JPH0722441A - ダイボンディング材 - Google Patents
ダイボンディング材Info
- Publication number
- JPH0722441A JPH0722441A JP16064693A JP16064693A JPH0722441A JP H0722441 A JPH0722441 A JP H0722441A JP 16064693 A JP16064693 A JP 16064693A JP 16064693 A JP16064693 A JP 16064693A JP H0722441 A JPH0722441 A JP H0722441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- bonding material
- bisphenol
- reaction
- die bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 全エポキシ樹脂量中に、低鎖長シロキサンユ
ニットを含むエポキシ樹脂（ａ）とビスフェノール類
（ｂ）の当量比［（ａ）のエポキシ当量／（ｂ）の水酸
基当量］が１〜５以下で、かつエポキシ樹脂（ａ）の過
剰下で反応してなる生成物を３０重量％以上含み、硬化
剤及び無機フィラーからなるダイボンディング材。 【効果】 低応力性、接着性及び低吸水性に優れ、かつ
硬化時のブリードがなく工業的に有用なダイボンディン
グ材である。
ニットを含むエポキシ樹脂（ａ）とビスフェノール類
（ｂ）の当量比［（ａ）のエポキシ当量／（ｂ）の水酸
基当量］が１〜５以下で、かつエポキシ樹脂（ａ）の過
剰下で反応してなる生成物を３０重量％以上含み、硬化
剤及び無機フィラーからなるダイボンディング材。 【効果】 低応力性、接着性及び低吸水性に優れ、かつ
硬化時のブリードがなく工業的に有用なダイボンディン
グ材である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低応力性、接着性及び
低吸水性に優れたダイボンディング材に関するものであ
る。
低吸水性に優れたダイボンディング材に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体チップの大型化、パッケージ
の薄型化に伴い周辺材料である樹脂材料に対する信頼性
の要求は年々厳しいものとなってきている。その中でリ
ードフレームに半導体チップを接着するダイボンディン
グ材の特性がパッケージの信頼性を高める要因として重
要視されてきている。パッケージの信頼性で特に重要な
ものとして、実装時の熱ストレスに対する耐半田クラッ
ク性がある。この特性を向上させるためには半導体封止
材料と同様にダイボンディング材にも低応力性、低吸水
性、高接着性が要求される。しかしながら、これまでこ
れらの特性を全て満足する材料は知られていなかった。
例えば、ダイボンディング材としてはポリアミド樹脂に
無機フィラーを分散させたものがあり、接着性、低応力
性に関しては優れているが、低吸水性の点で劣り、又溶
剤を用いるため硬化物中にボイドが残り易く、硬化に高
温を必要とするといった欠点があった。一方、他の樹脂
としてエポキシ樹脂に無機フィラーを分散させたものが
あるが、接着性に優れているものの、低吸水性の点でや
や劣り、又硬化物が硬く脆いため低応力性に劣るという
問題があった。
の薄型化に伴い周辺材料である樹脂材料に対する信頼性
の要求は年々厳しいものとなってきている。その中でリ
ードフレームに半導体チップを接着するダイボンディン
グ材の特性がパッケージの信頼性を高める要因として重
要視されてきている。パッケージの信頼性で特に重要な
ものとして、実装時の熱ストレスに対する耐半田クラッ
ク性がある。この特性を向上させるためには半導体封止
材料と同様にダイボンディング材にも低応力性、低吸水
性、高接着性が要求される。しかしながら、これまでこ
れらの特性を全て満足する材料は知られていなかった。
例えば、ダイボンディング材としてはポリアミド樹脂に
無機フィラーを分散させたものがあり、接着性、低応力
性に関しては優れているが、低吸水性の点で劣り、又溶
剤を用いるため硬化物中にボイドが残り易く、硬化に高
温を必要とするといった欠点があった。一方、他の樹脂
としてエポキシ樹脂に無機フィラーを分散させたものが
あるが、接着性に優れているものの、低吸水性の点でや
や劣り、又硬化物が硬く脆いため低応力性に劣るという
問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの問
題を解決するため鋭意検討した結果、低応力性、接着性
及び低吸水性に優れたダイボンディング材を提供するも
のである。
題を解決するため鋭意検討した結果、低応力性、接着性
及び低吸水性に優れたダイボンディング材を提供するも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、（Ａ）全エ
ポキシ樹脂量中に、式（１）で示されるエポキシ樹脂
（ａ）とビスフェノール類（ｂ）との当量比［（ａ）の
エポキシ当量／（ｂ）の水酸基当量］が１〜５で、かつ
エポキシ樹脂（ａ）の過剰下で反応してなる生成物を３
０重量％以上含み、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機フィラ
ーを必須成分とするダイボンディング材である。
ポキシ樹脂量中に、式（１）で示されるエポキシ樹脂
（ａ）とビスフェノール類（ｂ）との当量比［（ａ）の
エポキシ当量／（ｂ）の水酸基当量］が１〜５で、かつ
エポキシ樹脂（ａ）の過剰下で反応してなる生成物を３
０重量％以上含み、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）無機フィラ
ーを必須成分とするダイボンディング材である。
【０００５】
【化２】 （ここでＲ1 ，Ｒ2 ：２価の炭素数１〜５の脂肪族基、
又は炭素数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基
を示し、互いに同じであっても異なってもよい）
又は炭素数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基
を示し、互いに同じであっても異なってもよい）
【０００６】本発明に用いる式（１）のエポキシ樹脂
は、低弾性率、低吸水性の特徴を有する。式中のＲ1 ，
Ｒ2 の２価の脂肪族基は、炭素数６以上のものは工業化
されていない。本発明のＲ1 ，Ｒ2 としてはプロピレン
が好ましい。本発明に用いる式（１）のエポキシ樹脂と
ビスフェノール類の反応例としては、式（１）のエポキ
シ樹脂（ａ）とビスフェノール類（ｂ）との当量比
［（ａ）のエポキシ当量／（ｂ）の水酸基当量］が１〜
５で、かつ式（１）のエポキシ樹脂過剰下で、エポキシ
樹脂とビスフェノール類を混合し、必要により溶媒を加
え１００℃以上の条件で反応させる。当量比としては１
〜３がより好ましい。当量比が５を超えるとペースト硬
化時に樹脂ブリードが起こるためである。又、式（１）
より長鎖長のシロキサンユニットを含む式（２）のエポ
キシ樹脂も工業化されている。
は、低弾性率、低吸水性の特徴を有する。式中のＲ1 ，
Ｒ2 の２価の脂肪族基は、炭素数６以上のものは工業化
されていない。本発明のＲ1 ，Ｒ2 としてはプロピレン
が好ましい。本発明に用いる式（１）のエポキシ樹脂と
ビスフェノール類の反応例としては、式（１）のエポキ
シ樹脂（ａ）とビスフェノール類（ｂ）との当量比
［（ａ）のエポキシ当量／（ｂ）の水酸基当量］が１〜
５で、かつ式（１）のエポキシ樹脂過剰下で、エポキシ
樹脂とビスフェノール類を混合し、必要により溶媒を加
え１００℃以上の条件で反応させる。当量比としては１
〜３がより好ましい。当量比が５を超えるとペースト硬
化時に樹脂ブリードが起こるためである。又、式（１）
より長鎖長のシロキサンユニットを含む式（２）のエポ
キシ樹脂も工業化されている。
【０００７】
【化３】 ｍは１以上の整数
【０００８】しかし、この長鎖長のエポキシ樹脂、又は
本発明の方法による反応生成物は低応力性に優れている
ものの接着強度、特に熱時強度が低下する。
本発明の方法による反応生成物は低応力性に優れている
ものの接着強度、特に熱時強度が低下する。
【０００９】この反応を促進するために、必要により触
媒を添加してもよい。触媒の例としてはトリフェニルフ
ォスフィン、トリブチルフォスフィン等の有機フォスフ
ィン類、これらの有機ボレート塩、１，８−ジアザビシ
クロウンデセン等のジアザ化合物等が挙げられる。
媒を添加してもよい。触媒の例としてはトリフェニルフ
ォスフィン、トリブチルフォスフィン等の有機フォスフ
ィン類、これらの有機ボレート塩、１，８−ジアザビシ
クロウンデセン等のジアザ化合物等が挙げられる。
【００１０】本発明に用いるビスフェノール類として
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノ
ールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラメチル
ビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＳ、ジ
ヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、ｏ−ヒドロキシフェノール、ｍ−ヒドロキシフ
ェノール、ｐ−ヒドロキシフェノール、ビフェノール、
テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノー
ル、メチルエチリデンビス（メチルフェノール）、α−
メチルベンジリデンビスフェノール、シクロヘキシリデ
ンビスフェノール等が挙げられ、これらは単独でも混合
して用いてもよい。
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノ
ールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラメチル
ビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＳ、ジ
ヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、ｏ−ヒドロキシフェノール、ｍ−ヒドロキシフ
ェノール、ｐ−ヒドロキシフェノール、ビフェノール、
テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノー
ル、メチルエチリデンビス（メチルフェノール）、α−
メチルベンジリデンビスフェノール、シクロヘキシリデ
ンビスフェノール等が挙げられ、これらは単独でも混合
して用いてもよい。
【００１１】反応生成物と混合する場合の他のエポキシ
樹脂としては、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノー
ルＦ、フェノールノボラックとエピクロルヒドリンとの
反応で得られるジグリシジルエーテルで常温で液状のも
の、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタ
ジェンオキシド、アリサイクリックジエポキシド−アジ
ペイトのような脂環式エポキシ等が挙げられる。この反
応生成物の混合量は全エポキシ樹脂量中３０重量％以上
で、より好ましくは５０重量％以上である。３０重量％
未満だと接着後のチップの反りが急激に大きくなり、低
応力性の特徴が生かせなくなる。
樹脂としては、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノー
ルＦ、フェノールノボラックとエピクロルヒドリンとの
反応で得られるジグリシジルエーテルで常温で液状のも
の、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタ
ジェンオキシド、アリサイクリックジエポキシド−アジ
ペイトのような脂環式エポキシ等が挙げられる。この反
応生成物の混合量は全エポキシ樹脂量中３０重量％以上
で、より好ましくは５０重量％以上である。３０重量％
未満だと接着後のチップの反りが急激に大きくなり、低
応力性の特徴が生かせなくなる。
【００１２】本発明で用いる硬化剤としては、ダイボン
ディング材のシェルフライフを損なわないものであれ
ば、特に限定はされない。例えば、ヘキサヒドロフター
ル酸無水物、メチルヒドロフタール酸無水物、ナジック
酸無水物等の酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂等
のポリフェノール類、及びイミダゾール、ジシアンジア
ミド等のアミン系化合物等が挙げられる。本発明で用い
る無機フィラーの例としては、炭酸カルシウム、シリ
カ、アルミナ等の絶縁フィラー、銀粉、金粉、ニッケル
粉、銅粉等の導電性フィラーが挙げられ、用途によりこ
れらを複数混合してもよい。更に、ニードル詰りを防止
するため、これらの粒径は５０μｍ以下のものが好まし
い。
ディング材のシェルフライフを損なわないものであれ
ば、特に限定はされない。例えば、ヘキサヒドロフター
ル酸無水物、メチルヒドロフタール酸無水物、ナジック
酸無水物等の酸無水物、ノボラック型フェノール樹脂等
のポリフェノール類、及びイミダゾール、ジシアンジア
ミド等のアミン系化合物等が挙げられる。本発明で用い
る無機フィラーの例としては、炭酸カルシウム、シリ
カ、アルミナ等の絶縁フィラー、銀粉、金粉、ニッケル
粉、銅粉等の導電性フィラーが挙げられ、用途によりこ
れらを複数混合してもよい。更に、ニードル詰りを防止
するため、これらの粒径は５０μｍ以下のものが好まし
い。
【００１３】本発明によると、式（１）で示される低鎖
長シロキサンユニットを含むエポキシ樹脂をビスフェノ
ール類と予め反応させることにより、ダイボンディング
材として適度な粘度の樹脂が得られ、硬化時に樹脂成分
のブリード、アウトガスによるチップや、その周辺の汚
染も極めて少なくすることができる。又、式（１）のエ
ポキシ樹脂は、低鎖長シロキサンユニットのため熱時に
おける流動性がある程度抑制され、熱時接着強度の低下
も少なくなる。更に、単に式（１）のエポキシ樹脂を単
独、又は式（１）のエポキシ樹脂と他のエポキシ樹脂を
混合したダイボンディング材では、硬化時にアウトガス
やブリードが発生し半導体周辺を汚染してしまうという
欠点がある。
長シロキサンユニットを含むエポキシ樹脂をビスフェノ
ール類と予め反応させることにより、ダイボンディング
材として適度な粘度の樹脂が得られ、硬化時に樹脂成分
のブリード、アウトガスによるチップや、その周辺の汚
染も極めて少なくすることができる。又、式（１）のエ
ポキシ樹脂は、低鎖長シロキサンユニットのため熱時に
おける流動性がある程度抑制され、熱時接着強度の低下
も少なくなる。更に、単に式（１）のエポキシ樹脂を単
独、又は式（１）のエポキシ樹脂と他のエポキシ樹脂を
混合したダイボンディング材では、硬化時にアウトガス
やブリードが発生し半導体周辺を汚染してしまうという
欠点がある。
【００１４】本発明の樹脂組成物は、反応生成物、又は
これらを含むエポキシ樹脂混合物と硬化剤、無機フィラ
ー、必要に応じて硬化促進剤、顔料、染料、消泡剤等の
添加剤を予備混合し、三本ロールを用いて混練し、ペー
ストを得て真空脱泡することにより製造することができ
る。
これらを含むエポキシ樹脂混合物と硬化剤、無機フィラ
ー、必要に応じて硬化促進剤、顔料、染料、消泡剤等の
添加剤を予備混合し、三本ロールを用いて混練し、ペー
ストを得て真空脱泡することにより製造することができ
る。
【００１５】反応生成物の製造例１ 下記式（２）のエポキシ樹脂（エポキシ当量１８１）１
００ｇ、ビスフェノールＡ（水酸基当量１１４）２０ｇ
に触媒として１，８−ジアザビシクロウンデセン１ｇを
添加し、１８０℃で２時間反応させた。この生成物を反
応生成物（１）とする。
００ｇ、ビスフェノールＡ（水酸基当量１１４）２０ｇ
に触媒として１，８−ジアザビシクロウンデセン１ｇを
添加し、１８０℃で２時間反応させた。この生成物を反
応生成物（１）とする。
【００１６】
【化４】
【００１７】反応生成物の製造例２ 式（３）のエポキシ樹脂１００ｇ、ビフェノール（水酸
基当量９４）２０ｇに触媒としてトリフェニルフォスフ
ィン１ｇを添加し、製造例１と同様に反応を行った。こ
の生成物を反応生成物（２）とする。 反応生成物の製造例３ 下記式（４）のエポキシ樹脂（エポキシ当量３３０）１
００ｇ、ビスフェノールＡ（水酸基当量１１４）１２ｇ
に触媒として、１，８−ジアザビシクロウンデセン１ｇ
を添加し、１８０℃で２時間反応させた。この生成物を
反応生成物（３）とする。
基当量９４）２０ｇに触媒としてトリフェニルフォスフ
ィン１ｇを添加し、製造例１と同様に反応を行った。こ
の生成物を反応生成物（２）とする。 反応生成物の製造例３ 下記式（４）のエポキシ樹脂（エポキシ当量３３０）１
００ｇ、ビスフェノールＡ（水酸基当量１１４）１２ｇ
に触媒として、１，８−ジアザビシクロウンデセン１ｇ
を添加し、１８０℃で２時間反応させた。この生成物を
反応生成物（３）とする。
【００１８】
【化５】
【００１９】
【実施例】本発明を実施例で具体的に説明する。 実施例１ 反応生成物（１）１００ｇに硬化剤としてジシアンジア
ミド（ＤＤＡ）２ｇ、２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾール（２Ｐ４ＭＩ）２ｇ、平均粒径５μｍのフレーク
状銀粉２４０ｇを配合し、三本ロールで混練しダイボン
ディング材を調整した。このダイボンディング材を用い
銀めっき付銅フレームに２×２ｍｍ角のシリコンチップ
を２００℃、６０分で硬化接着させ、３００℃における
熱時接着力をプッシュプルゲージで測定した。同様に１
５×６×０．３ｍｍ（厚さ）のシリコンチップを厚さ５
０μｍの銀めっき付銅フレームに２００℃、６０分で硬
化接着させ、低応力性の尺度としてチップの長手方向を
表面粗さ計を用いて上下方向の変位の最大値を求めた。
又、ダイボンディング材硬化物の弾性率、及び８５℃、
８５％ＲＨ下での飽和吸水率を測定した。更にブリード
性を調べた。上記の測定結果を表１に示す。 実施例２ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを反応生成物
（１）８０ｇ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポ
キシ当量１７０）２０ｇとした以外は実施例１と同様の
処方でダイボンディング材を調整し、同様の試験を行っ
た。測定結果を表１に示す。 実施例３〜５ 表１の配合に従い、実施例１と同様にしてダイボンディ
ング材を調整し、実施例１と同様の試験を行った。測定
結果を表１に示す。
ミド（ＤＤＡ）２ｇ、２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾール（２Ｐ４ＭＩ）２ｇ、平均粒径５μｍのフレーク
状銀粉２４０ｇを配合し、三本ロールで混練しダイボン
ディング材を調整した。このダイボンディング材を用い
銀めっき付銅フレームに２×２ｍｍ角のシリコンチップ
を２００℃、６０分で硬化接着させ、３００℃における
熱時接着力をプッシュプルゲージで測定した。同様に１
５×６×０．３ｍｍ（厚さ）のシリコンチップを厚さ５
０μｍの銀めっき付銅フレームに２００℃、６０分で硬
化接着させ、低応力性の尺度としてチップの長手方向を
表面粗さ計を用いて上下方向の変位の最大値を求めた。
又、ダイボンディング材硬化物の弾性率、及び８５℃、
８５％ＲＨ下での飽和吸水率を測定した。更にブリード
性を調べた。上記の測定結果を表１に示す。 実施例２ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを反応生成物
（１）８０ｇ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポ
キシ当量１７０）２０ｇとした以外は実施例１と同様の
処方でダイボンディング材を調整し、同様の試験を行っ
た。測定結果を表１に示す。 実施例３〜５ 表１の配合に従い、実施例１と同様にしてダイボンディ
ング材を調整し、実施例１と同様の試験を行った。測定
結果を表１に示す。
【００２０】比較例１ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを実施例２のビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂１００ｇに変えた以外は実
施例１と同様の処方でダイボンディング材を調整し、実
施例１と同様に試験をした。測定結果を表１に示す。 比較例２、３ 表１の配合に従い、実施例１と同様にしてダイボンディ
ング材を調整し、実施例１と同様の試験を行った。測定
結果を表１に示す。 比較例４ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを式（３）のエポ
キシ樹脂７０ｇ、実施例２のビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂３０ｇを混合した混合物に変えた以外は、実施例
１と同様の処方でダイボンディング材を調整し、同様の
試験をした。測定結果を表１に示す。 比較例５ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを式（３）のエポ
キシ樹脂１００ｇ、硬化剤のビスフェノールＡ１０ｇに
変えた以外は実施例１と同様の処方でダイボンディング
材を調整した。測定結果を表１に示す。 比較例６ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを反応生成物
（３）に変えた以外は、実施例１と同様の処方でダイボ
ンディング材を調整し、同様の試験を行った。測定結果
を表１に示す。以上表１に示したように、実施例ではい
ずれも熱時接着力を維持しつつ、かつ低応力性に優れ、
しかも硬化時にブリードがないことが解る。一方、比較
例１〜３では反り量が増大し、比較例３〜５では硬化時
にブリードがおこる。比較例６ではブリードはないが、
熱時接着力が大幅に劣る欠点がある。
フェノールＦ型エポキシ樹脂１００ｇに変えた以外は実
施例１と同様の処方でダイボンディング材を調整し、実
施例１と同様に試験をした。測定結果を表１に示す。 比較例２、３ 表１の配合に従い、実施例１と同様にしてダイボンディ
ング材を調整し、実施例１と同様の試験を行った。測定
結果を表１に示す。 比較例４ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを式（３）のエポ
キシ樹脂７０ｇ、実施例２のビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂３０ｇを混合した混合物に変えた以外は、実施例
１と同様の処方でダイボンディング材を調整し、同様の
試験をした。測定結果を表１に示す。 比較例５ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを式（３）のエポ
キシ樹脂１００ｇ、硬化剤のビスフェノールＡ１０ｇに
変えた以外は実施例１と同様の処方でダイボンディング
材を調整した。測定結果を表１に示す。 比較例６ 実施例１の反応生成物（１）１００ｇを反応生成物
（３）に変えた以外は、実施例１と同様の処方でダイボ
ンディング材を調整し、同様の試験を行った。測定結果
を表１に示す。以上表１に示したように、実施例ではい
ずれも熱時接着力を維持しつつ、かつ低応力性に優れ、
しかも硬化時にブリードがないことが解る。一方、比較
例１〜３では反り量が増大し、比較例３〜５では硬化時
にブリードがおこる。比較例６ではブリードはないが、
熱時接着力が大幅に劣る欠点がある。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】本発明は、低応力性、接着性及び低吸水
性に優れ、かつ硬化時のブリードがなく工業的に有用な
ダイボンディング材である。
性に優れ、かつ硬化時のブリードがなく工業的に有用な
ダイボンディング材である。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）全エポキシ樹脂量中に、式（１）
で示されるエポキシ樹脂（ａ）とビスフェノール類
（ｂ）との当量比［（ａ）のエポキシ当量／（ｂ）の水
酸基当量］が１〜５で、かつエポキシ樹脂（ａ）の過剰
下で反応してなる生成物を３０重量％以上含み、（Ｂ）
硬化剤及び（Ｃ）無機フィラーを必須成分とすることを
特徴とするダイボンディング材。 【化１】 （ここでＲ1 ，Ｒ2 ：２価の炭素数１〜５の脂肪族基、
又は炭素数６以上の芳香族から２個の水素を除いた残基
を示し、互いに同じであっても異なってもよい）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16064693A JP2695598B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ダイボンディング材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16064693A JP2695598B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ダイボンディング材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722441A true JPH0722441A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2695598B2 JP2695598B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=15719438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16064693A Expired - Lifetime JP2695598B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | ダイボンディング材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2695598B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09165566A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング材 |
| US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US6825249B1 (en) | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
| US7057265B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-06-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7781522B2 (en) | 2003-11-07 | 2010-08-24 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and cured product thereof |
| US7863399B2 (en) | 2003-12-26 | 2011-01-04 | Dow Corning Toray Company, Ltd | Curing silicone composition and cured product thereof |
| US7915439B2 (en) | 2004-10-13 | 2011-03-29 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Method of producing silylalkoxymethyl halide |
| US8273815B2 (en) | 2006-09-11 | 2012-09-25 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and electronic component |
| US8309652B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-11-13 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and cured product therefrom |
| US8338527B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-12-25 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and electronic components |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP16064693A patent/JP2695598B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6825249B1 (en) | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
| US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7012320B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-03-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7057265B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-06-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| US7078094B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-07-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
| JPH09165566A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング材 |
| US7781522B2 (en) | 2003-11-07 | 2010-08-24 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and cured product thereof |
| US7863399B2 (en) | 2003-12-26 | 2011-01-04 | Dow Corning Toray Company, Ltd | Curing silicone composition and cured product thereof |
| US7915439B2 (en) | 2004-10-13 | 2011-03-29 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Method of producing silylalkoxymethyl halide |
| US8309652B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-11-13 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and cured product therefrom |
| US8338527B2 (en) | 2005-04-27 | 2012-12-25 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and electronic components |
| US8273815B2 (en) | 2006-09-11 | 2012-09-25 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Curable silicone composition and electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2695598B2 (ja) | 1997-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0780435A1 (en) | Flexible epoxy adhesives with low bleeding tendency | |
| JP2004210901A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2695598B2 (ja) | ダイボンディング材 | |
| JP6233441B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2015193851A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP3035135B2 (ja) | ダイボンディング材 | |
| JP3411164B2 (ja) | ダイアタッチペースト | |
| JP2834658B2 (ja) | 半導体用導電性樹脂ペースト | |
| JP2007142117A (ja) | ダイボンディングペーストおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2009057575A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP3313292B2 (ja) | ダイアタッチペースト | |
| JP5708666B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2000336244A (ja) | 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2016040393A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2015180760A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2015110803A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP5924443B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2003238651A (ja) | 液状樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JP5929977B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2726251B2 (ja) | ダイボンディング材 | |
| JP3649523B2 (ja) | ダイボンディング材 | |
| JP3317480B2 (ja) | ダイアタッチペースト | |
| JP3922860B2 (ja) | 液状樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4826359B2 (ja) | 液状樹脂組成物及び液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
| JPH11148062A (ja) | ダイボンディング材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090912 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100912 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |