JPH02121135A - Optical memory element - Google Patents
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- JPH02121135A JPH02121135A JP27409788A JP27409788A JPH02121135A JP H02121135 A JPH02121135 A JP H02121135A JP 27409788 A JP27409788 A JP 27409788A JP 27409788 A JP27409788 A JP 27409788A JP H02121135 A JPH02121135 A JP H02121135A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームにより情報を記録、再生、若しくは
消去を行うことができ、持ち運び等が可能な高密度大容
量メモリ媒体として注目されている光メモリ素子に関す
るものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is attracting attention as a portable, high-density, large-capacity memory medium that can record, reproduce, or erase information using a light beam. The present invention relates to optical memory devices.
光メモリ素子によって情報の記録、再生、若しくは消去
を行うためには、半導体レーザ光等の光ビームを用いる
が、そのための機構として、上記の半導体レーザ、この
半導体レーザのレーザ光を集光して光メモリ素子の記録
面上に照射するためのレンズ系、および上記記録面から
の返り光量を検出する光検出器などで構成された光ピツ
クア・ノブが知られている。ただ、この光ピツクアップ
は、光メモリ素子に対して２次元的に高速で移動させる
必要があるため、記録面上の所定位置にレーザ光スポッ
トを高精度で位置決めすることは甚だ困難である。In order to record, reproduce, or erase information using an optical memory device, a light beam such as a semiconductor laser beam is used.As a mechanism for this purpose, the above-mentioned semiconductor laser and the laser beam of this semiconductor laser are focused to create an optical memory. An optical pick-up knob is known that includes a lens system for irradiating light onto a recording surface of an element, a photodetector for detecting the amount of light returned from the recording surface, and the like. However, since this optical pickup needs to be moved two-dimensionally at high speed with respect to the optical memory element, it is extremely difficult to position the laser beam spot at a predetermined position on the recording surface with high precision.
そこで、光メモリ素子を円板状に形成し、光メモリ素子
自体を回転させながら、上記の光ピツクアップを光メモ
リ素子の半径方向に１次元的に移動させることにより、
円板状の光メモリ素子に対し情報の記録、再生、若しく
は消去を行わせるのが通例となっている。Therefore, by forming the optical memory element into a disk shape and moving the optical pickup one-dimensionally in the radial direction of the optical memory element while rotating the optical memory element itself,
It is customary to record, reproduce, or erase information in a disc-shaped optical memory element.
そして、このような円板状をなす光メモリ素子において
、第５図に示すように、透明基板１３の一方の面には、
レーザ光を案内するための多数の案内溝１５・・・が同
心円状若しくは螺旋状に設けられており、これら案内溝
１５・・・の形成されている面上の全域に光記録膜１４
が形成される。そして、基板１３の他方の面側から、対
物レンズ１１で集光されたレーザ光１２を記録溝１６（
レーザ光照射側から見ると凸部）に照射することにより
情報の記録、再生、若しくは消去を行うことができるよ
うになっている。上記案内溝１５・・・は、上述の通り
、集光されたレーザ光を案内してそのスポット位置制御
を正確に行って所定の位置に情報を記録したり、記録さ
れている情報を再生したりするためのものである。その
ため、第６図に示すように、記録溝１６の一部を断続さ
せてピット列部分１７を形成し、このピット列部分１７
の各ピット１７ａの長さや形成位置で記録溝１６の番地
を指定しておくのが一般的である。すなわち、従来の光
メモリ素子においては、透明基板１３上には凹凸によっ
て案内溝１５やピット列部分１７が形成されており、光
記録膜１４は上記凹凸の形成されている面倒−面に連続
して形成されるのが通例であった。In such a disk-shaped optical memory element, as shown in FIG. 5, one surface of the transparent substrate 13 is
A large number of guide grooves 15 for guiding laser light are provided concentrically or spirally, and an optical recording film 14 is formed over the entire surface on which these guide grooves 15 are formed.
is formed. Then, the laser beam 12 focused by the objective lens 11 is directed from the other side of the substrate 13 into the recording groove 16 (
Information can be recorded, reproduced, or erased by irradiating the convex portion when viewed from the laser beam irradiation side. As mentioned above, the guide grooves 15... guide the focused laser beam and accurately control the spot position to record information at a predetermined position or reproduce recorded information. It is for the purpose of Therefore, as shown in FIG. 6, a part of the recording groove 16 is interrupted to form a pit row portion 17.
Generally, the address of the recording groove 16 is specified based on the length and formation position of each pit 17a. That is, in the conventional optical memory element, a guide groove 15 and a pit row portion 17 are formed by unevenness on the transparent substrate 13, and the optical recording film 14 is formed continuously on the surface on which the unevenness is formed. It was customary to form.
ところが、このような光メモリ素子において、これを駆
動する実際の光メモリドライブ装置では、これら装置間
の記録時のレーザ出力にばらつきがあり、成る装置で記
録する場合と他の装置で記録する場合とでは、記録レー
ザ出力が異なることがしばしば起こる。このように、情
報の記録時に使用するレーザ光の出力が、予め想定して
おいた出力よりも大きいと、第７図に示すように、記録
溝１６上の光記録膜１４上に記録される記録ビット１８
が、その両脇の案内溝１５・１５上の光記録膜１４にも
広がり、このために成る記録溝１６上の光記録膜１４上
を走査しているときにその隣の記録溝１６上における光
記録膜１４上の信号を拾ってしまう、所謂クロストーク
の問題を生じがちとなる。However, in the actual optical memory drive devices that drive such optical memory elements, there are variations in the laser output during recording between these devices, and there is a difference between recording with one device and recording with another device. , it often happens that the recording laser power is different. In this way, when the output of the laser beam used when recording information is larger than the output expected in advance, information is recorded on the optical recording film 14 on the recording groove 16, as shown in FIG. recording bit 18
This also spreads to the optical recording film 14 on the guide grooves 15 on both sides, and for this reason, when scanning the optical recording film 14 on the recording groove 16, the This tends to cause a so-called crosstalk problem in which signals on the optical recording film 14 are picked up.
なお、特開昭５７−７４８２号公報において、垂直磁化
膜を帯状に形成し、その背後に透明誘電体膜と平坦な反
射膜とを設けた構造が提案されているが、このような構
造では、光記録膜を構成する上記の反射膜が帯状ではな
く平坦につながっているため、上記の帯状垂直磁化膜に
光ビームを照射したとき、この垂直磁化膜からはみ出し
た光ビームが上記の反射膜にて反射され、この反射光が
帯状垂直磁化膜にて反射された光磁気信号を含む反射光
と干渉して信号品質を劣化させるという欠点を有してい
る。Note that Japanese Patent Application Laid-open No. 57-7482 proposes a structure in which a perpendicularly magnetized film is formed in a band shape, and a transparent dielectric film and a flat reflective film are provided behind it. , since the above-mentioned reflective film constituting the optical recording film is connected flatly rather than in a band-like manner, when the above-mentioned band-shaped perpendicular magnetization film is irradiated with a light beam, the light beam that protrudes from this perpendicular magnetization film is connected to the above-mentioned reflective film. This reflected light interferes with the reflected light containing the magneto-optical signal reflected by the strip-shaped perpendicular magnetization film, resulting in deterioration of signal quality.
本発明に係る光メモリ素子は、上記課題を解決するため
に、透明基板上には光記録膜が帯状に形成されており、
且つ、隣合う光記録膜同士の間には、この光記録膜より
も熱伝導性の低い低熱伝導部が介在されていることを特
徴としている。In order to solve the above problems, an optical memory element according to the present invention has an optical recording film formed in a band shape on a transparent substrate,
In addition, a low thermal conductivity portion having lower thermal conductivity than the optical recording film is interposed between adjacent optical recording films.
上記の構成によれば、たとえ、情報の記録時に使用する
レーザ光の出力が、予め想定しておいた出力よりも大き
い場合でも、上記の低熱伝導部の介在により、光記録膜
上に記録される記録ビットの広がりは一つの帯の光記録
膜の範囲内で止まり、隣接する光記録膜にまで広がるこ
とはない。よって、成る光記録膜上を走査しているとき
にその隣の光記録膜上の信号を拾ってしまうクロストー
クの問題を解消することができる。また、光記録膜が帯
状をなす以上、この光記録膜を構成する反射膜等も一緒
に帯状をなすのだから、この反射膜が平坦に広がってい
ることに起因する信号品質の劣化を防止することができ
る。According to the above configuration, even if the output of the laser beam used when recording information is higher than the output expected in advance, the information will not be recorded on the optical recording film due to the intervention of the low thermal conductivity section. The spread of recording bits stops within the range of one band of optical recording film, and does not spread to adjacent optical recording films. Therefore, it is possible to solve the problem of crosstalk in which signals on an adjacent optical recording film are picked up when scanning an optical recording film. Furthermore, since the optical recording film is strip-shaped, the reflective film that makes up this optical recording film is also strip-shaped, so deterioration in signal quality due to the flat spread of this reflective film can be prevented. be able to.
〔実施例１〕
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。[Example 1] An example of the present invention will be described below based on FIGS. 1 and 2.
本発明に係る、例えば光磁気メモリ素子において、第１
図に示すように、ガラスなどの透明基板１の一方の面上
には光記録膜２・・・が帯状に形成されている。従って
、光磁気メモリ素子がディスク状に形成されていれば、
螺旋状若しくは同心円状に形成されることになり、また
カード状に形成されていれば縞状に形成されることにな
る。上記の透明基板１上および光記録膜２・・・上には
透明接着剤層３が被覆されており、この透明接着剤層３
により、隣合う光記録膜２・２同士の間には、この光記
録膜２よりも熱伝導性の低い部位として機能する低熱伝
導部３ａが形成される。また、上記の透明接着剤Ｎ３に
よって透明保護基板４が接着されていて、上記の光記録
膜２・・・を湿気や酸素などから保護するようになって
いる。In the magneto-optical memory device according to the present invention, for example, the first
As shown in the figure, an optical recording film 2 is formed in a strip shape on one surface of a transparent substrate 1 made of glass or the like. Therefore, if the magneto-optical memory element is formed into a disk shape,
It will be formed in a spiral shape or concentric circle shape, and if it is formed in a card shape, it will be formed in a striped shape. A transparent adhesive layer 3 is coated on the transparent substrate 1 and the optical recording film 2.
As a result, a low thermal conductivity portion 3a functioning as a portion having lower thermal conductivity than the optical recording film 2 is formed between the adjacent optical recording films 2. Further, a transparent protective substrate 4 is bonded with the above-mentioned transparent adhesive N3, so as to protect the above-mentioned optical recording film 2 . . . from moisture, oxygen, and the like.
上記の光記録膜２は、第２図にも示すように、多層構造
で形成されており、基板１側（レーザ光の入射側）から
、第１透明誘電体５、光磁気用垂直磁化膜６、第２透明
誘電体７、反射膜８の順で形成されている。上記の第１
透明誘電体５及び第２透明誘電体７の材料としては、Ａ
ＩＮ等の窒化膜が用いられる。このＡ４２Ｎ膜は熱伝導
率が２Ｗ／ｃＩＩＩ−ｄｅｇ程度と非常に大きいので、
従来のように光記録膜２・２間士が繋がっていると、Ａ
ＩＮ膜を介して隣接するトラック部へ熱が逃げることに
なる。光磁気用垂直磁化膜６は、基板１に対して垂直な
方向に磁化容易軸を持つもので、例えば、ＧｄＴｂＦｅ
系、ＴｂＦｅＣｏ系、ＤｙＦｅＣｏ系、ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ系、ＮｄＴｂＦｅＣ。As shown in FIG. 2, the above-mentioned optical recording film 2 has a multilayer structure, and includes, from the substrate 1 side (laser light incident side), a first transparent dielectric material 5, a perpendicularly magnetized film for magneto-optical use. 6, a second transparent dielectric 7, and a reflective film 8 are formed in this order. 1st above
The material of the transparent dielectric 5 and the second transparent dielectric 7 is A.
A nitride film such as IN is used. This A42N film has a very high thermal conductivity of about 2W/cIII-deg, so
If the optical recording films 2 and 2 are connected as in the past, A
Heat will escape to the adjacent track portion via the IN film. The magneto-optical perpendicular magnetization film 6 has an axis of easy magnetization in the direction perpendicular to the substrate 1, and is made of, for example, GdTbFe.
series, TbFeCo series, DyFeCo series, NdDyFeC
o series, NdTbFeC.
系、ＧｄＤｙＦｅ系、ＭｎＢ１系、又はＭｎＢ１Ｃｕ系
などの材料が用いられる。また、上記の反射膜８は垂直
磁化膜６のカー回転角を増大するためのものである。Materials such as GdDyFe-based, MnB1-based, or MnB1Cu-based are used. Further, the above-mentioned reflective film 8 is for increasing the Kerr rotation angle of the perpendicularly magnetized film 6.
但し、上記の反射膜８としてＡ！等を用いる場合、この
へ２膜の熱伝導率は上記のＡｆｆｉＮ膜と同程度であり
、またＡＩＮ膜とＡ２膜が積層されているため熱の伝わ
り方が著しく、光記録膜２の多層構造はレーザ光から付
与された熱が逃げ易い構造となる。However, as the above reflective film 8, A! etc., the thermal conductivity of these two films is on the same level as the above-mentioned AffiN film, and since the AIN film and A2 film are laminated, the way in which heat is conducted is remarkable, and the multilayer structure of the optical recording film 2 The structure is such that the heat applied from the laser beam can easily escape.
しかし、上記の構成によれば、たとえ、情報の記録時に
使用するレーザ光の出力が、予め想定しておいた出力よ
りも大きい場合でも、上記の低熱伝導部３ａの介在によ
り、光記録膜２上に記録される記録ビット（図示せず）
の広がりは一つの帯状光記録膜２の範囲内で止まり、隣
接する光記録膜２・２にまで広がることはない。ここで
透明接着剤Ｎ３として低熱伝導性のものが使用され（透
明接着剤として熱伝導率が１０−コｗ／ｃＩＩｌ−ｄｅ
ｇのレベルのものが市販されており、これによれば、上
記のＡＩＮ膜、Ａｆ膜に比して数十分の１の低熱伝導性
が得られる）、これによって、熱の伝播を防止できる。However, according to the above configuration, even if the output of the laser beam used when recording information is larger than the output expected in advance, the optical recording film 2 Recording bits recorded on (not shown)
The spread stops within the range of one strip-shaped optical recording film 2, and does not spread to adjacent optical recording films 2. Here, a transparent adhesive N3 with low thermal conductivity is used (the transparent adhesive has a thermal conductivity of 10-cow/cIIl-de).
(g level) is commercially available, and this provides a thermal conductivity several tenths lower than that of the above-mentioned AIN and Af films), thereby preventing heat propagation. .
よって、成る光記録膜上を走査しているときにその隣の
光記録膜上の信号を拾ってしまうクロストークの問題を
解消することができる。また、光記録膜２が帯状をなす
以上、この光記録膜を構成する反射膜８等も一緒に帯状
をなすのだから、反射膜８が平坦に一面に広がっている
ことに起因する信号品質の劣化を防止することができる
。Therefore, it is possible to solve the problem of crosstalk in which signals on an adjacent optical recording film are picked up when scanning an optical recording film. Furthermore, since the optical recording film 2 is strip-shaped, the reflective film 8, etc. that make up this optical recording film are also strip-shaped. Deterioration can be prevented.
また、本実施例では、光記録膜２の両隣はこの光記録膜
２よりも透明であることにより、光記録膜２自身が光ビ
ームを案内するための案内溝として機能することができ
、さらに、この帯状をなす光記録膜２を断続してピット
化し、アドレス情報とすることができるから、透明基板
１に対し凹凸を形成する手間が省けることになり、光磁
気メモリ素子の製造コストを大幅に低減することができ
る。なお、透明接着剤Ｎ３として紫外線硬化樹脂を用い
れば、この紫外線硬化樹脂が透明基板１とほぼ同等の屈
折率を有するので、基板１と接着剤層３との境界面での
光の反射を抑えて信号品質の向上を図ることができる。Further, in this embodiment, since the sides on both sides of the optical recording film 2 are more transparent than the optical recording film 2, the optical recording film 2 itself can function as a guide groove for guiding the light beam. Since this strip-shaped optical recording film 2 can be pitted intermittently to provide address information, the trouble of forming irregularities on the transparent substrate 1 can be saved, and the manufacturing cost of magneto-optical memory elements can be significantly reduced. can be reduced to Note that if an ultraviolet curable resin is used as the transparent adhesive N3, this ultraviolet curable resin has almost the same refractive index as the transparent substrate 1, so light reflection at the interface between the substrate 1 and the adhesive layer 3 can be suppressed. Therefore, signal quality can be improved.
〔実施例２〕
本発明の他の実施例を第３図に基づいて説明する。なお
、第１実施例と同様の機能を有する部材には同一の符号
を付記してその説明を省略する。[Embodiment 2] Another embodiment of the present invention will be described based on FIG. 3. Note that members having the same functions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and their explanations will be omitted.
本実施例の光メモリ素子において、透明基板１と透明保
護基板４との間には端部スペーサ９・９が介設されてお
り、これら端部スペーサ９・９によって空気の充填され
た空隙部１０が形成されている。そして、この空隙部１
０における光記録膜２・２間に位置する部分が低熱伝導
部１０ａを形成している。ここで、空気の熱伝導率は１
０−’Ｗ／ｃｍ−ｄｅｇであり、前述した透明接着剤層
３の場合より、更に１桁熱伝導性が悪いので、−層効果
的である。In the optical memory device of this embodiment, end spacers 9 are interposed between the transparent substrate 1 and the transparent protective substrate 4, and a gap 10 filled with air is formed by these end spacers 9. is formed. And this void 1
The portion located between the optical recording films 2 and 2 at 0 forms a low thermal conductivity portion 10a. Here, the thermal conductivity of air is 1
0-'W/cm-deg, and the thermal conductivity is one order of magnitude worse than that of the transparent adhesive layer 3 described above, so it is more effective as a layer.
以上の構成によっても、記録レーザ光出力の大小の相違
に起因する記録ビットのはみ出し、およびこれに起因す
るクロストークを防止することができる。なお、上記の
空隙部１ｏには、窒素などの気体が充填されていても良
く、また、気圧を下げた低圧若しくは真空状態に設定さ
れていても良いものである。With the above configuration as well, it is possible to prevent recording bits from protruding due to differences in recording laser light output and crosstalk caused by this. Note that the void portion 1o may be filled with a gas such as nitrogen, or may be set to a low pressure or a vacuum state.
要である。It is essential.
〔実施例３〕
本発明の他の実施例を第４図に基づいて説明する。なお
、第１実施例と同様の機能を有する部材には同一の符号
を付記してその説明を省略する。[Embodiment 3] Another embodiment of the present invention will be described based on FIG. 4. Note that members having the same functions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and their explanations will be omitted.
本実施例の光メモリ素子は、帯状の光記録膜２・・・を
有する一対の透明基板１・１を比較的厚みの厚い透明接
着剤層３で貼り合わせて、表裏両面で情報の記録、再生
等が行える光メモリ素子を構成している。上記透明接着
剤層３の厚みは光記録膜２・・・に集光するレーザ光の
焦点深度以上あれば良く、例えば、２μｍ以上に設定さ
れる。The optical memory element of this embodiment is made by pasting together a pair of transparent substrates 1 and 1 having strip-shaped optical recording films 2 with a relatively thick transparent adhesive layer 3, and recording and reproducing information on both the front and back sides. It constitutes an optical memory element that can perform the following operations. The thickness of the transparent adhesive layer 3 may be at least the depth of focus of the laser beam focused on the optical recording film 2, and is set to, for example, 2 μm or more.
なお、上記の第１・第２・第３実施例においては、光記
録膜２として光磁気記録によるものを示したが、これに
限るものではなく、例えば、Ｔｅ系の追記型記録膜など
の光記録膜でも良いことは勿論である。さらに、透明接
着剤層３の代わりにＳｉＮやＡｆＳｉＮ等の透明誘電体
膜を用いても良いものである。この場合、透明誘電体膜
は光記録膜２よりも熱伝導性の劣るものであることが必
〔発明の効果〕
本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、透明基板
上には光記録膜が帯状に形成されており、且つ、隣合う
光記録膜同士の間には、この光記録膜よりも熱伝導性の
低い低熱伝導部が介在されている構成である。In the first, second, and third embodiments described above, the optical recording film 2 is based on magneto-optical recording, but it is not limited to this. For example, a Te-based write-once recording film may be used. Of course, an optical recording film may also be used. Furthermore, a transparent dielectric film such as SiN or AfSiN may be used instead of the transparent adhesive layer 3. In this case, it is necessary that the transparent dielectric film has a thermal conductivity inferior to that of the optical recording film 2. The film is formed in a band shape, and a low thermal conductivity portion having a lower thermal conductivity than the optical recording film is interposed between adjacent optical recording films.
これにより、光記録膜上に記録される記録ビットの広が
りを一つの帯状光記録膜の範囲内で止めることができ、
隣接する光記録膜にまで広がるのを防止できるから、成
る光記録膜上を走査しているときにその隣の光記録膜上
の信号を拾ってしまうクロストークの問題を解消して、
高品質の光メモリ、素子を提供できるという効果を奏す
る。As a result, the spread of recording bits recorded on the optical recording film can be stopped within the range of one strip-shaped optical recording film,
Since it can prevent the signal from spreading to the adjacent optical recording film, it eliminates the problem of crosstalk in which signals on the adjacent optical recording film are picked up when scanning the optical recording film.
This has the effect of providing high quality optical memories and devices.
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図は光メモリ素子の要部の断面図、第２図は
第１図の拡大断面図、第３図は他の実施例を示すもので
あって、光メモリ素子の要部の断面図、第４図は他の実
施例を示すものであって、光メモリ素子の要部の断面図
、第５図ないし第７図は従来例を示すものであって、第
５図は光メモリ素子の要部の断面図、第６図はピット列
部分を示す概念図、第７図は記録ビットがその両脇の案
内溝上の記録膜にも広がった状態を示す説明図である。
１は透明基板、２は光記録膜、３は透明接着剤層、３ａ
は低熱伝導部、４は透明保護基板、５は第１透明誘電体
、６は光磁気用垂直磁化膜、７は第２透明誘電体、８は
反射膜、９は端部スペーサ１０は空隙部、１０ａは低熱
伝導部である。
菓１図
菓２図1 and 2 show one embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is a sectional view of the main part of an optical memory element, FIG. 2 is an enlarged sectional view of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged sectional view of FIG. FIG. 4 is a sectional view of a main part of an optical memory element, showing another embodiment, and FIGS. The figures show a conventional example, in which Fig. 5 is a cross-sectional view of the main part of an optical memory element, Fig. 6 is a conceptual diagram showing a pit row part, and Fig. 7 shows a recording bit on the guide groove on both sides. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state in which the particles have spread to the recording film as well. 1 is a transparent substrate, 2 is an optical recording film, 3 is a transparent adhesive layer, 3a
4 is a low thermal conductivity part, 4 is a transparent protective substrate, 5 is a first transparent dielectric, 6 is a perpendicular magnetization film for opto-magnetism, 7 is a second transparent dielectric, 8 is a reflective film, 9 is an end spacer 10 is a gap part , 10a are low thermal conductivity parts. 1 picture of confectionery 2 pictures of confectionery
Claims (1)
且つ、隣合う光記録膜同士の間には、この光記録膜より
も熱伝導性の低い低熱伝導部が介在されていることを特
徴とする光メモリ素子。1. An optical recording film is formed in a band shape on a transparent substrate.
An optical memory element characterized in that a low heat conduction part having a lower thermal conductivity than the optical recording film is interposed between adjacent optical recording films.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63274097A JP2549426B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Optical memory device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP63274097A JP2549426B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Optical memory device |
Publications (2)
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| JPH02121135A true JPH02121135A (en) | 1990-05-09 |
| JP2549426B2 JP2549426B2 (en) | 1996-10-30 |
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ID=17536950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63274097A Expired - Lifetime JP2549426B2 (en) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | Optical memory device |
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5774852A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-11 | Sharp Corp | Magnetic optical storing element |
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-
1988
- 1988-10-28 JP JP63274097A patent/JP2549426B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774852A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-11 | Sharp Corp | Magnetic optical storing element |
| JPS63841A (en) * | 1987-06-26 | 1988-01-05 | Sharp Corp | Magneto-optical memory element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2549426B2 (en) | 1996-10-30 |
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