JPH0721587A - Optical disk dedicated for reproducing - Google Patents

Optical disk dedicated for reproducing

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JPH0721587A
JPH0721587A JP5165271A JP16527193A JPH0721587A JP H0721587 A JPH0721587 A JP H0721587A JP 5165271 A JP5165271 A JP 5165271A JP 16527193 A JP16527193 A JP 16527193A JP H0721587 A JPH0721587 A JP H0721587A
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JP
Japan
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light
layer
light emitting
emitting layer
reading
Prior art date
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Pending
Application number
JP5165271A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kajiro Ushio
嘉次郎 潮
Masahiro Furuta
正寛 古田
Takehiko Ueda
武彦 上田
Tatsuo Niwa
達雄 丹羽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH0721587A publication Critical patent/JPH0721587A/en
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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a optical disk which can identify the unit of information smaller than a spot diameter without changing a light source or an optical system and further can improve a C/N. CONSTITUTION:Light emitting layers 3 are made to scatter along a track T on a substrate 2 so as to emit light 5 of a wavelength different from that of read light 14 with intensity depending on the temperature by irradiating it with the read light. With this light emitting layer 3 as the unit of information, information is expressed by the presence/absence or length of this unit of information.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高密度な情報収容が可
能である新規な再生専用の光ディスクに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel read-only optical disk capable of accommodating high density information.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンピュータ、通信、映像機器をはじめ
とする情報機器の高機能化やパーソナル化が進むにつれ
て、その処理すべき情報が増大しており、そのため記録
装置や媒体の高性能化が近年の大きな開発ターゲットと
なっている。特に、記録の高密度化及び大容量化は、来
るべき画像情報のデジタル化時代を鑑みても、非常に大
きな要請であるといえる。そして、光記録読み出し方式
によって、記録媒体(光ディスク)から記録情報を再生
する(読み出す)方法は、今後も高密度及び大容量の記
録媒体に関して、有力な再生方法である。
2. Description of the Related Art As information devices such as computers, communications, and video devices have become more sophisticated and personalized, the amount of information to be processed has increased, and therefore the performance of recording devices and media has become higher in recent years. Has become a major development target. In particular, it can be said that high density recording and high capacity recording are very demanding in view of the coming digital age of image information. The method of reproducing (reading) the record information from the recording medium (optical disk) by the optical recording / reading method is a promising reproducing method for a high-density and large-capacity recording medium.

【0003】光記録読み出し方式による光ディスクは、
現在すでに音楽用CDやCD−ROM、LDあるいは光
磁気ディスク等として市販されている。これらのディス
クから情報を再生するには、先ず光源からの読み出し光
を回転しているディスク上に集光する。集光された光
は、ディスク上で反射される。反射された光は、ディス
ク上の記録情報に従い変調される。変調された光を光電
変換することで再生信号が得られる。光源には、読み出
し装置の小型化のため、半導体レーザーを用いることが
多い。
An optical disc based on the optical recording and reading system is
At present, it is already commercially available as a music CD, CD-ROM, LD, magneto-optical disk, or the like. To reproduce information from these discs, the reading light from the light source is first focused on the spinning disc. The condensed light is reflected on the disc. The reflected light is modulated according to the recorded information on the disc. A reproduction signal is obtained by photoelectrically converting the modulated light. A semiconductor laser is often used as the light source for downsizing of the reading device.

【0004】記録情報は、小さな情報単位の有無又は長
さで表される。情報単位は、CD等の光ディスクでは、
ディスク上に設けた凹凸(ピットと呼ばれる)である。
平坦なトラック上にピットが点在し、このトラック上を
集光された読み出し光(以下読み出し光と略称する)が
なぞることで、反射光が変調される。トラックは、うず
巻き状に設ける場合と同心円状に設ける場合がある。
The record information is represented by the presence or absence of a small information unit or the length. The information unit is an optical disc such as a CD.
Concavities and convexities (called pits) provided on the disc.
The pits are scattered on a flat track, and the reflected light is modulated by tracing the focused read light (hereinafter abbreviated as read light) on the track. The track may be provided in a spiral shape or in a concentric shape.

【0005】また、光磁気ディスクでは、トラック部分
とは磁化の向きが反対の領域(マークと呼ばれる)が情
報単位となる。この情報単位に直線偏光(読み出し光)
を照射すると、反射光の偏光面がトラック部分とは反対
向きに回転する。そこで、反射光を偏光子を通してから
光電変換すると、再生信号が得られる。この様に、光記
録読み出し方式によって情報を再生する光ディスクは、
ディスク上の読み出し光を小さく集光することにより、
情報単位をその大きさにまで小さくすることができるの
で、比較的大きな記録密度(現在光磁気ディスクにおい
て約108 マーク/cm2 )を有している。
In a magneto-optical disk, an area (called a mark) whose magnetization direction is opposite to that of a track portion serves as an information unit. Linearly polarized light (readout light) for this information unit
Is irradiated, the polarization plane of the reflected light rotates in the direction opposite to the track portion. Therefore, when the reflected light is passed through a polarizer and photoelectrically converted, a reproduction signal is obtained. In this way, the optical disc that reproduces information by the optical recording and reading system is
By condensing the read light on the disk into small pieces,
Since the information unit can be reduced to that size, it has a relatively large recording density (about 10 8 marks / cm 2 in the present magneto-optical disk).

【0006】このような光記録読み出しに使用される光
学ヘッドは、半導体レーザー等の光源と、レンズやミラ
ー等の集光光学系により構成されており、フォーカシン
グ(集光)やトラッキングのためのサーボ機構を備えて
いる。
The optical head used for such optical recording / reading is composed of a light source such as a semiconductor laser and a condensing optical system such as a lens and a mirror, and a servo for focusing (condensing) and tracking. It has a mechanism.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来の光ディスクにお
いては、読み出し光の集光の度合い(スポット径)が情
報単位の大きさ、つまりは記録密度を決定している。ス
ポット径の最小値は光源の波長及び集光光学系の開口数
によって制限されるので、回折限界以下に小さくするこ
とはできない。換言すれば、スポット径より小さい情報
単位を再生することは、従来不可能であった。
In the conventional optical disk, the degree of condensing the read light (spot diameter) determines the size of the information unit, that is, the recording density. Since the minimum value of the spot diameter is limited by the wavelength of the light source and the numerical aperture of the condensing optical system, it cannot be made smaller than the diffraction limit. In other words, it has hitherto been impossible to reproduce an information unit smaller than the spot diameter.

【0008】現在の光源や集光光学系における記録密度
は、ほぼその限界にきている。今以上に記録密度を増大
する方法として、光学系を改善して大きな開口数を得る
か、または短波長の光源を得る方法が考えれるが、どち
らも装置の大型化及び高価格化を伴うという問題点があ
る。光記録読み出しにおいて、反射光から再生信号を得
るためには、読み出し光と反射光の光路を分割する必要
がある。光源にはコヒーレンシーを持つレーザー光が多
く用いられるので、光源への戻り光があると、再生信号
の強度に影響を及ぼしてC/N(搬送波/雑音)比を低
下させるという問題点がある。
The recording density of the current light source and the condensing optical system is almost at its limit. As a method of increasing the recording density, a method of improving the optical system to obtain a large numerical aperture or a light source of a short wavelength can be considered as a method for increasing the recording density, but both of them are accompanied by an increase in the size and cost of the device. There is a problem. In optical recording and reading, in order to obtain a reproduction signal from reflected light, it is necessary to divide the optical paths of read light and reflected light. Since laser light having coherency is often used as a light source, there is a problem that if there is light returning to the light source, the intensity of the reproduction signal is affected and the C / N (carrier / noise) ratio is lowered.

【0009】また、一般的に反射光には、再生信号に変
換されるべき光量(光磁気記録媒体の読み出しでは偏光
成分の光量)の変化(交流成分)以外に、光量の直流成
分が重畳されており、この直流成分は再生信号のC/N
比を低下させる原因となるという問題点がある。本発明
の第1の目的は、光源や光学系を変えることなく、スポ
ット径よりも小さい情報単位を識別可能にすることにあ
る。それにより、装置を大型化、高価格化しないで、記
録密度を増大することができる。第2の目的は、再生信
号のC/N比を向上させることにある。
Further, in general, in addition to the change (AC component) in the amount of light (the amount of light of the polarization component when reading the magneto-optical recording medium) to be converted into a reproduction signal, a DC component of the amount of light is superimposed on the reflected light. This DC component is the C / N of the reproduced signal.
There is a problem that it causes a reduction in the ratio. A first object of the present invention is to make it possible to identify an information unit smaller than the spot diameter without changing the light source or the optical system. Thereby, the recording density can be increased without increasing the size and cost of the device. The second purpose is to improve the C / N ratio of the reproduced signal.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「基板上のトラックに沿って、読み出し光照射により
該読み出し光とは異なる波長の光を温度に依存する強度
で発光する発光層を点在させ、この発光層を情報単位と
して、この情報単位の有無または長さによって情報を表
すことを特徴とする再生専用の光ディスク(請求項
1)」を提供する。
Therefore, the first aspect of the present invention is to provide "a light emitting layer which emits light having a wavelength different from that of the reading light by irradiation of the reading light along the track on the substrate with intensity depending on temperature. Is provided and the light emitting layer is used as an information unit, and information is represented by the presence or absence of the information unit or the length thereof.

【0011】また、本発明は第二に「基板上に、読み出
し光照射により該読み出し光とは異なる波長の光を温度
に依存する強度で発光する発光層を全面的に設け、該発
光層の読み出し光照射側に、トラックに沿って光反射層
または光吸収層を点在させ、これらの光反射層または光
吸収層を情報単位として、この情報単位の有無または長
さによって情報を表すことを特徴とする再生専用の光デ
ィスク(請求項2)」を提供する。
The second aspect of the present invention is that "a light emitting layer which emits light having a wavelength different from that of the reading light with intensity depending on temperature upon irradiation of the reading light is entirely provided on the substrate. On the reading light irradiation side, a light reflection layer or a light absorption layer is scattered along the track, and these light reflection layers or light absorption layers are used as information units, and information is represented by the presence or absence of this information unit or the length. And a read-only optical disc (claim 2).

【0012】また、本発明は第三に「前記発光層の読み
出し光照射側及び/又はその反対側、又は周辺に、熱反
射層を設けたことを特徴とする請求項1又は2記載の光
ディスク(請求項3)」を提供する。また、本発明は第
四に「前記発光層の読み出し光照射側及び/又はその反
対側、又は周辺に、断熱層を設けたことを特徴とする請
求項1又は2記載の光ディスク(請求項4)」 を提供
する。
The third aspect of the present invention is the optical disc according to claim 1 or 2, wherein a heat reflection layer is provided on the side of the light emitting layer on which the reading light is irradiated and / or on the side opposite thereto or on the periphery thereof. (Claim 3) "is provided. A fourth aspect of the present invention is an optical disk according to claim 1 or 2, wherein a heat insulating layer is provided on the side of the light emitting layer on which the reading light is irradiated and / or on the side opposite thereto or on the periphery thereof. )" I will provide a.

【0013】また、本発明は第五に「前記発光層の読み
出し光照射側とは反対側に光反射層を設けたことを特徴
とする請求項1乃至4記載の光ディスク(請求項5)」
を提供する。また、本発明は第六に「読み出し光照射側
とは反対側に設けた前記熱反射層又は断熱層が光反射層
を兼ねていることを特徴とする請求項3又は4記載の光
ディスク(請求項6)」を提供する。
In a fifth aspect of the present invention, "the optical disk according to any one of claims 1 to 4 is characterized in that a light reflecting layer is provided on the side of the light emitting layer opposite to the side where the reading light is irradiated."
I will provide a. According to a sixth aspect of the present invention, the optical disc according to claim 3 or 4, wherein the heat reflection layer or the heat insulation layer provided on the side opposite to the reading light irradiation side also functions as the light reflection layer. Item 6) ”is provided.

【0014】[0014]

【作用】本発明にかかる光ディスクでは、読み出し光照
射により該読み出し光14とは異なる波長の光5を温度に
依存する強度で発光する発光層3からの発光強度の変化
を検出し、これを変換して再生信号とする。そのため、
光ディスクの基板2上に、トラックTに沿って点在させ
た前記発光層3、又は基板2上の全面に設けた前記発光
層3に対向して、読み出し光14照射側に点在させて設け
た(前記発光層を遮蔽する)光反射層11もしくは光吸収
層11’が情報単位となる。そして、この情報単位の有無
または長さが情報を表す。
In the optical disk according to the present invention, the change of the emission intensity from the light emitting layer 3 which emits the light 5 having a wavelength different from that of the readout light 14 with the intensity depending on the temperature by the irradiation of the readout light is detected and converted. To be a reproduction signal. for that reason,
It is provided on the substrate 2 of the optical disk so as to face the light emitting layer 3 scattered along the track T or the light emitting layer 3 provided on the entire surface of the substrate 2 and to be scattered on the irradiation side of the reading light 14. The light reflecting layer 11 or the light absorbing layer 11 '(which shields the light emitting layer) serves as an information unit. The presence or absence or length of this information unit represents information.

【0015】この情報単位は、従来のピットやマークと
同じ機能を有する。ディスクは、渦巻き状あるいは同心
円状の明示的または黙示的トラックを有し、情報単位は
このトラックT上に点在する。発光層3とは、読み出し
光14照射により読み出し光14とは異なる波長域の光5を
発光する(この現象をフォトルミネッセンスという)層
のことである。発光層3には、照射光よりも長波長の光
を発光するもの(例えば、半導体層)や短波長の光を発
光するもの(例えば、アップコンバータ層)がある。
This information unit has the same function as a conventional pit or mark. The disc has spiral or concentric explicit or implicit tracks, on which information units are scattered. The light emitting layer 3 is a layer that emits the light 5 having a wavelength range different from that of the reading light 14 when the reading light 14 is irradiated (this phenomenon is called photoluminescence). The light emitting layer 3 includes a layer that emits light having a wavelength longer than the irradiation light (for example, a semiconductor layer) and a layer that emits light having a short wavelength (for example, an up-converter layer).

【0016】また、発光層3の材料には、600nm以
下の短波長の光の照射によって、発光を示すものが多い
が、アップコンバータ層の材料は、赤外域(1000n
m近辺)の光の照射でも発光する。発光層3の材料に
は、例えばアモルファスシリコン、GaAs、InP等
の半導体、前記半導体にイオンをドープしたもの、蛍光
体、赤外可視変換材料(Er3+やY3+を添加したフッ化
物または塩化物、ZnS、CaS−Eu混合物、Zn
O、前記化合物にイオンをドープしたもの等)及び有機
材料が好ましい。
Many of the materials for the light emitting layer 3 emit light when irradiated with light having a short wavelength of 600 nm or less, but the material for the up converter layer is in the infrared region (1000 n
It also emits light when irradiated with light (around m). Examples of the material of the light emitting layer 3 include semiconductors such as amorphous silicon, GaAs, and InP, those obtained by doping the semiconductor with ions, phosphors, infrared-visible conversion materials (fluoride to which Er 3+ or Y 3+ is added, or Chloride, ZnS, CaS-Eu mixture, Zn
O, the above compounds doped with ions, etc.) and organic materials are preferred.

【0017】発光層3の厚さが薄すぎると、発光が十分
に起こらないので、情報単位の識別が困難となる。ま
た、発光層3の厚さが厚すぎると、層形成に時間を要し
て生産性が悪くなる。従って、適度な厚さにするとよ
い。例えば、50〜500nmの厚さが好ましいが、こ
の厚さに限定されるものではない。また、発光層3は、
より密度の低い多孔質の膜で形成することが、発光効率
の点で好ましい。
If the thickness of the light emitting layer 3 is too thin, light emission does not sufficiently occur, which makes it difficult to identify the information unit. Further, if the thickness of the light emitting layer 3 is too thick, it takes time to form the layer, resulting in poor productivity. Therefore, it is preferable that the thickness be appropriate. For example, a thickness of 50 to 500 nm is preferable, but the thickness is not limited to this. In addition, the light emitting layer 3 is
It is preferable to form a porous film having a lower density in terms of luminous efficiency.

【0018】光反射層11の材料には、例えば、Al,A
g,Au、In−Sb合金、CuO等が好ましい。光吸
収層11’の材料には、例えばグラファイトカーボン、金
属の低級酸化物等が好ましい。光反射層11または光吸収
層11’の厚さは、薄すぎると反射や吸収による発光の遮
蔽が不十分となり、厚すぎると層形成に時間を要して生
産性が悪くなるので、適度な厚さにするとよい。例え
ば、50〜500nmの厚さが好ましいが、この厚さに
限定されるものではない。
The material of the light reflecting layer 11 is, for example, Al, A
g, Au, In-Sb alloy, CuO, etc. are preferable. As the material of the light absorption layer 11 ′, for example, graphite carbon, a lower oxide of metal, or the like is preferable. If the thickness of the light-reflecting layer 11 or the light-absorbing layer 11 ′ is too thin, the shielding of light emission due to reflection or absorption becomes insufficient, and if it is too thick, it takes time to form the layer and productivity deteriorates. It should be thick. For example, a thickness of 50 to 500 nm is preferable, but the thickness is not limited to this.

【0019】図1は、本発明にかかる光ディスクの読み
出し原理を示す概略垂直断面図である。発光層に用いら
れる発光材料の中には、発光強度が温度に大きく依存す
るものがある。本発明では、発光材料の中から、発光強
度が温度に大きく依存する発光材料を特に選んで発光層
3に用いている。例えば、アモルファスSiからなる発
光層の場合には、室温から約300 °Cまでの温度上昇に
伴って、発光強度は全体に低下し、発光のピーク波長は
長波長側にずれる(図2参照)。また、多くのアップコ
ンバータ層(発光層)は、ある温度以上で発光強度が著
しく減少する。従って、発光材料及び検出する発光の波
長域を適当に選択すれば、温度差によって発光強度に大
きな差をもたせることができる。
FIG. 1 is a schematic vertical sectional view showing the reading principle of an optical disk according to the present invention. Among the light emitting materials used for the light emitting layer, there are some light emitting materials whose emission intensity largely depends on temperature. In the present invention, a light emitting material whose emission intensity largely depends on temperature is selected from among the light emitting materials and used for the light emitting layer 3. For example, in the case of a light emitting layer made of amorphous Si, the emission intensity decreases as the temperature rises from room temperature to about 300 ° C, and the emission peak wavelength shifts to the long wavelength side (see Fig. 2). . In many upconverter layers (light emitting layers), the light emission intensity is significantly reduced at a certain temperature or higher. Therefore, by appropriately selecting the light emitting material and the wavelength range of the emitted light to be detected, it is possible to make a large difference in the emission intensity due to the temperature difference.

【0020】情報の読み出しにおいて、回折限界まで集
光させた読み出し光のスポット4の強度はガウス分布を
示し、この強度分布に対応した温度(高温)分布となる
が、回転ディスク上では、その高温分布を示す領域はデ
ィスクが回転しているので、後方に少しずれる(図1の
分布7参照)。従って、スポット内は、高温分布領域に
対応した高温領域とそれ以外の低温領域に分かれる。
In the reading of information, the intensity of the read light spot 4 focused to the diffraction limit exhibits a Gaussian distribution, and has a temperature (high temperature) distribution corresponding to this intensity distribution. The region showing the distribution is slightly shifted backward because the disc is rotating (see distribution 7 in FIG. 1). Therefore, the inside of the spot is divided into a high temperature region corresponding to the high temperature distribution region and a low temperature region other than the high temperature region.

【0021】発光層の発光材料として、検出する波長域
の光強度が温度上昇により大きく減少する材料を用いる
と、読み出し光照射時にスポット内の高温領域にある発
光層(情報単位)3aからの発光は、極めて小さくな
る。一方、スポット内の低温領域にある発光層(情報単
位)3bからの発光5は、高温領域にある発光層(情報
単位)3aからの発光よりも、はるかに大きなものとな
る。
When a material whose light intensity in the wavelength range to be detected greatly decreases due to temperature rise is used as the light emitting material of the light emitting layer, the light emission from the light emitting layer (information unit) 3a in the high temperature region within the spot upon irradiation of the reading light. Becomes extremely small. On the other hand, the light emission 5 from the light emitting layer (information unit) 3b in the low temperature region in the spot is much larger than the light emission 5 from the light emitting layer (information unit) 3a in the high temperature region.

【0022】そのため、スポット内に2個の情報単位
(発光層)3a、3bがある場合でも、スポット内の低
温領域にある情報単位3bだけを識別して、読みだすこ
とができる。また、高温領域にある発光層(情報単位)
3aからの発光と、低温領域にある発光層(情報単位)
3bからの発光5とで大きな差があるので、大きなC/
N比で読み出しができる。
Therefore, even if there are two information units (light emitting layers) 3a and 3b in the spot, only the information unit 3b in the low temperature region in the spot can be identified and read. In addition, the light emitting layer (information unit) in the high temperature region
Light emission from 3a and light emitting layer in low temperature region (information unit)
Since there is a big difference between the light emission 5 from 3b, a large C /
Reading can be done with N ratio.

【0023】逆に、発光層の発光材料として、検出する
波長域の光強度が温度上昇により大きく増加する材料を
用いた場合には、スポット内の高温領域にある発光層
(情報単位)からの発光は、低温領域にある発光層(情
報単位)からの発光よりも、はるかに大きなものとな
る。この場合には、スポット内の2個の情報単位(発光
層)3a、3bのうち、高温領域にある情報単位3aだ
けを識別して、大きなC/N比で読みだすことができ
る。
On the contrary, when a material whose light intensity in the wavelength range to be detected greatly increases due to temperature rise is used as the light emitting material of the light emitting layer, the light emitting layer (information unit) from the light emitting layer in the high temperature area within the spot is used. The light emission is much larger than the light emission from the light emitting layer (information unit) in the low temperature region. In this case, of the two information units (light emitting layers) 3a and 3b in the spot, only the information unit 3a in the high temperature region can be identified and read with a large C / N ratio.

【0024】発光層3から発光された光5は、波長域が
読み出し光14とは大きく異なるのでビームスプリッター
17や光学フィルター22を使用して発光のみを分離し、フ
ォトディテクター23で検出する。これにより、読み出し
光14の反射光12や散乱光(図示せず)の検出によるC/
N 比の低下を防ぐことができる。また、発光の信号に
は直流成分が重畳されにくいので、C/N 比の低下防
止の上で有利である。
The light 5 emitted from the light emitting layer 3 has a wavelength range greatly different from that of the reading light 14, so that the beam splitter 5
17 and the optical filter 22 are used to separate only the emitted light, which is detected by the photodetector 23. As a result, C / is obtained by detecting the reflected light 12 of the read light 14 and the scattered light (not shown).
It is possible to prevent a decrease in N ratio. Further, since the direct current component is not easily superimposed on the light emission signal, it is advantageous in preventing the decrease of the C / N ratio.

【0025】発光された光5を集光する光学系は、読み
出し光14を集光する光学系と兼用してもよい。この場
合、厳密な集光は発光された光5と読み出し光14の波長
が異なるので困難であるが、発光強度を検出できればよ
いので、厳密な集光は不要である。従来の光ディスクの
読み出しでは、読み出し光14の反射光12の強度分布を分
割フォトセンサー18で検出して、フォーカシングやトラ
ッキングの最適化制御20、21を行っている。本発明にか
かる光ディスクの読み出しにおいても、このような制御
は可能であるがその他に、発光層3からの発光5を利用
し、発光強度によりフォーカシングを行い、また発光の
低周波成分によりトラッキングをとる(包絡線検波)こ
とも可能である。
The optical system that collects the emitted light 5 may also be used as the optical system that collects the read light 14. In this case, strict light collection is difficult because the wavelengths of the emitted light 5 and the read light 14 are different, but strict light collection is not necessary because the light emission intensity can be detected. In the reading of a conventional optical disc, the split photosensor 18 detects the intensity distribution of the reflected light 12 of the read light 14 to perform focusing and tracking optimization controls 20 and 21. Such control is also possible in the reading of the optical disk according to the present invention, but in addition, the light emission 5 from the light emitting layer 3 is used for focusing by the light emission intensity, and tracking is performed by the low frequency component of the light emission. (Envelope detection) is also possible.

【0026】読み出し光14の照射による発光層3の加熱
を効率的に行うために、発光層3の読み出し光照射側及
び/又はその反対側、又は周辺に、熱反射層10又は断熱
層10' を設けることが好ましい(図3参照)。熱反射層
10には、赤外線反射膜に用いられるITO、ZnO又は
TiO2 等が好ましい。断熱層10' には、SiO2 、Z
nS−SiO2 又はSiN等が好ましい。
In order to efficiently heat the light emitting layer 3 by irradiating the reading light 14, the heat reflecting layer 10 or the heat insulating layer 10 'is provided on the side of the light emitting layer 3 on which the reading light is irradiated and / or on the opposite side thereof or on the periphery thereof. Is preferably provided (see FIG. 3). Heat reflective layer
For ITO, ITO, ZnO, TiO 2 or the like used for the infrared reflective film is preferable. The heat insulating layer 10 'is made of SiO 2 , Z
nS-SiO 2 or SiN is preferable.

【0027】熱反射層10又は断熱層10' の厚さは、薄す
ぎると熱反射又は断熱効果が不十分となり、厚すぎると
層形成に時間を要して生産性が悪くなるので、適度な厚
さにするとよい。例えば、10〜500nmの厚さが好
ましいが、この厚さに限定されるものではない。読み出
し光14以外に、その反射光12を利用して発光層3を加熱
し、検出される発光強度を増大するために、また発光検
出側とは反対側への発光層3からの発光を反射させて
(反射光13)、検出される発光強度を増大するために、
発光層3の片側(読み出し光照射とは反対側)に光反射
層11を設けることが好ましい(図4参照)。光反射層11
の材料には、例えば、Al、Ag、Au、In−Sb合
金、CuO等が好ましい。
If the thickness of the heat reflection layer 10 or the heat insulation layer 10 'is too thin, the heat reflection or heat insulation effect will be insufficient, and if it is too thick, it will take time to form the layer and productivity will be deteriorated. It should be thick. For example, a thickness of 10 to 500 nm is preferable, but the thickness is not limited to this. In addition to the read light 14, the reflected light 12 is used to heat the light emitting layer 3 to increase the detected light emission intensity, and the light emitted from the light emitting layer 3 to the side opposite to the light emission detection side is reflected. In order to increase the emitted light intensity detected (reflected light 13),
It is preferable to provide the light reflection layer 11 on one side of the light emitting layer 3 (on the side opposite to the irradiation of the reading light) (see FIG. 4). Light reflection layer 11
For example, Al, Ag, Au, In—Sb alloy, CuO and the like are preferable as the material.

【0028】光反射層11の厚さは、薄すぎると反射が不
十分となり、厚すぎると層形成に時間を要して生産性が
悪くなるので、適度な厚さにするとよい。例えば、50
〜500nmの厚さが好ましいが、この厚さに限定され
るものではない。また、この光反射層を前記、熱反射層
又は断熱層を兼ねた層とすることは、光ディスク製造工
程の短縮の上で好ましい。このような兼用層の材料とし
ては、例えばIn−Sb合金が好ましい。
If the thickness of the light-reflecting layer 11 is too thin, the reflection will be insufficient, and if it is too thick, it will take time to form the layer and the productivity will be deteriorated. For example, 50
A thickness of ~ 500 nm is preferred, but not limited to this thickness. Further, it is preferable to use the light reflecting layer also as the heat reflecting layer or the heat insulating layer from the viewpoint of shortening the optical disc manufacturing process. As a material for such a dual-purpose layer, for example, an In-Sb alloy is preferable.

【0029】本発明にかかる光ディスクの基板2には、
例えば、ガラス材料またはポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、ポリメチルペンテン、ポリオレフィ
ン、エポキシ樹脂等のプラスチック材料が好ましい。基
板2上に発光層3や熱反射層10または断熱層10' が形成
されたディスク(以後、単板ディスクと称す)をそのま
ま光ディスクとして使用すると、長期間使用中に各層の
劣化や基板2(プラスチック製基板の場合)の変形が発
生するのでこれを防止するために、単板ディスクを保護
(封止)基板または他の単板ディスクと接着剤によっ
て、接合するのが一般的である。尚、単板ディスク上に
単に、保護層(例えば、エポキシ樹脂層)15だけを形成
することもある。
The substrate 2 of the optical disc according to the present invention comprises:
For example, glass material or polymethylmethacrylate,
Plastic materials such as polycarbonate, polymethylpentene, polyolefin and epoxy resin are preferred. If a disc having the light emitting layer 3, the heat reflecting layer 10 or the heat insulating layer 10 'formed on the substrate 2 (hereinafter referred to as a single disc) is used as an optical disc as it is, deterioration of each layer or the substrate 2 ( In order to prevent such deformation (in the case of a plastic substrate), it is common to bond the veneer disk with a protective (sealing) substrate or another veneer disk with an adhesive. The protective layer (for example, epoxy resin layer) 15 may be simply formed on the single disk.

【0030】単板ディスクに保護基板を接合した構造の
光ディスクを片面ディスクと呼び、また、単板ディスク
2枚を相互に接合した構造の光ディスクを両面ディスク
と呼ぶ。保護基板には、基板2と同様の材料が好まし
い。また、接着剤は、片面ディスクでは光硬化型接着剤
が、両面ディスクではホットメルト接着剤や熱硬化性接
着剤が好ましい。
An optical disk having a structure in which a protective substrate is bonded to a single plate disk is called a single-sided disk, and an optical disk in which two single plate disks are bonded to each other is called a double-sided disk. The protective substrate is preferably made of the same material as the substrate 2. The adhesive is preferably a photocurable adhesive for a single-sided disc and a hot melt adhesive or a thermosetting adhesive for a double-sided disc.

【0031】以下、実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれに限られるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

【0032】[0032]

【実施例1】直径5インチ、厚さ1mmのガラス基板2
上に、スパッタリングにより、ZnS−SiO2 からな
る断熱層を約50nmの厚さで形成し、その上にフォト
ルミネッセンス材料であるアモルファスSiからなる発
光層を同様に約50nmの厚さで形成した。発光効率を
よくするために、発光層はより密度の低いポーラスな層
にすることが好ましい。
Example 1 Glass substrate 2 having a diameter of 5 inches and a thickness of 1 mm
A heat insulating layer made of ZnS-SiO 2 was formed thereon by sputtering to a thickness of about 50 nm, and a light emitting layer made of amorphous Si, which is a photoluminescent material, was also formed thereon at a thickness of about 50 nm. In order to improve the luminous efficiency, the light emitting layer is preferably a porous layer having a lower density.

【0033】次に、この上にフォトレジストを塗布して
プリベーキングした後、KrFエキシマレーザ(波長2
49nm)を光源とする露光装置と信号原版とを使用し
て、記録すべき情報の「1」,「0」(マーク長0.25μ
m、マーク間隔0.25μm)に対応するように露光した。
信号原版はレーザー(波長400〜500nm)カッテ
ィングマシーンを使用して作製した。
Next, a photoresist is applied on this and prebaked, and then a KrF excimer laser (wavelength 2) is applied.
By using an exposure device having a light source of 49 nm) and a signal original plate, “1” and “0” of information to be recorded (mark length 0.25 μm
m, the mark interval is 0.25 μm).
The signal original plate was produced using a laser (wavelength 400 to 500 nm) cutting machine.

【0034】その後、Arガスドライエッチングで、断
熱層及び発光層をパターニングをすることにより、点在
する断熱層10' 及び発光層3を形成した。さらに、この
上にZnS−SiO2 からなる断熱層10' を約100n
mの厚さで形成した。最後に、この上にエポキシ樹脂を
ロールコーターにより塗布して硬化させ、保護層15を形
成し、光ディスクを作製した(図5参照)。
After that, the heat insulating layer and the light emitting layer were patterned by Ar gas dry etching to form the heat insulating layer 10 'and the light emitting layer 3 which were scattered. Further, a heat insulating layer 10 'made of ZnS-SiO 2 on the approximately 100n
It was formed with a thickness of m. Finally, an epoxy resin was applied onto this by a roll coater and cured to form a protective layer 15, and an optical disk was manufactured (see FIG. 5).

【0035】アモルファスSi(発光層の材料)からな
る発光層3からの発光は、図2に示すような温度特性を
示した。この光ディスクの再生装置は、回転系、再生用
レーザー光源、再生系及びそれらの光学系からなる。光
源16は、λ=532nm の2次高調波レーザー、及び開口率
(NA)=0.5 の集光レンズ等の光学系からなる。
The light emission from the light emitting layer 3 made of amorphous Si (the material of the light emitting layer) showed the temperature characteristics as shown in FIG. This optical disk reproducing apparatus comprises a rotating system, a reproducing laser light source, a reproducing system and their optical systems. The light source 16 comprises an optical system such as a second harmonic laser with λ = 532 nm and a condenser lens with an aperture ratio (NA) = 0.5.

【0036】再生系は、フォトディテクター23及びフォ
トディテクターに光を送るための光学系よりなる。前記
光ディスクを回転系によって回転し、光源16からの読み
出し光14を集光レンズ1により集光して、光ディスク2
上の発光層3に照射した。この時、発光層3からの発光
された光5は、約700〜約1000nmの波長域でブ
ロードな分散を示した。短波長カットフィルター(光学
フィルター22の一例)をフォトディテクター23の前に配
置することにより、読み出し光14の反射光12との分離が
行え、長波長の発光5のみを検出することができた。読
み出しの光学系の概略を図6に示す。
The reproducing system comprises a photodetector 23 and an optical system for sending light to the photodetector. The optical disk is rotated by a rotating system, the reading light 14 from the light source 16 is condensed by the condenser lens 1, and the optical disk 2
The upper light emitting layer 3 was irradiated. At this time, the light 5 emitted from the light emitting layer 3 showed a broad dispersion in the wavelength range of about 700 to about 1000 nm. By disposing a short wavelength cut filter (an example of the optical filter 22) in front of the photodetector 23, the read light 14 can be separated from the reflected light 12, and only the long wavelength light emission 5 can be detected. An outline of the reading optical system is shown in FIG.

【0037】読み出し光14のフォーカシングは、反射光
のビーム形状による最適化制御で行い、トラッキング
は、マーク列からの回折光(プッシュプル信号)によっ
て行った。回折限界から読み出し光14のスポット4の径
が決まり、約1μmであった。尚、スポット4が、ディ
スク上を7m/sec の定線速度で移動するように光ディ
スクを回転させて、読み出しを行った。
Focusing of the reading light 14 is performed by optimization control based on the beam shape of the reflected light, and tracking is performed by diffracted light (push-pull signal) from the mark row. The diameter of the spot 4 of the readout light 14 was determined from the diffraction limit and was about 1 μm. The optical disk was rotated so that the spot 4 moved on the disk at a constant linear velocity of 7 m / sec, and reading was performed.

【0038】情報の読み出しにおいて、回折限界まで集
光させた読み出し光14のスポット4の強度はガウス分布
を示し、この強度分布に対応した温度(高温)分布とな
ったが、回転ディスク上では、その高温分布を示す領域
はディスクが回転しているので、後方に少しずれた(図
1の分布7参照)。従って、スポット内は、高温分布領
域に対応した高温領域とそれ以外の低温領域に分かれ
た。
In the reading of information, the intensity of the spot 4 of the read light 14 focused to the diffraction limit has a Gaussian distribution and has a temperature (high temperature) distribution corresponding to this intensity distribution, but on the rotating disk, Since the disk is rotating, the region showing the high temperature distribution is slightly shifted backward (see distribution 7 in FIG. 1). Therefore, the spot was divided into a high temperature region corresponding to the high temperature distribution region and a low temperature region other than the high temperature region.

【0039】発光層3の発光材料として、検出する波長
域の光強度が温度上昇により大きく減少する材料(アモ
ルファスSi)を用いているので、読み出し光照射時に
スポット内の高温領域にある発光層(情報単位)3aか
らの発光は、極めて小さくなった。一方、スポット内の
低温領域にある発光層(情報単位)3bからの発光5は
高温領域にある発光層(情報単位)3aからの発光より
も、はるかに大きなものとなった。
As the light emitting material of the light emitting layer 3, a material (amorphous Si) whose light intensity in the wavelength range to be detected greatly decreases due to temperature rise is used. The light emission from the information unit 3a was extremely small. On the other hand, the light emission 5 from the light emitting layer (information unit) 3b in the low temperature region in the spot was much larger than the light emission from the light emitting layer (information unit) 3a in the high temperature region.

【0040】そのため、スポット内の低温領域にある情
報単位3bだけを識別して、読みだすことができた。ま
た、高温領域にある発光層(情報単位)3aからの発光
と、低温領域にある発光層(情報単位)3bからの発光
5とで、強度に大きな差があるので、大きなC/N比で
読み出しができた。このようにして、読み出し光14のス
ポット4の径よりも小さい情報単位(マーク長0.25μ
m、マーク間隔0.25μm)を読み出すことができた。読
み出し時のC/N比は、レーザーパワー6mWで50d
B以上であった。尚、レーザーパワー2mWでの読み出
しでは、C/N比は40dB程度であり、読み出し光パ
ワーの差に伴う発光層3の温度差により、C/N比が変
化することが確認できた。
Therefore, only the information unit 3b in the low temperature region within the spot could be identified and read. Further, since there is a large difference in intensity between the light emission from the light emitting layer (information unit) 3a in the high temperature region and the light emission 5 from the light emitting layer (information unit) 3b in the low temperature region, a large C / N ratio is obtained. I was able to read it. In this way, an information unit smaller than the diameter of the spot 4 of the reading light 14 (mark length 0.25 μm
m, the mark interval was 0.25 μm). The C / N ratio during reading is 50d at a laser power of 6mW.
It was B or more. In the reading with the laser power of 2 mW, the C / N ratio was about 40 dB, and it was confirmed that the C / N ratio changed due to the temperature difference of the light emitting layer 3 due to the difference in the reading light power.

【0041】[0041]

【実施例2】実施例1と同一種類の基板2上に、スパッ
タリングにより、ZnS−SiO2からなる断熱層10'
を約50nmの厚さで形成した後、約50nmの厚さの
Al層を同様に形成した。この上にフォトレジストを塗
布してプリベーキングした後、KrFエキシマレーザ
(波長249nm)を光源とする露光装置と信号原版と
を使用して、記録すべき情報の「1」,「0」(マーク
長0.25μm、マーク間隔0.25μm)に対応するように露
光した。その後、ArガスドライエッチングでAl層だ
けをパターニングして点在するAl層(光反射層11の一
例)を形成した。
On the Example 2 Example 1 and the same type of substrate 2 by sputtering, the insulating layer 10 made of ZnS-SiO 2 '
Was formed to a thickness of about 50 nm, and then an Al layer having a thickness of about 50 nm was similarly formed. After applying a photoresist on this and pre-baking, an exposure apparatus using a KrF excimer laser (wavelength 249 nm) as a light source and a signal original plate are used to record "1" and "0" (marks) of information to be recorded. Exposure was performed so as to correspond to a length of 0.25 μm and a mark interval of 0.25 μm). After that, only the Al layer was patterned by Ar gas dry etching to form an interspersed Al layer (an example of the light reflection layer 11).

【0042】この上にアモルファスSiからなる発光層
3をスパッタリングにより、約100nm形成し、その
上にZnS−SiO2 からなる断熱層10' を同様に約1
00nm形成した。最後にエポキシ樹脂をロールコータ
により塗布した後、硬化させて保護層15を形成し、光デ
ィスクを完成した(図7参照)。
[0042] By sputtering a light emitting layer 3 of amorphous Si on the about to 100nm form, about the heat insulating layer 10 'made of ZnS-SiO 2 thereon similarly 1
Was formed to a thickness of 00 nm. Finally, an epoxy resin was applied by a roll coater and then cured to form a protective layer 15, thus completing an optical disc (see FIG. 7).

【0043】この光ディスクでも、実施例1と同様に、
読み出し光14のスポット4の径よりも小さい情報単位
(マーク長0.25μm、マーク間隔0.25μm)を読み出す
ことができた。読み出し時のC/N比は、レーザーパワ
ー6mWで50dB以上であった。
Also in this optical disc, as in the first embodiment,
An information unit (mark length 0.25 μm, mark interval 0.25 μm) smaller than the diameter of the spot 4 of the reading light 14 could be read. The C / N ratio at the time of reading was 50 dB or more at a laser power of 6 mW.

【0044】[0044]

【実施例3】実施例1と同一種類の基板2上に、スパッ
タリングにより、ZnS−SiO2からなる断熱層10'
を約50nmの厚さで形成した後、約50nmの厚さの
Al層を同様に形成した。この上にフォトレジストを塗
布してプリベーキングした後、KrFエキシマレーザ
(波長249nm)を光源とする露光装置と信号原版と
を使用して、記録すべき情報の「1」,「0」(マーク
長0.4 μm、マーク間隔0.4 μm)に対応するように露
光した。その後、ArガスドライエッチングでAl層だ
けをパターニングして点在するAl層((光反射層11の
一例)を形成した。
[Embodiment 3] A heat insulating layer 10 ′ made of ZnS—SiO 2 is formed on a substrate 2 of the same type as in Embodiment 1 by sputtering.
Was formed to a thickness of about 50 nm, and then an Al layer having a thickness of about 50 nm was similarly formed. After applying a photoresist on this and pre-baking, an exposure apparatus using a KrF excimer laser (wavelength 249 nm) as a light source and a signal original plate are used to record "1" and "0" (marks) of information to be recorded. Exposure was performed so that the length was 0.4 μm and the mark spacing was 0.4 μm. After that, only the Al layer was patterned by Ar gas dry etching to form an interspersed Al layer ((one example of the light reflection layer 11)).

【0045】この上に蛍光体である、ZnSにTeをド
ープ(1atom%)したものからなる発光層3をスパ
ッタリングにより、約100nm形成した。この発光層
3は半導体レーザー(780nm)照射により、Teを
青色の発光中心として、400〜500nmにピークを
持つ発光を示した。また加熱すると、100°C付近で
発光強度が急激に低下した。
On this, a light emitting layer 3 made of ZnS doped with Te (1 atom%), which is a phosphor, was formed to a thickness of about 100 nm by sputtering. This light emitting layer 3 showed light emission having a peak at 400 to 500 nm with Te as a blue light emission center when irradiated with a semiconductor laser (780 nm). Further, when heated, the emission intensity drastically decreased around 100 ° C.

【0046】さらに、この上にZnS−SiO2 からな
る断熱層10' を100nm、またAl層(光反射層11の
一例)を60nm、スパッタリングにより形成した。最
後にエポキシ樹脂をロールコータにより塗布した後、硬
化させて保護層15を形成して、光ディスクを完成した
(図8参照)。この光ディスクでは、半導体レーザーを
光源とする波長780nm、開口数0.5 の光学系を用い
て集光した読み出し光16を照射し、スポットが7m/s
ecの定線速度で移動するように光ディスクを回転させ
て、読み出しを行った。
[0046] Furthermore, to form a heat insulating layer 10 'made of ZnS-SiO 2 on the 100 nm, also (an example of a light reflecting layer 11) 60 nm Al layer by sputtering. Finally, an epoxy resin was applied by a roll coater and then cured to form a protective layer 15, thus completing an optical disc (see FIG. 8). This optical disc is irradiated with the reading light 16 condensed using an optical system having a wavelength of 780 nm and a numerical aperture of 0.5 with a semiconductor laser as a light source, and the spot is 7 m / s.
Reading was performed by rotating the optical disk so as to move at a constant linear velocity of ec.

【0047】読み出し光照射により発光層3から発光さ
れた500nm付近の光を、長波長カットフィルター
(光学フィルター23の一例)を前に配置したフォトディ
テクター28により検出した。また、フォーカシング及び
トラッキングの最適化制御は、実施例1と同様にして行
った。このようにして、読み出し光14のスポット4の径
よりも小さい情報単位(マーク長0.4 μm、マーク間隔
0.4 μm)を読み出すことができた。読み出し時のC/
N比は、レーザーパワー4mWで55dB以上であっ
た。尚、レーザーパワー2mWでの読み出しでは、C/
N比は45dB程度であり、読み出し光パワーの差に伴
う発光層3の温度差により、C/N比が変化することが
確認できた。
The light around 500 nm emitted from the light emitting layer 3 by the irradiation of the reading light was detected by the photodetector 28 having a long wavelength cut filter (an example of the optical filter 23) arranged in front. The focusing and tracking optimization controls were performed in the same manner as in Example 1. In this way, an information unit smaller than the diameter of the spot 4 of the reading light 14 (mark length 0.4 μm, mark interval
0.4 μm) could be read. C / when reading
The N ratio was 55 dB or more at a laser power of 4 mW. When reading with a laser power of 2 mW, C /
The N ratio was about 45 dB, and it was confirmed that the C / N ratio changed due to the temperature difference of the light emitting layer 3 due to the difference in the read light power.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上、詳しく説明したように、本発明に
よれば、光源や光学系を変えることなく、スポット径よ
りも小さい情報単位を識別できる。それにより、装置を
大型化、高価格化しないで、記録密度を増大することが
できる。また、本発明によれば、再生信号のC/N比を
向上させることができる。
As described above in detail, according to the present invention, an information unit smaller than the spot diameter can be identified without changing the light source or the optical system. Thereby, the recording density can be increased without increasing the size and cost of the device. Further, according to the present invention, the C / N ratio of the reproduced signal can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】は、本発明にかかる光ディスク(発光層3を部
分的に設けた場合)の読み出し原理を示す説明図(上:
光ディスクの概略断面図、中:光ディスクの概略平面
図、下:光ディスク上の温度分布図)である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing the reading principle of an optical disc according to the present invention (when the light emitting layer 3 is partially provided) (top:
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical disc, middle: a schematic plan view of the optical disc, and bottom: a temperature distribution diagram on the optical disc).

【図2】は、本発明にかかる光ディスクの発光層3から
の発光強度の温度特性の一例を示すデータ図である。
FIG. 2 is a data diagram showing an example of temperature characteristics of light emission intensity from the light emitting layer 3 of the optical disc according to the present invention.

【図3】は、本発明にかかる光ディスクの一例(発光層
3の周囲に熱反射層10又は断熱層10' を設けた場合)を
示す概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of an optical disc according to the present invention (when the heat reflection layer 10 or the heat insulation layer 10 ′ is provided around the light emitting layer 3).

【図4】は、本発明にかかる光ディスクの一例(発光層
3の読み出し光照射側と反対側に光反射層11を設けた場
合)を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of an optical disc according to the present invention (in the case where a light reflection layer 11 is provided on the side opposite to the reading light irradiation side of the light emitting layer 3).

【図5】は、実施例1の光ディスクを示す概略断面図で
ある。
5 is a schematic cross-sectional view showing an optical disc of Example 1. FIG.

【図6】は、本発明の光ディスクにかかる読み出しの光
学系を示す概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a reading optical system according to the optical disc of the present invention.

【図7】は、実施例2の光ディスクを示す概略断面図で
ある。
FIG. 7 is a schematic sectional view showing an optical disc of Example 2.

【図8】は、実施例3の光ディスクを示す概略断面図で
ある。
FIG. 8 is a schematic sectional view showing an optical disc of Example 3.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・集光レンズ 2・・・光ディスク基板 3・・・発光層 3a・・スポット4内で高温となる発光層 3b・・スポット4内で高温とならない発光層 4・・・読み出し光スポット 5・・・発光層からの発光 6・・・読み出し光スポットの移動方向 7・・・光ディスク上の温度分布 8・・・アモルファスSiからなる発光層からの発光の
分光強度(25°C) 9・・・アモルファスSiからなる発光層からの発光の
分光強度(200 °C) 10・・・熱反射層 10' ・・断熱層 11・・・光反射層 12・・・読み出し光の反射光 13・・・発光した光の反射光 14・・・読み出し光 15・・・保護層(例えば、エポキシ樹脂) 16・・・読み出し光の光源(例えば、半導体レーザー) 17・・・ビームスプリッター 18・・・分割フォトセンサー(最適化駆動用) 19・・・最適化駆動用回路 20・・・フォーカシングの最適化駆動 21・・・トラッキングの最適化駆動 22・・・光学フィルター(例えば、短波長カットフィル
ター) 23・・・フォトディテクター(発光検出用) 24・・・ディスクの移動方向 T・・・トラック 以 上
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Condensing lens 2 ... Optical disc substrate 3 ... Emitting layer 3a ... Emitting layer that becomes hot in spot 4 3b ... Emitting layer that does not become hot in spot 4 4 ... Readout light spot 5 ... Emission from light emitting layer 6 ... Moving direction of read-out light spot 7 ... Temperature distribution on optical disc 8 ... Spectral intensity of light emission from light emitting layer made of amorphous Si (25 ° C.) 9 ... Spectral intensity of light emitted from light emitting layer made of amorphous Si (200 ° C) 10 ... Heat reflection layer 10 '... Heat insulation layer 11 ... Light reflection layer 12 ... Reflected light of readout light 13・ ・ ・ Reflected light of emitted light 14 ・ ・ ・ Read light 15 ・ ・ ・ Protective layer (eg epoxy resin) 16 ・ ・ ・ Light source of read light (eg semiconductor laser) 17 ・ ・ ・ Beam splitter 18 ・ ・・ Split photo sensor (for optimized drive) 1 9 ・ ・ ・ Optimization drive circuit 20 ・ ・ ・ Optimization drive for focusing 21 ・ ・ ・ Optimization drive for tracking 22 ・ ・ ・ Optical filter (for example, short wavelength cut filter) 23 ・ ・ ・ Photo detector (Emission detection) 24) Disc movement direction T ... Track or above

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丹羽 達雄 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tatsuo Niwa 3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Inside Nikon

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上のトラックに沿って、読み出し光
照射により該読み出し光とは異なる波長の光を温度に依
存する強度で発光する発光層を点在させ、この発光層を
情報単位として、この情報単位の有無または長さによっ
て情報を表すことを特徴とする再生専用の光ディスク。
1. A light emitting layer, which emits light having a wavelength different from that of the reading light at a temperature-dependent intensity upon irradiation of the reading light, is scattered along a track on a substrate, and the light emitting layer is used as an information unit. A read-only optical disc characterized in that information is represented by the presence or absence or length of this information unit.
【請求項2】 基板上に、読み出し光照射により該読み
出し光とは異なる波長の光を温度に依存する強度で発光
する発光層を全面的に設け、該発光層の読み出し光照射
側に、トラックに沿って光反射層または光吸収層を点在
させ、これらの光反射層または光吸収層を情報単位とし
て、この情報単位の有無または長さによって情報を表す
ことを特徴とする再生専用の光ディスク。
2. A light emitting layer, which emits light having a wavelength different from that of the read light at a temperature-dependent intensity when the read light is irradiated, is entirely provided on the substrate, and the track is provided on the read light irradiated side of the light emitting layer. A read-only optical disc characterized in that a light-reflecting layer or a light-absorbing layer is scattered along a line, and these light-reflecting layers or light-absorbing layers are used as information units to represent information by the presence or absence or length of the information units .
【請求項3】 前記発光層の読み出し光照射側及び/又
はその反対側、又は周辺に、熱反射層を設けたことを特
徴とする請求項1又は2記載の光ディスク。
3. The optical disk according to claim 1, wherein a heat reflection layer is provided on the read light irradiation side of the light emitting layer and / or on the side opposite thereto or on the periphery thereof.
【請求項4】 前記発光層の読み出し光照射側及び/又
はその反対側、又は周辺に、断熱層を設けたことを特徴
とする請求項1又は2記載の光ディスク。
4. The optical disk according to claim 1, wherein a heat insulating layer is provided on the side of the light emitting layer on which the reading light is irradiated and / or on the side opposite thereto or on the periphery thereof.
【請求項5】 前記発光層の読み出し光照射側とは反対
側に光反射層を設けたことを特徴とする請求項1乃至4
記載の光ディスク。
5. A light reflecting layer is provided on the side of the light emitting layer opposite to the side on which the readout light is irradiated.
The described optical disc.
【請求項6】 読み出し光照射側とは反対側に設けた前
記熱反射層又は断熱層が光反射層を兼ねていることを特
徴とする請求項3又は4記載の光ディスク。
6. The optical disk according to claim 3, wherein the heat reflecting layer or the heat insulating layer provided on the side opposite to the side where the reading light is irradiated also serves as a light reflecting layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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