又は/及び、画素値が所定レベル以上あるとき(又は、撮像画素の位置が予め測定してある置換アドレスになったとき)には画素値自体を置換する補正を付加する態様が採られるので、補正ばらつきや補正残しを減らして、一層高精度なオフセット補正になるし、またアーチファクトを低減できる。 Further, in the present invention 4~6,10,11 wherein, imaging time, the temperature of the solid-state imaging device, a pixel value, among the parameters of the pixel positions, the correction amount at any one or any combination mode change, or / and, aspects pixel value of adding a predetermined level when a higher (or, when it is substituted the address position of the imaging pixels is previously determined) the correction to replace the pixel value itself since is taken, to reduce the remaining correction variation or correction, to become more accurate offset correction, also can reduce artifacts.

【0021】さらに、請求項7及び12記載の発明では、アナログ量のままオフセット補正を行い、その後、 Furthermore, in the invention of claim 7 and 12 wherein, performed while the offset correction of analog quantity, then,
デジタル量に変換されるので、A/D変換器のダイナミックレンジが広がる。 Because it is converted into a digital amount, spread the dynamic range of the A / D converter.

【0022】さらに、請求項9記載の発明では、画素値依存域が無い場合、撮像の直前に収集した暗時出力データ(補正データ)を撮像時間に基づいて変更するので、 Furthermore, in the ninth aspect of the present invention, if there is no pixel value dependent areas, since the change based on the output data (correction data) imaging time dark collected just prior to imaging,
固体撮像素子の温度変化を取り込んだリアルタイムな補正データとなり、そのような温度変化がオフセット補正に与える影響を配慮しなくても済む。 Become real-time correction data fetched temperature change of the solid-state imaging device, it is not necessary to consider the effect of such a temperature change has on the offset correction.

【0023】 [0023]

【実施例】以下、図面を参照しながら、この発明の実施例を説明する。 EXAMPLES Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an embodiment of the present invention. なお、以下の実施例はこの発明に係る撮像装置を医用のX線診断装置に適用したものであるが、 Although the following examples are obtained by employing an imaging device according to the present invention the X-ray diagnostic apparatus of the medical,
医用の内視鏡装置など、他の機器に適用することは勿論可能である。 Such medical endoscope apparatus, it is of course possible to apply to other devices.

【0024】(第1実施例)第1実施例を図1に基づいて説明する。 [0024] (First Embodiment) will be described with reference to the first embodiment in FIG.

【0025】図1に示すX線診断装置は、X線を被検体Pに向けて曝射するX線管10と、被検体を透過してきたX線を受けるイメージ・インテンシファイヤ(以下、 [0025] X-ray diagnostic apparatus 1 includes an X-ray tube 10 radiates toward the X-ray to the subject P, an image intensifier for receiving X-rays passed through the subject (hereinafter,
「I.I.」と呼ぶ)11とを備えるとともに、I. Provided with a referred to as) 11 and the "I.I.", I.
I. I. 11の出力側に設けた光学系12及びTVカメラ1 Optical system provided on the output side of 11 12 and the TV camera 1
3を備えている。 It is equipped with a 3. TVカメラ13は、この実施例ではC TV camera 13, in this Example C
CDから成る受光素子を、各画素に対応して2次元に配列した固体撮像素子13aを備えている。 The light-receiving element made off the CD, and a solid-state imaging device 13a arranged in two dimensions in correspondence with each pixel.

【0026】X線管10は高電圧発生器14を介してX [0026] X-ray tube 10 through the high voltage generator 14 X
線制御器15に接続されており、X線制御器15から出力されるX線曝射信号S1に応答してX線を曝射可能になっている。 Is connected to the line controller 15, it is enabled radiates X-rays in response to X-ray radiation signal S1 output from the X-ray controller 15. またI. Also I. I. I. 11は被検体Pを透過してきたX線を入力し、そのX線を光学像に対応した光信号に変換するもので、光信号はレンズなどから成る光学系1 11 inputs the X-ray transmitted through the subject P, and converts the optical signal corresponding to the X-rays to an optical image, the optical system 1 optical signal consisting of a lens
2を介してTVカメラ13の固体撮像素子13aに照射される。 It is irradiated to the solid-state imaging device 13a of the TV camera 13 via a 2. 固体撮像素子13aに照射された光信号は、各画素に対応した受光素子夫々において対応する電気量の画像信号に変換される。 The solid-state imaging device the optical signal irradiated to the 13a is converted into an image signal of the corresponding electrical quantity in the light-receiving elements each corresponding to each pixel. 固体撮像素子13aは駆動回路16から送られてくる駆動信号Sd及び画素アドレス信号Saを受けて上述の光−電気変換を行う。 The solid-state imaging device 13a is above the light by a driving signal Sd and the pixel address signal Sa transmitted from the drive circuit 16 - for electrical conversion.

【0027】TVカメラ13の出力側はさらに、増幅器17及びA/D変換器18を介して2入力の加算器19 The TV output side of the camera 13 is further via an amplifier 17 and A / D converter 18 of the two-input adder 19
の一方の入力端に接続されている。 It is connected to one input terminal of the. これにより、TVカメラ13から出力された画像信号は増幅後、A/D変換されてデジタル量の画像データDiとなって加算器19 Accordingly, after the image signal output from the TV camera 13 amplification, A / D converted by the adder becomes the image data Di of the digital quantity 19
に入力する。 Input to.

【0028】一方、加算器19のもう一方の入力端はオフセット・メモリ20の出力側に接続され、このオフセット・メモリ20の入力側には前述した駆動回路16からの画素アドレス信号Saが入力するようになっている。 On the other hand, the other input terminal of the adder 19 is connected to the output side of the offset memory 20, a pixel address signal Sa from the driving circuit 16 described above is inputted to the input side of the offset memory 20 It has become way. オフセット・メモリ20には、固体撮像素子13a The offset memory 20, the solid-state imaging device 13a
の画素毎に決まる補正量としてのオフセット・データD Offset data D as the correction amount determined for each pixel
off (画素毎に正又は負の値)を事前に記憶させてある。 off (positive or for each pixel negative values) are beforehand to store the. このオフセット・データDoff は、暗時出力を補正するためのもので、予め装置の出荷時など、装置の使用時よりも前に収集され、記憶されている。 The offset data Doff is for correcting the dark output, such as during shipment of the apparatus in advance, is collected before the time of use of the apparatus, it is stored. なお、オフセット・データの収集時において、固体撮像素子13aの「補正量−画素値」特性に、図22に示すような補正量(=変分)が画素値に依存する画素値依存域Rp が在る場合、この画素値依存域Rp を避ける画素値の光学像を固体撮像素子13aに入射させて収集を行う。 At the time of collection of the offset data, the solid-state imaging device 13a - the "correction pixel value" characteristics, the correction amount as shown in FIG. 22 (= variation) of the pixel value dependent areas Rp which depends on the pixel value If there, to collect an optical image of the pixel values ​​to avoid this pixel value dependent area Rp is made incident on the solid-state imaging device 13a.

【0029】オフセット・メモリ20は画素アドレス信号Saにより指定されたアドレスのオフセット・データDoff を、固体撮像素子13aからの画像データDiの到来に同期させて、加算器19に出力するようになっている。 [0029] The offset data Doff address offset memory 20 is designated by the pixel address signal Sa, in synchronism with the arrival of the image data Di from the solid-state imaging device 13a, and outputs it to the adder 19 there.

【0030】これにより、加算器19は2つの入力データを加算し、加算データを後段のD/A変換器21を介してTVモニタであるCRT(陰極線管)22に送るようになっている。 [0030] Thus, the adder 19 adds the two input data, and to feed the CRT (cathode ray tube) 22 addition data via the subsequent D / A converter 21 is a TV monitor. この結果、CRTにてX線透視像がリアルタイムに表示される。 As a result, X-rays fluoroscopic image by CRT is displayed in real time.

【0031】さらに、このX線診断装置にはX線制御器15や駆動回路16を通じて装置全体を管理するコントローラ23及びそのコントローラ23に必要な情報を手入力させるための入力器24が設けられている。 Furthermore, the input unit 24 for manually entered information necessary for the controller 23 and the controller 23 manages the entire apparatus through the X-ray controller 15 and the drive circuit 16 is provided in the X-ray diagnostic apparatus there.

【0032】このように本実施例では、X線管10からX線を曝射させてX線透視像を得る一方で、画素値依存域Rp を持たない固体撮像素子13aには暗時出力を、 [0032] Thus, in this embodiment, by exposure to X-rays from the X-ray tube 10 while obtaining the X-ray fluoroscopic image, the dark output in the solid-state imaging device 13a having no pixel value dependent areas Rp ,
また画素値依存域Rp を持つ固体撮像素子13aにはオフセット出力値を予め画素毎に測定しておき、この測定値をオフセット・データDoff とする。 Also in the solid-state imaging device 13a having the pixel value dependent area Rp is measured beforehand for each advance pixel offset output value, the measured value and the offset data Doff. そして、固体撮像素子13aから出力された画像データDiにそのオフセット・データDoffを画素毎に加算(オフセット・データDoff が正のとき)又は減算(オフセット・データDoff が負のとき)して自動的にオフセットを補正する。 Then, adding the offset data Doff the image data Di output from the solid-state imaging device 13a for each pixel (when offset data Doff is positive) or subtracting (when offset data Doff is negative) automatically by correcting an offset to. この結果、画素値依存域Rp の有無に関わらず、実際の暗電流を相殺するに必要なオフセット・データを画素毎に良好に取得でき、オフセット量を高精度に補正できるとともに、オフセット補正における画素間のばらつきを良好に解消することができる。 As a result, regardless of whether or not the pixel value dependent areas Rp, can satisfactorily obtain the offset data required for each pixel to compensate for an actual dark current, it is possible to correct the offset amount with high accuracy, the pixels in the offset correction the variation between can be satisfactorily solved. これによって、画像の分解能は低下せず、画像のS/N比を向上させることができる。 Thus, the resolution of the image does not decrease, it is possible to improve the S / N ratio of the image.

【0033】(第2実施例)第2実施例を図2及び図3 [0033] (Second Embodiment) FIGS. 2 and 3 a second embodiment
に基づいて説明する。 It will be described with reference to. なお、上記実施例と同一又は同等の構成要素には同一符号を付して説明を簡略化又は省略する(第3実施例以降についても同様とする)。 Incidentally, (The same applies to third and subsequent embodiments) simplified or omitted by the same reference numerals denote the same or equivalent components as the above embodiment.

【0034】この第2実施例は、撮像時間(光学像を固体撮像素子に入射し続ける時間)をも考慮したものである。 [0034] The second embodiment is obtained by considering the imaging time (the time to continue to incident optical image on the solid-state imaging device).

【0035】第2実施例に係るX線診断装置は図2に示すように、第1実施例における図1のオフセット・メモリに代えて、オフセット・データ生成回路30を設けるとともに、このオフセット・データ生成回路30に駆動回路16から画素アドレス信号Saを、またコントローラ23から撮像時間情報Stimeを供給させる。 [0035] X-ray diagnostic apparatus according to the second embodiment, as shown in FIG. 2, instead of the offset memory of Figure 1 in the first embodiment, provided with the offset data generation circuit 30, the offset data a pixel address signal Sa from the driving circuit 16 to the generator 30, also to supply the imaging time information Stime from the controller 23. このため、コントローラ23は入力器24を介して指定される撮像モード(透視モード/撮影モード(長時間露光モード/短時間露光モード))に応じて、予め記憶していている撮像時間データを参照し、撮像時間情報Stimeを供給する。 Therefore, the controller 23 refers to the according to the imaging mode specified by the input unit 24 (fluoroscopic mode / shooting mode (long exposure mode / short exposure mode)), imaging is not prestored time data and supplies the imaging time information Stime.

【0036】オフセット・データ生成回路30は具体的には図3に示すように、撮像時間情報Stimeを受ける係数メモリ31と、この係数メモリ31のメモリ読出し側に、一方の入力端を接続させた2入力の乗算器32と、 The offset data generation circuit 30, as specifically shown in FIG. 3, a coefficient memory 31 for receiving the imaging time information Stime, the memory read side of the coefficient memory 31 was connected to one input terminal a two-input multiplier 32,
画素アドレス信号Saを受けるオフセット・メモリ33 Offset memory 33 for receiving a pixel address signal Sa
とを備え、そのオフセット・メモリ33の読出し側を乗算器32の他方の入力端に接続している。 With the door, connecting the read side of the offset memory 33 to the other input terminal of the multiplier 32. 乗算器32の出力端は前記第1実施例と同様に加算器19の一方の入力端に接続されている。 The output terminal of the multiplier 32 is connected to one input terminal of the first embodiment similarly to the adder 19.

【0037】オフセット・メモリ33には第1実施例と同様にして収集された画素毎のオフセット・データDof The offset data Dof of the offset memory 33 every pixel that was collected in the same manner as in the first embodiment
f が事前に格納されている。 f * it is stored in advance. このため、オフセット・ For this reason, offset
メモリ33は画素アドレス信号Saで指定されるアドレスに対応したオフセット・データDoff を乗算器32 Memory 33 multiplier 32 is the offset data Doff * corresponding to the address specified by the pixel address signal Sa
に出力する。 And outputs it to. 一方、係数メモリ31は撮像時間の長短に対応した係数を予め格納しており、撮影時間情報Stime On the other hand, the coefficient memory 31 stores a coefficient corresponding to the length of the imaging time in advance, photographing time information Stime
に図4の如く対応した係数Ctimeを読み出し、乗算器3 It reads the corresponding coefficients Ctime as shown in FIG. 4, the multiplier 3
2に出力する。 And outputs it to the 2. つまり、入力器24から撮像モードの切り換えを指令した場合、撮影時間情報Stimeも切り換わり、係数Ctimeも撮影時間の長短に対応した値に自動的に変更される。 That is, if you command the switching of the imaging mode from the input unit 24, switches also photographing time information Stime, coefficient Ctime also automatically changed to a value corresponding to the length of recording time.

【0038】このようにして生成されたオフセット・データDoff 及び係数Ctimeを受けた乗算器32は、 The multiplier 32 which receives the thus offset were generated data Doff * and coefficients Ctime is
「Doff =Doff ×Ctime」の乗算を行い、最終的なオフセット・データDoff を画素毎に演算する。 Performs multiplication of "Doff = Doff * × Ctime", computes the final offset data Doff for each pixel. このオフセット・データDoff は加算器19において画素データDiに加算され、前述と同様のオフセット補正に付される。 The offset data Doff is added to the pixel data Di at the adder 19, it is subjected to the same offset correction as described above.

【0039】したがって、この実施例によれば、X線透視時に、暗電流に起因したオフセット補正を画素毎に、 [0039] Thus, according to this embodiment, when the X-ray fluoroscopy, the offset correction for each pixel due to the dark current,
且つ撮像時間の長短を考慮して行うので、長時間露光モードなどの長時間の撮影時間であっても、また短時間の撮影時間であっても、光蓄積時間の長短に影響されない、補正ばらつきの少ない高精度なオフセット補正を行うことができる。 And it is performed in consideration of the length of the imaging time, even over a long period of imaging time, such as long exposure mode, and also a short imaging time, not influenced by the length of the light accumulating time, correcting the variation highly accurate offset correction less can be performed.

【0040】なお、この実施例におけるオフセット・データ生成機構は、図5に示すように構成してもよい。 [0040] The offset data generating mechanism in this embodiment may be configured as shown in FIG. つまり、オフセット・メモリ回路34のオフセット・メモリに、予め撮像時間の長短に対応して選択可能な複数フレーム分のオフセット・データを格納しておき、撮影時間情報Stime及び画素アドレス信号Saに応じたオフセット・データDoff を画素毎に直接、読出しできるようにしたものである。 That is, the offset memory offset memory circuit 34 may be stored offset data for a plurality of frames that can be selected corresponding to the length of advance imaging time, according to the shooting time information Stime and pixel address signal Sa direct offset data Doff for each pixel is obtained by allowing read.

【0041】(第3実施例)第3実施例を図6〜図8に基づいて説明する。 [0041] will be described with reference to Third Embodiment 6-8 of the third embodiment.

【0042】この第3実施例は、固体撮像素子の動作温度をも考慮したものである。 [0042] The third embodiment is obtained by considering the operating temperature of the solid-state imaging device.

【0043】図6に示すX線診断装置のTVカメラ13 The TV of the X-ray diagnostic apparatus shown in FIG. 6 camera 13
には、固体撮像素子13aの温度を検知する温度センサ39を設けている。 In is provided with a temperature sensor 39 for detecting the temperature of the solid-state imaging device 13a. この温度センサ39は例えばサーミスタ、熱電対、半導体センサで成り、固体撮像素子13 The temperature sensor 39 is for example a thermistor, thermocouple, made of a semiconductor sensor, the solid-state imaging device 13
aの例えば近傍に配置されている。 It is disposed in the vicinity for example of a. これにより、温度センサ39は固体撮像素子13aの動作温度にほぼ対応する温度検知信号(例えば抵抗値の変化)Ctempをコントローラ23に出力する。 Thus, the temperature sensor 39 outputs a substantially corresponding temperature detection signal (e.g. change in resistance) Ctemp the controller 23 to the operating temperature of the solid-state imaging device 13a.

【0044】コントローラ23は、X線曝射に関する制御を行う一方で、上記温度検知信号Ctempを定期的に入力し、通常、徐々に変化する固体撮像素子13aの動作温度を例えばテーブル・ルックアップにより演算し、演算結果に対応した素子温度情報Stempをオフセット・データ生成回路40に出力する。 The controller 23, while performs control related to the X-ray exposure, periodically inputs the temperature detection signal Ctemp, typically the operation temperature of the gradually changing solid-state imaging device 13a, for example, by table look-up operation, and outputs the element temperature information Stemp corresponding to the operation result to the offset data generation circuit 40.

【0045】このオフセット・データ生成回路40は前述と同様に図7に示す如く、係数メモリ41、乗算器3 [0045] The offset data generation circuit 40 as shown in FIG. 7 in the same manner as described above, the coefficient memory 41, multiplier 3
2、オフセット・メモリ33を備えている。 2, and includes an offset memory 33. 係数メモリ41は固体撮像素子13aの動作温度の大小に対応した係数Ctemp(図8参照)を予め記憶しており、入力した素子温度情報Stempの温度値に応じた係数Ctempを乗算器32に出力する。 Coefficient memory 41 previously stores the coefficient Ctemp (see FIG. 8) corresponding to the magnitude of the operating temperature of the solid-state imaging device 13a, it outputs a coefficient Ctemp according to the temperature value of the element temperature information Stemp inputted to the multiplier 32 to. オフセット・データ生成回路40には画素アドレス信号Saも同様に供給されている。 It is supplied similarly pixel address signal Sa in the offset data generation circuit 40. このため、オフセット・データ生成回路40では素子温度情報Stemp及び画素アドレス信号Saに基づき、第2実施例と同様に、オフセット・データDoff が生成される。 Therefore, on the basis of the offset data generation circuit 40 in the element temperature information Stemp and pixel address signal Sa, as in the second embodiment, the offset data Doff is produced.

【0046】したがって、時々刻々変わる固体撮像素子13aの動作温度が逐一、測定され、この温度値に応じた補正分も加味されたオフセット補正が画素毎に実施される。 [0046] Thus, point by point the operating temperature of the momentarily changing solid-state imaging device 13a is measured, the correction amount corresponding to the temperature value is also taken into account offset correction is performed for each pixel. この結果、固体撮像素子13aの動作温度が素子自体の動作時間の増大や環境温度の上昇に拠って上がる場合でも、そのような温度変化に起因したオフセット補正の精度低下を防止でき、補正ばらつきの少ない高精度なオフセット補正を維持して、高品質の透視画像を得ることができる。 As a result, even when the operation temperature of the solid-state imaging device 13a is increased by the increase of the increase and the ambient temperature of the operating time of the device itself, can be prevented decrease in accuracy of the offset correction due to such temperature changes, the correction variation while maintaining less accurate offset correction, it is possible to obtain a high-quality fluoroscopic images.

【0047】なお、上記オフセット・データ生成回路4 [0047] It is to be noted that the offset data generation circuit 4
0は係数メモリ41とオフセット・メモリ33とを併設する構成としたが、図5記載のものと同様に、温度毎に異なる複数フレーム分のオフセット・データDoff を格納したオフセット・メモリ回路を装備し、このオフセット・メモリ回路に素子温度情報Stemp及び画素アドレス信号Saを供給するようにしてもよい。 0 has a configuration which features a coefficient memory 41 and the offset memory 33, similar to that of FIG. 5 described, equipped with offset memory circuit for storing the offset data Doff for a plurality of frames different for each temperature the element temperature information Stemp and pixel address signal Sa to the offset memory circuit may be supplied.

【0048】(第4実施例)さらに、第4実施例を図9 [0048] (Fourth Embodiment) Furthermore, the fourth embodiment FIG. 9
〜図11に基づき説明する。 It will be described with reference to to 11.

【0049】この第4実施例は、固体撮像素子に入射する光量、すなわち画素値を加味し、より適正なオフセット補正を行おうとするものである。 [0049] The fourth embodiment, the amount of light incident on the solid-state imaging device, i.e., by adding the pixel value, it is an attempt to more appropriate offset correction. 固体撮像素子の種類によっては、図22に示すように、画素値に応じて適正な補正量(画素値の変分:図21参照)が変化するものがある。 Depending on the type of solid-state imaging device, as shown in FIG. 22, an appropriate correction amount in accordance with the pixel value (variation of pixel values: see FIG. 21) is are those changes. 固体撮像素子上での電荷の転送過程においては電荷の転送残しが生じるが、この転送残しの程度は、転送する電荷の量に依存するので、上記のように補正量が変わるのである。 While leaving the transfer of charges occurs in the transfer process of the charge on the solid-state imaging device, the extent of leaving this transfer is dependent on the amount of charge to be transferred is the correction amount as described above is changed.

【0050】この補正量の変化に対応すべく、図9記載のX線診断装置はオフセット・データ生成回路50を備え、この生成回路50に、駆動回路16から画素アドレス信号Saを前述と同様に入力させるとともに、TVカメラ13の出力をデジタル量に変換するA/D変換器1 [0050] To respond to the change in the correction amount, X-rays diagnostic apparatus according Figure 9 includes an offset data generation circuit 50, to the generating circuit 50, a pixel address signal Sa from the driving circuit 16 in the same manner as described above It causes input, a / D converter 1 for converting the output of the TV camera 13 to a digital quantity
8の出力を画素値情報Spxとして入力させている。 The output of 8 and is inputted as the pixel value information Spx.

【0051】オフセット・データ生成回路50は図10 [0051] offset data generation circuit 50 Figure 10
に示すように、画素値情報Spxを供給させる係数メモリ51、画素アドレス信号Saを供給させるオフセット・ As shown in the coefficient memory 51 for supplying the pixel value information Spx, offset to provide a pixel address signal Sa
メモリ33、及び両メモリ51、33の読出しデータを掛ける乗算器32を備え、この乗算器32の乗算結果D Memory 33, and includes a multiplier 32 multiplying the read data of the two memories 51,33, the multiplication result D of the multiplier 32
off を前述の実施例と同様に加算器19に供給するようになっている。 The off and supplies to the embodiment similarly to the adder 19 described above. 係数メモリ51は図11に示す如く、指定された画素値情報Spx(入射光量)に対応した係数C Coefficient memory 51 as shown in FIG. 11, the coefficient C corresponding to the designated pixel value information Spx (incident light intensity)
pxを(例えば、画素値が大きくなると係数Cpxも大きくなり、反対に画素値が小さくなると係数Cpxも小さくなる)を出力する。 The px (e.g., coefficient Cpx also increased when the pixel value is large, the coefficient Cpx the pixel value decreases in the opposite is also reduced) to the.

【0052】このため、オフセット・データ生成回路5 [0052] For this reason, offset data generation circuit 5
0から加算器19に供給されるオフセット・データDof 0 from the offset data Dof supplied to the adder 19
f は画素値に応じて画素毎に修正されているので、加算器19の出力「Di+Doff 」も画素値に応じて修正される。 Since f is corrected for each pixel according to the pixel value, the output "Di + Doff" of the adder 19 is also modified in accordance with the pixel value. したがって、暗電流に起因したオフセット補正が、画素値を考慮して実施されるので、補正ばらつきの少ない高精度なオフセット補正が実施される。 Therefore, dark current offset correction caused is, because it is performed in consideration of the pixel value, less correction variation accurate offset correction is performed.

【0053】(第5実施例)さらに、第5実施例を図1 [0053] (Fifth Embodiment) In addition, FIG. 1 of a fifth embodiment
2及び図13に基づいて説明する。 It will be described with reference to 2, and FIG. 13.

【0054】この第5実施例は固体撮像素子の各画素の位置を考慮したものである。 [0054] The fifth embodiment takes into consideration the position of each pixel of the solid-state imaging device. 画素の位置に応じて、各画素毎の適正な補正量が変わる。 Depending on the position of the pixel, appropriate correction amount for each pixel is changed. これは、撮像素子上での電荷の転送過程にて電荷の転送残しが生じるが、この転送残しの程度は転送経路の長さにより変わることに起因する。 This is leaving the transfer of charge at the transfer process of the charge on the imaging device is caused, the degree of leaving this transfer is due to be changed by the length of the transfer path.

【0055】この実施例のX線診断装置は図12に示すように、画素アドレス信号Saを受けて、その画素アドレスを転送経路長TLに換算する経路長換算回路60 [0055] X-ray diagnostic apparatus of this embodiment, as shown in FIG. 12, upon receiving a pixel address signal Sa, the path length in terms of circuit for converting the pixel addresses in the transfer path length TL 60
と、換算した転送経路長TLに対応した補正量Doff を出力するオフセット・メモリ61とを備えている。 When, and a offset memory 61 for outputting the correction amount Doff corresponding to the transfer path length TL converted. オフセット・メモリ61は、図13に示す如く、転送経路長TLが長くなればなるほど減少するオフセット補正量D Offset memory 61, as shown in FIG. 13, the offset correction amount D transfer path length TL is reduced the longer
off の特性データを予め記憶しており、換算回路60から指令された転送経路長TLに対応した補正量Doff を読出し可能になっている。 It prestores the off characteristic data, and is capable of reading correction amount Doff corresponding to the transfer path length TL commanded from the translation circuit 60. オフセット・メモリ61から読み出されたオフセット・データDoff は加算器19に送られる。 Offset data Doff read from the offset memory 61 is sent to the adder 19. その他の構成は第1実施例と同様である。 Other configurations are the same as the first embodiment.

【0056】このため、本実施例によれば、画素位置毎に補正量を変えた、より高精度なオフセット補正が実施され、電荷の転送残しの違いに起因した空間分解能の低下やS/N比の低下を防止でき、補正ばらつきの少ない高画質の透視像を得ることができる。 [0056] Therefore, according to this embodiment, changing the correction amount for each pixel position, the embodiment is more accurate offset correction, reduction of the spatial resolution due to the difference in the remaining charge transfer and S / N can prevent a decrease in the ratio, it is possible to obtain a fluoroscopic image of the small correction variations quality.

【0057】(第6実施例)また、第6実施例を図14 [0057] (Sixth Embodiment) Further, the sixth embodiment 14
〜図16に基づいて説明する。 It will be described with reference to to 16.

【0058】この第6実施例は補正量の収集時期の改善に関し、前述した図22に示すような画素値依存域Rp [0058] With respect to this sixth embodiment is improved timing acquisition of the correction amount, the pixel value dependent areas Rp as shown in FIG. 22 described above
を持たない補正量特性の固体撮像素子に適用可能である。 It is applicable to solid-state imaging device of the correction amount characteristic having no.

【0059】この実施例に係るX線診断装置は、図14 [0059] X-ray diagnostic apparatus according to this embodiment, FIG. 14
の如く、コントローラ23及び駆動回路16から出力される撮像時間情報Stime及び画素アドレス信号Saを入力するオフセット・データ生成回路70と、コントローラ23からのスイッチ切換信号S2に応じて切り換わる2つの切換端a,bを有する電子スイッチ71とを備えている。 Of As, the controller 23 and the offset data generation circuit 70 for inputting imaging time information Stime and pixel address signal Sa outputted from the drive circuit 16, two switch end switched in accordance with switching signals S2 from the controller 23 a, and a electronic switch 71 having a b. 電子スイッチ71は、固体撮像素子18の出力側におけるA/D変換器18及び加算器19とオフセット・データ生成回路70との間に介挿されている。 Electronic switch 71 is interposed between the A / D converter 18 and the adder 19 and the offset data generation circuit 70 at the output side of the solid-state imaging device 18. つまり、電子スイッチの共通端cはA/D変換器18の出力端に、一方の切換端aは加算器19の一方の入力端に各々接続されているとともに、もう一方の切換端bはオフセット・データ生成回路70に至る。 That is, the common terminal c is the output end of the A / D converter 18 of the electronic switch, with which is respectively connected to one input terminal of one of the switch end a adder 19, the other switch end b is offset - leading to the data generation circuit 70. この電子スイッチ71は、スイッチ切換信号S2がオンのとき切換端b側に、オフのとき切換端a側に切り換わる。 The electronic switch 71, switching signal S2 is a switch end b side when on, switched to switch end a side when off.

【0060】オフセット・データ生成回路70は、撮影時間情報Stimeを入力して対応する係数Ctimeを出力する係数メモリ31と係数Ctimeを一方の入力とする2入力の乗算器32とを備えるとともに、画素アドレス信号Saを入力するオフセット・メモリ72とを備えている。 [0060] offset data generation circuit 70 is provided with a a two-input multiplier 32 a coefficient memory 31 and the coefficient Ctime for outputting a coefficient Ctime to one input corresponding to input imaging time information Stime, pixel and a offset memory 72 for inputting an address signal Sa. このオフセット・メモリ72にはさらに、コントローラ23から該メモリ72への書込みモード及び該メモリ72からの読出しモードを制御する書込/読出制御信号S W/Rが供給されるようになっている。 Further to this offset memory 72, a write / read control signal S W / R controlling the read mode from the write mode and the memory 72 to the memory 72 from the controller 23 is adapted to be supplied. この書込/読出に対応して、オフセット・メモリ72のデータ書込入力端には前記電子スイッチの切換端bを介して画像データDiが入力する一方で、データ読出し端は前記乗算器32のもう一方の入力端に至る構成となっている。 In response to the writing / reading, while the data write input of offset memory 72 to image data Di is input via the switch end b of the electronic switch, the data read end of the multiplier 32 and it has a configuration that leads to the other input terminal.

【0061】コントローラ23は、オフセット・データ生成回路70に対して、撮像モードに応じた撮像時間情報Stimeを出力するとともに、スイッチ切換信号S2のオン(切換端b側)、オフ(切換端a側)に同期してオン(書込時)、オフ(読出時)となる書込/読出制御信号S W/Rを出力するようになっている。 [0061] The controller 23, based on offset data generation circuit 70 outputs the imaging time information Stime corresponding to the imaging mode, on the switching signal S2 (switch end side b), OFF (switch end a side ) synchronization with oN (writing), and outputs the oFF (write / read control signal becomes the read) S W / R. このコントローラ23は、撮影モードに応じて、例えば図16に示す如くX線曝射及びオフセット補正を実施するようになっている。 The controller 23 is made in accordance with the photographing mode, so as to implement the X-ray irradiation and the offset correction, as shown in FIG. 16 for example.

【0062】その他の構成は第2実施例と同様である。 [0062] Other configuration is similar to the second embodiment.

【0063】本実施例の動作を図16に基づいて説明する。 [0063] The operation of this embodiment will be described with reference to FIG. 16. ある撮像モード1(例えば短時間露光モード)においてX線が曝射されない状態のときは常に、スイッチ切換信号S2及び書込/読出制御信号S W/Rがオンに設定されている(図16(d)(e)参照)。 Whenever the X-ray in a certain imaging mode 1 (e.g., short-time exposure mode) Condition not exposure, the switching signal S2 and the write / read control signal S W / R is set to ON (FIG. 16 ( d) (e) reference). これにより、 As a result,
電子スイッチ71のスイッチ経路は切換端b側になっているので、A/D変換器18の出力端がオフセット・メモリ72に接続され、オフセット・メモリ72には常に直前の、即ち1フレーム前の画像データDiがオフセット・データとして定期的に書き込まれる。 Since the switch path of the electronic switch 71 is in the switch end side b, the output end of the A / D converter 18 is connected to the offset memory 72 is always just before the offset memory 72, i.e., the previous frame image data Di is periodically written as offset data. これにより、 As a result,
オフセット・メモリ72のオフセット・データはフレーム毎に更新され、最新のデータとなっている。 Offset data offset memory 72 is updated on a frame-by-frame basis, it has become the latest data.

【0064】いま、時刻t 0にて撮像モードがモード2 [0064] Now, the imaging mode at time t 0 mode 2
(例えば長時間露光モード)に指令されたが、X線曝射は未だ指令されていないとする(同図(f)参照)。 (E.g. long exposure mode) has been commanded to be the X-ray irradiation is not yet command (see FIG. (F)). これにより、フレーム信号VDの間隔が変更され(例えば長くなる:同図(a)参照)、この新しい撮像時間に係るフレーム毎に、1フレーム遅れで最新のオフセット・ Thus, it changes the interval of the frame signal VD (e.g. longer: FIG see (a)), for each frame in accordance with the new imaging time, the latest offset in one frame delay
データがオフセット・メモリ72に書き込まれる(例えばフレームF nでの画像データDiがオフセット・データとして、次フレームF n+1で書き込まれる)。 Data is written in the offset memory 72 (e.g., image data Di in a frame F n is as offset data, are written in the next frame F n + 1).

【0065】この状態で、時刻t 1にて、X線曝射開始を指示するX線曝射信号S1がオンになると(同図(a)参照)、次フレームF n+1の開始時刻t 1aで実際のX線曝射が開始された後(同図(c)参照)、X線曝射信号S1のオンに該当するフレームF nの画像データDiがオフセット・メモリ72に書込み完了した時刻t [0065] In this state, at time t 1, (see Fig. (A)) when the X-ray irradiation signal S1 for designating the X-ray irradiation start is turned on, the next frame F n + 1 start time t in fact, after X-ray exposure is started (see FIG. (c)), the time in which the image data Di of the frame F n is completed writing to the offset memory 72 corresponding to the oN X-ray emitting signal S1 at 1a t
1bにて、今度は、スイッチ切換信号S2及び書込/読出制御信号S W/Rが共に同期してオフに立ち下がる(同図(d)(e)参照)。 At 1b, in turn, the switching signal S2 and the write / read control signal S W / R falls off synchronously together (see FIG. (D) (e)). この結果、電子スイッチ72のスイッチ経路は反対の切換端a側に変わり、且つオフセット・メモリ72が読出し状態に変わる。 As a result, the switch path of the electronic switch 72 is changed to the opposite switch end a side, and the offset memory 72 is changed to the read state.

【0066】これにより、オフセット・メモリ72からは画素アドレス信号Saに対応した画素の、最新のオフセット・データDoff が読み出され、このデータDof [0066] Thus, from the offset memory 72 of the pixel corresponding to the pixel address signal Sa, the latest offset data Doff * read, the data Dof
f に、その時点の撮影時間情報Stimeに応じた係数C to f *, coefficient C in accordance with the shooting time information Stime of that time
timeが掛け算されて、最終のオフセット・データDoff time is multiplied, the final of the offset data Doff
が演算される。 There are calculated. いま、A/D変換器18の変換データD Now, input data D of the A / D converter 18
iは加算器19に供給されているから、その変換データDiに最新のオフセット・データDoff が加算又は減算される。 Since i is supplied to the adder 19, the latest offset data Doff is added or subtracted to the converted data Di. このオフセット補正は画素毎に行われる。 The offset correction is performed for each pixel.

【0067】この後、時刻t 2でX線曝射信号S2がオフになると、これに同期して実際のX線曝射も終了する。 [0067] Then, X-ray exposure signal S2 at time t 2 is turned off, also ends the actual X-ray exposure in synchronization therewith. しかし、スイッチ切換信号S2及び書込/読出制御信号S W/Rのオフの状態は、その曝射終了に係るフレームの画像データが固体撮像素子13aから出力される次フレームまで維持され、撮像モードに応じてオフセット補正されたX線画像がCRT22に表示される。 However, the off state of the switching signal S2 and the write / read control signal S W / R is maintained until the next frame image data of a frame according to the irradiation end is outputted from the solid-state imaging device 13a, an imaging mode X-ray image that is offset corrected according to is displayed on the CRT 22.

【0068】そして、画像処理のフレームが終わる時刻t 3で、スイッチ切換信号S2及び書込/読出制御信号S W/Rがオンに立ち上げられ、前述したように、最新の画像データDiがオフセット・データとしてオフセット・メモリ72に逐次、書き込まれる。 [0068] Then, at time t 3 when the frame of the image processing is completed, the switching signal S2 and the write / read control signal S W / R is raised to turn on, as described above, the latest image data Di is offset data sequentially to the offset memory 72 as written.

【0069】このように、画素値依存域を持たない固体撮像素子の場合、光学像を入射させない撮像直前のタイミングで収集したオフセット・データを利用することができ、撮像時間が変わっても、その撮像時間の長短に対応したほぼリアルタイムのオフセット補正を行うことができる。 [0069] Thus, when the solid-state imaging device with no pixel value dependent areas, it is possible to use the offset data collected at the time of imaging immediately before not incident optical image, they change the imaging time, the it is possible to perform near real-time offset correction corresponding to the length of the imaging time. この結果、精度の高いオフセット補正を実施できる一方で、撮像が実際に行われるときの固体撮像素子の温度下で補正量を収集しているので、前述したような固体撮像素子の温度に応じた補正は不要になり、素子構成及び補正処理が簡単になるという利点がある。 As a result, while capable of performing highly accurate offset correction, since the collecting correction amount at a temperature of the solid-state imaging device when the imaging is actually performed, in accordance with the temperature of the solid-state imaging device as described above correction becomes unnecessary, there is an advantage that the element configuration and the correction process is simplified.

【0070】(第7実施例)さらに、第7実施例を図1 [0070] (Seventh Embodiment) Furthermore, FIG. 1 of a seventh embodiment
7及び図18に基づいて説明する。 It will be described with reference to 7 and 18. この第7実施例はオフセット補正量Doff の絶対値が大きい場合の対策に関する。 The seventh embodiment relates to measures when the absolute value of the offset correction amount Doff is large.

【0071】前述したように撮像時間、素子温度、画素値、画素位置に応じてオフセット補正量Doff を修正する手法は非常に優位性の高いものであるが、僅かながら誤差を含むこともある。 [0071] imaging time, as described above, the element temperature, the pixel values, a technique for correcting the offset correction amount Doff according to the pixel position is is very high superiority, sometimes including an error slightly. この修正誤差の割合が僅かであっても、オフセット補正量Doff の絶対値が大きければ、補正された画像データ「Di+Doff 」には相当の誤差が残ることがあり、そのような場合、ア−チファクトの原因にもなる得る。 Even a small proportion of this modified error, the larger the absolute value of the offset correction amount Doff, there is a considerable error remains in the corrected image data "Di + Doff" In such a case, A - Chifakuto It can also cause. そこで、本実施例はオフセット補正量Doff の絶対値が大きい場合でも、アーチファクトの少ない画像を提供することを、目的とする。 The present embodiment, even if the absolute value of the offset correction amount Doff is large, to provide an image having less artifacts of interest.

【0072】図17に示すX線診断装置は、駆動回路1 [0072] X-ray diagnostic apparatus shown in FIG. 17, the drive circuit 1
6からの画素アドレス信号Sa及びオフセット・データ生成回路30からのオフセット補正量Doff を入力させ、置換画素アドレスSa を決める置換アドレス決定回路80と、加算器19及びD/A変換器21の間に介挿され、決定した置換画素アドレスSa の画素値を置換する置換回路81とを備えている。 To enter the offset correction amount Doff from pixel address signal Sa and the offset data generation circuit 30 from 6, the replacement address decision circuit 80 for determining the substitute pixel address Sa *, between the adder 19 and the D / A converter 21 and a replacement circuit 81 for replacing inserted, the determined substitute pixel address Sa * pixel values.

【0073】置換アドレス決定回路80は図18に示す如く、オフセット補正量Doff の絶対値を演算する絶対値回路82と、この絶対値回路82の出力と予め定めたオフセット補正量の基準値Deとを比較する比較器83 [0073] the replacement address decision circuit 80 as shown in FIG. 18, an absolute value circuit 82 for calculating the absolute value of the offset correction amount Doff, the output of the absolute value circuit 82 and the predetermined offset correction amount reference value De a comparator 83 for comparing the
と、比較器83の比較結果を受けて開閉するゲート回路84とを有する。 When, and a gate circuit 84 for opening and closing by receiving a comparison result of the comparator 83. 比較器83はオフセット補正量Doff The comparator 83 is offset correction amount Doff
の絶対値が基準値De以下のときは、その出力をオフに維持するが、基準値Deを越えたときはオンに立ち上げる。 When the absolute value is less than the reference value De of, but maintained off its output, when it exceeds the reference value De raises on. ゲート回路84は比較器83の出力がオフの間、開(オフ)となり、画素アドレス信号Saを遮断するが、 The gate circuit 84 between the output of the comparator 83 is off, open (OFF), and is blocking the pixel address signal Sa,
比較器84の出力がオンのとき、閉(オン)となり、画素アドレス信号Saを通過させる。 The output of the comparator 84 is when on, closed (on), and to pass the pixel address signal Sa. この結果、比較器8 As a result, the comparator 8
3の出力がオンになる画素アドレスのとき、ゲート回路84からその時点の画素アドレス信号Saが置換画素アドレスSa として置換回路81に供給される。 The output of 3 when the pixel addresses turned on, the pixel address signal Sa of the time from the gate circuit 84 is supplied to the replacement circuit 81 as a replacement pixel address Sa *.

【0074】置換回路81はデータレジスタ、書込・読出回路などを有し、置換画素アドレスSa が指令されたときの画素値を、例えば隣接1画素の画素値で置換する。 [0074] substitution circuit 81 data register has such write-read circuit, the pixel value when the substitute pixel address Sa * is commanded, for example, replaced with the pixel value of the adjacent pixel. この置換としては、隣接する複数の画素の画素値から平均値を演算し、その平均値で置換する手法も採用できる。 Examples of the substituent, calculates the average value from the pixel values ​​of a plurality of adjacent pixels, can also be employed technique for replacing with the average value. 置換回路81は、置換画素アドレスSa が指令されないときは、加算器19の出力、即ちオフセット補正された画像データ「Di+Doff 」をそのまま次段のD/A変換器21に供給する。 Substitution circuit 81, when the substitute pixel address Sa * is not commanded, the output of the adder 19, i.e., offset-corrected directly supplied to the next stage of the D / A converter 21 the image data "Di + Doff" were.

【0075】その他の構成及び機能は、第2実施例のものと同一である。 [0075] Other configurations and functions are identical to those of the second embodiment.

【0076】このように、オフセット・データ生成回路30で生成されたオフセット補正量Doff の絶対値が基準値Deを上回るときには、その画素アドレスが置換アドレス決定回路80により自動的に決定される。 [0076] Thus, when the absolute value of the offset correction amount Doff generated by offset data generation circuit 30 exceeds the reference value De is the pixel address is automatically determined by the replacement address decision circuit 80. かかる画素アドレスの画像データは、置換回路81にて隣接画素との関連において画素値が置換され、比較的大きなオフセット誤差が含まれている恐れのある画素値が的確に処理される。 Image data of such pixel address, the pixel value is replaced in the context of the adjacent pixels in substitution circuit 81, a pixel value which may contain relatively large offset error is processed accurately. この結果、アーチファクトの少ない画像を提供できるとともに、暗時出力の補正に対して、加算(減算)によるオフセット補正と置換とにより二重の防止策が施され、その信頼性が極めて高くなる。 As a result, it is possible to provide an image having less artifacts for correction of dark output, addition (subtraction) offset correction and substituted with a dual prevention is performed by, its reliability is extremely high.

【0077】なお、この実施例では、補正量Doff の絶対値が基準値より大きいか否かに関わらず、一度、加算(減算)によるオフセット補正を行った後に、必要に応じて、置換を行うようにしたが、オフセット・データ生成回路30と加算器19との間にスイッチング回路を介挿し、補正量Doff の絶対値が基準値より大きいときには加算(減算)によるオフセット補正を行わないようにすることもできる。 [0077] In this embodiment, regardless of whether or not the absolute value of the correction amount Doff is larger than the reference value, once, after the offset correction by addition (subtraction), if necessary, the replacement It was manner, interposing a switching circuit between the offset data generation circuit 30 and an adder 19, when the absolute value of the correction amount Doff is larger than the reference value so as not to perform the offset correction by addition (subtraction) it is also possible.

【0078】また、上記実施例は撮像時間をオフセット補正のパラメータとしたが、事前に収集した画素毎の暗時出力(第1実施例)、固体撮像素子の温度(第3実施例)、画素値(第4実施例)、及び画素位置(第5実施例)についても同様に実施できる。 [0078] Further, the above embodiment has been a parameter of the offset correction imaging time, the dark for each pixel collected in advance an output (first embodiment), the temperature of the solid-state imaging device (third embodiment), the pixel It can be similarly applied for the value (fourth embodiment), and the pixel position (fifth embodiment).

【0079】上記第7実施例の変形例を図19に示す。 [0079] FIG. 19 shows a modification of the seventh embodiment.
同図に示すように、このX線診断装置は、前述した置換アドレス決定回路80に代えて、画素アドレス信号Sa As shown in the figure, the X-ray diagnostic apparatus, in place of the replacement address decision circuit 80 described above, the pixel address signal Sa
のみが供給される置換情報メモリ86を備えている。 Only includes replacement information memory 86 to be supplied. この置換情報メモリ86には、本装置の出荷時など、装置使用時よりも前に、画像データを置換する必要があるアドレスが測定され、その置換アドレスが書き込まれている。 The Substituted information memory 86, such as during shipment of the apparatus, prior to the time of device use, the address needs to be replaced the image data is measured, the replacement address is written. このため、画素アドレス信号Saが、記憶した置換アドレスに該当するとき、置換情報メモリ86から置換指令信号Scd=オンが置換回路81に送られ、前述したと同様に画像データが置換される。 Accordingly, pixel address signal Sa is, when corresponding to the stored replacement address, substituted command signal Scd = ON substituted information memory 86 is sent to the replacement circuit 81, the image data in the same manner as described above is substituted. 画素アドレス信号S Pixel address signal S
aが、記憶した置換アドレスに該当しないときは、置換指令信号Scd=オフとなり、置換動作は実施されない。 a it is and, if otherwise, the stored replacement address, it is substituted command signal Scd = OFF, permutation operation is not performed.
このように機能させることで、より簡単な構成で置換動作が可能となる。 By in this manner function is made possible substitution operation with a simpler configuration.

【0080】(第8実施例)さらに第8実施例を図20 [0080] The (Eighth Embodiment) Further eighth embodiment 20
に基づいて説明する。 It will be described with reference to. この実施例はオフセット補正機構の取付け位置に関する。 This embodiment relates to a mounting position of the offset correction mechanism.

【0081】図20に示すX線診断装置は、第1実施例に係る図1記載のもののオフセット補正機構の位置を変更したものである。 [0081] X-ray diagnostic apparatus shown in FIG. 20 is obtained by changing the position of the offset correction mechanism of that of Figure 1 described in the first embodiment. 具体的には、TVカメラ13の出力側とCRT22との間に、増幅器17、2入力のアナログ型加算器90、増幅器91、A/D変換器92、デジタル処理回路93、及びA/D変換器21を、この順に介挿している。 Specifically, between the output side and CRT22 of the TV camera 13, an amplifier 17,2 input analog adder 90, amplifier 91, A / D converter 92, the digital processing circuit 93, and A / D converter the vessel 21, are interposed in this order. 一方、オフセット補正量Doff を読み出すオフセット・メモリ20の読出し側は、別のD/A変換器94及び増幅器95をこの順に設け、増幅器95の出力端を上記加算器90に接続している。 On the other hand, the reading side of the offset memory 20 to read out the offset correction amount Doff is provided with a separate D / A converter 94 and the amplifier 95 in this order, and connects the output of the amplifier 95 in the adder 90.

【0082】これにより、画素アドレス信号Saに対応して読み出されたデジタル量のオフセット補正量Doff [0082] Thus, the offset correction amount Doff of the digital quantity read to correspond to the pixel address signal Sa
はD/A変換器94によりアナログ量に変換された後、 After it is converted into an analog amount by the D / A converter 94,
加算器90に至る。 Leading to the adder 90. 加算器90にはアナログ量のままの画像データが画素毎に供給されているので、加算器90 Since the adder 90 the image data of the left analog quantity is supplied for each pixel, the adder 90
ではアナログ量のオフセット補正「Di+Doff 」が実施される。 In the analog amount of the offset correction "Di + Doff" it is performed. この補正結果はその後、A/D変換器92でデジタル量に戻された後、デジタル処理回路93で必要なデジタル処理に付される。 The subsequent correction result, after returning to a digital value by A / D converter 92 is subjected to the digital processing required for the digital processing circuit 93. その後、画像データはD/ Thereafter, the image data is D /
A変換器21でアナログ量の画像信号に戻され、CRT Back to the analog quantity image signals by the A converter 21, CRT
22で表示される。 It is displayed at 22.

【0083】このようにオフセット補正を、デジタル量に変換する前に、アナログ量のまま実施することで、A [0083] Such offset correction, before converting the digital quantity, by carrying out remain analog quantity, A
/D変換器92のビット長を全て有効に画像データ分として利用することができ、前述したような、ビット長がオフセット補正に取られて、有効な有効なビット長が減少するという問題を回避できる。 / All the bit length of the D converter 92 can be utilized effectively as the image data fraction, avoiding the problem as described above, the bit length is taken to the offset correction, the effective available bit length decreases it can.

【0084】なお、この実施例は、出荷時などに収集した画素毎のオフセット・データDoff に基づいてオフセット補正する構成に限定されることなく、撮像時間に基づくオフセット補正(第2実施例)、固体撮像素子の温度に基づくオフセット補正(第3実施例)、画素値に基づくオフセット補正(第4実施例)、画素位置に基づくオフセット補正(第5実施例)、置換によるオフセット補正(第7実施例)についても同様に実施できる。 [0084] Incidentally, this embodiment is not limited to a configuration in which the offset correction on the basis of the offset data Doff for each pixel collected, such as during shipping, the offset correction (second embodiment) based on the imaging time, offset correction based on the temperature of the solid-state imaging device (third embodiment), the offset correction based on the pixel value (the fourth embodiment), the offset correction based on the pixel position (fifth embodiment), the offset correction (seventh embodiment by replacing example) can be carried out in the same manner also.

【0085】なおまた、上記第2〜第5実施例ではオフセット補正のパラメータ(撮像時間、素子温度、画素値、画素位置)を個別に設定したものについて実施した例を説明したが、これらのパラメータ、即ち撮像時間、 [0085] Note also, the parameters (imaging time, device temperature, pixel values, pixel position) of the offset correction in the second to fifth embodiments a description has been given of an example carried out on that set the individually these parameters , ie imaging time,
素子温度、画素値、画素位置の内、任意のものを適宜組み合わせたパラメータとし、それについて実施してもよい。 Element temperature, the pixel value, among pixel positions, and appropriate combination parameters any, it may be performed on it. またそれらのパラメータに係るオフセット補正と、 The offset correction according to these parameters,
置換によるオフセット補正とを適宜組み合わせて実施してもよい。 An offset correction by substitution may be carried out in combination as appropriate.

【0086】 [0086]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 As described in the foregoing, according to the present invention,
固体撮像素子の暗電流に起因したオフセット量を、その補正量が画素値依存域が在るか否かに応じて適宜な態様(例えば、画素値依存域がある場合、出荷時などに予め測定した画素毎のオフセット補正量で補正する態様、撮像時間、固体撮像素子の温度、画素値、画素位置の各パラメータの内、任意の一つ又は任意の組み合わせで補正量を変更する態様、画素値が所定レベル以上あるときには画素値自体を置換する補正を付加する態様、アナログ量のままオフセット補正を行ってからデジタル量に変換する態様など。画素値依存域が無い場合、暗時出力データ(補正データ)で画素毎に補正する態様、撮像の直前に収集した暗時出力データ(補正データ)を撮像時間に基づいて変更する態様、画素値が所定レベル以上あるときには画素値自体 The offset amount due to the dark current of the solid-state imaging device, an appropriate manner according to whether the correction amount is in the pixel value dependent areas (e.g., if there is a pixel value dependent areas, previously measured, such as during shipping manner to correct by the offset correction amount for each pixel, imaging time, the temperature of the solid-state imaging device, a pixel value, among the parameters of the pixel positions, aspects of changing the correction amount in any one or any combination, the pixel value embodiment but when the more than predetermined level to add a correction to replace the pixel value itself, such as mode of conversion after performing remain offset correction of analog quantity into a digital quantity. If the pixel value dependent areas is not, the dark signal data (correction manner to correct every pixel by the data), the pixel value itself when the aspect changed based on output data (correction data) imaging time dark collected just prior to imaging, the pixel value is greater than a predetermined level 置換する補正を付加する態様、アナログ量のままオフセット補正を行ってからデジタル量に変換する態様など)で補正することとしたので、補正残しや補正ばらつきを著しく減らして空間分解能を上げるとともに、アーチファクトの減少によりS/N比を向上させた高品質の画像を得ることができ、また画像から得られる情報の低下を防止でき、さらにはA/D変換器のビット長を有効に利用し、画像のダイナミックレンジを向上させることができる。 Manner of adding a correction to replace, so it was decided to correct in a manner like) for converting the digital quantity after performing remain offset correction of analog quantity, together with increasing the spatial resolution significantly reduce correction left and correction unevenness, artifacts of it is possible to obtain a high quality image with improved S / N ratio by decreasing, also it can prevent a decrease in information obtained from the image, and further by effectively utilizing the bit length of a / D converter, image dynamic range can be improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の第1実施例に係るX線診断装置の概略構成を示すブロック図。 1 is a block diagram showing an outline of an X-ray diagnostic apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第2実施例に係るX線診断装置の概略構成を示すブロック図。 2 is a block diagram showing an outline of an X-ray diagnostic apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【図3】第2実施例におけるオフセット・データ生成回路を示すブロック図。 3 is a block diagram illustrating the offset data generation circuit in the second embodiment.

【図4】撮像時間と係数の定性的な関係を説明するグラフ。 Figure 4 is a graph illustrating the qualitative relationship between the imaging time and the coefficient.

【図5】オフセット・データ生成回路の他の例を示すブロック図。 FIG. 5 is a block diagram showing another example of the offset data generation circuit.

【図6】この発明の第3実施例に係るX線診断装置の概略構成を示すブロック図。 FIG. 6 is a block diagram showing an outline of an X-ray diagnostic apparatus according to the third embodiment of the present invention.

【図7】第3実施例におけるオフセット・データ生成回路を示すブロック図。 FIG. 7 is a block diagram showing an offset data generation circuit in the third embodiment.

【図8】固体撮像素子の温度と係数の定性的な関係を説明するグラフ。 Figure 8 is a graph illustrating the qualitative relationship between the temperature and the coefficient of the solid-state imaging device.

【図9】この発明の第4実施例に係るX線診断装置の概略構成を示すブロック図。 9 is a block diagram showing an outline of an X-ray diagnostic apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】第4実施例におけるオフセット・データ生成回路を示すブロック図。 10 is a block diagram showing an offset data generation circuit in the fourth embodiment.

【図11】画素値と係数の定性的な関係を説明するグラフ。 Figure 11 is a graph illustrating the qualitative relationship between the pixel value and coefficient.

【図12】この発明の第5実施例に係るX線診断装置の概略構成を示すブロック図。 12 is a block diagram showing an outline of an X-ray diagnostic apparatus according to the fifth embodiment of the present invention.

【図13】転送経路長とオフセット補正量の定性的な関係を説明するグラフ。 Figure 13 is a graph illustrating the qualitative relationship between the transfer path length and offset correction amount.

【図14】この発明の第6実施例に係るX線診断装置の概略構成を示すブロック図。 14 is a block diagram showing an outline of an X-ray diagnostic apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【図15】第6実施例におけるオフセット・データ生成回路及びオフセット・データの取り込みを示すブロック図。 15 is a block diagram showing an offset data generation circuit and the offset data acquisition in the sixth embodiment.

【図16】第6実施例の動作を説明するタイミングチャート。 Figure 16 is a timing chart illustrating operation of the sixth embodiment.

【図17】この発明の第7実施例に係るX線診断装置の概略構成を示すブロック図。 Figure 17 is a block diagram showing an outline of an X-ray diagnostic apparatus according to the seventh embodiment of the present invention.

【図18】第7実施例のオフセット・データ生成回路及び置換アドレス決定回路のブロック図。 Figure 18 is a block diagram of the offset data generation circuit and the replacement address decision circuit of the seventh embodiment.

【図19】第7実施例の変形例に係るオフセット・データ生成回路及び置換アドレス決定回路のブロック図。 Figure 19 is a block diagram of the offset data generation circuit and the replacement address decision circuit according to a modification of the seventh embodiment.

【図20】この発明の第8実施例に係るX線診断装置の概略構成を示すブロック図。 Figure 20 is a block diagram showing an outline of an X-ray diagnostic apparatus according to the eighth embodiment of the present invention.

【図21】温度、蓄積時間などの条件をパラメータとしたときの、画素値の変分を説明するグラフ。 [21] temperature, when the conditions such as the accumulation time as a parameter, graphs illustrating the variation of the pixel values.

【図22】画素値依存域を説明するための、画素値−変分(補正量)の特性図。 [Figure 22] for explaining a pixel value dependent areas, the pixel value - characteristic diagram of variation (correction amount).

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

13 TVカメラ 13a 固体撮像素子 16 駆動回路 18 A/D変換器 19 加算器 20 オフセット・メモリ 23 コントローラ 30、40、50、70 オフセット・データ生成回路 34 オフセット・メモリ回路 39 温度センサ 60 経路長換算回路 61 オフセット・メモリ 71 電子スイッチ 80 置換アドレス決定回路 81 置換回路 86 置換情報メモリ 90 加算器 92 A/D変換器 94 D/A変換器 13 TV camera 13a solid-state imaging device 16 driving circuit 18 A / D converter 19 the adder 20 the offset memory 23 controller 30,40,50,70 offset data generation circuit 34 offset memory circuit 39 temperature sensor 60 pathlength terms circuit 61 offset memory 71 electronic switches 80 replacement address decision circuit 81 replacing circuit 86 replacing information memory 90 adder 92 A / D converter 94 D / A converter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 6識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 31/09 7630−4M H01L 31/00 A (72)発明者 小林 信夫 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 林 幹人 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 白石 邦夫 栃木県大田原市下石上1385番の1 東芝メ ディカルエンジニアリング株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 6 identification symbol Agency in the docket number FI technology display location H01L 31/09 7630-4M H01L 31/00 a (72 ) inventor Shinobu Kobayashi Tochigi Prefecture Otawara Shimoishigami 1385 No. 1 stock company Toshiba Nasu in the factory (72) inventor Mikito Hayashi Tochigi Prefecture Otawara Shimoishigami 1385 No. 1 stock company Toshiba Nasu plant (72) inventor Kunio Shiraishi Tochigi Prefecture Otawara Shimoishigami 1385 turn of 1 Toshiba main di Cal engineering Co., Ltd. in

Claims (12)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 撮像した光学像に対応した画素値から成る画像データを出力する固体撮像素子を備えた撮像装置において、上記固体撮像素子の画素毎の暗電流に起因したオフセット量を補正するための予め測定された補正データを記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された補正データに基づいて上記固体撮像素子からの画像データを画素毎に補正するオフセット補正手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。 1. A imaging apparatus having a solid-state image sensor which outputs image data consisting of pixel values ​​corresponding to the optical image captured, for correcting the offset amount due to the dark current of each pixel of the solid state imaging device wherein storage means for storing previously measured corrected data, further comprising an offset correcting means for correcting each pixel of image data from the solid-state imaging device based on the correction data stored in the storage means imaging device according to.
  2. 【請求項2】 前記補正データの画素値に対する特性は画素値に依存する画素値依存域を有し、その補正データは当該撮像装置の使用時よりも前に測定され且つ記憶されたデータである請求項1記載の撮像装置。 2. A characteristics for the pixel value of the correction data has a pixel value dependent area that depends on the pixel value, the correction data is measured and stored data prior to use of the imaging apparatus imaging apparatus according to claim 1.
  3. 【請求項3】 前記補正データは、前記画素値依存域以外の領域に対応した画素値の光量を前記固体撮像素子に入射させて測定されたデータである請求項2記載の撮像装置。 Wherein said correction data, the imaging apparatus according to claim 2, wherein the light amount of the pixel values ​​corresponding to the region other than the pixel value dependent area is a data measured by incident on the solid-state imaging device.
  4. 【請求項4】 前記光学像を前記固体撮像素子に入射し続ける撮像時間、前記固体撮像素子の温度、前記画像データの画素値、及び前記画素の位置の各パラメータの内、少なくとも1つ又は複数の組み合わせに基づいて前記補正データを変更する補正データ変更手段を付加した請求項3記載の撮像装置。 4. The imaging continue entering the optical image on the solid-time, the temperature of the solid-pixel value of the image data, and among the parameters of the position of the pixel, at least one or more imaging device according to claim 3, wherein by adding the correction data changing means for changing the correction data based on a combination of.
  5. 【請求項5】 前記補正データ変更手段により変更された補正データが基準値を越えるか否かを画素毎に判断する判断手段と、この判断手段により上記補正データが基準値を越えると判断されたとき、その判断対象の画素の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加したことを特徴とする請求項4 5. A determination means the correction data changed by the correction data changing means determines whether exceeds the reference value for each pixel, the correction data is determined to exceed the reference value by this judgment means when, according to claim 4, characterized in that the addition and replacement means for replacing the pixel value of the pixel of the determination target pixel value obtained from the pixel values ​​of the pixels in the vicinity thereof
    記載の撮像装置。 The imaging apparatus according.
  6. 【請求項6】 前記画像データを置換する必要のあるアドレスを予め記憶させた置換アドレスメモリ手段と、前記固体撮像素子による撮像対象の画素位置が上記置換アドレスメモリ手段に記憶させた置換アドレスに一致するとき、その画素の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加したことを特徴とする請求項4記載の撮像装置。 Wherein matching the image and replacement address memory means in which data was previously stored addresses that need to replace the solid replacement address pixel position of the imaging target by the imaging device has been stored in the replacement address memory means to time, the imaging apparatus according to claim 4, characterized in that adding and replacing means for replacing the pixel value of the pixel in pixel value obtained from the pixel values ​​of the pixels in the vicinity thereof.
  7. 【請求項7】 前記オフセット補正手段は補正データをアナログ量に変換するD/A変換器と、このD/A変換器のアナログ量の変換データと前記固体撮像素子のアナログ量の画像データとを加算する加算器とを備えるとともに、この加算器の加算結果をデジタル量に変換するA Wherein said offset correction means and D / A converter for converting the correction data into an analog quantity, and the image data of the analog quantity of the analog amount converted data and the solid-state imaging device of the D / A converter together comprising an adder for adding, a to convert the addition result of the adder into a digital quantity
    /D変換器を備えたことを特徴とする請求項4、5又は6記載の撮像装置。 / Imaging apparatus according to claim 4, 5 or 6, wherein further comprising a D converter.
  8. 【請求項8】 前記補正データの画素値に対する特性は画素値に依存しない特性であり、且つこの補正データは光学像を固体撮像素子の入射させない状態で測定された暗時出力データである請求項1記載の撮像装置。 8. characteristics for the pixel value of the correction data is a characteristic that does not depend on the pixel values, and claims the correction data is output data dark measured an optical image in a state of not entering the solid-state imaging device 1 imaging device according.
  9. 【請求項9】 前記暗時出力データは撮像時の直前のフレーム期間にて測定されたデータであり、前記光学像を前記固体撮像素子に入射し続ける撮像時間に基づいて上記暗時出力データを変更する補正データ変更手段を付加した請求項8記載の撮像装置。 Output data when wherein said dark are data measured at the immediately preceding frame period at the time of imaging, the output data dark above with reference to the optical image on the solid-state imaging continue entering time imaging element imaging device according to claim 8, wherein the added correction data changing means for changing.
  10. 【請求項10】 前記補正データ変更手段により変更された補正データが基準値を越えるか否かを画素毎に判断する判断手段と、この判断手段により上記補正データが基準値を越えると判断されたとき、その判断対象の画素の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加したことを特徴とする請求項9記載の撮像装置。 10. A judgment means the correction data changed by the correction data changing means determines whether exceeds the reference value for each pixel, the correction data is determined to exceed the reference value by this judgment means when imaging apparatus according to claim 9, wherein the added and replacing means for replacing the pixel value of the pixel of the determination target pixel value obtained from the pixel values ​​of the pixels in the vicinity thereof.
  11. 【請求項11】 前記画像データを置換する必要のあるアドレスを予め記憶させた置換アドレスメモリ手段と、 A replacement address memory means 11. is previously stored addresses that need to replace the image data,
    前記固体撮像素子による撮像対象の画素位置が上記置換アドレスメモリ手段に記憶させた置換アドレスに一致するとき、その画素の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加したことを特徴とする請求項9記載の撮像装置。 Wherein the solid when the pixel position of the imaging target by the imaging device matches the replacement address is stored in the replacement address memory means, replacing means for replacing the pixel value of the pixel in pixel value obtained from the pixel values ​​of the pixels in the vicinity thereof imaging device according to claim 9, wherein the added and.
  12. 【請求項12】 前記オフセット補正手段は補正データをアナログ量に変換するD/A変換器と、このD/A変換器のアナログ量の変換データと前記固体撮像素子のアナログ量の画像データとを加算する加算器とを備えるとともに、この加算器の加算結果をデジタル量に変換するA/D変換器を備えたことを特徴とする請求項9、10 12. The method of claim 11, wherein the offset correction means and D / A converter for converting the correction data into an analog quantity, and the image data of the analog quantity of the analog amount converted data and the solid-state imaging device of the D / A converter together comprising an adder for adding, claim 9 and 10, characterized in that it comprises an a / D converter for converting the addition result of the adder into a digital quantity
    又は11記載の撮像装置。 Or 11 imaging device according.
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