JPH07211582A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
- Publication number
- JPH07211582A JPH07211582A JP6014070A JP1407094A JPH07211582A JP H07211582 A JPH07211582 A JP H07211582A JP 6014070 A JP6014070 A JP 6014070A JP 1407094 A JP1407094 A JP 1407094A JP H07211582 A JPH07211582 A JP H07211582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- ceramic capacitor
- printed ceramic
- electronic component
- printed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Connector Housings Or Holding Contact Members (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率が高く、また誘電損失が少なく、且つ
それらの特性等が安定している、厚膜印刷方法により得
られる印刷セラミックコンデンサを用いた電子部品を提
供すること。 【構成】 本発明の印刷セラミックコンデンサを用いた
電子部品は、構造的にＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （但し、〔Ａ〕は
一種以上の元素でもよい。）で表されるペロブスカイト
構造を持つ誘電体の成分において下記式の範囲で組成が
構成されている誘電体層を有する。 Ｘ＝（Ba＋Ca＋S
r）／Pb Ｙ＝Ti／（Zn＋Nb＋Fe＋W＋Mg＋Ni＋Zr＋Li＋Sn＋Cd） Ｚ＝Nb／（Zn＋Fe＋W＋Mg＋Ni＋Zr＋Li＋Sn＋Cd） （但し、Ｘ≦０．２、Ｙ≦０．２及び４．０≦Ｚ≦８．
５である。）
それらの特性等が安定している、厚膜印刷方法により得
られる印刷セラミックコンデンサを用いた電子部品を提
供すること。 【構成】 本発明の印刷セラミックコンデンサを用いた
電子部品は、構造的にＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （但し、〔Ａ〕は
一種以上の元素でもよい。）で表されるペロブスカイト
構造を持つ誘電体の成分において下記式の範囲で組成が
構成されている誘電体層を有する。 Ｘ＝（Ba＋Ca＋S
r）／Pb Ｙ＝Ti／（Zn＋Nb＋Fe＋W＋Mg＋Ni＋Zr＋Li＋Sn＋Cd） Ｚ＝Nb／（Zn＋Fe＋W＋Mg＋Ni＋Zr＋Li＋Sn＋Cd） （但し、Ｘ≦０．２、Ｙ≦０．２及び４．０≦Ｚ≦８．
５である。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、印刷セラミックコンデ
ンサを用いた電子部品に関するものであり、より詳しく
は、一般に普及している印刷技術を用いて製造上短時間
で低温焼成でき、しかも誘電率が高く誘電損失の少ない
印刷セラミックコンデンサを用いた電子部品（厚膜ハイ
ブリッドＩＣ、複合電子部品、コネクター、等）に関す
るものである。
ンサを用いた電子部品に関するものであり、より詳しく
は、一般に普及している印刷技術を用いて製造上短時間
で低温焼成でき、しかも誘電率が高く誘電損失の少ない
印刷セラミックコンデンサを用いた電子部品（厚膜ハイ
ブリッドＩＣ、複合電子部品、コネクター、等）に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化、高機能化
に伴い、セラミックコンデンサにも小型化、大容量化が
求められている。このため、セラミック基板に誘電体層
や電極が印刷により形成される印刷セラミックコンデン
サが多種提案されている（特開平４−２６６００６号公
報）。
に伴い、セラミックコンデンサにも小型化、大容量化が
求められている。このため、セラミック基板に誘電体層
や電極が印刷により形成される印刷セラミックコンデン
サが多種提案されている（特開平４−２６６００６号公
報）。
【０００３】従来の高誘電材料としてはチタン酸バリウ
ム、チタン酸ストロンチウム等が用いられてきた。しか
し、これらの材料は１０００℃以上の高温で焼結する必
要があり、印刷セラミックコンデンサとしては基板や電
極に支障を起こしやすいため問題がある。
ム、チタン酸ストロンチウム等が用いられてきた。しか
し、これらの材料は１０００℃以上の高温で焼結する必
要があり、印刷セラミックコンデンサとしては基板や電
極に支障を起こしやすいため問題がある。
【０００４】最近、鉛系複合ペロブスカイト型誘電体が
１０００℃以下で焼結できるものとして提供されてい
る。かかる誘電体を用いた従来の技術としては、積層セ
ラミックコンデンサの製造法がある（特開平２−１９４
６０７号公報）。この製造法では、一般的な鉛系複合ペ
ロブスカイト型誘電体をその粒径１μｍ以下で、有機バ
インダと共に用いることにより、焼成条件を安定且つ簡
易にさせて高価なＡｇ−Ｐｄ系の電極を安価なＣｕやＮ
ｉ等の電極にして低コスト化を図ったものである。ま
た、鉛系複合ペロブスカイト型誘電体を〔Ｐｂ（Ｍｇ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ3 〕、〔ＣｄＴｉＯ3 〕、及び〔Ｐ
ｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ3 〕の特定の三成分に限定
した高誘電率磁器組成物が提案され（特開昭５７−２０
８００４号公報）、１０００℃以下の焼結による銀電極
の使用可能な厚膜セラミックコンデンサを提供してい
る。
１０００℃以下で焼結できるものとして提供されてい
る。かかる誘電体を用いた従来の技術としては、積層セ
ラミックコンデンサの製造法がある（特開平２−１９４
６０７号公報）。この製造法では、一般的な鉛系複合ペ
ロブスカイト型誘電体をその粒径１μｍ以下で、有機バ
インダと共に用いることにより、焼成条件を安定且つ簡
易にさせて高価なＡｇ−Ｐｄ系の電極を安価なＣｕやＮ
ｉ等の電極にして低コスト化を図ったものである。ま
た、鉛系複合ペロブスカイト型誘電体を〔Ｐｂ（Ｍｇ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ3 〕、〔ＣｄＴｉＯ3 〕、及び〔Ｐ
ｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ3 〕の特定の三成分に限定
した高誘電率磁器組成物が提案され（特開昭５７−２０
８００４号公報）、１０００℃以下の焼結による銀電極
の使用可能な厚膜セラミックコンデンサを提供してい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような鉛系複合ペロブスカイト型誘電体の従来成分から
なる印刷セラミックコンデンサでは、高誘電率化、及び
誘電損失を少なくすることが難しく、特に、特性にバラ
ツキが見られ製造上依然大きな問題が見られた。従っ
て、本発明の目的は、誘電率が高く、また誘電損失が少
なく、且つそれらの特性等が安定している、印刷方法に
より得られる印刷セラミックコンデンサを用いた電子部
品を提供することである。
ような鉛系複合ペロブスカイト型誘電体の従来成分から
なる印刷セラミックコンデンサでは、高誘電率化、及び
誘電損失を少なくすることが難しく、特に、特性にバラ
ツキが見られ製造上依然大きな問題が見られた。従っ
て、本発明の目的は、誘電率が高く、また誘電損失が少
なく、且つそれらの特性等が安定している、印刷方法に
より得られる印刷セラミックコンデンサを用いた電子部
品を提供することである。
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鉛系複合
ペロブスカイト型誘電体に含まれるＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、
Ｚｎ、Ｆｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｐ
ｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｔｉ等の各種元素の定量分析を行い、
鉛系複合ペロブスカイト型誘電体層のＰｂ、Ｎｂ及びＴ
ｉの含有量を特定の範囲にすることにより、極めて誘電
率が高く誘電損失の少ない高信頼性のある印刷セラミッ
クコンデンサを用いた電子部品を得ることを知見した。
ペロブスカイト型誘電体に含まれるＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、
Ｚｎ、Ｆｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｐ
ｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｔｉ等の各種元素の定量分析を行い、
鉛系複合ペロブスカイト型誘電体層のＰｂ、Ｎｂ及びＴ
ｉの含有量を特定の範囲にすることにより、極めて誘電
率が高く誘電損失の少ない高信頼性のある印刷セラミッ
クコンデンサを用いた電子部品を得ることを知見した。
【０００６】即ち、本発明は上記知見に基づいて目的を
達成したものであり、構造的にＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （但し、
〔Ａ〕は一種以上の元素でもよい。）で表されるペロブ
スカイト構造を持つ誘電体の成分において下記〔数２〕
の範囲で組成が構成されている誘電体層を有する印刷セ
ラミックコンデンサを用いた電子部品を提供したもので
ある。
達成したものであり、構造的にＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （但し、
〔Ａ〕は一種以上の元素でもよい。）で表されるペロブ
スカイト構造を持つ誘電体の成分において下記〔数２〕
の範囲で組成が構成されている誘電体層を有する印刷セ
ラミックコンデンサを用いた電子部品を提供したもので
ある。
【０００７】
【数２】 本発明に係る印刷セラミックコンデンサーを用いた電子
部品とは、電子機器の部分品であり電子回路網を構成す
る部品、及び電気的叉は機械的入力によりこれら電気的
作用に変換する機構部品である。
部品とは、電子機器の部分品であり電子回路網を構成す
る部品、及び電気的叉は機械的入力によりこれら電気的
作用に変換する機構部品である。
【０００８】以下、本発明に係る印刷セラミックコンデ
ンサを用いた電子部品について詳述する。図１(A) は、
本発明を構成する印刷セラミックコンデンサの一実施態
様を示す平面図、図１(B) は図１(A) のＩ−Ｉ線に沿っ
た断面図である。
ンサを用いた電子部品について詳述する。図１(A) は、
本発明を構成する印刷セラミックコンデンサの一実施態
様を示す平面図、図１(B) は図１(A) のＩ−Ｉ線に沿っ
た断面図である。
【０００９】本発明を構成する印刷セラミックコンデン
サは一般に、図１に示す如くアルミナセラミック等の基
板１に形成され、下部電極２、誘電体層３、及び上部電
極４等がスクリーン印刷等のそれ自体公知の方法で形成
される。尚、必要によりガラス保護層５等が形成され
る。また、本発明においてはその印刷法を特に限定する
ものではない。また、本発明を構成する印刷セラミック
コンデンサは図１(B) に示す構造を必ずしもとる必要が
なく、電子部品を提供するに当たっては、その適宜な構
造を採ることができる。
サは一般に、図１に示す如くアルミナセラミック等の基
板１に形成され、下部電極２、誘電体層３、及び上部電
極４等がスクリーン印刷等のそれ自体公知の方法で形成
される。尚、必要によりガラス保護層５等が形成され
る。また、本発明においてはその印刷法を特に限定する
ものではない。また、本発明を構成する印刷セラミック
コンデンサは図１(B) に示す構造を必ずしもとる必要が
なく、電子部品を提供するに当たっては、その適宜な構
造を採ることができる。
【００１０】本発明に係る印刷セラミックコンデンサを
用いた電子部品は、ハイブリッドＩＣ、複合電子部品
（Ｌ・Ｃ複合部品、Ｒ・Ｃ複合部品、コンデンサアレ
ー）、ノイズ対策用部品、ノイズ対策用コネクター、濾
波フィルター付コネクター、等の用途に高機能・高信頼
性が見られる。印刷セラミックコンデンサの誘電体層３
は、構造的にＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （但し、〔Ａ〕は一種以上
の元素でもよい。）で表されるペロブスカイト構造を持
つ誘電体の成分において下記〔数３〕の範囲で組成が構
成されている誘電体層を有するものが好ましい。
用いた電子部品は、ハイブリッドＩＣ、複合電子部品
（Ｌ・Ｃ複合部品、Ｒ・Ｃ複合部品、コンデンサアレ
ー）、ノイズ対策用部品、ノイズ対策用コネクター、濾
波フィルター付コネクター、等の用途に高機能・高信頼
性が見られる。印刷セラミックコンデンサの誘電体層３
は、構造的にＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （但し、〔Ａ〕は一種以上
の元素でもよい。）で表されるペロブスカイト構造を持
つ誘電体の成分において下記〔数３〕の範囲で組成が構
成されている誘電体層を有するものが好ましい。
【００１１】
【数３】
【００１２】また、特にＸの好ましい値は０．０１以下
であり、Ｙの好ましい値は０．０１以下であり、Ｚの好
まし値は５．０以上７．８以下である。このような範囲
の誘電体成分を有する印刷セラミックコンデンサは誘電
率が高く、誘電損失の少なく、また高信頼性が見られ
る。
であり、Ｙの好ましい値は０．０１以下であり、Ｚの好
まし値は５．０以上７．８以下である。このような範囲
の誘電体成分を有する印刷セラミックコンデンサは誘電
率が高く、誘電損失の少なく、また高信頼性が見られ
る。
【００１３】また、鉛系複合ペロブスカイト型誘電体の
〔Ａ〕としては、（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）、（Ｃｏ１
／３Ｎｂ２／３）、（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）、（Ｉｎ
１／２Ｎｂ１／２）、（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）、（Ｚ
ｎ１／３Ｎｂ２／３）等のニオブ系を挙げることがで
き、また上記Ｘ、Ｙ、Ｚ成分範囲において〔Ａ〕が（Ｆ
ｅ２／３Ｗ１／３）、（Ｃｏ１／２Ｗ１／２）、（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）、Ｚｒ等のペロブスカイト型誘電体を
含んでも良い。尚、本発明を構成する印刷セラミックコ
ンデンサにおいて、その誘電体は実質的に〔Ａ〕がマグ
ネシウム及びニオブからなるＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ3 であることが特に好ましい。
〔Ａ〕としては、（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）、（Ｃｏ１
／３Ｎｂ２／３）、（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）、（Ｉｎ
１／２Ｎｂ１／２）、（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）、（Ｚ
ｎ１／３Ｎｂ２／３）等のニオブ系を挙げることがで
き、また上記Ｘ、Ｙ、Ｚ成分範囲において〔Ａ〕が（Ｆ
ｅ２／３Ｗ１／３）、（Ｃｏ１／２Ｗ１／２）、（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）、Ｚｒ等のペロブスカイト型誘電体を
含んでも良い。尚、本発明を構成する印刷セラミックコ
ンデンサにおいて、その誘電体は実質的に〔Ａ〕がマグ
ネシウム及びニオブからなるＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ3 であることが特に好ましい。
【００１４】上記誘電体層を構成する誘電体は粒径が揃
い、その平均粒径が２．０μｍ以下である。このような
粒径の誘電体による印刷セラミックコンデンサは高誘電
率、低誘電損失であり、それらの信頼性が高くなる。更
に、好ましくは１．０μ以下、特に好ましくは０．５μ
ｍ以下である。
い、その平均粒径が２．０μｍ以下である。このような
粒径の誘電体による印刷セラミックコンデンサは高誘電
率、低誘電損失であり、それらの信頼性が高くなる。更
に、好ましくは１．０μ以下、特に好ましくは０．５μ
ｍ以下である。
【００１５】また上記誘電体層では二酸化鉛（２θ＝２
８．７°〜２９．２°、ｄ＝３．１１〜３．０６オング
ストローム）とＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （２θ＝３１．０°〜３
１．５°、ｄ＝２．８８〜２．８４オングストローム）
との強度比が、Ｘ線回析（ＣｕＫα線）のピーク強度比
により、１．０以下であることが好ましい。このような
成分状態の誘電体であるセラミックコンデンサは、高誘
電率、低誘電損失のものが得られ、またそれらの信頼性
が高くなる。更に、その成分比が０．２以下であること
が好ましい。
８．７°〜２９．２°、ｄ＝３．１１〜３．０６オング
ストローム）とＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （２θ＝３１．０°〜３
１．５°、ｄ＝２．８８〜２．８４オングストローム）
との強度比が、Ｘ線回析（ＣｕＫα線）のピーク強度比
により、１．０以下であることが好ましい。このような
成分状態の誘電体であるセラミックコンデンサは、高誘
電率、低誘電損失のものが得られ、またそれらの信頼性
が高くなる。更に、その成分比が０．２以下であること
が好ましい。
【００１６】このような誘電体を得るには、先ず、Ｐ
ｂ、Ｍｇ、Ｎｂ等のそれぞれの酸化物の粉末の段階から
混合することが望ましく、例えば、これらの酸化物をボ
ールミル等で十分に混合乾燥し、ライカイ機等で十分解
砕した後、水等を加えて一旦加圧成形物とし、７５０℃
〜８００℃で３時間仮焼する。そして、仮焼物を粗砕
し、更にボールミル等で粉砕、乾燥する。そしてこのよ
うな工程を数回繰り返して、誘電体がＸ線回折法により
ペロブスカイト構造であることを確認することが望まし
い。また、誘電体の平均粒径に応じて適宜ボールミルの
処理時間を設定することが望ましい。ただし、公知の製
造方法にて作製する限り特に制限するものでない。
ｂ、Ｍｇ、Ｎｂ等のそれぞれの酸化物の粉末の段階から
混合することが望ましく、例えば、これらの酸化物をボ
ールミル等で十分に混合乾燥し、ライカイ機等で十分解
砕した後、水等を加えて一旦加圧成形物とし、７５０℃
〜８００℃で３時間仮焼する。そして、仮焼物を粗砕
し、更にボールミル等で粉砕、乾燥する。そしてこのよ
うな工程を数回繰り返して、誘電体がＸ線回折法により
ペロブスカイト構造であることを確認することが望まし
い。また、誘電体の平均粒径に応じて適宜ボールミルの
処理時間を設定することが望ましい。ただし、公知の製
造方法にて作製する限り特に制限するものでない。
【００１７】また、上記誘電体層にＢｉ2 Ｏ3 を添加す
ることが好ましく、誘電体層の誘電率を適宜コントロー
ルすることができ、且つ誘電損失を低くすることがで
き、厚膜印刷時の自由度が増加し、安価で高誘電率で低
誘電損失の印刷セラミックコンデンサを容易に得ること
ができる。Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量としては１０重量部以下
の範囲で含むことが好ましい。更に、上記誘電体層の誘
電率が１０００〜２０００であり且つ誘電損失係数が
０．５％以下、誘電率が２０００〜７０００であり且つ
誘電損失係数が１．０％以下、又は誘電率が７０００〜
１００００であり且つ誘電損失係数が１．５％以下であ
ることが望ましい。このような特性があれば、比較的薄
い膜厚で高容量のコンデンサの組み込みが印刷法により
可能となり、従って、印刷セラミックコンデンサを電子
部品に用いた場合、広い周波数範囲での電子部品供給が
可能となる。
ることが好ましく、誘電体層の誘電率を適宜コントロー
ルすることができ、且つ誘電損失を低くすることがで
き、厚膜印刷時の自由度が増加し、安価で高誘電率で低
誘電損失の印刷セラミックコンデンサを容易に得ること
ができる。Ｂｉ2 Ｏ3 の添加量としては１０重量部以下
の範囲で含むことが好ましい。更に、上記誘電体層の誘
電率が１０００〜２０００であり且つ誘電損失係数が
０．５％以下、誘電率が２０００〜７０００であり且つ
誘電損失係数が１．０％以下、又は誘電率が７０００〜
１００００であり且つ誘電損失係数が１．５％以下であ
ることが望ましい。このような特性があれば、比較的薄
い膜厚で高容量のコンデンサの組み込みが印刷法により
可能となり、従って、印刷セラミックコンデンサを電子
部品に用いた場合、広い周波数範囲での電子部品供給が
可能となる。
【００１８】上記誘電体層を基板に印刷層として形成す
る場合は、上記誘電体を誘電体ペーストとにして用いる
が、この場合、誘電体ペーストに用いるバインダーはエ
チルセルロース等のそれ自体公知のものを使用する限り
特に制限はなく、またその混合量も適宜混合すればよ
い。
る場合は、上記誘電体を誘電体ペーストとにして用いる
が、この場合、誘電体ペーストに用いるバインダーはエ
チルセルロース等のそれ自体公知のものを使用する限り
特に制限はなく、またその混合量も適宜混合すればよ
い。
【００１９】また、印刷後に於ける焼結温度は１０００
℃以下で行うことが好ましく、特に電極成分や基板等を
考慮すると８００〜９５０℃であることが好ましい。電
極に用いられる組成物は印刷セラミックコンデンサ等に
従来から用いられているものであれば、特に制限される
ものではなく、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ
等から構成される電極が挙げられる。またＰｂ（Ｍｇ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ3 を主成分とし、下記〔数４〕の範
囲で組成が構成され、且つＢｉ2 Ｏ 3に換算して９．１
〜０．０１重量％を含み、二酸化鉛とＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 と
のＸ線回折（ＣｕＫα線）のピーク強度比が１．０以下
である誘電体層よりなる印刷セラミックコンデンサを用
いた電子部品が特に好ましい。
℃以下で行うことが好ましく、特に電極成分や基板等を
考慮すると８００〜９５０℃であることが好ましい。電
極に用いられる組成物は印刷セラミックコンデンサ等に
従来から用いられているものであれば、特に制限される
ものではなく、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ
等から構成される電極が挙げられる。またＰｂ（Ｍｇ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ3 を主成分とし、下記〔数４〕の範
囲で組成が構成され、且つＢｉ2 Ｏ 3に換算して９．１
〜０．０１重量％を含み、二酸化鉛とＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 と
のＸ線回折（ＣｕＫα線）のピーク強度比が１．０以下
である誘電体層よりなる印刷セラミックコンデンサを用
いた電子部品が特に好ましい。
【００２０】
【数４】
【００２１】以上の如く構成される本発明を構成する印
刷セラミックコンデンサにあっては、焼結温度が低く厚
膜印刷法が容易に適用できるため、所望の同一容量及び
異なる容量の印刷セラミックコンデンサを同時に多数個
作製することができ、広範囲容量、低損失、広帯域周波
数、高信頼性で生産性に優れている。また、製造した印
刷セラミックコンデンサは、高誘電率、低誘電損失のも
のが得られ、またそれらの信頼性が高い。
刷セラミックコンデンサにあっては、焼結温度が低く厚
膜印刷法が容易に適用できるため、所望の同一容量及び
異なる容量の印刷セラミックコンデンサを同時に多数個
作製することができ、広範囲容量、低損失、広帯域周波
数、高信頼性で生産性に優れている。また、製造した印
刷セラミックコンデンサは、高誘電率、低誘電損失のも
のが得られ、またそれらの信頼性が高い。
【００２２】既述した印刷セラミックコンデンサを用い
た電子部品の応用例として、厚膜ハイブリッドＩＣ・複
合電子部品・ノイズ対策用部品・ノイズ対策用コネクタ
ー・濾波フィルター付コネクターへの応用等が有効であ
る。例えばその概略を説明すると、図２に示す如くアル
ミナセラミック基板１１に導体１２、抵抗体１３、誘電
体層３、フェライト１５及びガラス保護層１４を印刷法
で形成してなる厚膜ハイブリッドＩＣ・複合電子部品
（Ｌ・Ｃ複合部品、Ｒ・Ｃ複合部品、コンデンサアレ
ー）１０を作製することができる。
た電子部品の応用例として、厚膜ハイブリッドＩＣ・複
合電子部品・ノイズ対策用部品・ノイズ対策用コネクタ
ー・濾波フィルター付コネクターへの応用等が有効であ
る。例えばその概略を説明すると、図２に示す如くアル
ミナセラミック基板１１に導体１２、抵抗体１３、誘電
体層３、フェライト１５及びガラス保護層１４を印刷法
で形成してなる厚膜ハイブリッドＩＣ・複合電子部品
（Ｌ・Ｃ複合部品、Ｒ・Ｃ複合部品、コンデンサアレ
ー）１０を作製することができる。
【００２３】また、図３(A) 及び(B) に示す如く、アル
ミナセラミック基板２１に所定ピン挿入ホール２２を形
成し、所望の位置に導体１２、誘電体層３及びガラス保
護層１４を印刷法で形成してなるものを部材として電子
部品を作製することができ、このような電子部品は、市
販のコネクター・プリント基板・等に取り付けて使用す
ることができる。また、挿入ホール２２に対応した印刷
セラミックコンデンサを形成したアルミナセラミック基
板２１のピン挿入ホール２２にピン２３を固定してなる
ノイズ対策用部品２０を作製することができる。このよ
うなアルミナセラミック基板２１はピン挿入ホール２２
に対応独立した印刷セラミックコンデンサを形成した状
態で、図５及び図６に示す如く濾波フィルター付コネク
タ４０に組み込む方法において、ピン２３を片面又は両
面に半田２４で固定し、またスプリング機能を持ったピ
ン２３’にて固定してもよく、またバネ２５にてピン２
３を固定してもよい。
ミナセラミック基板２１に所定ピン挿入ホール２２を形
成し、所望の位置に導体１２、誘電体層３及びガラス保
護層１４を印刷法で形成してなるものを部材として電子
部品を作製することができ、このような電子部品は、市
販のコネクター・プリント基板・等に取り付けて使用す
ることができる。また、挿入ホール２２に対応した印刷
セラミックコンデンサを形成したアルミナセラミック基
板２１のピン挿入ホール２２にピン２３を固定してなる
ノイズ対策用部品２０を作製することができる。このよ
うなアルミナセラミック基板２１はピン挿入ホール２２
に対応独立した印刷セラミックコンデンサを形成した状
態で、図５及び図６に示す如く濾波フィルター付コネク
タ４０に組み込む方法において、ピン２３を片面又は両
面に半田２４で固定し、またスプリング機能を持ったピ
ン２３’にて固定してもよく、またバネ２５にてピン２
３を固定してもよい。
【００２４】更に、アルミナセラミック基板２１のアー
ス電極２６とハウジング２７を電気的接続、機構的固定
の為に板バネ２８をカバー２９、止めピン４１と共に固
定することにより簡易で確実な組立てができ、濾波フィ
ルター付コネクタ（ノズル対策コネクタ）４０を形成す
る。このような厚膜ハイブリッドＩＣ・複合電子部品１
０、ノイズ対策用部品２０、濾波フィルター付コネクタ
４０、等はノイズを嫌う電子装置・電子機器用に使用で
き、例えば、通信機器・自動車用電子装置・パチンコ・
ゲーム等の電子機器遊戯装置、自動発券機、自動販売
機、コンピュータ周辺機器等に使用することができる。
ス電極２６とハウジング２７を電気的接続、機構的固定
の為に板バネ２８をカバー２９、止めピン４１と共に固
定することにより簡易で確実な組立てができ、濾波フィ
ルター付コネクタ（ノズル対策コネクタ）４０を形成す
る。このような厚膜ハイブリッドＩＣ・複合電子部品１
０、ノイズ対策用部品２０、濾波フィルター付コネクタ
４０、等はノイズを嫌う電子装置・電子機器用に使用で
き、例えば、通信機器・自動車用電子装置・パチンコ・
ゲーム等の電子機器遊戯装置、自動発券機、自動販売
機、コンピュータ周辺機器等に使用することができる。
【００２５】更に、図４に示す如くアルミナセッラミッ
ク基板３１に厚膜印刷技術にて、導体１２、誘電体層３
を交互積層構造で形成することにより積層印刷セラミッ
クコンデンサ３０を作成することができる。
ク基板３１に厚膜印刷技術にて、導体１２、誘電体層３
を交互積層構造で形成することにより積層印刷セラミッ
クコンデンサ３０を作成することができる。
【００２６】従って、このような印刷セラミックコンデ
ンサを用いた電子部品は、厚膜ハイブリッドＩＣ・複合
電子部品、ノイズ対策用部品、ノイズ対策用コネクタ
ー、濾波フィルター付コネクター等に使用することがで
き、その高い信頼性を維持することができる。
ンサを用いた電子部品は、厚膜ハイブリッドＩＣ・複合
電子部品、ノイズ対策用部品、ノイズ対策用コネクタ
ー、濾波フィルター付コネクター等に使用することがで
き、その高い信頼性を維持することができる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明に係る印刷セラミックコンデン
サを用いた電子部品を構成する印刷セラミックコンデン
サの実施例を説明する。尚、本発明構成する印刷セラミ
ックコンデンサは以下の実施例に限られるものではな
い。
サを用いた電子部品を構成する印刷セラミックコンデン
サの実施例を説明する。尚、本発明構成する印刷セラミ
ックコンデンサは以下の実施例に限られるものではな
い。
【００２８】（実施例１）先ず、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ
２／３）Ｏ3 の組成になるようにＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂのそ
れぞれの酸化物の粉末を所定量秤量し、イオン交換水を
加え、ジルコニアボールを用いたボールミルで１５時間
混合した。これを乾燥し、ライカイ機で十分解砕した
後、粉末量５重量％のイオン交換水を加え、直径５０mm
高さ４０mmの円柱状に加圧成形した。これをアルミナル
ツボ中に入れアルミナ製の蓋をし、７５０℃〜８００℃
で３時間仮焼した。
２／３）Ｏ3 の組成になるようにＰｂ、Ｍｇ、Ｎｂのそ
れぞれの酸化物の粉末を所定量秤量し、イオン交換水を
加え、ジルコニアボールを用いたボールミルで１５時間
混合した。これを乾燥し、ライカイ機で十分解砕した
後、粉末量５重量％のイオン交換水を加え、直径５０mm
高さ４０mmの円柱状に加圧成形した。これをアルミナル
ツボ中に入れアルミナ製の蓋をし、７５０℃〜８００℃
で３時間仮焼した。
【００２９】次に、仮焼物を粗砕し、更にボールミルで
２４時間粉砕し、乾燥した。以上の加圧成形・仮焼・粉
砕・乾燥を三回繰り返して、この粉末をＸ線回折法によ
り解析しペロブスカイト構造であることを確認した。こ
の粉末にイオン交換水を加え、ジルコニアボールを用い
たボールミルで１５０時間粉砕して乾燥した後に誘電体
粉体として使用した。誘電体粉体１００重量部にエチル
セルロースを３重量部とα−テルビネオールを適宜量加
えて、乳鉢に混合した後、３本ロールで十分に混練して
誘電体ペーストを作製した。
２４時間粉砕し、乾燥した。以上の加圧成形・仮焼・粉
砕・乾燥を三回繰り返して、この粉末をＸ線回折法によ
り解析しペロブスカイト構造であることを確認した。こ
の粉末にイオン交換水を加え、ジルコニアボールを用い
たボールミルで１５０時間粉砕して乾燥した後に誘電体
粉体として使用した。誘電体粉体１００重量部にエチル
セルロースを３重量部とα−テルビネオールを適宜量加
えて、乳鉢に混合した後、３本ロールで十分に混練して
誘電体ペーストを作製した。
【００３０】印刷セラミックコンデンサの製造にあった
ては、アルミナセラミック基板上に銀系の導電性ペース
トをスクリーン印刷し乾燥し８５０℃１０分間の焼成を
行い下部電極を形成する。次に下部電極面の上に重なる
部分を有するように上記誘電体ペーストをスクリーン印
刷し乾燥する。誘電体ペーストのスクリーン印刷は１
回、複数回でもよいが本実施例ではスクリーン印刷・乾
燥を３回行いピーク温度９００℃にて１０分間維持して
誘電体層を形成した。更に、下部電極とは直接接触しな
い、誘電体層に重なるように銀系の導電性ペーストをス
クリーン印刷し乾燥して上部電極を形成した。
ては、アルミナセラミック基板上に銀系の導電性ペース
トをスクリーン印刷し乾燥し８５０℃１０分間の焼成を
行い下部電極を形成する。次に下部電極面の上に重なる
部分を有するように上記誘電体ペーストをスクリーン印
刷し乾燥する。誘電体ペーストのスクリーン印刷は１
回、複数回でもよいが本実施例ではスクリーン印刷・乾
燥を３回行いピーク温度９００℃にて１０分間維持して
誘電体層を形成した。更に、下部電極とは直接接触しな
い、誘電体層に重なるように銀系の導電性ペーストをス
クリーン印刷し乾燥して上部電極を形成した。
【００３１】スクリーン印刷・乾燥が完了したアルミナ
セラミック基板をピーク温度９００℃にて１０分間維持
して焼成を行い印刷セラミックコンデンサを作製した。
尚、オーバーコート用ガラスペーストを基板にスクリー
ン印刷・乾燥して５３０℃にて１０分間焼成して、上部
電極、誘電体層、及び下部電極を保護するガラス保護層
を形成した（図１(A) 及び(B) の構造）。
セラミック基板をピーク温度９００℃にて１０分間維持
して焼成を行い印刷セラミックコンデンサを作製した。
尚、オーバーコート用ガラスペーストを基板にスクリー
ン印刷・乾燥して５３０℃にて１０分間焼成して、上部
電極、誘電体層、及び下部電極を保護するガラス保護層
を形成した（図１(A) 及び(B) の構造）。
【００３２】次に、作製した印刷セラミックコンデンサ
の２５℃に於ける誘電率、誘電損失（％）、絶縁抵抗
（Ω）を測定評価した。また、印刷セラミックコンデン
サの誘電体層に於ける誘電体の平均粒径、Ｘ線回折（Ｃ
ｕＫα線）の分析による二酸化鉛とＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ3 とのピーク強度比を測定した。また、Ｂ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｌｉ、
Ｓｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｔｉの定量化分析を日
本電子（株）製ＪＸＡ−Ｂ６００ Ｘ線マイクロアナラ
イザーにより行い、上記〔数１〕におけるＸ、Ｙ、及び
Ｚを求めた。以上の結果を表１に示した。
の２５℃に於ける誘電率、誘電損失（％）、絶縁抵抗
（Ω）を測定評価した。また、印刷セラミックコンデン
サの誘電体層に於ける誘電体の平均粒径、Ｘ線回折（Ｃ
ｕＫα線）の分析による二酸化鉛とＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ3 とのピーク強度比を測定した。また、Ｂ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｌｉ、
Ｓｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｔｉの定量化分析を日
本電子（株）製ＪＸＡ−Ｂ６００ Ｘ線マイクロアナラ
イザーにより行い、上記〔数１〕におけるＸ、Ｙ、及び
Ｚを求めた。以上の結果を表１に示した。
【００３３】（実施例２）実施例１と略同様な工程で、
ボールミルで１５０時間粉砕した誘電体粉末を、更にボ
ールミルで７２時間粉砕し、乾燥した誘電体粉末を用い
て、実施例１と同様な方法で印刷セラミックコンデンサ
を作製した。得られた印刷セラミックコンデンサについ
ても実施例１と同様な評価を行い、表１に示した。
ボールミルで１５０時間粉砕した誘電体粉末を、更にボ
ールミルで７２時間粉砕し、乾燥した誘電体粉末を用い
て、実施例１と同様な方法で印刷セラミックコンデンサ
を作製した。得られた印刷セラミックコンデンサについ
ても実施例１と同様な評価を行い、表１に示した。
【００３４】（実施例３）実施例１と略同様な工程で、
ボールミルで１５０時間粉砕した誘電体粉末を、更にボ
ールミルで１５０時間粉砕し、乾燥した誘電体粉末を用
いて、実施例１と同様な方法で印刷セラミックコンデン
サを作製した。得られた印刷セラミックコンデンサにつ
いても実施例１と同様な評価を行い、表１に示した。
ボールミルで１５０時間粉砕した誘電体粉末を、更にボ
ールミルで１５０時間粉砕し、乾燥した誘電体粉末を用
いて、実施例１と同様な方法で印刷セラミックコンデン
サを作製した。得られた印刷セラミックコンデンサにつ
いても実施例１と同様な評価を行い、表１に示した。
【００３５】（実施例４）実施例１と略同様な工程で、
上記誘電体ペースト作製時に更に誘電体粉末に対して
０．５重量部のＢｉ2 Ｏ3 を加えて誘電体ペーストを作
製して、実施例１と同様な方法で印刷セラミックコンデ
ンサを作製した。得られた印刷セラミックコンデンサに
ついても実施例１と同様な評価を行い、表１に示した。
上記誘電体ペースト作製時に更に誘電体粉末に対して
０．５重量部のＢｉ2 Ｏ3 を加えて誘電体ペーストを作
製して、実施例１と同様な方法で印刷セラミックコンデ
ンサを作製した。得られた印刷セラミックコンデンサに
ついても実施例１と同様な評価を行い、表１に示した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【発明の効果】本発明に係る印刷セラミックコンデンサ
を用いた電子部品では、誘電率が高く、また誘電損失が
少なく、且つそれらの特性等が安定し、しかも生産性が
良く安価に提供できる。
を用いた電子部品では、誘電率が高く、また誘電損失が
少なく、且つそれらの特性等が安定し、しかも生産性が
良く安価に提供できる。
【図１】(A) 及び(B) は本発明を構成する印刷セラミッ
クコンデンサの一実施態様を示す平面図及び断面図であ
る。
クコンデンサの一実施態様を示す平面図及び断面図であ
る。
【図２】本発明を構成する印刷セラミックコンデンサを
用いた厚膜ハイブリッドＩＣ・複合電子部品の断面図で
ある。
用いた厚膜ハイブリッドＩＣ・複合電子部品の断面図で
ある。
【図３】(A) 及び(B) は、本発明を構成する印刷セラミ
ックコンデンサを用いたノイズ対策用部品の断面図であ
る。
ックコンデンサを用いたノイズ対策用部品の断面図であ
る。
【図４】本発明を構成する印刷セラミックコンデンサを
用いた積層印刷セラミックコンデンサの断面図である。
用いた積層印刷セラミックコンデンサの断面図である。
【図５】本発明を構成する印刷セラミックコンデンサを
用いた濾波フィルタ付コネクタのピン取付方法の断面図
である。
用いた濾波フィルタ付コネクタのピン取付方法の断面図
である。
【図６】本発明を構成する印刷セラミックコンデンサを
用いた濾波フィルタ付コネクタの組立て構成図である。
用いた濾波フィルタ付コネクタの組立て構成図である。
１、１１、２１、３１ アルミナセラミック基板 ２ 下部電極 ３ 誘電体層 ４ 上部電極 ５、１４ ガラス保護層 １０ 厚膜ハイブリッドＩＣ・複合電子部品 １２ 導体 １３ 抵抗体 １５ フェライト ２０ ノイズ対策用部品 ２２ ピン挿入ホール ２３、２３’ ピン ２４ 半田 ２５ バネ ２６ アース電極 ２７ ハウジング ２８ 板バネ ２９ カバー ３０ 積層印刷セラミックコンデンサ ４１ 止めピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/40 Ｈ０１Ｒ 13/46 7354−5Ｅ 9174−5Ｅ Ｈ０１Ｇ 4/40 Ａ
Claims (7)
- 【請求項１】 印刷セラミックコンデンサを用いた電子
部品。 - 【請求項２】 構造的にＰｂ〔Ａ〕Ｏ3 （但し、〔Ａ〕
は一種以上の元素でもよい。）で表されるペロブスカイ
ト構造を持つ誘電体の成分において下記〔数１〕の範囲
で組成が構成されている誘電体層を有することを特徴と
する請求項１記載の印刷セラミックコンデンサを用いた
電子部品。 【数１】 - 【請求項３】 上記誘電体は、〔Ａ〕がマグネシウム及
びニオブからなるＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ3 で
あることを特徴とする請求項２記載の印刷セラミックコ
ンデンサを用いた電子部品。 - 【請求項４】 上記誘電体層を構成する誘電体の平均粒
径が２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項２又
は３記載の印刷セラミックコンデンサを用いた電子部
品。 - 【請求項５】 Ｘ線回析（ＣｕＫα線）のピーク強度比
による二酸化鉛／複合Ｐｂ〔Ａ〕Ｏ3 の強度比が１．０
以下となる上記誘電体層であることを特徴とする請求項
２〜４のいずれかに記載の印刷セラミックコンデンサを
用いた電子部品。 - 【請求項６】 上記誘電体層にＢｉ2 Ｏ3 を１０重量部
以下含むことを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記
載の印刷セラミックコンデンサを用いた電子部品。 - 【請求項７】 誘電率が１０００〜２０００であり且つ
誘電損失係数が０．５％以下、誘電率が２０００〜７０
００であり且つ誘電損失係数が１．０％以下、又は誘電
率が７０００〜１００００であり且つ誘電損失係数が
１．５％以下であることを特徴とする請求項２〜６のい
ずれかに記載の印刷セラミックコンデンサを用いた電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014070A JPH07211582A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014070A JPH07211582A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211582A true JPH07211582A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11850849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6014070A Pending JPH07211582A (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111954650A (zh) * | 2018-04-11 | 2020-11-17 | 昭荣化学工业株式会社 | 介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件 |
-
1994
- 1994-01-13 JP JP6014070A patent/JPH07211582A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111954650A (zh) * | 2018-04-11 | 2020-11-17 | 昭荣化学工业株式会社 | 介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件 |
| US11524923B2 (en) | 2018-04-11 | 2022-12-13 | Shoei Chemical Inc. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103915253B (zh) | 陶瓷电子部件的制造方法及陶瓷电子部件 | |
| TW293955B (ja) | ||
| CN106207755B (zh) | 静电保护部件以及静电保护部件的制造方法 | |
| EP2000445A9 (en) | Dielectric porcelain composition and electronic component | |
| KR100320135B1 (ko) | 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| CN109935467A (zh) | 电容器组件 | |
| DE19903500A1 (de) | Dünnschichtschaltkreis mit Bauteil | |
| CN108428554A (zh) | 电容器组件以及制造电容器组件的方法 | |
| JP2608288B2 (ja) | セラミツク及びこれを用いた回路基体と電子回路基体 | |
| KR100229768B1 (ko) | 복합 기능 소자 및 이의 제조 방법 | |
| JP2568204B2 (ja) | セラミツク及びこれを用いた回路基体と電子回路基体 | |
| JPH07242845A (ja) | 電極用導電性塗料およびその製造法 | |
| JPH07220906A (ja) | 複合機能素子 | |
| JPH07211582A (ja) | 電子部品 | |
| JPH07211583A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| US6642167B1 (en) | Dielectric ceramic composition, monolithic ceramic substrate, ceramic electronic component, and monolithic ceramic electronic component | |
| JPH07201643A (ja) | 印刷セラミックコンデンサ | |
| JPH07211581A (ja) | 印刷セラミックコンデンサ | |
| JPH1117483A (ja) | 積層ｌｃ型ノイズフィルタとその製造方法 | |
| JPH07235443A (ja) | 印刷セラミックコンデンサ | |
| JP2021103730A (ja) | セラミック電子部品および実装基板 | |
| JP3697975B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 | |
| JP2622291B2 (ja) | 誘電体ペースト | |
| JPH0865080A (ja) | Ｅｍｉフィルタ | |
| JPH0865079A (ja) | Ｅｍｉフィルタ |