JPH07221350A - 発光ダイオード性能改善方法 - Google Patents

発光ダイオード性能改善方法

Info

Publication number
JPH07221350A
JPH07221350A JP2335995A JP2335995A JPH07221350A JP H07221350 A JPH07221350 A JP H07221350A JP 2335995 A JP2335995 A JP 2335995A JP 2335995 A JP2335995 A JP 2335995A JP H07221350 A JPH07221350 A JP H07221350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
coating
liquid coating
led
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2335995A
Other languages
English (en)
Inventor
Christopher H Lowery
クリストファー・エイチ・ローリー
David K Mcelfresh
デイビィッド・ケイ・マックエルフレッシュ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of JPH07221350A publication Critical patent/JPH07221350A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/938Lattice strain control or utilization

Abstract

(57)【要約】 【目的】発光ダイオードが厳しい温度条件下に置かれた
場合の性能の劣化や寿命の短縮を防止する。 【構成】ダイ23にリードフレーム13、15を取り付
けた後、液体のコーティング21をかける。これによ
り、ダイ、ハスジング等の熱膨張率の違いによるダイの
応力を低下させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体素子製造の
分野に関し、具体的には発光ダイオード(“LED”)
の製造に関する。
【0002】
【従来技術及びその問題点】LEDそれ自体は公知であ
る。製造中、LEDは一般に外界から防護するためにエ
ポキシ、ポリエステルまたはこれに類似した熱硬化性材
料に封入される。これまでこのような封入は個々のLE
Dと、ディスプレイ、ランプ及びその他の装置を形成す
るため複合的に製造されるLED群の双方において行わ
れてきた。
【0003】LEDを含む半導体の製造中、ダイを封入
する前にダイにコーティングをかけることが一般的であ
る。この被覆の目的は、湿気やその他の物質がダイと接
触して、これを損傷することを防止する防護層として役
立てることにある。これらのコーティングは、軟質ゲル
から、ガラス転移温度(“Tg”)が180℃またはも
っと高温の硬質の外殻まである。
【0004】動作時には、LEDが曝される温度の変化
によって、LEDの発光部品を構成する半導体ダイに応
力がかかる。これらの応力は、LEDが極端な環境に曝
されたときに、LEDの種々の材料の膨張率が異なるこ
とによって引き起こされる。これらの応力はダイを損傷
し、ある環境下、具体的にはLEDが極端な温度に曝さ
れた場合には、LEDの光量を著しく低下させることが
知られている。
【0005】ダイに対するこのような応力の影響を除去
し、または緩和するために多くの努力が払われてきたも
のの、完全に満足できる解決方法は未だに発見されてい
ない。現在使用されているコーティングはこれらの問題
を解決するに至っていない。ゲル化コーティングでは熱
硬化物質との界面で分離が生ずることが多く、それによ
って光トラップが生じて光出力が低減する。ボンドワイ
ヤの破壊を含むその他の故障モードもこれらのコーティ
ングに起因するものであった。
【0006】
【発明の概要】第1の実施例では、本発明は熱硬化性の
封入材(encapsulating material)によるものであって、
熱硬化性封入材を付与する前にダイに液体コーティング
を被覆することによって、ダイにかかる応力を軽減する
方法である。この液体コーティングは封入材の硬化期間
中硬化せず、またLEDの寿命に亘って液状を保ち続け
る。この液体コーティングはまた封入材料と混ざり合わ
ない。このコーティングによって、ダイと封入材との膨
張率の相違と、ダイと接触した時の封入材の接着強度が
強いことの相乗作用によってダイにかかる応力が軽減さ
れる。LEDの製造工程に液体コーティングを組み入れ
ることによって、極端な温度下でのLEDの動作寿命が
大幅に延びた。
【0007】
【実施例】公知の技術を用いて製造したLEDを図1に
示す。LED10は実際に光を発生する半導体材料を含
むダイ11と、第1リードフレーム13と、第2リード
フレーム15と、エポキシ、ポリエステルまたはこれと
同類の熱硬化性の透明または着色封入材を含むハウジン
グ19から構成されている。
【0008】動作時には、図1に示したようなLEDは
極端な温度下では故障したり、極めて低い光量しか発し
ないことがよくある。最近までは、このような欠陥の厳
密な理由が判明していなかった。
【0009】本願発明者の研究の結果、ダイにかかる応
力は封入材料のダイ及び/またはリードフレームへの接
着に直接関連があることが判明した。ダイに対する封入
材の接着力が測定され、ダイ付着エポキシ(die attach
epoxy)を除くLEDのその他の全ての構成材料に対する
封入材の接着力よりも強いことが判明した。事実、封入
材の接着力はダイの強度を越えるものであった。エホキ
シ封入材は冷却すると金属製のリードフレーム、または
ダイよりも大きく収縮するので、このような収縮率の差
によってダイにかかる応力は、封入材の大きな接着力と
の相乗作用によってしばしばLEDを破壊していた。
【0010】上記の発見によって、封入材によりダイに
かかる応力を軽減すれば、LEDの寿命が著しく延びる
ことが明らかになった。この目的のため、発明者は製造
中にダイとリードフレームにかけられ、熱硬化製封入材
の硬化期間中に液状を保つ液体コーティングを開発し
た。この液体コーティング材は実質的に熱硬化性封入材
に混じり合わない。
【0011】図2は本発明の一実施例のLEDを示し、
その(A)は、LED全体の断面図、(B)は(A)中
で2Bで示す部分を表わしている。図2に示すように、
コーティング21はダイ23と、リードフレーム13及
び15に被覆される。コーティング21の量はダイ21
とリードフレーム13及び15の表面が単に湿る程度よ
り多くてもよい。本発明の教示に従って形成された種々
のLEDの試験で、コーティング21の量を図2に示し
た量と等しくすることで、LEDの動作寿命の最適の改
善をもたらすことが見出された。
【0012】従来技術から公知のコーティングとは異な
り、本発明のコーティングはダイ及びリードフレームに
対するエホキシ封入材の接着力を低減することを特に意
図したものである。これは、コーティングがLEDの動
作寿命全体に亘って液状を保ち、また熱硬化性エポキシ
封入材と混じり合わないようにすることによって達成さ
れる。液体コーティングを開発する他の挑戦は、その反
射率がダイスから封入材へと光線が透過するのに最適な
屈折率になることを保証することにあった。
【0013】液体コーティングには他の幾つかの特性が
必要であった。コーティングが導電性構造と接触する場
合には、この液体コーティングは電気を導通してはなら
ない。従って、イオン材料または金属粒子を含む材料は
使用できない。必要な特性を有する入手可能な多くの材
料中、幾つかの種類の市販の高分子シリコーン成分を使
用できることが実証された。ポリアリルアルキルシロク
サン(polyarylalkylsiloxane)、ポリアルキルメチルシ
ロクサン(polyalkylmethylsiloxane)及びジメチルポリ
シロクサン(dimethylposlysiloxane)(特にGEシリコ
ンから市販のSF1147)が最良であることが判明し
ている。
【0014】LEDに液体コーティングを被覆すること
によるLEDの製造に必要なコストと時間の増大はほん
の僅かである。リードフレームにダイを配した後に行わ
れるリードのダイへの取付けの後、製造中のLED上に
マスクを置き、その上に液体コーティングが噴射され
る。コーティング材は相当に厚く被覆される。これは、
そうした方がLEDに対する最適な熱衝撃への抵抗力を
与えることが判明したからである。
【0015】最初の試験(その結果を図3に示す)で
は、低温に極めて敏感なダイ、すなわちGaP上の10
ミル平方の黄色GaAsPのLEDダイが標準形の組立
技術を利用して5mmのランプ内に封入された。サンプ
ル数としては28個のランプが使用され、これらのラン
プが基準グループとされた。同時に、上記のグループ以
外に別の28個のランプのグループ、すなわち試験グル
ープが組立られ、封入前にそれらのダイに本発明の液体
層を被覆した。双方のLEDグループは低温下動作寿命
(Low Temperature Operating Life, 以下LTOLと称
する)試験にかけられ、その試験中にLEDは−40℃
の温度に保たれたまま20mAの駆動電流を受けた。L
EDの初期光量が測定され、全体の経過時間が1,00
0時間に及ぶ期間である間隔で光量が測定された。
【0016】図3に示すように、本発明に従って製造し
たLED(図3では、オイル・コート・グループと表示
されている)の光量は全体で1,000時間の試験を経
た後もそれほど劣化せず、一方、試験ロット(基準グル
ープ)のLEDでは6時間で約90%もの光量が失われ
た。
【0017】再度のLTOL、高湿温度動作寿命(85
℃、相対湿度85%、駆動電流10mA)、温度サイク
ル(−55℃から100℃)、及び熱衝撃(−40℃か
ら110℃、液液)を含むその後に行った別の試験で
も、本発明の教示に従って製造されたLEDグループに
は有害な影響は認められなかった。熱衝撃試験の結果は
図4に示す通りである。800サイクルの試験後、基準
グループのLEDの約50%が故障した。1,500サ
イクルを経た後でも、本発明の教示に従って製造したL
EDは僅か5%しか故障しなかった。
【0018】ここに本発明を特定の実施例を基に説明し
てきた。本発明の範囲または趣旨から離れることなく、
多くの変更と修正が可能であることが当業者には明らか
であろう。例えば、各種の液体コーティングを使用する
ことが可能であり、ここでコーティングは半導体素子が
使用されることが想定される具体的な環境に応じて最適
化される。異なる環境と、異なる被覆材料で最適な結果
を達成するには、被覆される液体コーティングの量を変
更することも必要であろう。本発明のその外の変更、修
正及び用途は、これまでの説明から当業者には明らかで
あろう。従って、本発明は本願特許請求の範囲によって
のみ限定されるものである。
【0019】以下に、本発明の実施態様の例を列挙す
る。
【0020】〔実施態様1〕少なくとも一つの発光ダイ
と、第1及び第2のリードフレームと、封入層とを有す
る発光ダイオードの性能改善方法において、前記ダイを
第1及び第2のリードフレームと連結して配置した後
で、ダイ上に液体コーティングを被覆するステップを設
け、前記ダイ上に封入層を配置するステップはダイとリ
ードフレームとの上に液体コーティングを被覆するステ
ップに先行することを特徴とする発光ダイオード性能改
善方法。
【0021】〔実施態様2〕前記液体コーティングが、
封入層に実質的に混和せず、発光ダイオードの寿命に亘
って液状の状態を維持する非導電性材料から成ることを
特徴とする実施態様1記載の発光ダイオード性能改善方
法。
【0022】〔実施態様3〕以下の(a)ないし()を設け
たことを特徴とする発光ダイオード: (a)上面と底面とを有する発光ダイ; (b)前記発光ダイの底面と連結された第1リードフレー
ム; (c)前記発光ダイの上面と連結された第2リードフレー
ム; (d)前記発光ダイと前記第1及び第2のリードフレーム
の上に施された液体コーティング; (e)前記液体コーティングの上に配置され、前記液体コ
ーティングとは混和しない封入層:前記封入層は熱硬化
性であって発光ダイオードのための硬質の外表面を形成
すると共に、前記液体コーティングは前記封入層の熱硬
化中及び発光ダイオードのそれ以降の寿命に亘って液状
の状態を維持する。
【0023】〔実施態様4〕前記液体コーティングが、
ポリアルキルメチルシロクサン、ジメチルポリシロクサ
ン及びポリアリルアルキルシロクサンの群から選択され
た一つを含むことを特徴とする実施態様2記載の方法。
【0024】〔実施態様5〕前記液体コーティングが、
ポリアルキルメチルシロクサン、ポリジメチルシロクサ
ン及びポリアリルアルキルシロクサンの群から選択され
た一つを含むことを特徴とする実施態様3記載の発光ダ
イオード。
【0025】〔実施態様6〕少なくとも一つの能動半導
体素子を備えていて、この能動半導体素子が少なくとも
第1と第2の電気接点と結合され、前記能動素子と、前
記第1及び第2の電気接点が熱硬化性材料から成るパッ
ケージ内に実装されている形式の半導体素子の信頼性を
高める方法において、前記電気接点を前記能動半導体素
子に結合した後であって前記能動半導体素子と前記電気
接点とを前記熱硬化性材料に封入する前のステップで、
前記能動半導体素子と前記第1及び第2の電気接点に液
体コーティングを被覆するステップを有することを特徴
とする方法。
【0026】〔実施態様7〕前記液体コーティングが前
記熱硬化性材料内に実質的に混和せず、前記液体コーテ
ィングが半導体素子の寿命に亘って液状の状態を維持す
ることを特徴とする実施態様6記載の方法。
【0027】〔実施態様8〕前記液体コーティング材が
ポリアリルアルキルシロクサンから成ることを特徴とす
る実施態様7記載の方法。
【0028】〔実施態様9〕少なくとも第1の能動半導
体素子と、前記能動半導体素子に結合された少なくとも
第1と第2の電気接点と、前記能動半導体素子と前記第
1及び第2の電気接点に被覆された液体コーティング
と、半導体素子と電気接点との上に配置された熱硬化性
封入材を設け、前記液体コーティングが熱硬化性封入材
の硬化後も液状の状態を維持し、前記液体コーティング
は熱硬化性封入材内に混和せず、極端な温度や温度の変
動に起因する応力から半導体素子を防護することを特徴
とする半導体装置。
【0029】〔実施態様10〕前記液体コーティングが
ポリアリルアルキルシロクサンを含むことを特徴とする
実施態様9記載の半導体装置。
【0030】〔実施態様11〕前記液体コーティングが
熱硬化性材料と実質的に同一の屈折率を有することを特
徴とする実施態様7記載の方法。
【0031】
【効果】以上詳細に説明したように、本発明によれば、
極端な温度条件下における発光ダイオードの劣化を防止
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】公知のLEDの断面図。
【図2】本発明の教示内容を取り入れたLEDの構造の
断面図。
【図3】公知のLEDと、本発明の教示に従って製造し
たLEDの双方の動作寿命に対する低温の影響を示した
グラフ。
【図4】公知のLEDと、本発明の教示に従って製造し
たLEDで行われた熱衝撃試験の結果を示すグラフ。
【符号の説明】
13:リードフレーム 15:リードフレーム 19:ハウジング 21:コーティング 23:ダイ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも一つの発光ダイと、第1及び第
    2のリードフレームと、封入層とを有する発光ダイオー
    ドの性能改善方法において、 前記ダイを第1及び第2のリードフレームと連結して配
    置した後で、ダイ上に液体コーティングを被覆するステ
    ップを設け、 前記ダイ上に封入層を配置するステップはダイとリード
    フレームとの上に液体コーティングを被覆するステップ
    に先行することを特徴とする発光ダイオード性能改善方
    法。
JP2335995A 1994-01-24 1995-01-18 発光ダイオード性能改善方法 Pending JPH07221350A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US186,196 1994-01-24
US08/186,196 US5514627A (en) 1994-01-24 1994-01-24 Method and apparatus for improving the performance of light emitting diodes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07221350A true JPH07221350A (ja) 1995-08-18

Family

ID=22684012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2335995A Pending JPH07221350A (ja) 1994-01-24 1995-01-18 発光ダイオード性能改善方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5514627A (ja)
JP (1) JPH07221350A (ja)
DE (1) DE4441905A1 (ja)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590502B1 (en) 1992-10-12 2003-07-08 911Ep, Inc. Led warning signal light and movable support
IL126993A (en) * 1996-07-10 2002-12-01 Ibm Siloxane and siloxane derivatives as encapsulants for organic light emitting devices
DE69835216T2 (de) 1997-07-25 2007-05-31 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung
GB2330679B (en) 1997-10-21 2002-04-24 911 Emergency Products Inc Warning signal light
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
WO2000052796A1 (fr) 1999-03-04 2000-09-08 Nichia Corporation Element de laser semiconducteur au nitrure
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
US6614359B2 (en) 1999-04-06 2003-09-02 911 Emergency Products, Inc. Replacement led lamp assembly and modulated power intensity for light source
US6380865B1 (en) 1999-04-06 2002-04-30 911 Emergency Products, Inc. Replacement led lamp assembly and modulated power intensity for light source
US6462669B1 (en) 1999-04-06 2002-10-08 E. P . Survivors Llc Replaceable LED modules
WO2000074972A1 (en) 1999-06-08 2000-12-14 911 Emergency Products, Inc. Led light stick assembly
US6700502B1 (en) 1999-06-08 2004-03-02 911Ep, Inc. Strip LED light assembly for motor vehicle
US6705745B1 (en) * 1999-06-08 2004-03-16 911Ep, Inc. Rotational led reflector
JP3675234B2 (ja) * 1999-06-28 2005-07-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
US6547410B1 (en) 2000-07-28 2003-04-15 911 Emergency Products, Inc. LED alley/take-down light
US20050057941A1 (en) * 1999-08-04 2005-03-17 911Ep, Inc. 360 Degree pod warning light signal
US6367949B1 (en) 1999-08-04 2002-04-09 911 Emergency Products, Inc. Par 36 LED utility lamp
US20050047167A1 (en) * 1999-08-04 2005-03-03 Pederson John C. Warning signal light bar
US6590343B2 (en) 2000-06-06 2003-07-08 911Ep, Inc. LED compensation circuit
KR100436302B1 (ko) 2000-09-29 2004-07-02 오므론 가부시키가이샤 광소자용 광학 디바이스 및 해당 광소자용 광학디바이스를 이용한 기기
US8188878B2 (en) 2000-11-15 2012-05-29 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light communication system
US7439847B2 (en) * 2002-08-23 2008-10-21 John C. Pederson Intelligent observation and identification database system
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
US20040223342A1 (en) * 2001-12-31 2004-11-11 Klipstein Donald L. LED inspection lamp, cluster LED, and LED with stabilizing agents
US6635557B2 (en) * 2002-03-15 2003-10-21 Neumann Information Systems, Inc Halogen doped solid state materials
US6762432B2 (en) * 2002-04-01 2004-07-13 Micrel, Inc. Electrical field alignment vernier
JP4080843B2 (ja) * 2002-10-30 2008-04-23 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
NZ574520A (en) * 2002-11-27 2011-02-25 Dmi Biosciences Inc Use of casein which is at least 10% dephosphorylated for the treatment of diseases and conditions mediated by increased phosphorylation
US6903380B2 (en) 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
DE102005034122A1 (de) * 2005-07-21 2007-02-08 Wacker Chemie Ag Siliconharzverguss von Leuchtdioden
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
EP2013919A2 (en) 2006-05-02 2009-01-14 Superbulbs, Inc. Method of light dispersion and preferential scattering of certain wavelengths of light for light-emitting diodes and bulbs constructed therefrom
BRPI0711150A2 (pt) * 2006-05-02 2011-08-23 Superbulbs Inc bulbo de led de plástico
AU2007248758A1 (en) 2006-05-02 2007-11-15 Daniel Chandler Heat removal design for LED bulbs
US20090003832A1 (en) 2007-05-24 2009-01-01 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Led light broad band over power line communication system
US11265082B2 (en) 2007-05-24 2022-03-01 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light control assembly and system
US9294198B2 (en) 2007-05-24 2016-03-22 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Pulsed light communication key
US9414458B2 (en) 2007-05-24 2016-08-09 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light control assembly and system
US9455783B2 (en) 2013-05-06 2016-09-27 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Network security and variable pulse wave form with continuous communication
US9100124B2 (en) 2007-05-24 2015-08-04 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED Light Fixture
US9258864B2 (en) 2007-05-24 2016-02-09 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light control and management system
WO2009045438A1 (en) 2007-10-03 2009-04-09 Superbulbs, Inc. Glass led light bulbs
EP2215403A4 (en) 2007-10-24 2012-08-29 Switch Bulb Co Inc DIFFUSER FOR LIGHT SOURCES OF LIGHT EMITTING DIODES
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US8890773B1 (en) 2009-04-01 2014-11-18 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Visible light transceiver glasses
EP2663969B1 (en) 2011-01-14 2020-04-15 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Method of providing lumens and tracking of lumen consumption
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
US9265112B2 (en) 2013-03-13 2016-02-16 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light control and management system
US20150198941A1 (en) 2014-01-15 2015-07-16 John C. Pederson Cyber Life Electronic Networking and Commerce Operating Exchange
US20170048953A1 (en) 2015-08-11 2017-02-16 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Programmable switch and system

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760237A (en) * 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
US4032963A (en) * 1974-09-03 1977-06-28 Motorola, Inc. Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device
JPS5272196A (en) * 1975-12-12 1977-06-16 Sharp Corp Thin film el element
US4126822A (en) * 1977-05-27 1978-11-21 Wahlstrom Sven E Electrostatic generator and motor
JPS5598706A (en) * 1979-01-23 1980-07-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Glass fiber for optical transmission and its production
DE3019239A1 (de) * 1980-05-20 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Umhuellung fuer halbleiterbauelement
EP0290697A3 (en) * 1987-05-12 1989-03-15 Shen-Yuan Chen Light emitting diodes (led) lamp and its quick manufacturing method
US5101264A (en) * 1988-03-31 1992-03-31 Mitsui Petrochemical Ind. Light-emitting or receiving device with smooth and hard encapsulant resin
DE4002490A1 (de) * 1989-08-31 1991-08-01 Bodenseewerk Geraetetech Verfahren zum anbringen von elektrooptischen bauteilen an integriert-optischen wellenleitern
JPH03116857A (ja) * 1989-09-29 1991-05-17 Mitsui Petrochem Ind Ltd 発光または受光装置
EP0431564B1 (en) * 1989-12-05 1996-04-10 Konica Corporation Photographic-image-bearing recording member.
JP3018050B2 (ja) * 1991-11-15 2000-03-13 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5514627A (en) 1996-05-07
DE4441905A1 (de) 1995-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07221350A (ja) 発光ダイオード性能改善方法
JP3685018B2 (ja) 発光素子とその製造方法
US5650915A (en) Thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid
US8735920B2 (en) Light emitting diode package with optical element
US9548431B2 (en) Ultraviolet light-emitting devices and methods
US6710377B2 (en) Light emitting device having a silicone resin
US8269240B2 (en) Semiconductor light emitting devices including multiple semiconductor light emitting elements in a substrate cavity
US5390082A (en) Chip carrier with protective coating for circuitized surface
US7105863B1 (en) Light source with improved life
JP2006237609A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
CN111106225B (zh) 一种紫外led封装结构
JP2002208739A (ja) 半導体装置、およびその製造方法
KR101015194B1 (ko) 접착제를 포함하는 광전자 구성요소
US8981399B2 (en) Method of fabricating light emitting diode package with surface treated resin encapsulant and the package fabricated by the method
JPH08222757A (ja) 光結合素子
KR100634928B1 (ko) Led 램프 및 이를 제조하는 방법
JPH0794777A (ja) 発光素子の製造方法
JP2003031848A (ja) 固体発光ランプ及び固体発光ランプの製造方法
JP2008172140A (ja) ハウジングと上部の硬質保護材の間に緩衝材を持つ発光装置
JP3392748B2 (ja) 半導体光モジュールの製造方法
US9252344B2 (en) Structural component and method for producing a structural component
JPS6285481A (ja) 樹脂封止発光ダイオ−ド装置及びその製造方法
JPH05183072A (ja) 半導体装置
JP2511148Y2 (ja) 光結合素子
JP2828822B2 (ja) 光結合装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040922