JPH07193117A - Board holding device - Google Patents

Board holding device

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Publication number
JPH07193117A
JPH07193117A JP33254293A JP33254293A JPH07193117A JP H07193117 A JPH07193117 A JP H07193117A JP 33254293 A JP33254293 A JP 33254293A JP 33254293 A JP33254293 A JP 33254293A JP H07193117 A JPH07193117 A JP H07193117A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
board
volume resistivity
mounting surface
negative pressure
Prior art date
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Pending
Application number
JP33254293A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
Hiroyuki Kitazawa
裕之 北澤
Masanobu Sato
雅伸 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP33254293A priority Critical patent/JPH07193117A/en
Publication of JPH07193117A publication Critical patent/JPH07193117A/en
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce electrostatic charge generated when a board is stripped from a mounting surface by preparing in a board holding part suction ports to suck the board by means of a negative pressure means and a board mounting surface whose contact part with the board has a specific volume resistivity. CONSTITUTION:In a board holding device, when a board W is mounted on a board mounting surface 12, a suction port 17 is negatively pressurized by a vacuum pump 21 so as to suck/hold the board W. When the board W is to be separated from a board holding part 10, the pump 21 releases the negative pressure. At the time of separation, supposing that the volume resistivity of the board W at 250 deg.C is 10YOMEGAcm, a contact part of the surface 12 with the board W has a volume resistivity of more than 10Y<-1> at the same temperature, that is, the same volume resistivity as that of the board W, so that less charge moves between the board W and the surface 12. Therefore stripping charge is hardly generated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板保持装置、特に、
基板を吸着保持する基板保持装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a substrate holding device, and more particularly,
The present invention relates to a substrate holding device that sucks and holds a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】角型基板(液晶用のガラス基板,フォト
マスク用のガラス基板,サーマルヘッド製造用のセラミ
ック基板等)や半導体用の円形基板に対し、各種の処理
を施す基板処理装置が知られている。この種の基板処理
装置として、基板を加熱,冷却処理する加熱冷却装置、
基板を回転させて処理する回転式基板処理装置(スピン
コーター,現像処理装置,洗浄処理装置等)、及び基板
を各処理装置間で搬送する基板搬送装置等が知られてい
る。これらのいずれの装置も、通常、基板を吸着保持す
る基板保持装置を備えている。
2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus for performing various kinds of processing on a rectangular substrate (a glass substrate for a liquid crystal, a glass substrate for a photomask, a ceramic substrate for manufacturing a thermal head, etc.) or a circular substrate for a semiconductor is known. Has been. As this type of substrate processing apparatus, a heating / cooling apparatus for heating / cooling a substrate,
A rotary substrate processing apparatus (spin coater, developing processing apparatus, cleaning processing apparatus, etc.) that rotates and processes a substrate, a substrate transfer apparatus that transfers the substrate between the processing apparatuses, and the like are known. Each of these devices usually includes a substrate holding device that sucks and holds a substrate.

【0003】この基板保持装置は、基板を吸着するため
の吸着口を有する基板載置面で基板を保持する基板保持
部と、吸着口を負圧にする負圧発生部とを備えている。
この基板保持装置では、基板が基板載置面に載置される
と、負圧発生部により吸着口を負圧にして基板を吸着保
持する。
This substrate holding device is provided with a substrate holding portion for holding the substrate on a substrate mounting surface having an adsorption opening for adsorbing the substrate, and a negative pressure generating portion for making the adsorption opening a negative pressure.
In this substrate holding device, when the substrate is placed on the substrate placement surface, the negative pressure generating unit applies a negative pressure to the suction port to suck and hold the substrate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前記従来の基板保持装
置では、アクティブマトリックス型の液晶表示装置用の
基板に用いられる無アルカリガラス製の基板のような高
誘電体基板を吸着すると、吸着を解除して基板を基板載
置部から分離する際に強い剥離帯電が発生する。静電気
が発生すると、基板表面層が破壊されたり、空気中のパ
ーティクルが基板に付着したりする。
In the conventional substrate holding device, when a high dielectric substrate such as a non-alkali glass substrate used as a substrate for an active matrix type liquid crystal display device is adsorbed, the adsorption is released. Then, when the substrate is separated from the substrate mounting portion, strong peeling charge is generated. When static electricity is generated, the surface layer of the substrate is destroyed or particles in the air adhere to the substrate.

【0005】本発明の目的は、基板を吸着保持する基板
保持装置において、基板をその載置面から剥離するとき
に発生する剥離帯電を減少させることにある。
An object of the present invention is to reduce the peeling charge that occurs when a substrate is peeled from its mounting surface in a substrate holding device that sucks and holds the substrate.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る基板保持装
置は、基板を吸着保持する装置であって、基板保持部と
負圧手段とを備えている。基板保持部は、基板を吸着す
るための吸着口と、基板の250℃における体積抵抗率
を10Y Ωcmとするときに基板との接触部分の250
℃における体積抵抗率が10Y-1 Ωcm以上である基板
載置面とを有している。負圧手段は、吸着口を負圧にす
る。
A substrate holding device according to the present invention is a device for sucking and holding a substrate, and is provided with a substrate holding portion and negative pressure means. The substrate holding part has a suction port for sucking the substrate and a 250 part of the contact part with the substrate when the volume resistivity of the substrate at 250 ° C. is 10 Y Ωcm.
The substrate mounting surface has a volume resistivity at 10 ° C. of 10 Y −1 Ωcm or more. The negative pressure means makes the suction port a negative pressure.

【0007】[0007]

【作用】本発明に係る基板保持装置では、基板が基板載
置面に載置されると、負圧手段により吸着口を負圧する
ことで、基板を吸着保持する。基板を基板保持部から分
離する際には、負圧手段による負圧を解除する。この分
離時には、250℃における基板の体積抵抗率を10Y
Ωcmとすると基板載置面の基板との接触部分は250
℃における体積抵抗率が10Y-1 以上であるので、基板
と同等の体積抵抗率であり、基板と基板載置面との間で
電荷の移動が少ない。したがって、剥離帯電が生じにく
くなる。
In the substrate holding apparatus according to the present invention, when the substrate is placed on the substrate placement surface, the negative pressure means applies a negative pressure to the suction port to suck and hold the substrate. When the substrate is separated from the substrate holder, the negative pressure by the negative pressure means is released. At the time of this separation, the volume resistivity of the substrate at 250 ° C was set to 10 Y.
If Ωcm, the contact portion of the substrate mounting surface with the substrate is 250
Since the volume resistivity at 10 ° C. is 10 Y −1 or more, the volume resistivity is the same as that of the substrate, and the movement of charges between the substrate and the substrate mounting surface is small. Therefore, peeling charge hardly occurs.

【0008】[0008]

【実施例】図1及び図2において、本発明の一実施例を
採用した基板処理装置1は、アクティブマトリックス型
液晶表示装置用の無アルカリガラス製の角型基板Wにフ
ォトレジストの薄膜を形成する装置である。この基板処
理装置1は、多数枚の基板Wを収納した2つのカセット
C1,C2を載置する基板搬入・搬出部2と、基板Wに
一連の処理を行う処理ユニット部3と、基板搬入・搬出
部2と処理ユニット部3との間で基板Wを搬送する基板
搬送部4とを有している。
1 and 2, a substrate processing apparatus 1 adopting an embodiment of the present invention forms a thin film of photoresist on a square substrate W made of non-alkali glass for an active matrix liquid crystal display device. It is a device that does. The substrate processing apparatus 1 includes a substrate loading / unloading unit 2 for mounting two cassettes C1 and C2 containing a large number of substrates W, a processing unit unit 3 for performing a series of processes on the substrate W, and a substrate loading / unloading unit. It has a substrate transport unit 4 that transports the substrate W between the unloading unit 2 and the processing unit unit 3.

【0009】基板搬入・搬出部2は、カセットC1,C
2に収納された基板Wの出し入れを行うためのインデク
サIDと、カセットC1,C2に対向する位置と基板搬
送部4に対する基板搬入・搬出位置との間で基板Wを1
枚ずつ搬送するインデクサロボットRB1とで構成され
ている。カセットC1,C2には、たとえば10枚の基
板Wが収納可能である。インデクサIDは、載置された
カセットC1,C2を上下させ、基板取り出し取り入れ
位置を一定高さに維持する機能を有している。インデク
サロボットRB1は、Y方向(図1の奥行き方向)に配
置されたレール5上を移動可能である。インデクサロボ
ットRB1は、スカラ型のロボットであり、Z方向(図
1の上下方向)と、X方向(図1の左右方向)と、θ方
向(垂直軸回りの回転方向)とにも移動可能である。
The substrate loading / unloading section 2 includes cassettes C1 and C.
The indexer ID for loading / unloading the substrate W stored in 2 and the substrate W between the position facing the cassettes C1 and C2 and the substrate loading / unloading position with respect to the substrate transport unit 4
The indexer robot RB1 conveys the sheets one by one. For example, 10 substrates W can be stored in the cassettes C1 and C2. The indexer ID has a function of moving the mounted cassettes C1 and C2 up and down to maintain the substrate take-out / take-in position at a constant height. The indexer robot RB1 can move on the rail 5 arranged in the Y direction (depth direction in FIG. 1). The indexer robot RB1 is a scalar type robot and can move in the Z direction (vertical direction in FIG. 1), the X direction (horizontal direction in FIG. 1), and the θ direction (rotational direction around the vertical axis). is there.

【0010】処理ユニット部3には、各処理部が上下2
段に分けて配列されている。その下段には、基板Wを洗
浄するスピンスクラバーSSと、洗浄された基板Wにフ
ォトレジスト液を塗布するスピンコーターSCとが配置
されている。また上段には、ホットプレートHP1,H
P2とクールプレートCP1,CP2とが配置されてい
る。ホットプレートHP1は、スピンスクラバーSSで
洗浄された基板Wを脱水ベークするものであり、ホット
プレートHP2は、フォトレジスト液が塗布された基板
Wをプリベークするものである。
In the processing unit section 3, the respective processing sections are arranged at the upper and lower sides.
It is arranged in columns. A spin scrubber SS for cleaning the substrate W and a spin coater SC for applying a photoresist solution to the cleaned substrate W are arranged in the lower stage thereof. On the upper side, hot plates HP1, H
P2 and cool plates CP1 and CP2 are arranged. The hot plate HP1 is for dehydrating and baking the substrate W cleaned by the spin scrubber SS, and the hot plate HP2 is for pre-baking the substrate W coated with the photoresist solution.

【0011】基板搬送部4は、X方向に延びるレール6
上を移動可能な基板搬送ロボットRB2を有している。
基板搬送ロボットRB2は、スカラ型のロボットであ
り、Z方向とY方向とにも移動可能である。両ホットプ
レートHP1,HP2は同一構造であり、また両クール
プレートCP1,CP2は同一構造である。ここではホ
ットプレートHP1及びクールプレートCP1を例に説
明する。
The substrate transfer section 4 has a rail 6 extending in the X direction.
It has a substrate transfer robot RB2 that can move above.
The substrate transfer robot RB2 is a SCARA type robot and is also movable in the Z direction and the Y direction. Both hot plates HP1 and HP2 have the same structure, and both cool plates CP1 and CP2 have the same structure. Here, the hot plate HP1 and the cool plate CP1 will be described as an example.

【0012】ホットプレートHP1は、図3及び図4に
示すように、平板状の基板保持部10を有している。基
板保持部10は、板状ヒータ等の加熱手段を備えた熱板
としてのアルミニウム製加熱プレート11と、加熱プレ
ート11上にコーティングされた基板載置面12とを有
している。基板載置面12の材質としては、250℃に
おける体積抵抗率が1012(Ωcm)以上のもの、より
好ましくは1013〜1015(Ωcm)のものであればよ
く、たとえば無アルカリガラスである。
The hot plate HP1 has a plate-shaped substrate holding portion 10 as shown in FIGS. The substrate holding unit 10 has an aluminum heating plate 11 as a heating plate having a heating means such as a plate heater, and a substrate mounting surface 12 coated on the heating plate 11. The material of the substrate mounting surface 12 may be one having a volume resistivity of 10 12 (Ωcm) or more at 250 ° C., more preferably 10 13 to 10 15 (Ωcm), and is, for example, non-alkali glass. .

【0013】基板保持部10には、平面視正三角形の頂
点の位置に配置された3つの貫通孔13が基板載置面1
2を貫いて形成されている。この貫通孔13を通じて、
基板支持ピン14が昇降可能に設けられている。基板支
持ピン14は、下端がピン取付部材15に一体的に取り
付けられている。ピン取付部材15はエアシリンダ16
に連結されており、エアシリンダ16の伸縮によって基
板支持ピン14が昇降する。ホットプレートHP1で
は、基板支持ピン14を上昇させた状態で、基板搬送ロ
ボットRB2により基板Wの搬入・搬出を行う。また、
基板支持ピン14を下降させることにより、基板Wを基
板保持部10の基板載置面12上に載置する。
The substrate holding portion 10 has three through holes 13 arranged at the vertices of a regular triangle in plan view.
It is formed through 2. Through this through hole 13,
The substrate support pin 14 is provided so as to be able to move up and down. The lower end of the substrate support pin 14 is integrally attached to the pin attachment member 15. The pin mounting member 15 is an air cylinder 16
The substrate support pins 14 move up and down as the air cylinder 16 expands and contracts. In the hot plate HP1, the substrate transport robot RB2 loads and unloads the substrate W with the substrate support pins 14 raised. Also,
By lowering the substrate support pins 14, the substrate W is placed on the substrate placement surface 12 of the substrate holding unit 10.

【0014】また、基板保持部10には、平面視正方形
の頂点の位置に配置された4個の吸着口17が形成され
ている。これらの吸着口17は、加熱プレート11内に
形成された吸着路18を介して、加熱プレート11の側
面に接続された吸着配管19に連通している。吸着配管
19の途中には、電磁開閉弁20が配置されている。ま
た吸着配管19の末端には、真空ポンプ21が接続され
ている。
Further, the substrate holding portion 10 is formed with four suction ports 17 arranged at the positions of the vertices of a square in plan view. These suction ports 17 communicate with a suction pipe 19 connected to the side surface of the heating plate 11 via a suction passage 18 formed in the heating plate 11. An electromagnetic opening / closing valve 20 is arranged in the middle of the adsorption pipe 19. A vacuum pump 21 is connected to the end of the adsorption pipe 19.

【0015】クールプレートCP1は、平板状の基板載
置部30を有している。基板載置部30は、アルミニウ
ム製の伝熱プレート31と、アルミニウム製の水冷板3
2と、伝熱プレート31と水冷板32との間に介在する
急冷用のぺルチェ素子33とから構成されている。また
基板載置部30にも、基板保持部10と同様な貫通孔1
3が形成され、貫通孔13を通じて基板支持ピン14が
昇降可能に設けられている。基板支持ピン14は、ピン
取付部材15を介してエアシリンダ16に連動連結され
ている。
The cool plate CP1 has a flat plate-shaped substrate mounting portion 30. The substrate platform 30 includes a heat transfer plate 31 made of aluminum and a water cooling plate 3 made of aluminum.
2 and a Peltier element 33 for rapid cooling interposed between the heat transfer plate 31 and the water cooling plate 32. Further, the through-hole 1 similar to the substrate holding unit 10 is also provided in the substrate placing unit 30.
3 is formed, and the substrate support pin 14 is provided so as to be able to move up and down through the through hole 13. The substrate support pin 14 is interlockingly connected to the air cylinder 16 via a pin mounting member 15.

【0016】次に、上述の実施例の動作について説明す
る。基板Wを収納したカセットC1,C2が基板搬入・
搬出部2に載置されると、インデクサロボットRB1が
カセットC1,C2から基板Wを1枚ずつ取り出し、基
板搬送ロボットRB2に渡す。基板搬送ロボットRB2
は、受け取った基板WをスピンスクラバーSSに搬送す
る。スピンスクラバーSSでは、受け取った基板Wを洗
浄処理する。洗浄処理が終了した基板Wは、ホットプレ
ートHP1に搬送される。
Next, the operation of the above embodiment will be described. The cassettes C1 and C2 storing the substrate W carry in the substrate.
When placed on the carry-out section 2, the indexer robot RB1 takes out the substrates W one by one from the cassettes C1 and C2 and transfers them to the substrate transfer robot RB2. Substrate transfer robot RB2
Transports the received substrate W to the spin scrubber SS. The spin scrubber SS cleans the received substrate W. The substrate W that has undergone the cleaning process is transported to the hot plate HP1.

【0017】ホットプレートHP1では、予めエアシリ
ンダ16により上昇位置に配置された基板支持ピン14
で、基板搬送ロボットRB2から基板Wを受け取る。基
板Wを受け取ったホットプレートHP1は、エアシリン
ダ16により基板支持ピン14を下降させ、基板Wを基
板保持部10の基板載置面12上に載置する。続いて電
磁開閉弁20を開き、吸着口17を真空ポンプ21によ
って負圧にして基板Wを吸着保持する。この状態で加熱
プレート11により基板Wを加熱し、脱水ベークする。
In the hot plate HP1, the substrate support pins 14 which are previously arranged in the raised position by the air cylinder 16 are provided.
Then, the substrate W is received from the substrate transfer robot RB2. Upon receiving the substrate W, the hot plate HP1 lowers the substrate support pins 14 by the air cylinder 16 and mounts the substrate W on the substrate mounting surface 12 of the substrate holding unit 10. Subsequently, the electromagnetic opening / closing valve 20 is opened, and the suction port 17 is set to a negative pressure by the vacuum pump 21 to suck and hold the substrate W. In this state, the substrate W is heated by the heating plate 11 and dehydrated and baked.

【0018】脱水ベーク処理が終了すると、電磁開閉弁
20を閉じて吸着解除するとともに、基板支持ピン14
をエアシリンダ16により上昇させ、基板Wを基板載置
面12から上方に分離する。このとき、基板載置面12
が基板Wと同等の体積抵抗率を有しているので、剥離帯
電が生じにくい。このため、剥離帯電によるパーティク
ルの付着や基板表面層の破壊が生じにくい。
When the dehydration bake process is completed, the electromagnetic on-off valve 20 is closed to release the adsorption, and the substrate support pin 14 is released.
Is lifted by the air cylinder 16 and the substrate W is separated upward from the substrate mounting surface 12. At this time, the substrate mounting surface 12
Has a volume resistivity equivalent to that of the substrate W, and therefore peeling charging is unlikely to occur. For this reason, the adhesion of particles and the destruction of the substrate surface layer due to peeling electrification hardly occur.

【0019】基板支持ピン14によって上昇させられた
基板Wは、基板搬送ロボットRB2に受け取られ、クー
ルプレートCP1に搬送される。クールプレートCP1
では、基板支持ピン14で基板Wを受け取り、基板保持
部30上に載置する。そして、ホットプレートHP1で
温められた基板Wを常温まで冷却する。冷却処理が終了
した基板Wは、基板支持ピン14により上昇させられ、
基板搬送ロボットRB2に受け取られる。
The substrate W raised by the substrate support pins 14 is received by the substrate transfer robot RB2 and transferred to the cool plate CP1. Cool plate CP1
Then, the substrate W is received by the substrate support pins 14 and placed on the substrate holder 30. Then, the substrate W heated by the hot plate HP1 is cooled to room temperature. The substrate W for which the cooling process has been completed is raised by the substrate support pins 14,
It is received by the substrate transfer robot RB2.

【0020】基板搬送ロボットRB2に受け取られた基
板Wは、スピンコーターSCに搬送される。スピンコー
ターSCでは、基板W上にフォトレジスト液が塗布され
る。フォトレジスト液が塗布された基板Wはホットプレ
ートHP2に搬送され、プリベークされる。ここでも同
様に、基板分離時に剥離帯電が生じにくい。プリベーク
が終了した基板WはクールプレートCP1に搬送され常
温まで冷却される。冷却処理が終了した基板Wは、基板
搬送ロボットRB2により基板搬入・搬出部2のインデ
クサロボットRB1に渡され、カセットC1,C2に収
納される。
The substrate W received by the substrate transfer robot RB2 is transferred to the spin coater SC. In the spin coater SC, the photoresist liquid is applied onto the substrate W. The substrate W coated with the photoresist solution is transported to the hot plate HP2 and prebaked. Here again, peeling charging is unlikely to occur during substrate separation. The substrate W for which the pre-baking has been completed is transferred to the cool plate CP1 and cooled to room temperature. The substrate W for which the cooling process has been completed is transferred to the indexer robot RB1 of the substrate loading / unloading unit 2 by the substrate transport robot RB2 and is stored in the cassettes C1 and C2.

【0021】〔実験例〕本発明の実験例を以下に示す。
なお実験で用いたガラス基板は、コーニング社製商品名
7059のバリウムホウケイ酸からなる無アルカリガラ
ス基板であり、250℃における体積抵抗率は1013
1014(Ωcm)であった。用いたホットプレートHP
1の基板保持部10の材質を下記表1に示す。
Experimental Example An experimental example of the present invention is shown below.
The glass substrate used in the experiment is a non-alkali glass substrate made of barium borosilicate having a product name of 7059 manufactured by Corning Incorporated, and has a volume resistivity of 10 13 to 250 at 250 ° C.
It was 10 14 (Ωcm). Used hot plate HP
The material of the substrate holder 10 of No. 1 is shown in Table 1 below.

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】表1にまとめたテスト結果から、基板保持
部10の250℃における体積抵抗率が基板の250℃
における体積抵抗率と同等の1014Ωcm以上にあると
き、静電気抑制効果があることが分かった。したがっ
て、無アルカリガラスの250℃における体積抵抗率の
ばらつきを考慮して、基板載置面12の250℃におけ
る体積抵抗率が1012(Ωcm)以上であればよく、よ
り好ましくは、1013〜1015(Ωcm)であればよい
ことがわかった。
From the test results summarized in Table 1, the volume resistivity of the substrate holder 10 at 250 ° C. is 250 ° C. of the substrate.
It was found that when it is 10 14 Ωcm or more, which is equivalent to the volume resistivity in, the effect of suppressing static electricity is obtained. Therefore, considering the variation in volume resistivity of the alkali-free glass at 250 ° C., the volume resistivity of the substrate mounting surface 12 at 250 ° C. may be 10 12 (Ωcm) or more, more preferably 10 13 to It was found that 10 15 (Ωcm) was sufficient.

【0024】〔他の実施例〕 (a) 本発明はこのように基板が無アルカリガラスか
らなる場合のみに有効であるのではなく、その他の基板
に対しても適用可能である。すなわち、基板の250℃
における体積抵抗率を10Y Ωcmとするときに、その
基板が載置される基板載置面を構成する材料の250℃
における体積抵抗率は10Y-1 Ωcm以上であれば良
い。たとえば、基板として250℃における体積抵抗率
が106 Ωcmのソーダライムガラスを用いる場合、そ
の基板が載置される基板載置面を構成する材料の250
℃における体積抵抗率は105 Ωcm以上であればよ
く、たとえばソーダライムガラスによって基板載置面を
形成すれば良い。なお、基板と同種の材料によって基板
載置面を形成すればその体積抵抗率は基板の体積抵抗率
とほぼ同じであるので剥離帯電の発生を抑制することが
できるが、必ずしも基板と同種の材料によって基板載置
面を形成する必要はなく、250℃における体積抵抗率
が基板の250℃における体積抵抗率とほぼ同等もしく
はそれ以上であれば、基板の材質と同種の材料でなくと
も良い。 (b) ホットプレートHP1,HP2だけではなく、
スピンスクラバーSSやスピンコーターSC等の他の基
板処理装置の基板吸着保持部に本発明を採用してもよ
い。 (c)基板載置面12として、無アルカリガラスの代わ
りに炭化珪素や酸化アルミニウムを用いてもよい。 (d)基板載置面12は、少なくとも基板接触部分に形
成されていれば良い。また、その形成方法は、コーティ
ングに限定されず、板状のものを接着したり、固定部材
により固定したりする構成でもよい。
Other Embodiments (a) The present invention is not only effective when the substrate is made of non-alkali glass as described above, but can be applied to other substrates. That is, the substrate temperature of 250 ° C
At a volume resistivity of 10 Y Ωcm, the temperature of the material constituting the substrate mounting surface on which the substrate is mounted is 250 ° C.
It is sufficient that the volume resistivity at is 10 Y-1 Ωcm or more. For example, when soda lime glass having a volume resistivity of 10 6 Ωcm at 250 ° C. is used as the substrate, 250 of the material forming the substrate mounting surface on which the substrate is mounted is used.
The volume resistivity at ° C may be 10 5 Ωcm or more, and the substrate mounting surface may be formed of soda lime glass, for example. If the substrate mounting surface is formed of the same kind of material as the substrate, the volume resistivity thereof is almost the same as the volume resistivity of the substrate, so that it is possible to suppress the occurrence of peeling charging, but it is not always the same kind of material as the substrate. It is not necessary to form the substrate mounting surface by the above, and if the volume resistivity at 250 ° C. is substantially equal to or higher than the volume resistivity at 250 ° C. of the substrate, the material may not be the same as the material of the substrate. (B) Not only hot plates HP1 and HP2,
The present invention may be applied to a substrate suction holding unit of another substrate processing apparatus such as a spin scrubber SS or a spin coater SC. (C) As the substrate mounting surface 12, silicon carbide or aluminum oxide may be used instead of the alkali-free glass. (D) The substrate mounting surface 12 may be formed at least in the substrate contact portion. The forming method is not limited to coating, and a plate-shaped material may be adhered or fixed by a fixing member.

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明に係る基板保持装置は、基板との
接触部分の250℃における体積抵抗率が10Y-1(Ω
cm)以上である基板載置面を有しているので、剥離帯
電が生じにくい。
The substrate holding device according to the present invention has a volume resistivity of 10 Y -1 (Ω at a temperature of 250 ° C. at the portion in contact with the substrate.
cm) or more, the peeling electrification hardly occurs.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を採用した基板処理装置の側
面模式図。
FIG. 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus adopting an embodiment of the present invention.

【図2】その平面模式図。FIG. 2 is a schematic plan view thereof.

【図3】ホットプレート及びクールプレートの縦断面
図。
FIG. 3 is a vertical sectional view of a hot plate and a cool plate.

【図4】ホットプレートの斜視模式図。FIG. 4 is a schematic perspective view of a hot plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板保持部 12 基板載置面 17 吸着口 21 真空ポンプ 10 substrate holding part 12 substrate mounting surface 17 suction port 21 vacuum pump

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板を吸着保持する基板保持装置であっ
て、 前記基板を吸着するための吸着口と、前記基板の250
℃における体積抵抗率を10Y Ωcmとするときに基板
との接触部分の250℃における体積抵抗率が10Y-1
Ωcm以上である基板載置面とを有する基板保持部と、 前記吸着口を負圧にする負圧手段と、を備えた基板保持
装置。
1. A substrate holding device for holding a substrate by suction, comprising: a suction port for sucking the substrate; and 250 of the substrate.
When the volume resistivity at 10 ° C. is 10 Y Ωcm, the volume resistivity at 250 ° C. of the contact portion with the substrate is 10 Y-1.
A substrate holding device comprising: a substrate holding part having a substrate mounting surface of Ωcm or more; and negative pressure means for making the suction port a negative pressure.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000331910A (en) * 1999-05-20 2000-11-30 Ushio Inc Resist hardening device
JP2006517745A (en) * 2003-02-10 2006-07-27 アーエスエムエル ホールディング ナームローゼ フェンノートシャップ Integrated bake plate unit for wafer manufacturing system
KR100706534B1 (en) * 2006-02-14 2007-04-13 (주)넥스트인스트루먼트 Carrier device for display panel
JP2011003757A (en) * 2009-06-19 2011-01-06 Disco Abrasive Syst Ltd Method of dividing wafer
CN102799064A (en) * 2012-08-21 2012-11-28 郑州大学 Device for separating mask plate from substrate by electrostatic field force for metal pattern direct impression transfer

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000331910A (en) * 1999-05-20 2000-11-30 Ushio Inc Resist hardening device
JP2006517745A (en) * 2003-02-10 2006-07-27 アーエスエムエル ホールディング ナームローゼ フェンノートシャップ Integrated bake plate unit for wafer manufacturing system
KR100706534B1 (en) * 2006-02-14 2007-04-13 (주)넥스트인스트루먼트 Carrier device for display panel
JP2011003757A (en) * 2009-06-19 2011-01-06 Disco Abrasive Syst Ltd Method of dividing wafer
CN102799064A (en) * 2012-08-21 2012-11-28 郑州大学 Device for separating mask plate from substrate by electrostatic field force for metal pattern direct impression transfer

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