JPH0722177B2 - Wafer transfer device - Google Patents
Wafer transfer deviceInfo
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- JPH0722177B2 JPH0722177B2 JP11193190A JP11193190A JPH0722177B2 JP H0722177 B2 JPH0722177 B2 JP H0722177B2 JP 11193190 A JP11193190 A JP 11193190A JP 11193190 A JP11193190 A JP 11193190A JP H0722177 B2 JPH0722177 B2 JP H0722177B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、ウェハの移し替え装置であり、特に２枚一組
でセットされている各ウェハを、それぞれ独立した状態
にセットするウェハの移し替え装置に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a wafer transfer device, and particularly to a wafer transfer device that sets two wafers set as a set in an independent state. The present invention relates to a transfer device.
（ロ）従来の技術 一般にウェハ移し替え技術は、半導体プロセスにとって
重要である。この技術は、例えば特開昭60−254612号公
報等がその一例である。(B) Conventional Technology Generally, the wafer transfer technology is important for semiconductor processes. An example of this technique is, for example, JP-A-60-254612.
この発明は次のような工程を経てウェハが移し替えられ
る。In this invention, wafers are transferred through the following steps.
まず複数枚のウェハが収容されたウェハ載置台（バスケ
ット）を、イメージセンサやXY駆動機構を介して、ウェ
ハ保持装置の下まで移動する。First, a wafer mounting table (basket) accommodating a plurality of wafers is moved to below the wafer holding device via an image sensor and an XY drive mechanism.
次にこのウェハ載置台を上昇させて、ウェハ保持装置の
保持手段がウェハの水平の直径部よりも下となるように
設定し、この保持手段を水平方向に駆動させてウェハを
接触保持する。Next, the wafer mounting table is raised to set the holding means of the wafer holding device so as to be below the horizontal diameter portion of the wafer, and the holding means is driven in the horizontal direction to hold the wafer in contact therewith.
続いてこのウェハ載置台を下降させ、別のウェハ載置台
を上昇させる。Then, this wafer mounting table is lowered and another wafer mounting table is raised.
続いて、この保持手段をウェハから離間させ、このウェ
ハ載置台にウェハをセットし、ウェハの移し替えが終了
する。Subsequently, the holding means is separated from the wafer, the wafer is set on the wafer mounting table, and the wafer transfer is completed.
ここで、このウェハ保持装置の保持手段は、ウェハと接
触する側面が鋸の刃の如く、所定間隔で三角形の凹部が
設けられている。しかもこの接触面は斜面または円弧状
に設けられており、ウェハの水平方向の直径位置よりも
下方でウェハと接触し、ウェハが下に落ちないようにな
っている。Here, the holding means of this wafer holding device is provided with triangular recesses at predetermined intervals on the side surface contacting the wafer like a saw blade. Moreover, this contact surface is provided in the shape of an inclined surface or an arc so as to contact the wafer below the horizontal diameter position of the wafer and prevent the wafer from falling down.
一方、ウェハの一方の面を長時間拡散するときは、第16
図のように一枚一枚セットしていると効率が悪いため
に、第13図に示したように、拡散を必要としない面を対
向させ２枚１組でセットする所謂「バック・トゥ・バッ
ク」が使用されるようになってきた。このバック・トゥ
・バックでセットすれば、ウェハのチャージ枚数は倍と
なり、長時間の拡散工程等において効率を高めることが
可能となる。On the other hand, when diffusing on one side of the wafer for a long time,
Since it is inefficient to set them one by one as shown in the figure, as shown in FIG. 13, the so-called “back-to- "Back" has come into use. If this back-to-back setting is performed, the number of wafers charged can be doubled, and the efficiency can be improved in a long diffusion process or the like.
第14図及び第15図は、第13図の平面図であり、このバッ
ク・トゥ・バックでウェハ載置台（１）にセットされて
いるウェハを、それぞれ１枚ずつに分離するときの状態
を説明した概略図である。FIG. 14 and FIG. 15 are plan views of FIG. 13, showing a state in which the wafers set on the wafer mounting table (1) by this back-to-back operation are separated into single wafers. It is the schematic diagram demonstrated.
第14図は、ウェハ（２）の両端に前記ウェハ保持装置の
保持手段（３）が近接した状態を示している。図の如
く、三角形の凹部（４）の間に設けられた鋭角な凸部
（爪）（５）は、ウェハ（２）間に挿入できるように、
位置が調整されている。FIG. 14 shows a state in which the holding means (3) of the wafer holding device is close to both ends of the wafer (2). As shown in the figure, the acute-angled convex portions (claws) (5) provided between the triangular concave portions (4) can be inserted between the wafers (2).
The position is adjusted.
続いて第15図の如く、前記保持手段（３）をウェハに近
接させ、前記爪（５）をウェハとウェハの間に挿入し、
ウェハを離間させた状態でウェハを保持する。Then, as shown in FIG. 15, the holding means (3) is brought close to the wafer, and the claw (5) is inserted between the wafers,
The wafer is held with the wafers separated from each other.
最後に別の第２のウェハ載置台（６）を前記ウェハ
（２）の下に移動させ、ウェハを第16図の通りセットす
る。Finally, another second wafer mounting table (6) is moved below the wafer (2), and the wafer is set as shown in FIG.
以上のような機構でバック・トゥ・バックのウェハを１
枚１枚分離していた。Back-to-back wafer 1
It was separated one by one.
（ハ）発明が解決しようとする課題 しかしこの機構により、バック・トゥ・バックの状態で
セットされているウェハを分離する場合、ウェハとウェ
ハが実質的に接触していると、前記爪（５）をウェハ間
に挿入することは非常に難しくかった。(C) Problems to be Solved by the Invention However, when the wafer set in the back-to-back state is separated by this mechanism, if the wafer and the wafer are substantially in contact with each other, the claw (5 ) Was very difficult to insert between the wafers.
（ニ）課題を解決するための手段 本発明は前述の課題に鑑みて成され、 奇数番目と偶数番目のウェハのファセット位置を異なら
しめてセットする反転機構と、 前記ファセット位置を異ならしめことで生じるウェハの
露出部分に外力を加え、前記２枚一組のウェハ間隔を広
げる流体吹き付け機構とで解決するものである。(D) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the problems described above, and is produced by inverting the facet positions of odd-numbered wafers and even-numbered wafers and setting the facet positions differently. An external force is applied to the exposed portion of the wafer to solve the problem by a fluid spraying mechanism that widens the interval between the two wafers.
（ホ）作用 奇数番目と偶数番目のウェハとファセット位置を異なら
しめる反転機構で、第７図のようにウェハの一方はウェ
ハと重畳しない部分が生じる。(E) Action The reversing mechanism that makes the facet positions different from the odd-numbered and even-numbered wafers, and one portion of the wafer does not overlap the wafer as shown in FIG.
一方、前記ウェハ保持手段に設けられた溝は、ウェハが
装着されていても若干マージンがあるので、ウェハの動
きを可能とする。On the other hand, the groove provided in the wafer holding means has a slight margin even when the wafer is mounted, so that the wafer can be moved.
従ってウェハの露出部分に例えばN2ガス等の流体を吹き
付ければ、前記マージンにより第９図の如くウェハ間隔
を広げられ、この間に別の保持手段の爪を完全に挿入で
きる。しかも、若干マージンのある状態でウェハを回転
すれば、ウェハに負荷を加えることなくこの爪に連なる
保持手段の溝に１枚１枚がセットできる。Therefore, if a fluid such as N2 gas is sprayed on the exposed portion of the wafer, the wafer interval can be widened by the margin as shown in FIG. 9, and the claw of another holding means can be completely inserted between them. Moreover, if the wafer is rotated with a slight margin, the wafer can be set one by one in the groove of the holding means connected to the claw without applying a load to the wafer.
従ってこの機構を採用することで、何の問題もなく自動
化が可能となる。Therefore, by adopting this mechanism, automation can be performed without any problem.
（ヘ）実施例 一般に、一方のウェハ面にだけ拡散を必要とする工程は
非常に多く、この片面拡散において第13図のようにバッ
ク・トゥ・バックのセットを行えば、従来のセット方法
（第16図）でセットできる枚数の倍の能力を持つことが
可能となる。従って処理能力を非常に高めることができ
る。(F) Example In general, there are very many steps that require diffusion on only one wafer surface, and if back-to-back setting is performed as shown in FIG. 13 in this single-sided diffusion, the conventional setting method ( It is possible to have twice the ability to set the number in (Fig. 16). Therefore, the processing capacity can be greatly increased.
通常，拡散時間が短いもの，拡散精度を必要とするもの
は、第16図のように１枚１枚セットして拡散している。
例えばエミッタ拡散は拡散時間が短く、hFEを決める重
要な工程なので、このセット方法で処理をしている。Normally, those with a short diffusion time and those requiring high diffusion accuracy are set and diffused one by one as shown in FIG.
For example, emitter diffusion is an important process that determines hFE because the diffusion time is short, so processing is performed using this set method.
しかしベース拡散は非常に時間をかけて拡散をするため
処理枚数を拡大するためにバック・トゥ・バックでセッ
トしている。However, since the base diffusion spreads over a very long time, it is set back-to-back to increase the number of processed sheets.
本発明は、前述のように、何らかの理由により２枚一組
でセットされている薄板（ここでは半導体ウェハ）を分
離し、次の工程へ移行させるために第16図のようにウェ
ハを１枚ずつに分離するための機構や１枚１枚のウェハ
をバック・トゥ・バックにセットする機構を有した装置
にかんするものである。As described above, the present invention separates the thin plates (semiconductor wafers in this case) that are set as a set of two for some reason and moves one wafer as shown in FIG. 16 to move to the next step. The present invention relates to an apparatus having a mechanism for separating wafers one by one and a mechanism for setting back-to-back wafers one by one.
まず洗浄工程から熱処理工程のために石英ボードへ移す
ときは、１枚１枚バラバラな状態から第13図の如く、バ
ック・トゥ・バックの状態へセットする機構が必要であ
る。本発明はリセットのとき重要となる構成，すなわち
石英ボードのウェハのファセットを１枚１枚交互に上と
下にセットしている。First of all, when transferring from the cleaning process to the quartz board for the heat treatment process, it is necessary to have a mechanism for setting the individual pieces one by one to the back-to-back state as shown in FIG. According to the present invention, the structure which is important at the time of resetting, that is, the facets of the quartz board wafers are alternately set one above the other and below.
また石英ボードから洗浄工程へ移すときは、バック・ト
ゥ・バックから１枚１枚に分離するリセット機構が必要
である。Also, when transferring from the quartz board to the cleaning process, a reset mechanism for separating from back to back one by one is necessary.
次に、第２図乃至第６図のとおり、自動機で２枚一組の
ウェハをバック・トゥ・バックの状態で且つ一方のウェ
ハのファセットを下に、他方のウェハのファセットを上
にセットする前述したセット機構について説明する。Next, as shown in FIG. 2 to FIG. 6, an automatic machine sets two wafers in a back-to-back state with one wafer facet down and the other wafer facet up. The above-mentioned setting mechanism will be described.
ウェハは、例えば洗浄工程を経た後のものであり、ウェ
ハのファセットは、バラバラの状態にある。The wafer has been subjected to, for example, a cleaning process, and the facets of the wafer are in a disjointed state.
そして通常のファセットアライナーで全てのファセット
が上方または下方にセットされる。Then all facets are set up or down with a normal facet aligner.
まず第１図の通りセットされている第１のウェハ載置台
（10）（ここでは洗浄治具）が、第12図に示す装置の回
転円盤（11）上にセットされている。First, a first wafer mounting table (10) (here, a cleaning jig) set as shown in FIG. 1 is set on a rotating disk (11) of the apparatus shown in FIG.
この回転円盤（11）の回転によりこの第１のウェハ載置
台（10）が、ウェハ保持機構（12）の下方に移動され
る。The rotation of the rotating disk (11) moves the first wafer mounting table (10) below the wafer holding mechanism (12).
続いてこの第１のウェハ載置台（10）のウェハ（13）が
ウェハの下方に設けられている第１のウェハ保持手段
（14）により前記ウェハ保持機構（12）の中に移動す
る。Subsequently, the wafer (13) on the first wafer mounting table (10) is moved into the wafer holding mechanism (12) by the first wafer holding means (14) provided below the wafer.
この機構の中には第２図に示す４種類のウェハ保持手段
が配置されており、B1とＡはウェハの中心を通る水平線
の下方にセットされ、ウェハの落下防止のための斜面を
有した溝があり、またB2とＣはウェハの中心を通る水平
線の上方にセットされ、ウェハが上方へ移動できない斜
面を有する溝がある。またこの保持機構は全体が回転す
るようになっており、また第17図の如く、B1,B2,Cに
は、溝が形成されている。Two types of wafer holding means shown in FIG. 2 are arranged in this mechanism, and B1 and A are set below a horizontal line passing through the center of the wafer and have a slope for preventing the wafer from falling. There is a groove, and B2 and C are set above the horizontal line passing through the center of the wafer, and there is a groove having a slope where the wafer cannot move upward. Further, this holding mechanism is designed to rotate as a whole, and as shown in FIG. 17, grooves are formed in B1, B2, and C.
次に、B1で示された第２のウェハ保持手段が矢印のとお
り、ウェハに近接する。この保持手段には破線で示すと
おり溝の底面が斜めに形成され、落下しないようになっ
ている。また第17図の如く交互に溝の深さが異なるので
前記第１のウェハ保持手段（14）が下方へ移動すれば、
深い溝に対応する破線で示したウェハが下落し、奇数番
目または偶数番目のウェハだけを第２のウェハ保持手段
B1にセットできる。Next, the second wafer holding means indicated by B1 approaches the wafer as indicated by the arrow. As shown by the broken line, the bottom surface of the groove is formed obliquely on this holding means so as not to fall. Further, as shown in FIG. 17, since the depths of the grooves are alternately different, if the first wafer holding means (14) moves downward,
The wafer indicated by the broken line corresponding to the deep groove drops, and only the odd-numbered or even-numbered wafers are used as the second wafer holding means.
Can be set to B1.
続いてB2で示した第３のウェハ保持手段が近接する。こ
の保持手段B2の溝は破線のとおりに底面が斜めに設けて
あるので第３図のようにウェハを回転させても落下しな
い。Subsequently, the third wafer holding means indicated by B2 approaches. Since the bottom surface of the groove of the holding means B2 is provided obliquely as indicated by the broken line, it does not drop even if the wafer is rotated as shown in FIG.
続いて、第12図の回転機構（15）により、奇数番目また
は偶数番目のウェハを、第３図矢印の如くウェハ面が回
転するように回転する。Subsequently, the rotating mechanism (15) in FIG. 12 rotates the odd-numbered or even-numbered wafers so that the wafer surface rotates as indicated by the arrow in FIG.
続いて第１のウェハ保持手段（14）にセットされている
偶数番目または奇数番目のウェハ（13）が第４図のとお
り上昇する。Subsequently, the even-numbered or odd-numbered wafers (13) set in the first wafer holding means (14) rise as shown in FIG.
次に第５図の通り、第３のウェハ保持手段B2が離れ、Ｃ
で示した第４のウェハ保持手段）にセットされる。この
状態で、奇数番目のウェハと偶数番目のウェハのファセ
ットが上下に異なって配置される。Next, as shown in FIG. 5, the third wafer holding means B2 is separated, and C
The fourth wafer holding means shown in FIG. In this state, the facets of the odd-numbered wafers and the even-numbered wafers are arranged vertically differently.
以上の機構は、後述の露出領域を形成する重要な機構で
ある。The above mechanism is an important mechanism that forms an exposed region described below.
その後、第12図のウェハ保持機構（12）が右方向へスラ
イドし、サブステージ（16）上にセットされ、更にウェ
ハ移動装置（17）で１組ずつ所定のピッチで石英ボード
（18）へセットされる。After that, the wafer holding mechanism (12) shown in FIG. 12 slides to the right and is set on the sub-stage (16), and further, the wafer moving device (17) sets the sets one by one onto the quartz board (18) at a predetermined pitch. Set.
次に前述のリセット機構について説明する。石英ボード
（18）上のウェハを本装置上にあるサブステージ（16）
へウェハ移動装置（17）でセットする。ウェハが全てセ
ットされたら、前記ウェハ保持機構（12）をサブステー
ジ（16）まで右へスライドさせる。Next, the reset mechanism described above will be described. The wafer on the quartz board (18) is placed on the sub-stage (16) on this device.
Wafer transfer device (17). When all the wafers are set, the wafer holding mechanism (12) is slid to the right to the sub-stage (16).
続いて第６図の如く、ウェハの下方から上昇して来る第
１のウェハ保持手段（14）により全てのウェハをウェハ
保持機構まで上昇させる。Subsequently, as shown in FIG. 6, all the wafers are lifted up to the wafer holding mechanism by the first wafer holding means (14) rising from below the wafers.
この時のウェハの状態を示したものが第７図である。図
からも分かるように、斜線で示した領域が、本発明の特
徴とするところであり、ここでは手前から偶数番目のウ
ェハ上部は、前記セット機構によりファセットがずれる
ことで露出されている。FIG. 7 shows the state of the wafer at this time. As can be seen from the figure, the hatched region is the feature of the present invention, and the upper part of the even-numbered wafer from the front is exposed by the facet displacement due to the setting mechanism.
一方、この露出領域（19）は、第８図の通り、ウェハ保
持手段の溝の底面が斜めになっていれば回転しなくとも
実現可能であるが、この場合は露出面積が少ないので、
前述したとおりファセットもずらして露出面積を拡大し
ている。On the other hand, this exposed region (19) can be realized without rotation if the bottom surface of the groove of the wafer holding means is inclined as shown in FIG. 8, but in this case the exposed area is small,
As mentioned above, the exposed area is enlarged by shifting the facets.
次に、第８図のとおり、ウェハ（13）の露出領域（19）
に流体を吹き付ける工程がある。Next, as shown in FIG. 8, the exposed area (19) of the wafer (13)
There is a step of spraying a fluid on.
ここではノズル（20）が下降しN2ガスを前記露出領域
（19）に吹き付けている。従って、他方のウェハ（1
3′）は第９図のとおり斜めに傾きウェハ間隔を広げる
ことができる。Here, the nozzle (20) descends and N2 gas is sprayed onto the exposed region (19). Therefore, the other wafer (1
3 ') can be inclined as shown in FIG. 9 to widen the wafer interval.
ここでは下方から上昇する第１のウェハ保持手段（14）
が上昇しても可能である。Here, first wafer holding means (14) rising from below
It is possible even if rises.
続いて広げられたウェハ上部の間に、第10図，第11図の
如く、Ｃで示された第４のウェハ保持手段が近接し、爪
（21）が挿入されて行き、ウェハが分離される。しかし
ウェハはこの保持手段Ｃにより完全に固定されておら
ず、若干フリーな状態である。またウェハの水平面の直
径位置よりも下に第５のウェハ保持手段A,ここでは落下
防止のウェハホルダーが近接しウェハを接触する。Then, as shown in FIGS. 10 and 11, the fourth wafer holding means indicated by C comes close to the upper portion of the unfolded wafer, the claw (21) is inserted, and the wafer is separated. It However, the wafer is not completely fixed by the holding means C and is in a slightly free state. Further, the fifth wafer holding means A, here a wafer holder for drop prevention, comes close to below the diametrical position of the horizontal plane of the wafer and contacts the wafer.
続いてウェハが分離された状態で180°回転し、ウェハ
の自重により、前記第４のウェハ保持手段Ｃの爪と連続
して設けられた溝（22）に１枚１枚セットされる。実際
の断面は第17図に示す。Then, the wafer is rotated by 180 ° in the separated state, and is set one by one in the groove (22) provided continuously with the claw of the fourth wafer holding means C by its own weight. The actual cross section is shown in FIG.
ここではウェハへ負荷が加わらないように回転してい
る。つまり回転をしなくても、前記保持手段Ｃがウェハ
を完全にクランプし、ウェハを全て垂直にセットすれ
ば、そのまま別のウェハ載置台にセットできる。しかし
第９図のとおり、ウェハは斜めの状態であり、このウェ
ハをクランプして別のウェハ載置台にセットする間に
は、ウェハに負荷を与える可能性がある。Here, the wafer is rotated so that no load is applied to it. That is, even if the wafer is not rotated, if the holding means C completely clamps the wafer and the wafers are all set vertically, they can be set on another wafer mounting table as they are. However, as shown in FIG. 9, the wafer is in an inclined state, and there is a possibility that a load will be applied to the wafer while the wafer is clamped and set on another wafer mounting table.
従って、ウェハがフリーな状態で回転し、自重によりセ
ットしたほうが、ウェハに負荷を与えず好ましいセット
ができる。Therefore, it is preferable to rotate the wafer in a free state and set the wafer by its own weight without load on the wafer.
続いてウェハ保持機構（12）を左へスライドし、前記第
１のウェハ保持手段（14）を上昇させ、第３のウェハ保
持手段B2を近接させ、第４のウェハ保持手段Ｃを引っ込
める。従って第３のウェハ保持手段B2の深い溝に対応す
るウェハが、下方にセットされている洗浄治具へ落下し
セットされる。Then, the wafer holding mechanism (12) is slid to the left, the first wafer holding means (14) is raised, the third wafer holding means B2 is brought into proximity, and the fourth wafer holding means C is retracted. Therefore, the wafer corresponding to the deep groove of the third wafer holding means B2 is dropped and set on the cleaning jig set below.
更に第２のウェハ保持手段B1を近接させ、ウェハを前述
と同様に180°回転させる。そして第３のウェハ保持手
段B2を引っ込めて、先にウェハが半分セットされている
洗浄治具を上昇させ、第２のウェハ保持手段B1を引っ込
めて洗浄治具に落下させセットする。Further, the second wafer holding means B1 is brought close to the wafer and the wafer is rotated by 180 ° in the same manner as described above. Then, the third wafer holding means B2 is retracted, the cleaning jig on which the wafer is half set is raised, and the second wafer holding means B1 is retracted and dropped onto the cleaning jig to be set.
従って全てのウェハはファセットが一致して且つウェハ
の表面も揃ってセットされる。Therefore, all wafers are set with facets aligned and wafer surfaces aligned.
（ト）発明の効果 以上の説明から明らかな如く、奇数番目と偶数番目のウ
ェハのファセット位置を異ならしめる反転機構で、第７
図のようにウェハの一方はウェハと重畳しない部分が生
じるから、ウェハに流体を吹き付けて間隔を広げること
ができ、ウェハに障害を与えずに１枚１枚分離できる。(G) Effect of the Invention As is clear from the above description, the inversion mechanism that makes the facet positions of the odd-numbered and even-numbered wafers different is
As shown in the figure, since one of the wafers has a portion that does not overlap with the wafer, a fluid can be sprayed onto the wafer to widen the interval, and the wafers can be separated one by one without any obstacle.
しかもウェハ間隔を広げられるので、ウェハ保持手段の
爪をスムーズに挿入できる。さらにはウェハの厚さに関
係なく挿入できるので自動化が可能となる。Moreover, since the wafer interval can be widened, the claws of the wafer holding means can be smoothly inserted. Furthermore, since it can be inserted regardless of the thickness of the wafer, automation is possible.
またウェハのファセットをずらしたり、ウェハの設置高
さを異ならしめることで、一方のウェハの一部を露出さ
せることができるので、この露出領域に流体を吹き付け
れば、効率よくウェハ間隔を広げることができる。従っ
てウェハ保持手段の爪をウェハ間に完全にいれることが
できる。Also, part of one of the wafers can be exposed by shifting the facets of the wafer or making the height of the wafer different, so if the fluid is sprayed on this exposed area, the wafer interval can be expanded efficiently. You can Therefore, the claw of the wafer holding means can be completely inserted between the wafers.
また一連の保持手段によりウェハはバック・トゥ・バッ
クに自動的にセットできるため、作業効率を向上させる
ことができる。Further, since the wafer can be automatically set back-to-back by the series of holding means, work efficiency can be improved.
以上本発明は、片面の拡散（これはバイポーラだけに限
らずモスや化合物半導体等にも当てはまる）のときに非
常に有効な装置である。As described above, the present invention is a very effective device for one-sided diffusion (this applies not only to bipolar but also to moss, compound semiconductors, etc.).
第１図はウェハがセットされた時の図、第２図乃至第６
図は反転機構を説明するための図、第７図乃至第11図は
ウェハを分離する機構を説明するための図、第12図は本
移し替え装置の図、第13図はウェハ載置台にバック・ト
ゥ・バックでセットされている図、第14図および第15図
は従来の方法でウェハを分離する時の説明図、第16図
は、ウェハが１枚１枚分離されてセットされている図、
第17図は保持手段の断面図である。FIG. 1 is a view when a wafer is set, FIGS. 2 to 6
The figure is a diagram for explaining the reversing mechanism, FIGS. 7 to 11 are diagrams for explaining the mechanism for separating the wafer, FIG. 12 is a diagram of the transfer device, and FIG. 13 is a wafer mounting table. Figures set back-to-back, Figures 14 and 15 are illustrations for separating wafers by the conventional method, and Figure 16 shows individual wafers set separately. Figure,
FIG. 17 is a sectional view of the holding means.
Claims (7)
方のウェハを反転させファセット位置を他方のウェハの
ファセット位置と異ならしめるウェハの反転機構を有し
たウェハの移し替え装置であって、 所定のウェハ保持手段にファセットがアライニングされ
てセットされている複数枚のウェハと、別のウェハ保持
手段を近接または接触させ、 前記別のウェハ保持手段により奇数番目または偶数番目
のウェハのみを反転させ、 奇数番目と偶数番目のウェハのファセット位置を異なら
しめてセットする反転機構を有したウェハの移し替え装
置。1. A wafer transfer device having a wafer reversing mechanism for setting two semiconductor wafers as a set and reversing one wafer to make the facet position different from the facet position of the other wafer. A plurality of wafers having facets aligned with a predetermined wafer holding means and another wafer holding means are brought close to or in contact with each other, and only the odd-numbered or even-numbered wafers are inverted by the another wafer holding means. The wafer transfer device has a reversing mechanism that sets the facet positions of the odd-numbered and even-numbered wafers differently.
び下方で、奇数番目または偶数番目のウェハの両端に前
記別のウェハ保持手段を近接または接触させ、前記奇数
番目または偶数番目のウェハを180°回転させる反転機
構を有することを特徴とした請求項第１項記載のウェハ
の移し替え装置。2. The another wafer holding means is brought into proximity or contact with both ends of an odd-numbered or even-numbered wafer above and below a horizontal line passing through the center of the wafer, and the odd-numbered or even-numbered wafer is rotated by 180 degrees. The wafer transfer device according to claim 1, further comprising an inversion mechanism for rotating the wafer.
じるウェハの露出部分に外力を加え、前記２枚一組のウ
ェハ間隔を広げる機構を有することを特徴とした請求項
第１項記載のウェハの移し替え装置。3. The wafer according to claim 1, further comprising a mechanism for applying an external force to an exposed portion of the wafer generated by making the facet positions different so as to widen the space between the pair of wafers. Transfer device.
間へ保持手段に設けられた凸部を挿入することで、前記
２枚一組のウェハを分離するウェハ分離機構を有するこ
とを特徴とした請求項第３項記載のウェハの移し替え装
置。4. A wafer separating mechanism for separating the set of two wafers by inserting a convex portion provided on a holding means between the wafers spread by the blowing mechanism. Item 3. The wafer transfer device according to item 3.
合わせにセットした状態でセットされることを特徴とし
た請求項第１項、第２項、第３項または第４項記載のウ
ェハの移し替え装置。5. The set of two wafers is set in a state where the non-processed surfaces are set back-to-back, and the set of wafers is set in the first, second, third or fourth aspect. Wafer transfer device.
トがアライニングされた一連のウェハがセットされた第
１のウェハ載置台とウェハ保持機構とを近接させ、 前記第１のウェハ載置台から第１のウェハ保持手段にウ
ェハを移し、 前記ウェハの中心を通る水平線の上方および下方で、奇
数番目または偶数番目のウェハの両端に第２のウェハ保
持手段および第３のウェハ保持手段を近接または接触さ
せ、 前記第２のウェハ保持手段および第３のウェハ保持手段
にセットされた奇数番目または偶数番目のウェハを反転
させ、 前記反転されたウェハまたはそのままのウェハを移動さ
せ、奇数番目と偶数番目のウェハのファセット位置を異
ならした状態でウェハをセットする反転機構を有したウ
ェハの移し替え装置。6. A wafer holding mechanism and a first wafer mounting table, on which a series of wafers having undergone semiconductor processing and having facets aligned are set, are brought close to each other, and the first wafer mounting table is moved to the first wafer mounting table. The wafer is transferred to the wafer holding means, and the second wafer holding means and the third wafer holding means are brought close to or in contact with both ends of the odd-numbered or even-numbered wafer above and below the horizontal line passing through the center of the wafer. , The odd wafer or the even wafer set in the second wafer holding means and the third wafer holding means is reversed, and the reversed wafer or the wafer as it is is moved, and the odd and even wafers are moved. Wafer transfer device with a reversing mechanism that sets the wafers with different facet positions.
生じるウェハの露出部分に流体を吹き付けて、ウェハ間
隔を広げ、 前記広げられたウェハ間に第４のウェハ保持手段に設け
られた凸部を挿入し、 前記ウェハの下方に第５のウェハ保持手段を当接し、前
記ウェハを180°回転することで前記第４のウェハ保持
手段の凸部に連なる溝に前記ウェハをセットするウェハ
分離機構を有することを特徴とした請求項第６項記載の
ウェハの移し替え装置。7. A fluid is sprayed on an exposed portion of the wafer generated by making the facet positions different to increase a wafer interval, and a convex portion provided on a fourth wafer holding means is inserted between the expanded wafers. A wafer separating mechanism for contacting a fifth wafer holding means below the wafer and rotating the wafer by 180 ° to set the wafer in a groove connected to the convex portion of the fourth wafer holding means. 7. The wafer transfer device according to claim 6, wherein:
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1990
- 1990-04-26 JP JP11193190A patent/JPH0722177B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH0410454A (en) | 1992-01-14 |
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