JPH07236093A - Image pickup device - Google Patents
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- JPH07236093A JPH07236093A JP6022797A JP2279794A JPH07236093A JP H07236093 A JPH07236093 A JP H07236093A JP 6022797 A JP6022797 A JP 6022797A JP 2279794 A JP2279794 A JP 2279794A JP H07236093 A JPH07236093 A JP H07236093A
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Landscapes
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Image Input (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、X線診断装置などに
使われる撮像装置に係り、とくに光学像を撮像する撮像
素子としてCCD(Charge Coupled Device )などの固
体撮像素子を用いた撮像装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image pickup apparatus used in an X-ray diagnostic apparatus or the like, and more particularly to an image pickup apparatus using a solid-state image pickup element such as CCD (Charge Coupled Device) as an image pickup element for picking up an optical image. .
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の撮像装置を搭載した機器
として、例えば医用のX線透視装置がある。このX線透
視装置では、被検体を透過してきたX線がイメージ・イ
ンテンシファイヤ(I.I.)で光信号に変換され、こ
の光信号が撮像装置に入射される。撮像装置では、その
TVカメラの固体撮像素子により、光信号が電気信号に
変換される。そして、この撮像装置から出力された電気
信号に基づきモニタに透視像が表示されるようになって
いる。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, there is a medical X-ray fluoroscope as a device equipped with this type of imaging device. In this X-ray fluoroscope, the X-rays that have passed through the subject are converted into optical signals by an image intensifier (II), and the optical signals are incident on the image pickup apparatus. In the image pickup device, an optical signal is converted into an electric signal by the solid-state image pickup element of the TV camera. Then, a perspective image is displayed on the monitor based on the electric signal output from the image pickup apparatus.
【0003】固体撮像素子では、受光部に配置される受
光素子の内、被写体像を実際に光電変換させる有効画素
領域と、光学的黒(オプチカルブラック)と称する、遮
光された画素領域とを有している。この光学的黒の画素
領域からは暗電流が出力される一方で、有効画素領域か
らの暗電流はそのままオフセット分として有効画素領域
の各画素の出力電流に重畳されるので、このオフセット
を補正する必要がある。In the solid-state image sensor, an effective pixel area for actually photoelectrically converting a subject image and a light-shielded pixel area called optical black are included in the light-receiving element arranged in the light-receiving portion. is doing. While the dark current is output from the optically black pixel area, the dark current from the effective pixel area is directly superimposed on the output current of each pixel in the effective pixel area as an offset component, so this offset is corrected. There is a need.
【0004】このオフセット補正には種々の手法があ
る。その一つとして、暗時画像から暗時出力が一定レベ
ル以上である欠陥(傷)画素の位置を予め検出し、その
欠陥画素の画素値を隣接画素の画素値で置換する手法が
ある。また、別の手法として、例えば、特開平2−16
4184号公報記載の如く、光学像を固体撮像素子に入
射させないタイミングで暗時出力をメモリに記憶させ、
この記憶値を光学像入射時の固体撮像素子の出力から差
し引き、これにより画素毎のオフセット補正をデジタル
処理で行う手法も知られている。There are various methods for this offset correction. As one of them, there is a method of previously detecting the position of a defective (scratch) pixel whose dark output is a certain level or higher from the dark image and replacing the pixel value of the defective pixel with the pixel value of an adjacent pixel. As another method, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-16
As described in Japanese Patent No. 4184, a dark output is stored in a memory at a timing at which an optical image is not incident on a solid-state image sensor,
A method is also known in which this stored value is subtracted from the output of the solid-state image pickup device when an optical image is incident, thereby performing offset correction for each pixel by digital processing.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のホフセット補正には以下のような種々の未解決
の問題があった。However, the above-mentioned conventional Hofset correction has various unsolved problems as follows.
【0006】まず、隣接画素の画素値で置換する手法で
は、欠陥画素が暗電流のばらつきに起因する場合、固体
撮像素子の温度が高い状態で使用したり、撮像時間の長
い撮像モードで使用する(すなわち、光蓄積時間が大き
い)と、欠陥画素の数が必然的に増えるため、単なる画
素値の置換では不十分で、補正残しが多くなり、画像の
空間解像度が劣化するという問題があった。また、暗電
流以外の成分は正常な信号分であるにも関わらず、その
正常な信号情報を置換により捨てていたことになり、画
像から得られる情報量が減少するという問題があった。First, in the method of substituting the pixel value of an adjacent pixel, when a defective pixel is caused by a variation in dark current, the solid-state image sensor is used in a high temperature state or is used in an image capturing mode with a long image capturing time. Since the number of defective pixels is inevitably increased (that is, the light accumulation time is long), simple replacement of pixel values is not sufficient, and there is a large amount of uncorrected pixels, resulting in deterioration of the image spatial resolution. . Further, although the components other than the dark current are normal signal components, the normal signal information is discarded by the replacement, and there is a problem that the amount of information obtained from the image is reduced.
【0007】一方、暗時出力を光入射時の出力から差し
引く手法にも、補正精度が低いなど、以下の不都合が残
されていた。On the other hand, the method of subtracting the dark output from the light incident output has the following disadvantages such as low correction accuracy.
【0008】まず、画素毎の補正量が画素値に依存する
固体撮像素子を使用している場合、画素アドレス毎の画
素値特性は図21のように表される。同図では、横軸に
画素アドレスをとり、縦軸に画素値をとるとともに、温
度や光蓄積時間などの条件を条件1から条件2に変える
と、画素値の平均レベルがグラフ1からグラフ2に変化
する様子を示している。これにより、画素毎の変分も変
分1から変分2に変化(例えば大きくなる)している。
この固体撮像素子に対する補正特性は通常、図21記載
のグラフのように表される。横軸に画素値(=光の強さ
の平均レベル)、縦軸に変分(=補正量)をとり、ある
画素の「画素値−変分」特性を表している。この特性か
ら分かるように、画素値=0(即ち、暗時出力)からあ
る値PVd までの範囲(画素値依存域Rp )では、変分
値もある初期値から徐々に増加し、画素値PVd 以降で
は変分値が一定となっている。このような特性を示す固
体撮像素子の場合、画素値依存域Rp では暗時出力と補
正量が異なるため、画素値依存域Rp に入る入射光レベ
ルのときに、正確なオフセット補正を行うことができな
いという不都合がある。First, when a solid-state image sensor in which the correction amount for each pixel depends on the pixel value is used, the pixel value characteristic for each pixel address is expressed as shown in FIG. In the figure, when the pixel address is plotted on the horizontal axis and the pixel value is plotted on the vertical axis, and when the conditions such as temperature and light accumulation time are changed from Condition 1 to Condition 2, the average level of pixel values changes from Graph 1 to Graph 2. It shows how it changes to. As a result, the variation for each pixel also changes (for example, increases) from variation 1 to variation 2.
The correction characteristic for this solid-state image sensor is usually expressed as the graph shown in FIG. The pixel value (= average level of light intensity) is plotted on the horizontal axis, and the variation (= correction amount) is plotted on the vertical axis, representing the “pixel value-variation” characteristic of a pixel. As can be seen from this characteristic, in the range from the pixel value = 0 (that is, dark output) to a certain value PVd (pixel value dependent region Rp), the variation value also gradually increases from a certain initial value, and the pixel value PVd After that, the variation value is constant. In the case of a solid-state image sensor having such characteristics, the pixel-value-dependent region Rp has a different correction amount from the dark output, so that accurate offset correction can be performed when the incident light level falls within the pixel-value-dependent region Rp. There is an inconvenience that it cannot
【0009】一方、上述したように、画素毎の補正量が
画素値に依存しない、つまり図22における画素値依存
域Rp が無いフラットな特性の固体撮像素子を使用する
場合でも、撮像モードに応じて撮像時間が変わるため、
必要な補正量も変わる。しかし、上述のように暗時出力
である一定値の補正量を差し引くだけでは、正確に補正
できない。すなわち、撮像モードに応じて撮像素子の光
蓄積時間が変わり、画素毎の補正量はその光蓄積時間に
依存するが、暗時出力の蓄積時間は撮像時の蓄積時間と
必ずしも一致しないため、正確な補正量を得ることがで
きないからである。On the other hand, as described above, even when the correction amount for each pixel does not depend on the pixel value, that is, when the solid-state image pickup device having the flat characteristic without the pixel value dependence region Rp in FIG. Since the imaging time changes,
The amount of correction required also changes. However, as described above, it is not possible to perform accurate correction simply by subtracting the correction amount of the constant value that is the dark output. That is, the light accumulation time of the image sensor changes according to the image capture mode, and the correction amount for each pixel depends on the light accumulation time, but the dark output accumulation time does not always match the image accumulation time. This is because a large correction amount cannot be obtained.
【0010】さらに、特開平2−164184号公報記
載のように、デジタル処理でオフセット補正を行う場
合、各画素の補正量(正又は負)にもビット長を割り当
てる必要があるため、画素値に有効なビット長(ダイナ
ミックレンジ)が減少する。例えばダイナミックレンジ
が4096(=12ビット)で補正量=−100である
とすると、有効なビット長は、4096−100=39
96となってしまう。Further, as described in Japanese Patent Laid-Open No. 2-164184, when performing offset correction by digital processing, it is necessary to assign a bit length to the correction amount (positive or negative) of each pixel. The effective bit length (dynamic range) is reduced. For example, assuming that the dynamic range is 4096 (= 12 bits) and the correction amount is -100, the effective bit length is 4096-100 = 39.
It becomes 96.
【0011】この発明は、上述した従来技術の問題に鑑
みてなされたもので、撮像素子の温度が高い状態で使用
したり、撮像時間が長い場合でも、補正残し(補正ばら
つき)を減らし、空間解像度の劣化を防止できるように
することを第1の目的とする。また、画像から得られる
情報量の減少を防止することを第2の目的とする。さら
に、画素毎の補正量が画素値に依存するタイプの固体撮
像素子を使用する場合でも、精度の高いオフセット補正
を行うことを第3の目的とする。さらにまた、画素毎の
補正量が画素値に依存しないタイプの固体撮像素子を使
用する場合で、撮像時間が変わる場合でも、より正確な
オフセット補正を行うようにすることを、第4の目的と
する。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art. Even when the image pickup device is used in a high temperature state or the image pickup time is long, the correction remaining (correction variation) is reduced and the space is reduced. A first object is to prevent deterioration of resolution. A second object is to prevent a decrease in the amount of information obtained from the image. Furthermore, a third object is to perform highly accurate offset correction even when using a solid-state image sensor of the type in which the correction amount for each pixel depends on the pixel value. Furthermore, a fourth object is to perform more accurate offset correction when a solid-state image sensor of a type in which a correction amount for each pixel does not depend on a pixel value is used and the imaging time changes. To do.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させるた
め、この発明に係る撮像装置では、撮像した光学像に対
応した画素値から成る画像データを出力する固体撮像素
子を備える。さらに、上記固体撮像素子の画素毎の暗電
流に起因したオフセット量を補正するための予め測定さ
れた補正データを記憶する記憶手段と、この記憶手段に
記憶された補正データに基づいて上記固体撮像素子から
の画像データを画素毎に補正するオフセット補正手段と
を備えたことを要部とする。In order to achieve the above object, an image pickup apparatus according to the present invention comprises a solid-state image pickup element for outputting image data composed of pixel values corresponding to a picked-up optical image. Further, the solid-state imaging device is configured to store pre-measured correction data for correcting an offset amount caused by a dark current for each pixel of the solid-state imaging device, and the solid-state imaging based on the correction data stored in the storage device. An essential part is that an offset correction means for correcting the image data from the element for each pixel is provided.
【0013】とくに、請求項2〜4記載の発明に係る撮
像装置では、前記補正データの画素値に対する特性は画
素値に依存する画素値依存域を有し、且つこの補正デー
タは当該撮像装置の出荷時に測定されたデータである。
例えば、前記補正データは出荷時に、前記画素値依存域
以外の領域に対応した画素値の光量を前記固体撮像素子
に入射させて測定されたデータである。また、前記光学
像を前記固体撮像素子に入射し続ける撮像時間、前記固
体撮像素子の温度、前記画像データの画素値、及び前記
画素の位置の各パラメータの1つ又は複数の組み合わせ
に基づいて前記補正データを変更する補正データ変更手
段を付加した。In particular, in the image pickup device according to the invention as defined in claims 2 to 4, the characteristic of the correction data with respect to the pixel value has a pixel value dependent region depending on the pixel value, and the correction data is stored in the image pickup device. It is the data measured at the time of shipment.
For example, the correction data is data measured at the time of shipment by making a light amount having a pixel value corresponding to a region other than the pixel value dependent region enter the solid-state imaging device. Further, based on one or a combination of one or a plurality of parameters of an imaging time for which the optical image is continuously incident on the solid-state image sensor, a temperature of the solid-state image sensor, a pixel value of the image data, and a position of the pixel. A correction data changing means for changing the correction data is added.
【0014】とくにまた、請求項5記載の発明に係る撮
像装置では、前記補正データ変更手段により変更された
補正データが基準値を越えるか否かを画素毎に判断する
判断手段と、この判断手段により上記補正データが基準
値を越えると判断されたとき、その判断対象の画素の画
素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換
する置換手段とを付加した。また、請求項6記載の発明
に係る撮像装置では、前記画像データを置換する必要の
あるアドレスを予め記憶させた置換アドレスメモリ手段
と、前記固体撮像素子による撮像対象の画素位置が上記
置換アドレスメモリ手段に記憶させた置換アドレスに一
致するとき、その画素の画素値をその近傍の画素の画素
値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加した。Particularly, in the image pickup apparatus according to the invention of claim 5, a judging means for judging whether or not the correction data changed by the correction data changing means exceeds a reference value for each pixel, and this judging means. When it is determined that the above correction data exceeds the reference value, the replacement means for replacing the pixel value of the pixel to be determined with the pixel value obtained from the pixel values of the neighboring pixels is added. Further, in the image pickup device according to the invention of claim 6, a replacement address memory means for storing in advance an address required to replace the image data, and a pixel position of an object to be imaged by the solid-state image sensor is the replacement address memory. A replacement means for replacing the pixel value of the pixel with the pixel value obtained from the pixel value of the neighboring pixel when the replacement address stored in the means is added.
【0015】とくにまた、請求項7記載の発明に係る撮
像装置では、前記オフセット補正手段は補正データをア
ナログ量に変換するD/A変換器と、このD/A変換器
のアナログ量の変換データと前記固体撮像素子のアナロ
グ量の画像データとを加算する加算器とを備えるととも
に、この加算器の加算結果をデジタル量に変換するA/
D変換器を備えた。Particularly, in the image pickup apparatus according to the invention of claim 7, the offset correction means converts the correction data into an analog amount, and a conversion data of the analog amount of the D / A converter. And an adder for adding the analog amount of image data of the solid-state image sensor, and A / A for converting the addition result of the adder into a digital amount.
Equipped with a D converter.
【0016】一方、請求項8、9記載の発明に係る撮像
装置では、前記補正データの画素値に対する特性は画素
値に依存しない特性であり、且つこの補正データは光学
像を固体撮像素子の入射させない状態で測定された暗時
出力データである。例えば、前記暗時出力データは撮像
時の直前のフレーム期間にて測定されたデータであり、
前記光学像を前記固体撮像素子に入射し続ける撮像時間
に基づいて上記暗時出力データを変更する補正データ変
更手段を付加した。On the other hand, in the image pickup device according to the present invention, the characteristic of the correction data with respect to the pixel value does not depend on the pixel value, and the correction data causes an optical image to enter the solid-state image pickup element. It is the output data in the dark when measured in the non-lighted state. For example, the dark output data is data measured in the frame period immediately before the image capturing,
Correction data changing means for changing the dark-time output data based on the image pickup time during which the optical image is continuously incident on the solid-state image pickup element is added.
【0017】とくに、請求項10記載の発明に係る撮像
装置では、前記補正データ変更手段により変更された補
正データが基準値を越えるか否かを画素毎に判断する判
断手段と、この判断手段により上記補正データが基準値
を越えると判断されたとき、その判断対象の画素の画素
値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置換す
る置換手段とを付加した。また、請求項11記載の発明
に係る撮像装置では、前記画像データを置換する必要の
あるアドレスを予め記憶させた置換アドレスメモリ手段
と、前記固体撮像素子による撮像対象の画素位置が上記
置換アドレスメモリ手段に記憶させた置換アドレスに一
致するとき、その画素の画素値をその近傍の画素の画素
値から求めた画素値に置換する置換手段とを付加した。Particularly, in the image pickup apparatus according to the invention of claim 10, the judging means for judging for each pixel whether or not the correction data changed by the correction data changing means exceeds a reference value, and this judging means. When it is determined that the correction data exceeds the reference value, a replacement unit that replaces the pixel value of the pixel to be determined with the pixel value obtained from the pixel values of the neighboring pixels is added. According to an eleventh aspect of the present invention, a replacement address memory unit that stores in advance an address that needs to replace the image data, and a pixel position of an object to be imaged by the solid-state image sensor is the replacement address memory. A replacement means for replacing the pixel value of the pixel with the pixel value obtained from the pixel value of the neighboring pixel when the replacement address stored in the means is added.
【0018】また、請求項12記載の発明に係る撮像装
置では、オフセット補正手段は補正データをアナログ量
に変換するD/A変換器と、このD/A変換器のアナロ
グ量の変換データと前記固体撮像素子のアナログ量の画
像データとを加算する加算器とを備えるとともに、この
加算器の加算結果をデジタル量に変換するA/D変換器
を備えた。According to the twelfth aspect of the present invention, the offset correction means includes a D / A converter that converts the correction data into an analog amount, the analog amount conversion data of the D / A converter, and An adder for adding the analog amount of image data of the solid-state image sensor is provided, and an A / D converter for converting the addition result of the adder into a digital amount is provided.
【0019】[0019]
【作用】請求項1〜3及び8記載の発明では、予め測定
された画素毎の補正データに基づいてオフセット補正が
行われる。このとき、補正データは、画素値依存域を有
する補正量特性の固体撮像素子の場合、出荷時にその領
域外に対応した入射光量で収集されるし、画素値依存域
が無い補正量特性の固体撮像素子の場合、暗時出力が補
正データとして収集される。このように補正量特性に応
じて、収集時期及び収集状態を変えるので、簡単な構成
ながら、精度の高いオフセット補正が行われる。According to the present invention, the offset correction is performed on the basis of the previously measured correction data for each pixel. At this time, in the case of a solid-state image sensor having a correction amount characteristic having a pixel value dependent region, the correction data is collected with an incident light amount corresponding to the outside of the region at the time of shipment, and the correction amount characteristic solid state having no pixel value dependent region is collected. In the case of an image sensor, dark output is collected as correction data. In this way, since the collection time and the collection state are changed according to the correction amount characteristic, highly accurate offset correction can be performed with a simple configuration.
【0020】また、請求項4〜6、10,11記載の発
明では、撮像時間、固体撮像素子の温度、画素値、画素
位置の各パラメータの内、任意の一つ又は任意の組み合
わせで補正量を変更する態様、又は/及び、画素値が所
定レベル以上あるとき(又は、撮像画素の位置が予め測
定してある置換アドレスになったとき)には画素値自体
を置換する補正を付加する態様が採られるので、補正ば
らつきや補正残しを減らして、一層高精度なオフセット
補正になるし、またアーチファクトを低減できる。In the inventions according to claims 4 to 6, 10 and 11, the correction amount is any one or any combination of the imaging time, the temperature of the solid-state imaging device, the pixel value and the pixel position. And / or a mode of adding a correction for replacing the pixel value itself when the pixel value is equal to or higher than a predetermined level (or when the position of the image pickup pixel reaches a replacement address measured in advance) Therefore, it is possible to reduce the correction variation and the uncorrected portion, which makes it possible to perform the offset correction with higher accuracy and reduce the artifacts.
【0021】さらに、請求項7及び12記載の発明で
は、アナログ量のままオフセット補正を行い、その後、
デジタル量に変換されるので、A/D変換器のダイナミ
ックレンジが広がる。Further, according to the invention described in claims 7 and 12, offset correction is performed with the analog amount being maintained, and thereafter,
Since it is converted into a digital amount, the dynamic range of the A / D converter is expanded.
【0022】さらに、請求項9記載の発明では、画素値
依存域が無い場合、撮像の直前に収集した暗時出力デー
タ(補正データ)を撮像時間に基づいて変更するので、
固体撮像素子の温度変化を取り込んだリアルタイムな補
正データとなり、そのような温度変化がオフセット補正
に与える影響を配慮しなくても済む。Further, in the invention according to claim 9, when there is no pixel value dependent region, the dark output data (correction data) collected immediately before the image pickup is changed based on the image pickup time.
It becomes real-time correction data that captures the temperature change of the solid-state image sensor, and it is not necessary to consider the influence of such temperature change on the offset correction.
【0023】[0023]
【実施例】以下、図面を参照しながら、この発明の実施
例を説明する。なお、以下の実施例はこの発明に係る撮
像装置を医用のX線診断装置に適用したものであるが、
医用の内視鏡装置など、他の機器に適用することは勿論
可能である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following embodiments apply the image pickup apparatus according to the present invention to a medical X-ray diagnostic apparatus.
Of course, it can be applied to other devices such as a medical endoscope device.
【0024】(第1実施例)第1実施例を図1に基づい
て説明する。(First Embodiment) A first embodiment will be described with reference to FIG.
【0025】図1に示すX線診断装置は、X線を被検体
Pに向けて曝射するX線管10と、被検体を透過してき
たX線を受けるイメージ・インテンシファイヤ(以下、
「I.I.」と呼ぶ)11とを備えるとともに、I.
I.11の出力側に設けた光学系12及びTVカメラ1
3を備えている。TVカメラ13は、この実施例ではC
CDから成る受光素子を、各画素に対応して2次元に配
列した固体撮像素子13aを備えている。The X-ray diagnostic apparatus shown in FIG. 1 includes an X-ray tube 10 that irradiates an object P with X-rays, and an image intensifier (hereinafter, referred to as an intensifier) that receives the X-rays that have passed through the object.
(Referred to as “I.I.”) 11.
I. Optical system 12 and TV camera 1 provided on the output side of 11
Equipped with 3. The TV camera 13 is C in this embodiment.
A solid-state image sensor 13a is provided, in which light-receiving elements made of CDs are two-dimensionally arranged corresponding to each pixel.
【0026】X線管10は高電圧発生器14を介してX
線制御器15に接続されており、X線制御器15から出
力されるX線曝射信号S1に応答してX線を曝射可能に
なっている。またI.I.11は被検体Pを透過してき
たX線を入力し、そのX線を光学像に対応した光信号に
変換するもので、光信号はレンズなどから成る光学系1
2を介してTVカメラ13の固体撮像素子13aに照射
される。固体撮像素子13aに照射された光信号は、各
画素に対応した受光素子夫々において対応する電気量の
画像信号に変換される。固体撮像素子13aは駆動回路
16から送られてくる駆動信号Sd及び画素アドレス信
号Saを受けて上述の光−電気変換を行う。The X-ray tube 10 is connected to the X-ray tube via a high voltage generator 14.
It is connected to the X-ray controller 15 and can emit X-rays in response to the X-ray exposure signal S1 output from the X-ray controller 15. In addition, I. I. Reference numeral 11 is for inputting X-rays transmitted through the subject P and converting the X-rays into an optical signal corresponding to an optical image. The optical signal is an optical system 1 including a lens or the like.
The solid-state image pickup device 13a of the TV camera 13 is irradiated with the light through 2. The optical signal with which the solid-state image sensor 13a is irradiated is converted into an image signal of a corresponding electric quantity in each of the light receiving elements corresponding to each pixel. The solid-state image sensor 13a receives the drive signal Sd and the pixel address signal Sa sent from the drive circuit 16 and performs the above-mentioned opto-electric conversion.
【0027】TVカメラ13の出力側はさらに、増幅器
17及びA/D変換器18を介して2入力の加算器19
の一方の入力端に接続されている。これにより、TVカ
メラ13から出力された画像信号は増幅後、A/D変換
されてデジタル量の画像データDiとなって加算器19
に入力する。The output side of the TV camera 13 is further provided with a 2-input adder 19 via an amplifier 17 and an A / D converter 18.
Is connected to one input end. As a result, the image signal output from the TV camera 13 is amplified and then A / D converted into image data Di in a digital amount, and the adder 19
To enter.
【0028】一方、加算器19のもう一方の入力端はオ
フセット・メモリ20の出力側に接続され、このオフセ
ット・メモリ20の入力側には前述した駆動回路16か
らの画素アドレス信号Saが入力するようになってい
る。オフセット・メモリ20には、固体撮像素子13a
の画素毎に決まる補正量としてのオフセット・データD
off (画素毎に正又は負の値)を事前に記憶させてあ
る。このオフセット・データDoff は、暗時出力を補正
するためのもので、予め装置の出荷時など、装置の使用
時よりも前に収集され、記憶されている。なお、オフセ
ット・データの収集時において、固体撮像素子13aの
「補正量−画素値」特性に、図22に示すような補正量
(=変分)が画素値に依存する画素値依存域Rp が在る
場合、この画素値依存域Rp を避ける画素値の光学像を
固体撮像素子13aに入射させて収集を行う。On the other hand, the other input terminal of the adder 19 is connected to the output side of the offset memory 20, and the pixel address signal Sa from the drive circuit 16 is input to the input side of the offset memory 20. It is like this. The offset memory 20 includes the solid-state image sensor 13a.
Offset data D as a correction amount determined for each pixel of
Off (a positive or negative value for each pixel) is stored in advance. The offset data Doff is for correcting the dark output, and is collected and stored in advance before use of the device, such as when the device is shipped. It should be noted that, at the time of collecting the offset data, the “correction amount-pixel value” characteristic of the solid-state image sensor 13a has a pixel value dependence region Rp in which the correction amount (= variation) depends on the pixel value as shown in FIG. If there is, an optical image of a pixel value that avoids the pixel value dependent region Rp is made incident on the solid-state image pickup device 13a and collected.
【0029】オフセット・メモリ20は画素アドレス信
号Saにより指定されたアドレスのオフセット・データ
Doff を、固体撮像素子13aからの画像データDiの
到来に同期させて、加算器19に出力するようになって
いる。The offset memory 20 outputs the offset data Doff of the address designated by the pixel address signal Sa to the adder 19 in synchronization with the arrival of the image data Di from the solid-state image pickup device 13a. There is.
【0030】これにより、加算器19は2つの入力デー
タを加算し、加算データを後段のD/A変換器21を介
してTVモニタであるCRT(陰極線管)22に送るよ
うになっている。この結果、CRTにてX線透視像がリ
アルタイムに表示される。As a result, the adder 19 adds the two input data and sends the added data to the CRT (cathode ray tube) 22, which is a TV monitor, via the D / A converter 21 in the subsequent stage. As a result, the X-ray fluoroscopic image is displayed on the CRT in real time.
【0031】さらに、このX線診断装置にはX線制御器
15や駆動回路16を通じて装置全体を管理するコント
ローラ23及びそのコントローラ23に必要な情報を手
入力させるための入力器24が設けられている。Further, the X-ray diagnostic apparatus is provided with a controller 23 for managing the entire apparatus through the X-ray controller 15 and the drive circuit 16 and an input device 24 for allowing the controller 23 to manually input necessary information. There is.
【0032】このように本実施例では、X線管10から
X線を曝射させてX線透視像を得る一方で、画素値依存
域Rp を持たない固体撮像素子13aには暗時出力を、
また画素値依存域Rp を持つ固体撮像素子13aにはオ
フセット出力値を予め画素毎に測定しておき、この測定
値をオフセット・データDoff とする。そして、固体撮
像素子13aから出力された画像データDiにそのオフ
セット・データDoffを画素毎に加算(オフセット・デ
ータDoff が正のとき)又は減算(オフセット・データ
Doff が負のとき)して自動的にオフセットを補正す
る。この結果、画素値依存域Rp の有無に関わらず、実
際の暗電流を相殺するに必要なオフセット・データを画
素毎に良好に取得でき、オフセット量を高精度に補正で
きるとともに、オフセット補正における画素間のばらつ
きを良好に解消することができる。これによって、画像
の分解能は低下せず、画像のS/N比を向上させること
ができる。As described above, in this embodiment, X-rays are radiated from the X-ray tube 10 to obtain an X-ray fluoroscopic image, while a dark output is output to the solid-state image pickup device 13a having no pixel value dependent region Rp. ,
Further, the offset output value is measured in advance for each pixel in the solid-state image sensor 13a having the pixel value dependent region Rp, and this measured value is used as the offset data Doff. Then, the offset data Doff is added (when the offset data Doff is positive) or subtracted (when the offset data Doff is negative) to the image data Di output from the solid-state image sensor 13a for each pixel, and automatically. Correct the offset. As a result, the offset data required for canceling the actual dark current can be satisfactorily acquired for each pixel regardless of the presence or absence of the pixel value dependent region Rp, and the offset amount can be corrected with high accuracy, and the pixel in the offset correction can be corrected. It is possible to satisfactorily eliminate the variation between them. As a result, the resolution of the image does not decrease and the S / N ratio of the image can be improved.
【0033】(第2実施例)第2実施例を図2及び図3
に基づいて説明する。なお、上記実施例と同一又は同等
の構成要素には同一符号を付して説明を簡略化又は省略
する(第3実施例以降についても同様とする)。(Second Embodiment) Second Embodiment FIGS. 2 and 3
It will be described based on. The same or equivalent constituent elements as those of the above-described embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted (the same applies to the third and subsequent embodiments).
【0034】この第2実施例は、撮像時間(光学像を固
体撮像素子に入射し続ける時間)をも考慮したものであ
る。The second embodiment also considers the image pickup time (the time during which the optical image is continuously incident on the solid-state image pickup element).
【0035】第2実施例に係るX線診断装置は図2に示
すように、第1実施例における図1のオフセット・メモ
リに代えて、オフセット・データ生成回路30を設ける
とともに、このオフセット・データ生成回路30に駆動
回路16から画素アドレス信号Saを、またコントロー
ラ23から撮像時間情報Stimeを供給させる。このた
め、コントローラ23は入力器24を介して指定される
撮像モード(透視モード/撮影モード(長時間露光モー
ド/短時間露光モード))に応じて、予め記憶していて
いる撮像時間データを参照し、撮像時間情報Stimeを供
給する。As shown in FIG. 2, the X-ray diagnostic apparatus according to the second embodiment is provided with an offset data generation circuit 30 in place of the offset memory of FIG. The generation circuit 30 is made to supply the pixel address signal Sa from the drive circuit 16 and the imaging time information Stime from the controller 23. Therefore, the controller 23 refers to the imaging time data stored in advance according to the imaging mode (perspective mode / imaging mode (long-time exposure mode / short-time exposure mode)) designated via the input device 24. Then, the imaging time information Stime is supplied.
【0036】オフセット・データ生成回路30は具体的
には図3に示すように、撮像時間情報Stimeを受ける係
数メモリ31と、この係数メモリ31のメモリ読出し側
に、一方の入力端を接続させた2入力の乗算器32と、
画素アドレス信号Saを受けるオフセット・メモリ33
とを備え、そのオフセット・メモリ33の読出し側を乗
算器32の他方の入力端に接続している。乗算器32の
出力端は前記第1実施例と同様に加算器19の一方の入
力端に接続されている。As shown in FIG. 3, the offset data generating circuit 30 has a coefficient memory 31 for receiving the imaging time information Stime and one input end connected to the memory reading side of the coefficient memory 31. A two-input multiplier 32,
Offset memory 33 for receiving the pixel address signal Sa
And the read side of the offset memory 33 is connected to the other input terminal of the multiplier 32. The output terminal of the multiplier 32 is connected to one input terminal of the adder 19 as in the first embodiment.
【0037】オフセット・メモリ33には第1実施例と
同様にして収集された画素毎のオフセット・データDof
f *が事前に格納されている。このため、オフセット・
メモリ33は画素アドレス信号Saで指定されるアドレ
スに対応したオフセット・データDoff *を乗算器32
に出力する。一方、係数メモリ31は撮像時間の長短に
対応した係数を予め格納しており、撮影時間情報Stime
に図4の如く対応した係数Ctimeを読み出し、乗算器3
2に出力する。つまり、入力器24から撮像モードの切
り換えを指令した場合、撮影時間情報Stimeも切り換わ
り、係数Ctimeも撮影時間の長短に対応した値に自動的
に変更される。In the offset memory 33, the offset data Dof for each pixel collected in the same manner as in the first embodiment.
f * is stored in advance. Therefore, the offset
The memory 33 multiplies the offset data Doff * corresponding to the address specified by the pixel address signal Sa by the multiplier 32.
Output to. On the other hand, the coefficient memory 31 stores in advance coefficients corresponding to the length of the imaging time, and the imaging time information Stime
The coefficient Ctime corresponding to that in FIG.
Output to 2. That is, when the switching of the imaging mode is instructed from the input device 24, the shooting time information Stime is also switched, and the coefficient Ctime is automatically changed to a value corresponding to the length of the shooting time.
【0038】このようにして生成されたオフセット・デ
ータDoff *及び係数Ctimeを受けた乗算器32は、
「Doff =Doff *×Ctime」の乗算を行い、最終的な
オフセット・データDoff を画素毎に演算する。このオ
フセット・データDoff は加算器19において画素デー
タDiに加算され、前述と同様のオフセット補正に付さ
れる。The multiplier 32 receiving the offset data Doff * and the coefficient Ctime thus generated is
The multiplication of “Doff = Doff * × Ctime” is performed, and the final offset data Doff is calculated for each pixel. This offset data Doff is added to the pixel data Di in the adder 19 and subjected to the same offset correction as described above.
【0039】したがって、この実施例によれば、X線透
視時に、暗電流に起因したオフセット補正を画素毎に、
且つ撮像時間の長短を考慮して行うので、長時間露光モ
ードなどの長時間の撮影時間であっても、また短時間の
撮影時間であっても、光蓄積時間の長短に影響されな
い、補正ばらつきの少ない高精度なオフセット補正を行
うことができる。Therefore, according to this embodiment, during fluoroscopy, offset correction due to dark current is corrected pixel by pixel.
In addition, since the length of the imaging time is taken into consideration, the correction variation is not affected by the length of the light accumulation time, even if the shooting time is a long time such as a long exposure mode or a short shooting time. It is possible to perform high-accuracy offset correction with less noise.
【0040】なお、この実施例におけるオフセット・デ
ータ生成機構は、図5に示すように構成してもよい。つ
まり、オフセット・メモリ回路34のオフセット・メモ
リに、予め撮像時間の長短に対応して選択可能な複数フ
レーム分のオフセット・データを格納しておき、撮影時
間情報Stime及び画素アドレス信号Saに応じたオフセ
ット・データDoff を画素毎に直接、読出しできるよう
にしたものである。The offset data generating mechanism in this embodiment may be constructed as shown in FIG. That is, the offset memory of the offset memory circuit 34 stores in advance offset data for a plurality of frames that can be selected according to the length of the imaging time, and according to the imaging time information Stime and the pixel address signal Sa. The offset data Doff can be read directly for each pixel.
【0041】(第3実施例)第3実施例を図6〜図8に
基づいて説明する。(Third Embodiment) A third embodiment will be described with reference to FIGS.
【0042】この第3実施例は、固体撮像素子の動作温
度をも考慮したものである。The third embodiment also considers the operating temperature of the solid-state image pickup device.
【0043】図6に示すX線診断装置のTVカメラ13
には、固体撮像素子13aの温度を検知する温度センサ
39を設けている。この温度センサ39は例えばサーミ
スタ、熱電対、半導体センサで成り、固体撮像素子13
aの例えば近傍に配置されている。これにより、温度セ
ンサ39は固体撮像素子13aの動作温度にほぼ対応す
る温度検知信号(例えば抵抗値の変化)Ctempをコント
ローラ23に出力する。TV camera 13 of the X-ray diagnostic apparatus shown in FIG.
Is provided with a temperature sensor 39 for detecting the temperature of the solid-state image sensor 13a. The temperature sensor 39 is composed of, for example, a thermistor, a thermocouple, a semiconductor sensor,
It is arranged, for example, in the vicinity of a. As a result, the temperature sensor 39 outputs to the controller 23 a temperature detection signal (for example, a change in resistance value) Ctemp substantially corresponding to the operating temperature of the solid-state image sensor 13a.
【0044】コントローラ23は、X線曝射に関する制
御を行う一方で、上記温度検知信号Ctempを定期的に入
力し、通常、徐々に変化する固体撮像素子13aの動作
温度を例えばテーブル・ルックアップにより演算し、演
算結果に対応した素子温度情報Stempをオフセット・デ
ータ生成回路40に出力する。While the controller 23 controls the X-ray exposure, it periodically inputs the temperature detection signal Ctemp, and normally operates the gradually changing operating temperature of the solid-state image pickup device 13a by, for example, a table lookup. The element temperature information Stemp corresponding to the calculation result is output to the offset data generation circuit 40.
【0045】このオフセット・データ生成回路40は前
述と同様に図7に示す如く、係数メモリ41、乗算器3
2、オフセット・メモリ33を備えている。係数メモリ
41は固体撮像素子13aの動作温度の大小に対応した
係数Ctemp(図8参照)を予め記憶しており、入力した
素子温度情報Stempの温度値に応じた係数Ctempを乗算
器32に出力する。オフセット・データ生成回路40に
は画素アドレス信号Saも同様に供給されている。この
ため、オフセット・データ生成回路40では素子温度情
報Stemp及び画素アドレス信号Saに基づき、第2実施
例と同様に、オフセット・データDoff が生成される。The offset / data generating circuit 40 has a coefficient memory 41 and a multiplier 3 as shown in FIG.
2. The offset memory 33 is provided. The coefficient memory 41 stores in advance a coefficient Ctemp (see FIG. 8) corresponding to the magnitude of the operating temperature of the solid-state image sensor 13a, and outputs the coefficient Ctemp corresponding to the temperature value of the input element temperature information Stemp to the multiplier 32. To do. The pixel data signal Sa is also supplied to the offset data generation circuit 40. Therefore, the offset data generation circuit 40 generates the offset data Doff based on the element temperature information Stemp and the pixel address signal Sa, as in the second embodiment.
【0046】したがって、時々刻々変わる固体撮像素子
13aの動作温度が逐一、測定され、この温度値に応じ
た補正分も加味されたオフセット補正が画素毎に実施さ
れる。この結果、固体撮像素子13aの動作温度が素子
自体の動作時間の増大や環境温度の上昇に拠って上がる
場合でも、そのような温度変化に起因したオフセット補
正の精度低下を防止でき、補正ばらつきの少ない高精度
なオフセット補正を維持して、高品質の透視画像を得る
ことができる。Therefore, the operating temperature of the solid-state image pickup device 13a, which changes from moment to moment, is measured one by one, and the offset correction in which the correction amount corresponding to this temperature value is also added is performed for each pixel. As a result, even when the operating temperature of the solid-state imaging device 13a rises due to an increase in operating time of the device itself or an increase in environmental temperature, it is possible to prevent the accuracy of offset correction from being lowered due to such a temperature change, and to prevent correction variations. It is possible to obtain a high-quality perspective image while maintaining a small amount of highly accurate offset correction.
【0047】なお、上記オフセット・データ生成回路4
0は係数メモリ41とオフセット・メモリ33とを併設
する構成としたが、図5記載のものと同様に、温度毎に
異なる複数フレーム分のオフセット・データDoff を格
納したオフセット・メモリ回路を装備し、このオフセッ
ト・メモリ回路に素子温度情報Stemp及び画素アドレス
信号Saを供給するようにしてもよい。The offset data generating circuit 4
0 has a configuration in which the coefficient memory 41 and the offset memory 33 are provided side by side, but like the one shown in FIG. 5, an offset memory circuit storing offset data Doff for a plurality of frames different for each temperature is provided. The element temperature information Stemp and the pixel address signal Sa may be supplied to the offset memory circuit.
【0048】(第4実施例)さらに、第4実施例を図9
〜図11に基づき説明する。(Fourth Embodiment) Furthermore, a fourth embodiment is shown in FIG.
~ It demonstrates based on FIG.
【0049】この第4実施例は、固体撮像素子に入射す
る光量、すなわち画素値を加味し、より適正なオフセッ
ト補正を行おうとするものである。固体撮像素子の種類
によっては、図22に示すように、画素値に応じて適正
な補正量(画素値の変分:図21参照)が変化するもの
がある。固体撮像素子上での電荷の転送過程においては
電荷の転送残しが生じるが、この転送残しの程度は、転
送する電荷の量に依存するので、上記のように補正量が
変わるのである。In the fourth embodiment, the amount of light incident on the solid-state image pickup device, that is, the pixel value is taken into consideration to perform more appropriate offset correction. Depending on the type of solid-state image sensor, as shown in FIG. 22, an appropriate correction amount (variation of pixel value: see FIG. 21) changes according to the pixel value. In the process of transferring charges on the solid-state image sensor, transfer residuals occur. However, since the degree of the transfer residuals depends on the amount of transferred charges, the correction amount changes as described above.
【0050】この補正量の変化に対応すべく、図9記載
のX線診断装置はオフセット・データ生成回路50を備
え、この生成回路50に、駆動回路16から画素アドレ
ス信号Saを前述と同様に入力させるとともに、TVカ
メラ13の出力をデジタル量に変換するA/D変換器1
8の出力を画素値情報Spxとして入力させている。In order to deal with this change in the correction amount, the X-ray diagnostic apparatus shown in FIG. 9 is provided with an offset data generation circuit 50, and the generation circuit 50 is supplied with the pixel address signal Sa from the drive circuit 16 in the same manner as described above. A / D converter 1 for inputting and converting the output of the TV camera 13 into a digital amount
The output of 8 is input as the pixel value information Spx.
【0051】オフセット・データ生成回路50は図10
に示すように、画素値情報Spxを供給させる係数メモリ
51、画素アドレス信号Saを供給させるオフセット・
メモリ33、及び両メモリ51、33の読出しデータを
掛ける乗算器32を備え、この乗算器32の乗算結果D
off を前述の実施例と同様に加算器19に供給するよう
になっている。係数メモリ51は図11に示す如く、指
定された画素値情報Spx(入射光量)に対応した係数C
pxを(例えば、画素値が大きくなると係数Cpxも大きく
なり、反対に画素値が小さくなると係数Cpxも小さくな
る)を出力する。The offset data generation circuit 50 is shown in FIG.
As shown in, the coefficient memory 51 for supplying the pixel value information Spx and the offset memory 51 for supplying the pixel address signal Sa
A memory 33 and a multiplier 32 that multiplies the read data of both memories 51 and 33 are provided, and the multiplication result D of this multiplier 32
Off is supplied to the adder 19 as in the above embodiment. As shown in FIG. 11, the coefficient memory 51 has a coefficient C corresponding to designated pixel value information Spx (incident light amount).
px is output (for example, when the pixel value increases, the coefficient Cpx also increases, and conversely, when the pixel value decreases, the coefficient Cpx also decreases).
【0052】このため、オフセット・データ生成回路5
0から加算器19に供給されるオフセット・データDof
f は画素値に応じて画素毎に修正されているので、加算
器19の出力「Di+Doff 」も画素値に応じて修正さ
れる。したがって、暗電流に起因したオフセット補正
が、画素値を考慮して実施されるので、補正ばらつきの
少ない高精度なオフセット補正が実施される。Therefore, the offset data generation circuit 5
Offset data Dof supplied from 0 to the adder 19
Since f is corrected for each pixel according to the pixel value, the output "Di + Doff" of the adder 19 is also corrected according to the pixel value. Therefore, since the offset correction due to the dark current is performed in consideration of the pixel value, the highly accurate offset correction with a small correction variation is performed.
【0053】(第5実施例)さらに、第5実施例を図1
2及び図13に基づいて説明する。(Fifth Embodiment) Furthermore, a fifth embodiment is shown in FIG.
2 and FIG. 13.
【0054】この第5実施例は固体撮像素子の各画素の
位置を考慮したものである。画素の位置に応じて、各画
素毎の適正な補正量が変わる。これは、撮像素子上での
電荷の転送過程にて電荷の転送残しが生じるが、この転
送残しの程度は転送経路の長さにより変わることに起因
する。The fifth embodiment considers the position of each pixel of the solid-state image pickup device. The appropriate correction amount for each pixel changes depending on the position of the pixel. This is because the transfer residual of the charge occurs in the process of transferring the charge on the image pickup element, and the degree of the transfer residual changes depending on the length of the transfer path.
【0055】この実施例のX線診断装置は図12に示す
ように、画素アドレス信号Saを受けて、その画素アド
レスを転送経路長TLに換算する経路長換算回路60
と、換算した転送経路長TLに対応した補正量Doff を
出力するオフセット・メモリ61とを備えている。オフ
セット・メモリ61は、図13に示す如く、転送経路長
TLが長くなればなるほど減少するオフセット補正量D
off の特性データを予め記憶しており、換算回路60か
ら指令された転送経路長TLに対応した補正量Doff を
読出し可能になっている。オフセット・メモリ61から
読み出されたオフセット・データDoff は加算器19に
送られる。その他の構成は第1実施例と同様である。As shown in FIG. 12, the X-ray diagnostic apparatus of this embodiment receives a pixel address signal Sa and converts the pixel address into a transfer path length TL 60.
And an offset memory 61 for outputting a correction amount Doff corresponding to the converted transfer path length TL. As shown in FIG. 13, the offset memory 61 has an offset correction amount D that decreases as the transfer path length TL increases.
The off characteristic data is stored in advance, and the correction amount Doff corresponding to the transfer path length TL instructed by the conversion circuit 60 can be read. The offset data Doff read from the offset memory 61 is sent to the adder 19. Other configurations are similar to those of the first embodiment.
【0056】このため、本実施例によれば、画素位置毎
に補正量を変えた、より高精度なオフセット補正が実施
され、電荷の転送残しの違いに起因した空間分解能の低
下やS/N比の低下を防止でき、補正ばらつきの少ない
高画質の透視像を得ることができる。Therefore, according to the present embodiment, a more accurate offset correction is carried out by changing the correction amount for each pixel position, and the spatial resolution is lowered and the S / N ratio is caused by the difference in the residual charge transfer. It is possible to prevent a decrease in the ratio and obtain a high-quality perspective image with little correction variation.
【0057】(第6実施例)また、第6実施例を図14
〜図16に基づいて説明する。(Sixth Embodiment) FIG. 14 shows the sixth embodiment.
~ It demonstrates based on FIG.
【0058】この第6実施例は補正量の収集時期の改善
に関し、前述した図22に示すような画素値依存域Rp
を持たない補正量特性の固体撮像素子に適用可能であ
る。The sixth embodiment relates to the improvement of the correction amount collection time, and the pixel value dependence region Rp as shown in FIG.
It can be applied to a solid-state image sensor having a correction amount characteristic that does not have.
【0059】この実施例に係るX線診断装置は、図14
の如く、コントローラ23及び駆動回路16から出力さ
れる撮像時間情報Stime及び画素アドレス信号Saを入
力するオフセット・データ生成回路70と、コントロー
ラ23からのスイッチ切換信号S2に応じて切り換わる
2つの切換端a,bを有する電子スイッチ71とを備え
ている。電子スイッチ71は、固体撮像素子18の出力
側におけるA/D変換器18及び加算器19とオフセッ
ト・データ生成回路70との間に介挿されている。つま
り、電子スイッチの共通端cはA/D変換器18の出力
端に、一方の切換端aは加算器19の一方の入力端に各
々接続されているとともに、もう一方の切換端bはオフ
セット・データ生成回路70に至る。この電子スイッチ
71は、スイッチ切換信号S2がオンのとき切換端b側
に、オフのとき切換端a側に切り換わる。The X-ray diagnostic apparatus according to this embodiment is shown in FIG.
As described above, the offset data generation circuit 70 that inputs the imaging time information Stime and the pixel address signal Sa output from the controller 23 and the drive circuit 16, and the two switching ends that switch according to the switch switching signal S2 from the controller 23. and an electronic switch 71 having a and b. The electronic switch 71 is interposed between the offset data generation circuit 70 and the A / D converter 18 and the adder 19 on the output side of the solid-state image sensor 18. That is, the common end c of the electronic switch is connected to the output end of the A / D converter 18, one switching end a is connected to one input end of the adder 19, and the other switching end b is offset. Reaching the data generation circuit 70. The electronic switch 71 switches to the switching end b side when the switch switching signal S2 is on, and switches to the switching end a side when the switch switching signal S2 is off.
【0060】オフセット・データ生成回路70は、撮影
時間情報Stimeを入力して対応する係数Ctimeを出力す
る係数メモリ31と係数Ctimeを一方の入力とする2入
力の乗算器32とを備えるとともに、画素アドレス信号
Saを入力するオフセット・メモリ72とを備えてい
る。このオフセット・メモリ72にはさらに、コントロ
ーラ23から該メモリ72への書込みモード及び該メモ
リ72からの読出しモードを制御する書込/読出制御信
号SW/R が供給されるようになっている。この書込/読
出に対応して、オフセット・メモリ72のデータ書込入
力端には前記電子スイッチの切換端bを介して画像デー
タDiが入力する一方で、データ読出し端は前記乗算器
32のもう一方の入力端に至る構成となっている。The offset data generating circuit 70 includes a coefficient memory 31 which inputs the photographing time information Stime and outputs a corresponding coefficient Ctime, and a two-input multiplier 32 which receives the coefficient Ctime as one input, and also includes a pixel An offset memory 72 for inputting the address signal Sa is provided. The offset memory 72 is further supplied with a write / read control signal SW / R for controlling the write mode from the controller 23 to the memory 72 and the read mode from the memory 72. Corresponding to this writing / reading, the image data Di is input to the data writing input end of the offset memory 72 via the switching end b of the electronic switch, while the data reading end is input to the multiplier 32. It is configured to reach the other input end.
【0061】コントローラ23は、オフセット・データ
生成回路70に対して、撮像モードに応じた撮像時間情
報Stimeを出力するとともに、スイッチ切換信号S2の
オン(切換端b側)、オフ(切換端a側)に同期してオ
ン(書込時)、オフ(読出時)となる書込/読出制御信
号SW/R を出力するようになっている。このコントロー
ラ23は、撮影モードに応じて、例えば図16に示す如
くX線曝射及びオフセット補正を実施するようになって
いる。The controller 23 outputs the image pickup time information Stime according to the image pickup mode to the offset data generation circuit 70, and turns on (switching end b side) and off (switching end a side) the switch switching signal S2. ), A write / read control signal SW / R which is turned on (during writing) and turned off (during reading) is output. The controller 23 is adapted to perform X-ray exposure and offset correction as shown in FIG. 16, for example, depending on the imaging mode.
【0062】その他の構成は第2実施例と同様である。The other structure is similar to that of the second embodiment.
【0063】本実施例の動作を図16に基づいて説明す
る。ある撮像モード1(例えば短時間露光モード)にお
いてX線が曝射されない状態のときは常に、スイッチ切
換信号S2及び書込/読出制御信号SW/R がオンに設定
されている(図16(d)(e)参照)。これにより、
電子スイッチ71のスイッチ経路は切換端b側になって
いるので、A/D変換器18の出力端がオフセット・メ
モリ72に接続され、オフセット・メモリ72には常に
直前の、即ち1フレーム前の画像データDiがオフセッ
ト・データとして定期的に書き込まれる。これにより、
オフセット・メモリ72のオフセット・データはフレー
ム毎に更新され、最新のデータとなっている。The operation of this embodiment will be described with reference to FIG. In a certain imaging mode 1 (for example, short-time exposure mode), the switch switching signal S2 and the write / read control signal S W / R are set to ON whenever the X-rays are not exposed (FIG. 16 ( d) (e)). This allows
Since the switch path of the electronic switch 71 is on the side of the switching end b, the output end of the A / D converter 18 is connected to the offset memory 72, and the offset memory 72 is always immediately preceding, that is, one frame before. The image data Di is regularly written as offset data. This allows
The offset data in the offset memory 72 is updated every frame and becomes the latest data.
【0064】いま、時刻t0 にて撮像モードがモード2
(例えば長時間露光モード)に指令されたが、X線曝射
は未だ指令されていないとする(同図(f)参照)。こ
れにより、フレーム信号VDの間隔が変更され(例えば
長くなる:同図(a)参照)、この新しい撮像時間に係
るフレーム毎に、1フレーム遅れで最新のオフセット・
データがオフセット・メモリ72に書き込まれる(例え
ばフレームFn での画像データDiがオフセット・デー
タとして、次フレームFn+1 で書き込まれる)。At time t 0, the imaging mode is the mode 2 now.
(For example, long-time exposure mode) has been commanded, but X-ray exposure has not been commanded yet (see (f) of the same figure). As a result, the interval of the frame signal VD is changed (for example, becomes longer: see (a) in the figure), and the latest offset is delayed by one frame for each frame related to this new imaging time.
Data is written in the offset memory 72 (e.g., image data Di in a frame F n is as offset data, are written in the next frame F n + 1).
【0065】この状態で、時刻t1 にて、X線曝射開始
を指示するX線曝射信号S1がオンになると(同図
(a)参照)、次フレームFn+1 の開始時刻t1aで実際
のX線曝射が開始された後(同図(c)参照)、X線曝
射信号S1のオンに該当するフレームFn の画像データ
Diがオフセット・メモリ72に書込み完了した時刻t
1bにて、今度は、スイッチ切換信号S2及び書込/読出
制御信号SW/R が共に同期してオフに立ち下がる(同図
(d)(e)参照)。この結果、電子スイッチ72のス
イッチ経路は反対の切換端a側に変わり、且つオフセッ
ト・メモリ72が読出し状態に変わる。In this state, at time t 1 , when the X-ray irradiation signal S1 for instructing the start of X-ray irradiation is turned on (see FIG. 9A), the start time t of the next frame F n + 1 is started. in fact, after X-ray exposure is started (see FIG. (c)), the time in which the image data Di of the frame F n is completed writing to the offset memory 72 corresponding to the oN X-ray emitting signal S1 at 1a t
At 1b , both the switch switching signal S2 and the write / read control signal SW / R fall off in synchronism this time (see (d) and (e) in the same figure). As a result, the switch path of the electronic switch 72 changes to the opposite switching end a side, and the offset memory 72 changes to the read state.
【0066】これにより、オフセット・メモリ72から
は画素アドレス信号Saに対応した画素の、最新のオフ
セット・データDoff *が読み出され、このデータDof
f *に、その時点の撮影時間情報Stimeに応じた係数C
timeが掛け算されて、最終のオフセット・データDoff
が演算される。いま、A/D変換器18の変換データD
iは加算器19に供給されているから、その変換データ
Diに最新のオフセット・データDoff が加算又は減算
される。このオフセット補正は画素毎に行われる。As a result, the latest offset data Doff * of the pixel corresponding to the pixel address signal Sa is read from the offset memory 72, and this data Dof is read.
f * is a coefficient C according to the shooting time information Stime at that time
Time is multiplied and the final offset data Doff
Is calculated. Now, the conversion data D of the A / D converter 18
Since i is supplied to the adder 19, the latest offset data Doff is added to or subtracted from the converted data Di. This offset correction is performed for each pixel.
【0067】この後、時刻t2 でX線曝射信号S2がオ
フになると、これに同期して実際のX線曝射も終了す
る。しかし、スイッチ切換信号S2及び書込/読出制御
信号SW/R のオフの状態は、その曝射終了に係るフレー
ムの画像データが固体撮像素子13aから出力される次
フレームまで維持され、撮像モードに応じてオフセット
補正されたX線画像がCRT22に表示される。After that, when the X-ray irradiation signal S2 is turned off at time t 2 , the actual X-ray irradiation is also ended in synchronization with this. However, the OFF state of the switch switching signal S2 and the write / read control signal SW / R is maintained until the next frame when the image data of the frame related to the end of the exposure is output from the solid-state image sensor 13a, and the image capturing mode is set. The X-ray image that has been offset-corrected according to the above is displayed on the CRT 22.
【0068】そして、画像処理のフレームが終わる時刻
t3 で、スイッチ切換信号S2及び書込/読出制御信号
SW/R がオンに立ち上げられ、前述したように、最新の
画像データDiがオフセット・データとしてオフセット
・メモリ72に逐次、書き込まれる。Then, at the time t 3 when the image processing frame ends, the switch switching signal S2 and the write / read control signal S W / R are turned on, and as described above, the latest image data Di is offset. The data is sequentially written in the offset memory 72.
【0069】このように、画素値依存域を持たない固体
撮像素子の場合、光学像を入射させない撮像直前のタイ
ミングで収集したオフセット・データを利用することが
でき、撮像時間が変わっても、その撮像時間の長短に対
応したほぼリアルタイムのオフセット補正を行うことが
できる。この結果、精度の高いオフセット補正を実施で
きる一方で、撮像が実際に行われるときの固体撮像素子
の温度下で補正量を収集しているので、前述したような
固体撮像素子の温度に応じた補正は不要になり、素子構
成及び補正処理が簡単になるという利点がある。As described above, in the case of the solid-state image pickup device having no pixel value dependent area, the offset data collected at the timing immediately before the image pickup in which the optical image is not incident can be utilized, and the offset data can be changed even if the image pickup time changes. It is possible to perform near real-time offset correction corresponding to the length of the imaging time. As a result, while the highly accurate offset correction can be performed, the correction amount is collected under the temperature of the solid-state image sensor at the time when the image is actually taken, so that it is possible to respond to the temperature of the solid-state image sensor as described above. There is an advantage that the correction becomes unnecessary and the element configuration and the correction process become simple.
【0070】(第7実施例)さらに、第7実施例を図1
7及び図18に基づいて説明する。この第7実施例はオ
フセット補正量Doff の絶対値が大きい場合の対策に関
する。(Seventh Embodiment) Furthermore, a seventh embodiment is shown in FIG.
This will be described with reference to FIGS. The seventh embodiment relates to a countermeasure when the absolute value of the offset correction amount Doff is large.
【0071】前述したように撮像時間、素子温度、画素
値、画素位置に応じてオフセット補正量Doff を修正す
る手法は非常に優位性の高いものであるが、僅かながら
誤差を含むこともある。この修正誤差の割合が僅かであ
っても、オフセット補正量Doff の絶対値が大きけれ
ば、補正された画像データ「Di+Doff 」には相当の
誤差が残ることがあり、そのような場合、ア−チファク
トの原因にもなる得る。そこで、本実施例はオフセット
補正量Doff の絶対値が大きい場合でも、アーチファク
トの少ない画像を提供することを、目的とする。As described above, the method of correcting the offset correction amount Doff according to the image pickup time, the element temperature, the pixel value, and the pixel position is very superior, but it may include a slight error. Even if the ratio of the correction error is small, if the absolute value of the offset correction amount Doff is large, a considerable error may remain in the corrected image data "Di + Doff". In such a case, the artifact is generated. Can also cause Therefore, the present embodiment has an object to provide an image with few artifacts even when the absolute value of the offset correction amount Doff is large.
【0072】図17に示すX線診断装置は、駆動回路1
6からの画素アドレス信号Sa及びオフセット・データ
生成回路30からのオフセット補正量Doff を入力さ
せ、置換画素アドレスSa*を決める置換アドレス決定
回路80と、加算器19及びD/A変換器21の間に介
挿され、決定した置換画素アドレスSa*の画素値を置
換する置換回路81とを備えている。The X-ray diagnostic apparatus shown in FIG.
Between the pixel address signal Sa from 6 and the offset correction amount Doff from the offset data generation circuit 30 to determine the replacement pixel address Sa * and between the adder 19 and the D / A converter 21. And a replacement circuit 81 that replaces the pixel value of the determined replacement pixel address Sa * .
【0073】置換アドレス決定回路80は図18に示す
如く、オフセット補正量Doff の絶対値を演算する絶対
値回路82と、この絶対値回路82の出力と予め定めた
オフセット補正量の基準値Deとを比較する比較器83
と、比較器83の比較結果を受けて開閉するゲート回路
84とを有する。比較器83はオフセット補正量Doff
の絶対値が基準値De以下のときは、その出力をオフに
維持するが、基準値Deを越えたときはオンに立ち上げ
る。ゲート回路84は比較器83の出力がオフの間、開
(オフ)となり、画素アドレス信号Saを遮断するが、
比較器84の出力がオンのとき、閉(オン)となり、画
素アドレス信号Saを通過させる。この結果、比較器8
3の出力がオンになる画素アドレスのとき、ゲート回路
84からその時点の画素アドレス信号Saが置換画素ア
ドレスSa*として置換回路81に供給される。As shown in FIG. 18, the replacement address determining circuit 80 has an absolute value circuit 82 for calculating the absolute value of the offset correction amount Doff, an output of the absolute value circuit 82, and a predetermined reference value De of the offset correction amount. Comparator 83 for comparing
And a gate circuit 84 which opens and closes in response to the comparison result of the comparator 83. The comparator 83 has an offset correction amount Doff.
When the absolute value of is less than or equal to the reference value De, the output is kept off, but when it exceeds the reference value De, it is turned on. The gate circuit 84 is opened (OFF) while the output of the comparator 83 is OFF, and blocks the pixel address signal Sa.
When the output of the comparator 84 is on, it is closed (on) and the pixel address signal Sa is passed. As a result, the comparator 8
At the pixel address at which the output of 3 is turned on, the gate circuit 84 supplies the pixel address signal Sa at that time to the replacement circuit 81 as the replacement pixel address Sa * .
【0074】置換回路81はデータレジスタ、書込・読
出回路などを有し、置換画素アドレスSa*が指令され
たときの画素値を、例えば隣接1画素の画素値で置換す
る。この置換としては、隣接する複数の画素の画素値か
ら平均値を演算し、その平均値で置換する手法も採用で
きる。置換回路81は、置換画素アドレスSa*が指令
されないときは、加算器19の出力、即ちオフセット補
正された画像データ「Di+Doff 」をそのまま次段の
D/A変換器21に供給する。The replacement circuit 81 has a data register, a writing / reading circuit, etc., and replaces the pixel value when the replacement pixel address Sa * is instructed, for example, with the pixel value of one adjacent pixel. For this replacement, a method of calculating an average value from pixel values of a plurality of adjacent pixels and replacing the average value can also be adopted. When the replacement pixel address Sa * is not instructed, the replacement circuit 81 supplies the output of the adder 19, that is, the offset-corrected image data “Di + Doff” to the D / A converter 21 of the next stage as it is.
【0075】その他の構成及び機能は、第2実施例のも
のと同一である。Other configurations and functions are the same as those of the second embodiment.
【0076】このように、オフセット・データ生成回路
30で生成されたオフセット補正量Doff の絶対値が基
準値Deを上回るときには、その画素アドレスが置換ア
ドレス決定回路80により自動的に決定される。かかる
画素アドレスの画像データは、置換回路81にて隣接画
素との関連において画素値が置換され、比較的大きなオ
フセット誤差が含まれている恐れのある画素値が的確に
処理される。この結果、アーチファクトの少ない画像を
提供できるとともに、暗時出力の補正に対して、加算
(減算)によるオフセット補正と置換とにより二重の防
止策が施され、その信頼性が極めて高くなる。As described above, when the absolute value of the offset correction amount Doff generated by the offset data generation circuit 30 exceeds the reference value De, the pixel address thereof is automatically determined by the replacement address determination circuit 80. The pixel data of the image data of such a pixel address is replaced by a replacement circuit 81 in relation to an adjacent pixel, and a pixel value that may include a relatively large offset error is processed accurately. As a result, an image with few artifacts can be provided, and a double prevention measure is applied to the correction of the dark output by offset correction by addition (subtraction) and replacement, and the reliability thereof becomes extremely high.
【0077】なお、この実施例では、補正量Doff の絶
対値が基準値より大きいか否かに関わらず、一度、加算
(減算)によるオフセット補正を行った後に、必要に応
じて、置換を行うようにしたが、オフセット・データ生
成回路30と加算器19との間にスイッチング回路を介
挿し、補正量Doff の絶対値が基準値より大きいときに
は加算(減算)によるオフセット補正を行わないように
することもできる。In this embodiment, regardless of whether or not the absolute value of the correction amount Doff is larger than the reference value, the offset correction by addition (subtraction) is once performed, and then the replacement is performed if necessary. However, a switching circuit is inserted between the offset data generation circuit 30 and the adder 19 so that the offset correction by addition (subtraction) is not performed when the absolute value of the correction amount Doff is larger than the reference value. You can also
【0078】また、上記実施例は撮像時間をオフセット
補正のパラメータとしたが、事前に収集した画素毎の暗
時出力(第1実施例)、固体撮像素子の温度(第3実施
例)、画素値(第4実施例)、及び画素位置(第5実施
例)についても同様に実施できる。In the above embodiment, the image pickup time is used as the offset correction parameter, but dark output for each pixel collected in advance (first embodiment), the temperature of the solid-state image sensor (third embodiment), pixel The same can be applied to the value (fourth embodiment) and the pixel position (fifth embodiment).
【0079】上記第7実施例の変形例を図19に示す。
同図に示すように、このX線診断装置は、前述した置換
アドレス決定回路80に代えて、画素アドレス信号Sa
のみが供給される置換情報メモリ86を備えている。こ
の置換情報メモリ86には、本装置の出荷時など、装置
使用時よりも前に、画像データを置換する必要があるア
ドレスが測定され、その置換アドレスが書き込まれてい
る。このため、画素アドレス信号Saが、記憶した置換
アドレスに該当するとき、置換情報メモリ86から置換
指令信号Scd=オンが置換回路81に送られ、前述した
と同様に画像データが置換される。画素アドレス信号S
aが、記憶した置換アドレスに該当しないときは、置換
指令信号Scd=オフとなり、置換動作は実施されない。
このように機能させることで、より簡単な構成で置換動
作が可能となる。A modification of the seventh embodiment is shown in FIG.
As shown in the figure, in this X-ray diagnostic apparatus, the pixel address signal Sa is replaced by the replacement address determination circuit 80 described above.
Only the replacement information memory 86 is provided. In this replacement information memory 86, the address where the image data needs to be replaced is measured before the device is used, such as when the device is shipped, and the replacement address is written. Therefore, when the pixel address signal Sa corresponds to the stored replacement address, the replacement command signal Scd = ON is sent from the replacement information memory 86 to the replacement circuit 81, and the image data is replaced in the same manner as described above. Pixel address signal S
When a does not correspond to the stored replacement address, the replacement command signal Scd = OFF, and the replacement operation is not performed.
This function enables the replacement operation with a simpler configuration.
【0080】(第8実施例)さらに第8実施例を図20
に基づいて説明する。この実施例はオフセット補正機構
の取付け位置に関する。(Eighth Embodiment) Further, an eighth embodiment is shown in FIG.
It will be described based on. This embodiment relates to the mounting position of the offset correction mechanism.
【0081】図20に示すX線診断装置は、第1実施例
に係る図1記載のもののオフセット補正機構の位置を変
更したものである。具体的には、TVカメラ13の出力
側とCRT22との間に、増幅器17、2入力のアナロ
グ型加算器90、増幅器91、A/D変換器92、デジ
タル処理回路93、及びA/D変換器21を、この順に
介挿している。一方、オフセット補正量Doff を読み出
すオフセット・メモリ20の読出し側は、別のD/A変
換器94及び増幅器95をこの順に設け、増幅器95の
出力端を上記加算器90に接続している。The X-ray diagnostic apparatus shown in FIG. 20 is obtained by changing the position of the offset correction mechanism of the one shown in FIG. 1 according to the first embodiment. Specifically, the amplifier 17, the 2-input analog adder 90, the amplifier 91, the A / D converter 92, the digital processing circuit 93, and the A / D conversion are provided between the output side of the TV camera 13 and the CRT 22. The device 21 is inserted in this order. On the other hand, on the read side of the offset memory 20 for reading the offset correction amount Doff, another D / A converter 94 and an amplifier 95 are provided in this order, and the output end of the amplifier 95 is connected to the adder 90.
【0082】これにより、画素アドレス信号Saに対応
して読み出されたデジタル量のオフセット補正量Doff
はD/A変換器94によりアナログ量に変換された後、
加算器90に至る。加算器90にはアナログ量のままの
画像データが画素毎に供給されているので、加算器90
ではアナログ量のオフセット補正「Di+Doff 」が実
施される。この補正結果はその後、A/D変換器92で
デジタル量に戻された後、デジタル処理回路93で必要
なデジタル処理に付される。その後、画像データはD/
A変換器21でアナログ量の画像信号に戻され、CRT
22で表示される。As a result, the offset correction amount Doff of the digital amount read corresponding to the pixel address signal Sa is obtained.
Is converted into an analog quantity by the D / A converter 94,
It reaches the adder 90. Since the image data of the analog amount as it is is supplied to the adder 90 for each pixel, the adder 90
Then, the offset correction "Di + Doff" of the analog amount is performed. This correction result is then returned to a digital amount by the A / D converter 92 and then subjected to necessary digital processing by the digital processing circuit 93. After that, the image data is D /
The A converter 21 converts the analog image signal back to CRT
22 is displayed.
【0083】このようにオフセット補正を、デジタル量
に変換する前に、アナログ量のまま実施することで、A
/D変換器92のビット長を全て有効に画像データ分と
して利用することができ、前述したような、ビット長が
オフセット補正に取られて、有効な有効なビット長が減
少するという問題を回避できる。As described above, the offset correction is performed with the analog amount as it is before being converted into the digital amount.
It is possible to effectively use all the bit lengths of the D / D converter 92 as image data, and avoid the problem that the effective bit length is reduced by the offset correction as described above. it can.
【0084】なお、この実施例は、出荷時などに収集し
た画素毎のオフセット・データDoff に基づいてオフセ
ット補正する構成に限定されることなく、撮像時間に基
づくオフセット補正(第2実施例)、固体撮像素子の温
度に基づくオフセット補正(第3実施例)、画素値に基
づくオフセット補正(第4実施例)、画素位置に基づく
オフセット補正(第5実施例)、置換によるオフセット
補正(第7実施例)についても同様に実施できる。Note that this embodiment is not limited to the configuration in which the offset correction is performed based on the offset data Doff for each pixel collected at the time of shipment, and the offset correction based on the imaging time (second embodiment), Offset correction based on temperature of solid-state image sensor (third embodiment), offset correction based on pixel value (fourth embodiment), offset correction based on pixel position (fifth embodiment), offset correction by replacement (seventh embodiment) Example) can be carried out in the same manner.
【0085】なおまた、上記第2〜第5実施例ではオフ
セット補正のパラメータ(撮像時間、素子温度、画素
値、画素位置)を個別に設定したものについて実施した
例を説明したが、これらのパラメータ、即ち撮像時間、
素子温度、画素値、画素位置の内、任意のものを適宜組
み合わせたパラメータとし、それについて実施してもよ
い。またそれらのパラメータに係るオフセット補正と、
置換によるオフセット補正とを適宜組み合わせて実施し
てもよい。Although the offset correction parameters (imaging time, element temperature, pixel value, pixel position) are individually set in the above-described second to fifth embodiments, these parameters are explained. , I.e. imaging time,
It is also possible to use any of the element temperature, the pixel value, and the pixel position as a parameter that is appropriately combined and to implement the parameter. Also, offset correction related to those parameters,
The offset correction by replacement may be appropriately combined and implemented.
【0086】[0086]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
固体撮像素子の暗電流に起因したオフセット量を、その
補正量が画素値依存域が在るか否かに応じて適宜な態様
(例えば、画素値依存域がある場合、出荷時などに予め
測定した画素毎のオフセット補正量で補正する態様、撮
像時間、固体撮像素子の温度、画素値、画素位置の各パ
ラメータの内、任意の一つ又は任意の組み合わせで補正
量を変更する態様、画素値が所定レベル以上あるときに
は画素値自体を置換する補正を付加する態様、アナログ
量のままオフセット補正を行ってからデジタル量に変換
する態様など。画素値依存域が無い場合、暗時出力デー
タ(補正データ)で画素毎に補正する態様、撮像の直前
に収集した暗時出力データ(補正データ)を撮像時間に
基づいて変更する態様、画素値が所定レベル以上あると
きには画素値自体を置換する補正を付加する態様、アナ
ログ量のままオフセット補正を行ってからデジタル量に
変換する態様など)で補正することとしたので、補正残
しや補正ばらつきを著しく減らして空間分解能を上げる
とともに、アーチファクトの減少によりS/N比を向上
させた高品質の画像を得ることができ、また画像から得
られる情報の低下を防止でき、さらにはA/D変換器の
ビット長を有効に利用し、画像のダイナミックレンジを
向上させることができる。As described above, according to the present invention,
An appropriate amount of the offset amount due to the dark current of the solid-state image sensor depending on whether or not the correction amount has a pixel value dependent region (for example, when there is a pixel value dependent region, it is measured in advance at the time of shipment, etc. Corrected by the offset correction amount for each pixel, mode for changing the correction amount by any one or any combination among the parameters of the imaging time, the temperature of the solid-state image sensor, the pixel value, and the pixel position, the pixel value Is above a predetermined level, a mode in which correction for replacing the pixel value itself is added, a mode in which offset correction is performed with the analog amount and then converted into a digital amount, etc. If there is no pixel value dependent region, dark output data (correction Data) for each pixel, the dark output data (correction data) collected immediately before imaging based on the imaging time, the pixel value itself when the pixel value is above a predetermined level. Since the correction is performed in the mode of adding the replacement correction, the mode of performing the offset correction as it is in the analog amount and then converting it into the digital amount, the correction remaining and the correction variation are significantly reduced to improve the spatial resolution and the artifact. It is possible to obtain a high quality image with an improved S / N ratio due to the reduction of the noise, prevent the deterioration of the information obtained from the image, and effectively use the bit length of the A / D converter. The dynamic range of can be improved.
【図1】この発明の第1実施例に係るX線診断装置の概
略構成を示すブロック図。FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の第2実施例に係るX線診断装置の概
略構成を示すブロック図。FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図3】第2実施例におけるオフセット・データ生成回
路を示すブロック図。FIG. 3 is a block diagram showing an offset data generation circuit according to a second embodiment.
【図4】撮像時間と係数の定性的な関係を説明するグラ
フ。FIG. 4 is a graph illustrating a qualitative relationship between an imaging time and a coefficient.
【図5】オフセット・データ生成回路の他の例を示すブ
ロック図。FIG. 5 is a block diagram showing another example of an offset data generation circuit.
【図6】この発明の第3実施例に係るX線診断装置の概
略構成を示すブロック図。FIG. 6 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図7】第3実施例におけるオフセット・データ生成回
路を示すブロック図。FIG. 7 is a block diagram showing an offset data generation circuit according to a third embodiment.
【図8】固体撮像素子の温度と係数の定性的な関係を説
明するグラフ。FIG. 8 is a graph illustrating a qualitative relationship between temperature and coefficient of a solid-state image sensor.
【図9】この発明の第4実施例に係るX線診断装置の概
略構成を示すブロック図。FIG. 9 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図10】第4実施例におけるオフセット・データ生成
回路を示すブロック図。FIG. 10 is a block diagram showing an offset data generation circuit according to a fourth embodiment.
【図11】画素値と係数の定性的な関係を説明するグラ
フ。FIG. 11 is a graph illustrating a qualitative relationship between pixel values and coefficients.
【図12】この発明の第5実施例に係るX線診断装置の
概略構成を示すブロック図。FIG. 12 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
【図13】転送経路長とオフセット補正量の定性的な関
係を説明するグラフ。FIG. 13 is a graph illustrating a qualitative relationship between a transfer path length and an offset correction amount.
【図14】この発明の第6実施例に係るX線診断装置の
概略構成を示すブロック図。FIG. 14 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.
【図15】第6実施例におけるオフセット・データ生成
回路及びオフセット・データの取り込みを示すブロック
図。FIG. 15 is a block diagram showing an offset data generation circuit and offset data fetching in a sixth embodiment.
【図16】第6実施例の動作を説明するタイミングチャ
ート。FIG. 16 is a timing chart illustrating the operation of the sixth embodiment.
【図17】この発明の第7実施例に係るX線診断装置の
概略構成を示すブロック図。FIG. 17 is a block diagram showing a schematic configuration of an X-ray diagnostic apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.
【図18】第7実施例のオフセット・データ生成回路及
び置換アドレス決定回路のブロック図。FIG. 18 is a block diagram of an offset data generation circuit and a replacement address determination circuit according to a seventh embodiment.
【図19】第7実施例の変形例に係るオフセット・デー
タ生成回路及び置換アドレス決定回路のブロック図。FIG. 19 is a block diagram of an offset data generation circuit and a replacement address determination circuit according to a modification of the seventh embodiment.
【図20】この発明の第8実施例に係るX線診断装置の
概略構成を示すブロック図。FIG. 20 is a block diagram showing the schematic arrangement of an X-ray diagnostic apparatus according to the eighth embodiment of the present invention.
【図21】温度、蓄積時間などの条件をパラメータとし
たときの、画素値の変分を説明するグラフ。FIG. 21 is a graph illustrating variation of pixel values when conditions such as temperature and storage time are used as parameters.
【図22】画素値依存域を説明するための、画素値−変
分(補正量)の特性図。FIG. 22 is a characteristic diagram of pixel value-variation (correction amount) for explaining the pixel value dependence region.
13 TVカメラ 13a 固体撮像素子 16 駆動回路 18 A/D変換器 19 加算器 20 オフセット・メモリ 23 コントローラ 30、40、50、70 オフセット・データ生成回路 34 オフセット・メモリ回路 39 温度センサ 60 経路長換算回路 61 オフセット・メモリ 71 電子スイッチ 80 置換アドレス決定回路 81 置換回路 86 置換情報メモリ 90 加算器 92 A/D変換器 94 D/A変換器 13 TV camera 13a Solid-state image sensor 16 Drive circuit 18 A / D converter 19 Adder 20 Offset memory 23 Controller 30, 40, 50, 70 Offset data generation circuit 34 Offset memory circuit 39 Temperature sensor 60 Path length conversion circuit 61 offset memory 71 electronic switch 80 replacement address determination circuit 81 replacement circuit 86 replacement information memory 90 adder 92 A / D converter 94 D / A converter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 31/09 7630−4M H01L 31/00 A (72)発明者 小林 信夫 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 林 幹人 栃木県大田原市下石上1385番の1 株式会 社東芝那須工場内 (72)発明者 白石 邦夫 栃木県大田原市下石上1385番の1 東芝メ ディカルエンジニアリング株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication location H01L 31/09 7630-4M H01L 31/00 A (72) Inventor Nobuo Kobayashi Shimoishigami, Otawara City, Tochigi Prefecture 1385-1 Stock company Toshiba Nasu factory (72) Inventor Mikito Hayashi 1385-1 Shimoishi, Otawara city, Tochigi prefecture 1385 Stock company Toshiba Nasu factory (72) Inventor Kunio Shiraishi 1385 Shimoishigami, Otawara city, Tochigi prefecture Number 1 within Toshiba Medical Engineering Co., Ltd.
Claims (12)
る画像データを出力する固体撮像素子を備えた撮像装置
において、上記固体撮像素子の画素毎の暗電流に起因し
たオフセット量を補正するための予め測定された補正デ
ータを記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶された
補正データに基づいて上記固体撮像素子からの画像デー
タを画素毎に補正するオフセット補正手段とを備えたこ
とを特徴とする撮像装置。1. An image pickup apparatus having a solid-state image pickup device for outputting image data composed of pixel values corresponding to a picked-up optical image, for correcting an offset amount caused by a dark current for each pixel of the solid-state image pickup device. And storage means for storing the previously measured correction data, and offset correction means for correcting the image data from the solid-state image sensor for each pixel based on the correction data stored in the storage means. Image pickup device.
画素値に依存する画素値依存域を有し、その補正データ
は当該撮像装置の使用時よりも前に測定され且つ記憶さ
れたデータである請求項1記載の撮像装置。2. The characteristic of the correction data with respect to the pixel value has a pixel value dependent area depending on the pixel value, and the correction data is data measured and stored before the use of the imaging device. The image pickup apparatus according to claim 1.
外の領域に対応した画素値の光量を前記固体撮像素子に
入射させて測定されたデータである請求項2記載の撮像
装置。3. The image pickup apparatus according to claim 2, wherein the correction data is data measured by causing a light amount having a pixel value corresponding to a region other than the pixel value dependent region to enter the solid-state image pickup device.
続ける撮像時間、前記固体撮像素子の温度、前記画像デ
ータの画素値、及び前記画素の位置の各パラメータの
内、少なくとも1つ又は複数の組み合わせに基づいて前
記補正データを変更する補正データ変更手段を付加した
請求項3記載の撮像装置。4. At least one or more of an imaging time during which the optical image is continuously incident on the solid-state image sensor, a temperature of the solid-state image sensor, a pixel value of the image data, and a parameter of the pixel position. The image pickup apparatus according to claim 3, further comprising a correction data changing unit that changes the correction data based on a combination of.
た補正データが基準値を越えるか否かを画素毎に判断す
る判断手段と、この判断手段により上記補正データが基
準値を越えると判断されたとき、その判断対象の画素の
画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に置
換する置換手段とを付加したことを特徴とする請求項4
記載の撮像装置。5. A judging means for judging for each pixel whether or not the correction data changed by the correction data changing means exceeds a reference value, and this judging means determines that the correction data exceeds the reference value. At this time, a replacing means for replacing the pixel value of the pixel to be judged with the pixel value obtained from the pixel values of the pixels in the vicinity thereof is added.
The imaging device described.
ドレスを予め記憶させた置換アドレスメモリ手段と、前
記固体撮像素子による撮像対象の画素位置が上記置換ア
ドレスメモリ手段に記憶させた置換アドレスに一致する
とき、その画素の画素値をその近傍の画素の画素値から
求めた画素値に置換する置換手段とを付加したことを特
徴とする請求項4記載の撮像装置。6. A replacement address memory means in which an address required to replace the image data is stored in advance, and a pixel position of an object to be imaged by the solid-state imaging device matches a replacement address stored in the replacement address memory means. The image pickup apparatus according to claim 4, further comprising: a replacement unit that replaces a pixel value of the pixel with a pixel value obtained from pixel values of neighboring pixels.
アナログ量に変換するD/A変換器と、このD/A変換
器のアナログ量の変換データと前記固体撮像素子のアナ
ログ量の画像データとを加算する加算器とを備えるとと
もに、この加算器の加算結果をデジタル量に変換するA
/D変換器を備えたことを特徴とする請求項4、5又は
6記載の撮像装置。7. The offset correction means converts a D / A converter for converting correction data into an analog amount, conversion data of the analog amount of the D / A converter, and image data of the analog amount of the solid-state image sensor. And an adder for adding, and A for converting the addition result of this adder to a digital value
The image pickup apparatus according to claim 4, 5 or 6, further comprising a / D converter.
画素値に依存しない特性であり、且つこの補正データは
光学像を固体撮像素子の入射させない状態で測定された
暗時出力データである請求項1記載の撮像装置。8. The characteristic of the correction data with respect to the pixel value is a characteristic that does not depend on the pixel value, and the correction data is dark output data measured in a state where the optical image is not incident on the solid-state image sensor. 1. The imaging device according to 1.
レーム期間にて測定されたデータであり、前記光学像を
前記固体撮像素子に入射し続ける撮像時間に基づいて上
記暗時出力データを変更する補正データ変更手段を付加
した請求項8記載の撮像装置。9. The dark output data is data measured in a frame period immediately before image pickup, and the dark output data is obtained based on an image pickup time during which the optical image is continuously incident on the solid-state image pickup element. 9. The image pickup apparatus according to claim 8, further comprising a correction data changing unit for changing.
れた補正データが基準値を越えるか否かを画素毎に判断
する判断手段と、この判断手段により上記補正データが
基準値を越えると判断されたとき、その判断対象の画素
の画素値をその近傍の画素の画素値から求めた画素値に
置換する置換手段とを付加したことを特徴とする請求項
9記載の撮像装置。10. A judgment means for judging for each pixel whether or not the correction data changed by the correction data changing means exceeds a reference value, and this judgment means determines that the correction data exceeds the reference value. 10. The image pickup apparatus according to claim 9, further comprising a replacement unit that replaces the pixel value of the pixel to be determined with the pixel value obtained from the pixel values of the neighboring pixels.
アドレスを予め記憶させた置換アドレスメモリ手段と、
前記固体撮像素子による撮像対象の画素位置が上記置換
アドレスメモリ手段に記憶させた置換アドレスに一致す
るとき、その画素の画素値をその近傍の画素の画素値か
ら求めた画素値に置換する置換手段とを付加したことを
特徴とする請求項9記載の撮像装置。11. A replacement address memory means for storing in advance an address required to replace the image data,
Substitution means for substituting the pixel value of the pixel with the pixel value obtained from the pixel values of the neighboring pixels when the pixel position of the image pickup target by the solid-state image pickup device coincides with the substitution address stored in the substitution address memory means. 10. The image pickup apparatus according to claim 9, further comprising:
をアナログ量に変換するD/A変換器と、このD/A変
換器のアナログ量の変換データと前記固体撮像素子のア
ナログ量の画像データとを加算する加算器とを備えると
ともに、この加算器の加算結果をデジタル量に変換する
A/D変換器を備えたことを特徴とする請求項9、10
又は11記載の撮像装置。12. The offset correction means converts a D / A converter that converts the correction data into an analog amount, conversion data of the analog amount of the D / A converter, and image data of the analog amount of the solid-state image sensor. 11. An adder for adding and an A / D converter for converting the addition result of the adder into a digital amount are provided.
Alternatively, the imaging device according to item 11.
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