JPH07202381A - Manufacture of ceramic package - Google Patents
Manufacture of ceramic packageInfo
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- JPH07202381A JPH07202381A JP35336293A JP35336293A JPH07202381A JP H07202381 A JPH07202381 A JP H07202381A JP 35336293 A JP35336293 A JP 35336293A JP 35336293 A JP35336293 A JP 35336293A JP H07202381 A JPH07202381 A JP H07202381A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板に後付
け導体パターンを形成して、セラミックパッケージを製
造するセラミックパッケージの製造方法に係り、より詳
細には、セラミック基板に、後付け方法により、位置精
度に優れ、かつ細線化の可能な導体パターンが形成でき
るセラミックパッケージの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic package manufacturing method for manufacturing a ceramic package by forming a post-installed conductor pattern on the ceramic substrate. The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic package, which is excellent in electrical characteristics and can form a conductor pattern capable of being thinned.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、セラミックパッケージの導体パタ
ーン形成には、セラミック素体に導体パターンを形成
し、該セラミック素体と導体パターンを同時に焼成する
同時焼成方法と、内蔵導体パターンを含むセラミック
素体を焼成し、その後、表層導体パターンを形成し焼成
する後付け焼成方法がある。この内、後者の方法は、該
セラミック素体の焼成による収縮の影響を受けないこと
から位置精度に優れるという長所がある。2. Description of the Related Art Conventionally, in forming a conductor pattern of a ceramic package, a method of forming a conductor pattern on a ceramic body and simultaneously firing the ceramic body and the conductor pattern, and a ceramic body including a built-in conductor pattern Is fired, and then a surface layer conductor pattern is formed and fired afterwards. Among these, the latter method has an advantage that it is excellent in positional accuracy because it is not affected by shrinkage due to firing of the ceramic body.
【0003】そして、この後付け焼成方法におけるセラ
ミック基板上の導体パターン形成には、スクリーン印刷
法が一般的に用いられており、パターンの細線化が要求
される場合は、蒸着やスパッタによる成膜、あるいは有
機金属化合物ペーストを利用した成膜と、フォトリソ法
(フォトリソグラフィ法)によるエッチングとを組み合
わせた、いわゆる薄膜技術によりパターニングされてき
た。A screen printing method is generally used for forming a conductor pattern on a ceramic substrate in this post-baking method. When fine patterning is required, film formation by vapor deposition or sputtering, Alternatively, patterning has been performed by a so-called thin film technique, which is a combination of film formation using an organometallic compound paste and etching by a photolithography method (photolithography method).
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した方法
で、セラミックパッケージを構成するセラミック基板上
に導体パターンを後付け形成する場合、次のような問題
がある。すなわち、 スクリーン印刷法の場合、75μm幅の印刷が限界
であり、この幅以下の細線化には十分対応できず、また
印刷法の位置精度はそのスクリーンの伸縮性のため10
0μmが限界である。 薄膜技術の場合、位置精度および細線化には問題が
ないものの、その製造設備が高価で、かつ多くのプロセ
スを必要とするため、製造コストが高くなる。 という問題があった。However, when the conductor pattern is formed afterwards on the ceramic substrate constituting the ceramic package by the above-mentioned method, there are the following problems. That is, in the case of the screen printing method, printing with a width of 75 μm is the limit, and it is not possible to sufficiently cope with thinning below this width, and the positional accuracy of the printing method is 10 due to the elasticity of the screen.
The limit is 0 μm. In the case of the thin film technology, although there is no problem in the positional accuracy and the thinning, the manufacturing equipment is expensive and many processes are required, so that the manufacturing cost is high. There was a problem.
【0005】本発明は、以上のような問題に対処して創
案したものであって、その目的とする処は、セラミック
基板上に、後付けにより、その位置精度に優れ、かつ細
線化が可能な導体パターンを形成でき、低コスト化が図
れるセラミックパッケージの製造方法を提供することに
ある。The present invention has been made in view of the above problems, and the purpose thereof is to make it possible to make a fine wire with a high positional accuracy by post-installing it on a ceramic substrate. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic package, which can form a conductor pattern and can reduce the cost.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】そして、上記課題を解決
するための手段として、本発明のセラミックパッケージ
の製造方法は、セラミックパッケージを製造するに際
し、該セラクミックパッケージを構成するセラミック基
板に導体パターンを後付けで形成する後付け導体パター
ンの形成工程が、該セラミック基板上に、金属粉末と樹
脂バインダーを含む導体ペーストを塗布して導体層を形
成する第一工程と、該導体層の前記導体パターンとなる
部分の上面にフォトリソ法により耐サンドブラスト樹脂
パターンを形成する第二工程と、該耐サンドブラスト樹
脂パターンが形成された面に研磨材を吹き付け、前記導
体層中の該耐サンドブラスト樹脂パターンの形成されて
いない部分の導体を取り除く第三工程と、該耐サンドブ
ラスト樹脂パターンを剥離して、前記導体パターンとな
る残存する導体層を露出させる第四工程と、該露出した
導体パターンを焼成して、無機粉末のみからなる導体パ
ターンを形成する第五工程を有する構成としている。As a means for solving the above problems, the method for manufacturing a ceramic package of the present invention is such that, when a ceramic package is manufactured, a conductor pattern is formed on a ceramic substrate constituting the ceramic package. The step of forming a retrofit conductor pattern, which is formed by retrofitting, is a first step of applying a conductor paste containing a metal powder and a resin binder on the ceramic substrate to form a conductor layer, and the conductor pattern of the conductor layer. The second step of forming a sandblast resistant resin pattern on the upper surface of the portion to be formed by a photolithography method, and an abrasive is sprayed on the surface on which the sandblast resistant resin pattern is formed to form the sandblast resistant resin pattern in the conductor layer. Third step of removing the conductor in the non-existing part, and the sandblast resistant resin pattern Peeling to a fourth step of exposing the conductive layer remaining becomes the conductor pattern, by firing the conductor pattern that issued said exposure, and configured to have a fifth step of forming a conductive pattern made of only an inorganic powder.
【0007】また、本発明の他のセラミックパッケージ
の製造方法は、セラミックパッケージを製造するに際
し、該セラクミックパッケージを構成するセラミック基
板に導体パターンを後付けで形成する後付け導体パター
ンの形成工程が、該セラミック基板上の導体パターンを
形成すべき部分以外に、予めポジ型感光性樹脂被膜をフ
ォトリソ法によりパターニングし、その後、そのポジ型
感光性樹脂パターンに紫外線を照射し現像液に対して可
溶な樹脂パターンを形成する第一工程と、該ポジ型感光
性樹脂パターンが形成された前記セラミック基板上に、
金属粉末と樹脂バインダーを含む導体ペーストを塗布し
て導体層を形成する第二工程と、該ポジ型感光性樹脂パ
ターンの形成されていない該導体層の上面にフォトリソ
法により耐サンドブラスト樹脂パターンを形成する第三
工程と、該耐サンドブラスト樹脂パターンが形成された
面に研磨材を吹き付け、前記導体層中の該耐サンドブラ
スト樹脂パターンの形成されていない部分の導体を取り
除く第四工程と、該耐サンドブラスト樹脂パターンを剥
離して、前記導体パターンとなる残存する導体層を露出
させる第五工程と、該導体パターンとなる導体層以外に
残存するポジ型感光性樹脂パターンを、現像液にて現像
除去する第六工程と、該露出した導体層を焼成して、無
機粉末のみからなる導体パターンを形成する第七工程を
有する構成としている。Further, in another method of manufacturing a ceramic package of the present invention, when the ceramic package is manufactured, a step of forming a post-installed conductor pattern, in which a conductor pattern is post-installed on a ceramic substrate forming the ceramic package, is added. Except for the part where the conductor pattern is to be formed on the ceramic substrate, the positive photosensitive resin film is patterned in advance by the photolithography method, and then the positive photosensitive resin pattern is irradiated with ultraviolet rays and is not soluble in the developing solution. A first step of forming a resin pattern, and on the ceramic substrate on which the positive photosensitive resin pattern is formed,
Second step of forming a conductor layer by applying a conductor paste containing metal powder and a resin binder, and forming a sandblast resistant resin pattern on the upper surface of the conductor layer on which the positive type photosensitive resin pattern is not formed by photolithography And a fourth step of removing a conductor in a portion of the conductor layer where the sandblast resistant resin pattern is not formed by spraying an abrasive on the surface on which the sandblast resistant resin pattern is formed, and the sandblast resistant A fifth step of peeling off the resin pattern to expose the remaining conductor layer to be the conductor pattern and the positive photosensitive resin pattern remaining other than the conductor layer to be the conductor pattern are removed by development with a developer. As a configuration having a sixth step and a seventh step of firing the exposed conductor layer to form a conductor pattern made of only inorganic powder That.
【0008】更に、本発明の他のセラミックパッケージ
の製造方法は、セラミックパッケージを製造するに際
し、該セラクミックパッケージを構成するセラミック基
板に導体パターンを後付けで形成する後付け導体パター
ンの形成工程が、該セラミック基板上に、前記導体パタ
ーンを形成するための金属粉末と樹脂バインダーを含む
導体ペーストを全面に塗布した後、焼成し、無機粉末の
みからなる導体ベタ層を形成する第一工程と、該導体ベ
タ層の上面にフォトリソ法により耐サンドブラスト樹脂
パターンを形成する第二工程と、該耐サンドブラスト樹
脂パターンが形成された面に研磨材を吹き付け、該耐サ
ンドブラスト樹脂パターンが形成されていない部位の導
体を取り除く第三工程と、該耐サンドブラスト樹脂パタ
ーンを剥離し、前記導体パターンとなる残存する導体ベ
タ層を露出させて前記導体パターンを形成する第四工程
を有する構成としている。Further, according to another method of manufacturing a ceramic package of the present invention, when the ceramic package is manufactured, the step of forming an after-attached conductor pattern in which a conductor pattern is formed afterwards on a ceramic substrate forming the ceramic package is A first step of applying a conductor paste containing a metal powder and a resin binder for forming the conductor pattern on the whole surface of a ceramic substrate, followed by firing to form a conductor solid layer composed of only inorganic powder, and the conductor. A second step of forming a sandblast resistant resin pattern on the upper surface of the solid layer by a photolithography method, and an abrasive is sprayed onto the surface on which the sandblast resistant resin pattern is formed, so that the conductor in the portion where the sandblast resistant resin pattern is not formed is The third step of removing and peeling off the sandblast resistant resin pattern, To expose the conductive solid layer remaining a body pattern has a configuration having a fourth step of forming the conductor pattern.
【0009】[0009]
【作用】本発明のセラミックパッケージの製造方法は、
その後付け導体パターンの形成に、サンドブラスト法に
よる物理的エッチングを用いるため従来のスクリーン印
刷法にみられるような導体ペーストの粘度によるパター
ンの滲みが発生しない。また導体層は、導体ペーストが
全面塗布して形成され、かつ導体パターンとなる部分が
耐サンドブラスト樹脂パターンにより保護されるため、
該導体パターンの場所による高さのバラツキがなく、得
られたパターン頂部の平坦性が優れる。さらにこの方法
は、フォトリソ法を用いるため位置精度に優れ、かつパ
ターンの細線化も可能である。このようにして得られた
セラミックパッケージは、小型化、高密度配線化が可能
となり、ワイヤーボンディング、TAB接合等が位置精
度よく作成可能となる。さらにそのフォトリソ工程も一
回の単純なフォトリソ工程を必要とするだけなので、安
価なセラミックパッケージを提供できるように作用す
る。The operation of the ceramic package manufacturing method of the present invention is as follows.
Since physical etching by a sand blast method is used for forming the subsequently attached conductor pattern, the bleeding of the pattern due to the viscosity of the conductor paste unlike the conventional screen printing method does not occur. Further, the conductor layer is formed by coating the entire surface with the conductor paste, and since the portion to be the conductor pattern is protected by the sandblast resistant resin pattern,
There is no variation in height depending on the location of the conductor pattern, and the flatness of the obtained pattern top is excellent. Furthermore, since this method uses the photolithography method, it is excellent in positional accuracy and can also be used for pattern thinning. The ceramic package thus obtained can be miniaturized and have high-density wiring, and wire bonding, TAB bonding, etc. can be produced with high positional accuracy. Further, since the photolithography process only requires one simple photolithography process, it works to provide an inexpensive ceramic package.
【0010】また、予め導体部分以外を現像液に対して
可溶性にしたポジ型感光性樹脂被膜で保護することによ
り、パターン間の残渣を除去でき、さらにセラミック素
体を保護できるため、より高密度な配線を可能とし、歩
留まりを向上できるように作用する。Further, by protecting the portions other than the conductor portion with a positive type photosensitive resin film which is previously made soluble in a developing solution, residues between the patterns can be removed and the ceramic body can be further protected. This enables the effective wiring and improves the yield.
【0011】さらに、サンドブラスト処理される導体層
を予め焼成しておくことにより、導体パターン焼成時の
収縮に起因するパターンの変形、焼成収縮を回避でき位
置精度がさらに向上するように作用する。Further, by firing the conductor layer to be sandblasted in advance, pattern deformation and firing shrinkage due to shrinkage during firing of the conductor pattern can be avoided, and the positional accuracy is further improved.
【0012】以上のように、本発明のセラミックパッケ
ージの製造方法は、フォトリソ法により、導体層の導
体パターンとなるべき部分の表面に、耐サンドブラスト
樹脂パターンを形成した点、サンドブラスト法によ
り、該耐サンドブラスト樹脂パターンが形成されない部
分の導体層を取り除いた後、該耐サンドブラスト樹脂パ
ターンを剥離し、導体パターンを形成する点、の二点を
組み合わせて、セラミックパッケージを構成するセラミ
ック基板上に、後付け導体パターンを形成する構成に特
徴を有し、この特徴によって、その位置精度に優れ、か
つ細線化が可能な導体パターンを形成できるという格別
な作用を奏する。As described above, according to the method for manufacturing a ceramic package of the present invention, the sandblast resistant resin pattern is formed on the surface of the portion of the conductor layer to be the conductor pattern by the photolithography method. After removing the conductor layer in the portion where the sandblast resin pattern is not formed, peeling off the sandblast resistant resin pattern and forming the conductor pattern, two points are combined to form a retrofit conductor on the ceramic substrate constituting the ceramic package. It has a feature in the structure for forming a pattern, and by this feature, it has a special effect that it is possible to form a conductor pattern which is excellent in positional accuracy and which can be thinned.
【0013】[0013]
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明を具体化
した実施例について説明する。ここに、図1はサンドブ
ラスト法を利用して導体形成を行う工程を説明するため
の説明図、図2は予めポジ型感光性樹脂で保護膜を形成
してサンドブラスト法により導体形成を行う工程を説明
するための説明図、図3は予め導体層を焼成しておき、
その後サンドブラスト法により導体形成を行う工程を説
明するための説明図、図4はサンドブラスト法の概念図
である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Here, FIG. 1 is an explanatory view for explaining a step of forming a conductor by using a sandblast method, and FIG. 2 shows a step of forming a protective film by a positive photosensitive resin in advance and forming a conductor by the sandblast method. FIG. 3 is an explanatory view for explaining, and the conductor layer is fired in advance.
After that, an explanatory view for explaining a step of forming a conductor by the sandblast method, and FIG. 4 is a conceptual view of the sandblast method.
【0014】−実施例1− 本実施例は、セラミックパケージを製造するに際し、サ
ンドブラスト法を後付け導体パターンの形成に適用した
場合の実施例であって、ペースト塗布工程、耐サン
ドブラスト樹脂パターン形成工程、サンドブラスト工
程、耐サンドブラスト層剥離工程、導体パターン焼
成工程の五工程により導体パターンを形成している。以
下、各工程について、図1を参照して説明する。-Example 1-This example is an example in which a sandblasting method is applied to the formation of a post-attached conductor pattern in the production of a ceramic package, which comprises a paste applying step, a sandblasting resistant resin pattern forming step, The conductor pattern is formed by five steps including a sandblasting step, a sandblasting resistant layer peeling step, and a conductor pattern firing step. Hereinafter, each step will be described with reference to FIG.
【0015】−ペースト塗布工程− 本工程は、セラミック基板1の上に導体層2を形成する
工程である。本工程では、スクリーン印刷法またはロー
ルコーター法により、セラミック基板1の上に導体ペー
ストを全面塗布して導体層2を形成している(図1A参
照)。ここで、導体層2の厚み、導体ペーストの導体粉
末の種類および粒径は、形成されるパターンが導体とし
ての特性を満足するものであればよい。本実施例では、
該導体粉末として、Mo:75重量%,Mn:15重量
%,Sio2 :10重量%の混合粉体であって、粉末粒
径が、1〜3μmの導体粉末を使用し、生厚み(焼成前
の厚み)が、25μmの導体層を形成した。-Paste Application Step-This step is a step of forming the conductor layer 2 on the ceramic substrate 1. In this step, the conductor layer 2 is formed by applying the conductor paste on the entire surface of the ceramic substrate 1 by the screen printing method or the roll coater method (see FIG. 1A). Here, the thickness of the conductor layer 2, the type and the particle size of the conductor powder of the conductor paste may be such that the formed pattern satisfies the characteristics as a conductor. In this embodiment,
As the conductor powder, a mixed powder of Mo: 75% by weight, Mn: 15% by weight, and Sio 2 : 10% by weight, having a powder particle size of 1 to 3 μm, was used, and the green thickness (calcination A conductor layer having a thickness of 25 μm was formed.
【0016】−耐サンドブラスト樹脂パターン形成工程
− 本工程は、フォトリソ法により耐サンドブラスト樹脂パ
ターン3を形成する工程である。本工程では、前工程で
形成した導体層2を乾燥した後、導体層2の表面にネガ
型の耐サンドブラスト用感光性樹脂を一面に塗布、乾燥
した後、導体パターン(図1Eの導体パターン4参照)
を形成する部分を遮光マスクを介して紫外線を選択的に
照射し、次に、該感光性樹脂層を所定の現像液を用いて
導体パターン部以外を現像除去する。こうして耐サンド
ブラスト樹脂パターン3の形成が完了する(図1B参
照)。ここで、耐サンドブラスト樹脂パターン3となる
感光性樹脂としては、商品名:ORDYL BF-200(東京応化
製)なる液状樹脂を乾燥して塗膜する他、商品名:OSBR
(東京応化製)なるドライフィルムを熱圧着して塗膜す
ることができる。耐サンドブラスト樹脂パターンの厚み
は、サンドブラスト条件、樹脂組成によって決定され、
本実施例では、5μm以上であればよかった。また、こ
の時の耐サンドブラスト樹脂パターン3のピッチは、1
00μmで、幅は60μmであった。-Step of forming anti-sandblast resin pattern-This step is a step of forming the anti-sandblast resin pattern 3 by a photolithography method. In this step, after the conductor layer 2 formed in the previous step is dried, the surface of the conductor layer 2 is coated with a negative-type photosensitive resin for sandblasting on one side and dried, and then the conductor pattern (the conductor pattern 4 in FIG. 1E is used). reference)
Ultraviolet rays are selectively irradiated to a portion where is formed through a light-shielding mask, and then the photosensitive resin layer is developed and removed using a predetermined developing solution except for the conductor pattern portion. Thus, the formation of the sandblast resistant resin pattern 3 is completed (see FIG. 1B). Here, as the photosensitive resin that becomes the sandblast resistant resin pattern 3, other than drying the liquid resin, which is a product name: ORDYL BF-200 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) and coating it, a product name: OSBR
A dry film (manufactured by Tokyo Ohka) can be applied by thermocompression bonding. The thickness of the sandblast resistant resin pattern is determined by the sandblasting conditions and the resin composition,
In the present embodiment, it suffices if it is 5 μm or more. The pitch of the sandblast resistant resin pattern 3 at this time is 1
The width was 00 μm and the width was 60 μm.
【0017】−サンドブラスト工程− 本工程は、サンドブラスト法により、導体パターン4と
なる部分以外の導体材料を取り除く工程である。本工程
では、耐サンドブラスト樹脂パターン3が形成された面
に、サンドブラストノズルからエアーと同時に研磨材を
吹き付け導体パターン4となる部分以外の導体材料を取
り除く(図1C参照)。ここで、導体パターン4となる
部分以外の研磨材料は導体材料の硬度によって選択され
るものであって、本実施例ではアルミナ(150〜20
0メッシュ)を用い、約4Kg/cm3 の圧縮空気を吹
き付けた。なお、サンドブラストは、図4に示すように
して行う。すなわち、ノズルaから研磨材bを、導体層
d、耐サンドブラスト樹脂パターンcが形成されている
セラミック基板eに対して吹き付け、耐サンドブラスト
樹脂パターンcが形成されていない導体層dの導体材料
を取り除く手法を用いる。-Sandblasting Step-This step is a step of removing the conductor material other than the portion to be the conductor pattern 4 by the sandblasting method. In this step, a sandblasting nozzle is used to spray an abrasive material simultaneously with air onto the surface on which the sandblast-resistant resin pattern 3 is formed, and the conductor material other than the portion to be the conductor pattern 4 is removed (see FIG. 1C). Here, the polishing material other than the portion to be the conductor pattern 4 is selected according to the hardness of the conductor material, and in the present embodiment, alumina (150 to 20) is used.
(0 mesh), and compressed air of about 4 Kg / cm 3 was blown. The sandblasting is performed as shown in FIG. That is, the abrasive material b is sprayed from the nozzle a onto the ceramic substrate e on which the conductor layer d and the sandblast resistant resin pattern c are formed, and the conductor material of the conductor layer d on which the sandblast resistant resin pattern c is not formed is removed. Use a technique.
【0018】−耐サンドブラスト樹脂パターン剥離工程
− 本工程は、耐サンドブラスト樹脂パターン3を剥離する
工程である(図1D参照)。本実施例では、所定のアル
カリ剥離剤に浸漬、または接触し、超音波振動により除
去した。こうして、得られた残存する導体層2aの寸法
は、導体層間ピッチ100μm、導体幅60μm、高さ
25μmであった。-Sandblast-resistant resin pattern peeling step-This step is a step of peeling the sandblast-resistant resin pattern 3 (see FIG. 1D). In this example, it was removed by immersing or contacting with a predetermined alkaline stripping agent and ultrasonic vibration. In this way, the dimensions of the remaining conductor layer 2a thus obtained were a conductor interlayer pitch of 100 μm, a conductor width of 60 μm, and a height of 25 μm.
【0019】−導体パターン焼成工程− 本工程は、得られた残存する導体層2aを焼成して導体
パターン4を形成する工程である。本工程では、残存す
る導体層2aを焼成し、導体パターン4を形成する導体
ペースト中の有機バインダーを燃焼し、導体材料を焼結
し、緻密な導体パターン4を得る(図1E参照)。本実
施例では1400℃で焼成した。そして、得られた導体
パターン4の寸法は、パターンピッチ100μm、幅5
5μm、高さ20μmであった。-Step of firing conductor pattern-This step is a step of firing the remaining conductor layer 2a thus obtained to form the conductor pattern 4. In this step, the remaining conductor layer 2a is fired, the organic binder in the conductor paste forming the conductor pattern 4 is burned, the conductor material is sintered, and the dense conductor pattern 4 is obtained (see FIG. 1E). In this example, firing was performed at 1400 ° C. The dimensions of the obtained conductor pattern 4 are 100 μm in pattern pitch and 5 in width.
The height was 5 μm and the height was 20 μm.
【0020】−実施例2− 本実施例は、予めポジ型感光性樹脂の保護膜を設けた後
にサンドブラスト法を利用して後付け導体パターンを形
成した場合の実施例であって、ポジ型感光性樹脂保護
膜形成工程、ペースト塗布工程、耐サンドブラスト
パターン形成工程、サンドブラスト工程、耐サンド
ブラスト層剥離工程、ポジ型感光性樹脂保護膜除去工
程、導体パターン焼成工程の七工程により導体パター
ンを形成している。以下、各工程について、図2を参照
して説明する。なお、ポジ型感光性樹脂保護膜形成工
程、ポジ型感光性樹脂保護膜除去工程以外の工程は、
実施例1と同じであるので、その説明を省略する。Example 2 This example is an example in which a protective film of a positive photosensitive resin is provided in advance, and then a post-attached conductor pattern is formed by using the sandblast method. Conductor pattern is formed by seven steps including resin protective film forming step, paste applying step, sand blast resistant pattern forming step, sand blast step, sand blast resistant layer peeling step, positive type photosensitive resin protective film removing step, and conductor pattern firing step. . Hereinafter, each step will be described with reference to FIG. The steps other than the positive photosensitive resin protective film forming step and the positive photosensitive resin protective film removing step are
The description is omitted because it is the same as in the first embodiment.
【0021】本実施例におけるポジ型感光性樹脂保護膜
5の形成工程は、セラミック基板1上の導体パターンと
なるべき部分以外に、予めポジ型感光性樹脂保護膜5を
フォトリソ法によりパターニングし、その後、紫外線を
照射し現像液に対して可溶な被膜とする工程である(図
2A参照)。ここで、ポジ型感光性樹脂保護膜5の厚み
は、セラミック基板1の表面の凹凸を充分満たすもので
あって、次の工程で塗布される導体ペーストの厚み以下
であれば良い。本実施例では、厚み10μmのポジ型感
光性樹脂保護膜パターンを形成した。In the step of forming the positive type photosensitive resin protective film 5 in this embodiment, the positive type photosensitive resin protective film 5 is previously patterned by the photolithography method except for the portion to be the conductor pattern on the ceramic substrate 1. After that, it is a step of irradiating ultraviolet rays to form a film soluble in a developing solution (see FIG. 2A). Here, the thickness of the positive photosensitive resin protective film 5 may be one that sufficiently fills the irregularities on the surface of the ceramic substrate 1 and is equal to or less than the thickness of the conductor paste applied in the next step. In this example, a positive photosensitive resin protective film pattern having a thickness of 10 μm was formed.
【0022】次に、ポジ型感光性樹脂保護膜5の除去工
程は、上述したポジ型感光性樹脂の保護膜パターン上
に、実施例1の場合と同様に、導体パターンが形成さ
れ、残されたポジ型感光性樹脂保護膜5を所定のアルカ
リ現像液にて現像除去する工程である(図2F参照)。
そして、本実施例の場合、ポジ型感光性樹脂保護膜5を
除去するので、サンドブラスト後に、残存した導体層2
a,2a間に残った残渣を除去でき、解像度の優れた導
体パターン4を得られると共に、研磨材に対してセラミ
ック基板1の表面も保護できる。Next, in the step of removing the positive photosensitive resin protective film 5, a conductor pattern is formed and left on the protective film pattern of the positive photosensitive resin described above, as in the case of the first embodiment. It is a step of developing and removing the positive photosensitive resin protective film 5 with a predetermined alkaline developing solution (see FIG. 2F).
In the case of this embodiment, since the positive photosensitive resin protective film 5 is removed, the conductor layer 2 remaining after sandblasting is removed.
It is possible to remove the residue left between a and 2a, obtain the conductor pattern 4 having excellent resolution, and protect the surface of the ceramic substrate 1 against the abrasive.
【0023】−実施例3− 本実施例は、予め全面塗布した導体層を焼成後にサンド
ブラスト法を利用して後付け導体パターンを形成した場
合の実施例であって、全面塗布した導体層の焼成工
程、耐サンドブラスト樹脂パターン形成工程、サン
ドブラスト工程、耐サンドブラスト樹脂パターン剥離
工程の四工程により導体パターンを形成している。本工
程ではサンドブラストされる導体層を予め焼成して、焼
成した導体層6を形成し、サンドブラストした後の導体
焼成を省いていること以外は、実施例1と同じであるの
で、その説明を省略する。Example 3-This example is an example in which a conductor layer previously coated on the entire surface is fired and then a post-attached conductor pattern is formed by using a sandblast method. The conductive pattern is formed by four steps of a sand blast resistant resin pattern forming step, a sand blast step, and a sand blast resistant resin pattern peeling step. This step is the same as Example 1 except that the conductor layer to be sandblasted is previously fired to form the fired conductor layer 6 and the firing of the conductor after sandblasting is omitted, and therefore the description thereof is omitted. To do.
【0024】次に、本実施例の効果を確認するために、
本実施例によって形成した導体パターンと、従来の後付
け印刷により形成した導体パターンについて、それぞれ
細線化限界、位置精度およびパターン解像度を比較した
処、表1に示すような結果を得た。Next, in order to confirm the effect of this embodiment,
When the thinning limit, the positional accuracy and the pattern resolution were compared between the conductor pattern formed according to this example and the conductor pattern formed by conventional post-printing, the results shown in Table 1 were obtained.
【0025】[0025]
【表1】 [Table 1]
【0026】そして、この結果より、本実施例の場合、
サンドブラスト法とフォトリソ法を組み合わせたパター
ン形成であるため、パターンの滲みなどがなく、細線化
が可能である。また、スクリーンの伸縮性等による位置
ズレが発生しないため位置精度に優れた導体パターンを
形成できることがわかる。さらに、導体面を耐サンドブ
ラスト層により保護するためパターン頂部の平坦性に優
れ、ワイヤーボンディングやTAB接合等の有効接着面
積を稼ぐことができる。特に、実施例2で示したポジ型
感光性樹脂保護膜を形成することによりパターンの解像
度は向上し、より細線化が可能となる。また実施例3で
示した焼成した導体層にサンドブラスト処理することに
より、パターン形成後の焼成工程を省くことができ、焼
成に起因するパターンの変形や収縮を除くことができ位
置精度がさらに向上する。From this result, in the case of the present embodiment,
Since the pattern formation is a combination of the sandblast method and the photolithography method, there is no bleeding of the pattern and thinning is possible. Further, it can be seen that the conductor pattern having excellent positional accuracy can be formed because the positional displacement due to the elasticity of the screen does not occur. Furthermore, since the conductor surface is protected by the sandblast resistant layer, the flatness of the top of the pattern is excellent, and an effective bonding area for wire bonding, TAB bonding, etc. can be obtained. In particular, by forming the positive type photosensitive resin protective film shown in Example 2, the resolution of the pattern is improved and it becomes possible to make the line thinner. In addition, by performing the sandblast treatment on the fired conductor layer shown in Example 3, the firing process after the pattern formation can be omitted, and the deformation and shrinkage of the pattern due to the firing can be eliminated, and the positional accuracy can be further improved. .
【0027】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。因みに、前述した実施例2で
は、ポジ型感光性樹脂への紫外線照射は導体ペースト塗
布前に行ったが、サンドブラスト工程後に行ってもよい
ことは当然である。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, but includes configurations that can be modified and implemented within the scope of the present invention. Incidentally, in the above-described Example 2, the irradiation of the positive photosensitive resin with ultraviolet rays was performed before the conductor paste was applied, but it goes without saying that it may be performed after the sandblasting step.
【0028】[0028]
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明の第1のセラミックパッケージの製造方法によれば、
後付け導体パターンの形成工程において、フォトリソ法
を利用しているので、形成する導体パターンの位置精度
が優れ、かつ導体パターンの細線化も可能となるという
効果を有する。また、導体面を耐サンドブラスト層によ
り保護されるので、導体パターンの頂部の平坦性が優
れ、ワイヤーボンディングやTAB接合等の有効接着面
積を稼ぐことができる。さらに、工程中、単純なフォト
リソ工程を必要とするだけなので、安価なセラミックパ
ッケージを供給できるという効果を有する。As is apparent from the above description, according to the first ceramic package manufacturing method of the present invention,
Since the photolithography method is used in the step of forming the post-attached conductor pattern, the conductor pattern to be formed has excellent positional accuracy, and the conductor pattern can be thinned. Also, since the conductor surface is protected by the sandblast resistant layer, the flatness of the top of the conductor pattern is excellent, and an effective bonding area for wire bonding, TAB bonding, etc. can be obtained. Furthermore, since only a simple photolithography process is required during the process, there is an effect that an inexpensive ceramic package can be supplied.
【0029】また、本発明の第2のセラミックパッケー
ジの製造方法によれば、予め導体部分以外を現像液に対
して可溶性としたポジ型感光性樹脂被膜で保護するの
で、パターン間の残渣を除去でき、さらにセラミック素
体を保護できるため、より高密度な配線を可能とし、歩
留まりを向上できるという効果を有する。Further, according to the second ceramic package manufacturing method of the present invention, since the portions other than the conductor portions are protected in advance by the positive photosensitive resin coating which is soluble in the developing solution, residues between the patterns are removed. In addition, since the ceramic body can be protected, higher density wiring can be achieved, and the yield can be improved.
【0030】また、本発明の第3のセラミックパッケー
ジの製造方法によれば、焼成した導体層にサンドブラス
ト処理するので、パターン形成後の焼成工程を省くこと
ができ、前記焼成に起因するパターンの変形や収縮を除
くことができ位置精度がさらに向上するという効果を有
する。Further, according to the third method for manufacturing a ceramic package of the present invention, since the fired conductor layer is sandblasted, the firing step after the pattern formation can be omitted, and the deformation of the pattern due to the firing can be omitted. And the contraction can be eliminated, and the positional accuracy can be further improved.
【図1】 本発明の第1実施例を示し、サンドブラスト
法を利用して後付け導体パターン形成を行う工程を説明
するための説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first embodiment of the present invention and is an explanatory diagram for explaining a process of forming a retrofitted conductor pattern by using a sandblast method.
【図2】 本発明の第2実施例を示し、ポジ型感光性樹
脂の保護膜を設けた後、サンドブラスト法を利用して後
付け導体パターン形成を行う工程を説明するための説明
図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a second embodiment of the present invention and is an explanatory diagram for explaining a step of forming a retrofitted conductor pattern using a sandblast method after providing a protective film of a positive photosensitive resin.
【図3】 本発明の第3実施例を示し、焼成した導体層
にサンドブラスト法を利用して後付け導体パターン形成
を行う工程を説明するための説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a third embodiment of the present invention and illustrating a step of forming a post-attached conductor pattern on a fired conductor layer by using a sandblast method.
【図4】 サンドブラスト法の原理を示す概念図であ
る。FIG. 4 is a conceptual diagram showing the principle of the sandblast method.
a・・・サンドブラストノズル、b・・・研磨材、c・
・・耐サンドブラストパターン、d・・・導体層、e・
・・セラミック焼成基板、1・・・セラミック基板、2
・・・導体層、2a・・・残存する導体層、3・・・耐
サンドブラスト樹脂パターン、4・・・導体パターン、
5・・・ポジ型感光性樹脂パターン、6・・・焼成した
導体層a: Sandblast nozzle, b: Abrasive material, c
..Sandblast resistant pattern, d ... Conductor layer, e.
..Ceramic firing substrates, 1 ... Ceramic substrates, 2
... Conductor layer, 2a ... Remaining conductor layer, 3 ... Sandblast resistant resin pattern, 4 ... Conductor pattern,
5 ... Positive photosensitive resin pattern, 6 ... Baked conductor layer
Claims (3)
し、該セラクミックパッケージを構成するセラミック基
板に導体パターンを後付けで形成する後付け導体パター
ンの形成工程が、 前記セラミック基板上に、金属粉末と樹脂バインダーを
含む導体ペーストを塗布して導体層を形成する第一工程
と、 該導体層の前記導体パターンとなる部分の上面にフォト
リソ法により耐サンドブラスト樹脂パターンを形成する
第二工程と、 該耐サンドブラスト樹脂パターンが形成された面に研磨
材を吹き付け、前記導体層中の該耐サンドブラスト樹脂
パターンの形成されていない部分の導体を取り除く第三
工程と、 前記耐サンドブラスト樹脂パターンを剥離して、前記導
体パターンとなる残存する導体層を露出させる第四工程
と、 該露出した導体層を焼成して、無機粉末のみからなる導
体パターンを形成する第五工程、 を有することを特徴とするセラミックパッケージの製造
方法。1. When manufacturing a ceramic package, a step of forming a retrofit conductor pattern, in which a conductor pattern is retrofitted on a ceramic substrate which constitutes the ceramic package, includes a metal powder and a resin binder on the ceramic substrate. A first step of applying a conductor paste to form a conductor layer, a second step of forming a sandblast resistant resin pattern on the upper surface of a portion of the conductor layer to be the conductor pattern by a photolithography method, and a sandblast resistant resin pattern A third step of spraying an abrasive on the formed surface to remove the conductor in the portion of the conductor layer where the sandblast resistant resin pattern is not formed, and peeling the sandblast resistant resin pattern to form the conductor pattern. Fourth step of exposing the remaining conductor layer, and firing the exposed conductor layer Te, method for producing a ceramic package, characterized in that it comprises a fifth step, of forming a conductive pattern made of only an inorganic powder.
し、該セラクミックパッケージを構成するセラミック基
板に導体パターンを後付けで形成する後付け導体パター
ンの形成工程が、 前記セラミック基板上の導体パターンを形成すべき部分
以外に、予めポジ型感光性樹脂被膜をフォトリソ法によ
りパターニングし、その後、そのポジ型感光性樹脂パタ
ーンに紫外線を照射し現像液に対して可溶な樹脂パター
ンを形成する第一工程と、 前記ポジ型感光性樹脂パターンが形成された前記セラミ
ック基板上に、金属粉末と樹脂バインダーを含む導体ペ
ーストを塗布して導体層を形成する第二工程と、 前記ポジ型感光性樹脂パターンの形成されていない該導
体層の上面にフォトリソ法により耐サンドブラスト樹脂
パターンを形成する第三工程と、 該耐サンドブラスト樹脂パターンが形成された面に研磨
材を吹き付け、前記導体層中の該耐サンドブラスト樹脂
パターンの形成されていない部分の導体を取り除く第四
工程と、 前記耐サンドブラスト樹脂パターンを剥離して、前記導
体パターンとなる残存する導体層を露出させる第五工程
と、 該導体パターンとなる導体層以外に残存するポジ型感光
性樹脂パターンを、現像液にて現像除去する第六工程
と、 前記露出した導体層を焼成して、無機粉末のみからなる
導体パターンを形成する第七工程、 を有することを特徴とするセラミックパッケージの製造
方法。2. When manufacturing a ceramic package, the step of forming a retrofit conductor pattern, in which a conductor pattern is retrofitted on a ceramic substrate that constitutes the ceramic package, is other than the portion on the ceramic substrate where the conductor pattern is to be formed. In the first step, a positive photosensitive resin film is patterned by a photolithography method in advance, and then the positive photosensitive resin pattern is irradiated with ultraviolet rays to form a resin pattern soluble in a developing solution. A second step of forming a conductor layer by applying a conductor paste containing metal powder and a resin binder on the ceramic substrate on which the positive-type photosensitive resin pattern is formed, and the positive-type photosensitive resin pattern is not formed. A third step of forming a sandblast resistant resin pattern on the upper surface of the conductor layer by a photolithography method, A fourth step of spraying an abrasive on the surface on which the sandblast resin pattern is formed, and removing the conductor in the portion where the sandblast resistant resin pattern is not formed in the conductor layer, and peeling the sandblast resistant resin pattern, A fifth step of exposing the remaining conductor layer to be a conductor pattern, a sixth step of developing and removing the positive photosensitive resin pattern remaining other than the conductor layer to be the conductor pattern with a developing solution, and the exposing. And a seventh step of forming a conductor pattern made of only inorganic powder by firing the conductor layer.
し、該セラクミックパッケージを構成するセラミック基
板に導体パターンを後付けで形成する後付け導体パター
ンの形成工程が、 前記セラミック基板上に、前記導体パターンを形成する
ための金属粉末と樹脂バインダーを含む導体ペーストを
全面に塗布した後、焼成し、無機粉末のみからなる導体
ベタ層を形成する第一工程と、 前記導体ベタ層の前記導体パターンとなる部分の上面に
フォトリソ法により耐サンドブラスト樹脂パターンを形
成する第二工程と、 該耐サンドブラスト樹脂パターンが形成された面に研磨
材を吹き付け、該耐サンドブラスト樹脂パターンが形成
されていない部分の導体を取り除く第三工程と、 前記耐サンドブラスト樹脂パターンを剥離し、前記導体
パターンとなる残存する導体ベタ層を露出させて前記導
体パターンを形成する第四工程、 を有することを特徴とするセラミックパッケージの製造
方法。3. A step of forming a retrofit conductor pattern, wherein a conductor pattern is retrofitted on a ceramic substrate forming the ceramic package when the ceramic package is manufactured, the step of forming the conductor pattern on the ceramic substrate. After applying the conductor paste containing the metal powder and the resin binder on the entire surface, then firing, to form a conductor solid layer consisting only of the inorganic powder, and on the upper surface of the portion of the conductor solid layer to be the conductor pattern. A second step of forming a sandblast resistant resin pattern by a photolithography method, and a third step of spraying an abrasive on the surface on which the sandblast resistant resin pattern is formed to remove the conductor in the portion where the sandblast resistant resin pattern is not formed. Peeling off the sandblast resistant resin pattern to form the conductor pattern Fourth step, the manufacturing method of the ceramic package, characterized in that it has a residual to expose the conductive solid layer to form the conductive pattern that.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5353362A JP2796930B2 (en) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | Manufacturing method of ceramic package |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07202381A true JPH07202381A (en) | 1995-08-04 |
JP2796930B2 JP2796930B2 (en) | 1998-09-10 |
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ID=18430327
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JP5353362A Expired - Lifetime JP2796930B2 (en) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | Manufacturing method of ceramic package |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2796930B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6132543A (en) * | 1997-03-14 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a packaging substrate |
US7069645B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-07-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a circuit board |
US20180233280A1 (en) * | 2017-02-15 | 2018-08-16 | Tdk Corporation | Method for manufacturing laminated coil component |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03283589A (en) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Ngk Insulators Ltd | Forming method for pattern of board |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP5353362A patent/JP2796930B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03283589A (en) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Ngk Insulators Ltd | Forming method for pattern of board |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6132543A (en) * | 1997-03-14 | 2000-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a packaging substrate |
US7358445B1 (en) | 1997-03-14 | 2008-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate and apparatus including the circuit substrate |
US7069645B2 (en) | 2001-03-29 | 2006-07-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing a circuit board |
US20180233280A1 (en) * | 2017-02-15 | 2018-08-16 | Tdk Corporation | Method for manufacturing laminated coil component |
US10998129B2 (en) * | 2017-02-15 | 2021-05-04 | Tdk Corporation | Method for manufacturing laminated coil component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2796930B2 (en) | 1998-09-10 |
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