JPH07225399A - Production of liquid crystal display device - Google Patents

Production of liquid crystal display device

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JPH07225399A
JPH07225399A JP1821894A JP1821894A JPH07225399A JP H07225399 A JPH07225399 A JP H07225399A JP 1821894 A JP1821894 A JP 1821894A JP 1821894 A JP1821894 A JP 1821894A JP H07225399 A JPH07225399 A JP H07225399A
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JP
Japan
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liquid crystal
current
glass substrate
display device
crystal display
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Application number
JP1821894A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirotsugu Abe
裕嗣 安倍
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH07225399A publication Critical patent/JPH07225399A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a liquid crystal display device which does not generate flicker and burn and is capable of making display with high image quality by forming nonlinear resistance elements of a three-layered structure consisting of a metallic layer-insulator layer-metallic layer electrically connected to display pixel electrodes on a glass substrate, then heat treating the elements CONSTITUTION:The nonlinear resistance elements l formed by successively laminating the lower metallic layer 3 consisting of tantalum, the insulator layer 5 consisting of a tantalum oxide and the upper metallic layer 6 consisting of titanium and the display pixel electrodes 7 are formed on the glass substrate 2. Next, the glass substrate 2 formed with the nonlinear resistance elements 1 and the display pixel electrodes 7 is heat treated in a clean oven. The fluctuation in the current-voltage characteristic of the nonlinear resistance elements is decreased and simultaneously, the poorness in the symmetry of the current values of the positive electrodes and negative electrodes of the current-voltage characteristics is ameliorated if the heat treatment is executed at least for two hours at >=200 deg.C. The generation of the flicker and burn is thus prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示装置の製造
方法に係り、特に非線形抵抗素子からなるスイッチング
素子を有する液晶表示装置の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly to a method of manufacturing a liquid crystal display device having a switching element composed of a non-linear resistance element.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示器を用いた表示装置は、
時計、電卓、計測機器などの比較的簡単なものから、パ
ーソナル・コンピューター、ワードプロセッサー、さら
にはOA機器の端末機器、TV用画像表示装置などの大
容量情報表示用まで用途が拡大している。このような大
容量情報表示用の液晶表示装置においては、マトリック
ス表示のマルチプレックス駆動方式が一般に採用されて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, a display device using a liquid crystal display has been
Applications are expanding from relatively simple devices such as clocks, calculators, and measuring instruments to large-capacity information displays such as personal computers, word processors, terminal devices for office automation equipment, and image display devices for TVs. In such a liquid crystal display device for displaying a large amount of information, a multiplex drive system of matrix display is generally adopted.

【0003】しかしこのマトリックス表示の駆動方式に
は、液晶自体の本質的な特性により、表示部分(オン画
素)と非表示部分(オフ画素)のコントラスト比が、2
00本程度の走査線を有する場合でも不十分であり、さ
らに走査線が500本以上程度の大規模なマトリックス
駆動をおこなう場合には、コントラストの劣化が致命的
になるという問題がある。
However, in this matrix display driving method, the contrast ratio between the display portion (on pixel) and the non-display portion (off pixel) is 2 due to the essential characteristics of the liquid crystal itself.
There is a problem that even if the number of scanning lines is about 100, it is not sufficient, and when a large-scale matrix drive with about 500 or more scanning lines is performed, the deterioration of contrast becomes fatal.

【0004】そのため、この液晶表示装置の欠点を解決
する開発が盛んにおこなわれている。その一つの方向と
して、個々の画素を直接スイッチ駆動するものがあり、
そのスイッチング素子として、薄膜トランジスタや非線
形抵抗素子が用いられている。このうち、非線形抵抗素
子は、2端子であるため、基本的に薄膜トランジスタに
くらべて構造が簡単である。また製造が容易であり、製
造歩留の向上、コストの低減が期待できるなどの利点が
ある。
Therefore, developments for solving the drawbacks of the liquid crystal display device have been actively made. As one of the directions, there is one that directly switches and drives each pixel.
A thin film transistor or a non-linear resistance element is used as the switching element. Of these, since the non-linear resistance element has two terminals, it is basically simpler in structure than a thin film transistor. Further, there are advantages that the manufacturing is easy, and that the manufacturing yield can be improved and the cost can be reduced.

【0005】この非線形抵抗素子には、薄膜トランジス
タと同様の材料を用いて接合形成されたダイオード型、
酸化亜鉛を用いて形成されたバリスタ型、金属電極間に
絶縁体を介在させた金属層−絶縁体層−金属層からなる
3層構造のMIM型、さらには金属電極間に半導電性層
を介在させた型などが開発されている。このうち、MI
M型は、最も構造が簡単なものの一つであり、現在のと
ころ最も実用化の可能性が高い非線形抵抗素子といえ
る。
For this non-linear resistance element, a diode type junction formed using the same material as the thin film transistor,
A varistor type formed using zinc oxide, a three-layer MIM type including a metal layer-insulator layer-metal layer in which an insulator is interposed between metal electrodes, and a semiconductive layer between the metal electrodes. An intervening mold has been developed. Of these, MI
The M type has one of the simplest structures and can be said to be the most practically applicable nonlinear resistance element at present.

【0006】図5および図6にそのMIM素子を有する
マトリックスアレイ基板の1画素部分を示す。このマト
リックスアレイ基板のMIM素子1は、ガラス基板2上
に形成されたタンタル(Ta )膜からなる下部金属層3
と、この下部金属層3と一体に接続形成された電極配線
部4と、これら下部金属層3と電極配線部4の表面を覆
う酸化膜からなる絶縁体層5と、下部金属層3上の絶縁
体層5を跨いでガラス基板2上に延在する上部金属層6
とからなる。この上部金属層6は、ガラス基板2上の表
示画素領域に形成された透明電極からなる表示画素電極
7に接続されている。
FIGS. 5 and 6 show one pixel portion of a matrix array substrate having the MIM element. The MIM element 1 of this matrix array substrate has a lower metal layer 3 made of a tantalum (Ta) film formed on a glass substrate 2.
An electrode wiring portion 4 integrally formed with the lower metal layer 3, an insulator layer 5 made of an oxide film covering the surfaces of the lower metal layer 3 and the electrode wiring portion 4, and the upper portion of the lower metal layer 3. Upper metal layer 6 extending over the glass substrate 2 across the insulator layer 5
Consists of. The upper metal layer 6 is connected to the display pixel electrode 7 formed of a transparent electrode formed in the display pixel area on the glass substrate 2.

【0007】上記MIM素子1の形成方法は、まずガラ
ス基板2上にスパッタリング法や真空蒸着法などの薄膜
形成法によりタンタル膜を形成し、このタンタル膜をフ
ォトリソグラフィ法によりパターニングして、下部金属
層3とこの下部金属層3に一体に接続された電極配線部
4を形成する。つぎにこの下部金属層3と電極配線部4
をクエン酸水溶液を用いた陽極酸化法により化成して、
表面にタンタル酸化膜からなる絶縁体層5を形成する。
その後、薄膜形成法によりクローム(Cr )膜を形成
し、このクローム膜をフォトリソグラフィ法によりパタ
ーニングして、上部金属層6に形成することにより製造
される。
In the method of forming the MIM element 1, first, a tantalum film is formed on the glass substrate 2 by a thin film forming method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method, and the tantalum film is patterned by a photolithography method to form a lower metal. The layer 3 and the electrode wiring portion 4 integrally connected to the lower metal layer 3 are formed. Next, the lower metal layer 3 and the electrode wiring portion 4
By anodizing using an aqueous solution of citric acid,
An insulator layer 5 made of a tantalum oxide film is formed on the surface.
After that, a chrome (Cr) film is formed by a thin film forming method, and the chrome film is patterned by a photolithography method to form an upper metal layer 6 to manufacture.

【0008】なお、透明電極からなる表示画素電極7
は、上記のようにMIM素子1を形成したのち、薄膜形
成法によりたとえばITO(Indium Tin Oxide )から
なる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をフォトリソ
グラフィ法によりパターニングすることにより形成され
る。
The display pixel electrode 7 formed of a transparent electrode
Is formed by forming the MIM element 1 as described above, forming a transparent conductive film made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) by a thin film forming method, and patterning the transparent conductive film by a photolithography method. .

【0009】このMIM素子の基本的な製造技術は、特
公昭55−161273号公報に開示されており、また
その改良技術が、特開昭58−178320号公報など
に開示されている。
A basic manufacturing technique of this MIM element is disclosed in Japanese Patent Publication No. 55-161273, and an improved technique thereof is disclosed in Japanese Patent Publication No. 58-178320.

【0010】なお、液晶表示装置は、別のガラス基板
に、たとえばITOからなるストライプ状の対向電極を
形成して対向基板を製作し、この対向基板と上記MIM
素子1および表示画素電極7の形成されたマトリックス
アレイ基板の各対向面にポリイミド樹脂を塗布し、ラビ
ング処理を施して配向層11を形成し、これら両基板を
5〜20μm の間隔で対向してその周辺部を接合し、両
基板間に液晶を注入する。その後、両基板の外面に偏光
板を張付けることにより製造される。
In the liquid crystal display device, another glass substrate is provided with a stripe-shaped counter electrode made of, for example, ITO to manufacture a counter substrate, and the counter substrate and the above MIM are manufactured.
A polyimide resin is applied to each opposing surface of the matrix array substrate on which the element 1 and the display pixel electrode 7 are formed, and a rubbing treatment is performed to form an alignment layer 11. The both substrates are opposed to each other at an interval of 5 to 20 μm. The peripheral portions are joined and liquid crystal is injected between both substrates. After that, a polarizing plate is attached to the outer surfaces of both substrates to manufacture.

【0011】ところで、上記のように形成されたMIM
素子を有する液晶表示装置については、MIM素子への
電圧ストレスにより、MIM素子の電流−電圧特性(I
−V特性)が変動するという問題がある。すなわち、オ
ン表示(ノーマリホワイトモードでは黒表示)を長時間
おこなった画素とオフ表示(ノーマリホワイトモードで
は白表示)をおこなった画素を、同時に中間調表示に切
換えると、オン表示をおこなっていた画素のMIM素子
の電流−電圧特性の電流値がオフ表示をおこなった画素
にくらべて減少し、オン表示をおこなっていた画素の透
過率が低くなり、焼付き現象として現れるという問題が
ある。
By the way, the MIM formed as described above.
For a liquid crystal display device having an element, the current-voltage characteristic (I
There is a problem that the −V characteristic) fluctuates. In other words, when the pixels that have been on-displayed (black display in normally white mode) for a long time and the pixels that have been off-displayed (white display in normally-white mode) are switched to half-tone display at the same time, on-display is performed. There is a problem that the current value of the current-voltage characteristic of the MIM element of the pixel is reduced as compared with the pixel which is turned off, the transmittance of the pixel which is turned on is lowered, and it appears as a burn-in phenomenon.

【0012】このMIM素子の電流−電圧特性の変動を
軽減する方法として、MIM素子を熱処理するとよいこ
とが知られている。すなわち、MIM素子を200℃以
上の温度で30分以上熱処理することで、MIM素子の
電流−電圧特性の変化を1/3以下にすることができ
る。
As a method of reducing the fluctuation of the current-voltage characteristic of the MIM element, it is known that the MIM element should be heat-treated. That is, by heat-treating the MIM element at a temperature of 200 ° C. or higher for 30 minutes or more, the change in the current-voltage characteristic of the MIM element can be reduced to ⅓ or less.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、MIM
素子を有する液晶表示装置は、MIM素子への電圧スト
レスにより、MIM素子の電流−電圧特性が変動し、オ
ン表示(ノーマリホワイトモードでは黒表示)を長時間
おこなった画素とオフ表示(ノーマリホワイトモードで
は白表示)をおこなった画素を、同時に中間調表示に切
換えると、オン表示をおこなっていた画素のMIM素子
の電流−電圧特性の電流値がオフ表示をおこなった画素
にくらべて減少し、オン表示をおこなっていた画素の透
過率が低くなり、焼付き現象として現れるという問題が
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION As described above, the MIM
In a liquid crystal display device having an element, current-voltage characteristics of the MIM element fluctuate due to voltage stress on the MIM element, and pixels that have been on-displayed (black display in normally white mode) and off-displayed (normally). When the pixels that display white in white mode) are switched to half-tone display at the same time, the current value of the current-voltage characteristic of the MIM element of the pixel that was on display decreases compared to the pixel that displayed off. However, there is a problem in that the transmittance of the pixels that have been turned on is reduced, which causes a burn-in phenomenon.

【0014】このMIM素子の電流−電圧特性の変動を
軽減する方法として、従来よりMIM素子を200℃以
上の温度で30分以上熱処理するとよいことが知られて
いる。しかしMIM素子を上記条件で熱処理すると、M
IM素子の電流−電圧特性の変動は軽減できるが、反
面、MIM素子の電流−電圧特性の正極と負極の電流値
の対称性が悪化する。その結果、この電流−電圧特性の
対称性が悪化した液晶表示装置を駆動して表示をおこな
うと、正極と負極とで液晶層への実効値電圧の大きさが
相違し、直流成分が液晶層に残り、ちらつきや焼付きの
原因となるという問題が生ずる。
As a method of reducing the fluctuation of the current-voltage characteristic of the MIM element, it has been conventionally known to heat the MIM element at a temperature of 200 ° C. or more for 30 minutes or more. However, if the MIM element is heat treated under the above conditions, M
Although the variation of the current-voltage characteristic of the IM element can be reduced, the symmetry of the positive and negative current values of the current-voltage characteristic of the MIM element is deteriorated. As a result, when the liquid crystal display device in which the symmetry of the current-voltage characteristics is deteriorated is driven to perform display, the magnitude of the effective value voltage to the liquid crystal layer is different between the positive electrode and the negative electrode, and the direct current component is the liquid crystal layer. However, it causes flicker and image sticking.

【0015】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、金属層−絶縁体層−金属層からな
る3層構造の非線形抵抗素子を有する液晶表示装置にお
いて、ちらつきや焼付などを生じない高画質表示が可能
な液晶表示装置の製造方法を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in a liquid crystal display device having a non-linear resistance element having a three-layer structure composed of a metal layer-insulator layer-metal layer, flicker, image sticking, etc. It is an object of the present invention to obtain a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of high-quality display that does not cause a problem.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】ガラス基板上に表示画素
電極およびこの表示画素電極に電気的に接続された金属
層−絶縁体層−金属層からなる3層構造の非線形抵抗素
子を形成したのち、この非線形抵抗素子を熱処理する液
晶表示装置の製造方法において、非線形抵抗素子の熱処
理を200℃以上の温度で少なくとも2時間おこなうよ
うにした。
A non-linear resistance element having a three-layer structure including a display pixel electrode and a metal layer-insulator layer-metal layer electrically connected to the display pixel electrode is formed on a glass substrate. In the method of manufacturing a liquid crystal display device in which the nonlinear resistance element is heat-treated, the nonlinear resistance element is heat-treated at a temperature of 200 ° C. or higher for at least 2 hours.

【0017】[0017]

【作用】従来のMIM素子を有する液晶表示装置におけ
るMIM素子への電圧ストレスによる電流−電圧特性の
変動の原因は、必ずしも明確ではないが、下部金属層と
上部金属層との間に介在する絶縁体層、すなわち、下部
金属層を陽極酸化法により化成することによりその表面
に形成される酸化膜の膜質の不均一や経時変化によるも
のと考えられる。
The cause of the change in the current-voltage characteristic due to the voltage stress on the MIM element in the conventional liquid crystal display device having the MIM element is not always clear, but the insulation interposed between the lower metal layer and the upper metal layer is not always clear. It is considered that this is due to the non-uniformity of the film quality of the oxide film formed on the surface of the body layer, that is, the lower metal layer formed by the anodic oxidation method, and the change over time.

【0018】このMIM素子の電流−電圧特性の変動を
軽減する方法として、従来知られているように熱処理す
ると、その電流−電圧特性の変動は低減できるが、反
面、MIM素子の電流−電圧特性の正極と負極の電流値
の対称性が悪化し、表示にちらつきや焼付きが生ずる。
As a method for reducing the variation of the current-voltage characteristic of the MIM element, the heat treatment as conventionally known can reduce the variation of the current-voltage characteristic, but on the other hand, the current-voltage characteristic of the MIM element is reduced. The symmetry of the current values of the positive electrode and the negative electrode deteriorates, and the display flickers or burns.

【0019】発明者は、MIM素子の熱処理とその電流
−電圧特性の正極と負極の電流値の対称性との関係につ
いて調査した結果、200℃以上の温度で30分以上熱
処理すると、熱処理しない液晶表示装置にくらべ、かえ
って、ちらつきが大きくなったり、焼付きの程度に大き
な変化がなかったりして、一定しないことがわかった。
さらにその熱処理温度と処理時間について検討した結
果、200℃以上の温度で少なくとも2時間おこなうこ
とにより、MIM素子の電流−電圧特性の変動を低減す
るとともに、確実に電流−電圧特性の正極と負極の電流
値の対称性の悪化をおこさないようにすることができ、
ちらつきや焼付のない液晶表示装置となることが判明し
た。
The inventor investigated the relationship between the heat treatment of the MIM element and the symmetry of the current values of the current-voltage characteristics of the positive and negative electrodes. Compared to the display device, it was found that the flicker was larger and the degree of image sticking was not significantly changed, so that it was not constant.
Furthermore, as a result of examining the heat treatment temperature and the treatment time, by performing the heat treatment at a temperature of 200 ° C. or higher for at least 2 hours, the fluctuation of the current-voltage characteristic of the MIM element is reduced, and the positive electrode and the negative electrode of the current-voltage characteristic are surely changed. It is possible to prevent deterioration of the symmetry of the current value,
It has been found that the liquid crystal display device has no flicker or image sticking.

【0020】[0020]

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described based on embodiments with reference to the drawings.

【0021】図1(a)に示すように、たとえばホウ珪
酸ガラスからなるガラス基板2上に、スパッタリング法
により、厚さ0.30μm のタンタル膜10を形成し、
このタンタル膜10を、CF4 とO2 との混合ガスを用
いてドライエッチング法によりパターニングし、同
(b)および(c)に示すように、下部金属層3とこの
下部金属層3に一体に接続された電極配線部4とを形成
する。
As shown in FIG. 1A, a tantalum film 10 having a thickness of 0.30 μm is formed on a glass substrate 2 made of, for example, borosilicate glass by a sputtering method.
This tantalum film 10 is patterned by a dry etching method using a mixed gas of CF 4 and O 2, and the lower metal layer 3 and the lower metal layer 3 are integrated with each other as shown in (b) and (c). And the electrode wiring portion 4 connected to.

【0022】つぎに上記下部金属層3と電極配線部4の
形成されたガラス基板2を、濃度0.01重量%のクエ
ン酸水溶液を用いて陽極酸化し、同(d)に示すよう
に、下部金属層3および電極配線部の表面に厚さ0.0
6μm のタンタル酸化膜からなる絶縁体層5を形成す
る。
Next, the glass substrate 2 on which the lower metal layer 3 and the electrode wiring portion 4 are formed is anodized using an aqueous solution of citric acid having a concentration of 0.01% by weight, and as shown in FIG. A thickness of 0.0 on the surface of the lower metal layer 3 and the electrode wiring portion.
An insulator layer 5 made of a tantalum oxide film of 6 μm is formed.

【0023】つぎに同(e)に示すように、上記絶縁体
層5の形成されたガラス基板2上に、スパッタリング法
により、厚さ0.20μm のチタン(Ti )膜11を形
成し、このチタン膜11を過酸化水素水2000ml、ア
ンモニア水500ml、エチレンジアミン四酢酸(EDT
A)60g、水2200mlの混合溶液からなるエッチン
グ液を用いてフォトリソグラフィ法によりパターニング
し、同(f)および(g)に示すように、上部金属層6
に形成する。
Next, as shown in (e), a titanium (Ti) film 11 having a thickness of 0.20 μm is formed on the glass substrate 2 having the insulator layer 5 formed thereon by a sputtering method. Titanium film 11 is made up of hydrogen peroxide water 2000 ml, ammonia water 500 ml, ethylenediaminetetraacetic acid (EDT).
A) Patterning was performed by a photolithography method using an etching solution composed of a mixed solution of 60 g and 2200 ml of water, and as shown in (f) and (g) of FIG.
To form.

【0024】つぎに上記上部金属層6の形成されたガラ
ス基板2上に、スパッタリング法により、厚さ0.15
μm のITOからなる透明導電膜を形成し、この透明導
電膜を塩酸1000ml、水1000mlの混合溶液からな
るエッチング液を用いてフォトリソグラフィ法によりパ
ターニングし、同(h)および(i)に示すように、上
部金属層6に接続された表示画素電極7を形成する。
Then, the glass substrate 2 on which the upper metal layer 6 is formed is sputtered to a thickness of 0.15.
A transparent conductive film made of ITO having a thickness of μm is formed, and the transparent conductive film is patterned by a photolithography method using an etching solution made of a mixed solution of 1000 ml of hydrochloric acid and 1000 ml of water, as shown in (h) and (i). Then, the display pixel electrode 7 connected to the upper metal layer 6 is formed.

【0025】その後、上記下部金属層3、絶縁体層5、
上部金属層6からなる3層構造の非線形抵抗素子(MI
M素子)および表示画素電極7の形成されたガラス基板
2をクリーンオーブン中で230℃の温度で3時間熱処
理する。
Thereafter, the lower metal layer 3, the insulator layer 5,
Non-linear resistance element (MI having a three-layer structure including the upper metal layer 6)
The glass substrate 2 on which the M element) and the display pixel electrode 7 are formed is heat-treated in a clean oven at a temperature of 230 ° C. for 3 hours.

【0026】なお、液晶表示装置は、図2に示すよう
に、上記ガラス基板2とは別のたとえばホウ珪酸ガラス
からなるガラス基板14上に、スパッタリング法によ
り、ITOからなる透明導電膜を形成し、この透明導電
膜を塩酸1000ml、水1000mlの混合溶液からなる
エッチング液を用いてフォトリソグラフィ法によりパタ
ーニングし、対向電極15を形成する。
In the liquid crystal display device, as shown in FIG. 2, a transparent conductive film made of ITO is formed by a sputtering method on a glass substrate 14 made of, for example, borosilicate glass different from the glass substrate 2. The transparent conductive film is patterned by photolithography using an etching solution composed of a mixed solution of 1000 ml of hydrochloric acid and 1000 ml of water to form the counter electrode 15.

【0027】さらに図3に示すように、上記MIM素子
1および表示画素電極7の形成されたガラス基板2およ
び上記対向電極15の形成されたガラス基板14の各対
向面(電極形成面)にポリイミド樹脂を塗布し、ラビン
グ処理を施して配向層16a,16b を形成する。その
後、両基板2,14を5μm の間隔で対向してその周辺
部を接合し、両基板間に液晶17を注入する。その後、
基板14の外面に偏光板18を張付けることにより製造
される。
Further, as shown in FIG. 3, polyimide is formed on each of the facing surfaces (electrode forming surfaces) of the glass substrate 2 on which the MIM element 1 and the display pixel electrodes 7 are formed and the glass substrate 14 on which the counter electrode 15 is formed. A resin is applied and a rubbing process is performed to form alignment layers 16a and 16b. After that, the two substrates 2 and 14 are opposed to each other at a distance of 5 μm and their peripheral portions are bonded to each other, and the liquid crystal 17 is injected between the two substrates. afterwards,
It is manufactured by sticking the polarizing plate 18 on the outer surface of the substrate 14.

【0028】ところで、上記方法により液晶表示装置を
製造すると、ガラス基板2上に表示画素電極7とともに
形成されたMIM素子を230℃の温度で3時間熱処理
したことにより、MIM素子の電流−電圧特性の変動を
低減するとともに、電流−電圧特性の正極と負極の電流
値の対称性の悪化を防止して、ちらつきや焼付きなどを
生じない高画質の表示が得らる液晶表示装置とすること
ができる。
When a liquid crystal display device is manufactured by the above method, the MIM element formed together with the display pixel electrode 7 on the glass substrate 2 is heat-treated at a temperature of 230 ° C. for 3 hours to obtain the current-voltage characteristics of the MIM element. And a liquid crystal display device capable of obtaining a high-quality display that does not cause flicker or burn-in by preventing the symmetry between the positive and negative current values of the current-voltage characteristics from deteriorating. You can

【0029】すなわち、上記方法によりガラス基板2上
にMIM素子1および表示画素電極7を形成したのち、
このガラス基板2を熱処理しないで液晶表示装置を組立
てるとともに、230℃の温度で30分、1時間、1時
間30分、2時間、3時間熱処理して液晶表示装置を組
立て、その各液晶表示装置について、MIM素子の電流
−電圧特性の正極と負極の電流値の対称性を調査した。
その結果、図3に折線20で示す結果が得られた。この
図3は、電流−電圧特性の対称性を±20Vでの電流値
の比(I+20V/I−20V)で示したものであり、
I+20V/I−20Vの値が1に近いほど、対称性が
よいことを示している。
That is, after the MIM element 1 and the display pixel electrode 7 are formed on the glass substrate 2 by the above method,
The liquid crystal display device is assembled without heat-treating the glass substrate 2 and heat-treated at a temperature of 230 ° C. for 30 minutes, 1 hour, 1 hour 30 minutes, 2 hours, 3 hours to assemble the liquid crystal display device. As to the current-voltage characteristics of the MIM element, the symmetry of the current values of the positive electrode and the negative electrode was investigated.
As a result, the result shown by the broken line 20 in FIG. 3 was obtained. This FIG. 3 shows the symmetry of the current-voltage characteristics as a ratio of current values at ± 20 V (I + 20 V / I-20 V),
The closer the value of I + 20V / I-20V is to 1, the better the symmetry.

【0030】この調査からMIM素子を熱処理しない場
合は、電流−電圧特性の対称性が約0.9であるのに対
し、熱処理時間が1時間30分以下の場合は、その対称
性が悪化し、ちらつきや焼付きの原因となる。しかし熱
処理時間を2時間以上おこなうと、対称性が向上し、約
3時間の熱処理で、熱処理しない場合とほぼ同程度まで
回復することがわかった。
From this examination, when the MIM element is not heat-treated, the symmetry of the current-voltage characteristic is about 0.9, whereas when the heat treatment time is 1 hour and 30 minutes or less, the symmetry deteriorates. , It may cause flickering or burning. However, it was found that when the heat treatment time is 2 hours or more, the symmetry is improved, and the heat treatment for about 3 hours recovers to almost the same level as that in the case without heat treatment.

【0031】したがってMIM素子1および表示画素電
極7の形成されたガラス基板2を230℃の温度で2時
間以上熱処理することにより、MIM素子の電流−電圧
特性の変動を軽減でき、同時に電流−電圧特性の正極と
負極の電流値の対称性の悪化を防止し、ちらつきや焼付
きの生じない高画質表示が得られる液晶表示装置とする
ことができる。
Therefore, by heat-treating the glass substrate 2 on which the MIM element 1 and the display pixel electrode 7 are formed at a temperature of 230 ° C. for 2 hours or more, fluctuations in the current-voltage characteristics of the MIM element can be reduced, and at the same time, the current-voltage characteristic can be reduced. It is possible to provide a liquid crystal display device that can prevent deterioration of the symmetry of the current values of the positive electrode and the negative electrode, which are characteristics, and obtain a high-quality display without flicker or burn-in.

【0032】なお、上記実施例では、MIM素子を23
0℃の温度で熱処理したが、このMIM素子は、200
℃以上の温度で熱処理することにより、同様の効果が得
られる。
In the above embodiment, the MIM element is 23
The MIM element was heat-treated at a temperature of 0 ° C.
Similar effects can be obtained by heat treatment at a temperature of ℃ or more.

【0033】[0033]

【発明の効果】ガラス基板上に表示画素電極およびこの
表示画素電極に電気的に接続された金属層−絶縁体層−
金属層からなる3層構造の非線形抵抗素子を形成したの
ち、この非線形抵抗素子を熱処理する液晶表示装置の製
造方法において、非線形抵抗素子の熱処理を200℃以
上の温度で少なくとも2時間おこなうと、非線形抵抗素
子の電流−電圧特性の変動を低減でき、同時にその電流
−電圧特性の正極と負極の電流値の対称性の悪化をおこ
さず、ちらつきや焼付のない高画質表示が得られる液晶
表示装置とすることができる。
The display pixel electrode on the glass substrate and the metal layer electrically connected to the display pixel electrode-the insulator layer-
In a method of manufacturing a liquid crystal display device in which a non-linear resistance element having a three-layer structure made of a metal layer is formed and then the non-linear resistance element is heat-treated, when the heat treatment of the non-linear resistance element is performed at a temperature of 200 ° C. or higher for at least 2 hours, A liquid crystal display device capable of reducing fluctuations in the current-voltage characteristics of a resistance element and, at the same time, causing no deterioration in symmetry of the current values of the positive and negative electrodes of the current-voltage characteristics, and providing high-quality display without flickering or burning. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)ないし(i)はそれぞれこの発明の
一実施例でのガラス基板にMIM素子および表示画素電
極を形成する方法を説明するための図である。
1A to 1I are views for explaining a method of forming an MIM element and a display pixel electrode on a glass substrate according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例でのガラス基板に対向電極
を形成する方法を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of forming a counter electrode on a glass substrate according to an embodiment of the present invention.

【図3】上記MIM素子および表示画素電極の形成され
たガラス基板と対向電極の形成されたガラス基板とを組
合わせて液晶表示装置を製造する方法を説明するための
図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a liquid crystal display device by combining the glass substrate on which the MIM element and the display pixel electrode are formed with the glass substrate on which the counter electrode is formed.

【図4】MIM素子の熱処理温度とMIM素子の電流−
電圧特性の正極と負極の電流値の対称性との関係を示す
図である。
FIG. 4 is a heat treatment temperature of the MIM element and a current of the MIM element-
It is a figure which shows the relationship of the positive electrode of a voltage characteristic, and the symmetry of the electric current value of a negative electrode.

【図5】液晶表示装置の要部構成を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a main configuration of a liquid crystal display device.

【図6】液晶表示装置の要部構成を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a main configuration of a liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…MIM素子 2…ガラス基板 3…下部金属層 5…絶縁体層 6…上部金属層 7…表示画素電極 14…ガラス基板 15…対向電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... MIM element 2 ... Glass substrate 3 ... Lower metal layer 5 ... Insulator layer 6 ... Upper metal layer 7 ... Display pixel electrode 14 ... Glass substrate 15 ... Counter electrode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス基板上に表示画素電極およびこの
表示画素電極に電気的に接続された金属層−絶縁体層−
金属層からなる3層構造の非線形抵抗素子を形成したの
ち、この非線形抵抗素子を熱処理する液晶表示装置の製
造方法において、 上記非線形抵抗素子の熱処理を200℃以上の温度で少
なくとも2時間おこなうことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
1. A display pixel electrode on a glass substrate and a metal layer electrically connected to the display pixel electrode-an insulator layer-
In a method for manufacturing a liquid crystal display device, in which a non-linear resistance element having a three-layer structure made of a metal layer is formed and then the non-linear resistance element is heat-treated, the heat treatment of the non-linear resistance element is performed at a temperature of 200 ° C. or higher for at least 2 hours. A method for manufacturing a characteristic liquid crystal display device.
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