JPH07219649A - マイクロプロセッサによる温度制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 サーモパイルのように低電圧電源で使用可能
な、マイクロプロセッサを組み込んだ温度制御回路を提
供する。 【構成】 非常に低電圧の電源でマイクロプロセッサを
動作させる能力のある温度制御回路が開示されている。
温度制御回路は、電源電圧を昇圧するために、一対の電
界効果トランジスタとツェナーダイオードを発振回路に
含む。マイクロプロセッサ、昇圧された電源電圧により
駆動され、トランジスタにより回路の温度検出部分に接
続されている。マイクロプロセッサは、トランジスタを
使用して、温度のサンプリングの合間は温度検出回路部
分への電源を停止している。温度検出回路への電源を停
止することによって、制御回路による平均消費電力は、
低電圧電源から昇圧された電源による量に見合ったもの
となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、温度制御回路に関し、
特に、サーモパイルといった低電圧電源で使用可能なマ
イクロプロセッサによる温度制御回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】代表的な低電圧電源が、ボーハン・ジュ
ニアによる米国特許番号4,７３4,６５８で開示されてい
る。この種の電源は、熱電発電手段又はサーモパイルに
より供給される低電圧を昇圧するための発振回路を含
む。発振回路からの電圧出力は、整流され、非常に低い
電力の半導体温度制御部品を駆動するために定電圧化さ
れる。

【０００３】

【本発明が解決しようとする課題】しかし、この種の電
源回路は、限られた出力電流容量しかなく、従ってマイ
クロプロセッサを使用した温度制御回路を駆動できな
い。より正確な温度指示、及び温度変化に対するより素
早い応答を実現するために、温度制御システムでは、マ
イクロプロセッサを使用するのが好ましい。従って、サ
ーモパイルといった低電圧で駆動可能なマイクロプロセ
ッサを組み込んだ回路に対する必要性があった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、サーモパイル
といった低電圧により駆動可能であり、１５０ミリボル
トといった入力電圧で安定して動作する能力のあるマイ
クロプロセッサを使用した温度制御回路に関する。ミリ
ボルトで高電流を４〜６ボルトの７５０マイクロアンペ
アの出力に変換する効率のよい電源回路を使用し、電源
からの電力を節約するために温度サンプリングの間で回
路の温度検出部分をオフにするために、電界効果トラン
ジスタと共にマイクロプロセッサを使用することによっ
て，温度制御回路は、その低電圧電源でマイクロプロセ
ッサを駆動する能力を有す。温度制御回路では、マイク
ロプロセッサは、毎秒複数の温度サンプリングを複数回
を持つようにプログラムされる。温度サンプル期間中
は、マイクロプロセッサは、トランジスタにより回路の
温度検出部分に対して電源入力をオンとする。サーミス
タといった温度センサからの温度信号は、回路の温度検
出部分により増幅され、マイクロプロセッサに入力され
る。増幅された温度信号を受信すると、マイクロプロセ
ッサはトランジスタに対する信号を停止し、従って回路
の温度検出部分に対する電源入力をオフとする。電源の
負荷電流は、回路の温度検出部分への電源がオンの場合
は、高く、温度検出部分への電源がオフの場合は、低
い。温度サンプル期間の間、回路の温度検出部分への電
源入力をオフとするためにマイクロプロセッサを用いる
ことにより、温度制御回路により消費される電力は、低
電圧電源により出力されるレベルにまで平均化される。

【０００５】本発明の目的は、低電圧電源により駆動さ
れる温度制御回路を提供することにあり、前記温度制御
回路は、低電圧直流電源と、前記低電圧電源からの電圧
を、昇圧、定電圧化した直流電圧を発生するために、増
幅する発振器と、マイクロプロセッサと、前記定電圧化
した直流電圧により駆動される温度検出回路部分とを含
み、前記温度検出回路部分は、温度を測定し、前記測定
された温度に応答するマイクロプロセッサに信号を送る
手段と、マイクロプロセッサからの信号に応答して温度
検出回路部分への電源入力をオン、オフするためのスイ
ッチング手段とを含み、前記温度検出回路部分は、温度
測定がなされるとき電源入力がオンされ、温度測定の合
間は、電源入力がオフとされる。本発明の以上の目的及
び効果は、以下の説明、添付図面及び特許請求の範囲に
よりより理解できよう。

【０００６】

【実施例】図１に示されているように、全体で１１に示
される制御回路の電源部分は、発振回路１４を直流電圧
源１６へ接続する一対の端子１０、１２を含む。例とし
て、直流電圧源は、サーモパイルといった熱電発電手段
に当たる種火であってもよい。端子１０、１２は、変圧
器Ｔ１の一次巻線１８に直流電圧を供給し、その一次巻
線は、誘導的に二次巻線２０に結合されている。好適な
実施例では、変圧器Ｔ１は、５０：１といった高い巻線
比を有し、巻線間で高い相互インダクタンスを形成する
ために強磁性コアを使用している。図１では、変圧器Ｔ
１の磁気位相は、従来の方式に従って点で示されてい
る。変圧器Ｔ１の一次巻線１８は、一対の電界効果トラ
ンジスタＱ３、Ｑ４に接続されている。トランジスタＱ
３、Ｑ４の各々は、ドレンＤ、ソースＳ及びゲートＧを
有す。各トランジスタのドレンＤは、変圧器Ｔ１の一次
巻線１８に接続されていて、各トランジスタのソースＳ
は、全体の制御回路のアース２２に接続されている。電
界効果トランジスタＱ３、Ｑ４のゲートＧに接続されて
いるのはツェナーダイオード２４、２８である。ツェナ
ーダイオード２４は、叉、そのノード２６で変圧器Ｔ１
の二次巻線２０に接続され、ツェナーダイオード２８
は、アース２２に接続されている。

【０００７】変圧器の二次巻線２０は、叉、ノード２６
でダイオードＤ５に接続され、ダイオードＤ５は、ノー
ド３０でコンデンサＣ５に接続されている。ダイオード
Ｄ５は、発振回路１４からの電圧出力を整流する。コン
デンサＣ５は、例えば、６８μＦといった大きい容量で
あり、発振回路１４からの整流、定電圧電圧を蓄電す
る。コンデンサＣ５は、電源回路１１に対する負荷電流
が低い場合は、電圧を蓄電し、電源回路１１に対する負
荷電流が高い場合は、放電する。コンデンサＣ５の二次
側は、アース２２を通じて、二次巻線２０、電界効果ト
ランジスタＱ３、Ｑ４及びツェナーダイオード２８に接
続されている。ノード３０は、温度制御回路の電源回路
１１の電圧出力端子である。後述する温度制御回路の他
の部分は、ノード３０での定電圧直流電圧出力で駆動さ
れる。図２が示すように、マイクロプロセッサ３４は、
ノード３０を通じて電源回路１１により駆動され、アー
ス２２に接続されている。好適な実施例では、マイクロ
プロセッサは、ＰＩＣ１６ＬＣ７１モデル、標準低電力
型マイクロプロセッサである。この特殊なマイクロプロ
セッサは、例として引用しただけであり、本発明では、
他のいかなる低電力型マイクロプロセッサであってもよ
い。好適マイクロプロセッサは、１５０マイクロアンペ
ア以下で動作する能力を有する。マイクロプロセッサ３
４は、温度制御回路の制御手段である。

【０００８】図２が示すように、全体として３８で示さ
れる基準クロック手段が、マイクロプロセッサ３４のピ
ン１５とピン１６で接続されている。このクロック手段
３８は、マイクロプロセッサ３４のサンプリング及び動
作のタイミングを決定する。好適な実施例では、マイク
ロプロセッサのタイミングは、水晶Ｘ１による３２ｋＨ
ｚの周波数に接続されている。コンデンサＣ１及びＣ２
は、水晶Ｘ１を安定化する。全体として４２の参照符号
で示されるリセット回路は、マイクロプロセッサ３４の
ピン４に接続されている。リセット回路４２は、制御回
路で定電圧状態が発生すると、それを検出し、マイクロ
プロセッサ３４をリセットする。全体として参照符号４
６で示される制御回路の温度検出部分は、マイクロプロ
セッサ３４に内蔵されているＡ／Ｄ変換器を含み、全体
として５０の参照符号で示されている外部回路は、マイ
クロプロセッサ３４のピン１７とピン１８に接続されて
いる。マイクロプロセッサ入力ピン１、２、１７及び１
８は、その内蔵Ａ／Ｄ変換器に接続されている。ＰＩＣ
１６ＬＣ７１マイクロプロセッサの標準機能は、本好適
な実施例で示されるように、ソフトウェアに、電力を節
約するために、使用されない場合は、内部Ａ／Ｄ変換器
を停止する能力を与えることである。

【０００９】温度検出回路４６は、叉、サーミスタ５４
といった温度センサを含む。センサ又はサーミスタ５４
は、制御回路から離れた温度が測定される位置に配置可
能であり、ターミナル５８、６２を通じて制御回路へ接
続される。温度検出回路４６は、叉、Ｕ４で示される一
対の演算増幅器及び抵抗を含む。演算増幅器Ｕ４は、サ
ーミスタ５４からの温度信号をマイクロプロセッサ３４
へ送る前に増幅し、温度測定の精度を高める。温度検出
回路４６は、叉、電界効果トランジスタＱ１を含む。ト
ランジスタＱ１のドレンＤは、サーミスタ５４の端子６
２及び演算増幅器のアース端子へ接続され、トランジス
タＱ１のゲートＧは、マイクロプロセッサ３４のピン１
２へ接続される。トランジスタＱ１のソースＳは、回路
のアース２２へ接続される。電界効果トランジスタＱ１
は、スイッチとして機能し、マイクロプロセッサ２４
が、温度検出回路４６に対する電源入力をオン、オフす
る手段である。全体で６６として示される設定点入力ダ
イアルは、ピン１を通じてマイクロプロセッサ３４の内
部Ａ／Ｄ回路へ接続されている。好適な実施例では、温
度制御回路は、フライ鍋、レンジやオーブンといった調
理器具に使用される。本実施例では、設定点入力ダイヤ
ル６６は、調理器具に希望動作温度を設定するために使
用される。マイクロプロセッサ３４のソフトウェアは、
定期的に希望動作温度を求め、燃料バルブ７８を駆動す
るために設定点入力ダイヤル６６をチェックするように
プログラムされている。好適な実施例では、マイクロプ
ロセッサ３４は、大体５秒毎に設定点入力ダイヤル６６
をチェックするようにプログラムされている。

【００１０】全体として７０で示される一連の補助スイ
ッチ接続は、マイクロプロセッサ３４のピン１０、１１
及び１３に接続されている。これらのスイッチ接続は、
オペレータの入力用に使用され、温度制御回路の特定の
応用に適合可能とされている。抵抗Ｒ１４、Ｒ１５及び
コンデンサＣ３を含む基準電圧回路６８は、ピン２でマ
イクロプロセッサの内部Ａ／Ｄ変換器に接続されてい
る。基準電圧回路６８は、サーミスタ５４からの通常温
度測定がどの程度かを決定するために、マイクロプロセ
ッサ３４の上限値を設定する。ダイオードＤ１、Ｄ２を
含むＬＥＤは、Ｒ１によって電源ノード３０に接続され
ている。好適な実施例では、ＬＥＤインジケータは、マ
イクロプロセッサ３４からの信号を受信時に、定期的に
点滅する。マイクロプロセッサソフトウェアが、異常に
高いか又は低い温度といった制御回路での問題を検出す
ると、ＬＥＤインジケータを点滅する信号を送る。燃料
バルブ７８に、電界効果トランジスタＱ２によって、マ
イクロプロセッサ３４のピン６に接続されている。電界
効果トランジスタＱ２のドレンＤは、燃料バルブ７８に
接続され、電界効果トランジスタＱ２のゲートＧは、マ
イクロプロセッサ３４のピン６に接続されている。電界
効果トランジスタＱ２のソースＳは、アース２２に接続
されている。電界効果トランジスタＱ２は、マイクロプ
ロセッサ３４からの信号に応答して燃料バルブ７８をオ
ン、オフするスイッチとして動作する。電界効果トラン
ジスタＱ２が、動作すると、燃料バルブ７８が開放さ
れ、料理器具の主バーナーに燃料を供給する。

【００１１】動作 温度制御回路の好適な実施例の動作について次に説明す
る。電源回路１１では、発振回路１４が電気的に不安定
なループを形成している。熱電発電機又はサーモパイル
１６からの端子１０及び１２に於ける低入力直流電圧が
印加されると、ループは、ノード２６で大きく振れる電
圧を発振する。これらの電圧の振れは、ダイオードＤ５
により整流され、コンデンサＣ５によりフィルタ処理さ
れる。得られた直流電圧は、ノード３０で出力され、回
路の温度制御部分を駆動する。発振ループは、次のよう
に動作する。休止時、端子１０、１２に印加されている
電圧がない場合は、電界効果トランジスタＱ３及びＱ４
は、導通状態である。サーモパイル又は他の電圧源が端
子１０、１２に接続されると、変圧器の一次巻線１８、
電界効果トランジスタＱ３、Ｑ４を通じてアースへ電流
が流れ始める。変圧器一次巻線１８の点で示した側に流
れ込む電流が増加すると、変圧器二次側２０に電圧を誘
起し、二次巻線２０の点で示した側から電流が流れ出
る。変圧器は、高い巻線比（例えば、５０：１）を有す
ので、誘起二次電圧は高い。二次電圧が十分に高いと、
Ｄ５は順方向にバイアスされ、電流は、変圧器の二次巻
線２０からコンデンサＣ５に流れ込む。二次電圧がツェ
ナーダイオード２４の電圧プラスＦＥＴゲートソースブ
レークダウン電圧のレベルに上昇すると、電流がツェナ
ーダイオード２４とＦＥＴゲートを通じてアースに流れ
る。ツェナーダイオード２４及びＦＥＴゲートソース接
続が既知の電圧でブレークダウンすると、ツェナーダイ
オード２４は、コンデンサＣ５に現われる電圧を制限す
る。こうして、電源回路１１は、直流電圧出力をノード
３０で定電圧化する。

【００１２】変圧器一次巻線１８の電流が定常状態に達
すると、エネルギーは、二次巻線２０に伝達されなくな
る。エネルギーは、変圧器のコア中に誘起した磁場が急
減するまで、ダイオードＤ５及びツェナーダイオード２
４を通じて変圧器二次巻線２０からエネルギーを取り出
す。磁場が急減すると、変圧器二次側２０の点で示され
た側は、急激に負の電圧に振る。この短時間の負の電圧
の振りの期間中、ダイオードＤ５は、逆バイアスされ、
導通しなくなる。ツェナーダイオード２４は、順方向に
バイアスされ、ＦＥＴＱ３、Ｑ４のゲート電圧をＦＥＴ
Ｑ３、Ｑ４がオフになるに十分なまで負の側に引き込
む。ＦＥＴがオフとなると、変圧器一次巻線１８の定常
電流は、停止する。一次巻線１８に於て電流が流れなく
なると、変圧器の二次巻線２０で負の電圧が増加する。
負の電圧増加は、ツェナーダイオード２８を動作させ、
従ってＦＥＴのゲート電圧が負のＦＥＴゲートブレーク
ダウンスレショルドよりも低下することが防止される。
ツェナーダイオード２８は、電源回路の動作に必要では
ないが、その存在は、ＦＥＴＱ３、Ｑ４を保護し、それ
らの寿命を引き延ばす。一次巻線１８に電流が流れない
と、二次巻線２０での電圧が誘起しなくなり、ＦＥＴゲ
ートは、アース電位に戻る。ゲートがアース電位となる
と、ＦＥＴは、再度、導通し、一次巻線１８に電流が流
れ、以上のサイクルが再度、開始する。このサイクル
は、各サイクル毎にコンデンサＣ５により多くの電流を
流し込む。ついには、コンデンサＣ５の電圧が、大体４
〜6.５ボルトのツェナーダイオード２４のブレークダウ
ン電圧に等しくなるまで上昇する。

【００１３】電源回路１１による直流電圧は、マイクロ
プロセッサ３４を含む温度制御回路を駆動するのに使用
される。マイクロプロセッサ３４は、サーミスタ５４か
らの信号を定期的に入力することにより、調理温度をサ
ンプリングし、設定点入力ダイアル６６からの信号を定
期的に入力することにより、希望動作温度をチェックす
るようにプログラムされている。マイクロプロセッサ３
４のサンプリング時間は、既に述べたようにクロック手
段３８により制御される。好適な実施例では、マイクロ
プロセッサ３４は、サーミスタ５４からの信号を毎秒数
回、例えば、毎秒１０回、サンプリングし、設定点入力
ダイアル６６からの信号をより少ない頻度で、例えば５
秒に１回、サンプリングするように、プログラムされて
いる。マイクロプロセッサ３４が、サーミスタ５４から
の信号をサンプリングする場合、電界効果トランジスタ
Ｑ１は、導通し、温度検出回路４６及び内部Ａ／Ｄ変換
器は、電源回路１１よりも電力を消費する。これは、電
源回路１１からの電力消費を発生させ、必要電力を満た
すために、コンデンサＣ５が放電を開始する。サーミス
タ５４からの信号がサンプリングされると、マイクロプ
ロセッサ３４は、トランジスタＱ１への信号を停止し、
従って制御回路の温度検出部分４６への電源をオフとす
る。マイクロプロセッサは、叉、内部Ａ／Ｄ変換器をも
オフとする。電源オフされた温度検出部分４６と内部Ａ
／Ｄ変換器は、電源回路１１よりの電力の消費がなくな
り、コンデンサＣ５は再度、充電される。

【００１４】同様に、設定点入力ダイヤル６６がサンプ
リングされると、電源回路１１からの負荷電流が流れ
る。この電流が流れる期間、コンデンサＣ５は、放電す
る。このサンプリング期間が終了するとコンデンサＣ５
は、再度、充電される。温度サンプリングが終了する
と、マイクロプロセッサ３４のソフトウェアは、燃料バ
ルブ７８をオンするか、又はオフするかどうかを決定す
るために、設定点入力ダイアル信号とサーミスタ５４か
らの温度信号を比較するＰＩＤアルゴリズムを使用す
る。加熱が必要であるとＰＩＤアルゴリズムの使用によ
りソフトウェアが判定すると、ピン６から信号が送られ
トランジスタＱ２が導通状態となり、主燃料バルブのソ
レノイドが起動される。燃料バルブが、オフするには、
ピン６から信号が出力され、トランジスタＱ２をオフと
し、ソレノイドの駆動が停止される。こうして、マイク
ロプロセッサ３４は、調理油温度を継続的にサンプリン
グし、それを希望動作温度と比較することによって、主
バーナー（図不指示）からの熱量を制御するマイクロプ
ロセッサ３４は、温度がサンプリングされない場合は、
回路の温度検出部分への電力供給を停止することによ
り、例えばサーモパイルといった定電圧電源で動作する
能力を有す。電源回路１１よりの負荷電流は、温度検出
回路４６が駆動されているときは、高く、温度検出回路
４６が停止しているときは、低い。従って、電界効果ト
ランジスタＱ１を通じて温度検出回路をオン、オフする
ことにより、平均消費電力は、電源回路１１による量に
見合うものとなる。

【００１５】以上述べた回路は、本発明の好適な実施例
を構成するが、本発明は、この方法に限定されず、本発
明の範囲を逸脱することなく変形例を構成することが可
能である。

【００１６】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明は、サー
モパイルといった停電圧により駆動可能であり、１５０
ミリボルトといった入力電圧で安定して動作する能力の
あるマイクロプロセッサを使用した温度制御回路に関す
る。ミリボルトで高電流を４〜６ボルトの７５０マイク
ロアンペアの出力に変換する効率のよい電源回路を使用
し、電源からの電力を節約するために温度サンプリング
の間で回路の温度検出部分をオフとするため、電界効果
トランジスタと共にマイクロプロセッサを使用すること
によって、温度制御回路は、その停電圧電源でマイクロ
プロセッサを駆動する能力を有す。

【図面の簡単な説明】

【図１】電源回路の回路図である。

【図２】マイクロプロセッサと電圧制御電流スイッチを
示す制御回路の温度検出部分の回路図である。

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 温度制御回路であって、 直流の低電圧電源と、 直流定電圧を生成するための前記電源からの直流電圧を
   昇圧、蓄電する手段と、 前記直流定電圧により駆動されるマイクロプロセッサ使
   用の温度検出回路と、前記温度検出回路は、温度測定
   し、前記測定された温度に対応する信号を出力するため
   の手段を含み、 マイクロプロセッサからの信号に応答して前記温度検出
   回路に対して電源入力を接続したり、遮断したりする手
   段とを含み、温度測定がなされるとき前記温度検出回路
   は、電源に接続され、温度測定がなされないときは、前
   記温度検出回路は、電源から遮断されることを特徴とす
   る温度制御回路。
2. 【請求項２】 前記直流低電圧電源は、サーモパイルで
   あることを特徴とする請求項１記載の温度制御回路。
3. 【請求項３】 前記サーモパイルは、炎により加熱され
   ることを特徴とする請求項２記載の温度制御回路。
4. 【請求項４】 前記昇圧手段は、電圧制御電流スイッチ
   ング手段に接続されている変圧器を含むことを特徴とす
   る請求項３記載の温度制御回路。
5. 【請求項５】 前記昇圧手段は、一次巻線と、二次巻線
   とを含む変圧器を含み、前記一次巻線は、前記低電圧電
   源にその第一端で接続され、前記二次巻線は、定電圧手
   段へ接続され、前記電圧制御電流スイッチング手段は、
   前記定電圧手段と前記一次巻線の第二端との間に接続さ
   れることを特徴とする請求項４記載の温度制御回路。
6. 【請求項６】 前記定電圧手段は、ツェナーダイオード
   を含むことを特徴とする請求項５記載の温度制御回路。
7. 【請求項７】 前記電圧制御電流スイッチング手段は、
   少なくとも二つの電界効果トランジスタを含むことを特
   徴とする請求項６記載の温度制御回路。
8. 【請求項８】 前記マイクロプロセッサは、作動及び停
   止が可能なＡ／Ｄ変換器を含み、前記マイクロプロセッ
   サは、低電圧電流で動作する能力を有することを特徴と
   する請求項７記載の温度制御回路。
9. 【請求項９】 温度を測定する前記手段は、前記マイク
   ロプロセッサと通信するサーミスタであることを特徴と
   する請求項８記載の温度制御回路。
10. 【請求項１０】 前記温度検出回路への電源入力を接続
    又は遮断するための前記手段は、前記マイクロプロセッ
    サに接続された電圧制御電流スイッチであることを特徴
    とする請求項９記載の温度制御回路。
11. 【請求項１１】 前記電圧制御電流スイッチは、電界効
    果トランジスタであることを特徴とする請求項１０記載
    の温度制御回路。
12. 【請求項１２】 温度制御回路であって、 直流低電圧電源と、 前記低電圧源に接続された発振器と、前記発振器は、一
    次及び二次巻線を有す変圧器と、前記変圧器の前記第一
    巻線及び前記直流低電圧電源に接続された電圧制御電流
    スイッチング手段と、前記電圧制御電流スイッチング手
    段を前記変圧器の前記二次巻線に接続する定電圧手段
    と、前記変圧器からの信号出力を整流し、前記二次巻線
    と前記定電圧手段とに接続された整流手段と、定電圧出
    力を蓄電する手段と、前記蓄電手段、前記二次巻線、前
    記低電圧電源及び前記電圧制御電流スイッチング手段を
    接続する導体アース手段とを含み、 前記定電圧出力が印加される温度検出回路とを含み、 前記温度検出回路は、 マイクロプロセッサと、 前記マイクロプロセッサに接続されるアナログ回路と、
    前記アナログ回路は、サーミスタと、前記サーミスタか
    らの信号をそれが前記マイクロプロセッサに送られる前
    に増幅するための手段とを含み、 前記マイクロプロセッサからの信号に応答して前記アナ
    ログ回路への電源入力を定期的に停止するために、前記
    マイクロプロセッサと、前記アナログ回路と、前記導体
    アースとの間で接続されている電圧制御電流スイッチと
    を含み、前記マイクロプロセッサは、温度測定の合間に
    前記電圧制御電流スイッチへ信号を送ることを特徴とす
    る温度制御回路。
13. 【請求項１３】 前記電圧制御電流スイッチング手段
    は、一対の電界効果トランジスタであることを特徴とす
    る請求項１２記載の温度制御回路。
14. 【請求項１４】 前記電圧制御電流スイッチは、ゲー
    ト、ドレン及びソースを有す電界効果トランジスタであ
    り、前記ドレンは、前記アナログ回路に接続され、前記
    ゲートは、前記マイクロプロセッサに接続され、前記ソ
    ースは、前記導体アースへ接続されていることを特徴と
    する請求項１３記載の温度制御回路。
15. 【請求項１５】 前記マイクロプロセッサは、作動及び
    停止が可能なＡ／Ｄ変換器を含み、前記マイクロプロセ
    ッサは、低電圧電源で動作することを特徴とする請求項
    １４記載の温度制御回路。
16. 【請求項１６】 電源回路であって、 直流低電圧電源と、 二次巻線に磁気的に結合される一次巻線を有す変圧器
    と、 前記一次巻線及び前記低電圧電源とに直列に接続される
    半導体電流スイッチング手段と、 前記半導体電流スイッチング手段と前記二次巻線との間
    に接続される定電圧手段と、 前記変圧器の前記二次巻線からの信号を整流し、フィル
    タ処理する手段とを含み、前記整流手段は、前記定電圧
    手段と前記二次巻線とに接続されていることを特徴とす
    る電源回路。
17. 【請求項１７】 前記半導体電流スイッチング手段は、
    並列に接続された少なくとも二つの電界効果トランジス
    タであることを特徴とする請求項１６記載の電源回路。
18. 【請求項１８】 前記定電圧回路は、ツェナーダイオー
    ドであることを特徴とする請求項１７記載の電源回路。
19. 【請求項１９】 前記変圧器は、非反転型であることを
    特徴とする請求項１８記載の電源回路。
20. 【請求項２０】 前記低電圧電源は、サーモパイルであ
    ることを特徴とする請求項１９記載の電源回路。
21. 【請求項２１】 前記サーモパイルは、炎で加熱される
    ことを特徴とする請求項２０記載の電源回路。
22. 【請求項２２】 前記変圧器は、巻線比が５０：１であ
    ることを特徴とする請求項２１記載の電源回路。
23. 【請求項２３】 温度制御回路であって、 直流低電圧電源と、 前記電源からの電圧を昇圧し、直流のより高い電圧を生
    成する手段と、 前記直流電圧昇圧手段により給電されるマイクロプロセ
    ッサを使用した温度検出回路とを含み、前記温度検出回
    路は、温度を測定し、熱源を制御する手段を含むことを
    特徴とする温度制御回路。
24. 【請求項２４】 前記温度制御回路は、電力を節約する
    ために前記マイクロプロセッサにより作動、停止される
    ことを特徴とする請求項２３記載の温度制御回路。