JP2549426B2 - Optical memory device - Google Patents
Optical memory deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ビームにより情報を記録、再生、若しく
は消去を行うことができ、持ち運び等が可能な高密度大
容量メモリ媒体として注目されている光メモリ素子に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention has attracted attention as a high-density and large-capacity memory medium capable of recording, reproducing, or erasing information by a light beam and being portable. The optical memory device.
光メモリ素子によって情報の記録、再生、若しくは消
去を行うためには、半導体レーザ光等の光ビームを用い
るが、そのための機構として、上記の半導体レーザ、こ
の半導体レーザのレーザ光を集光して光メモリ素子の記
録面上に照射するためのレンズ系、および上記記録面か
らの返り光量を検出する光検出器などで構成された光ピ
ックアップが知られている。ただ、この光ピックアップ
は、光メモリ素子に対して２次元的に高速で移動させる
必要があるため、記録面上の所定位置にレーザ光スポッ
トを高精度で位置決めすることは甚だ困難である。A light beam such as a semiconductor laser light is used for recording, reproducing, or erasing information by an optical memory element. As a mechanism therefor, the semiconductor laser described above and an optical memory for collecting the laser light of the semiconductor laser are used. 2. Description of the Related Art There is known an optical pickup including a lens system for irradiating a recording surface of an element and a photodetector for detecting the amount of returning light from the recording surface. However, since this optical pickup needs to be two-dimensionally moved at high speed with respect to the optical memory element, it is very difficult to position the laser light spot at a predetermined position on the recording surface with high accuracy.
そこで、光メモリ素子を円板状に形成し、光メモリ素
子自体を回転させながら、上記の光ピックアップを光メ
モリ素子の半径方向に１次元的に移動させることによ
り、円板状の光メモリ素子に対し情報の記録、再生、若
しくは消去を行わせるのが通例となっている。Therefore, the optical memory element is formed in a disc shape, and the optical pickup is moved one-dimensionally in the radial direction of the optical memory element while rotating the optical memory element itself, so that information can be transferred to the disc-shaped optical memory element. It is customary to record, reproduce, or erase.
そして、このような円板状をなす光メモリ素子におい
て、第５図に示すように、透明基板13の一方の面には、
レーザ光を案内するための多数の案内溝15…が同心円状
若しくは螺旋状に設けられており、これら案内溝15…の
形成されている面上の全域に光記録膜14が形成される。
そして、基板13の他方の面側から、対物レンズ11で集光
されたレーザ光12を記録溝16（レーザ光照射側から見る
と凸部）に照射することにより情報の記録、再生、若し
くは消去を行うことができるようになっている。上記案
内溝15…は、上述の通り、集光されたレーザ光を案内し
てそのスポット位置制御を正確に行って所定の位置に情
報を記録したり、記録されている情報を再生したりする
ためのものである。そのため、第６図に示すように、記
録溝16の一部を断続させてピット列部分17を形成し、こ
のピット列部分17の各ピット17aの長さや形成位置で記
録溝16の番地を指定しておくのが一般的である。すなわ
ち、従来の光メモリ素子においては、透明基板13上には
凹凸によって案内溝15やピット列部分17が形成されてお
り、光記録膜14は上記凹凸の形成されている面側一面に
連続して形成されるのが通例であった。Then, in such a disc-shaped optical memory element, as shown in FIG.
A large number of guide grooves 15 for guiding the laser light are provided concentrically or spirally, and the optical recording film 14 is formed on the entire surface on which the guide grooves 15 are formed.
Information is recorded, reproduced, or erased by irradiating the recording groove 16 (the convex portion when viewed from the laser beam irradiation side) with the laser beam 12 condensed by the objective lens 11 from the other surface side of the substrate 13. To be able to do. As described above, the guide groove 15 guides the condensed laser beam to precisely control the spot position to record information at a predetermined position or reproduce recorded information. It is for. Therefore, as shown in FIG. 6, a part of the recording groove 16 is intermittently formed to form a pit row portion 17, and the address of the recording groove 16 is designated by the length and forming position of each pit 17a of the pit row portion 17. It is common to keep it. That is, in the conventional optical memory device, the guide groove 15 and the pit row portion 17 are formed on the transparent substrate 13 by unevenness, and the optical recording film 14 is continuously formed on the entire surface side where the unevenness is formed. It was usually formed.
ところが、このような光メモリ素子において、これを
駆動する実際の光メモリドライブ装置では、これら装置
間の記録時のレーザ出力にばらつきがあり、或る装置で
記録する場合と他の装置で記録する場合とでは、記録レ
ーザ出力が異なることがしばしば起こる。このように、
情報の記録時に使用するレーザ光の出力が、予め想定し
ておいた出力よりも大きいと、第７図に示すように、記
録溝16上の光記録膜14上に記録される記録ビット18が、
その両脇の案内溝15・15上の光記録膜14にも広がり、こ
のために或る記録溝16上の光記録膜14上を走査している
ときにその隣の記録溝16上における光記録膜14上の信号
を拾ってしまう、所謂クロストークの問題を生じがちと
なる。However, in such an optical memory device, in an actual optical memory drive device that drives the optical memory device, there is variation in laser output during recording between these devices, and there are cases where recording is performed by one device and when recording by another device. In this case, the recording laser output often differs. in this way,
If the output of the laser light used for recording information is larger than the output assumed in advance, the recording bit 18 recorded on the optical recording film 14 on the recording groove 16 will be recorded as shown in FIG. ,
The light also spreads over the optical recording film 14 on the guide grooves 15 and 15 on both sides thereof, so that when scanning on the optical recording film 14 on a certain recording groove 16, the light on the adjacent recording groove 16 is A problem of so-called crosstalk that tends to pick up signals on the recording film 14 tends to occur.
なお、特開昭57−7482号公報において、垂直磁化膜を
帯状に形成し、その背後に透明誘電体膜と平坦な反射膜
とを設けた構造が提案されているが、このような構造で
は、光記録膜を構成する上記の反射膜が帯状ではなく平
坦につながっているため、上記の帯状垂直磁化膜に光ビ
ームを照射したとき、この垂直磁化膜からはみ出した光
ビームが上記の反射膜にて反射され、この反射光が帯状
垂直磁化膜にて反射された光磁気信号を含む反射光と干
渉して信号品質を劣化させるという欠点を有している。Incidentally, in Japanese Patent Laid-Open No. 57-7482, there is proposed a structure in which a perpendicular magnetization film is formed in a band shape and a transparent dielectric film and a flat reflection film are provided behind it. Since the reflection film constituting the optical recording film is connected in a flat form instead of a strip form, when the strip-shaped perpendicular magnetization film is irradiated with a light beam, the light beam protruding from the perpendicular magnetization film is the reflection film described above. However, there is a drawback that the reflected light interferes with the reflected light containing the magneto-optical signal reflected by the strip-shaped perpendicular magnetization film and deteriorates the signal quality.
本発明に係る光メモリ素子は、上記課題を解決するた
めに、透明基板上に、少なくとも第１の透明誘電体膜、
光磁気用垂直磁化膜、第２の透明誘電体膜及び反射膜を
順次形成した多層構造を成す光記録膜が帯状に形成され
ており、且つ、隣合う光記録膜同士の間には、光記録膜
よりも熱伝導性の低い低熱伝導部が介在されていること
を特徴としている。In order to solve the above problems, an optical memory device according to the present invention has at least a first transparent dielectric film on a transparent substrate,
An optical recording film having a multilayer structure in which a perpendicular magnetization film for magneto-optical, a second transparent dielectric film and a reflective film are sequentially formed is formed in a band shape, and an optical recording film is formed between adjacent optical recording films. It is characterized in that a low thermal conductive portion having a lower thermal conductivity than the recording film is interposed.
上記の構成によれば、隣合う帯状の光記録膜の間に、
光記録膜よりも熱伝導性の低い低熱伝導部が介在されて
いるので、情報の記録時に使用するレーザ光の出力が予
め想定しておいた出力よりも大きい場合でも、光記録膜
上に記録される記録ビットの広がりは一つの帯の光記録
膜の範囲内で止まり、隣接する光記録膜にまで広がるこ
とはない。よって、或る光記録膜上を走査しているとき
にその隣の光記録膜上の信号を拾ってしまうクロストー
クの問題を解消することができる。According to the above configuration, between the adjacent strip-shaped optical recording films,
Since the low thermal conductive part, which has lower thermal conductivity than the optical recording film, is interposed, even if the output of the laser beam used for recording information is larger than the expected output, the recording is performed on the optical recording film. The spread of the recorded bits is stopped within the range of one band of the optical recording film and does not spread to the adjacent optical recording film. Therefore, it is possible to solve the problem of crosstalk in which a signal on the optical recording film adjacent to the optical recording film is picked up while scanning the optical recording film.
しかも、上記の光記録膜は、少なくとも第１の透明誘
電体膜、光磁気用垂直磁気膜、第２の透明誘電体膜及び
反射膜から成る多層構造であり、そして、その多層構造
の全体が帯状に形成されている。これにより、少なくと
も垂直磁化膜と反射膜とは互いにほぼ同一の幅寸法で相
互に重なり合っていることから、光記録膜に再生用の光
ビームを照射したとき、反射膜での反射は、垂直磁化膜
を透過した光に限定される。すなわち、垂直磁化膜から
はみ出した光ビームが上記の反射膜にて反射されること
はない。したがって、垂直磁化膜にて反射した光磁気信
号を含む反射光に、垂直磁化膜からはみ出した領域での
光ビームの反射光が干渉することがないので、これに起
因する信号品質の劣化が防止される。Moreover, the above-mentioned optical recording film has a multilayer structure including at least a first transparent dielectric film, a perpendicular magnetic film for magneto-optical use, a second transparent dielectric film and a reflective film, and the entire multilayer structure is It is formed in a band shape. As a result, at least the perpendicular magnetization film and the reflection film overlap each other with almost the same width dimension. Therefore, when the optical recording film is irradiated with the reproduction light beam, the reflection on the reflection film is caused by the perpendicular magnetization film. Limited to light transmitted through the membrane. That is, the light beam protruding from the perpendicular magnetization film is not reflected by the reflection film. Therefore, the reflected light including the magneto-optical signal reflected by the perpendicular magnetic film does not interfere with the reflected light of the light beam in the area protruding from the perpendicular magnetic film, so that the deterioration of the signal quality due to this is prevented. To be done.
〔実施例１〕 本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。[Embodiment 1] The following will describe one embodiment of the present invention with reference to FIG. 1 and FIG.
本発明に係る、例えば光磁気メモリ素子において、第
１図に示すように、ガラスなどの透明基板１の一方の面
上には光記録膜２…が帯状に形成されている。従って、
光磁気メモリ素子がディスク状に形成されていれば、螺
旋状若しくは同心円状に形成されることになり、またカ
ード状に形成されていれば縞状に形成されることにな
る。上記の透明基板１上および光記録膜２…上には透明
接着剤層３が被覆されており、この透明接着剤層３によ
り、隣合う光記録膜２・２同士の間には、この光記録膜
２よりも熱伝導性の低い部位として機能する低熱伝導部
3aが形成される。また、上記の透明接着剤層３によって
透明保護基板４が接着されていて、上記の光記録膜２…
を湿気や酸素などから保護するようになっている。In a magneto-optical memory device according to the present invention, as shown in FIG. 1, an optical recording film 2 is formed in a strip shape on one surface of a transparent substrate 1 such as glass. Therefore,
If the magneto-optical memory element is formed in a disk shape, it will be formed in a spiral shape or concentric shape, and if it is formed in a card shape, it will be formed in a striped shape. A transparent adhesive layer 3 is coated on the transparent substrate 1 and the optical recording film 2 ... By the transparent adhesive layer 3, the light is applied between adjacent optical recording films 2 and 2. A low heat conducting portion that functions as a portion having lower heat conductivity than the recording film 2.
3a is formed. Further, the transparent protective substrate 4 is adhered by the transparent adhesive layer 3, and the optical recording film 2 ...
Is designed to protect the unit from moisture and oxygen.
上記の光記録膜２は、第２図にも示すように、多層構
造で形成されており、基板１側（レーザ光の入射側）か
ら、第１透明誘電体５、光磁気用垂直磁化膜６、第２透
明誘電体７、反射膜８の順で形成されている。上記の第
１透明誘電体５及び第２透明誘電体７の材料としては、
AlN等の窒化膜が用いられる。このAlN膜は熱伝導率が2W
/cm・deg程度と非常に大きいので、従来のように光記録
膜２・２同士が繋がっていると、AlN膜を介して隣接す
るトラック部へ熱が逃げるようになる。光磁気用垂直磁
化膜６は、基板１に対して垂直な方向に磁化容易軸を持
つもので、例えば、GdTbFe系、TbFeCo系、DyFeCo系、Nd
DyFeCo系、NdTbTbFeCo系、GdDyFe系、MnBi系、又はMnBi
Cu系などの材料が用いられる。また、上記の反射膜８は
垂直磁化膜６のカー回転角を増大するためのものであ
る。As shown in FIG. 2, the optical recording film 2 is formed in a multi-layer structure. From the substrate 1 side (laser light incident side), the first transparent dielectric 5 and the magneto-optical perpendicular magnetization film are formed. 6, the second transparent dielectric 7 and the reflective film 8 are formed in this order. The materials for the first transparent dielectric 5 and the second transparent dielectric 7 are:
A nitride film such as AlN is used. This AlN film has a thermal conductivity of 2W
Since it is very large at about / cm · deg, if the optical recording films 2 and 2 are connected as in the conventional case, heat will escape to the adjacent track portion via the AlN film. The magneto-optical perpendicular magnetization film 6 has an easy axis of magnetization in a direction perpendicular to the substrate 1. For example, GdTbFe-based, TbFeCo-based, DyFeCo-based, Nd
DyFeCo system, NdTbTbFeCo system, GdDyFe system, MnBi system, or MnBi system
Cu-based materials are used. Further, the reflection film 8 is for increasing the Kerr rotation angle of the perpendicular magnetization film 6.
但し、上記の反射膜８としてAl等を用いる場合、この
Al膜の熱伝導率は上記のAlN膜と同程度であり、またAlN
膜とAl膜が積層されているため熱の伝わり方が著しく、
光記録膜２の多層構造はレーザ光から付与された熱が逃
げ易い構造となる。However, when Al or the like is used as the reflective film 8 described above,
The thermal conductivity of the Al film is similar to that of the AlN film above.
Since the film and Al film are laminated, the heat transfer is remarkable,
The multi-layer structure of the optical recording film 2 is a structure in which heat applied from the laser light can easily escape.
しかし、上記の構成によれば、たとえ、情報の記録時
に使用するレーザ光の出力が、予め想定しておいた出力
よりも大きい場合でも、上記の低熱伝導部3aの介在によ
り、光記録膜２上に記録される記録ビット（図示せず）
の広がりは一つの帯状光記録膜２の範囲内で止まり、隣
接する光記録膜２・２にまで広がることはない。ここで
透明接着剤層３として低熱伝導性のものが使用され（透
明接着剤として熱伝導率が10-3W/cm・degのレベルのも
のが市販されており、これによれば、上記のAlN膜、Al
膜に比して数千分の１の低熱伝導性が得られる）、これ
によって、熱の伝播を防止できる。よって、或る光記録
膜上を走査しているときにその隣の光記録膜上の信号を
拾ってしまうクロストークの問題を解消することができ
る。また、光記録膜２が帯状をなす以上、この光記録膜
を構成する反射膜８等も一緒に帯状をなすのだから、反
射膜８が平坦に一面に広がっていることに起因する信号
品質の劣化を防止することができる。However, according to the above configuration, even if the output of the laser beam used for recording the information is larger than the output assumed in advance, the optical recording film 2 can be formed by the interposition of the low thermal conductive portion 3a. Recording bits recorded on top (not shown)
Spreads within the range of one band-shaped optical recording film 2 and does not spread to the adjacent optical recording films 2.2. Here, a transparent adhesive layer 3 having a low thermal conductivity is used (a transparent adhesive having a thermal conductivity of 10 −3 W / cm · deg is commercially available. AlN film, Al
It provides a low thermal conductivity which is several thousand times lower than that of a film), which prevents the propagation of heat. Therefore, it is possible to solve the problem of crosstalk in which a signal on the optical recording film adjacent to the optical recording film is picked up while scanning the optical recording film. In addition, since the optical recording film 2 has a strip shape, the reflective film 8 and the like that compose the optical recording film also have a strip shape. It is possible to prevent deterioration.
また、本実施例では、光記録膜２の両隣はこの光記録
膜２よりも透明であることにより、光記録膜２自身が光
ビームを案内するための案内溝として機能することがで
き、さらに、この帯状をなす光記録膜２を断続してピッ
ト化し、アドレス情報とすることができるから、透明基
板１に対し凹凸を形成する手間が省けることになり、光
磁気メモリ素子の製造コストを大幅に低減することがで
きる。なお、透明接着剤層３として紫外線硬化樹脂を用
いれば、この紫外線硬化樹脂が透明基板１とほぼ同等の
屈折率を有するので、基板１と接着剤層３との境界面で
の光の反射を抑えて信号品質の向上を図ることができ
る。Further, in this embodiment, since both sides of the optical recording film 2 are more transparent than the optical recording film 2, the optical recording film 2 itself can function as a guide groove for guiding the light beam. Since the band-shaped optical recording film 2 can be intermittently formed into pits and used as address information, it is possible to save the labor of forming irregularities on the transparent substrate 1 and significantly reduce the manufacturing cost of the magneto-optical memory element. Can be reduced to If an ultraviolet curable resin is used as the transparent adhesive layer 3, this ultraviolet curable resin has a refractive index almost equal to that of the transparent substrate 1, so that the reflection of light at the interface between the substrate 1 and the adhesive layer 3 is prevented. It is possible to suppress and improve the signal quality.
〔実施例２〕 本発明の他の実施例を第３図に基づいて説明する。な
お、第１実施例と同様の機能を有する部材には同一の符
号を付記してその説明を省略する。[Second Embodiment] Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The members having the same functions as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
本実施例の光メモリ素子において、透明基板１と透明
保護基板４との間には端部スペーサ９・９が介設されて
おり、これら端部スペーサ９・９によって空気の充填さ
れた空隙部10が形成されている。そして、この空隙部10
における光記録膜２・２間に位置する部分が低熱伝導部
10aを形成している。ここで、空気の熱伝導率は10-4W/c
m・degであり、前述した透明接着剤層３の場合より、更
に１桁熱伝導性が悪いので、一層効果的である。In the optical memory device of the present embodiment, end spacers 9 and 9 are provided between the transparent substrate 1 and the transparent protective substrate 4, and the voids 10 filled with air by these end spacers 9 and 9. Are formed. And this void 10
The portion located between the optical recording films 2 and 2 has a low heat conduction part.
Forming 10a. Where the thermal conductivity of air is 10 -4 W / c
It is m · deg, which is more effective than the case of the transparent adhesive layer 3 described above, because the heat conductivity is one digit lower.
以上の構成によっても、記録レーザ光出力の大小の相
違に起因する記録ビットのはみ出し、およびこれに起因
するクロストークを防止することができる。なお、上記
の空隙部10には、窒素などの気体が充填されていても良
く、また、気圧を下げた低圧若しくは真空状態に設定さ
れていても良いものである。Also with the above configuration, it is possible to prevent the recording bit from protruding due to the difference in the output power of the recording laser light and the crosstalk due to this. It should be noted that the void 10 may be filled with a gas such as nitrogen, or may be set to a low pressure with reduced atmospheric pressure or a vacuum state.
〔実施例３〕 本発明の他の実施例を第４図に基づいて説明する。な
お、第１実施例と同様の機能を有する部材には同一の符
号を付記してその説明を省略する。[Embodiment 3] Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The members having the same functions as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
本実施例の光メモリ素子は、帯状の光記録膜２…を有
する一対の透明基板１・１を比較的厚みの厚い透明接着
剤層３で貼り合わせて、表裏両面で情報の記録、再生等
が行える光メモリ素子を構成している。上記透明接着剤
層３の厚みは光記録膜２…に集光するレーザ光の焦点深
度以上あれば良く、例えば、２μｍ以上に設定される。In the optical memory element of the present embodiment, a pair of transparent substrates 1 and 1 each having a band-shaped optical recording film 2 are adhered together by a transparent adhesive layer 3 having a relatively large thickness, and information can be recorded and reproduced on both front and back surfaces. An optical memory device that can be used is constructed. The thickness of the transparent adhesive layer 3 may be equal to or more than the depth of focus of the laser light focused on the optical recording film 2, ...
なお、上記の第１・第２・第３実施例においては、光
記録膜２として光磁気記録によるものを示したが、これ
に限るものではなく、例えば、Te系の追記型記録膜など
の光記録膜でも良いことは勿論である。さらに、透明接
着剤層３の代わりにSiNやAlSiN等の透明誘電体膜を用い
ても良いものである。この場合、透明誘電体膜は光記録
膜２よりも熱伝導性の劣るものであることが必要であ
る。In the first, second and third embodiments described above, the optical recording film 2 is based on magneto-optical recording, but the optical recording film 2 is not limited to this. For example, a Te-based write-once recording film or the like may be used. Of course, an optical recording film may be used. Further, instead of the transparent adhesive layer 3, a transparent dielectric film such as SiN or AlSiN may be used. In this case, the transparent dielectric film needs to have a lower thermal conductivity than the optical recording film 2.
本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、透明基
板上に、少なくとも第１の透明誘電体膜、光磁気用垂直
磁化膜、第２の透明誘電体膜及び反射膜を順次形成した
多層構造を成す光記録膜が帯状に形成されており、且
つ、隣合う光記録膜同士の間には、光記録膜よりも熱伝
導性の低い低熱伝導部が介在されている構成である。As described above, the optical memory device according to the present invention has a multilayer structure in which at least the first transparent dielectric film, the magneto-optical perpendicular magnetization film, the second transparent dielectric film, and the reflective film are sequentially formed on the transparent substrate. The optical recording film is formed in a band shape, and a low thermal conductive portion having lower thermal conductivity than the optical recording film is interposed between adjacent optical recording films.
これにより、光記録膜上に記録される記録ビットの広
がりを一つの帯状光記録膜の範囲内で止めることがで
き、隣接する光記録膜にまで広がるのを防止できるか
ら、或る光記録膜上を走査しているときにその隣の光記
録膜上の信号を拾ってしまうクロストークの問題が解消
され、さらに、垂直磁化膜にて反射された光磁気信号を
含む反射光に、垂直磁化膜からはみ出した領域の光ビー
ムの反射光が干渉するということがないので、これに起
因する信号品質の劣化を防止することができるという効
果を奏する。As a result, the spread of the recording bit recorded on the optical recording film can be stopped within the range of one band-shaped optical recording film, and it is possible to prevent the recording bit from spreading to the adjacent optical recording film. The problem of crosstalk that picks up the signal on the optical recording film next to it when scanning above is solved, and the reflected light including the magneto-optical signal reflected by the perpendicular magnetic film is perpendicularly magnetized. Since the reflected light of the light beam in the region protruding from the film does not interfere with each other, it is possible to prevent the deterioration of the signal quality due to the interference.
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図は光メモリ素子の要部の断面図、第２図は
第１図の拡大断面図、第３図は他の実施例を示すもので
あって、光メモリ素子の要部の断面図、第４図は他の実
施例を示すものであって、光メモリ素子の要部の断面
図、第５図ないし第７図は従来例を示すものであって、
第５図は光メモリ素子の要部の断面図、第６図はピット
列部分を示す概念図、第７図は記録ビットがその両脇の
案内溝上の記録膜にも広がった状態を示す説明図であ
る。 １は透明基板、２は光記録膜、３は透明接着剤層、3aは
低熱伝導部、４は透明保護基板、５は第１透明誘電体、
６は光磁気用垂直磁化膜、７は第２透明誘電体、８は反
射膜、９は端部スペーサ、10は空隙部、10aは低熱伝導
部である。FIGS. 1 and 2 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a sectional view of a main part of an optical memory device, FIG. 2 is an enlarged sectional view of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 shows another embodiment, which is a cross-sectional view of a main part of an optical memory element, and FIG. 4 shows another embodiment, which is a cross-sectional view of a main part of the optical memory element. The figure shows a conventional example,
FIG. 5 is a sectional view of the main part of the optical memory device, FIG. 6 is a conceptual diagram showing a pit row portion, and FIG. Is. 1 is a transparent substrate, 2 is an optical recording film, 3 is a transparent adhesive layer, 3a is a low thermal conductive part, 4 is a transparent protective substrate, 5 is a first transparent dielectric,
6 is a perpendicular magnetic film for magneto-optical, 7 is a second transparent dielectric, 8 is a reflective film, 9 is an end spacer, 10 is a void, and 10a is a low thermal conductive part.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 博之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−74852（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−153245（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−183647（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroyuki Katayama 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Prefecture Sharp Corporation (56) References JP-A-57-74852 (JP, A) JP-A-63- 841 (JP, A) JP 58-153245 (JP, A) JP 57-183647 (JP, A)
Claims (1)
体膜、光磁気用垂直磁化膜、第２の透明誘電体膜及び反
射膜を順次形成した多層構造を成す光記録膜が帯状に形
成されており、且つ、隣合う光記録膜同士の間には、光
記録膜よりも熱伝導性の低い低熱伝導部が介在されてい
ることを特徴とする光メモリ素子。1. A strip-shaped optical recording film having a multilayer structure in which at least a first transparent dielectric film, a magneto-optical perpendicular magnetization film, a second transparent dielectric film and a reflective film are sequentially formed on a transparent substrate. An optical memory element, wherein a low thermal conductive portion having a lower thermal conductivity than that of the optical recording film is interposed between the adjacent optical recording films that are formed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63274097A JP2549426B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Optical memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63274097A JP2549426B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Optical memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02121135A JPH02121135A (en) | 1990-05-09 |
| JP2549426B2 true JP2549426B2 (en) | 1996-10-30 |
Family
ID=17536950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63274097A Expired - Lifetime JP2549426B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Optical memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2549426B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774852A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-11 | Sharp Corp | Magnetic optical storing element |
| JPS63841A (en) * | 1987-06-26 | 1988-01-05 | Sharp Corp | Magneto-optical memory element |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP63274097A patent/JP2549426B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02121135A (en) | 1990-05-09 |
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