JPH07191324A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶表示素子の視角依存性を改善するために、
一画素に配向処理方向の異なる２領域を形成する際に生
じる、配向膜の汚損を防止し、表示不良或いは電圧保持
率の低下を防止し、不良品の発生を低減し、耐久性及び
信頼性の向上を図る。 【構成】電極基板１２上に、ラビング後にパターニング
された第１の配向膜１７ａを形成した後、第１の配向膜
１７上に第２のレジスト２２ｂをパターニングした上か
ら第２の配向膜１７ｂを塗布し、２回目のラビングを行
う。これにより第２のレジスト２２ｂが直接擦られて損
傷するおそれが無く、脱落されたレジストに擦られるこ
とにより従来生じていたラビングすじ等による表示不良
や脱落物の付着による電圧保持率の低下を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の製造方
法に係わり、特に１画素内にて２方向の配向処理を行う
液晶表示素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型軽量且つ低消費電力という利
点を有する事から、日本語ワードプロセッサやディスク
トップパーソナルコンピュータ等パーソナルＯＡ機器等
の表示装置として液晶表示素子からなる液晶表示装置が
多用されている。

【０００３】ここで用いられる液晶表示素子は、動作モ
ードで分類するとＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉ
ｃ）型、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）型、ＳＢＥ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ
ｂｒｉｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅｅｆｆｅｃｔ）型、ＧＨ
（Ｇｕｅｓｔ Ｈｏｓｔ）型、ＤＳ（ＤｙｎａｍｉｃＳ
ｃａｔｔｅｒｉｎｇ）型等、多くの種類が有るが、中で
も電界効果型のＴＮ型、ＳＴＮ型あるいはＳＥＢ型の液
晶表示素子が一般的に用いられている。

【０００４】これ等液晶表示素子のうち９０°捩じれた
分子配列を持つＴＮ型液晶は、原理的に白黒表示で、高
いコントラスト比と良好な階調表示性を示し、又応答速
度が速い（数十ミリ秒）事から、時計や電卓に単純マト
リックス駆動や、スイッチング素子を各画素毎に具備し
たアクティブマトリックス駆動を用いて応用され、又カ
ラーフィルタと組み合わせたフルカラー表示の液晶テレ
ビ等に応用されている。

【０００５】一方、９０°以上捩じれた分子配列を持つ
ＳＴＮ型液晶及び、ＳＥＢ型液晶は、急峻な電気光学特
性を有するため各画素毎に薄膜トランジスタやダイオー
ド等のスイッチング素子を配せずとも構造が単純で製造
コストが低廉な単純マトリクス型電極構造を用いて時分
割駆動により、容易に大画面表示を実現可能とされてお
り、例えばＳＥＢ型の液晶表示素子は特開昭６０−１０
７０２０号公報に開示されている。

【０００６】そしてこれ等の液晶表示素子は、一般に複
数の走査電極が列設されこれを覆うように配向膜が形成
された走査電極基板、及び複数の信号電極が列設されこ
れを覆う様に配向膜が形成された信号電極基板を夫々ラ
ビングにより配向処理した後、一方の電極基板の配向膜
表面にスペーサを散布し、次いで両電極基板を対向配置
し周囲を封止して、スペーサにより形成される間隙（セ
ルギャップ）に液晶組成物を封入して製造される。

【０００７】この液晶としてはシクロヘキサン系、エス
テル系、ビフェニール系、ピリミジン系等が用いられ、
更に液晶分子の分子軸が上下基板間で任意の方向に所定
の角度（実用上は２７０°程度が好ましいとされてい
る）捩じれる様カイラル剤が添加されている。又液晶組
成物は配向処理により、上下基板間で分子軸が５度より
大きい角度の傾斜（以下プレチルト角と略称する。）を
有して配向される様に設定されている。

【０００８】ところでこれ等の液晶表示素子は、見る角
度や、方向によってコントラスト比や表示色が変化する
という視角依存性がある。

【０００９】そこでこの視角依存性を改善するため従
来、Ｋ．Ｈ．Ｙａｎｇ（１９９１，ＩＤＲＣ，ｐ６８）
が提案した手法で一画素内に液晶分子の起き上がる方向
が１８０°異る２つの領域を設けた液晶表示素子を用い
て視角依存性を改善する手法Ｔｗｏ Ｄｏｍｅｉｎ Ｔ
Ｎ（以下ＴＤＴＮと略称する。）や、この手法を同一基
板内、一方向ラビングにて達成する方法として、Ｙ．Ｋ
ｏｉｋｅ，ｅｔ．ａｌ（１９９２，ＳＩＤ，ｐ７９８）
が提案した、一画素内にプレチルト角の異る２つの領域
を設けた事を特徴とするＤｏｍａｉｎ Ｄｉｖｉｄｅｄ
ＴＮ（以下ＤＤＴＮと略称する。）等、一画素を分子
配列の異る２つの領域に分割する手法が実施されてい
る。

【００１０】そして実際には、ＴＤＴＮに有っては図６
（ａ）に示すように、先ずガラス基板１上のポリイミド
を塗布した配向膜全面２に、矢印ｕ方向の第１回目のラ
ビングを行い、次いで、図６（ｂ）に示す様に配向膜全
面にレジスト３を塗布した後、図６（ｃ）に示す様に各
画素の下側半分を露光・現像・エッチングする事によ
り、各画素の上側半分を被覆するマスク３ａを配向膜２
上に被せ、下側画素２ｂを露出した状態で、第１回目と
１８０°方向を転換して矢印ｖ方向の第２回目のラビン
グを行い、最後にレジスト３を剥離する。これにより、
図６（ｄ）に示す様に上側画素２ａと下側画素２ｂに異
なる方向の配向処理が行われ、ガラス基板１上に異なる
領域が形成されるといういう様に、ガラス基板２上の配
向膜を、マスクを介し多重ラビングする（以下マスクラ
ビング法と称する。）事により一画素内で液晶分子の配
列方向を替える配向処理を行っていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来は、液晶表示素子
の視角依存性を改善するためのＴＤＴＮを得る手法にあ
っては、２回目のラビングを行う際に、配向処理が行わ
れる配向膜と共に、配向処理を行わない部分を被覆して
いるレジストを同時に布等で擦るため、レジスト表面が
剥離されたり或いは破損されたりしていた。このためこ
のレジスト表面からの剥離物や脱落物が配向膜表面をす
り、ラビングすじを生じ、配向膜表面の損傷により、表
示画像に白点や異物を生じいる等の不良を生じてしまう
という問題を有していた。更に、レジスト表面からの剥
離物や脱落物が配向膜表面に付着すると、液晶表示素子
の電圧保持率の低下を招き、配向処理性能の低下により
表示不良を生じたり、或いは液晶表示素子の耐久性が低
下され、画質及び信頼性の低下を招くという問題を生じ
いていた。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、基板及びこの基板上に形成される透明電極
を有し互いに対向する２枚の電極基板と、この２枚の電
極基板の間隙に液晶組成物を封入して成る液晶表示素子
の製造方法において、前記２枚の電極基板の少なくとも
一方の前記液晶組成物に接する面に第１のレジストを塗
布する工程と、前記第１のレジストの所定部分を除去し
レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパタ
ーン上から第１の配向膜を塗布する工程と、前記第１の
配向膜に第１の方向の配向処理を行う工程と、前記レジ
ストパターン及びこのレジストパターン上に積層される
第１の配向膜を除去し、前記電極基板上に前記第１の方
向に配向処理された前記第１の配向膜による第１のパタ
ーンを形成する工程と、この第１のパタ−ン上から前記
電極基板全面に第２のレジストを塗布する工程と、前記
第１のパタ−ン周囲の前記第２のレジストを除去し、第
１の配向膜及びレジストが積層される積層パターンを形
成する工程と、前記積層パターン上から前記電極基板全
面に第２の配向膜を塗布する工程と、、前記第２の配向
膜に第２の方向の配向処理を行う工程と、前記第１の配
向膜上のレジスト及びこのレジスト上に積層される第２
の配向膜を除去する工程とを実施するものである。

【００１３】

【作用】本発明は上記の様に構成され、レジストパター
ン表面に第１の配向膜を成膜した後第１の配向膜の配向
処理を行い、この後更にレジストパターン表面に第２の
配向膜を成膜した後第２の配向膜の配向処理を行う事に
より、配向処理時にあっては、レジストパターンは配向
膜に被覆されており、布等により直接摺接されないの
で、剥離等によりレジストを損傷することなく第１及び
第２の両方の配向膜の配向処理を得られる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１乃至図４
を参照して説明する。図１はＴＮ形液晶表示素子７の一
部組み立て図であり、ＴＮ形液晶表示素子７の第１及び
第２のガラス基板１０ａ、１０ｂ上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｈｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる共通電極１１ａ
及びＴＦＴ駆動素子により駆動される画素サイズ１１０
×３３０［μｍ］のＩＴＯ電極１１ｂを有する第１及び
第２の電極基板１２ａ、１２ｂを対向するよう組み立て
た状態を示しており、図２はＴＮ形液晶表示素子７の一
画素１６内に配列方向の異る［Ａ］、［Ｂ］２領域が設
けられる状態を示す一部平面図である。

【００１５】即ち第１及び第２の電極基板１２ａ、１２
ｂ上には、ポリイミド（ＡＬ−１０５１：日本合成ゴム
社製）からなり、液晶分子の配列方向が矢印ａ及び矢印
ｂに示す様に互いに１８０°異なる様配向される第１の
配向膜１７ａ及び第２の配向膜１７ｂが、交互に設けら
れるポリイミド配向膜１７が成膜されている。

【００１６】そしてこの様なポリイミド配向膜１７が成
膜される第１及び第２の電極基板１２ａ、１２ｂを、第
１の配向膜１７ａと第２の配向膜１７ｂとが互いに対向
するようスペ−サ１８を介して組み立て、液晶分子が９
０°捩じれる様にした後、シ−ル剤で接着して作製した
液晶セル２０中に液晶組成物（ＺＬＩ−１１３２：Ｅ．
Ｍｅｒｃｋ社製）２１を挾持し、更に、各画素１６の間
及び、第１の電極基板１２ａ側に第１の配向膜１７ａが
あり第２の電極基板１２ｂ側に第２の配向膜１７ｂがあ
る領域［Ａ］と、第１の電極基板１２ａ側に第２の配向
膜１７ｂがあり第２の電極基板１２ｂ側に第１の配向膜
１７ａがある領域［Ｂ］との間は、ブラックマトリクス
２３により被覆されている。

【００１７】次に電極基板１２の製造工程について述べ
る。

【００１８】（イ）共通電極１１ａが形成された第１の
ガラス基板１０ａ及びＩＴＯ電極１１ｂが形成された第
２のガラス基板１０ｂに図３（ａ）に示す様にポジ型感
光性樹脂（ＯＦＰＲ−８００：東京応化社製）からなる
第１のレジスト２２ａをスピンコータを用いて塗布す
る。

【００１９】（ロ）各画素１６の上側を露出するパタ−
ンを作製したフォトマスクを介し露光、現像を行い、図
３（ｂ）に示す様に第１のレジスト２２ａをパタ−ニン
グする。（ハ）図３（ｃ）に示す様に、パターニングさ
れた第１のレジスト２２ａ上から第１の配向膜１７ａを
塗布する。

【００２０】（ニ）図３（ｄ）に示す様に、第１の配向
膜１７ａを布で矢印ｕ方向に擦り第１回目のラビングを
行う。

【００２１】（ホ）アセトンを用いて第１のレジスト２
２ａ及び第１のレジスト２２ａ上の第１の配向膜１７ａ
を除去し、図３（ｅ）に示す様に第１の配向膜１７ａを
パターニングする。

【００２２】（ヘ）図３（ｆ）に示す様に、工程（イ）
と同様にしてパターニングされた第１の配向膜１７ａ上
から、第２のレジスト２２ｂを塗布する。

【００２３】（ト）図３（ｇ）に示す様に、第１の配向
膜１７ａ上に第２のレジストが残るように工程（ロ）で
使用したフォトマスクと逆のパターンであり、各画素１
６のした側を露出する様パターニングされたフォトマス
クを介し露光、現像を行う。

【００２４】（チ）図３（ｈ）に示す様に、パターニン
グされた第１の配向膜１７ａ及び第２のレジスト２２ｂ
上から第２の配向膜１７ｂを塗布する。

【００２５】（リ）図３（ｉ）に示す様に、第２の配向
膜１７ｂを布で矢印ｕ方向と逆の矢印ｖ方向に擦り第２
回目のラビングを行う。

【００２６】（ヌ）アセトンを用いて第２のレジスト２
２ｂ及び第２のレジスト２２ｂ上の第２の配向膜１７ｂ
を除去し、第２の配向膜１７ｂをパターニングし、図３
（ｊ）に示す様に、矢印ｕ方向に配向処理される第１の
配向膜１７ａ及び矢印ｖ方向に配向処理される第２の配
向膜１７ｂが交互に配置されるポリイミド配向膜１７が
成膜される。

【００２７】次に第１の電極基板１２ａにシール剤（図
示せず）を配置し、スペーサ１８を均等に散布した後、
第１及び第２の電極基板１２ａ、１２ｂを第１の配向膜
１７ａと第２の配向膜１７ｂとが相互に対向するように
組み合わせ、第１及び第２の電極基板１２ａ、１２ｂ間
にて液晶組成物１８が９０°捩じれる様にした後、シー
ル剤を硬化させ液晶組成物２１を収納するための液晶セ
ル２０とし、この液晶セル２０に液晶組成物２１を注入
し、ＴＮ形液晶表示素子７を完成する。これによりＴＮ
形液晶表示素子７の配向方向は、第１の電極基板１２ａ
では図２に実線で示す様になり、第２の電極基板１２ａ
では図２に点線で示す様になる。

【００２８】更に一画素１６内で液晶分子の配向方向が
異なっているため、ディスクリネーションラインが発生
するのでこのディスクリネーション発生箇所にブラック
マトリクス２３を配設する。尚、２４ａ、２４ｂは第１
及び第２の偏光板である。

【００２９】この様に構成すれば、１画素１６中に夫々
１８０°配向方向の異なる第１の配向膜１７ａ及び、第
２の配向膜１７ｂを設ける際の２回目のラビング時に、
第２のレジスト２２ｂは、第２の配向膜１７ｂに被覆さ
れており、布等により直接擦られる事が無い。従って、
第２のレジスト２２ｂが破損されその脱落物に擦られる
事によりポリイミド配向膜１７にラビングすじ等の損傷
を生じる事がなく、これら損傷が原因で表示画像上に現
れる白点や異物等の表示不良を防止出来る。

【００３０】又、ラビングの破損部分が配向膜１７に付
着する事も無く、高い電圧保持率を得られ、耐久性、信
頼性に優れた液晶表示素子を得られる。

【００３１】尚上記実施例により作製されたＴＮ形液晶
表示素子７を用い、液晶組成物２１の液晶分子の配向を
調べたところ、均一な配向が得られると共に電圧保持率
は約９９％と高かった。

【００３２】又このＴＮ形液晶表示素子７を駆動し、コ
ントラストの視角依存性を測定したところ、図４の等コ
ントラスト曲線に見られるように、全方位に於いてほぼ
均一な高品位表示を得られた。

【００３３】次に本発明の第２の実施例を図５を参照し
て説明する。尚第１の実施例のＴＮ形液晶表示素子７が
ＴＦＴ駆動素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式
であるのに対し、第２の実施例は、第３及び第４のガラ
ス基板３０ａ，３０ｂ上に夫々Ｘ方向に４８０本、Ｙ方
向に６４０本の第１及び第２の透明電極３３ａ，３３ｂ
を有する第３及び第４の電極基板３１ａ、３１ｂを対向
するよう組み立てた単純マトリクス駆動方式のＳＴＮ形
液晶表示素子２８であるが、各電極基板３１上の配向膜
３２の形成工程は、第１の実施例と同様である事からそ
の形成工程の説明を省略する。

【００３４】即ち第３及び第４の電極基板３１ａ、３１
ｂ上には、ポリイミド（ＳＥ−１５０：日産化学社製）
からなり、液晶分子の配列方向が互いに１８０°異なる
様配向される第３の配向膜３２ａ及び第４の配向膜３２
ｂが交互に設けられるポリイミド配向膜３２が成膜され
ている。

【００３５】そしてこの様なポリイミド配向膜３２が成
膜される第３及び第４の電極基板３１ａ、３１ｂを、第
３の配向膜３２ａと第４の配向膜３２ｂとが互いに対向
するようスペ−サ３３を介して組み立て、液晶分子が２
４０°捩じれる様にした後、シール剤で接着して作製し
た液晶セル３４中に、カイラル剤（Ｓ−８１１：Ｅ．Ｍ
ｅｒｃｋ社製）を添加した液晶組成物（ＺＩＬ−１１３
２：Ｅ．Ｍｅｒｃｋ社製）３５を挾持し、更に第１の実
施例と同様に、各画素間及び、第３の電極基板３１ａ側
に第３の配向膜３２ａがあり、第４の電極基板３１ｂ側
に第４の配向膜３２ｂがある領域［Ｃ］と、第３の電極
基板３１ａ側に第４の配向膜３２ｂがあり、第４の電極
基板３１ｂ側に第３の配向膜３２ａがある領域［Ｄ］と
の間は、ブラックマトリクス３６により被覆されてい
る。尚、３７ａ、３７ｂは第３及び第４の偏光板であ
る。

【００３６】この様に構成すれば、第１の実施例と同
様、形成工程において、１画素中に夫々１８０°配向方
向の異なる第３の配向膜３２ａ及び、第４の配向膜３２
ｂを設ける際の２回目のラビング時に、レジスト（図示
せず）は、第４の配向膜３２ｂに被覆されており、布等
により直接擦られる事が無い。従って、レジストの破損
によりポリイミド配向膜３２に損傷を生じる事がなく、
表示画像上の現れる白点や異物等の表示不良のを防止出
来る。

【００３７】又、ラビングの破損部分が配向膜３２に付
着する事も無く、高い電圧保持率を得られ、耐久性、信
頼性に優れた液晶表示素子を得られる。

【００３８】尚上記実施例により作製されたＳＴＮ形液
晶表示素子２８を用い液晶分子の配向を調べたところ、
２４０°捩じれの均一な配向が得られている事が確認さ
れた。

【００３９】又このＳＴＮ形液晶表示素子２８を駆動
し、コントラストの視角依存性を測定したところ、実施
例１と同様、全方位に於いてほぼ均一な高品位表示を得
られた。

【００４０】これに対し第１の実施例と同じ画素電極を
有する電極基板１２に、図６で示した従来の形成工程に
より、矢印ｕ方向及び矢印ｖ方向に交互に配向処理され
たＡＬ−１０５１（日本合成ゴム社製）のポリイミド配
向膜１７を成膜した電極基板１２を用いて［比較例１］
の液晶表示素子を作製し、これを駆動したところ、コン
トラストの視覚依存性に関しては、実施例とほぼ同様の
広い視野角が得られたものの、液晶分子の配向を調べた
ところ、ラビングすじやレジストの破片の付着等による
と思われる液晶セル厚の不均一領域が発生し、画像に白
点や異物を生じる一方、電圧保持率も９０％と低く、本
発明に比し、画質或いは耐久性や信頼性に劣る事が判明
された。

【００４１】次に、第１の実施例と同じ画素電極を有す
る電極基板１２に、マスクラビングを行わず、同一方向
に配向処理されたポリイミド配向膜を形成し、他は、第
１の実施例と同様にして［比較例２］の液晶表示素子を
作製し、これを駆動したところ、コントラストの視覚依
存性は、上下の視野が非対称となってしまい、視認性が
低下され、良好な画像が得られなかった。

【００４２】尚本発明は上記実施例に限られるものでな
く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であって、
例えば第１の配向膜と第２の配向膜を構成する材質や膜
厚は任意であるが、良好な電気光学特性及び、耐久性並
びに信頼性を得るには、第１及び第２の配向膜の材質が
同じであり且つ膜厚も同程度であることがより好まし
い。

【００４３】更に液晶セルに注入される液晶はＳＴＮ
型、ＳＢＥ型等全く任意であるし、液晶表示素子の駆動
手段も薄膜トランジスタや薄膜ダイオードを用いたアク
ティブマトリックス駆動によるものや、あるいはスイッ
チング素子を用いない単純マトリックス電極構造による
マルチプレックス駆動等によるものであっても良い。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、液
晶表示素子の視角依存性を改善する為に、方向の異なる
ラビングを２回繰返す事により、１画素中に配向処理方
向の異なる配向膜を形成する際、２回目のラビング時に
レジストを直接擦る事がないので、従来に比し、破損さ
れたレジストにより配向膜を損傷したり、或いはレジス
トの付着により配向膜が汚損される事が無く、白点や異
物等の発生を防止し、不良品の発生を低減出来る。又、
高い電圧保持率を得られ、耐久性及び信頼性を向上出来
る。

【００４５】しかも全方位にわたりほぼ均一で高品位の
画像を得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の液晶表示素子を示す一
部組み立て図である。

【図２】本発明の第１の実施例の液晶表示素子の一部平
面図である。

【図３】本発明の第１の実施例の電極基板上のポリイミ
ド配向膜の形成工程を示す説明図であり、（ａ）は第１
のレジストを塗布した状態を示す説明図、（ｂ）は第１
のレジストのパターニングをした状態を示す説明図、
（ｃ）は第１の配向膜を成膜した状態を示す説明図、
（ｄ）は矢印ｕ方向にラビングした状態を示す説明図、
（ｅ）は第１のレジストを除去し第１の配向膜をパター
ニングした状態を示す説明図、（ｆ）は第２のレジスト
を塗布した状態を示す説明図、（ｇ）は第２のレジスト
をパターニングした状態を示す説明図、（ｈ）は第２の
配向膜を塗布した状態を示す説明図、（ｉ）は矢印ｖ方
向にラビングした状態を示す説明図、（ｊ）は第２のレ
ジストを除去しポリイミド配向膜が成膜された状態を示
す説明図である。

【図４】本発明の第１の実施例による液晶表示素子の等
コントラスト特性を示すグラフである

【図５】本発明の第２の実施例の液晶表示素子を示す一
部組み立て図である。

【図６】従来の装置の電極基板上のポリイミド配向膜の
形成工程を示す説明図であり、（ａ）はポリイミド配向
膜に１回目のラビングをした状態を示す説明図、（ｂ）
はレジストを塗布した状態を示す説明図、（ｃ）はレジ
ストをパターニングした後２回目のラビングをした状態
を示す説明図、（ｄ）はレジストを剥離しポリイミド配
向膜を完成した状態を示す説明図である。

【符号の説明】

７…ＴＮ形液晶表示素子 １０ａ、１０ｂ…第１及び第２のガラス基板 １１ａ…共通電極 １１ｂ…ＩＴＯ電極 １２ａ、１２ｂ…第１及び第２の電極基板 １６…画素 １７…ポリイミド配向膜 １７ａ…第１の配向膜 １７ｂ…第２の配向膜 ２１…液晶組成物 ２２ａ…第１のレジスト ２２ｂ…第２のレジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久武 雄三 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 羽藤 仁 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板及びこの基板上に形成される透明電
   極を有し互いに対向する２枚の電極基板と、この２枚の
   電極基板の間隙に液晶組成物を封入して成る液晶表示素
   子の製造方法において、前記２枚の電極基板の少なくと
   も一方の前記液晶組成物に接する面に第１のレジストを
   塗布する工程と、前記第１のレジストの所定部分を除去
   しレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパ
   ターン上から第１の配向膜を塗布する工程と、前記第１
   の配向膜に第１の方向の配向処理を行う工程と、前記レ
   ジストパターン及びこのレジストパターン上に積層され
   る第１の配向膜を除去し、前記電極基板上に前記第１の
   方向に配向処理された前記第１の配向膜による第１のパ
   ターンを形成する工程と、この第１のパタ−ン上から前
   記電極基板全面に第２のレジストを塗布する工程と、前
   記第１のパタ−ン周囲の前記第２のレジストを除去し、
   第１の配向膜及びレジストが積層される積層パターンを
   形成する工程と、前記積層パターン上から前記電極基板
   全面に第２の配向膜を塗布する工程と、、前記第２の配
   向膜に第２の方向の配向処理を行う工程と、前記第１の
   配向膜上のレジスト及びこのレジスト上に積層される第
   ２の配向膜を除去する工程とを具備する事を特徴とする
   液晶表示素子の製造方法。