JPH07153036A - Magnetoresistance effect type magnetic head - Google Patents

Magnetoresistance effect type magnetic head

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JPH07153036A
JPH07153036A JP30051593A JP30051593A JPH07153036A JP H07153036 A JPH07153036 A JP H07153036A JP 30051593 A JP30051593 A JP 30051593A JP 30051593 A JP30051593 A JP 30051593A JP H07153036 A JPH07153036 A JP H07153036A
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JP
Japan
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magnetic
film
flux guide
magnetoresistive effect
laminated
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP30051593A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akio Takada
昭夫 高田
Mikiya Kurosu
実喜也 黒須
Nobuhiro Sugawara
伸浩 菅原
Mamoru Sasaki
守 佐々木
Shuichi Haga
秀一 芳賀
Hideo Suyama
英夫 陶山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH07153036A publication Critical patent/JPH07153036A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To suppress Barkhausen noises and realize the improvement of a reproducing output by a method wherein a flux guide made of magnetic material is formed so as to have a long elliptical shape and the direction of the easy-to- magnetize axis of the flux guide is same as the direction of the easy-to- magnetize axis of an MR device, i.e., a direction parallel to a medium contact plane. CONSTITUTION:A flux guide 9 has a layer-built structure which is composed of a Ta film formed on the rear end part of an MR device 5 and first and second permalloy films formed on the Ta film successively. The flux guide 9 having the layer-built structure has a long elliptical shape whose long axis is approxymately perdendicular to the longitudinal direction of the MR device. That is, if the length of the flux guide 9 parallel to an ABS plane (a plane which is brought into contact with a magnetic recording medium) 7 is denoted by L and the width perpendicular to the ABS plane 7 is denoted by W, a relation L>W is satisfied and, further, both the edges 10 and 11 in the direction parallel to the plane 7 are formed to have circular-arc shapes. With this constitution, the magnetic domains of the guide 9 are not disturbed by a sensing current applied to the device 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
に対して記録された情報を読み出すのに好適な磁気抵抗
効果型磁気ヘッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetoresistive effect magnetic head suitable for reading information recorded on, for example, a hard disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気抵抗効果を有するパーマロイ
等の薄膜素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以
下、MRヘッドと称する。)の開発が盛んに進められて
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, a magnetoresistive effect type magnetic head (hereinafter referred to as MR head) using a thin film element such as permalloy having a magnetoresistive effect has been actively developed.

【0003】かかるMRヘッドは、磁気記録媒体から漏
れ出る信号磁界によりパーマロイよりなる薄膜素子の抵
抗が変化し、その抵抗変化を検出することによって上記
磁気記録媒体に記録された情報を読み取ることができる
ように構成されている。
In such an MR head, the resistance of a thin film element made of permalloy changes due to a signal magnetic field leaking from the magnetic recording medium, and the information recorded on the magnetic recording medium can be read by detecting the resistance change. Is configured.

【0004】このようなMRヘッドは、通常の電磁誘導
型磁気ヘッドに比べて、短波長感度に優れることから、
狭トラック再生、短波長再生、超低速再生において高い
感度が得られるとされている。
Since such an MR head is superior in sensitivity to short wavelengths as compared with a usual electromagnetic induction type magnetic head,
It is said that high sensitivity can be obtained in narrow track reproduction, short wavelength reproduction, and ultra-low speed reproduction.

【0005】MRヘッドは、一対のシールド磁性体によ
って挟み込まれた磁気抵抗効果素子(以下、MR素子と
称する。)を有し、そのMR素子にバイアス磁界を印加
するバイアス導体を当該MR素子上に設けた構造とされ
るのが一般的である。
The MR head has a magnetoresistive effect element (hereinafter referred to as an MR element) sandwiched by a pair of shield magnetic bodies, and a bias conductor for applying a bias magnetic field to the MR element is provided on the MR element. Generally, the structure is provided.

【0006】ところで、MR素子の真上にバイアス導体
を設けた場合には、以下のような不都合が生ずる。第1
に、狭ギャップ化に伴う下部シールド磁性体の磁気的影
響からくる不安定性がある。すなわち、MR素子のすぐ
下にシールド磁性体があるとコアの磁区の乱れでMR素
子の磁壁が移動し、それに伴いバルクハウゼンノイズが
発生する。
By the way, when the bias conductor is provided right above the MR element, the following inconvenience occurs. First
In addition, there is instability due to the magnetic effect of the lower shield magnetic material with the narrowing of the gap. That is, if there is a shield magnetic material immediately below the MR element, the domain wall of the MR element moves due to the disturbance of the magnetic domain of the core, which causes Barkhausen noise.

【0007】第2に、折角MR素子内に入ったバイアス
磁束が下部シールド磁性体に漏れてしまい、バイアス磁
界の不均一さが生じ、結果的に再生波形歪みが起こり線
記録密度の低下につながる。
Secondly, the bias magnetic flux that has entered the bent MR element leaks to the lower shield magnetic body, causing non-uniformity of the bias magnetic field, resulting in reproduced waveform distortion and a reduction in linear recording density. .

【0008】そこで、一対のシールド磁性体間に設けら
れたMR素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印
加用部材を、下層の下部シールド磁性体に溝部を形成
し、その中に埋め込むようにしたものが提案されてい
る。
Therefore, a bias magnetic field applying member for applying a bias magnetic field to the MR element provided between a pair of shield magnetic bodies is formed by forming a groove in the lower shield magnetic body in the lower layer and embedding it in the groove. Is proposed.

【0009】このように、バイアス磁界印加用部材を下
部シールド磁性体に形成した溝部に埋め込むようにすれ
ば、先端電極と後端電極とで挟まれるMR素子の感磁部
と、下部シールド磁性体との対向距離が大きくなり、M
R素子に印加されたバイアス磁界がシールド磁性体へ漏
洩しなくなる。その結果、MR素子に印加されるバイア
ス磁界のバイアス分布が均一なものとなり、線形性が良
くなって線記録密度が向上する。
By thus embedding the bias magnetic field applying member in the groove formed in the lower shield magnetic body, the magnetic sensitive portion of the MR element sandwiched between the front electrode and the rear electrode and the lower shield magnetic body. The facing distance with
The bias magnetic field applied to the R element does not leak to the shield magnetic body. As a result, the bias distribution of the bias magnetic field applied to the MR element becomes uniform, the linearity is improved, and the linear recording density is improved.

【0010】ところが、下部シールド磁性体に溝部を形
成すると、MR素子の磁気抵抗が上がり、実質的にMR
素子に入り込む磁束が減少する。かかる磁気抵抗による
信号磁界の減少は、直に再生出力の低下につながり、線
記録密度の向上の妨げとなる。
However, when the groove portion is formed in the lower shield magnetic body, the magnetic resistance of the MR element is increased, and the MR element is substantially
The magnetic flux entering the element is reduced. Such a decrease in the signal magnetic field due to the magnetic resistance directly leads to a decrease in the reproduction output, which hinders the improvement of the linear recording density.

【0011】そこでさらに、従来においては、図8に示
すように、磁気記録媒体との対接面とは反対側のMR素
子101の後端側に磁性材料よりなるフラックスガイド
102を形成し、このフラックスガイド102によって
媒体対接面側よりMR素子101に入った信号磁束を後
端側へと引き込むようにしたものが提案されている。
Therefore, in the prior art, as shown in FIG. 8, a flux guide 102 made of a magnetic material is formed on the rear end side of the MR element 101 on the side opposite to the contact surface with the magnetic recording medium. It is proposed that the flux guide 102 draws the signal magnetic flux entering the MR element 101 from the medium contact surface side toward the rear end side.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記フラッ
クスガイド102は、平面略長方形状とされた横長形状
とされ、その長手方向をMR素子101の長手方向(信
号磁束の引き込み方向)と同一方向として設けられてい
るため、当該フラックスガイド102の磁化容易軸が信
号磁束の引き込み方向と同一方向となり易い。
However, the above-mentioned flux guide 102 has a horizontally long shape which is substantially rectangular in plan view, and its longitudinal direction is the same as the longitudinal direction of the MR element 101 (the direction in which the signal magnetic flux is drawn). Since it is provided, the easy axis of magnetization of the flux guide 102 is likely to be in the same direction as the signal magnetic flux drawing direction.

【0013】このため、MR素子101に流れるセンス
電流によってフラックスガイド102には図8に示すよ
うな磁区の移動が生じ、この影響でその下に設けられる
MR素子101の磁区も誘起されてバルクハウゼンノイ
ズが発生する。
Therefore, the magnetic flux of the MR element 101 is moved in the flux guide 102 by the sense current flowing in the MR element 101 as shown in FIG. 8, and the magnetic domain of the MR element 101 provided thereunder is also induced to cause Barkhausen. Noise is generated.

【0014】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、磁気的安定
性を確保し、磁壁の移動に伴うバルクハウゼンノイズの
発生を抑え、再生出力の向上を実現し得る磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-mentioned technical problems of the related art, and secures magnetic stability, suppresses the generation of Barkhausen noise due to the movement of the domain wall, and reproduces. It is an object of the present invention to provide a magnetoresistive effect magnetic head capable of realizing an improvement in output.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、磁気記録媒体
との対接面に対して長手方向が垂直となるように配され
る磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒体との対接面に
臨み、磁気抵抗効果素子の先端側に積層される先端電極
と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電
極と、上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効
果素子を挟み込む一対のシールド磁性体と、上記磁気抵
抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加
部材と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される磁
性材料よりなるフラックスガイドとを備え、上記フラッ
クスガイドを、媒体対接面と平行な方向の長さをL、垂
直な方向の幅をWとしたときにL>Wなる関係とし、且
つ磁化容易軸を磁気抵抗効果素子の磁化容易軸と同じく
媒体対接面と平行な方向となすと共に、その媒体対接面
と平行な方向における端部を円弧状とすることにより、
上述の課題を解決する。
According to the present invention, a magnetoresistive effect element arranged so that its longitudinal direction is perpendicular to a contact surface with a magnetic recording medium, and a contact surface with the magnetic recording medium. A front end electrode laminated on the front end side of the magnetoresistive effect element, a rear end electrode laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element, and a magnetoresistive effect in which the front end electrode and the rear end electrode are laminated. A pair of shield magnetic bodies sandwiching the element, a bias magnetic field applying member for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element, and a flux guide made of a magnetic material laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element, The flux guide has a relationship of L> W, where L is the length in the direction parallel to the medium facing surface and W is the width in the perpendicular direction, and the easy axis of magnetization is the easy axis of the magnetoresistive element. Parallel to the medium facing surface Together form with the direction, by the end of a direction parallel to the media abutment surface arcuate,
The above problems are solved.

【0016】フラックスガイドは、磁気抵抗効果素子上
にTa膜を介して積層するか、または、磁気抵抗効果素
子上に設けられたTa膜上に膜厚10〜80nmのパー
マロイ膜を介して、さらにメッキによってパーマロイ膜
を積層して形成する。そして、このフラックスガイドに
は高透磁率を有する磁性材料を用いる。
The flux guide is laminated on the magnetoresistive effect element via a Ta film, or is further stacked on the Ta film provided on the magnetoresistive effect element via a permalloy film having a thickness of 10 to 80 nm. It is formed by stacking permalloy films by plating. A magnetic material having a high magnetic permeability is used for this flux guide.

【0017】[0017]

【作用】本発明においては、MR素子の後端部に設けた
高透磁率を有する磁性材料からなるフラックスガイド
を、MR素子の長手方向に対して直交する方向(媒体対
接面と平行な方向)に縦長形状として形成し、磁化容易
軸をMR素子の磁化容易軸と同じく媒体対接面と平行な
方向となるようにしているので、当該フラックスガイド
の磁区が安定する。したがって、バルクハウゼンノイズ
の発生が回避されることになり、MR素子に入る信号磁
束がこのフラックスガイドによってABS面側より後方
側へと効率良く引き込まれることになる。
In the present invention, the flux guide made of a magnetic material having a high magnetic permeability provided at the rear end portion of the MR element is provided in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the MR element (direction parallel to the medium contact surface). ) Is formed as a vertically long shape so that the easy axis of magnetization is parallel to the medium contact surface like the easy axis of the MR element, so that the magnetic domain of the flux guide is stable. Therefore, generation of Barkhausen noise is avoided, and the signal magnetic flux entering the MR element is efficiently drawn from the ABS surface side to the rear side by this flux guide.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気抵抗効果型磁気ヘッドは、図1に示すように、スライ
ダの一側面(図示は省略する。)上に形成される一対の
シールド磁性体1,2と、これらシールド磁性体1,2
間に先端電極3と後端電極4が積層されてなるMR素子
5と、このMR素子5にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材6とを有して構成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the magnetoresistive effect magnetic head of this embodiment has a pair of shield magnetic bodies 1 and 2 formed on one side surface (not shown) of a slider, and these shield magnetic bodies 1. , 2
An MR element 5 having a front end electrode 3 and a rear end electrode 4 laminated in between, and a bias magnetic field applying member 6 for applying a bias magnetic field to the MR element 5 are configured.

【0019】なお以下、下層に形成されるシールド磁性
体1を下部シールド磁性体1、上層に形成されるシール
ド磁性体2を上部シールド磁性体2と称する。
Hereinafter, the shield magnetic body 1 formed in the lower layer will be referred to as the lower shield magnetic body 1, and the shield magnetic body 2 formed in the upper layer will be referred to as the upper shield magnetic body 2.

【0020】MR素子5は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向が磁気記録媒体
との対接面(以下、ABS面7と称する。)に対して垂
直となるように設けられている。また、このMR素子5
の先端側の一側縁は、上記ABS面7に臨むようになさ
れている。
The MR element 5 is formed, for example, in a substantially rectangular pattern in a plan view, and is provided so that its longitudinal direction is perpendicular to a contact surface with the magnetic recording medium (hereinafter referred to as ABS surface 7). Has been. Also, this MR element 5
One side edge of the tip side of the is exposed to the ABS surface 7.

【0021】かかるMR素子5は、例えばパーマロイ等
の強磁性体薄膜からなり、下部シールド磁性体1上に設
けられたギャップ膜として機能する絶縁膜8上に蒸着や
スパッタリング等の真空薄膜形成手段によって形成され
ている。
The MR element 5 is made of, for example, a ferromagnetic thin film such as permalloy, and is formed on the insulating film 8 functioning as a gap film provided on the lower shield magnetic body 1 by vacuum thin film forming means such as vapor deposition or sputtering. Has been formed.

【0022】このMR素子5は、パーマロイよりなるM
R薄膜の単層膜であってもよいが、例えばSiO2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
MR薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
ることによって、バルクハウゼンノイズの発生が回避で
きる。
The MR element 5 is an M made of permalloy.
The R thin film may be a single layer film, but a pair of MR thin films magnetostatically coupled may be laminated via a non-magnetic insulating layer made of, for example, SiO 2 . With the laminated film structure, it is possible to avoid the occurrence of Barkhausen noise.

【0023】先端電極3は、その一側縁がABS面7に
臨むようにしてMR素子5の先端部に直接積層され、こ
のMR素子5と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極3は、MR素子5にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップg
のギャップ膜としても機能するようになっている。
The tip electrode 3 is directly laminated on the tip of the MR element 5 so that one side edge thereof faces the ABS 7 and is electrically connected to the MR element 5.
The tip electrode 3 has a function as an electrode for supplying a sense current to the MR element 5 and also has a reproducing magnetic gap g.
It also functions as a gap film.

【0024】一方、後端電極4は、信号磁界の引き込み
の向上及びバイアス分布の均一化を図ることを目的とす
るフラックスガイド9を介してMR素子5の後端側に積
層されている。
On the other hand, the rear end electrode 4 is laminated on the rear end side of the MR element 5 via the flux guide 9 for the purpose of improving the attraction of the signal magnetic field and making the bias distribution uniform.

【0025】フラックスガイド9は、図2に示すよう
に、MR素子5の後端部に形成されたTa膜9aと、こ
の上に蒸着やスパッタリングによって成膜される第1の
パーマロイ膜9bと、この第1のパーマロイ膜9b上に
メッキによって形成される第2のパーマロイ膜9cの積
層膜構造とされている。
As shown in FIG. 2, the flux guide 9 includes a Ta film 9a formed on the rear end portion of the MR element 5 and a first permalloy film 9b formed on the Ta film 9a by vapor deposition or sputtering. The second permalloy film 9c has a laminated film structure formed on the first permalloy film 9b by plating.

【0026】Ta膜9aは、この上に形成される第1の
パーマロイ膜9bの下地膜として機能する。そして、こ
のTa膜9a上に成膜される第1のパーマロイ膜9b
は、該Ta膜9a上に直接メッキによってパーマロイを
成膜することはできないため、パーマロイを電気メッキ
する際の下地膜として機能するようになっている。ま
た、この第1のパーマロイ膜9bは、Ta膜9a上に成
膜されると磁気異方性がつき易いという性質を有する。
そして最上層の第2のパーマロイ膜9cは、MR素子5
に入り込んだ信号磁束を後端部まで効率良く引き込む役
目をする。この第2のパーマロイ膜9cを第1のパーマ
ロイ膜9bの上にメッキすると、第1のパーマロイ膜9
bの磁気異方性に従ってメッキ膜が成長する。
The Ta film 9a functions as a base film for the first permalloy film 9b formed on the Ta film 9a. Then, the first permalloy film 9b formed on the Ta film 9a.
Since the permalloy cannot be directly formed on the Ta film 9a by plating, it functions as a base film when the permalloy is electroplated. Further, the first permalloy film 9b has a property that magnetic anisotropy easily occurs when it is formed on the Ta film 9a.
The uppermost second permalloy film 9c is formed by the MR element 5
It plays the role of efficiently drawing in the signal magnetic flux that has entered into the rear end. When this second permalloy film 9c is plated on the first permalloy film 9b, the first permalloy film 9c is formed.
The plated film grows according to the magnetic anisotropy of b.

【0027】上記のように積層膜構造とされたフラック
スガイド9は、図3に示すように、MR素子5の長手方
向に対してその長軸が略垂直となるようにいわゆる縦長
の楕円形状として形成されている。すなわち、フラック
スガイド9は、ABS面7と平行な方向の長さをL、垂
直な方向の幅をWとしたときに、L>Wなる関係とさ
れ、しかもそのABS面7と平行な方向における両端縁
部10,11が円弧状とされている。
As shown in FIG. 3, the flux guide 9 having the laminated film structure as described above has a so-called vertically elongated elliptical shape so that its major axis is substantially perpendicular to the longitudinal direction of the MR element 5. Has been formed. That is, the flux guide 9 has a relationship of L> W, where L is the length in the direction parallel to the ABS surface 7 and W is the width in the vertical direction, and in the direction parallel to the ABS surface 7. Both edge portions 10, 11 are arcuate.

【0028】また、上記フラックスガイド9の円弧状と
される両端縁部10,11は、ABS面7と平行な平行
面部12,13よりもさらに外側へ突出するようになさ
れている。そしてさらに、このフラックスガイド9は、
MR素子5の磁化容易軸と同じくその磁化容易軸が、図
3中矢印で示すABS面7と平行な方向とされている。
The arcuate end portions 10 and 11 of the flux guide 9 are further projected to the outside than the parallel surface portions 12 and 13 parallel to the ABS surface 7. And furthermore, this flux guide 9
Similar to the easy axis of magnetization of the MR element 5, the easy axis of magnetization is parallel to the ABS plane 7 shown by the arrow in FIG.

【0029】かかる構成とすることにより、フラックス
ガイド9には、図4に示すような向きの磁区が発生する
が、これら磁区は還流するために磁区の安定性が保たれ
る。したがって、MR素子5に流れるセンス電流によっ
てフラックスガイド9の磁区が乱されることが無くな
り、その結果MR素子5の磁区も安定する。
With this structure, magnetic domains having the orientation shown in FIG. 4 are generated in the flux guide 9, but since these magnetic domains flow back, the stability of the magnetic domains is maintained. Therefore, the magnetic domain of the flux guide 9 is not disturbed by the sense current flowing through the MR element 5, and as a result, the magnetic domain of the MR element 5 is also stabilized.

【0030】また、フラックスガイド9をMR素子5の
後端側に設けた場合、当該フラックスガイド9によるバ
ルクハウゼンノイズ等の不安定性が心配されるが、上述
のような形状とすることで、電磁変換特性においてその
ような不安定性は見られず、図7に示すような良好な出
力波形が得られる。
Further, when the flux guide 9 is provided on the rear end side of the MR element 5, instability such as Barkhausen noise due to the flux guide 9 may be a concern. No such instability is observed in the conversion characteristics, and a good output waveform as shown in FIG. 7 is obtained.

【0031】上記バイアス磁界印加部材6は、MR素子
5にバイアス磁界を印加するためのもので、先端電極3
と後端電極4の間であって、これら電極3,4が設けら
れる側とは反対側の下部シールド磁性体1に形成される
溝部14に配され、絶縁膜15によって埋め込まれる形
で設けられている。
The bias magnetic field applying member 6 is for applying a bias magnetic field to the MR element 5, and the tip electrode 3
Between the rear end electrode 4 and the rear end electrode 4, the groove 14 is formed in the lower shield magnetic body 1 on the side opposite to the side where the electrodes 3 and 4 are provided, and is embedded in the insulating film 15. ing.

【0032】かかるバイアス磁界印加部材6は、上記A
BS面7と垂直な方向であるMR素子5の長手方向に亘
ってバイアス磁界を印加する役目をする。このバイアス
磁界印加部材6は、例えば導電性を有する導体、または
ハード膜(高保磁力且つ高飽和磁束密度を有する永久磁
石)のいずれであってもかまわない。バイアス磁界印加
部材6が導体である場合には、その導体パターンの両端
子部に直流電源からのバイアス電流をその配線パターン
の長手方向であるトラック幅方向に通電する。
The bias magnetic field applying member 6 has the above-mentioned A
It serves to apply a bias magnetic field over the longitudinal direction of the MR element 5 which is a direction perpendicular to the BS plane 7. The bias magnetic field applying member 6 may be, for example, a conductive conductor or a hard film (a permanent magnet having a high coercive force and a high saturation magnetic flux density). When the bias magnetic field applying member 6 is a conductor, a bias current from a DC power source is applied to both terminals of the conductor pattern in the track width direction which is the longitudinal direction of the wiring pattern.

【0033】そして、上記MR素子5を上下方向から挟
み込む形で設けられる一対のシールド磁性体1,2は、
MR素子5から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受
けないようにするシールドとして機能するもので、例え
ばパーマロイ等によって形成されている。これらシール
ド磁性体1,2のうち下部シールド磁性体1は、上記A
BS面7にその一側縁を臨ませるようにして、このAB
S面7に対して垂直方向に延在して設けられている。
The pair of shield magnetic bodies 1 and 2 provided so as to sandwich the MR element 5 from above and below,
It functions as a shield that is not affected by the magnetic field from the medium located away from the MR element 5, and is formed of, for example, permalloy or the like. Of these shield magnetic bodies 1 and 2, the lower shield magnetic body 1 is
This AB is made to face one side edge on the BS surface 7.
It is provided so as to extend in a direction perpendicular to the S surface 7.

【0034】そして、この下部シールド磁性体1には、
先端電極3と後端電極4で挟まれる領域に対応した位置
に先のバイアス磁界印加部材6を絶縁膜15によって埋
め込むための溝部14を有している。かかる溝部14
は、バイアス磁界印加部材6と平行な底面14aとこの
底面14aの両側に溝の開口幅を広げるようにして形成
される傾斜面14b,14cとを有した断面略コ字状を
なす溝として、上記下部シールド磁性体1の短辺方向
(トラック幅方向)に形成されている。
Then, in the lower shield magnetic body 1,
A groove portion 14 for embedding the above bias magnetic field applying member 6 with an insulating film 15 is provided at a position corresponding to a region sandwiched by the front electrode 3 and the rear electrode 4. Such groove 14
Is a groove having a substantially U-shaped cross section having a bottom surface 14a parallel to the bias magnetic field applying member 6 and inclined surfaces 14b and 14c formed on both sides of the bottom surface 14a so as to widen the opening width of the groove. It is formed in the short side direction (track width direction) of the lower shield magnetic body 1.

【0035】上記傾斜面14b,14cのうち、ABS
面7側に設けられる傾斜面14bのMR素子5に近接す
る溝先端部D1 は、上記先端電極3の後端部(再生磁気
ギャップgのデプス零位置)E1 と略同一の位置とされ
ている。これに対して他方の傾斜面14cのMR素子5
に近接する溝後端部D2 は、フラックスガイド9の先端
部E2 に対して後方とされている。逆の見かたをする
と、フラックスガイド9の先端部E2 が、傾斜面14c
の溝後端部D2 に対してABS面7寄りに設けられてい
ることになる。つまり、フラックスガイド9を、上記溝
部14の溝後端部D2 よりABS面7寄りに設ければ、
MR素子5に対してバイアスがより一層かかり易くな
る。
Of the inclined surfaces 14b and 14c, the ABS
The groove tip portion D 1 of the inclined surface 14b provided on the surface 7 side that is close to the MR element 5 is located at substantially the same position as the rear end portion (position of the depth zero of the reproducing magnetic gap g) E 1 of the tip electrode 3. ing. On the other hand, the MR element 5 of the other inclined surface 14c
Groove rear end D 2 adjacent to is the rear with respect to the distal end portion E 2 of the flux guide 9. When viewed in the opposite way, the tip E 2 of the flux guide 9 is
It is provided closer to the ABS surface 7 with respect to the groove rear end portion D 2 . That is, if the flux guide 9 is provided closer to the ABS surface 7 than the groove rear end portion D 2 of the groove portion 14,
The MR element 5 is more easily biased.

【0036】一方、これに対向して設けられる上部シー
ルド磁性体2は、先の下部シールド磁性体1と同様に上
記ABS面7にその一側縁を臨ませるようにしてこのA
BS面7に対して垂直にバック側へ延在して設けられて
いる。また、この上部シールド磁性体2は、ABS面7
側で先端電極3に対して直接積層されると共に、その後
方側において絶縁層16を介して積層されている。
On the other hand, like the lower shield magnetic body 1, the upper shield magnetic body 2 provided so as to face the upper shield magnetic body 2 has its one side edge facing the ABS surface 7.
It is provided so as to extend perpendicularly to the BS surface 7 toward the back side. Further, the upper shield magnetic body 2 has an ABS surface 7
Is laminated directly to the tip electrode 3 on the side, and is laminated on the rear side with the insulating layer 16 interposed.

【0037】ところで、上記フラックスガイド9を形成
するには、先ずMR素子5上にスパッタリングや蒸着等
の如き真空薄膜形成手段によってTa膜9aを成膜す
る。Ta膜9aの膜厚としては、例えば100nm以下
とすることが望ましい。また、このTa膜9aは、プロ
セス上熱が加わったとき、MR素子5への拡散が小さ
い。
To form the flux guide 9, the Ta film 9a is first formed on the MR element 5 by vacuum thin film forming means such as sputtering or vapor deposition. The thickness of the Ta film 9a is preferably 100 nm or less, for example. Further, this Ta film 9a has a small diffusion to the MR element 5 when heat is applied in the process.

【0038】次に、このTa膜9a上にスパッタリング
又は蒸着によって第1のパーマロイ膜9bを成膜する。
この第1のパーマロイ膜9bの膜厚としては、例えば1
0〜80nmとなるようにする。膜厚が10nm未満で
あると異方性が付き難くなり、80nmを越えると第2
のパーマロイ膜9cに対し磁気的結合ができなくなる。
本実施例では、第1のパーマロイ膜9bの膜厚を80n
mとした。なお、第1のパーマロイ膜9bと第2のパー
マロイ膜9cの磁歪定数は、−0.5×10-6〜−1.
0×10 -6となるようにすることが望ましい。
Next, sputtering is performed on the Ta film 9a.
Alternatively, the first permalloy film 9b is formed by vapor deposition.
The thickness of the first permalloy film 9b is, for example, 1
It is set to 0 to 80 nm. If the film thickness is less than 10 nm
It becomes difficult to have anisotropy when it exists, and it becomes the second when it exceeds 80 nm.
No magnetic coupling can be made to the permalloy film 9c.
In this embodiment, the thickness of the first permalloy film 9b is set to 80 n.
m. The first permalloy film 9b and the second permalloy film 9b
The magnetostriction constant of the Malloy film 9c is −0.5 × 10.-6~ -1.
0x10 -6Is desirable.

【0039】この結果、図5に示すように、第1のパー
マロイ膜9bに磁気異方性が付与される。
As a result, as shown in FIG. 5, magnetic anisotropy is given to the first permalloy film 9b.

【0040】次いで、上記第1のパーマロイ膜9bの上
に電気メッキによって第2のパーマロイ膜9cを成膜す
る。このときの膜厚は、磁区の安定性を考慮すると厚い
方がよいが、あまり厚すぎるとこれが段差となり後工程
に反映し、特に上部シールド磁性体2の磁気特性を乱す
ことも考えられるので、300nm程度とすることが望
ましい。
Then, a second permalloy film 9c is formed on the first permalloy film 9b by electroplating. The film thickness at this time is preferably thicker in consideration of the stability of the magnetic domain, but if it is too thick, it becomes a step and this is reflected in the subsequent steps, and in particular, the magnetic characteristics of the upper shield magnetic body 2 may be disturbed. It is desirable to set the thickness to about 300 nm.

【0041】本実施例では、第2のパーマロイ膜9cの
膜厚を220nmとした。
In this embodiment, the thickness of the second permalloy film 9c is 220 nm.

【0042】このとき、第2のパーマロイ膜9cは、第
1のパーマロイ膜9bに付与された磁気異方性に従って
メッキ膜が成長する。その結果を図6に示す。かかる図
からわかるように、第2のパーマロイ膜9cは第1のパ
ーマロイ膜9bの磁気異方性に反映して異方性が付与さ
れていることが判る。
At this time, a plating film grows on the second permalloy film 9c according to the magnetic anisotropy imparted to the first permalloy film 9b. The result is shown in FIG. As can be seen from this figure, the second permalloy film 9c is given anisotropy by reflecting on the magnetic anisotropy of the first permalloy film 9b.

【0043】そして最後に、フラックスガイド9を先に
説明した形状にパターンニングした後、これをエッチン
グしてフラックスガイド9を完成する。
Finally, after patterning the flux guide 9 into the shape described above, the flux guide 9 is etched to complete the flux guide 9.

【0044】なお、上記の例では、フラックスガイド9
としてパーマロイを用いたが、高透磁率を有する例えば
センダストやFe−Co系のアモルファス材等の磁性材
料を用いても同様の作用効果を得ることができる。
In the above example, the flux guide 9
Although permalloy is used as the above, the same effect can be obtained by using a magnetic material having a high magnetic permeability such as sendust or an Fe—Co based amorphous material.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、MR素子の
後端部に設けた高透磁率を有する磁性材料からなるフラ
ックスガイドを、MR素子の長手方向に対して直交する
方向に縦長の楕円形状として形成し、その磁化容易軸を
MR素子の磁化容易軸と同じく媒体対接面と平行な方向
としているので、当該フラックスガイドの磁区を安定化
させることができ、その結果バルクハウゼンノイズの発
生を回避でき、再生出力の大幅な向上を達成することが
できる。
As is apparent from the above description, in the magnetoresistive effect magnetic head of the present invention, the flux guide made of a magnetic material having a high magnetic permeability is provided at the rear end of the MR element. The magnetic domain of the flux guide is formed as an elliptical shape that is vertically long in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the element, and its easy axis of magnetization is parallel to the medium contact surface like the easy axis of magnetization of the MR element. As a result, the Barkhausen noise can be prevented from occurring, and the reproduction output can be significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】MRヘッドの拡大断面図である。FIG. 1 is an enlarged sectional view of an MR head.

【図2】フラックスガイドの拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a flux guide.

【図3】フラックスガイドの拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of a flux guide.

【図4】フラックスガイドに発生した磁区を示す模式図
である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing magnetic domains generated in a flux guide.

【図5】Ta膜上に第1のパーマロイ膜を成膜したとき
に異方性が生じていることを現す特性図である。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing that anisotropy occurs when a first permalloy film is formed on a Ta film.

【図6】第1のパーマロイ膜上に第2のパーマロイ膜を
メッキによって成膜したときにこの第1のパーマロイ膜
の異方性が反映されていることを現す特性図である。
FIG. 6 is a characteristic diagram showing that the anisotropy of the first permalloy film is reflected when the second permalloy film is formed on the first permalloy film by plating.

【図7】本実施例のMRヘッドにおける再生波形を示す
特性図である。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing a reproduced waveform in the MR head of the present embodiment.

【図8】横長とされた従来のフラックスガイドの拡大平
面図である。
FIG. 8 is an enlarged plan view of a conventional horizontally long flux guide.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・下部シールド磁性体 2・・・上部シールド磁性体 3・・・先端電極 4・・・後端電極 5・・・MR素子 6・・・バイアス磁界印加部材 7・・・ABS面 9・・・フラックスガイド 9a・・・Ta膜 9b・・・第1のパーマロイ膜 9c・・・第2のパーマロイ膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Lower shield magnetic body 2 ... Upper shield magnetic body 3 ... Front electrode 4 ... Rear end electrode 5 ... MR element 6 ... Bias magnetic field application member 7 ... ABS surface 9 ... Flux guide 9a ... Ta film 9b ... First permalloy film 9c ... Second permalloy film

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 守 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 芳賀 秀一 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 陶山 英夫 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Mamoru Sasaki 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation (72) Hideichi Haga 6-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation (72) Inventor Hideo Suyama 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁気記録媒体との対接面に対して長手方
向が垂直となるように配される磁気抵抗効果素子と、 上記磁気記録媒体との対接面に臨み、磁気抵抗効果素子
の先端側に積層される先端電極と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極
と、 上記先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子
を挟み込む一対のシールド磁性体と、 上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイア
ス磁界印加部材と、 上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される磁性材料よ
りなるフラックスガイドとを備え、 上記フラックスガイドは、媒体対接面と平行な方向の長
さをL、垂直な方向の幅をWとしたときにL>Wなる関
係とされ、且つ磁化容易軸が磁気抵抗効果素子の磁化容
易軸と同じく媒体対接面と平行な方向とされると共に、
その媒体対接面と平行な方向における端部が円弧状とさ
れていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
1. A magnetoresistive effect element arranged such that its longitudinal direction is perpendicular to a contact surface with a magnetic recording medium, and a magnetoresistive effect element facing the contact surface with the magnetic recording medium. A front end electrode laminated on the front end side, a rear end electrode laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element, and a pair of shield magnetic bodies sandwiching the magnetoresistive effect element in which the front end electrode and the rear end electrode are laminated. A bias magnetic field applying member for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive effect element, and a flux guide made of a magnetic material laminated on the rear end side of the magnetoresistive effect element. When the length in the direction parallel to the plane is L and the width in the direction perpendicular to the plane is W, the relation L> W is established, and the easy axis of magnetization is the same as the easy axis of the magnetoresistive element with the medium facing surface. With the parallel directions ,
A magnetoresistive effect magnetic head, characterized in that an end portion in a direction parallel to the medium contact surface is arcuate.
【請求項2】 フラックスガイドは、磁気抵抗効果素子
上にTa膜を介して積層されていることを特徴とする請
求項1記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
2. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein the flux guide is laminated on the magnetoresistive effect element with a Ta film interposed therebetween.
【請求項3】 フラックスガイドは、高透磁率を有する
磁性材料からなることを特徴とする請求項1又は2記載
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
3. The magnetoresistive effect magnetic head according to claim 1, wherein the flux guide is made of a magnetic material having a high magnetic permeability.
【請求項4】 フラックスガイドは、磁気抵抗効果素子
上に設けられたTa膜と、このTa膜上に蒸着又はスパ
ッタリングによりその膜厚が10〜80nmとされる第
1のパーマロイ膜と、この第1のパーマロイ膜上にメッ
キによって積層される第2のパーマロイ膜との積層膜構
造とされていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
4. The flux guide comprises a Ta film provided on a magnetoresistive element, a first permalloy film having a thickness of 10 to 80 nm formed on the Ta film by vapor deposition or sputtering, and a first permalloy film. 1. A magnetoresistive effect magnetic head having a laminated film structure of a second permalloy film laminated on one permalloy film by plating.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7068475B2 (en) * 2001-02-27 2006-06-27 Fujitsu Limited Magnetic head having a flux-guide regulating film regulating a magnetic domain of a flux guide
US7170721B2 (en) * 2002-06-25 2007-01-30 Quantum Corporation Method of producing flux guides in magnetic recording heads
US7290325B2 (en) 2004-08-13 2007-11-06 Quantum Corporation Methods of manufacturing magnetic heads with reference and monitoring devices
US7751154B2 (en) 2005-05-19 2010-07-06 Quantum Corporation Magnetic recording heads with bearing surface protections and methods of manufacture

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