JPH07207441A - 膜の内部応力制御方法 - Google Patents
膜の内部応力制御方法Info
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- JPH07207441A JPH07207441A JP320394A JP320394A JPH07207441A JP H07207441 A JPH07207441 A JP H07207441A JP 320394 A JP320394 A JP 320394A JP 320394 A JP320394 A JP 320394A JP H07207441 A JPH07207441 A JP H07207441A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基体上に各種膜を形成させる際に膜の内部に
生じる内部応力を制御する方法を提供する。 【構成】 基体上に膜を形成させるにあたり、形成され
る膜の結晶粒径を制御することで膜の内部応力を制御す
る膜の内部応力制御方法。
生じる内部応力を制御する方法を提供する。 【構成】 基体上に膜を形成させるにあたり、形成され
る膜の結晶粒径を制御することで膜の内部応力を制御す
る膜の内部応力制御方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基体上に形成される膜の
内部応力を制御する方法に関する。
内部応力を制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種基体が有する諸特性、例えば機械的
特性、化学的特性、電気的特性、光学的特性、磁気的特
性等を改善させたり、又、新たな特性を付与したりする
目的で該基体上に各種膜を形成するために、様々な方法
が試みられている。かかる成膜方法としては、真空蒸着
法、スパッタ蒸着法、これら方法にイオン照射アシスト
を併用するイオン蒸着薄膜形成法等のＰＶＤ法やプラズ
マＣＶＤ法等を例示することができる。
特性、化学的特性、電気的特性、光学的特性、磁気的特
性等を改善させたり、又、新たな特性を付与したりする
目的で該基体上に各種膜を形成するために、様々な方法
が試みられている。かかる成膜方法としては、真空蒸着
法、スパッタ蒸着法、これら方法にイオン照射アシスト
を併用するイオン蒸着薄膜形成法等のＰＶＤ法やプラズ
マＣＶＤ法等を例示することができる。
【０００３】これら成膜方法のうち真空蒸着法、スパッ
タ蒸着法等のようなＰＶＤ法はＣＶＤ法に比して低温下
で膜形成できるので、工業的に広く利用されている。
タ蒸着法等のようなＰＶＤ法はＣＶＤ法に比して低温下
で膜形成できるので、工業的に広く利用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＶＤ
法を用いて基体上に膜形成しても、該膜の内部には、引
張応力或いは圧縮応力という内部応力が生じる。該膜に
生じる内部応力により、前記膜の機械的強度等の特性が
低下したり、該膜と該基体との密着性及び耐破壊強度が
低下したり、該膜の光の反射、透過、吸収、及び発光等
の光学的特性や電気的特性が変化したりする。このため
該膜を実用に供した場合、その信頼性、耐久性等に問題
があった。一般に真空蒸着法等で形成された膜は引張応
力を有することが知られているが、膜の内部応力の発生
機構はまだ充分には解明されていない。
法を用いて基体上に膜形成しても、該膜の内部には、引
張応力或いは圧縮応力という内部応力が生じる。該膜に
生じる内部応力により、前記膜の機械的強度等の特性が
低下したり、該膜と該基体との密着性及び耐破壊強度が
低下したり、該膜の光の反射、透過、吸収、及び発光等
の光学的特性や電気的特性が変化したりする。このため
該膜を実用に供した場合、その信頼性、耐久性等に問題
があった。一般に真空蒸着法等で形成された膜は引張応
力を有することが知られているが、膜の内部応力の発生
機構はまだ充分には解明されていない。
【０００５】そこで本発明は、各種基体上に各種膜を形
成させる際に、該膜の内部に生じる内部応力を制御する
方法を提供することを課題とする。
成させる際に、該膜の内部に生じる内部応力を制御する
方法を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決すべく研究を重ね、以下に示す実験結果を得た。通
常、膜は結晶の固まりが集まって構成される多結晶体で
あるが、基体上に形成された膜の結晶粒径と該膜の内部
に発生する内部応力との間に、一定の相関関係が認めら
れた。即ち、該膜の結晶粒径が大きいほど圧縮応力が強
くなり、該膜の結晶粒径が小さいほど引張応力が強くな
った。
決すべく研究を重ね、以下に示す実験結果を得た。通
常、膜は結晶の固まりが集まって構成される多結晶体で
あるが、基体上に形成された膜の結晶粒径と該膜の内部
に発生する内部応力との間に、一定の相関関係が認めら
れた。即ち、該膜の結晶粒径が大きいほど圧縮応力が強
くなり、該膜の結晶粒径が小さいほど引張応力が強くな
った。
【０００７】以上の知見に基づき本発明は、基体上に膜
を形成するにあたり、形成される膜の結晶粒径を制御す
ることで該膜の内部応力を制御することを特徴とする膜
の内部応力制御方法を提供するものである。この本発明
方法において、膜形成方法としては種々考えられるが、
例えば電子ビーム、抵抗、レーザ、高周波等の手段で、
目的とする膜の構成元素を含む物質を蒸着させる真空蒸
着とイオン照射とを併用するイオン蒸着薄膜形成法が考
えられる。また、前記物質のスパッタ蒸着とイオン照射
とを併用するイオン蒸着薄膜形成法も考えられる。この
場合、スパッタさせる手法も特に限定されず、イオンビ
ーム、マグネトロン、高周波等の手段によりスパッタで
きる。
を形成するにあたり、形成される膜の結晶粒径を制御す
ることで該膜の内部応力を制御することを特徴とする膜
の内部応力制御方法を提供するものである。この本発明
方法において、膜形成方法としては種々考えられるが、
例えば電子ビーム、抵抗、レーザ、高周波等の手段で、
目的とする膜の構成元素を含む物質を蒸着させる真空蒸
着とイオン照射とを併用するイオン蒸着薄膜形成法が考
えられる。また、前記物質のスパッタ蒸着とイオン照射
とを併用するイオン蒸着薄膜形成法も考えられる。この
場合、スパッタさせる手法も特に限定されず、イオンビ
ーム、マグネトロン、高周波等の手段によりスパッタで
きる。
【０００８】蒸着（或いはスパッタ）される原子の数及
び膜厚は膜厚モニタによりモニタする。膜厚モニタは例
えば水晶振動子を用いた膜厚モニタでよいが、特に限定
はない。イオン蒸着薄膜形成法においてイオン照射に用
いるイオン源の方式は特に限定はなく、例えばカウフマ
ン型、バケット型等のものが考えられる。
び膜厚は膜厚モニタによりモニタする。膜厚モニタは例
えば水晶振動子を用いた膜厚モニタでよいが、特に限定
はない。イオン蒸着薄膜形成法においてイオン照射に用
いるイオン源の方式は特に限定はなく、例えばカウフマ
ン型、バケット型等のものが考えられる。
【０００９】また、照射するイオン種は蒸着（或いはス
パッタ）された物質の原子に作用して目的とする膜を形
成するものであればよく、例えば目的とする膜の構成元
素を含む原子イオン又は分子イオンの他、ヘリウムイオ
ン（Ｈｅ+ ）、ネオンイオン（Ｎｅ+ ）、アルゴンイオ
ン（Ａｒ+ ）、クリプトンイオン（Ｋｒ+ ）、キセノン
イオン（Ｘｅ+ ）等の不活性ガスイオン等が考えられ
る。また目的とする膜の構成元素を含む原子イオン又は
分子イオンと不活性ガスイオン等を混合して照射しても
よく、この場合、不活性ガスイオンにより前記原子イオ
ン又は分子イオンを一層高励起化することができ、膜の
形成に有利になる。
パッタ）された物質の原子に作用して目的とする膜を形
成するものであればよく、例えば目的とする膜の構成元
素を含む原子イオン又は分子イオンの他、ヘリウムイオ
ン（Ｈｅ+ ）、ネオンイオン（Ｎｅ+ ）、アルゴンイオ
ン（Ａｒ+ ）、クリプトンイオン（Ｋｒ+ ）、キセノン
イオン（Ｘｅ+ ）等の不活性ガスイオン等が考えられ
る。また目的とする膜の構成元素を含む原子イオン又は
分子イオンと不活性ガスイオン等を混合して照射しても
よく、この場合、不活性ガスイオンにより前記原子イオ
ン又は分子イオンを一層高励起化することができ、膜の
形成に有利になる。
【００１０】照射されるイオン数の制御は、イオン電流
測定器を用いて基体へのイオンの照射量をモニタするこ
とで行える。イオン電流測定器は例えばファラデーカッ
プ等でよいが、特に限定はない。そして、このイオン蒸
着薄膜形成法においては、照射するイオンのエネルギ、
又は蒸着（或いはスパッタ）される原子種と照射される
イオン種の輸送比（基体に到達する各原子数及び各イオ
ン数の比率）を制御することで、形成される膜の結晶粒
径を制御することができる。
測定器を用いて基体へのイオンの照射量をモニタするこ
とで行える。イオン電流測定器は例えばファラデーカッ
プ等でよいが、特に限定はない。そして、このイオン蒸
着薄膜形成法においては、照射するイオンのエネルギ、
又は蒸着（或いはスパッタ）される原子種と照射される
イオン種の輸送比（基体に到達する各原子数及び各イオ
ン数の比率）を制御することで、形成される膜の結晶粒
径を制御することができる。
【００１１】また、本発明においては、プラズマＣＶＤ
法を採用することも考えられ、この場合には例えば印加
する高周波電力の大きさを制御することで、形成される
膜の結晶粒径を制御する。形成された膜の内部応力は、
成膜前後の基体の反りの変化を、例えば段差計等で測定
することにより求めることができる。
法を採用することも考えられ、この場合には例えば印加
する高周波電力の大きさを制御することで、形成される
膜の結晶粒径を制御する。形成された膜の内部応力は、
成膜前後の基体の反りの変化を、例えば段差計等で測定
することにより求めることができる。
【００１２】さらに熱的なダメージを充分に避けなけれ
ばならない基体については、基体ホルダを水冷して基体
を冷却させながら成膜を行うのが好ましい。前記基体の
材質は特に限定されず、例えばセラミックス、金属、ガ
ラス、プラスチック等が考えられる。
ばならない基体については、基体ホルダを水冷して基体
を冷却させながら成膜を行うのが好ましい。前記基体の
材質は特に限定されず、例えばセラミックス、金属、ガ
ラス、プラスチック等が考えられる。
【００１３】
【作用】本発明方法によると、基体上に成膜するにあた
り、成膜方法に応じて膜を構成する結晶粒の粒径が制御
され、これにより該膜の内部応力が制御される。膜構成
結晶粒の粒径が大きいほど圧縮応力が強くなり、膜構成
結晶粒の粒径が小さいほど、引張応力が強くなる。
り、成膜方法に応じて膜を構成する結晶粒の粒径が制御
され、これにより該膜の内部応力が制御される。膜構成
結晶粒の粒径が大きいほど圧縮応力が強くなり、膜構成
結晶粒の粒径が小さいほど、引張応力が強くなる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明方法を実施するために用いられる成
膜装置の１例の概略構成を示したものである。図１にお
いて、１は基体、２は基体１を支持するホルダ、３は目
的とする膜の構成元素を含む物質を蒸発させる蒸発源、
４はイオンを照射させるためのイオン源、５は基体１上
に蒸着される原子の個数及びその膜厚を計測するための
膜厚モニタ、６は基体１に照射されるイオンの個数を計
測するためのイオン電流測定器である。これらは真空容
器７内に収容されている。容器７内は排気装置８にて所
望の真空度とされ得る。
する。図１は本発明方法を実施するために用いられる成
膜装置の１例の概略構成を示したものである。図１にお
いて、１は基体、２は基体１を支持するホルダ、３は目
的とする膜の構成元素を含む物質を蒸発させる蒸発源、
４はイオンを照射させるためのイオン源、５は基体１上
に蒸着される原子の個数及びその膜厚を計測するための
膜厚モニタ、６は基体１に照射されるイオンの個数を計
測するためのイオン電流測定器である。これらは真空容
器７内に収容されている。容器７内は排気装置８にて所
望の真空度とされ得る。
【００１５】本発明によって内部応力が制御された基体
を作成するに当たっては、まず基体１をホルダ２に支持
させた後、真空容器７内を所定の真空度にする。その
後、基体１に蒸発源３を用いて、蒸発物質３ａを真空蒸
着させる。なお、真空蒸着に代えて、蒸発物質３ａをス
パッタ蒸着することで基体１上に膜形成してもよい。
を作成するに当たっては、まず基体１をホルダ２に支持
させた後、真空容器７内を所定の真空度にする。その
後、基体１に蒸発源３を用いて、蒸発物質３ａを真空蒸
着させる。なお、真空蒸着に代えて、蒸発物質３ａをス
パッタ蒸着することで基体１上に膜形成してもよい。
【００１６】この真空蒸着（或いはスパッタ蒸着）と同
時、又は交互に、又は真空蒸着（或いはスパッタ蒸着）
後に、イオン源４よりイオン４ａを当該蒸着面に照射す
る。膜厚モニタ５は、ここでは水晶振動子を用いた膜厚
モニタであり、単位時間に基体上に到達する蒸発（或い
はスパッタ）原子の数、及び膜厚をモニタする。また、
イオン電流測定器６は、ここではファラデーカップであ
り、単位時間に基体に到達するイオンの数をモニタす
る。
時、又は交互に、又は真空蒸着（或いはスパッタ蒸着）
後に、イオン源４よりイオン４ａを当該蒸着面に照射す
る。膜厚モニタ５は、ここでは水晶振動子を用いた膜厚
モニタであり、単位時間に基体上に到達する蒸発（或い
はスパッタ）原子の数、及び膜厚をモニタする。また、
イオン電流測定器６は、ここではファラデーカップであ
り、単位時間に基体に到達するイオンの数をモニタす
る。
【００１７】前記成膜においては、形成される膜の内部
に発生する引張応力又は圧縮応力をコントロールするた
めに、次のような制御を行う。即ち、該膜構成結晶粒の
粒径と前記内部応力との間には、相関関係があり、粒径
が大きいほど圧縮応力が強くなり、粒径が小さいほど引
張応力が強くなる。該膜の結晶粒径は照射するイオンの
照射（加速）エネルギの大きさに依存して変化し、イオ
ン照射エネルギを大きくするほど前記粒径は小さくな
り、該エネルギを小さくするほど粒径は大きくなる。従
って、形成される膜の内部に発生する引張応力又は圧縮
応力が所望のものとなるような結晶粒径を有する膜を形
成するよう、照射するイオンの加速エネルギを制御す
る。
に発生する引張応力又は圧縮応力をコントロールするた
めに、次のような制御を行う。即ち、該膜構成結晶粒の
粒径と前記内部応力との間には、相関関係があり、粒径
が大きいほど圧縮応力が強くなり、粒径が小さいほど引
張応力が強くなる。該膜の結晶粒径は照射するイオンの
照射（加速）エネルギの大きさに依存して変化し、イオ
ン照射エネルギを大きくするほど前記粒径は小さくな
り、該エネルギを小さくするほど粒径は大きくなる。従
って、形成される膜の内部に発生する引張応力又は圧縮
応力が所望のものとなるような結晶粒径を有する膜を形
成するよう、照射するイオンの加速エネルギを制御す
る。
【００１８】以上に述べた成膜操作により形成された膜
は、引張応力や圧縮応力が制御されており、例えばこれ
ら内部応力を最も小さくなるように制御すると、成膜す
ることにより基体に生じる内部応力や歪みは最小にな
る。これにより該膜の機械的強度等の特性を維持でき、
該膜と基体との密着性及び耐破壊強度が向上し、該膜が
有する反射、透過、吸収及び発光等の光学的特性や電気
的特性が保持される等の利点が得られる。
は、引張応力や圧縮応力が制御されており、例えばこれ
ら内部応力を最も小さくなるように制御すると、成膜す
ることにより基体に生じる内部応力や歪みは最小にな
る。これにより該膜の機械的強度等の特性を維持でき、
該膜と基体との密着性及び耐破壊強度が向上し、該膜が
有する反射、透過、吸収及び発光等の光学的特性や電気
的特性が保持される等の利点が得られる。
【００１９】次に、図１に示す成膜装置による本発明方
法の具体例と、それによって得られる膜及び該膜で被覆
された基体について説明する。 例１ 図１に示す装置を用いてシリコン（Ｓｉ）から成る基体
１（直径５０ｍｍ×厚さ５００μｍ）を基体ホルダ２に
設置し、真空容器７内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空
度とした。その後、純度３Ｎ（９９．９％）のニッケル
（Ｎｉ）ペレット３ａを電子ビーム（ＥＢ）を用いた蒸
発源３を用いて蒸気化し、基体１上に成膜した。それと
同時にバケット型のイオン源４に純度５Ｎ（９９．９９
９％）のアルゴン（Ａｒ）ガスを真空容器７内が５×１
０-5Ｔｏｒｒになるまで導入し、イオン化させ、該イオ
ン４ａを基体１に立てた法線に対して０°の角度で基体
１に照射した。形成されたＮｉ膜の膜厚は何れも１μｍ
であった。
法の具体例と、それによって得られる膜及び該膜で被覆
された基体について説明する。 例１ 図１に示す装置を用いてシリコン（Ｓｉ）から成る基体
１（直径５０ｍｍ×厚さ５００μｍ）を基体ホルダ２に
設置し、真空容器７内を１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空
度とした。その後、純度３Ｎ（９９．９％）のニッケル
（Ｎｉ）ペレット３ａを電子ビーム（ＥＢ）を用いた蒸
発源３を用いて蒸気化し、基体１上に成膜した。それと
同時にバケット型のイオン源４に純度５Ｎ（９９．９９
９％）のアルゴン（Ａｒ）ガスを真空容器７内が５×１
０-5Ｔｏｒｒになるまで導入し、イオン化させ、該イオ
ン４ａを基体１に立てた法線に対して０°の角度で基体
１に照射した。形成されたＮｉ膜の膜厚は何れも１μｍ
であった。
【００２０】前記成膜操作において、Ａｒイオンの加速
エネルギを０．５ｋｅＶ、輸送比＝（基体１上に到達す
るＮｉ原子数／基体１上に到達するＡｒイオン数）を１
５としたところ、形成されたＮｉ膜の結晶粒径は１４
２．１Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じた内部応力は
−２．３×１０9 dyn/cm2 （圧縮応力）であった。形成
されたＮｉ膜の結晶粒径はＸ線回折法で半値幅を測定す
ることにより求め、また内部応力は、成膜前後の基体の
反りの変化を段差計（米国ＴＥＮＣＥＲＩＮＳＴＲＵＭ
ＥＮＴＳ社製、ＡＬＰＨＡ−ＳＴＥＰ２００）を用いて
測定することにより求めた。 例２ 例１において、Ａｒイオンの加速エネルギを１ｋｅＶ、
輸送比を１５としたところ、形成されたＮｉ膜の結晶粒
径は１４０．６Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じた内
部応力は−５．９×１０8 dyn/cm2 （圧縮応力）であっ
た。 例３ 例１において、Ａｒイオンの加速エネルギを２ｋｅＶ、
輸送比を１５としたところ、形成されたＮｉ膜の結晶粒
径は１３５．８Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じた内
部応力は２．３×１０8 dyn/cm2 （引張応力）であっ
た。 例４ 例１において、Ａｒイオンの加速エネルギを５ｋｅＶ、
輸送比を１５としたところ、形成されたＮｉ膜の結晶粒
径は１３９．２Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じた内
部応力は３．３×１０9 dyn/cm2 （引張応力）であっ
た。 例５ 例１において、Ａｒイオンの加速エネルギを１０ｋｅ
Ｖ、輸送比を１５としたところ、形成されたＮｉ膜の結
晶粒径は１３４．４Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じ
た内部応力は７．４×１０9 dyn/cm2 （引張応力）であ
った。
エネルギを０．５ｋｅＶ、輸送比＝（基体１上に到達す
るＮｉ原子数／基体１上に到達するＡｒイオン数）を１
５としたところ、形成されたＮｉ膜の結晶粒径は１４
２．１Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じた内部応力は
−２．３×１０9 dyn/cm2 （圧縮応力）であった。形成
されたＮｉ膜の結晶粒径はＸ線回折法で半値幅を測定す
ることにより求め、また内部応力は、成膜前後の基体の
反りの変化を段差計（米国ＴＥＮＣＥＲＩＮＳＴＲＵＭ
ＥＮＴＳ社製、ＡＬＰＨＡ−ＳＴＥＰ２００）を用いて
測定することにより求めた。 例２ 例１において、Ａｒイオンの加速エネルギを１ｋｅＶ、
輸送比を１５としたところ、形成されたＮｉ膜の結晶粒
径は１４０．６Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じた内
部応力は−５．９×１０8 dyn/cm2 （圧縮応力）であっ
た。 例３ 例１において、Ａｒイオンの加速エネルギを２ｋｅＶ、
輸送比を１５としたところ、形成されたＮｉ膜の結晶粒
径は１３５．８Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じた内
部応力は２．３×１０8 dyn/cm2 （引張応力）であっ
た。 例４ 例１において、Ａｒイオンの加速エネルギを５ｋｅＶ、
輸送比を１５としたところ、形成されたＮｉ膜の結晶粒
径は１３９．２Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じた内
部応力は３．３×１０9 dyn/cm2 （引張応力）であっ
た。 例５ 例１において、Ａｒイオンの加速エネルギを１０ｋｅ
Ｖ、輸送比を１５としたところ、形成されたＮｉ膜の結
晶粒径は１３４．４Åであり、このとき該Ｎｉ膜に生じ
た内部応力は７．４×１０9 dyn/cm2 （引張応力）であ
った。
【００２１】図２に、前記例１、２、３、４及び５によ
る成膜について、Ｎｉ膜の結晶粒径の大きさに対して、
Ｎｉ膜の内部応力の大きさをプロットしたグラフを示
す。これから判るように、概ね粒径が小さくなるほど膜
は大きな引張応力をもち、粒径が大きくなるに従ってそ
の内部応力は引張応力が小さくなり、さらに粒径が大き
くなると膜は圧縮応力を示す。
る成膜について、Ｎｉ膜の結晶粒径の大きさに対して、
Ｎｉ膜の内部応力の大きさをプロットしたグラフを示
す。これから判るように、概ね粒径が小さくなるほど膜
は大きな引張応力をもち、粒径が大きくなるに従ってそ
の内部応力は引張応力が小さくなり、さらに粒径が大き
くなると膜は圧縮応力を示す。
【００２２】以上の結果から、Ｎｉ膜の内部応力は該膜
の結晶粒径の大小に依存することが明らかになった。な
お、以上はイオン蒸着薄膜形成法による成膜における膜
の内部応力制御方法についての説明であるが、このほ
か、例えば前述のプラズマＣＶＤ法による成膜において
も、形成される膜の結晶粒径を制御することで膜の内部
応力を制御できる。この場合は、前述のとおり、例えば
印加される高周波電力の大きさを制御することで膜の結
晶粒径を制御する。
の結晶粒径の大小に依存することが明らかになった。な
お、以上はイオン蒸着薄膜形成法による成膜における膜
の内部応力制御方法についての説明であるが、このほ
か、例えば前述のプラズマＣＶＤ法による成膜において
も、形成される膜の結晶粒径を制御することで膜の内部
応力を制御できる。この場合は、前述のとおり、例えば
印加される高周波電力の大きさを制御することで膜の結
晶粒径を制御する。
【００２３】
【発明の効果】本発明方法によると、各種基体上に各種
膜を形成させる際に、該膜の内部に生じる内部応力を制
御する方法を提供することができる。
膜を形成させる際に、該膜の内部に生じる内部応力を制
御する方法を提供することができる。
【図１】本発明方法の実施に用いる成膜装置の１例の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図２】本発明方法の１実施例における膜の結晶粒径と
該膜の内部応力との関係を示す図である。
該膜の内部応力との関係を示す図である。
１ 基体 ２ 基体ホルダ ３ 蒸発源 ３ａ 蒸発物質 ４ イオン源 ４ａ イオン ５ 膜厚モニタ ６ イオン電流測定器 ７ 真空容器 ８ 排気装置
Claims (1)
- 【請求項１】 基体上に膜を形成するにあたり、該膜の
結晶粒径を制御することで該膜の内部応力を制御するこ
とを特徴とする膜の内部応力制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP320394A JPH07207441A (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 膜の内部応力制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP320394A JPH07207441A (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 膜の内部応力制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07207441A true JPH07207441A (ja) | 1995-08-08 |
Family
ID=11550886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP320394A Withdrawn JPH07207441A (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 膜の内部応力制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07207441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962545A1 (fr) * | 1998-06-04 | 1999-12-08 | Societe Nationale D'etude Et De Construction De Moteurs D'aviation "Snecma" | Revêtement céramique à faible conductivité thermique |
-
1994
- 1994-01-17 JP JP320394A patent/JPH07207441A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| FR2779448A1 (fr) * | 1998-06-04 | 1999-12-10 | Snecma | Revetement ceramique a faible conductivite thermique et de type barriere thermique, procede de depot d'un tel revetement ceramique, et piece metallique protegee par ce revetement ceramique |
| US6432478B2 (en) | 1998-06-04 | 2002-08-13 | Societe Nationale d'Etude et de Construction de Moteurs d'Aviation “Snecma” and Snecma Services | Ceramic heat barrier coating having low thermal conductivity, and process for the deposition of said coating |
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