JPH07231165A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スルーホールにより両面配線基板のエリア
損失を減少させ、各両面配線基板同士の機械的及び電気
的接合を同時に行うことができるようにする。 【構成】 複数の両面配線基板同士を機械的及び電気的
に接合するためのＡｕ−Ｓｎ接合層を有する、複数の両
面配線基板を積層したＬＳＩ等の半導体装置を搭載する
ための多層配線基板及びその製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板及びその
製造方法に関し、特に、エリア損失が少なく、かつ、小
型化された高密度の多層配線基板及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、多層配線基板は、以下のように
製造される。まず、片面配線板をホトケミカルエッチン
グ法により形成し、それをプリプレグ（ｒｅｓｉｎ Ｐ
ＲＥｉｍＰＲＥＧｎａｔｅｄ ｇｌａｓｓ ｃｌｏｔ
ｈ）材を用いて貼り合わせ、何層かの積み重ね基板とす
る。ここで、プリプレグ材とは、ガラス繊維で織った布
に半硬化のエポキシ樹脂を含浸させた貼り合わせ用の材
料である。半硬化（Ｂステージと言う。）であるため接
着性を持ち、多層配線板の積み重ねに多く用いられる。
ポリイミド系プリプレグ、エポキシ系プリプレグが主で
ある。

【０００３】その後、積み重ねられた各層を電気的に接
続する。すなわち、電気的に接続させたい各層の部分に
ドリルでスルーホールを形成し、そのスルーホールに銅
めっきを施して電気的に導通させることによって多層配
線基板が製造される。

【０００４】ところで、近年、ＬＳＩパッケージの小型
化を目指してより端子ピッチが狭小化されているため、
上述のように製造される多層配線基板の密度は年々向上
している。また、狭ピッチ小型パッケージを搭載するた
めに用いられる配線基板は、端子ピッチを詰めるだけで
なく、各ＬＳＩパッケージ間の間隔を詰めることまで要
求されている。なぜなら、搭載されるＬＳＩパッケージ
が小型化されるだけでは電子機器全体の小型化を達成す
ることは困難であるため、配線基板もより小型化するこ
とが必要だからである。このような小型配線基板に搭載
される半導体装置は、別名、半導体モジュールとも呼ば
れている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記製
造方法においては、スルーホールを最終段階で開けるた
め、スルーホールの数が多くなり、実質的に配線引回し
に使用される基板の有効面積が減少する（エリア損失）
という問題点がある。なぜなら、例えば、基板４層を配
線する場合において、１層目と２層目とを連結する場
合、連結が必要とされない３層目及び４層目にもスルー
ホールが開いてしまうからである。このことは、基板の
層数が多い程問題となる。

【０００６】したがって、本発明の目的は、スルーホー
ルにより両面配線基板のエリア損失を減少させ、各両面
配線基板同士の機械的及び電気的接合を同時に行うこと
ができる多層配線基板及びその製造方法を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
課題を解決するため、複数の配線基板同士を機械的及び
電気的に接合するためのＡｕ−Ｓｎ接合層を有すること
を特徴とする多層配線基板を提供する。

【０００８】なお、上記配線基板に、ガラス繊維で織っ
た布にポリイミドを含浸させたプリプレグ（Ｒｅｓｉｎ
Ｐｒｅｉｍｐｒｅｇｎａｔｅｄ Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏ
ｔｈ）を用いること、上記Ａｕ−Ｓｎ接合層は、特に、
配線基板の接合面の外周部分に複数設けられ、複数の配
線基板同士を機械的に接合すること、上記配線基板の最
上層又は最下層の非積層面に、クロムめっき銅板を設け
ること、及び上記配線基板は、両面に配線パターンを有
した両面配線基板を用いることにしても良い。

【０００９】また、本発明においては、複数の配線基板
を個別に製造する工程と、複数の配線基板をＡｕ−Ｓｎ
接合法を用いることによって機械的及び電気的に接合し
て多層化する工程を有することを特徴とする多層配線基
板の製造方法を提供する。

【００１０】更に、本発明は、複数の配線基板を個別に
製造する工程と、複数の配線基板の配線パターン上にＡ
ｕ層を形成する工程と、接合される配線基板のうち、一
方の配線基板の接合面に形成されたＡｕ層の所定の部分
にＳｎ層を形成する工程と、複数の配線基板を重ね合わ
せて加熱・加圧して、複数の配線基板同士を機械的及び
電気的に接合して多層化する工程を有することを特徴と
する多層配線基板の製造方法を提供する。

【００１１】なお、上記Ａｕ層及びＳｎ層をめっきで形
成することができ、上記Ｓｎ層をＡｕ─Ｓｎ合金粉末を
含有するペーストで、ＡｕとＳｎの粉末を含有するペー
ストで、Ａｕ─Ｓｎ合金箔で、又はＳｎ箔で形成するこ
とができる。また、Ａｕ─Ｓｎ接合層の組成は、配線基
板が有機材料の場合、１〜４０重量％Ａｕ─Ｓｎが好ま
しく、配線基板がセラミックの場合、８２重量％Ａｕ─
Ｓｎが使用できる。更に、接合条件は、１〜４０重量％
Ａｕ─ＳｎのようなＡｕ─Ｓｎ状態図における低Ａｕ側
の領域を使用する場合は２３０〜２５０℃、８２重量％
Ａｕ─Ｓｎのような高Ａｕ領域を使用する場合は３２０
〜３４０℃が好ましい。接合時間は、使用基板の材質、
厚さ、層数等により最適時間は異なる。

【００１２】

【実施例１】以下に、本発明の一実施例を図面を参照し
つつ詳細に説明する。図１には、本実施例における多層
配線基板が示されている。この多層配線基板は、３つの
両面配線基板１からなる。各両面配線基板１は、表面と
裏面に配線パターンを有し、両配線パターンは、配線基
板に形成されたスルーホール内表面に施されたスルーホ
ール銅めっき６によって電気的に接続されている。そし
て、多層配線基板は、上記両面配線基板１が積層され、
表面配線パターン２と、層間配線パターン３と、裏面配
線パターン４と、各両面配線基板１を機械的及び電気的
に接合するＡｕ−Ｓｎ接合層５とを有している。

【００１３】以下に、上記多層配線基板の製造方法を説
明する。まず、複数の両面配線基板１を個々に製造す
る。ここで、両面配線基板の初期材料として用いられる
材料は、銅貼ガラスエポキシ板、銅貼ガラスホリイミド
板又は厚膜配線印刷セラミック板等のいずれでも良い。

【００１４】多層配線基板の最上部に置かれる両面配線
基板１の表面配線パターン２には、狭ピッチＬＳＩパッ
ケージを搭載することができるように、例えば、０．３
ｍｍピッチ、３００ピン相当の微細端子と、これらを連
結するための配線引回しが形成されている。なお、上記
配線引回しは、表面配線パターン２だけでは十分でない
ため、層間配線パターン３を用いて更に引き回される。
最上部に置かれる両面配線基板１以外の両面配線基板１
についても、同様に配線パターンが形成され、これら表
面配線パターン２と層間配線パターン３は、両面配線基
板１の必要な個所にスルーホールを設け、そのスルーホ
ール内の表面にスルーホール銅めっき６を施すことによ
って電気的に接続される。

【００１５】次に、上記のようにして製造された各両面
配線基板１は、以下のように接合される。図２には、多
層配線基板の接合部の拡大図が示されている。この図２
には図示されていないが、予め各両面配線基板１の各配
線パターン上には、０．１〜１．０μｍの厚さのＡｕめ
っきが、無電解めっき及び電気めっきの両方法を用いる
ことによって施されている。このＡｕめっきは、微細な
銅配線パターンの耐食性を向上させることを目的とし
て、超高密度のモジュール基板に多用されている。ま
た、Ａｕめっきは、表面配線パターン３上にワイヤボン
ディング法によりＬＳＩを搭載すること及びＴＡＢ法に
よりＬＳＩを接続することにも最適の表面処理方法であ
るとして用いられる。

【００１６】そして、両面配線基板１の接合面の一方の
上記Ａｕめっき上にＳｎめっきを部分的に施し、Ｓｎめ
っき層９を形成する。Ｓｎめっきは、電気Ｓｎめっきや
化学Ｓｎめっき等、いずれの方法を用いても良く、めっ
き不要部へめっきレジストを塗布したり、永久ソルダー
レジスト８を塗布（接合ろう材の流れを食い止めるため
のダムの役割を果たす）することによって部分的にめっ
きを施すことができる。なお、無電解Ｓｎめっきの場合
は、パラジュウム活性化付与後に上記レジストを塗布す
ることにより、塗布面に無電解Ｓｎが付着することを防
ぐことができる。また、電気Ｓｎめっきの場合は、電流
を流すためのめっき電極配線を取り付けることが必要で
ある。

【００１７】以上のように両面配線基板１の接合面を処
理した後、両面配線基板１同士を加熱・加圧してＡｕ─
Ｓｎ共晶合金法を用いて接合する。ところが、この際、
以下のような問題がある。すなわち、多層配線基板の多
くは、上述したガラスエポキシやガラスホリイミド等か
らなるため熱に非常に弱いという問題がある。したがっ
て、低温で接合しないと接合温度で基板材料の劣化、例
えば、基板の軟化による銅配線パターンの剥離、スルー
ホール銅めっきの剥離及び基板自身の熱劣化等が生じ
る。

【００１８】そこで、本実施例においては以下に説明す
るように両面配線基板１の接合を行う。図３には、本実
施例の基板接合原理を説明するための平衡状態図が示さ
れている。この図３に示されるように、Ａｕ─Ｓｎの状
態系は、Ｓｎが約１８重量％、約５８重量％及び約８５
重量％の３点に共晶点を有し、特に、１８重量％及び８
５重量％の２点が顕著に現れている。一般に、セラミッ
クパッケージの封止等に用いられる組成はＳｎ１８重量
％の場合であり、封止温度は３５０℃程度が選定されて
いる。すなわち、Ｓｎ１８重量％の点での共晶融点は、
２８０℃であるため、これより高い温度で封止を完了さ
せるという方法である。このような組成は、セラミック
のような高耐熱性を有する材料の場合において、接続や
封止後の耐熱性も高いという特性を有するため多く用い
られている。

【００１９】ところが、上記ガラスエポキシやポリイミ
ド等の有機材料に用いる場合は、上述したような熱に弱
いという理由から、Ｓｎ１８重量％の組成を本実施例の
多層配線基板に用いることはできない。なぜなら、エポ
キシ樹脂の軟化点は、硬化材の種類により異なるが、最
高の熱変形温度を持つものでも１５０℃、ポリイミド樹
脂の場合は、カプトン、ユーピレックス等で２５０℃で
あり、一方、Ｓｎ１８重量％の組成を用いる場合の共晶
融点は２８０℃であるため、接合温度が２５０℃以上と
なって両面配線基板１に上記劣化が生じるからである。

【００２０】一方、Ｓｎ８５重量％の組成の場合は、共
晶融点は２１７℃である。この温度は、純錫の融点であ
る２３２℃よりも１５℃低い。この組成を用いた接合法
の特徴は、ポリイミドの軟化温度２５０℃より低い温度
で接合できること及びＡｕの組成比率が低いためコスト
が低いことを挙げることができる。なお、この組成を用
いた複合リードフレームが、特願平４−１０６３５３号
に示されている。

【００２１】そこで、Ｓｎ８５重量％の組成を用いた両
面配線基板１の接合方法を説明する。この接合には、ヒ
ートツールや熱板プレス等の接合治具が用いられ、接合
する両面配線基板１を重ね合わせて加熱・加圧する。こ
の接合治具の加熱設定温度は２５０℃であり、３０〜５
０ｋｇ／ｃｍ² 相当の圧力で両面配線基板１を加圧す
る。重ね合わせた両面配線基板１を加熱し、接合部の温
度が２１７℃に達すると、加圧に基づいて形成された相
互拡散層のＳｎ８５重量％の組成の相が溶融を開始す
る。上記接合治具は、最高２５０℃に設定されているた
め、温度は更に上昇してＳｎめっき自体の溶融が始ま
る。Ｓｎめっきの溶融は急激であるため、急速にＡｕめ
っき相と反応してＡｕ─Ｓｎの合金層を形成する。な
お、この際においても、融点が最も低い共晶組成である
Ｓｎ８５重量％−Ａｕの組み合わせの反応が最優先で進
行している。この時、ＳｎとＡｕの量が接合部の目付量
として、ちょうどＳｎ８５重量％─Ａｕの組成になって
いれば、最終的に固化した場合の組成もこの組成とほぼ
同様になる。

【００２２】上記のように、既に溶融が始まった共晶融
点が低いＡｕ─Ｓｎ組成物は、接合境界の系外へ接合治
具の加圧によって押し出される。したがって、両面配線
基板同士を接合した後には、その接合界面には高融点の
組成物しか残らない。また、反応に関与しなかった残余
のＳｎが残っている場合でも、融点が低く、流動性が高
いため、同様に系外へ押し出される。よって、両面配線
基板の接合部の境界は融点が高い組成、接合部の壁に流
れ出た部分は融点が低い組成としてＡｕ─Ｓｎ接合層５
が形成される。なお、この系外へ押し出された融点が低
い組成は、低融点Ａｕ─Ｓｎ接合層７として図１中に示
されている。ただし、上述したような、高融点の組成と
低融点の組成との間に明確な境界が存在するわけではな
い。

【００２３】ここで、上述した説明に基づいて、耐熱性
の要求も考慮しつつ、本実施例における好ましいＡｕ─
Ｓｎ接合層５の組成の範囲をＳｎ６０〜９０重量％─Ａ
ｕに選定した。すなわち、両面配線基板のＡｕ─Ｓｎ接
合層５は、上記接合治具による加熱・加圧によって、接
合界面における高融点の接合層とその周辺の低融点の接
合層全体の総合組成としてＳｎ６０〜９０重量％に管理
されるからである。したがって、例えば、Ｓｎ６０重量
％─Ａｕのめっき組成の組み合わせも２５０℃の接合温
度で実現でき、また、Ｓｎ９０重量％─Ａｕの場合も、
同じ接合温度で高耐熱性を得ることができる。

【００２４】以上説明した製造方法に基づいて、以下に
説明する実施例１〜９が得られた。 〔実施例１〕両面に銅箔を貼り合わせた１００ｍｍ角の
ポリイミド基材を用いて、図１に示すような６層配線基
板（両面配線基板１を３枚重ね合わせたもの）を製造し
た。銅貼ポリイミド板は、Ｂステージ（半硬化）のポリ
イミド接着フィルム１００μｍの両面に１８μｍの厚さ
の銅箔を貼り合わせ、この両面銅貼ポリイミド板に０．
５φの穴をパンチング金型により開口させて、穴の側壁
に１０μｍの厚さのスルーホール銅めっき６を施した。
スルーホール銅めっき６は、無電解銅めっきを１．０μ
ｍ施した後、電気銅めっきを９μｍ厚付けして完成させ
た。なお、表面へのめっきマスクは省略したため、表面
全体にも１０μｍの銅めっきが施されている（パネルめ
っき法）。次に、基板表面にホトレジストを塗布し、露
光し、現像し、エッチングすることによって基板の表裏
の両面に配線パターンを形成した。他の２枚の両面配線
基板１についても同様に形成した。

【００２５】次に、この両面配線基板１の銅配線パター
ン上にＮｉ下地めっき０．５μｍ、Ａｕめっき０．５μ
ｍを施した。更に、両面配線基板１同士を接合する接合
面を残し、基板全面にエポキシ系のソルダーレジスト８
を１０μｍの厚さになるようにスクリーン印刷法によっ
て塗布した。この塗布の目的は、接合部以外のパターン
の接触による短絡を防ぐためと、Ａｕ─Ｓｎの溶湯の飛
び散りによるパターン短絡を防ぐためである。この接合
部の様子は図２に示されている。ソルダーレジストの塗
布後、配線パターンの開口部の接合を必要とする部分に
１０μｍの電気Ｓｎめっきを施した。他の２枚の両面配
線基板１についても同様の処理を行った。

【００２６】その後、３枚の両面配線基板１を位置合わ
せ穴（図示せず）を用いて重ね合わせ、熱間真空プレス
に挿入した。このように真空プレスを用いるのは、接合
前のＳｎの酸化を防止するためである。基本的にこの接
合方法においては、フラックス（融剤９を用いないた
め、表面酸化を防止することが重要である。表面酸化を
防止して両面配線基板１を接合する限り、フラックスを
用いる必要はない。したがって、接合後の洗浄も不要と
なり、マイブレーション等に対する耐性も向上して、高
い信頼性が得られる。

【００２７】接合の際のプレス板温度は２５０℃とし
た。また、接合部の温度は、２段目のある点の実測値で
２３０℃であった。プレス板は、両面加熱方式のものを
用いたので、熱は両面配線基板１の上下から加えられ
る。ポリイミドの熱伝導性は低いが１００μｍと薄いた
め及び銅箔とスルーホール銅めっき６の熱伝導性が高い
ため、接合のための加熱・加圧時間は１分である。な
お、接合の際の圧力は、３０ｋｇ／ｃｍ² である。

【００２８】１分経過後、熱プレス板のヒータがＯＦＦ
となり、冷却が開始される。また、ヒータＯＦＦと同時
に冷却空気の吹き付けを１分間行うことによって、熱板
の温度は２００℃に冷却される。この時点でプレス加圧
力を開放し、多層配線基板を得た。

【００２９】〔実施例２〕上記実施例１の場合におい
て、Ｓｎめっきの厚さを５μｍと薄くした。このときの
ＳｎとＡｕの目付は、Ｓｎ３０重量％─Ａｕである。両
面配線基板１の接合は、実施例１と同様の方法を用いて
行い、多層配線基板を得た。

【００３０】〔実施例３〕両面配線基板１に、ガラス布
にポリイミドを含浸させたプリプレグを用いた。この基
材の製法は、ガラス布にポリイミドのワニスを含浸さ
せ、溶剤を揮発させて半硬化Ｂステージプリプレグとし
た後、両面に銅箔を熱プレスを用いて貼り合わせて製造
した。その後、上記実施例１と同様の方法を用いて、多
層配線基板を得た。この実施例３においては、両面配線
基板１にガラスが含まれているため、基板の曲げ強度が
高い多層配線基板が得られるという特徴がある。

【００３１】〔実施例４〕上記実施例１と同様である
が、両面配線基板１の接合面、特に接合面の周辺に、電
気的接続に供されないＡｕ─Ｓｎ接合層５、すなわち、
ダミーパットを複数設けた。ダミーパットは電気的接続
に供されないので、配線パターンが無い基板上に任意に
設けることができる。これにより、貼り合わせの強度が
アップした多層配線基板が得られる。

【００３２】〔実施例５〕上記実施例１の場合におい
て、基板の放熱性を高めるため、クロムめっき５μｍを
施した厚さ０．３ｍｍの銅板を裏側に張り付けた。貼り
付けには、ポリイミド系の厚さ５０μｍの接着フィルム
を用いた。

【００３３】〔実施例６〕上記実施例１におけるＡｕ─
Ｓｎ接合法にとして、Ａｕ─Ｓｎ合金粉末を含有するペ
ーストを印刷して、同様な方法で接合を行う方法を採用
した。

【００３４】〔実施例７〕上記実施例１におけるＡｕ─
Ｓｎ接合法として、ＡｕとＳｎの粉末を含むペーストを
印刷して、同様な方法で接合を行う方法を採用した。

【００３５】〔実施例８〕上記実施例１におけるＡｕ─
Ｓｎ接合法として、接合部にＡｕ─Ｓｎ合金箔を貼り付
けて接合する方法を採用した。

【００３６】〔実施例９〕上記実施例１におけるＡｕ─
Ｓｎ接合法として、Ｓｎ箔を貼り付けて接合する方法を
採用した。

【００３７】以上のような本実施例によれば、以下のよ
うな効果が得られる。第１に、スルーホールを各両面配
線基板１毎に設けることにしたため、配線パターンのエ
リア損失が少なくなり、基板が小型化される。第２に、
層間の接合をＡｕ─Ｓｎ接合で行うことにしたため、機
械的及び電気的接合を同時に行うことができる。第３
に、従来技術の欄で説明した絶縁性接着フィルム（プリ
プレグ）による多層化工程が不要になる。第４に、最終
的なスルーホールを開ける工程及びこのスルーホールに
めっきを施す工程が不要である。第５に、各層毎にスル
ーホールを設けるため、小径のスルーホール加工が可能
で、この点からもエリア損失が少なくなる。なぜなら、
従来のように最終的にスルーホールを開ける場合は、基
板が多層化されているために全体の厚みが厚くなり、太
いドリルが必要だからである。例えば、本実施例のスル
ーホールは０．３φであるが、従来の場合は０．５φで
ある。第６に、各層をリール・ツー・リールの連続ＦＰ
Ｃ又はＴＡＢラインで製造することができ、微細パター
ンの形成が可能となる。一方、従来の場合、最外層のパ
ターンは、両面配線基板を重ね合わせてスルーホールを
開け、スルーホールめっき後に形成されていたため、プ
リント基板の製造工程となり、露光機の解像度が低く、
微細パターンの形成ができない。例えば、ＦＰＣ又はＴ
ＡＢラインの解像度は１００μｍピッチであるのに対
し、プリント基板の解像度は２００μｍピッチである。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、本発明の多層配線基板及
びその製造方法によれば、両面配線基板同士をＡｕ─Ｓ
ｎ接合法によって接合したので、両面配線基板のエリア
損失を減少させ、各両面配線基板同士の機械的及び電気
的接合を同時に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。

【図２】本発明の一実施例を示す断面図である。

【図３】本発明の一実施例を示すＡｕ─Ｓｎ系の平衡状
態図である。

【符号の説明】

１ 両面配線基板 ２ 表面
配線パターン ３ 層間配線パターン ４ 裏面
配線パターン ５ Ａｕ─Ｓｎ接合層 ６ スル
ーホール銅めっき ７ Ａｕ─Ｓｎ低融点接合層 ８ ソル
ダーレジスト ９ Ｓｎめっき層

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の配線基板を積層したＬＳＩ等の半
   導体装置を搭載するための多層配線基板において、 前記複数の配線基板同士を機械的及び電気的に接合する
   ためのＡｕ−Ｓｎ接合層を有することを特徴とする多層
   配線基板。
2. 【請求項２】 前記Ａｕ─Ｓｎ接合層は、６０〜９０重
   量％のＳｎを含むＡｕ─Ｓｎ共晶合金層を含む請求項１
   記載の多層配線基板。
3. 【請求項３】 前記配線基板は、ガラス繊維で織った布
   にポリイミドを含浸させたプリプレグ（Ｒｅｓｉｎ Ｐ
   ｒｅｉｍｐｒｅｇｎａｔｅｄ ＧｌａｓｓＣｌｏｔｈ）
   からなる請求項１記載の多層配線基板。
4. 【請求項４】 前記Ａｕ−Ｓｎ接合層は、特に、前記配
   線基板の接合面の外周部分に複数設けられ、前記複数の
   配線基板同士を機械的に接合する請求項１記載の多層配
   線基板。
5. 【請求項５】 前記配線基板は、最上層あるいは最下層
   の非積層面にクロムめっき銅板が設けられている請求項
   １記載の多層配線基板。
6. 【請求項６】 前記配線基板は、両面に配線パターンを
   有した両面配線基板である請求項１記載の多層配線基
   板。
7. 【請求項７】 複数の配線基板を個別に製造する工程
   と、 前記複数の配線基板をＡｕ−Ｓｎ接合法を用いることに
   よって機械的及び電気的に接合して多層化する工程を有
   することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】 複数の配線基板を個別に製造する工程
   と、 前記複数の配線基板の配線パターン上にＡｕ層を形成す
   る工程と、 接合される前記配線基板のうち、一方の前記配線基板の
   接合面に形成された前記Ａｕ層の所定の部分にＳｎ層を
   形成する工程と、 前記複数の配線基板を重ね合わせて加熱・加圧して、前
   記複数の配線基板同士を機械的及び電気的に接合して多
   層化する工程を有することを特徴とする多層配線基板の
   製造方法。
9. 【請求項９】 前記多層化する工程は、前記Ａｕ層と前
   記Ｓｎ層によって形成されるＡｕ─Ｓｎ共晶合金層の組
   成によって決定される共晶融点に応じた加熱温度で前記
   加熱・加圧が行われる請求項８記載の多層配線基板の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 前記Ａｕ層及びＳｎ層は、めっきによ
    り形成される請求項８記載の多層配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記Ｓｎ層は、Ａｕ─Ｓｎ合金粉末を
    含有するペーストからなる請求項８記載の多層配線基板
    の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記Ｓｎ層は、ＡｕとＳｎの粉末を含
    有するペーストからなる請求項８記載の多層配線基板の
    製造方法。
13. 【請求項１３】 前記Ｓｎ層は、Ａｕ─Ｓｎ合金箔から
    なる請求項８記載の多層配線基板の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記Ｓｎ層はＳｎ箔からなる請求項８
    記載の多層配線基板の製造方法。