JPH0719720B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0719720B2 JPH0719720B2 JP12364988A JP12364988A JPH0719720B2 JP H0719720 B2 JPH0719720 B2 JP H0719720B2 JP 12364988 A JP12364988 A JP 12364988A JP 12364988 A JP12364988 A JP 12364988A JP H0719720 B2 JPH0719720 B2 JP H0719720B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- solid electrolytic
- layer
- electrolytic capacitor
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 61
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 20
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 8
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 5
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 4
- 238000012685 gas phase polymerization Methods 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- -1 polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000000565 5-membered heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000000644 6-membered heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、固体電解質として導電性ポリマーを用いた固
体電解コンデンサの製造方法に関するものである。
体電解コンデンサの製造方法に関するものである。
〈従来の技術〉 固体電解コンデンサでは、従来、アルミニウムやタンタ
ルなどの皮膜形成性金属に酸化皮膜を形成したものを陽
極側電極とし、更にこの酸化皮膜の表面に、二酸化マン
ガンやTCNQ（7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン）塩
などの固体電解質を付着し、また上記酸化皮膜の裏面に
は導電性金属層等を陰極側電極として設けたものが用い
られていた。
ルなどの皮膜形成性金属に酸化皮膜を形成したものを陽
極側電極とし、更にこの酸化皮膜の表面に、二酸化マン
ガンやTCNQ（7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン）塩
などの固体電解質を付着し、また上記酸化皮膜の裏面に
は導電性金属層等を陰極側電極として設けたものが用い
られていた。
しかしながら、固体電解質として二酸化マンガンを用い
た場合、二酸化マンガン層を形成する際の熱分解作用に
より陽極側電極の酸化皮膜が損傷し、また二酸化マンガ
ンによる酸化皮膜の修復性が低いなどの欠点を有する。
た場合、二酸化マンガン層を形成する際の熱分解作用に
より陽極側電極の酸化皮膜が損傷し、また二酸化マンガ
ンによる酸化皮膜の修復性が低いなどの欠点を有する。
一方、固体電解質としてTCNQ塩を用いた場合には、通常
TCNQ塩は粉末状の結晶をなしているので高い電導度が得
られ、また上記のような酸化皮膜の損傷がなく、二酸化
マンガンに比較して良好な皮膜修復性を有する等の利点
がある。
TCNQ塩は粉末状の結晶をなしているので高い電導度が得
られ、また上記のような酸化皮膜の損傷がなく、二酸化
マンガンに比較して良好な皮膜修復性を有する等の利点
がある。
ところが、このTCNQ塩はその電導度が固定的であるため
に、所望の電気的特性に応じた固体電解コンデンサを実
現することが困難であるという不都合がある。
に、所望の電気的特性に応じた固体電解コンデンサを実
現することが困難であるという不都合がある。
そこで、酸化皮膜上に形成させる固体電解質として導電
性ポリマーを用いることにより、酸化皮膜の損傷等がな
く、また抵抗損失を適当な範囲に設定し得るなど所望の
電気的特性が得られるようにした固体電解コンデンサが
開発されている。
性ポリマーを用いることにより、酸化皮膜の損傷等がな
く、また抵抗損失を適当な範囲に設定し得るなど所望の
電気的特性が得られるようにした固体電解コンデンサが
開発されている。
このような固体電解コンデンサとしては、例えば、特開
昭61−10230、特開昭61−47621、特開昭60−70719、特
開昭60−245111、特開昭60−245209、特開昭60−25061
4、特開昭60−244017、特開昭61−2315、特開昭61−476
25、特開昭61−22614、特開昭61−22613、特開昭60−22
311、あるいは特開昭60−17909などに記載されたものが
知られている。
昭61−10230、特開昭61−47621、特開昭60−70719、特
開昭60−245111、特開昭60−245209、特開昭60−25061
4、特開昭60−244017、特開昭61−2315、特開昭61−476
25、特開昭61−22614、特開昭61−22613、特開昭60−22
311、あるいは特開昭60−17909などに記載されたものが
知られている。
これらの固体電解コンデンサにおいて、その中に用いら
れる電極体は、酸化皮膜上に電解酸化重合や気相重合等
で導電性ポリマー層を形成するという製造方法が用いら
れている。
れる電極体は、酸化皮膜上に電解酸化重合や気相重合等
で導電性ポリマー層を形成するという製造方法が用いら
れている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、これらの固体電解コンデンサの製造方
法、特にその電極体の製造方法では、導電性ポリマー層
が酸化皮膜層の表面に層状に形成されてゆくことから、
酸化皮膜層と導電性ポリマー層がうまく接着し難く、こ
れら層間に微少な空間が形成され、これが原因で容量低
下が起き易い等の問題があった。
法、特にその電極体の製造方法では、導電性ポリマー層
が酸化皮膜層の表面に層状に形成されてゆくことから、
酸化皮膜層と導電性ポリマー層がうまく接着し難く、こ
れら層間に微少な空間が形成され、これが原因で容量低
下が起き易い等の問題があった。
本発明は、酸化皮膜層と電導性ポリマー層との密着性が
良好でこれら層間に微少な空間が形成されることない固
体電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とす
る。
良好でこれら層間に微少な空間が形成されることない固
体電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とす
る。
〈課題を解決するための手段〉 この発明による固体電解コンデンサの製造方法は、金属
体の表面に粗面処理と陽極酸化処理を順次施し、次い
で、この金属体の表面にプラズマ重合により導電性ポリ
マー層を形成した電極体を用いたことを要旨とする。
体の表面に粗面処理と陽極酸化処理を順次施し、次い
で、この金属体の表面にプラズマ重合により導電性ポリ
マー層を形成した電極体を用いたことを要旨とする。
本発明に用いる上記金属体の形状としては、円筒状，平
板状，箔状等種々の形状を用いることができる。
板状，箔状等種々の形状を用いることができる。
また、この金属体の材質としてはアルミニウム，タンタ
ル，チタン等の通常の電解コンデンサに使用されている
ものならいずれも使用することができる。
ル，チタン等の通常の電解コンデンサに使用されている
ものならいずれも使用することができる。
更に、これらの金属体として単体の金属板をそのまま用
いてもよいし、あるいは粉末体をプレス成型後に焼結し
て得られる焼結体等を用いてもよい。
いてもよいし、あるいは粉末体をプレス成型後に焼結し
て得られる焼結体等を用いてもよい。
一方、本発明で用いる電導性ポリマーとしては、主鎖に
共役二重結合をもつ高分子、例えばポリアセチレン，ポ
リパラフェニレン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポ
リパラフェニレン，ポリアニリン，ポリイミダゾール，
ポリチアゾール，ポリフラン等が使用できる。またこれ
らの内でも、窒素原子，酸素原子もしくは硫黄原子をヘ
テロ原子として有し、且つ共役π−電子系を有する５員
もしくは６員のヘテロ環式化合物の群から選ばれたポリ
マーまたはアニリンポリマー、例えばポリピロール，ポ
リチオフェン，ポリアニリンが望ましい。
共役二重結合をもつ高分子、例えばポリアセチレン，ポ
リパラフェニレン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポ
リパラフェニレン，ポリアニリン，ポリイミダゾール，
ポリチアゾール，ポリフラン等が使用できる。またこれ
らの内でも、窒素原子，酸素原子もしくは硫黄原子をヘ
テロ原子として有し、且つ共役π−電子系を有する５員
もしくは６員のヘテロ環式化合物の群から選ばれたポリ
マーまたはアニリンポリマー、例えばポリピロール，ポ
リチオフェン，ポリアニリンが望ましい。
また、これらの導電性ポリマーにドープされるドーパン
トとしては、BF4 -，ClO4 -，PF6 -，AsF6 -，CF3SO3 -，
I-，Br-，Cl-，F-等が挙げられる。
トとしては、BF4 -，ClO4 -，PF6 -，AsF6 -，CF3SO3 -，
I-，Br-，Cl-，F-等が挙げられる。
これらのドーパントはプラズマ重合中に同時にドープし
ても良いし、またはプラズマ重合後に電気化学的ないし
化学的にドープするようにしても良い。
ても良いし、またはプラズマ重合後に電気化学的ないし
化学的にドープするようにしても良い。
〈作用〉 導電性ポリマー層を上記のようにプラズマ重合で作製し
た場合、従来の電解重合や化学重合によって作製した場
合に比べ、その厚みを非常に薄くできると共に、基体表
面の凹凸部にこの導電性ポリマー層が入り込むため、酸
化皮膜と導電性ポリマー層との実質的な接触面積が格段
に増大し、また酸化皮膜と導電性ポリマー層との密着性
が飛躍的に向上する。
た場合、従来の電解重合や化学重合によって作製した場
合に比べ、その厚みを非常に薄くできると共に、基体表
面の凹凸部にこの導電性ポリマー層が入り込むため、酸
化皮膜と導電性ポリマー層との実質的な接触面積が格段
に増大し、また酸化皮膜と導電性ポリマー層との密着性
が飛躍的に向上する。
そして、接触面積の増大によりコンデンサとしての容量
増大が図れるし、また導電性ポリマー層の膜薄の減少に
より単位体積当りの容量が増大する。
増大が図れるし、また導電性ポリマー層の膜薄の減少に
より単位体積当りの容量が増大する。
更に、酸化皮膜と導電性ポリマーの密着性の向上によ
り、振動や経時などによる導電性ポリマーと酸化皮膜と
の剥離が防止されてコンデンサの容量低下が抑制され
る。
り、振動や経時などによる導電性ポリマーと酸化皮膜と
の剥離が防止されてコンデンサの容量低下が抑制され
る。
即ち、本発明によれば、第１図のように、酸化皮膜層１
と導電性ポリマー層２が完全に密着しているので、酸化
皮膜層１の表面積が有効に利用されている。
と導電性ポリマー層２が完全に密着しているので、酸化
皮膜層１の表面積が有効に利用されている。
これに対し、従来の固体電解コンデンサでは、第２図の
ように、酸化皮膜層１と電導性ポリマー層２が完全に密
着しておらず、各所に空隙４が存在するので、酸化皮膜
層１の表面積が有効に利用されない。尚、図中３は陰極
側電極である。
ように、酸化皮膜層１と電導性ポリマー層２が完全に密
着しておらず、各所に空隙４が存在するので、酸化皮膜
層１の表面積が有効に利用されない。尚、図中３は陰極
側電極である。
〈実施例〉 以下に実施例を挙げ本発明を具体的に説明する。
実施例１ 厚み20μｍのアルミニウム箔を塩酸でエッチングし、粗
面処理を施した。次いで、このアルミニウム箔を陽極に
用い、硼酸水溶液中で１〜5mA/cm2の直流電流密度で電
解し、箔の表面に酸化皮膜層を形成し、この被膜層を誘
電体とした。
面処理を施した。次いで、このアルミニウム箔を陽極に
用い、硼酸水溶液中で１〜5mA/cm2の直流電流密度で電
解し、箔の表面に酸化皮膜層を形成し、この被膜層を誘
電体とした。
以上のように処理したアルミニウム箔上でアニリン蒸気
圧0.5torr、プラズマ放電電力30Wで10分間プラズマ重合
を行い、誘電体上にポリアニリン層を形成した後、こう
して得た電極体をスパイラル状に巻込んで本発明の固体
電解コンデンサＡを作製した。
圧0.5torr、プラズマ放電電力30Wで10分間プラズマ重合
を行い、誘電体上にポリアニリン層を形成した後、こう
して得た電極体をスパイラル状に巻込んで本発明の固体
電解コンデンサＡを作製した。
また、同様な粗面処理並びに陽極酸化処理を施したアル
ミニウム箔を、アニリンを溶解したホウフッ化水素水溶
液中に浸漬し、電解重合により酸化皮膜面にポリアニリ
ン層を形成して得られた電極体をスパイラル状に巻込ん
で比較用の固体電解コンデンサＢを作製した。
ミニウム箔を、アニリンを溶解したホウフッ化水素水溶
液中に浸漬し、電解重合により酸化皮膜面にポリアニリ
ン層を形成して得られた電極体をスパイラル状に巻込ん
で比較用の固体電解コンデンサＢを作製した。
更に、同様な粗面処理及び陽極酸化処理を施したアルミ
ニウム箔上に酸化剤たるFeCl3を保持し、アニリン蒸気
中に曝露することによってアニリンを化学重合させ、気
相重合により表面にポリアニリン層を形成した電極体を
作り、これをスパイラル状に巻込んで比較用の固体電解
コンデンサＣを制作した。
ニウム箔上に酸化剤たるFeCl3を保持し、アニリン蒸気
中に曝露することによってアニリンを化学重合させ、気
相重合により表面にポリアニリン層を形成した電極体を
作り、これをスパイラル状に巻込んで比較用の固体電解
コンデンサＣを制作した。
これらコンデンサA,B,Cの容量を測定したところ、コン
デンサＡの容量はコンデンサＢの2.0倍でコンデンサＣ
の2.3倍であった。
デンサＡの容量はコンデンサＢの2.0倍でコンデンサＣ
の2.3倍であった。
またコンデンサA,B,Cにそれぞれ超音波振動試験を施し
た所、試験後の容量は試験前の容量に対してそれぞれ、
コンデンサＡは99％、コンデンサＢは80％、コンデンサ
Ｃは83％であった。
た所、試験後の容量は試験前の容量に対してそれぞれ、
コンデンサＡは99％、コンデンサＢは80％、コンデンサ
Ｃは83％であった。
実施例２ 厚み20μｍのアルミニウム箔を塩酸でエッチングし、粗
面処理を施した。次いで、このアルミニウム箔を陽極に
用い、硼酸水溶液中で１〜5mA/cm2の直流電流密度で電
解し、箔の表面に酸化皮膜層を形成し、この被膜層を誘
電体とした。
面処理を施した。次いで、このアルミニウム箔を陽極に
用い、硼酸水溶液中で１〜5mA/cm2の直流電流密度で電
解し、箔の表面に酸化皮膜層を形成し、この被膜層を誘
電体とした。
以上のように処理したアルミニウム箔上でピロール蒸気
圧0.50torr、プラズマ放電電力30Wで10分間プラズマ重
合を行い、誘電体上にポリピロール層を形成した後、こ
うして得た電極体をスパイラル状に差込んで本発明の固
体電解コンデンサＤを作製した。
圧0.50torr、プラズマ放電電力30Wで10分間プラズマ重
合を行い、誘電体上にポリピロール層を形成した後、こ
うして得た電極体をスパイラル状に差込んで本発明の固
体電解コンデンサＤを作製した。
また、同様な粗面処理並びに陽極酸化処理を施したアル
ミニウム箔を、ピロールを溶解したホウフッ化水素水溶
液中に浸漬し、電解重合により皮膜面にポリピロール層
を形成して得られた電極体をスパイラル状に巻込んで比
較用の固体電解コンデンサＥを作製した。
ミニウム箔を、ピロールを溶解したホウフッ化水素水溶
液中に浸漬し、電解重合により皮膜面にポリピロール層
を形成して得られた電極体をスパイラル状に巻込んで比
較用の固体電解コンデンサＥを作製した。
更に、同様な粗面処理及び陽極酸化処理を施したアルミ
ニウム箔上に酸化剤たるFeCl3を保持し、ピロール蒸気
中に曝露することによってピロールを化学重合させ、気
相重合により表面にポリピロール層を形成した電極体を
作り、これをスパイラル状に巻込んで比較用の固体電解
コンデンサＦを制作した。
ニウム箔上に酸化剤たるFeCl3を保持し、ピロール蒸気
中に曝露することによってピロールを化学重合させ、気
相重合により表面にポリピロール層を形成した電極体を
作り、これをスパイラル状に巻込んで比較用の固体電解
コンデンサＦを制作した。
これらコンデンサD,E,Fの容量をそれぞれ測定したとこ
ろ、コンデンサＤの容量はコンデンサＥの1.8倍でコン
デンサＦの2.2倍であった。
ろ、コンデンサＤの容量はコンデンサＥの1.8倍でコン
デンサＦの2.2倍であった。
またこれらのコンデンサD,E,Fに超音波振動試験を施し
た所、試験後の容量は試験前の容量に対してそれぞれ、
コンデンサＤは98％コンデンサＥは81％、コンデンサＦ
は82％であった。
た所、試験後の容量は試験前の容量に対してそれぞれ、
コンデンサＤは98％コンデンサＥは81％、コンデンサＦ
は82％であった。
実施例３ 厚み20μｍのアルミニウム箔を塩酸でエッチングし、粗
面処理を施した。次いで、このアルミニウム箔を陽極に
用い、硼酸水溶液中で１〜5mA/cm2の直流電流密度で電
解し、箔の表面に酸化皮膜層を形成し、この皮膜層を誘
電体とした。
面処理を施した。次いで、このアルミニウム箔を陽極に
用い、硼酸水溶液中で１〜5mA/cm2の直流電流密度で電
解し、箔の表面に酸化皮膜層を形成し、この皮膜層を誘
電体とした。
以上のように処理したアルミニウム箔上でチオフェン蒸
気圧0.5torr、プラズマ放電電力30Wで10分間プラズマ重
合を行い、誘電体上にポリチオフェン層を形成した後、
こうして得た電極体をスパイラル状に巻込んで本発明の
固体電解コンデンサＧを作製した。
気圧0.5torr、プラズマ放電電力30Wで10分間プラズマ重
合を行い、誘電体上にポリチオフェン層を形成した後、
こうして得た電極体をスパイラル状に巻込んで本発明の
固体電解コンデンサＧを作製した。
また、同様な粗面処理並びに陽極酸化処理を施したアル
ミニウム箔を、チオフェンを溶解したホウフッ化水素水
溶液中に浸漬し、電解重合により皮膜面にポリチオフェ
ン層を形成して得られた電極体をスパイラル状に巻込ん
で比較用の固体電解コンデンサＨを作製した。
ミニウム箔を、チオフェンを溶解したホウフッ化水素水
溶液中に浸漬し、電解重合により皮膜面にポリチオフェ
ン層を形成して得られた電極体をスパイラル状に巻込ん
で比較用の固体電解コンデンサＨを作製した。
更に、同様な粗面処理及び陽極酸化処理を施したアルミ
ニウム箔上に酸化剤たるFeCl3を保持し、チオフェン蒸
気中に曝露することによってチオフェンを化学重合さ
せ、気相重合により表面にポリチオフェン層を形成した
電極体を作り、これをスパイラル状に巻込んで比較用の
固体電解コンデンサＩを制作した。
ニウム箔上に酸化剤たるFeCl3を保持し、チオフェン蒸
気中に曝露することによってチオフェンを化学重合さ
せ、気相重合により表面にポリチオフェン層を形成した
電極体を作り、これをスパイラル状に巻込んで比較用の
固体電解コンデンサＩを制作した。
これらコンデンサG,H,Iの容量でそれぞれ測定した所、
コンデンサＧの容量はコンデンサＨの1.7倍でコンデン
サＩの2.0倍であった。
コンデンサＧの容量はコンデンサＨの1.7倍でコンデン
サＩの2.0倍であった。
またこれらのコンデンサG,H,Iに超音波振動試験を施し
た所、試験後の容量は試験前の容量に対してそれぞれ、
コンデンサＧは97％コンデンサＨは79％、コンデンサＩ
は80％であった。
た所、試験後の容量は試験前の容量に対してそれぞれ、
コンデンサＧは97％コンデンサＨは79％、コンデンサＩ
は80％であった。
実施例４ 厚み20μｍのアルミニウム焼結体を塩酸でエッチング
し、粗面処理を施した。次いで、このアルミニウム焼結
体を陽極に用い、硼酸水溶液中で１〜5mA/cm2の直流電
流密度で電解し、焼結体の表面に酸化皮膜層を形成し、
この皮膜層を誘電体とした。
し、粗面処理を施した。次いで、このアルミニウム焼結
体を陽極に用い、硼酸水溶液中で１〜5mA/cm2の直流電
流密度で電解し、焼結体の表面に酸化皮膜層を形成し、
この皮膜層を誘電体とした。
以上のように処理したアルミニウム焼結体上でアニリン
蒸気圧0.5torr、プラズマ放電電力30Wで10分間プラズマ
重合を行い、誘電体上にポリアニリン層を形成した後、
こうして得た電極体をスパイラル状に巻込んで本発明の
固体電解コンデンサＪを作製した。
蒸気圧0.5torr、プラズマ放電電力30Wで10分間プラズマ
重合を行い、誘電体上にポリアニリン層を形成した後、
こうして得た電極体をスパイラル状に巻込んで本発明の
固体電解コンデンサＪを作製した。
また、同様な粗面処理並びに陽極酸化処理を施したアル
ミニウム焼結体を、アニリンを溶解したホウフッ化水素
水溶液中に浸漬し、電解重合により陽極皮膜面にポリア
ニリン層を形成して得られた電極体をスパイラル状に巻
込んで比較用の固体電解コンデンサＫを作製した。
ミニウム焼結体を、アニリンを溶解したホウフッ化水素
水溶液中に浸漬し、電解重合により陽極皮膜面にポリア
ニリン層を形成して得られた電極体をスパイラル状に巻
込んで比較用の固体電解コンデンサＫを作製した。
更に、同様な粗面処理及び陽極酸化処理を施したアルミ
ニウム焼結体上に酸化剤たるFeCl3を保持し、アニリン
蒸気中に曝露することによってアニリンを化学重合さ
せ、気相重合により表面にポリアニリン層を形成した電
極体を作り、これをスパイラル状に巻込んで比較用の固
体電解コンデンサＬを制作した。
ニウム焼結体上に酸化剤たるFeCl3を保持し、アニリン
蒸気中に曝露することによってアニリンを化学重合さ
せ、気相重合により表面にポリアニリン層を形成した電
極体を作り、これをスパイラル状に巻込んで比較用の固
体電解コンデンサＬを制作した。
これらコンデンサJ,K,Lの容量をそれぞれ測定した所、
コンデンサＪの容量はコンデンサＫの2.2倍でコンデン
サＬの2.5倍であった。
コンデンサＪの容量はコンデンサＫの2.2倍でコンデン
サＬの2.5倍であった。
またこれらのコンデンサJ,K,Lに超音波振動試験を施し
た所、試験後の容量は試験前の容量に対してそれぞれ、
コンデンサＪは99％コンデンサＫは83％、コンデンサＬ
は80％であった。
た所、試験後の容量は試験前の容量に対してそれぞれ、
コンデンサＪは99％コンデンサＫは83％、コンデンサＬ
は80％であった。
〈発明の効果〉 以上のように、この発明によれば、容量が大きく、また
機械的なストレス等による容量低下の度合いが少ない固
体電解コンデンサの製造方法を提供できる。
機械的なストレス等による容量低下の度合いが少ない固
体電解コンデンサの製造方法を提供できる。
第１図は本発明の固体電解コンデンサにおける酸化皮膜
層と導電性ポリマー層との界面の状態を示した模式図、
第２図は従来の固体電解コンデンサにおける酸化皮膜層
と導電性ポリマー層との界面の状態を示した模式図であ
る。 １……陽極酸化皮膜層、２……導電性ポリマー層、３…
…陰極集電体
層と導電性ポリマー層との界面の状態を示した模式図、
第２図は従来の固体電解コンデンサにおける酸化皮膜層
と導電性ポリマー層との界面の状態を示した模式図であ
る。 １……陽極酸化皮膜層、２……導電性ポリマー層、３…
…陰極集電体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西尾 晃治 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 藤本 正久 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 小野 均 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内 (72)発明者 安藤 修 神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地 三 菱化成工業株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】金属体の表面に粗面処理と陽極酸化処理を
順次施し、次いで、前記金属体の表面にプラズマ重合に
より電導性ポリマー層を形成した電極体を用いた固体電
解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12364988A JPH0719720B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| EP89305084A EP0342998B1 (en) | 1988-05-20 | 1989-05-19 | Process for manufacturing an electrode for a solid electrolytic capacitor |
| DE68925437T DE68925437T2 (de) | 1988-05-20 | 1989-05-19 | Verfahren zum Herstellen einer Elektrode für einen Festelektrolytkondensator |
| US07/493,688 US5019949A (en) | 1988-05-20 | 1990-03-15 | Solid electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12364988A JPH0719720B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292809A JPH01292809A (ja) | 1989-11-27 |
| JPH0719720B2 true JPH0719720B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14865827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12364988A Expired - Fee Related JPH0719720B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719720B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019199484A1 (en) * | 2018-04-13 | 2019-10-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a vapor-deposited barrier film |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12364988A patent/JPH0719720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01292809A (ja) | 1989-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0794368A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2000133550A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH09293639A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP4285523B2 (ja) | 固体電解コンデンサ用電極箔とその製造方法 | |
| US5135618A (en) | Process for manufacturing a solid state electrolytic capacitor | |
| JP3319501B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP4062787B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JP2001110685A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3030054B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3198518B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3281658B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JP3505370B2 (ja) | 有機固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0719720B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2000082638A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3568382B2 (ja) | 有機固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2696982B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2775762B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4363022B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH10340830A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2716032B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JP2765440B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP4114325B2 (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
| JPH03139816A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2531589B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4642257B2 (ja) | 固体電解コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |