JPH07221421A

JPH07221421A - 電気的接続方法及び装置

Info

Publication number: JPH07221421A
Application number: JP6010639A
Authority: JP
Inventors: Kazuaki Karasawa; 一明柄澤; Teru Nakanishi; 輝中西
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1994-02-01
Filing date: 1994-02-01
Publication date: 1995-08-18

Abstract

(57)【要約】【目的】挿入力および抜去力を必要とせずに、微細・
高密度の接続を可能とする。【構成】開口部７を有する絶縁膜４により液体金属等
の流動性をもった電気的導体物質５を保持した一方の接
点８と、この一方の接点８と対応する位置に配置され、
且つこの該一方の接点８を押圧して絶縁膜４を変形させ
て導体物質５を開口部７から流出させる他方の接点を構
成する突状の電極１２，１３と、からなることを特徴と
する電気的接続装置が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回路基板と他の回路基
板とを、あるいは電子部品と回路基板とを相互に電気的
に接続する方法及び装置に関する。更に詳しくは、本発
明は、接続に際して、挿入力および抜去力を必要とせず
に微細・高密度の接続を可能とし、かつ接続部の電気抵
抗が低く、接続部の安定性に優れた電気的接続方法及び
接続装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電気的接続装置では、雄型接点と
呼ぶ接点ピン（プラグ）を、雌型接点と呼ぶばね性を有
する部材（ジャック）に挿入して電気的に接続してい
る。この接続装置では、プラグをジャックに挿入し、こ
の際に両者が機械的にすり合わされることによって金属
−金属の接触を実現して、電気的な接続を得ている。ば
ねによって加えられる力は、それぞれの部材の表面処理
膜によって異なるが、電気抵抗が低くかつ安定な接続抵
抗を得るために、少ない場合でも数十グラムとなるよう
に設定されている。

【０００３】近年、電子装置の小型化、高性能化のた
め、集積度の高いＬＳＩやチップコンデンサ、チップ抵
抗などを、一つの回路基板上に多数搭載する実装技術が
広く用いられるようになってきている。そして、このよ
うな回路基板においては、基板あたりの入出力端子数も
大幅に増加している。入出力端子は、一般的には、接点
ピン（プラグに相当する）の形で基板にろう付けされて
おり、多数の接点ピン（プラグ）をジャックに挿入した
り、ジャックから抜去したりする際の力は非常に大きく
なる。もっとも大きな規模では、百キログラムを越える
ものがあり、人力での操作が極めて困難であったり、挿
抜時に接点ピンが曲がったり、ろう付け部が破断してし
まうこともある。

【０００４】挿抜力を小さくしてこれらの問題を解決す
るため、カム機構などの補助手段によって挿入や抜去に
要する力を軽減した無挿抜力または軽挿抜力の接続装置
が開発され、実用されている。しかし、これらの接続装
置では構造が複雑になったり、カム機構などに要する面
積が無視できない程度にまでなりシステム全体の実装密
度を低下させるという問題があった。このような問題
は、今後、接続端子がますます微細化し、増加するにつ
れて重大な問題となる。

【０００５】このような問題を解決するために、例え
ば、特開平４−１２５８８号等において、接点材料とし
て室温あるいは室温近傍で液体状態（液相）の金属もし
くは合金を用いる方法が考案されている。この手法によ
れば、挿入力および抜去力を必要とせずに、微細・高密
度の接続が可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、液体の金属は
活性であるため、酸化、水酸化しやすく、長期間の使用
によって、接点の電気抵抗が上昇してしまう。接点に用
いられる材料が液体金属中に拡散することによって、液
体の金属の組成が変化し、その特性を損ねてしまう。ま
た、これを防止するために、接点に用いる材料を液体金
属との反応性に乏しい材料にすると、逆に液体金属が接
点からはじかれてしまうため、液体金属の保持ができな
いとともに、接点の安定性が低下するという問題があ
る。

【０００７】本発明は、上記の問題を解決し、挿入力お
よび抜去力を必要とせずに、微細・高密度の接続を可能
とする電気的接続方法および装置を提供するものであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１によると、開口
部を有する絶縁膜により液体金属等の流動性をもった電
気的導体物質を保持した一方の接点と、他方の接点を構
成する電極とを相互に押しつけ、絶縁膜を変形させて導
体物質を開口部から流出させて他方の電極と接触させる
ようにしたことを特徴とする電気的接続方法が提供され
る。

【０００９】請求項２によれば、開口部を有する絶縁膜
により液体金属等の流動性をもった電気的導体物質を保
持した一方の接点と、該一方の接点と対応する位置に配
置され、且つ該一方の接点を押圧して前記絶縁膜を変形
させて導体物質を開口部から流出させる他方の接点を構
成する突状の電極と、からなることを特徴とする電気的
接続装置が提供される。

【００１０】請求項３によれば、接点は第１の回路基板
に設けられ、突状の電極は第２の回路基板に設けられる
ことを特徴とする。請求項４によれば、接点は回路基板
に設けられ、突状の電極は、ＬＳＩ、チップコンデン
サ、チップ抵抗等の電子部品に設けられることを特徴と
する。請求項５によれば、接点はＬＳＩ、チップコンデ
ンサ、チップ抵抗等の電子部品に設けられ、突状の電極
は回路基板に設けられることを特徴とする。

【００１１】請求項６によれば、複数の接点が異なる複
数の回路基板にそれぞれ設けられ、複数の突状の電極が
互いに導通するように１枚の接続用基板に設けられ、こ
れらの複数の電極が各接点と対応する位置に配置される
ことを特徴とする。請求項７によれば、流動性をもった
電気的導体物質として、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｈｇ，Ｂ
ｉ，Ｐｂ，Ｃｓ，Ｒｂ，Ｚｎ，Ｎａ，Ｋの少なくとも１
つを含む単一金属又は合金、或いはこれらの金属又は合
金を分散させた流体であることを特徴とする。

【００１２】請求項８によれば、突状の電極自体又はそ
の表面が電気的導体物質と反応が乏しい導電性材料から
なることを特徴とする。請求項９によれば、突状の電極
自体がＲｈからなることを特徴とする。請求項１０によ
れば、突状の電極の表面に、Ｒｈ膜、Ｃ膜、ＴｉＮ膜、
ＩＴＯ膜、ＴｉＯ₂膜が形成されていることを特徴とす
る。

【００１３】請求項１１によれば、Ｒｈ，Ｃ等のよう
に、電気的導体物質と反応性が乏しい導電性材料からな
る、電気的導体物質の下地層が形成されていることを特
徴とする。請求項１２によれば、開口部を有する絶縁膜
により液体金属等の流動性をもった電気的導体物質を保
持した一方の接点と、該一方の接点と対応する位置に配
置され、且つ該一方の接点を押圧して前記絶縁膜を変形
させて導体物質を開口部から流出させる他方の接点を構
成する突状の電極と、からなる電気的接続装置を形成す
る場合において、前記導体物質が固体の状態である温度
下で、前記開口部を持った絶縁膜を形成することを特徴
とする電気的接続装置の形成方法が提供される。

【００１４】

【作用】請求項１及び２によれば、液体金属等の流動性
をもった導体物質が突状電極と接触するので、挿抜に要
する力を大幅に減少させることができる。また、導体物
質を絶縁膜で覆っているので、非接触時は導体物質を開
口部の内側に保持させておくことができる。

【００１５】請求項１２によれば、導体物質が固体の状
態で接点部を形成しているので、製造中導体物質が開口
部より洩れることはなく接続装置を容易に形成すること
ができる。

【００１６】

【実施例】図１〜図４に本発明の第一実施例を示す。ま
ず図１において、配線２および電極３（φ２００μｍ）
が形成されている酸化アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる
第一の回路基板１上で、電極３上に下地層６としてロジ
ウム（Ｒｈ）を１μｍ蒸着し、その上にガリウム（Ｇ
ａ）を約１５μｍめっきし、さらにその上にインジウム
（Ｉｎ）を約５μｍ蒸着した。ＩｎとＧａは拡散して液
体金属５となった。これより、液体金属Ｉｎ−Ｇａ５の
融点（２０℃）以下に保ちながら処理を行った。ポリイ
ミドからなる絶縁膜４の露光・現像を行い、液体金属５
の上部の絶縁膜４の部分に複数の開口部７を形成した。
この場合において、露光前のプリベイクの代わりに低温
の減圧下でポリイミド溶液あるいは感光性ポリイミド溶
液を塗布した塗布膜から溶剤を乾燥させ、ポリイミドと
ガラスマスク（図示せず）の間の隙間を３０μｍに保っ
た状態で露光した。そして、現像、ベイキングによっ
て、ポリイミド膜の絶縁膜４に開口部７を形成した。こ
のようにして、液体金属５および開口部７を持つ絶縁膜
４からなる接点８を形成した。以下に図２〜３を参照し
て接点８の形成工程の一例を示す。

【００１７】図２及び図３の（ａ）〜（ｋ）の工程を参
照する。（ａ）は回路基板１上に配線２を形成する工程
である。（ｂ）は電極３、下地層６を形成する部分を除
きリフトオフ用レジストパターンを形成する工程であ
る。（ｃ）はリフトオフ用レジストパターンを形成した
基板上に電極層３及びＲｈ下地層６を順次蒸着・スパッ
タリング法等により形成する工程である。

【００１８】（ｄ）はリフトオフによりレジストパター
ン上の不要部の電極層及び下地層を除去し、基板上に電
極３とＲｈ下地層６のパターンを形成する工程である。
（ｅ）は配線２、電極３及びＲｈ下地層６が形成された
基板上にポリイミド前駆体を含む感光性耐熱樹脂組成物
の溶液を塗布し、乾燥・プリベークして感光性ポリイミ
ド層を形成し、フォトマスクを介して紫外線等の光（例
えば波長２５０nm〜４００nmの紫外光線）で露光し、電
極３及びＲｈ下地層６上に液体金属層を形成保持する部
分をパターニングする工程である。感光性ポリイミド層
としては本出願人の出願に係る特開平４−１８４５０に
開示される感光性耐熱樹脂組成物を用いて好ましく形成
しうる。感光性耐熱樹脂組成物は、自体感光性を有しな
いポリイミド前駆体のワニスと、そのワニスと相溶可能
でありかつ得られる重合体が耐熱性の良い重合性モノマ
又はオリゴマと、モノマ又はオリゴマの重合開始剤とを
含む。プロセスとしてはモノマ又はオリゴマが光又は熱
で最初に重合せしめられ、この重合と同時かこれに続け
てポリイミド前駆体が熱処理により重合せしめられるも
のである。ポリイミド前駆体としてはポリイミドの前駆
体、変成ポリイミドの前駆体、ポリビスマレイミドの前
駆体、変成ポリビスマレイミドの前駆体を用いうる。重
合性モノマ又はオリゴマとしてはアクリル系、メタクリ
ル系、又は、ホスファゼン系等のモノマ又はオリゴマを
用いうる。重合開始剤としてはベンゾインエーテル系化
合物、ケタール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベ
ンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、有機
過酸化物、Ｎ−フェニルグリシン、トリアジン系化合
物、アレン鉄錯体、イミダゾール二量体系の光反応開始
剤等を用いうる。

【００１９】（ｆ）は露光後、未露光部を現像して除去
し、リンス洗浄、乾燥、ベークしてポリイミドのパター
ンを形成する工程である。現像液としてはＮ−メチル−
２−ピロリドン等を、リンス洗浄液としてはアルコール
等を用いうる。２７０℃程度の温度でベークしてポリイ
ミド前駆体をポリイミドにする。（ｇ）はポリイミドパ
ターンをマスクに露出したＲｈ下地層６上Ｇａメッキ層
を１５μｍ形成する工程である。Ｇａメッキは電解によ
り行う。

【００２０】（ｈ）はＧａメッキ層を形成した基板上に
蒸着マスクを介してＩｎを蒸着し、Ｉｎ層を５μｍ形成
する工程である。Ｉｎの蒸着はＧａメッキ層が溶融しな
い温度に基板を冷却した状態で行う。又、Ｉｎ層の形成
後にＧａ層の形成を行っても良い。

【００２１】（ｉ）は形成されたＧａ層とＩｎ層とが室
温で拡散反応してＧａ−Ｉｎ液体合金層となった状態を
示す。又、Ｇａ層とＩｎ層が拡散しない状態のまま次の
工程を行ってもよい。（ｊ）はＧａ−Ｉｎ合金層が形成
された基板上に開口部７を有する第２のポリイミド層を
形成し、Ｇａ−Ｉｎ合金層が形成された基板上に開口部
７を有する絶縁膜４を形成する露光工程を示す。即ち、
Ｇａ−Ｉｎ合金層が形成された基板上をＧａ−Ｉｎ合金
の融点（１６℃）より低温に保持しＧａ−Ｉｎ合金層を
固体状態を保つ。上記感光性耐熱樹脂組成物の溶液を塗
布し、プリベークの代わりに、低温の減圧下で溶媒を乾
燥除去して感光性ポリイミド層を形成し、フォトマスク
を介して紫外線で露光し、Ｇａ−Ｉｎ合金層上に開口部
７を形成する部分をパターニングする。感光性ポリイミ
ド層とガラスマスクの間隙を３０μｍに保ち波長λ＝２
５０nmの紫外光線で露光した。

【００２２】（ｋ）は露光後、未露光部を現像して除去
し、リンス洗浄、乾燥、２７０℃程度の温度でベークし
て開口部７を有するポリイミド層を形成する工程であ
る。この様にして、複数のポリイミド層により絶縁層４
が形成される。尚、上記例ではポリイミド前駆体を含む
感光性耐熱樹脂組成物を用いる例を示したが、他の感光
性ポリイミド前駆体を含む感光性耐熱樹脂組成物を用い
ても良い。又、ポリイミド層をフォトレジストを用いパ
ターニングしても良い。現像をウェット法で行う例を示
したが、ドライ現像で行っても良い。

【００２３】次に、図４において、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ
₃）からなる第二の回路基板９の裏面に配線１０および
電極１１が形成され、この電極１１上に、ニッケル（Ｎ
ｉ）からなる略半球状の突起電極１２を形成した。この
突起電極１２の表面にはロジウム（Ｒｈ）からなる表面
層１３をめっきで形成した。先の第一の回路基板１の電
極３と第二の回路基板９の電極１１とを位置合わせし、
第一の回路基板１の絶縁膜４の開口部７から液体金属５
が流出するように、突起電極１２を絶縁膜４に押し付
け、電極間を電気的に接続した。この状態で、接点の電
気抵抗を測定したところ、１０ｍΩ以下であった。この
状態で１ヶ月放置したが、液体金属５のＩｎ−Ｇａ合金
の酸化、水酸化は少なく、良好な接続状態を維持した。
また、下地層６および、突起電極１２の表面層１３のＲ
ｈは液体金属（Ｉｎ−Ｇａ合金）５との反応が少ないた
め、液体金属５の成分が変化したり、その特性が変わっ
たりすることがなかった。両回路基板１，９間の接続を
外したり、再度接続させたりを繰り返しても、良好な接
続状態を再現することができた。

【００２４】なお、図４において、符号２７は回路基板
１，９上に搭載されている電子部品を示し、各配線２，
１０に電気的に接続されている。図５及び図６は第一実
施例において両回路基板１，９間を接続した状態を示す
側面図及び斜視図である。また、第一実施例は、上記の
構成に限定されるものではなく、例えば、第一の回路基
板１上に突起電極１２を、第二の回路基板９上に接点８
を形成してもよく、また、３枚以上の多数の回路基板の
電気的な接続に用いてもよいことはいうまでもない。

【００２５】図７及び図８に本発明の第二実施例を示
す。この第二実施例では、第一実施例の第一の回路基板
と同様に、Ａｌ₂Ｏ₃からなる回路基板１に接点８を、
同じくＡｌ₂Ｏ₃から成る回路基板１４に接点２１をそ
れぞれ形成した。従って、１５は配線、１６は電極、１
７は絶縁膜、１８は液体金属、１９は下地層、２０は開
口部である。ただし、第二実施例では、下地層６及び下
地層１９は、スパッタで窒化チタン（ＴｉＮ）を１μｍ
形成した。

【００２６】次に、ポリイミドフィルムからなる接続用
基板２２上において、回路基板１および回路基板１４の
接点８，２１に対応する位置に、Ｎｉからなる複数の突
起電極２５を形成した。突起電極２５の表面に、突起電
極２５の表面層２６として１μｍのＲｈ膜をめっきで形
成した。回路基板１の接点８および回路基板１４の接点
２１と、接続用基板２２の突起電極２５を突き合わせ、
第一実施例と同様に電気的に接続した。接点の電気抵抗
を測定したところ、１０ｍΩ以下であった。この状態で
１ヶ月放置したが、液体金属５のＩｎ−Ｇａ合金の酸
化、水酸化は少なく、良好な接続状態を維持した。ま
た、回路基板１の下地層６および回路基板１４の下地層
１９のＴｉＮ、および接続用基板２２の突起電極２５の
表面層２６のＲｈは液体金属Ｉｎ−Ｇａ合金５，１８と
の反応が少ないため、液体金属５，１８の成分が変化し
たり、その特性が変わったりすることがなかった。接続
を外したり、再度接続させたりを繰り返しても、良好な
接続状態を再現できた。

【００２７】また、第二実施例の構成・材料は上記のも
のに限定されるものではなく、例えば、回路基板１上に
突起電極２５を、接続用基板２２上に接点８，２１を形
成してもよく、また、回路基板１，１４や接続用基板２
２として、ポリイミド以外のフレキシブルフィルム、あ
るいは、セラミック基板、あるいは、金属と絶縁膜の組
合せからなる基板、あるいは、樹脂基板などを用いても
よく、また、３枚以上の多数の回路基板の電気的な接続
に用いてもよいことはいうまでもない。

【００２８】図９〜図１１は本発明の第三実施例を示
す。第一実施例と同様に、回路基板１上に接点８を形成
した。次に、電子部品、例えばシリコン（Ｓｉ）チップ
２７の電極２９上に、Ｎｉからなる突起電極３０を形成
した。この突起電極３０にＲｈからなる表面層３１をめ
っきで形成した。先の回路基板１の電極３と電子部品２
７の突起電極３０とを位置合わせし、絶縁膜４の開口部
７から液体金属５が流出するように突起電極３０を絶縁
膜４に押しつけ、電気的に接続した。接点の電気抵抗を
測定したところ、１０ｍΩ以下であった。この状態で１
ヶ月放置したが、液体金属５のＩｎ−Ｇａ合金の酸化、
水酸化は少なく、良好な接続状態を維持した。また、下
地層６および、突起電極３０の表面層３１のＲｈは液体
金属５のＩｎ−Ｇａ合金との反応が少ないため、液体金
属５の成分が変化したり、その特性が変わったりするこ
とがなかった。接続を外したり、再度接続させたりを繰
り返しても、良好な接続状態を再現できた。

【００２９】なお、図には示していないが、この第三実
施例では、電子部品２７を他の基板（図示せず）等に固
定することが必要である。また、第三実施例の構成・材
料は上記のものに限定されるものではなく、例えば、回
路基板１上に突起電極３０を、電子部品２７上に接点８
を形成してもよく、また、回路基板１として、ポリイミ
ド以外のフレキシブルフィルム、あるいは、セラミック
基板、あるいは、金属と絶縁膜の組合せからなる基板、
あるいは、樹脂基板などを用いてもよく、また、電子部
品２７として、パッケージされたチップ、抵抗、コンデ
ンサなどあらゆる電子部品の接続に用いてもよいことは
いうまでもない。

【００３０】上記第一〜第三実施例の他に、下記の表１
及び表２に示したような材料を組合わせて使用すること
もできる。表１液体金属材料 ─────────────────────────── 材料融点（℃） ─────────────────────────── Ｇａ２９．８ ─────────────────────────── Ｃｓ２８．４ ─────────────────────────── ９５．５Ｇａ−４．５Ａｇ２５ ─────────────────────────── ９５Ｇａ−５Ｚｎ２５ ─────────────────────────── ９２Ｇａ−８Ｓｎ２０ ─────────────────────────── ２４．５Ｉｎ−７５．５Ｇａ１５．７ ─────────────────────────── ６０．９Ｃｓ−３９．１Ｒｂ９ ─────────────────────────── ９２Ｒｂ−８Ｎａ −５ ─────────────────────────── Ｈｇ −３７．５ ─────────────────────────── ７７．３Ｃｓ−２２．７Ｋ −３８．９ ─────────────────────────── 表２下地層および突起電極表面層材料 ──────────── 材料 ──────────── Ｒｈ ──────────── ＴｉＯ₂ ──────────── ＴｉＮ ──────────── Ｃ ──────────── ＩＴＯ ──────────── 表１に液体金属の一覧を示す。表２に下地層および突起
電極の表面層材料の一覧を示す。これらのすべての組合
せで、液体金属と下地層および突起電極材料の反応を調
べた。１ヶ月経過しても、液体金属と下地層および突起
電極材料との反応は見られなかった。したがって、これ
らの材料が、本発明の材料としての特性を有することを
確認した。すなわち、上述の第一〜第三実施例の材料の
代わりに、表１及び表２の材料を用いてもよいことはい
うまでもない。さらに、本発明に用いる材料は、本実施
例に限定されるものではなく、本発明の主旨に沿ういか
なる材料であってもかまわないことはいうまでもない。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液体の金属や合金を介在させることから、挿抜に要する
力は実質的に零に近く、液体が接続部を覆うため従来の
機械的な接続方式に比べて接触面積は大きいことから、
たとえ接続部が微細であっても電気的に安定した接続を
得られ、液体金属はその大半を絶縁膜で覆われているた
め、液体金属の酸化・水酸化が少なく接点の安定性に優
れ、液体金属の保持が容易で、振動に強く、液体金属が
飛散するおそれが少ない。

【００３２】また、請求項８又は請求項１１において
は、液体金属が接する下地層や、突起電極の表面には、
液体金属との反応性に乏しい材料を用いているため、液
体金属中に他の材料が拡散することによる組成の変化・
特性の変化などがない。しかも、たとえ、液体金属が下
地層にはじかれていたとしても、絶縁膜によって液体金
属は下地層に押しつけられているため、電気的に安定し
た接続状態を保つことができる。このように、液体金属
の特性を損なうことなく、長期的に信頼性を向上させる
ことができ、半導体装置の性能向上に寄与するところが
大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一実施例の接点部の断面図である。

【図２】接点の形成工程の一例（工程（ａ）〜工程
（ｅ））を示す（その１）。

【図３】接点の形成工程の一例（工程（ｆ）〜工程
（ｋ））を示す（その２）。

【図４】本発明の第一実施例の接続状態を示す断面図で
ある。

【図５】本発明の第一実施例の全体を示す側面図であ
る。

【図６】本発明の第一実施例の外観図である。

【図７】本発明の第二実施例の接続状態を示す断面図で
ある。

【図８】本発明の第二実施例の外観図である。

【図９】本発明の第三実施例の接点部の断面図である。

【図１０】本発明の第三実施例の接続状態を示す断面図
である。

【図１１】本発明の第三実施例の外観図である。

【符号の説明】

１，９，１４…回路基板２，１０，１５，２３，２８…配線３，１１，１６，２４，２９…電極４，１７…絶縁膜５，１８…流動性導体物質（液体金属）６，１９…下地層７，２０…開口部８，２１…接点１２，２５，３０…突起電極１３，２６，３１…表面層２２…接続用基板２７…電子部品

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】開口部（７，２０）を有する絶縁膜
（４，１７）により液体金属等の流動性をもった電気的
導体物質（５，１８）を保持した一方の接点（８，２
１）と、他方の接点を構成する電極（１２，１３；２
５，２６，３０，３１）とを相互に押しつけ、絶縁膜
（４，１７）を変形させて導体物質（５，１８）を開口
部（７，２０）から流出させて他方の電極（１２，１
３；２５，２６，３０，３１）と接触させるようにした
ことを特徴とする電気的接続方法。
【請求項２】開口部（７，２０）を有する絶縁膜
（４，１７）により液体金属等の流動性をもった電気的
導体物質（５，１８）を保持した一方の接点（８，２
１）と、該一方の接点と対応する位置に配置され、且つ
該一方の接点を押圧して前記絶縁膜（４，１７）を変形
させて導体物質（５，１８）を開口部（７，２０）から
流出させる他方の接点を構成する突状の電極（１２，１
３；２５，２６，３０，３１）と、からなることを特徴
とする電気的接続装置。
【請求項３】接点（８）は第１の回路基板（１）に設
けられ、突状の電極（１２，１３）は第２の回路基板
（９）に設けられることを特徴とする請求項２に記載の
装置。
【請求項４】接点（８）は回路基板（１）に設けら
れ、突状の電極（３０，３１）は、ＬＳＩ、チップコン
デンサ、チップ抵抗等の電子部品（２７）に設けられる
ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】接点（８）はＬＳＩ、チップコンデン
サ、チップ抵抗等の電子部品（２７）に設けられ、突状
の電極（３０，３１）は回路基板（１）に設けられるこ
とを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】複数の接点（８，２１）が異なる複数の
回路基板（１，１４）にそれぞれ設けられ、複数の突状
の電極（２５，２６）が互いに導通するように１枚の接
続用基板（２２）に設けられ、これらの複数の電極（２
５，２６）が各接点と対応する位置に配置されることを
特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項７】流動性をもった電気的導体物質（５，１
８）として、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｈｇ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃ
ｓ，Ｒｂ，Ｚｎ，Ｎａ，Ｋの少なくとも１つを含む単一
金属又は合金、或いはこれらの金属又は合金を分散させ
た流体であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか
１に記載の装置。
【請求項８】突状の電極（１２，２５，３０）自体又
はその表面（１３，２６，３１）が電気的導体物質
（５，１８）と反応性が乏しい導電性材料からなること
を特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】突状の電極（１２，２５，３０）自体が
Ｒｈからなることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】突状の電極（１２，２５，３０）の表
面に、表面層（１３，２６，３１）としてＲｈ膜、Ｃ
膜、ＴｉＮ膜、ＩＴＯ膜、ＴｉＯ₂膜が形成されている
ことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】Ｒｈ，Ｃ等のように、電気的導体物質
（５，１８）と反応性が乏しい導電性材料からなる、電
気的導体物質（５，１８）の下地層（６，１９）が形成
されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１２】開口部（７，２０）を有する絶縁膜
（４，１７）により液体金属等の流動性をもった電気的
導体物質（５，１８）を保持した一方の接点（８，２
１）と、該一方の接点と対応する位置に配置され、且つ
該一方の接点を押圧して前記絶縁膜（４，１７）を変形
させて導体物質（５，１８）を開口部（７，２０）から
流出させる他方の接点を構成する突状の電極（１２，１
３；２５，２６；３０，３１）と、からなる電気的接続
装置を形成する場合において、前記導体物質（５，１
８）が固体の状態である温度下で、前記開口部（７，２
０）を持った絶縁膜（４，１７）を形成することを特徴
とする電気的接続装置の形成方法。