JPH07210831A - Magneto-resistance effect magnetic head - Google Patents

Magneto-resistance effect magnetic head

Info

Publication number
JPH07210831A
JPH07210831A JP2386594A JP2386594A JPH07210831A JP H07210831 A JPH07210831 A JP H07210831A JP 2386594 A JP2386594 A JP 2386594A JP 2386594 A JP2386594 A JP 2386594A JP H07210831 A JPH07210831 A JP H07210831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
magnetoresistive effect
bias
rear end
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2386594A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shuichi Haga
秀一 芳賀
Mamoru Sasaki
守 佐々木
Hideo Suyama
英夫 陶山
Nobuhiro Sugawara
伸浩 菅原
Akio Takada
昭夫 高田
Mikiya Kurosu
実喜也 黒須
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2386594A priority Critical patent/JPH07210831A/en
Publication of JPH07210831A publication Critical patent/JPH07210831A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve reproduced output and to enhance biasing effect by forming a groove part on a shielding magnetic material and providing either or both of the front end side and rear end side of an MR element with flux guides consisting of a high-permeability magnetic material. CONSTITUTION:The groove part 14 is formed on the shielding magnetic material 4 and either or both of the front end side (left side in Fig.) and rear end side (right side in Fig.) of the MR element are provided with the flux guides 11 consisting of the high-permeability magnetic material. As a result, the signal magnetic flux entering to the MR element is efficiently withdrawn to the rear side from the ABS surface 3 side. Bias magnetic field impressing members 9 are respectively disposed both on the groove part 14 disposed in the lower shielding magnetic material 4 and between the upper shielding magnetic material 5 and the MR element, by which the MR element is eventually efficientally biased. Further, the flux guides 11 are disposed forward of the rear end of the groove part 14, by which a bias magnetic path is formed and the bias efficiency is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録された情報を読み出すのに好適な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect magnetic head suitable for reading information recorded on, for example, a hard disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気抵抗効果を有するパーマロイ
等の薄膜素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以
下、MRヘッドと称する。)の開発が盛んに進められて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, a magnetoresistive effect type magnetic head (hereinafter referred to as MR head) using a thin film element such as permalloy having a magnetoresistive effect has been actively developed.

【0003】かかるMRヘッドは、磁気記録媒体から漏
れ出る信号磁束によりパーマロイよりなる薄膜素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ように構成されている。
In such an MR head, the resistance of the thin film element made of permalloy changes due to the signal magnetic flux leaking from the magnetic recording medium, and the information recorded on the magnetic recording medium can be read by detecting the change in the resistance. Is configured.

【0004】このようなMRヘッドは、通常の電磁誘導
型磁気ヘッド(以下、インダクティブヘッドと称す
る。)に比べて、短波長感度に優れることから、狭トラ
ック再生、短波長再生、超低速再生において高い感度が
得られるとされている。
Such an MR head is superior in short wavelength sensitivity to a general electromagnetic induction type magnetic head (hereinafter referred to as an inductive head), and therefore, in narrow track reproduction, short wavelength reproduction, and ultra-low speed reproduction. It is said that high sensitivity can be obtained.

【0005】MRヘッドは、例えば図13に示すよう
に、一対のシールド磁性体101,102によって挟み
込まれた磁気抵抗効果素子103(以下、MR素子10
3と称する。)を有し、そのMR素子103にバイアス
磁界を印加するバイアス導体104を当該MR素子10
3上に設けた構造とされるのが一般的である。
As shown in FIG. 13, for example, the MR head has a magnetoresistive effect element 103 (hereinafter referred to as MR element 10) sandwiched by a pair of shield magnetic bodies 101 and 102.
Called 3. And a bias conductor 104 for applying a bias magnetic field to the MR element 103 is provided.
In general, the structure provided on the upper part 3 is used.

【0006】なお以下、MR素子103を挟んでバイア
ス導体104と対向する側に設けられるシールド磁性体
102を上部シールド磁性体、バイアス導体104と反
対側に設けられるシールド磁性体101を下部シールド
磁性体という。
Hereinafter, the shield magnetic body 102 provided on the side facing the bias conductor 104 with the MR element 103 interposed therebetween is the upper shield magnetic body, and the shield magnetic body 101 provided on the side opposite to the bias conductor 104 is the lower shield magnetic body. Say.

【0007】ところで、MR素子103の真上にバイア
ス導体104を設けた場合には、以下のような不都合が
生ずる。
If the bias conductor 104 is provided right above the MR element 103, the following inconvenience occurs.

【0008】第1に、狭ギャップ化に伴う下部シールド
磁性体101の磁気的影響からくる不安定性がある。す
なわち、狭ギャップ化によりMR素子103と下部シー
ルド磁性体101との対向距離が小さくなることによ
り、バイアス導体104から発生する磁界とMR素子1
03からシールド磁性体101,102に抜けるセンス
電流によって当該下部シールド磁性体101の磁区が乱
される。この影響で下部シールド磁性体101に近接す
るMR素子103の異方性が乱され、その結果磁壁の移
動に伴うバルクハウゼンノイズが発生し易くなる。ま
た、MR素子103と下部シールド磁性体101との対
向距離が短くなると、これらの間の絶縁性が確保できな
くなり、絶縁不良が発生し易くなる。
First, there is instability due to the magnetic influence of the lower shield magnetic body 101 accompanying the narrowing of the gap. That is, since the facing distance between the MR element 103 and the lower shield magnetic body 101 is reduced due to the narrowing of the gap, the magnetic field generated from the bias conductor 104 and the MR element 1 are reduced.
The magnetic domain of the lower shield magnetic body 101 is disturbed by the sense current flowing from 03 to the shield magnetic bodies 101 and 102. Due to this influence, the anisotropy of the MR element 103 adjacent to the lower shield magnetic body 101 is disturbed, and as a result, Barkhausen noise easily occurs due to the movement of the domain wall. Further, when the facing distance between the MR element 103 and the lower shield magnetic body 101 becomes short, the insulation between them cannot be ensured, and the insulation failure easily occurs.

【0009】第2に、折角MR素子103内に入ったバ
イアス磁界が下部シールド磁性体101に漏れてしま
い、バイアス磁界の不均一さが生じ、結果的に再生波形
歪みが起こり線記録密度の低下につながる。
Secondly, the bias magnetic field entering the bent MR element 103 leaks to the lower shield magnetic body 101, resulting in non-uniformity of the bias magnetic field, resulting in reproduction waveform distortion and reduction in linear recording density. Leads to.

【0010】そこで、図14に示すように、一対のシー
ルド磁性体105,106間に設けられたMR素子10
7にバイアス磁界を印加するバイアス導体108を、下
部シールド磁性体108に溝部109を形成し、その中
に埋め込むようにしたものが提案されている。
Therefore, as shown in FIG. 14, the MR element 10 provided between the pair of shield magnetic bodies 105 and 106.
It has been proposed that a bias conductor 108 for applying a bias magnetic field to 7 is formed in a groove portion 109 in the lower shield magnetic body 108 and embedded in the groove portion 109.

【0011】このように、バイアス導体108を下部シ
ールド磁性体105に形成した溝部109に埋め込むよ
うにすれば、先端電極110と後端電極111とで挟ま
れるMR素子107の感磁部と、下部シールド磁性体1
05との対向距離が大きくなり、当該MR素子107に
印加されたバイアス磁界がシールド磁性体105へ漏洩
しなくなる。その結果、MR素子107に印加されるバ
イアス磁界のバイアス分布が均一なものとなり、線形性
が良くなって線記録密度が向上する。
By thus embedding the bias conductor 108 in the groove 109 formed in the lower shield magnetic body 105, the magnetic sensitive portion of the MR element 107 sandwiched between the front electrode 110 and the rear electrode 111 and the lower portion. Shield magnetic body 1
05, the bias magnetic field applied to the MR element 107 does not leak to the shield magnetic body 105. As a result, the bias distribution of the bias magnetic field applied to the MR element 107 becomes uniform, the linearity is improved, and the linear recording density is improved.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところが、下部シール
ド磁性体105に溝部109を形成すると、MR素子1
07の磁気抵抗が上がり、実質的に当該MR素子107
に入り込む磁束が減少する。また、MR素子107はシ
ールド磁性体105,106に比べてその膜厚が薄く透
磁率が低いことから、信号磁束を当該MR素子107の
後端部まで入り込ませることが難しい。
However, when the groove portion 109 is formed in the lower shield magnetic body 105, the MR element 1
The magnetic resistance of 07 increases, and the MR element 107 is substantially
The magnetic flux that enters is reduced. Further, since the MR element 107 has a smaller film thickness and lower magnetic permeability than the shield magnetic bodies 105 and 106, it is difficult to allow the signal magnetic flux to enter the rear end portion of the MR element 107.

【0013】図15に、溝部109を形成した場合と形
成しなかった場合のMR素子107に入り込む信号磁界
の分布を示す。図中波形Aは溝なし、波形Bは溝ありを
示す。溝ありの場合は、溝なしのものに比べて磁束の漏
洩は少ないが再生ギャップから入る信号の絶対量が少な
い。かかる磁気抵抗による信号磁界の減少は、直に再生
出力の低下につながり、線記録密度の向上の妨げとな
る。
FIG. 15 shows the distribution of the signal magnetic field entering the MR element 107 with and without the groove 109. In the figure, the waveform A indicates that there is no groove, and the waveform B indicates that there is a groove. With the groove, the leakage of the magnetic flux is less than that without the groove, but the absolute amount of the signal entering from the reproducing gap is small. Such a decrease in the signal magnetic field due to the magnetic resistance directly leads to a decrease in the reproduction output, which hinders the improvement of the linear recording density.

【0014】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、狭ギャップ
化においても絶縁性を確保し、また信号磁束の増加を図
ると共に、再生出力並びにバイアス効率の改善を実現す
るMRヘッドを提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned technical problems of the related art, and ensures insulation even when the gap is narrowed, increases the signal magnetic flux, and reproduces the output. Another object of the present invention is to provide an MR head that improves the bias efficiency.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明に係るMRヘッド
は、MR素子を磁気記録媒体との対接面に対して長手方
向が垂直となるように配し、その先端側と後端側にそれ
ぞれ電極を積層させ、これら電極とMR素子を一対のシ
ールド磁性体によって挟み込んだ,いわゆる縦型シール
ド構造である。
In the MR head according to the present invention, the MR element is arranged such that its longitudinal direction is perpendicular to the contact surface with the magnetic recording medium, and the MR element is provided on the front end side and the rear end side. This is a so-called vertical shield structure in which electrodes are laminated and the electrodes and the MR element are sandwiched by a pair of shield magnetic bodies.

【0016】このMRヘッドでは、MR素子に入った信
号磁束が下部シールド磁性体に落ちないようにするため
に、一対のシールド磁性体のうちいずれか一方に溝部を
形成する。溝部は、MR素子を挟んで上下に設けられる
上部シールド磁性体と下部シールド磁性体のいずれに形
成してもよいが、MR素子との対向距離が狭い下部シー
ルド磁性体に形成することが望ましい。
In this MR head, in order to prevent the signal magnetic flux that has entered the MR element from falling into the lower shield magnetic body, a groove is formed in one of the pair of shield magnetic bodies. The groove may be formed in either the upper shield magnetic body or the lower shield magnetic body provided above and below the MR element, but it is preferable to form the groove portion in the lower shield magnetic body having a narrow facing distance to the MR element.

【0017】単に、溝部を形成しただけでは、溝部にお
けるMR素子の磁気抵抗が上がり信号磁束を該MR素子
の後方部まで引き込むことができないことから、当該M
R素子の後端側に高透磁率を有する磁性材料よりなるフ
ラックスガイドを設け、信号磁束の引き込み効率を高め
る。
If the groove portion is simply formed, the magnetic resistance of the MR element in the groove portion increases and the signal magnetic flux cannot be drawn to the rear portion of the MR element.
A flux guide made of a magnetic material having a high magnetic permeability is provided on the rear end side of the R element to enhance the efficiency of drawing the signal magnetic flux.

【0018】それに加え、MR素子にバイアス磁界を印
加するバイアス磁界印加部材を、シールド磁性体に形成
した溝部又は溝部が形成されていないシールド磁性体と
MR素子間或いはその両方に配することにより、当該M
R素子に流入した信号磁束の多くを隣接したシールド磁
性体に漏らすことを防ぐ。
In addition, by arranging a bias magnetic field applying member for applying a bias magnetic field to the MR element between the MR element and the shield magnetic body in which the groove portion or the groove portion formed in the shield magnetic body is not formed, The M
It prevents most of the signal magnetic flux flowing into the R element from leaking to the adjacent shield magnetic body.

【0019】上記バイアス磁界印加部材は、MR素子を
挟んで電極が形成される側とは反対側の下部シールド磁
性体に形成された溝部にのみ配してもよく、或いは上部
シールド磁性体とMR素子間にのみ配してもよい。バイ
アス効率を上げることを考えると、下部シールド磁性体
の溝部と上部シールド磁性体とMR素子間のいずれにも
バイアス磁界印加部材を配することが望ましい。
The bias magnetic field applying member may be disposed only in the groove portion formed in the lower shield magnetic body on the side opposite to the side where the electrodes are formed with the MR element sandwiched therebetween, or the upper shield magnetic body and the MR element. It may be arranged only between the elements. Considering increasing the bias efficiency, it is desirable to dispose the bias magnetic field applying member between the groove portion of the lower shield magnetic body, the upper shield magnetic body and the MR element.

【0020】また、フラックスガイドは、バイアス効率
を考慮してシールド磁性体に設けられた溝部の後端部よ
りその先端部が磁気記録媒体との対接面に対して前方に
位置するように設けることが望ましい。つまり、溝部の
後端部より前にフラックスガイドを設ける。例えば、M
R素子の感磁部の略中央部分にかかる位置まで設けるよ
うにする。
Further, the flux guide is provided so that the tip end of the groove is formed in front of the rear end of the groove formed in the shield magnetic body in consideration of the bias efficiency. Is desirable. That is, the flux guide is provided before the rear end of the groove. For example, M
The R element is provided up to a position approximately in the center of the magnetic sensitive portion.

【0021】また、フラックスガイドは、MR素子の後
端側に直接積層してもよいが、次のようにしても構わな
い。すなわち、フラックスガイドをMR素子に直接積層
せしめ、その上に電極を設け、この電極をフラックスガ
イドに穿設した貫通孔を通して当該MR素子に対し電気
的に接続を図るようにしてもよい。
Further, the flux guide may be directly laminated on the rear end side of the MR element, but may be formed as follows. That is, the flux guide may be directly laminated on the MR element, an electrode may be provided thereon, and the electrode may be electrically connected to the MR element through a through hole formed in the flux guide.

【0022】[0022]

【作用】本発明においては、シールド磁性体に溝部を単
に形成しただけではMR素子の磁気抵抗が高くなり当該
MR素子に入った信号磁束が後方部まで到達され難い
が、溝部を形成した上、MR素子の先端側及び後端側又
はいずれか一方に高透磁率材料よりなるフラックスガイ
ドを設けているので、当該MR素子に入る信号磁束はこ
のフラックスガイドによってABS面側より後方側へと
効率良く引き込まれることになる。
In the present invention, the magnetic resistance of the MR element is increased and it is difficult for the signal magnetic flux entering the MR element to reach the rear portion by simply forming the groove portion in the shield magnetic body. Since a flux guide made of a high-permeability material is provided on the front end side and / or the rear end side of the MR element, the signal magnetic flux entering the MR element is efficiently transferred from the ABS surface side to the rear side by this flux guide. Will be drawn in.

【0023】また、下部シールド磁性体に設けた溝部
と、上部シールド磁性体とMR素子間の両方にそれぞれ
バイアス磁界印加部材を配することにより、MR素子へ
のバイアスがより効率良くかかることになる。
Further, by arranging the bias magnetic field applying members respectively in the groove portion provided in the lower shield magnetic body and between the upper shield magnetic body and the MR element, the bias to the MR element can be applied more efficiently. .

【0024】さらに、フラックスガイドを溝部の後端部
よりも前方に設けることにより、バイアス磁路となりバ
イアス効率が向上する。
Further, by providing the flux guide in front of the rear end of the groove, a bias magnetic path is formed and the bias efficiency is improved.

【0025】[0025]

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例は、
コンピュータ等に使用されるハードディスク駆動装置に
搭載される複合型磁気ヘッド(MRヘッドとインダクテ
ィブヘッドを複合化したもの)に適用した例である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings. In this example,
This is an example applied to a composite magnetic head (composite MR head and inductive head) mounted in a hard disk drive used in a computer or the like.

【0026】複合型磁気ヘッド1は、図1に示すよう
に、再生専用の磁気ヘッドとしてMRヘッドを使用し、
書き込み専用の磁気ヘッドとしてインダクティブヘッド
を使用するもので、通常はスライダー2の一側面2a
に、真空薄膜形成技術によってMRヘッドを形成した
後、この上にインダクティブヘッドを積層形成した構成
とされる。
The composite magnetic head 1 uses an MR head as a read-only magnetic head as shown in FIG.
An inductive head is used as a write-only magnetic head, and normally one side surface 2a of the slider 2 is used.
In addition, after the MR head is formed by the vacuum thin film forming technique, the inductive head is laminated on the MR head.

【0027】これらMRヘッドとインダクティブヘッド
の再生用磁気ギャップと記録用磁気ギャップは、いずれ
もハードディスクとの対向面3であるエア・ベアリング
・サーフエス面(以下、ABS面3と称する。)に臨む
ようになっている。
The reproducing magnetic gap and the recording magnetic gap of the MR head and the inductive head both face the air bearing surface (hereinafter referred to as ABS 3) which is the surface 3 facing the hard disk. It has become.

【0028】MRヘッドは、図2の拡大断面図に示すよ
うに、スライダー2の一側面2a上に形成される一対の
シールド磁性体4,5と、これらシールド磁性体4,5
間に先端電極6と後端電極7が積層されてなるMR素子
8と、このMR素子8にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材9とを有して構成されている。
As shown in the enlarged cross-sectional view of FIG. 2, the MR head has a pair of shield magnetic bodies 4, 5 formed on one side surface 2a of the slider 2, and these shield magnetic bodies 4, 5.
An MR element 8 having a front end electrode 6 and a rear end electrode 7 laminated in between, and a bias magnetic field applying member 9 for applying a bias magnetic field to the MR element 8 are configured.

【0029】なお以下、下層に形成されるシールド磁性
体4を下部シールド磁性体4、上層に形成されるシール
ド磁性体5を上部シールド磁性体5と称する。
Hereinafter, the shield magnetic body 4 formed in the lower layer will be referred to as the lower shield magnetic body 4, and the shield magnetic body 5 formed in the upper layer will be referred to as the upper shield magnetic body 5.

【0030】MR素子8は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向がABS面3に
対して垂直となるように設けられている。また、このM
R素子8の先端側の一側縁は、上記ABS面3に臨むよ
うになされている。
The MR element 8 is formed, for example, in a substantially rectangular pattern in plan view, and is provided so that its longitudinal direction is perpendicular to the ABS surface 3. Also, this M
One side edge of the R element 8 on the leading end side faces the ABS surface 3.

【0031】かかるMR素子8は、例えばパーマロイ等
の強磁性体薄膜からなり、下部シールド磁性体4上に設
けられたギャップ膜として機能する絶縁膜10上に蒸着
やスパッタリング等の真空薄膜形成手段によって形成さ
れている。MR素子8として使用される強磁性材料に
は、例えば抵抗変化率Δρ/ρが0.1%以上を示す材
料を用いることが望ましい。
The MR element 8 is made of, for example, a ferromagnetic thin film such as permalloy, and is formed by vacuum thin film forming means such as vapor deposition or sputtering on the insulating film 10 functioning as a gap film provided on the lower shield magnetic body 4. Has been formed. As the ferromagnetic material used for the MR element 8, for example, a material having a resistance change rate Δρ / ρ of 0.1% or more is preferably used.

【0032】上記MR素子8は、パーマロイよりなるM
R薄膜の単層膜であってもよいが、例えばSiO2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
MR薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
れば、バルクハウゼンノイズの発生を回避することがで
きる。
The MR element 8 is an M made of permalloy.
The R thin film may be a single layer film, but a pair of MR thin films magnetostatically coupled may be laminated via a non-magnetic insulating layer made of, for example, SiO 2 . With the laminated film structure, it is possible to avoid the occurrence of Barkhausen noise.

【0033】なお、MR素子8を単層膜とする場合は、
膜厚を10nm〜100nm程度とすることが望まし
い。また、MR素子8の長さは、1μm〜10μm程度
とすることが好ましい。
When the MR element 8 is a single layer film,
It is desirable that the film thickness is about 10 nm to 100 nm. The length of the MR element 8 is preferably about 1 μm to 10 μm.

【0034】上記MR素子8と下部シールド磁性体4間
に設けられる絶縁膜10は、再生用磁気ギャップgの下
層ギャップ膜として機能することから、これらの間の絶
縁性を充分確保し得るAl2 3 やSiO又はSiO2
等よりなる膜からなる。
Since the insulating film 10 provided between the MR element 8 and the lower shield magnetic body 4 functions as a lower gap film of the reproducing magnetic gap g, Al 2 which can sufficiently secure insulation between them. O 3 or SiO or SiO 2
And the like.

【0035】先端電極6は、その一側縁がABS面3に
臨むようにしてMR素子8の先端部に直接積層され、こ
のMR素子8と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極6は、MR素子8にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップg
の上層ギャップ膜としても機能するようになっている。
したがって、先端電極6には、Ta、Ti、W、Cr、
Cu等の如き非磁性金属材料を用いることが望ましい。
また、先端電極6の厚みは、再生用磁気ギャップgのギ
ャップ長によって自ずと決まる。
The tip electrode 6 is directly laminated on the tip of the MR element 8 with one side edge thereof facing the ABS 3 and is electrically connected to the MR element 8.
The tip electrode 6 has a function as an electrode for supplying a sense current to the MR element 8 and also has a reproducing magnetic gap g.
It also functions as an upper gap film.
Therefore, the tip electrode 6 has Ta, Ti, W, Cr,
It is desirable to use a non-magnetic metal material such as Cu.
The thickness of the tip electrode 6 is naturally determined by the gap length of the reproducing magnetic gap g.

【0036】一方、後端電極7は、信号磁束の引き込み
の向上を図ることを目的とするフラックスガイド11を
介してMR素子8の後端部に積層されている。かかる後
端電極7は、先端電極6とは異なりギャップ膜として機
能しないことから、その膜厚は先端電極6よりも厚くさ
れ、電極として充分機能できる0.3μm〜0.5μm
程度とされる。なお、この後端電極7に使用される材料
は、先端電極6と同じくTa、Ti、W、Cr、Cu等
の非磁性金属材料が用いられる。
On the other hand, the rear end electrode 7 is laminated on the rear end of the MR element 8 via a flux guide 11 for the purpose of improving the attraction of the signal magnetic flux. Since the rear end electrode 7 does not function as a gap film unlike the front end electrode 6, its film thickness is made thicker than that of the front end electrode 6 and can sufficiently function as an electrode.
It is considered as a degree. As the material used for the rear end electrode 7, a non-magnetic metal material such as Ta, Ti, W, Cr, Cu is used as in the front end electrode 6.

【0037】後端電極7の下に設けられるフラックスガ
イド11は、例えばTaよりなる下地膜12を介してM
R素子8の後端部に積層されている。このフラックスガ
イド11は、MR素子8に入る信号磁束の引き込み効果
を高めるために設けられるもので、透磁率の高い軟磁性
材料からなる膜として形成される。
The flux guide 11 provided below the rear end electrode 7 has an M-layer structure with a base film 12 made of, for example, Ta interposed therebetween.
It is laminated on the rear end of the R element 8. The flux guide 11 is provided to enhance the effect of attracting the signal magnetic flux entering the MR element 8, and is formed as a film made of a soft magnetic material having a high magnetic permeability.

【0038】例えば、このフラックスガイド11には、
透磁率μが1000以上のパーマロイ、センダスト、F
e−Co系のアモルファス材等よりなる軟磁性材料が好
適である。かかるフラックスガイド11を形成するに
は、例えばスパッタリング法や蒸着法あるいはメッキ法
等の如き真空薄膜形成手段がいずれも適用できる。
For example, the flux guide 11 includes
Permalloy, sendust, F with magnetic permeability μ of 1000 or more
A soft magnetic material such as an e-Co-based amorphous material is suitable. To form the flux guide 11, any vacuum thin film forming means such as a sputtering method, a vapor deposition method or a plating method can be applied.

【0039】フラックスガイド11の膜厚としては、M
R素子8に入る信号磁束を効率良く当該MR素子8の後
端部まで引き込むべく、0.1μm〜1.0μm程度と
することが望ましい。より望ましくは、0.3μm程度
とする。
The film thickness of the flux guide 11 is M
In order to efficiently draw the signal magnetic flux entering the R element 8 to the rear end portion of the MR element 8, it is desirable to set it to about 0.1 μm to 1.0 μm. More preferably, it is about 0.3 μm.

【0040】そして、このフラックスガイド11上に設
けられる後端電極7は、当該フラックスガイド11に穿
設された貫通孔13を通してMR素子8に対し電気的に
接続されるようになっている。
The rear end electrode 7 provided on the flux guide 11 is electrically connected to the MR element 8 through the through hole 13 formed in the flux guide 11.

【0041】なお、本実施例では、MR素子8の膜厚を
60nm、Taよりなる下地膜12の膜厚を100n
m、フラックスガイド11の膜厚を300nmとした。
In this embodiment, the MR element 8 has a film thickness of 60 nm, and the base film 12 made of Ta has a film thickness of 100 n.
m, and the film thickness of the flux guide 11 was 300 nm.

【0042】上記バイアス磁界印加部材9は、MR素子
8にバイアス磁界を印加するためのもので、先端電極6
と後端電極7の間であって、該MR素子8を挟んでこれ
ら電極6,7が設けられる側とは反対側の下部シールド
磁性体4に形成される溝部14に配され、絶縁膜15に
よって埋め込まれる形で設けられている。
The bias magnetic field applying member 9 is for applying a bias magnetic field to the MR element 8, and is the tip electrode 6.
Between the rear end electrode 7 and the rear end electrode 7, and is disposed in the groove portion 14 formed in the lower shield magnetic body 4 on the side opposite to the side where the electrodes 6 and 7 are provided with the MR element 8 interposed therebetween. It is provided in the form of being embedded by.

【0043】かかるバイアス磁界印加部材9は、上記M
R素子8と垂直な方向であるMR素子8の長手方向に亘
ってバイアス磁界を印加する役目をする。このバイアス
磁界印加部材9は、例えば導電性を有する導体、または
ハード膜(高保磁力且つ高飽和磁束密度を有する永久磁
石)のいずれであっても構わない。バイアス磁界印加部
材9が導体である場合には、その導体パターンの両端子
部に直流電源からのバイアス電流をその配線パターンの
長手方向であるトラック幅方向に通電する。
The bias magnetic field applying member 9 has the above M
It serves to apply a bias magnetic field over the longitudinal direction of the MR element 8 which is a direction perpendicular to the R element 8. The bias magnetic field applying member 9 may be, for example, a conductive conductor or a hard film (a permanent magnet having a high coercive force and a high saturation magnetic flux density). When the bias magnetic field applying member 9 is a conductor, a bias current from a DC power source is applied to both terminals of the conductor pattern in the track width direction which is the longitudinal direction of the wiring pattern.

【0044】また、バイアス磁界印加部材9を導体とす
る場合には、導電性に優れたCu等よりなる材料で形成
し、その膜厚を0.1μm〜0.3μm程度とする。ま
た、絶縁膜10,15との密着性を考慮して、Cuの上
下にそれぞれTiを形成するようにしてもよい。
When the bias magnetic field applying member 9 is a conductor, the bias magnetic field applying member 9 is made of a material having excellent conductivity such as Cu and has a film thickness of about 0.1 μm to 0.3 μm. Further, Ti may be formed above and below Cu in consideration of the adhesion to the insulating films 10 and 15.

【0045】上記MR素子8を上下方向から挟み込む形
で設けられる一対のシールド磁性体4,5は、MR素子
8から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受けないよ
うにするシールドとして機能するもので、例えばパーマ
ロイやセンダスト等によって形成されている。これらシ
ールド磁性体4,5の膜厚としては、再生トラック以外
のトラックからの再生用磁気ギャップgへの信号磁界の
侵入を防止するため、例えば0.5μm〜5μm程度と
することが望ましい。
The pair of shield magnetic bodies 4 and 5 provided so as to sandwich the MR element 8 from above and below function as a shield that is not affected by the magnetic field from the medium located away from the MR element 8. And is formed of, for example, permalloy or sendust. The film thickness of these shield magnetic bodies 4 and 5 is preferably, for example, about 0.5 μm to 5 μm in order to prevent the signal magnetic field from entering the reproducing magnetic gap g from a track other than the reproducing track.

【0046】そして、これらシールド磁性体4,5のう
ち下部シールド磁性体4は、上記ABS面3にその一側
縁を臨ませるようにして、このABS面3に対して垂直
方向に延在して設けられている。特に、この下部シール
ド磁性体4には、先端電極6と後端電極7で挟まれる領
域に対応した位置に先のバイアス磁界印加部材9を絶縁
膜15によって埋め込むための溝部14を有している。
The lower shield magnetic body 4 of the shield magnetic bodies 4 and 5 extends in a direction perpendicular to the ABS surface 3 so that one side edge of the shield magnetic body 4 faces the ABS surface 3. Is provided. In particular, this lower shield magnetic body 4 has a groove portion 14 for embedding the above bias magnetic field applying member 9 with an insulating film 15 at a position corresponding to a region sandwiched by the front electrode 6 and the rear electrode 7. .

【0047】かかる溝部14は、バイアス磁界印加部材
9と平行な底面14aとこの底面14aの両側に溝の開
口幅を広げるようにして形成される傾斜面14b,14
cとを有した断面略コ字状をなす溝として、上記下部シ
ールド磁性体4の短辺方向(トラック幅方向)に形成さ
れている。
The groove portion 14 has a bottom surface 14a parallel to the bias magnetic field applying member 9 and inclined surfaces 14b, 14 formed on both sides of the bottom surface 14a so as to widen the opening width of the groove.
As a groove having a substantially U-shaped cross section, the groove is formed in the short side direction (track width direction) of the lower shield magnetic body 4.

【0048】上記傾斜面14b,14cのうち、ABS
面3側に設けられる傾斜面14bのMR素子8に近接す
る溝先端部D1 は、上記先端電極6の後端部(再生磁気
ギャップgのデプス零位置)E1 と略同一の位置とされ
ている。これに対して他方の傾斜面14cのMR素子8
に近接する溝後端部D2 は、フラックスガイド11の先
端部E2 に対して後方とされている。
Of the inclined surfaces 14b and 14c, the ABS
The groove tip portion D 1 of the inclined surface 14b provided on the surface 3 side which is close to the MR element 8 is located at substantially the same position as the rear end portion (the depth zero position of the reproducing magnetic gap g) E 1 of the tip electrode 6. ing. On the other hand, the MR element 8 of the other inclined surface 14c
Groove rear end D 2 adjacent to is the rear with respect to the distal end portion E 2 of the flux guide 11.

【0049】逆の見かたをすると、フラックスガイド1
1の先端部E2 が、傾斜面14cの溝後端部D2 に対し
てABS面3寄りに設けられていることになる。つま
り、フラックスガイド11を、上記溝部14の溝後端部
2 よりABS面3寄りに設ければ、バイアス磁路とな
りMR素子8に対してバイアスがより一層かかり易くな
る。
When viewed in reverse, the flux guide 1
The tip end portion E 2 of No. 1 is provided closer to the ABS surface 3 with respect to the groove rear end portion D 2 of the inclined surface 14c. That is, if the flux guide 11 is provided closer to the ABS surface 3 than the groove rear end portion D 2 of the groove portion 14, it becomes a bias magnetic path, and the MR element 8 is more easily biased.

【0050】一方、これに対向して設けられる上部シー
ルド磁性体5は、先の下部シールド磁性体4と同様に上
記ABS面3にその一側縁を臨ませるようにしてこのA
BS面3に対して垂直にバック側へ延在して設けられて
いる。また、この上部シールド磁性体5は、ABS面3
側で先端電極6に対して直接積層されると共に、その後
方側において絶縁層16を介して積層されている。
On the other hand, like the lower shield magnetic body 4, the upper shield magnetic body 5 provided so as to face the upper shield magnetic body 5 has its one side edge facing the ABS surface 3.
It is provided so as to extend perpendicularly to the BS surface 3 toward the back side. Further, the upper shield magnetic body 5 has an ABS surface 3
Is laminated directly on the tip electrode 6 on the side, and is laminated on the rear side via the insulating layer 16.

【0051】なお、上記絶縁層15,16は、下層ギャ
ップ膜として機能する絶縁膜10と同じく、Al
2 3 、SiO、SiO2 等の如き絶縁材料からなる。
The insulating layers 15 and 16 are made of Al similarly to the insulating film 10 functioning as the lower gap film.
It is made of an insulating material such as 2 O 3 , SiO, or SiO 2 .

【0052】上述のように構成されたMRヘッドにおい
ては、MR素子8にバイアス磁界を印加すると、図3中
波形Aで示すバイアスが印加されていない状態から波形
Bで示すバイアスが印加された状態にシフトし、信号磁
界を線形性の良好なポイント(45°)で動作させるこ
とができる。
In the MR head constructed as described above, when a bias magnetic field is applied to the MR element 8, the bias shown by the waveform A in FIG. 3 is not applied and the bias shown by the waveform B is applied. , And the signal magnetic field can be operated at a point of good linearity (45 °).

【0053】ここで、実際に幾つかのサンプルヘッドを
作製し、そのヘッドのバイアス効率とヘッド化したとき
の再生出力値を測定してみた。その結果を表1に示す。
なお、サンプルヘッドは、図4に示すフラックスガイド
11を溝部14の溝後端部D 2 よりABS面3寄りに設
けたもの(実験例1)、図5に示すフラックスガイド1
1の先端部と溝部14の溝後端部D2 を一致させたもの
(実験例2)、図6に示すフラックスガイド11を設け
無かったもの(実験例3)とした。
Here, several sample heads are actually used.
When it is manufactured, and the bias efficiency of that head and the head are made
I measured the playback output value of. The results are shown in Table 1.
The sample head is the flux guide shown in FIG.
11 is the groove rear end D of the groove 14. 2Installed closer to ABS side 3
Girder (Experimental Example 1), flux guide 1 shown in FIG.
1 front end and groove 14 rear end D2Match
(Experimental example 2), the flux guide 11 shown in FIG. 6 is provided.
There was nothing (Experimental Example 3).

【0054】[0054]

【表1】 [Table 1]

【0055】実験例1のヘッドでは、MR素子8自体が
磁路として働くが、実験例2になるとその作用は弱くな
りシールド磁性体4に吸われ易くなるためバイアス効率
は下がる。一方、フラックスガイド11がない実験例3
のヘッドでは、ほとんどバイアスがかからない状態であ
った。再生出力に関しては、フラックスガイド11がA
BS面3側に近い程信号が入り込み易く、出力も大きい
結果となった。
In the head of Experimental Example 1, the MR element 8 itself acts as a magnetic path, but in Experimental Example 2, the action is weakened and the magnetic field is easily absorbed by the shield magnetic body 4, so that the bias efficiency is lowered. On the other hand, Experimental Example 3 without the flux guide 11
The head had almost no bias. Regarding reproduction output, the flux guide 11 is A
The closer to the BS surface 3 side, the easier the signal to enter and the larger the output.

【0056】以上の実験結果をも考慮すると、本実施例
のMRヘッドにおいては、MR素子8の磁気抵抗が小さ
くなり、MR素子先端部に入流した媒体からの信号磁束
の多くは、両シールド磁性体4,5に漏れることなくM
R素子8の後端部まで引き込まれ、MR感磁部全体に亘
り有効に作用することにより、高出力を得ることができ
る。
Considering the above experimental results as well, in the MR head of this embodiment, the magnetic resistance of the MR element 8 becomes small, and most of the signal magnetic flux from the medium flowing into the tip of the MR element is shielded by both shield magnets. M without leaking to body 4, 5
A high output can be obtained by being pulled in to the rear end of the R element 8 and effectively acting over the entire MR magnetic sensing section.

【0057】なお、インダクティブヘッドは、一般の薄
膜磁気ヘッドと同じ構成とされ、例えばパーマロイ等の
軟磁性材料からなる一対の薄膜磁気コアを有し、これら
薄膜磁気コアが所定の間隔を持って積層されると共に、
これら薄膜磁気コア間に絶縁膜を介して導体コイルがス
パイラル状に形成されてなる。このインダクティブヘッ
ドは、MRヘッドの上に絶縁層を介して積層される。
The inductive head has the same structure as a general thin film magnetic head, and has a pair of thin film magnetic cores made of a soft magnetic material such as permalloy, and these thin film magnetic cores are laminated at a predetermined interval. As well as
A conductor coil is spirally formed between these thin film magnetic cores with an insulating film interposed therebetween. This inductive head is laminated on the MR head via an insulating layer.

【0058】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の実施
例では、フラックスガイド11をMR素子8の後端部に
設けたが、先端側に設けるようにしてもよく、或いは先
端側と後端側の両方に設けるようにしても同様の作用効
果が得られる。
The specific embodiments to which the present invention is applied have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, although the flux guide 11 is provided at the rear end portion of the MR element 8 in the above-described embodiment, it may be provided at the front end side or may be provided at both the front end side and the rear end side. The effect of is obtained.

【0059】先端側にフラックスガイド11を設ける場
合は、後端側に設けたのと同じく、MR素子8に対して
直接フラックスガイド11を積層し、その上に先端電極
6を設け、この先端電極6をフラックスガイド11の貫
通孔を通してMR素子8に電気的に接続するようにす
る。
When the flux guide 11 is provided on the tip side, the flux guide 11 is directly laminated on the MR element 8 and the tip electrode 6 is provided on the flux guide 11, as is the case with the rear end side. 6 is electrically connected to the MR element 8 through the through hole of the flux guide 11.

【0060】この他、フラックスガイド11と後端電極
7との関係を図7に示すようにしても同様の効果を得る
ことができる。すなわち、フラックスガイド11の先端
部E 2 が溝部14の略中央に位置するように、当該フラ
ックスガイド11をMR素子8の後端側に設ける。そし
て、そのフラックスガイド11の後端部に後端電極7の
一部が積層するようにして、当該後端電極7をMR素子
8の後端部上に形成する。
In addition, the flux guide 11 and the rear end electrode
Even if the relationship with 7 is shown in FIG. 7, the same effect is obtained.
be able to. That is, the tip of the flux guide 11
Part E 2So that the groove is located approximately in the center of the groove portion 14.
The x-guide 11 is provided on the rear end side of the MR element 8. That
Of the rear end electrode 7 to the rear end of the flux guide 11.
The rear end electrode 7 is formed by partially laminating the MR element.
8 is formed on the rear end portion.

【0061】また、図8に示すように、バイアス磁界印
加部材9を下部シールド磁性体4の溝部14に配するの
ではなく、電極6,7が設けられる側の上部シールド磁
性体5とMR素子8間にのみ配するようにしても同様の
効果が得られる。さらには、図9に示すように、下部シ
ールド磁性体4の溝部14と上部シールド磁性体5とM
R素子8間の両方にバイアス磁界印加部材9を設けるよ
うにしてもよい。両方にバイアス磁界印加部材9を設け
た場合には、一方にのみバイアス磁界印加部材9を設け
たMRヘッドに比べてよりバイアス効率が向上する。
Further, as shown in FIG. 8, the bias magnetic field applying member 9 is not arranged in the groove portion 14 of the lower shield magnetic body 4, but the upper shield magnetic body 5 and the MR element on the side where the electrodes 6 and 7 are provided. Similar effects can be obtained even if they are arranged only between 8 units. Further, as shown in FIG. 9, the groove portion 14 of the lower shield magnetic body 4, the upper shield magnetic body 5 and the M
A bias magnetic field applying member 9 may be provided on both sides of the R element 8. When the bias magnetic field applying members 9 are provided on both sides, the bias efficiency is further improved as compared with the MR head in which the bias magnetic field applying members 9 are provided on only one side.

【0062】ここで、図7ないし図9に示す構造のMR
ヘッドにおいて、バイアス効率及び再生出力が向上し、
またバルクハウゼンノイズが低減することについては、
以下の実験結果に裏付けられる。
Here, the MR having the structure shown in FIGS.
In the head, the bias efficiency and reproduction output are improved,
Regarding the reduction of Barkhausen noise,
It is supported by the following experimental results.

【0063】図10には、MR素子にかかる磁界強度を
ヘッド素子内におけるMR素子の位置に応じて求めたも
のを示す。波形Cは図7〜図9に示す本発明構造のMR
ヘッドの磁界強度分布を示し、波形Dは図13に示す従
来構造のMRヘッドの磁界強度分布を示す。
FIG. 10 shows the magnetic field strength applied to the MR element determined according to the position of the MR element in the head element. Waveform C is the MR of the structure of the present invention shown in FIGS.
The magnetic field strength distribution of the head is shown, and the waveform D shows the magnetic field strength distribution of the MR head having the conventional structure shown in FIG.

【0064】図10から明らかなように、本発明構造に
係るMRヘッドでは、ABS面からMR素子の後方に亘
ってほぼ一定した磁界強度がMR素子にかかるが、従来
構造ではMR素子の先端部のみが磁界強度が高くデプス
零位置を越えた当たりから急減に磁界強度が低下するこ
とがわかる。したがって、本発明構造とすることによ
り、MR素子の後方端部まで信号磁界を引き込むことが
できる。
As is apparent from FIG. 10, in the MR head according to the structure of the present invention, a substantially constant magnetic field strength is applied to the MR element from the ABS surface to the rear of the MR element. It can be seen that the magnetic field strength is high only in the case where the magnetic field strength is high and the magnetic field strength drops sharply after the point where the depth zero position is exceeded. Therefore, with the structure of the present invention, the signal magnetic field can be drawn to the rear end of the MR element.

【0065】また図11には、シールド磁性体とMR素
子間のギャップ間隔を0.2μm、トラック幅を3μm
としたときの本発明構造と従来構造のMRヘッドのD7
0における記録密度を求めたものを示す。
In FIG. 11, the gap between the shield magnetic body and the MR element is 0.2 μm, and the track width is 3 μm.
Of the present invention structure and the conventional structure of the MR head D7
The obtained recording density at 0 is shown.

【0066】この結果からわかるように、本発明構造の
MRヘッドの方が従来構造のMRヘッドに比べて、出力
及び線記録密度が向上していることがわかる。つまり、
本発明構造とすることにより、再生出力を高めることが
できる。
As can be seen from these results, the MR head having the structure of the present invention has improved output and linear recording density as compared with the MR head having the conventional structure. That is,
With the structure of the present invention, the reproduction output can be increased.

【0067】そして図12には、本発明構造のMRヘッ
ドの再生出力波形〔図12(a)〕と従来構造のMRヘ
ッドの再生出力波形〔図12(b)〕を示す。図12
(b)では、Gで示す部分にバルクハウゼンノイズに起
因する波形歪みが顕著に現れるが、図12(a)では波
形歪みが発生していないことがわかる。したがって、本
発明構造とすることにより、バルクハウゼンノイズの発
生を抑制することができる。
FIG. 12 shows the reproduction output waveform of the MR head having the structure of the present invention [FIG. 12 (a)] and the reproduction output waveform of the MR head having the conventional structure [FIG. 12 (b)]. 12
In FIG. 12B, the waveform distortion caused by Barkhausen noise remarkably appears in the portion indicated by G, but in FIG. 12A, it is found that the waveform distortion does not occur. Therefore, with the structure of the present invention, it is possible to suppress the generation of Barkhausen noise.

【0068】さらに表2には、本発明構造のMRヘッド
と従来構造のMRヘッドのMR素子とバイアス導体間の
絶縁抵抗を測定した結果を示す。
Further, Table 2 shows the results of measuring the insulation resistance between the MR element and the bias conductor of the MR head of the present invention and the MR head of the conventional structure.

【0069】[0069]

【表2】 [Table 2]

【0070】表2から明らかなように、本発明構造を採
用したMRヘッドでは従来構造のMRヘッドに比べて絶
縁抵抗が高く、耐絶縁性に優れていることがわかる。
As is clear from Table 2, the MR head adopting the structure of the present invention has a higher insulation resistance and a higher insulation resistance than the MR head having the conventional structure.

【0071】また、前述した実施例は、下部シールド磁
性体4に溝部14を形成し、その溝部14内にバイアス
磁界印加部材9を配したが、MR素子8からのシールド
磁性体4,5への漏洩を回避する目的からすると上部シ
ールド磁性体5に溝部を形成し、その溝部にバイアス磁
界印加部材9を設けるようにしても同様の効果が得られ
る。
Further, in the above-mentioned embodiment, the groove portion 14 is formed in the lower shield magnetic body 4 and the bias magnetic field applying member 9 is arranged in the groove portion 14. However, the MR element 8 is connected to the shield magnetic bodies 4 and 5. For the purpose of avoiding leakage of the magnetic field, a similar effect can be obtained by forming a groove in the upper shield magnetic body 5 and providing the bias magnetic field applying member 9 in the groove.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のMRヘッドにおいては、シールド磁性体に溝部を形
成すると共に、MR素子の先端側及び後端側又はいずれ
か一方に高透磁率材料よりなるフラックスガイドを設け
ているので、MR素子に入った信号磁界をこのフラック
スガイドによってABS面側より後方側へと引き込むこ
とができ、その結果信号磁束の増加及び再生出力の向
上、並びにバイアス効率を高めることができる。
As is apparent from the above description, in the MR head of the present invention, a groove portion is formed in the shield magnetic body, and the MR element has a high magnetic permeability on the front end side and / or the rear end side. Since the flux guide made of a material is provided, the signal magnetic field entering the MR element can be drawn to the rear side from the ABS side by this flux guide, and as a result, the signal magnetic flux is increased and the reproduction output is improved, and the bias is increased. The efficiency can be increased.

【0073】また、本発明のMRヘッドにおいては、狭
ギャップ化にも拘わらずMR素子とシールド磁性体間の
絶縁抵抗を充分に確保することができる上、電磁変換特
性の向上並びにバルクハウゼンノイズの発生の無いMR
ヘッドを提供することができる。その結果、コンピュー
タ等の高性能化に伴うハードディスク駆動装置の小型
化、高容量化に対応できる。
Further, in the MR head of the present invention, it is possible to sufficiently secure the insulation resistance between the MR element and the shield magnetic body in spite of the narrowing of the gap, and to improve the electromagnetic conversion characteristics and Barkhausen noise. MR without occurrence
A head can be provided. As a result, it is possible to cope with the miniaturization and high capacity of the hard disk drive device accompanied by the high performance of computers and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ハードディスク駆動装置に搭載される複合型磁
気ヘッドの斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a composite type magnetic head mounted in a hard disk drive.

【図2】MRヘッドの拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of an MR head.

【図3】バイアス磁界と再生波形の関係を示す特性図で
ある。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between a bias magnetic field and a reproduction waveform.

【図4】実験に用いたサンプルヘッドのうちフラックス
ガイドを溝部の溝後端部より前方に設けた例を示す断面
図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example in which a flux guide of the sample head used in the experiment is provided in front of the groove rear end portion of the groove portion.

【図5】実験に用いたサンプルヘッドのうちフラックス
ガイドを溝部の溝後端部と同じ位置に設けた例を示す断
面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example in which a flux guide of the sample head used in the experiment is provided at the same position as the groove rear end portion of the groove portion.

【図6】実験に用いたサンプルヘッドのうちフラックス
ガイドを設けなかった例を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a sample head used for an experiment in which a flux guide is not provided.

【図7】MR素子の後端部に積層されるフラックスガイ
ドと後端電極の他の構成例を示す拡大断面図である。
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing another configuration example of the flux guide and the rear end electrode laminated on the rear end of the MR element.

【図8】上部シールド磁性体とMR素子間にのみバイア
ス磁界印加部材を設けた例を示すMRヘッドの拡大断面
図である。
FIG. 8 is an enlarged sectional view of an MR head showing an example in which a bias magnetic field applying member is provided only between an upper shield magnetic body and an MR element.

【図9】バイアス磁界印加部材を下部シールド磁性体の
溝部及び上部シールド磁性体とMR素子間にそれぞれ設
けた例を示すMRヘッドの拡大断面図である。
FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of an MR head showing an example in which a bias magnetic field applying member is provided between the groove portion of the lower shield magnetic body and the upper shield magnetic body and the MR element.

【図10】MR素子にかかる磁界強度分布を示す特性図
である。
FIG. 10 is a characteristic diagram showing a magnetic field strength distribution applied to an MR element.

【図11】本発明構造のMRヘッドと従来構造のMRヘ
ッドにおける記録密度特性を示す特性図である。
FIG. 11 is a characteristic diagram showing recording density characteristics of the MR head having the structure of the present invention and the MR head having the conventional structure.

【図12】図12(a)は本発明構造のMRヘッドにお
ける再生出力波形を示す特性図であり、図12(b)は
従来構造のMRヘッドにおける再生出力波形を示す特性
図である。
12A is a characteristic diagram showing a reproduction output waveform in an MR head having a structure according to the present invention, and FIG. 12B is a characteristic diagram showing a reproduction output waveform in an MR head having a conventional structure.

【図13】バイアス導体を上部シールド磁性体とMR素
子間に設けた従来構造のMRヘッドの拡大断面図であ
る。
FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of an MR head having a conventional structure in which a bias conductor is provided between an upper shield magnetic body and an MR element.

【図14】バイアス導体を下部シールド磁性体に形成し
た溝部に設けた従来構造のMRヘッドの拡大断面図であ
る。
FIG. 14 is an enlarged sectional view of an MR head having a conventional structure in which a bias conductor is provided in a groove formed in a lower shield magnetic body.

【図15】シールド磁性体に溝がある場合とない場合の
信号磁界の変化量を示す特性図である。
FIG. 15 is a characteristic diagram showing the amount of change in the signal magnetic field with and without a groove in the shield magnetic body.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 複合型磁気ヘッド 2 スライダー 3 ABS面 4 下部シールド磁性体 5 上部シールド磁性体 6 先端電極 7 後端電極 8 MR素子 9 バイアス磁界印加部材 11 フラックスガイド 14 溝部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Composite magnetic head 2 Slider 3 ABS surface 4 Lower shield magnetic body 5 Upper shield magnetic body 6 Front electrode 7 Rear end electrode 8 MR element 9 Bias magnetic field applying member 11 Flux guide 14 Groove part

フロントページの続き (72)発明者 菅原 伸浩 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 高田 昭夫 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 黒須 実喜也 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内Front page continuation (72) Inventor Nobuhiro Sugawara 6-735 Kitashinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation (72) Inventor Akio Takada 6-735 Kitashinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation Shares Company (72) Inventor Mikiya Kurosu 6-735 Kitashinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Inside Sony Corporation

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気記録媒体との対接面に対して長手方
向が垂直となるように配される磁気抵抗効果素子と、 上記磁気記録媒体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を膜厚方向から挟み込み、いずれか一方に溝部が設けら
れた一対のシールド磁性体と、 上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材と、 上記磁気抵抗効果素子の先端側及び後端側又はいずれか
一方に設けられる高透磁率を有する磁性材料よりなるフ
ラックスガイドとを備えてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
1. A magnetoresistive effect element arranged such that its longitudinal direction is perpendicular to a contact surface with a magnetic recording medium, and a magnetoresistive effect element facing the contact surface with the magnetic recording medium. A tip electrode laminated on the tip side, a rear end electrode laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element, and a magnetoresistive effect element in which the tip electrode and the rear end electrode are laminated are sandwiched from the film thickness direction, A pair of shield magnetic bodies provided with a groove in either one of them, a bias magnetic field applying member for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element, and a front end side and a rear end side of the magnetoresistive effect element or one of them. A magnetoresistive effect magnetic head comprising: a flux guide made of a magnetic material having a high magnetic permeability.
【請求項2】 シールド磁性体の溝部にバイアス磁界印
加部材が配されていることを特徴とする請求項1記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. The magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 1, wherein a bias magnetic field applying member is disposed in the groove portion of the shield magnetic body.
【請求項3】 磁気抵抗効果素子を挟んで電極が形成さ
れる側とは反対側に設けられたシールド磁性体にのみ溝
部が形成され、この溝部にバイアス磁界印加部材が配さ
れていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。
3. A groove portion is formed only in a shield magnetic body provided on the side opposite to the side where an electrode is formed with the magnetoresistive effect element interposed therebetween, and a bias magnetic field applying member is arranged in this groove portion. The magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 1.
【請求項4】 磁気抵抗効果素子を挟んで電極が形成さ
れる側とは反対側に設けられたシールド磁性体にのみ溝
部が形成されると共に、溝部が形成されないシールド磁
性体と磁気抵抗効果素子間にバイアス磁界印加部材が配
されていることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド。
4. A groove portion is formed only on a shield magnetic body provided on a side opposite to a side where an electrode is formed with a magnetoresistive effect element sandwiched between the shield magnetic body and the magnetoresistive effect element. 2. A magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 1, wherein a bias magnetic field applying member is disposed therebetween.
【請求項5】 磁気抵抗効果素子を挟んで電極が形成さ
れる側とは反対側に設けられたシールド磁性体にのみ溝
部が形成され、この溝部と該溝部が形成されないシール
ド磁性体と磁気抵抗効果素子間にそれぞれバイアス磁界
印加部材が配されていることを特徴とする請求項1記載
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
5. A groove portion is formed only on a shield magnetic body provided on the side opposite to the side on which an electrode is formed with a magnetoresistive element interposed therebetween, and this groove portion and a shield magnetic body not formed with the groove portion and a magnetic resistance. 2. The magnetoresistive effect type magnetic head according to claim 1, wherein bias magnetic field applying members are respectively arranged between the effect elements.
【請求項6】 フラックスガイドの先端部がシールド磁
性体に設けられる溝部の後端部より磁気記録媒体との対
接面寄りに設けられていることを特徴とする請求項1、
2、3、4又は5記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
6. The flux guide according to claim 1, wherein the front end of the flux guide is provided closer to the contact surface with the magnetic recording medium than the rear end of the groove provided in the shield magnetic body.
2. A magnetoresistive effect type magnetic head described in 2, 3, 4 or 5.
【請求項7】 フラックスガイドはMR素子に直接積層
されると共に、このフラックスガイド上に電極が設けら
れ、該フラックスガイドに穿設された貫通孔を通して上
記電極がMR素子に対し電気的に接続されていることを
特徴とする請求項1又は6記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
7. The flux guide is directly laminated on the MR element, an electrode is provided on the flux guide, and the electrode is electrically connected to the MR element through a through hole formed in the flux guide. 7. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein:
JP2386594A 1993-11-30 1994-02-22 Magneto-resistance effect magnetic head Pending JPH07210831A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2386594A JPH07210831A (en) 1993-11-30 1994-02-22 Magneto-resistance effect magnetic head

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30051693 1993-11-30
JP5-300516 1993-11-30
JP2386594A JPH07210831A (en) 1993-11-30 1994-02-22 Magneto-resistance effect magnetic head

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07210831A true JPH07210831A (en) 1995-08-11

Family

ID=26361299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2386594A Pending JPH07210831A (en) 1993-11-30 1994-02-22 Magneto-resistance effect magnetic head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07210831A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5218497A (en) Magnetic recording-reproducing apparatus and magnetoresistive head having two or more magnetoresistive films for use therewith
US5434826A (en) Multilayer hard bias films for longitudinal biasing in magnetoresistive transducer
US5600518A (en) Magnetoresistive head having a stepped magnetoresistive film element
JPS6227449B2 (en)
JPH07210831A (en) Magneto-resistance effect magnetic head
KR100449850B1 (en) Magnetoresistive head and magnetic recording/reproducing apparatus using the same
JPH08235542A (en) Magnetic reluctance effect element
JPH07244822A (en) Magnetoresistance effect type magnetic head
JPH08203039A (en) Magnetoresistance element of thin-film magnetic head
JPH07153036A (en) Magnetoresistance effect type magnetic head
JPH0836715A (en) Magnetoresistance effect-type magnetic head
JP3565925B2 (en) Magnetoresistive head
JP3609104B2 (en) Magnetoresistive thin film head
JPH07210826A (en) Magnetoresistance effect magnetic head
JPH08124122A (en) Magnetoresistive reproducing head and magnetic recording/reproducing device
JPH07182630A (en) Magnetoresistance effect type magnetic head
JP2001067626A (en) Spin valve element and magnetic head using the same
JPS60115014A (en) Magnetic head for vertical magnetization
JPH11259819A (en) Magnetoresistive effect magnetic head
JPH09153652A (en) Magnetoresistive effect element
JPS6371914A (en) Reproducing head
JPH0830925A (en) Magneto-resistance effect type thin-film magnetic head
JPH0760498B2 (en) Magnetoresistive head
JPH06267027A (en) Magnetoresistance effect type thin film magnetic head
JPH07176020A (en) Magneto-resistance effect head and its production

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020115