JPH07214295A - 薄膜状金属体に対するリード線の接続方法 - Google Patents
薄膜状金属体に対するリード線の接続方法Info
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- JPH07214295A JPH07214295A JP1181494A JP1181494A JPH07214295A JP H07214295 A JPH07214295 A JP H07214295A JP 1181494 A JP1181494 A JP 1181494A JP 1181494 A JP1181494 A JP 1181494A JP H07214295 A JPH07214295 A JP H07214295A
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Abstract
れた電極部4に対してリード線6を抵抗溶接法によって
固着する際に、電極部4とリード線6との間に高融点ア
モルファスろう材13を介在させ、溶接電極11,11
をリード線6とろう材13を介して電極部4に当接さ
せ、溶接電極11,11に電流を供給することによりリ
ード線6の溶接電極11,11が当接している部分付近
とろう材13とを溶融させて電極部4にリード線6を固
着する。 【効果】 リード線6を溶融させる際の抵抗熱がろう材
13を経て電極部4に伝達されるので、該電極部4に対
する入熱量が受熱許容量を超過せず、電極部4が溶断し
たり絶縁膜2が破壊されることがない。
Description
ード線の接続方法に関するものである。
測定、歪測定あるいは、試験体の表面に沿って流れる気
流状態の測定等が実施されている。
薄膜センサは、試験体(金属基板)1の表面所定部位を
被覆するように形成された絶縁膜2と、該絶縁膜2の表
面に形成されたセンサ部3と、該センサ部3に導通する
ように前記の絶縁膜2の表面に形成された電極部(薄膜
状金属体)4と、これら絶縁膜2、センサ部3、電極部
4を保護するための保護膜5とによって構成されてい
る。
クス材料(絶縁材料)を、スパッタリング法等の真空蒸
着技術によって厚さが1〜5μm程度になるように試験
体1の表面に固着することによって形成されている。
料(導電材料)を、スパッタリング法等の真空蒸着技術
によって厚さが0.1〜1.5μm程度になるように絶
縁膜2の表面に固着することによって形成されている。
極部4にリード線6を接続してセンサ部3に通電し、試
験体1の周囲の温度変化や試験体1の歪によって変化す
る電流値、電圧値、抵抗値の何れかを計測することによ
って、これらの計測値から温度や歪を測定している。
てのリード線6を確実に接続できるように、且つ該リー
ド線6を電流値、電圧値、抵抗値の何れかを計測するた
めの計測装置へ容易に配線することができるようにする
ためには、リード線6に線径が0.1〜0.2mm程度
の金属線を用いる必要があり、また、電極部4に対する
リード線6の電気的接続手段には、リード線6の脱落を
防止するために溶接を適用することが好ましい。
部4の厚さが小さく、電極部4の受熱許容量がリード線
6よりも少ないため、電極部4とリード線6との接続手
段に抵抗溶接法を適用すると、リード線6の溶接端を溶
融させる際に、電極部4が溶断したり、更には絶縁膜2
が破壊されることがある。
極部4との接続手段に融点が250℃程度の半田を用い
るようにしている。
着強度は半田の強度に依存することになるためリード線
6を強固に固着することができず、薄膜センサの周囲の
温度が半田の溶融温度を超える場合には、半田が溶融す
ることによりリード線6が脱落するため、薄膜センサを
高温度条件下で使用することができなかった。
金属基板を被覆する絶縁膜の表面に形成された薄膜状金
属体に対してリード線を抵抗溶接法によって固着する際
に、薄膜状金属体の溶断と絶縁膜の破壊を防止しつつリ
ード線を薄膜状金属体に対して強固に且つ300〜80
0℃の高温雰囲気にも耐え得るように固着できるように
することを目的としている。
め、本発明の薄膜状金属体に対するリード線の接続方法
においては、金属基板を被覆する絶縁膜の表面に形成さ
れた薄膜状金属体に対してリード線を抵抗溶接法によっ
て固着する際に、薄膜状金属体とリード線との間に高融
点アモルファスろう材を介在させ、抵抗溶接機の溶接電
極をリード線と高融点アモルファスろう材を介して薄膜
状金属体に当接させ、前記の溶接電極に電流を供給する
ことによりリード線の溶接電極が当接している部分付近
と高融点アモルファスろう材とを溶融させて薄膜状金属
体にリード線を固着する。
は、金属基板を被覆する絶縁膜の表面に形成された薄膜
状金属体に対してリード線を抵抗溶接法によって固着す
る際に、薄膜状金属体とリード線との間に高融点アモル
ファスろう材を介在させるので、リード線を溶融させる
ための抵抗熱は、高融点アモルファスろう材を経て薄膜
状金属体に伝達される。
受熱許容量を超過せず、薄膜状金属体が溶断したり絶縁
膜が破壊されることがない。
する。
ド線の接続方法を図2に示す薄膜センサにおける電極部
4とリード線6との接続作業に適用した例を示すもの
で、図中、図2と同一の符号を付した部分は同一物を表
わしている。
(抵抗溶接機)であり、該定電流型パラレルギャップ溶
接機10は、溶融すべき金属部材に対して60〜100
0g程度の押圧力を付与しつつ当接可能な一対の溶接電
極11,11と、該溶接電極11,11に印加電圧0.
001〜1.99V、印加時間1.0〜9900msの
範囲で電流を供給し且つ供給する電流が所定値を保持す
るようにフィードバック制御を行う定電流電源装置12
とを備えている。
互間隔を0〜1.0mmの範囲で調整できるようになっ
ている。
スろう材であり、該高融点アモルファスろう材は、添加
元素としてFe(鉄)、Si(けい素)、B(ほう
素)、P(りん)、Cr(クロム)、Mo(モリブデ
ン)、W(タングステン)、Co(コバルト)等の適宜
加えたニッケル基合金であり、例えば、ニッケルに対し
て下記のような重量百分率(wt%)の組成で添加元素
を含有するものを用いる。 (1)Cr…13、Fe…4、Si…4.5、B…3 (最適ろう付け温度1175℃ 相当規格JIS BN
i−1A) (2)Cr…11、W…8、Fe…4、Si…1.5、
B…2 (最適ろう付け温度1175℃) (3)Cr…7、Fe…3、Si…4.5、B…3 (最適ろう付け温度1040℃ 相当規格JIS BN
i−2) (4)Si…4.5、B…3 (最適ろう付け温度1040℃ 相当規格JIS BN
i−3) (5)Si…7、B…2 (最適ろう付け温度1020℃) (6)Cr…18.5、Si…7.5、B…1.5 (最適ろう付け温度1180℃ 相当規格JIS BN
i−5) (7)P…11 (最適ろう付け温度980℃ 相当規格JIS BNi
−6) (8)Cr…14、P…10 (最適ろう付け温度980℃ 相当規格JIS BNi
−7) (9)Co…23、Cr…10、Mo…7、Fe…5.
5、B…3.5 (最適ろう付け温度1200℃) (10)Cr…15、B…4 (最適ろう付け温度1175℃) (11)Co…20、Si…4、B…3 (最適ろう付け温度1175℃)
形成された絶縁膜2の表面に形成されたニッケル基合金
等よりなる電極部4に対してニッケル基合金等よりなる
リード線6を、先に述べた定電流型パラレルギャップ溶
接機10を用いて固着する際には、電極部4とリード線
6との間に高融点アモルファスろう材13を介在させ、
定電流型パラレルギャップ溶接機10の溶接電極11,
11の先端部をリード線6と高融点アモルファスろう材
13を介して電極部4に当接させる。
該定電流電圧装置12から溶接電極11,11に対して
所定電圧の電流を所定時間だけ印加することにより、溶
接電極11,11を介してリード線6の溶接端に電流を
供給する。
流が供給されると、該溶接端を通電する電流の抵抗熱に
よってリード線6の溶接端が溶融する。
ード線6から該リード線6に当接する高融点アモルファ
スろう材13に熱エネルギーが伝達され、該高融点アモ
ルファスろう材13が溶融する。
高融点アモルファスろう材13を介して電極部4に伝達
されるので、該電極部4に対する入熱量が受熱許容量を
超過しない。
が破壊されることがない。
1,11に対する電流の供給が終了すると、リード線6
の溶接端に電流の抵抗熱が作用しなくなってリード線6
の溶融部及び溶融することにより広範囲に広がった高融
点アモルファスろう材13の温度が低下し、これらの溶
融部分が固化することによってリード線6が電極部4に
強固に固着される。
融温度は、980〜1200℃程度であるので、図1に
示す薄膜センサを300〜800℃の高温雰囲気におい
て使用してもリード線6が脱落することがない。
ド線の接続方法は、上述した実施例のみに限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において
種々変更を加え得ることは勿論である。
体に対するリード線の接続方法においては、下記のよう
な種々の優れた効果を奏し得る。
してリード線を通電する電流の抵抗熱によってリード線
を溶融させる際に、抵抗熱が高融点アモルファスろう材
を経て薄膜状金属体に伝達されるので、該薄膜状金属体
に対する入熱量が受熱許容量を超過せず、よって、薄膜
状金属体が溶断したり絶縁膜が破壊されることがない。
が広範囲に広がって薄膜状金属体とリード線とを固着す
るので、リード線を薄膜状金属体に強固に固着すること
ができる。
度が、980〜1200℃程度であるので、300〜8
00℃の高温雰囲気において使用してもリード線が脱落
することがない。
方法を薄膜センサの電極部とリード線との接続作業に適
用した例を示す概念図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 金属基板を被覆する絶縁膜の表面に形成
された薄膜状金属体に対してリード線を抵抗溶接法によ
って固着する際に、薄膜状金属体とリード線との間に高
融点アモルファスろう材を介在させ、抵抗溶接機の溶接
電極をリード線と高融点アモルファスろう材を介して薄
膜状金属体に当接させ、前記の溶接電極に電流を供給す
ることによりリード線の溶接電極が当接している部分付
近と高融点アモルファスろう材とを溶融させて薄膜状金
属体にリード線を固着することを特徴とする薄膜状金属
体に対するリード線の接続方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01181494A JP3275509B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 薄膜状金属体に対するリード線の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01181494A JP3275509B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 薄膜状金属体に対するリード線の接続方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07214295A true JPH07214295A (ja) | 1995-08-15 |
JP3275509B2 JP3275509B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=11788285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP01181494A Expired - Lifetime JP3275509B2 (ja) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 薄膜状金属体に対するリード線の接続方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3275509B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2019195835A (ja) * | 2018-05-10 | 2019-11-14 | 日本特殊陶業株式会社 | 接合体 |
CN115255832A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-11-01 | 中物院成都科学技术发展中心 | 非晶态钎料箔带的加工工艺及薄膜传感器 |
-
1994
- 1994-02-03 JP JP01181494A patent/JP3275509B2/ja not_active Expired - Lifetime
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