JPH07188975A - Electroplating method - Google Patents
Electroplating methodInfo
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- JPH07188975A JPH07188975A JP33184993A JP33184993A JPH07188975A JP H07188975 A JPH07188975 A JP H07188975A JP 33184993 A JP33184993 A JP 33184993A JP 33184993 A JP33184993 A JP 33184993A JP H07188975 A JPH07188975 A JP H07188975A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば薄膜磁気ヘッド
のコア磁極、コイル導体等のように、均一な厚さの薄膜
であって、しかも、合金組成が均一なメッキ皮膜を形成
し得る電気メッキ方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electric film which can form a plating film having a uniform thickness and a uniform alloy composition, such as a core pole and a coil conductor of a thin film magnetic head. Regarding plating method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドのコア磁極、コイル導体
等においては、厚さが２〜３μｍの均一な薄膜となるよ
うに、しかも、合金組成のばらつきが極力小さくなるよ
うに、メッキする必要がある。2. Description of the Related Art It is necessary to plate core magnetic poles, coil conductors, etc. of a thin film magnetic head so as to form a uniform thin film having a thickness of 2 to 3 .mu.m and to minimize variations in alloy composition. is there.
【０００３】図４は、従来の薄膜磁気ヘッドのコア磁極
となる薄膜を電気メッキする方法の実施状態の一例を示
す斜視図である。この電気メッキ方法では、合金メッキ
される表面が導電性になった正方形状の基板５０が、基
板ホルダー６０内に支持されている。基板５０は、メッ
キされる表面が導電性であれば、基板５０全体が導電性
であってもよく、また、絶縁性基板の表面に導電性膜や
導電性層を被覆したものであってもよい。平板状をした
基板ホルダー６０の中央部には、基板５０が嵌入する凹
部６１が設けられており、その凹部６１内に基板５０が
嵌入されている。基板ホルダー６０の凹部６１は、正方
形状をした基板５０表面よりも若干大きな正方形状の開
口部を有している。FIG. 4 is a perspective view showing an example of an implementation state of a method of electroplating a thin film to be a core magnetic pole of a conventional thin film magnetic head. In this electroplating method, a square substrate 50 whose surface to be alloy-plated is conductive is supported in a substrate holder 60. The substrate 50 may be entirely conductive as long as the surface to be plated is conductive, or the surface of the insulating substrate may be coated with a conductive film or a conductive layer. Good. A concave portion 61 into which the substrate 50 is fitted is provided in the center of the flat plate-shaped substrate holder 60, and the substrate 50 is fitted into the concave portion 61. The recess 61 of the substrate holder 60 has a square opening that is slightly larger than the surface of the square substrate 50.
【０００４】基板５０は、合金メッキされる導電性の表
面が、基板ホルダー６０の凹部６１の周囲の表面と同一
平面上に位置するように、凹部６１内に嵌入されてい
る。The substrate 50 is fitted in the recess 61 so that the conductive surface to be alloy-plated is flush with the surface around the recess 61 of the substrate holder 60.
【０００５】基板ホルダー６０の凹部６１における開口
部の対向する各側縁部に近接した基板ホルダー６０の表
面には、凹部６１内に嵌入された基板５０のメッキされ
る表面に電気的に接続される各一対の通電用電極６２が
それぞれ設けられている。The surface of the substrate holder 60, which is close to the opposite side edges of the opening of the recess 61 of the substrate holder 60, is electrically connected to the plated surface of the substrate 50 fitted in the recess 61. A pair of energizing electrodes 62 are provided respectively.
【０００６】基板ホルダー６０の表面に設けられた通電
用電極１２は導電性を有しているが、基板ホルダー６０
の表面は絶縁状態になっている。The current-carrying electrode 12 provided on the surface of the substrate holder 60 has conductivity, but the substrate holder 60
The surface of is insulated.
【０００７】このようにして、基板ホルダー６０内に保
持された基板５０は、対向アノード電極が基板５０に対
向されてメッキ浴内に浸漬され、基板５０のメッキされ
る表面および対向アノード電極に直流電流が供給され
る。これにより、基板５０の表面がメッキされる。In this way, the substrate 50 held in the substrate holder 60 is immersed in a plating bath with the counter anode electrode facing the substrate 50, and the direct current is applied to the surface of the substrate 50 to be plated and the counter anode electrode. Electric current is supplied. As a result, the surface of the substrate 50 is plated.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このような方法によっ
て、基板５０にパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）メッキ膜
を形成すると、図５に示すように、基板５０上に形成さ
れるメッキ膜５１は、基板５０の周縁部において厚くな
ってしまう。これは、メッキされる基板５０表面の周縁
部に直流電流が集中して供給されるために発生すると考
えられる。その結果、基板５０内での形成されるメッキ
膜５１の膜厚分布が６０％以上にばらつくという問題が
ある。同時に、基板５０表面に形成されるメッキ膜５１
の合金組成も約１０％にもばらつくという問題がある。When a permalloy (Ni-Fe alloy) plating film is formed on the substrate 50 by such a method, the plating film 51 formed on the substrate 50 is formed as shown in FIG. The thickness increases at the peripheral portion of the substrate 50. This is considered to occur because the DC current is concentratedly supplied to the peripheral portion of the surface of the substrate 50 to be plated. As a result, there is a problem that the film thickness distribution of the plated film 51 formed in the substrate 50 varies by 60% or more. At the same time, the plating film 51 formed on the surface of the substrate 50
There is a problem that the alloy composition of No. 1 also varies to about 10%.
【０００９】このような問題を解決するために、例え
ば、メッキ浴の撹拌、基板５０および対向アノード電極
に対する間欠的な通電、基板５０および対向アノード電
極に対する通電極性の切替え、メッキする基板５０と対
向アノード電極との距離の変更等が行われている。しか
しながら、薄膜磁気ヘッドのコア磁極、コイル導体のよ
うに、２〜３μｍという非常に薄い膜厚であって、合金
組成のばらつきも極力小さなメッキ膜を必要とする場合
には、十分に満足できるメッキ膜が得られていないのが
現状である。In order to solve such a problem, for example, the plating bath is agitated, the substrate 50 and the counter anode electrode are intermittently energized, the energization polarities of the substrate 50 and the counter anode electrode are switched, and the plating substrate 50 is used. The distance to the opposing anode electrode is changed and so on. However, when a plating film having a very thin film thickness of 2 to 3 μm and a variation in alloy composition as small as possible, such as a core magnetic pole or a coil conductor of a thin film magnetic head, a plating that is sufficiently satisfactory is used. The current situation is that no film has been obtained.
【００１０】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、均一な薄膜のメッキ膜が得られる
とともに、メッキ膜の合金組成のばらつきも極力抑制で
きる電気メッキ方法を提供することにある。The present invention is intended to solve such a problem, and an object thereof is to provide an electroplating method capable of obtaining a uniform thin film plating film and suppressing variations in the alloy composition of the plating film as much as possible. Especially.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の電気メッキ方法
は、基板のメッキ膜が形成される導電性表面に隣接して
ダミー電極を配置し、その導電性表面およびダミー電極
に適当な間隔をあけて対向電極を対向させてメッキ浴内
に浸漬した状態で、導電性表面およびダミー電極と対向
電極とに通電して導電性表面にメッキすることを特徴と
するものであり、そのことにより上記目的が達成され
る。In the electroplating method of the present invention, a dummy electrode is arranged adjacent to a conductive surface of a substrate on which a plating film is formed, and the conductive surface and the dummy electrode are appropriately spaced. It is characterized in that the conductive surface and the dummy electrode and the counter electrode are energized to plate the conductive surface in a state where the counter electrode is opened and the counter electrode is immersed in the plating bath. The purpose is achieved.
【００１２】前記ダミー電極は基板における導電性表面
を取り囲んだ状態になっていることが好ましい。It is preferable that the dummy electrode surrounds the conductive surface of the substrate.
【００１３】また、前記基板の導電性表面およびダミー
電極は、供給される電流を個別に制御し得ることが好ま
しい。Further, it is preferable that the conductive surface of the substrate and the dummy electrode can individually control the supplied current.
【００１４】[0014]
【作用】本発明の電気メッキ方法では、基板におけるメ
ッキ膜が形成される導電性表面と、その導電性表面に隣
接して配置されたダミー電極とに、それぞれ通電される
ために、導電性表面におけるダミー電極が隣接した側縁
部に電流が集中するおそれがなく、導電性表面の全体に
わたって均一な厚さ、および、均一な合金組成のメッキ
膜が形成される。In the electroplating method of the present invention, since the conductive surface of the substrate on which the plating film is formed and the dummy electrode disposed adjacent to the conductive surface are respectively energized, the conductive surface is formed. There is no risk of current concentration on the side edges of the dummy electrodes adjacent to each other, and a plating film having a uniform thickness and a uniform alloy composition is formed over the entire conductive surface.
【００１５】基板における導電性表面の周縁部全体をダ
ミー電極によって取り囲むことにより、導電性表面の全
ての周縁部においてメッキ膜が厚くなるおそれがなく、
導電性表面に形成されるメッキ膜の膜厚分布および合金
組成分布のばらつきが一層抑制される。By surrounding the entire peripheral portion of the conductive surface of the substrate with the dummy electrode, there is no fear that the plating film becomes thick on all the peripheral portions of the conductive surface.
Variations in the film thickness distribution and alloy composition distribution of the plated film formed on the conductive surface are further suppressed.
【００１６】導電性表面およびダミー電極に供給される
電流を個々に制御することによって、膜厚および合金組
成のばらつきが抑制される最良の電流供給状態が容易に
得られる。By individually controlling the current supplied to the conductive surface and the dummy electrode, the best current supply state in which variations in film thickness and alloy composition are suppressed can be easily obtained.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】図１は、本発明の電気メッキ方法の実施状
態の一例を示す斜視図である。本実施例では、薄膜磁気
ヘッドのコア磁極となる薄膜を電気メッキして形成する
ものであり、合金メッキされる表面が導電性になった正
方形状の基板２０が、基板ホルダー１０内に支持されて
いる。平板状をした基板ホルダー１０の中央部には、基
板２０が嵌入する凹部１１が設けられており、その凹部
１１内に基板２０が嵌入されている。基板ホルダー１０
の凹部１１は、正方形状をした基板２０表面よりも若干
大きな正方形状の開口部を有している。FIG. 1 is a perspective view showing an example of an implementation state of the electroplating method of the present invention. In the present embodiment, a thin film to be a core magnetic pole of a thin film magnetic head is formed by electroplating, and a square substrate 20 having an electrically conductive alloy-plated surface is supported in a substrate holder 10. ing. A recess 11 into which the substrate 20 is fitted is provided in the center of the plate-shaped substrate holder 10, and the substrate 20 is fitted into the recess 11. Board holder 10
The concave portion 11 has a square opening slightly larger than the surface of the square substrate 20.
【００１９】基板ホルダー１０における凹部１１の周囲
には、この凹部１１を全周にわたって取り囲むように隣
接したダミー電極３０が配置されている。ダミー電極３
０は、凹部１１の正方形状の開口部の周縁部とは若干の
間隔をあけた状態で、この開口部の周囲の基板ホルダー
１０表面に積層されている。Adjacent dummy electrodes 30 are arranged around the recess 11 in the substrate holder 10 so as to surround the recess 11 all around. Dummy electrode 3
0 is stacked on the surface of the substrate holder 10 around the opening of the recess 11 with a slight gap from the peripheral edge of the square opening.
【００２０】基板２０は、合金メッキされる導電性表面
が、基板ホルダー１０の表面に積層されたダミー電極３
０の表面と同一平面上に位置するように、凹部１１内に
嵌入されている。The substrate 20 has a conductive surface to be alloy-plated, and the dummy electrode 3 is laminated on the surface of the substrate holder 10.
It is fitted in the recess 11 so as to be located on the same plane as the surface of 0.
【００２１】基板ホルダー１０の凹部１１における開口
部の対向する各側縁部に近接した基板ホルダー１０の表
面には、凹部１１内に嵌入された基板２０のメッキされ
る表面に電気的に接続される各一対の通電用電極１２が
それぞれ設けられている。On the surface of the substrate holder 10 near the opposite side edges of the opening of the recess 11 of the substrate holder 10, the surface of the substrate 20 fitted in the recess 11 is electrically connected to the plated surface. A pair of energizing electrodes 12 are provided respectively.
【００２２】基板ホルダー１０の表面に設けられた通電
用電極１２およびダミー電極３０は導電性を有している
が、基板ホルダー１０の表面は絶縁状態になっている。The current-carrying electrode 12 and the dummy electrode 30 provided on the surface of the substrate holder 10 have conductivity, but the surface of the substrate holder 10 is in an insulating state.
【００２３】基板２０は、メッキされる表面が導電性で
あれば、基板２０全体が導電性であってもよく、また、
絶縁性基板の表面に導電性膜や導電性層を被覆したもの
であってもよい。The substrate 20 may be entirely conductive, provided that the surface to be plated is conductive, and
The surface of the insulating substrate may be coated with a conductive film or a conductive layer.
【００２４】図２は、図１に示した電気メッキ方法の実
施状態の回路の概略図である。基板２０におけるメッキ
される表面に接続された２対の通電用電極１２（図１参
照）は、一括されて第１可変抵抗器４１に接続されてい
る。この第１可変抵抗器４１は、メッキ電源４３の陰極
に接続されている。また、メッキ電源４３の陰極には、
第１可変抵抗器４１とは並列になった第２可変抵抗器４
２が接続されており、この第２可変抵抗器４２がダミー
電極３０に接続されている。メッキ電源４３の陽極に
は、対向アノード電極４４が接続されている。対向アノ
ード電極４４は、基板ホルダー１０内に保持された基板
２０のメッキされる表面に対向した状態になっている。FIG. 2 is a schematic diagram of a circuit in an implementation state of the electroplating method shown in FIG. The two pairs of energizing electrodes 12 (see FIG. 1) connected to the surface of the substrate 20 to be plated are collectively connected to the first variable resistor 41. The first variable resistor 41 is connected to the cathode of the plating power source 43. In addition, the cathode of the plating power source 43,
The second variable resistor 4 in parallel with the first variable resistor 41
2 is connected, and the second variable resistor 42 is connected to the dummy electrode 30. A counter anode electrode 44 is connected to the anode of the plating power source 43. The counter anode electrode 44 is in a state of facing the surface to be plated of the substrate 20 held in the substrate holder 10.
【００２５】基板２０が保持された基板ホルダー１０お
よび対向アノード電極４４は、相互に対向した状態でメ
ッキ浴内に浸漬される。そして、第１抵抗器４１および
第２抵抗器４２をそれぞれ調整して、基板２０の導電性
になった表面、および、その周囲のダミー電極３０に、
それぞれ所定の電流が通電されるとともに、基板２０表
面に対向した対向アノード電極４４にも、メッキ電源４
３から所定の電流が通電される。これにより、基板２０
表面、および、ダミー電極３０表面に、メッキ浴内の金
属イオンが析出されて、それらの表面がメッキされる。The substrate holder 10 holding the substrate 20 and the counter anode electrode 44 are immersed in the plating bath while facing each other. Then, by adjusting the first resistor 41 and the second resistor 42 respectively, the conductive surface of the substrate 20 and the dummy electrode 30 around it are
When a predetermined current is applied to each of the electrodes, the plating power supply 4 is also applied to the counter anode electrode 44 facing the surface of the substrate 20.
A predetermined current is supplied from 3. As a result, the substrate 20
Metal ions in the plating bath are deposited on the surface and the surface of the dummy electrode 30 to plate those surfaces.
【００２６】このようにして基板２０表面をメッキした
ところ、図３に示すように、基板２０の周縁部がダミー
電極３０によって取り囲まれて、そのダミー電極３０に
通電されていることによって、基板２０の周縁部に電流
が集中せず、その結果、基板２０の周縁部におけるメッ
キ膜２１の膜厚が、基板２０の中央部に比べてもほとん
ど厚くならずに、全体にわたってほぼ均一な膜厚のメッ
キ膜２１が得られる。しかも、ダミー電極３０にて囲ま
れた基板２０表面に金属イオンがほぼ均一に供給される
ことにより、メッキ膜２１の金属イオン組成もばらつく
ことなく均一になる。When the surface of the substrate 20 is plated in this way, as shown in FIG. 3, the peripheral portion of the substrate 20 is surrounded by the dummy electrodes 30 and the dummy electrodes 30 are energized. Current does not concentrate on the peripheral portion of the substrate 20. As a result, the film thickness of the plating film 21 on the peripheral portion of the substrate 20 is not much thicker than that of the central portion of the substrate 20, and the film thickness is almost uniform throughout. The plating film 21 is obtained. Moreover, since the metal ions are almost uniformly supplied to the surface of the substrate 20 surrounded by the dummy electrode 30, the metal ion composition of the plating film 21 is uniform without variation.
【００２７】例えば、基板２０およびダミー電極３０そ
れぞれに等しい電流を通電して、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆ
ｅ合金）のメッキ膜を基板２０の表面に形成したとこ
ろ、基板２０表面におけるメッキ膜２１の膜厚の分布は
約１０％になった。これに対して、ダミー電極３０を設
けない従来の電気メッキ方法の場合には、図５に示すよ
うに、基板２０の周縁部においてパーマロイのメッキ膜
の膜厚が大きくなり、基板２０の表面におけるメッキ膜
５１の膜厚分布は約６０％となった。このように、本発
明方法では、メッキ膜の膜厚分布が大きく改善されてい
ることが判明した。また、同様の条件で、本発明方法に
よってパーマロイのメッキ膜を基板２０に形成した場合
には、基板２０内での組成のばらつきが４％程度になっ
ていたのに対して、従来方法による場合には、メッキ膜
の組成のばらつきが１０％程度であり、メッキ膜におけ
る合金組成のばらつきも大きく改善されていた。For example, an equal current is applied to each of the substrate 20 and the dummy electrode 30, and the permalloy (Ni--F) is supplied.
When a plating film of (e alloy) was formed on the surface of the substrate 20, the distribution of the film thickness of the plating film 21 on the surface of the substrate 20 was about 10%. On the other hand, in the case of the conventional electroplating method in which the dummy electrode 30 is not provided, as shown in FIG. 5, the film thickness of the permalloy plating film increases at the peripheral portion of the substrate 20 and the surface of the substrate 20 is reduced. The thickness distribution of the plated film 51 was about 60%. Thus, it was found that the method of the present invention greatly improved the film thickness distribution of the plated film. Further, under the same conditions, when the permalloy plating film was formed on the substrate 20 by the method of the present invention, the composition variation in the substrate 20 was about 4%, whereas by the conventional method. However, the variation in the composition of the plated film was about 10%, and the variation in the alloy composition in the plated film was greatly improved.
【００２８】このように、メッキされる基板２０の表面
を取り囲むように、ダミー電極３０を配置して通電する
ことによって、基板２０表面に形成されるメッキの膜厚
および組成の分布のばらつきは大きく改善されるが、基
板２０表面に対するダミー電極３０の配置、ダミー電極
３０の面積、ダミー電極３０に対する通電量を適宜変更
することによって、あるいは、基板２０の面積を適宜設
定することによって、メッキの膜厚および組成の分布の
ばらつきをさらに改善することができる。上記実施例の
ように、基板２０表面に対する供給電流値と、ダミー電
極３０に対する供給電流値とを、それぞれ個別に制御で
きる場合には、ダミー電極３０の表面積を一定にした状
態で、基板２０およびダミー電極３０に対する供給電流
値を適宜変更することによって、メッキの膜厚分布およ
び組成分布のばらつきを、容易に改善することができ
る。As described above, by disposing the dummy electrode 30 so as to surround the surface of the substrate 20 to be plated and energizing, the distribution of the film thickness and the composition of the plating formed on the surface of the substrate 20 is greatly varied. Although improved, the plating film can be formed by appropriately changing the arrangement of the dummy electrode 30 on the surface of the substrate 20, the area of the dummy electrode 30, the amount of electricity applied to the dummy electrode 30, or the area of the substrate 20. Variations in thickness and composition distribution can be further improved. When the supply current value to the surface of the substrate 20 and the supply current value to the dummy electrode 30 can be individually controlled as in the above embodiment, the surface area of the dummy electrode 30 is kept constant and the substrate 20 and By appropriately changing the supply current value to the dummy electrode 30, it is possible to easily improve the variation in the plating film thickness distribution and the composition distribution.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明の電気メッキ方法は、このよう
に、基板におけるメッキ膜が形成される導電性表面に隣
接してダミー電極を配置し、導電性表面上およびダミー
電極上にメッキ膜を形成することによって、導電性表面
の周縁部においてメッキ膜が厚くなることを抑制するこ
とができ、さらには、メッキ膜の合金組成のばらつきも
抑制することができる。その結果、基板の導電性表面上
に均一な薄膜のメッキ膜を、均一な合金組成で形成する
ことができる。As described above, according to the electroplating method of the present invention, the dummy electrode is arranged adjacent to the conductive surface of the substrate on which the plated film is formed, and the plated film is formed on the conductive surface and the dummy electrode. By forming it, it is possible to prevent the plating film from thickening in the peripheral portion of the conductive surface, and further it is possible to suppress variations in the alloy composition of the plating film. As a result, a uniform thin film plating film can be formed on the conductive surface of the substrate with a uniform alloy composition.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の電気メッキ方法による基板の保持状態
の一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a holding state of a substrate by an electroplating method of the present invention.
【図２】その電気メッキ方法の実施状態の電気回路の一
例を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing an example of an electric circuit in an implementation state of the electroplating method.
【図３】図１に示す電気メッキ方法によってメッキ膜が
形成された基板の中央断面図である。3 is a central cross-sectional view of a substrate on which a plating film is formed by the electroplating method shown in FIG.
【図４】従来の電気メッキ方法による基板の保持状態の
一例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a holding state of a substrate by a conventional electroplating method.
【図５】図４に示す電気メッキ方法によってメッキ膜が
形成された基板の中央断面図である。5 is a central cross-sectional view of a substrate on which a plating film is formed by the electroplating method shown in FIG.
１０ 基板ホルダー １１ 凹部 １２ 通電用電極 ２０ 基板 ２１ メッキ膜 ３０ ダミー電極 ４１ 第１可変抵抗器 ４２ 第２可変抵抗器 ４３ メッキ電源 ４４ 対向アノード電極 10 Substrate Holder 11 Recess 12 Electrode for Conducting 20 Substrate 21 Plating Film 30 Dummy Electrode 41 First Variable Resistor 42 Second Variable Resistor 43 Plating Power Supply 44 Counter Anode Electrode
Claims (3)
に隣接してダミー電極を配置し、その導電性表面および
ダミー電極に適当な間隔をあけて対向電極を対向させて
メッキ浴内に浸漬した状態で、導電性表面およびダミー
電極と対向電極とに通電して導電性表面にメッキするこ
とを特徴とする電気メッキ方法。1. A dummy electrode is disposed adjacent to a conductive surface of a substrate on which a plating film is formed, and a counter electrode is made to oppose the conductive surface and the dummy electrode with an appropriate interval so as to be placed in a plating bath. An electroplating method characterized by energizing a conductive surface and a dummy electrode and a counter electrode in an immersed state to plate the conductive surface.
面を取り囲んだ状態になっている請求項１に記載の電気
メッキ方法。2. The electroplating method according to claim 1, wherein the dummy electrode surrounds a conductive surface of the substrate.
は、供給される電流を個別に制御し得る請求項１に記載
の電気メッキ方法。3. The electroplating method according to claim 1, wherein the conductive surface of the substrate and the dummy electrode can individually control the supplied current.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33184993A JPH07188975A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Electroplating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33184993A JPH07188975A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Electroplating method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07188975A true JPH07188975A (en) | 1995-07-25 |
Family
ID=18248347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33184993A Pending JPH07188975A (en) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | Electroplating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07188975A (en) |
Cited By (2)
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| KR20190059209A (en) * | 2017-11-22 | 2019-05-30 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Method for determining feed point arrangement in electroplating device and electroplating device for plating a rectangular substrate |
| JP2022081023A (en) * | 2020-11-19 | 2022-05-31 | トヨタ自動車株式会社 | Deposition apparatus and deposition method of metal film |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33184993A patent/JPH07188975A/en active Pending
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