JPH0718185Y2 - セラミックフィルタ回路 - Google Patents
セラミックフィルタ回路Info
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- JPH0718185Y2 JPH0718185Y2 JP1985094094U JP9409485U JPH0718185Y2 JP H0718185 Y2 JPH0718185 Y2 JP H0718185Y2 JP 1985094094 U JP1985094094 U JP 1985094094U JP 9409485 U JP9409485 U JP 9409485U JP H0718185 Y2 JPH0718185 Y2 JP H0718185Y2
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- ceramic filter
- characteristic
- gdt
- frequency
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Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、例えばHi-Fi、FMチューナの中間周波フィル
タとして用いられるエネルギー閉じ込め型のセラミック
フィルタ回路に関する。
タとして用いられるエネルギー閉じ込め型のセラミック
フィルタ回路に関する。
〈従来の技術〉 この種のセラミックフィルタ回路を構成するセラミック
フィルタとしては、第10図に示すように、複数個のセラ
ミックフィルタ素子f1及びf2を縦続的に多段接続し、段
間にコンデンサC1を接続したものが知られている。第11
図及び第12図は、第10図に示したセラミックフィルタの
具体的な構造を示す図で、平板状の圧電基板１の一面
に、間隔g1をおいて、互いに導通する駆動電極21、31を
形成すると共に、反対側の他面上の、前記駆動電極21、
31の配設位置と対向する位置に、分割された駆動電極
（22、23）、（32、33）を形成した構造となっている。
駆動電極22-23及び32-33は、ギャップG1及びG2を介して
対向配置させてある。
フィルタとしては、第10図に示すように、複数個のセラ
ミックフィルタ素子f1及びf2を縦続的に多段接続し、段
間にコンデンサC1を接続したものが知られている。第11
図及び第12図は、第10図に示したセラミックフィルタの
具体的な構造を示す図で、平板状の圧電基板１の一面
に、間隔g1をおいて、互いに導通する駆動電極21、31を
形成すると共に、反対側の他面上の、前記駆動電極21、
31の配設位置と対向する位置に、分割された駆動電極
（22、23）、（32、33）を形成した構造となっている。
駆動電極22-23及び32-33は、ギャップG1及びG2を介して
対向配置させてある。
41及び42は第10図のコンデンサC1を構成する電極であ
り、電極41は駆動電極21、31に接続され、電極42は駆動
電極23、33にそれぞれ接続されている。
り、電極41は駆動電極21、31に接続され、電極42は駆動
電極23、33にそれぞれ接続されている。
５〜７はリード端子であり、リード端子５は電極41から
延長された引出電極部41aに、リード端子６は駆動電極2
2から延長された引出電極部22aに、リード端子７は駆動
電極32から延長された引出電極部32aに、それぞれ半田
付け固定されている。
延長された引出電極部41aに、リード端子６は駆動電極2
2から延長された引出電極部22aに、リード端子７は駆動
電極32から延長された引出電極部32aに、それぞれ半田
付け固定されている。
エネルギー閉じ込め型セラミックフィルタの完成品とし
ては、良く知られているように、駆動電極21〜23、31〜
33のある振動部のまわりに空洞部が生じるようにして、
全体に絶縁樹脂を被覆させた構造となる。
ては、良く知られているように、駆動電極21〜23、31〜
33のある振動部のまわりに空洞部が生じるようにして、
全体に絶縁樹脂を被覆させた構造となる。
〈考案が解決しようとする課題〉 ところで、Hi-Fi FMチューナの中間周波フィルタは、低
歪率実現の要求から、群遅延時間−周波数特性（以下GD
T特性と称する）が平坦なものが望まれる。ところが、
第10図〜第12図に示す従来のセラミックフィルタは、GD
T特性が第13図の曲線La1で示すように、中間部で凹むＵ
型GDT特性となり、平坦なGDT特性を得ることができなか
った。第13図において、曲線Lb1は振幅特性である。
歪率実現の要求から、群遅延時間−周波数特性（以下GD
T特性と称する）が平坦なものが望まれる。ところが、
第10図〜第12図に示す従来のセラミックフィルタは、GD
T特性が第13図の曲線La1で示すように、中間部で凹むＵ
型GDT特性となり、平坦なGDT特性を得ることができなか
った。第13図において、曲線Lb1は振幅特性である。
このため、第10図に示したセラミックフィルタは、複数
個のものを多段接続した場合、各セラミックフィルタに
おけるＵ型のGDT特性が重畳され、Ｕ型特性が一層強く
なってしまうと言う問題点があった。例えば、第14図に
示すように、第10図に示した回路構成の２つのセラミッ
クフィルタF1及びF2を、増幅器AMPを挟んで多段接続し
た場合、セラミックフィルタF1及びF2の持つＵ型のGDT
特性が互いに重畳され、第15図の曲線La2で示すよう
に、凹みの程度が一層強くなってしまうのである。第14
図において、Ｓは信号源、Rsは信号源側の抵抗で、Rs＝
330Ωとした。また、増幅器AMPの入力抵抗Rin＝50Ω、
出力抵抗Rout＝50Ωとし、入力側及び出力側に270Ωの
抵抗を接続した。RLは終端抵抗でRL＝330Ωとした。第1
5図の曲線Lb2は振幅特性である。
個のものを多段接続した場合、各セラミックフィルタに
おけるＵ型のGDT特性が重畳され、Ｕ型特性が一層強く
なってしまうと言う問題点があった。例えば、第14図に
示すように、第10図に示した回路構成の２つのセラミッ
クフィルタF1及びF2を、増幅器AMPを挟んで多段接続し
た場合、セラミックフィルタF1及びF2の持つＵ型のGDT
特性が互いに重畳され、第15図の曲線La2で示すよう
に、凹みの程度が一層強くなってしまうのである。第14
図において、Ｓは信号源、Rsは信号源側の抵抗で、Rs＝
330Ωとした。また、増幅器AMPの入力抵抗Rin＝50Ω、
出力抵抗Rout＝50Ωとし、入力側及び出力側に270Ωの
抵抗を接続した。RLは終端抵抗でRL＝330Ωとした。第1
5図の曲線Lb2は振幅特性である。
更に、第13図及び第15図の比較から明らかなように、第
10図に示したセラミックフィルタを単独で用いた場合の
振幅特性Lb1（第13図参照）よりも、第10図に示した回
路構成の２つのセラミックフィルタF1及びF2を、増幅器
AMPを挟んで多段接続した場合の振幅特性Lb2（第15図参
照）の方が、シャープである。このことは、第10図に示
したセラミックフィルタを多段接続すると、選択特性が
向上することを意味する。ところが、前述したように、
セラミックフィルタを多段接続するとGDT特性が悪化す
る。即ち、従来の技術によっては、GDT特性の平坦化
と、周波数選択特性の改善とを同時に達成することはで
きなかった。
10図に示したセラミックフィルタを単独で用いた場合の
振幅特性Lb1（第13図参照）よりも、第10図に示した回
路構成の２つのセラミックフィルタF1及びF2を、増幅器
AMPを挟んで多段接続した場合の振幅特性Lb2（第15図参
照）の方が、シャープである。このことは、第10図に示
したセラミックフィルタを多段接続すると、選択特性が
向上することを意味する。ところが、前述したように、
セラミックフィルタを多段接続するとGDT特性が悪化す
る。即ち、従来の技術によっては、GDT特性の平坦化
と、周波数選択特性の改善とを同時に達成することはで
きなかった。
GDT特性の平坦化を図るため、従来より種々の提案がな
されている。例えば、実開昭57-51336号、実開昭57-272
7号公報などはその一例である。しかしながら、これら
の従来技術によっても、GDT特性が中間部で凹むという
Ｕ型の基本特性は残り、凹みの程度を若干改善できるに
留っていた。このため、GDT特性の平坦化と、周波数選
択特性の改善とを同時に満たすことはできなかった。
されている。例えば、実開昭57-51336号、実開昭57-272
7号公報などはその一例である。しかしながら、これら
の従来技術によっても、GDT特性が中間部で凹むという
Ｕ型の基本特性は残り、凹みの程度を若干改善できるに
留っていた。このため、GDT特性の平坦化と、周波数選
択特性の改善とを同時に満たすことはできなかった。
そこで、本考案の課題は、GDT特性の平坦化と、周波数
選択特性の改善とを同時に達成し得るセラミックフィル
タ回路を提供することである。
選択特性の改善とを同時に達成し得るセラミックフィル
タ回路を提供することである。
〈課題を解決するための手段〉 上述する課題を解決するため、本考案に係るセラミック
フィルタ回路は、第１のセラミックフィルタと、第２の
セラミックフィルタとを含んでおり、前記第１のセラミ
ックフィルタは、複数個のセラミックフィルタ素子を多
段接続し、前記セラミックフィルタ素子の段間にπ型抵
抗回路を接続して構成され、上に凸となるGDT特性を有
しており、前記第２のセラミックフィルタは、中間部で
凹むＵ型のGDT特性を有し、前記第１のセラミックフィ
ルタと縦続接続されている。
フィルタ回路は、第１のセラミックフィルタと、第２の
セラミックフィルタとを含んでおり、前記第１のセラミ
ックフィルタは、複数個のセラミックフィルタ素子を多
段接続し、前記セラミックフィルタ素子の段間にπ型抵
抗回路を接続して構成され、上に凸となるGDT特性を有
しており、前記第２のセラミックフィルタは、中間部で
凹むＵ型のGDT特性を有し、前記第１のセラミックフィ
ルタと縦続接続されている。
〈作用〉 第１のセラミックフィルタは、セラミックフィルタ素子
の段間にπ型抵抗回路を接続して構成され、上に凸とな
るGDT特性を有しており、第２のセラミックフィルタ
は、中間部で凹むＵ型のGDT特性を有し、第１のセラミ
ックフィルタと縦続接続されているから、第１のセラミ
ックフィルタのGDT特性と、第２のセラミックフィルタ
のGDT特性とが互いに打消し合うような平坦化されたGDT
特性を得ることができる。
の段間にπ型抵抗回路を接続して構成され、上に凸とな
るGDT特性を有しており、第２のセラミックフィルタ
は、中間部で凹むＵ型のGDT特性を有し、第１のセラミ
ックフィルタと縦続接続されているから、第１のセラミ
ックフィルタのGDT特性と、第２のセラミックフィルタ
のGDT特性とが互いに打消し合うような平坦化されたGDT
特性を得ることができる。
しかも、第１のセラミックフィルタと第２のセラミック
フィルタとを縦続接続してあるから、周波数選択特性が
改善される。
フィルタとを縦続接続してあるから、周波数選択特性が
改善される。
〈実施例〉 第１図は本考案に係るセラミックフィルタ回路を構成す
る第１のセラミックフィルタのシンボル図であり、複数
個のセラミックフィルタ素子f1及びf2を縦続的に多段接
続し、段間に抵抗R1〜R3でなるπ型の抵抗回路を挿入し
てある。実施例では、抵抗R1及びR3をセラミックフィル
タ素子f1及びf2の駆動電極23-21、33-31間に接続すると
共に、抵抗R1及び抵抗R3の間に抵抗R2を接続したπ型の
抵抗回路となっている。第２図及び第３図はその具体的
な構造を示す図で、平板状の圧電基板１の一面に、間隔
g1をおいて、互いに導通する駆動電極21、31を形成する
と共に、駆動電極21、31を引出電極部21a、31aによって
圧電基板１の一端縁101に向かって延長し、一端縁101に
形成されたリード端子接続電極部5aに導通させてある。
る第１のセラミックフィルタのシンボル図であり、複数
個のセラミックフィルタ素子f1及びf2を縦続的に多段接
続し、段間に抵抗R1〜R3でなるπ型の抵抗回路を挿入し
てある。実施例では、抵抗R1及びR3をセラミックフィル
タ素子f1及びf2の駆動電極23-21、33-31間に接続すると
共に、抵抗R1及び抵抗R3の間に抵抗R2を接続したπ型の
抵抗回路となっている。第２図及び第３図はその具体的
な構造を示す図で、平板状の圧電基板１の一面に、間隔
g1をおいて、互いに導通する駆動電極21、31を形成する
と共に、駆動電極21、31を引出電極部21a、31aによって
圧電基板１の一端縁101に向かって延長し、一端縁101に
形成されたリード端子接続電極部5aに導通させてある。
一方、圧電基板１の反対側の他面上において、前記駆動
電極21、31の配設位置と対向する位置に分割して形成さ
れた駆動電極（22、23）、（32、33）のうち、駆動電極
23、33を延長し、互いに独立する電極引出部23a、33aを
形成すると共に、これらの電極引出部23a、33aと間隔を
おいて接続電極部5bを形成してある。
電極21、31の配設位置と対向する位置に分割して形成さ
れた駆動電極（22、23）、（32、33）のうち、駆動電極
23、33を延長し、互いに独立する電極引出部23a、33aを
形成すると共に、これらの電極引出部23a、33aと間隔を
おいて接続電極部5bを形成してある。
そして、引出電極部23aと引出電極部33aとの間に第１図
の抵抗R2となる抵抗体８を、引出電極部23aと接続電極
部5bとの間に同じく抵抗R1となる抵抗体９を、更に、引
出電極部33aと接続電極部5bとの間に抵抗R3となる抵抗
体10をそれぞれ被着形成してある。前記接続電極部5a、
5bにはリード端子５を半田付け固定し、引出電極部22a
及び32aにはリード端子６、７をそれぞれ半田付け固定
してある。これにより、第１図に示したようなπ型回路
構成のセラミックフィルタが得られる。
の抵抗R2となる抵抗体８を、引出電極部23aと接続電極
部5bとの間に同じく抵抗R1となる抵抗体９を、更に、引
出電極部33aと接続電極部5bとの間に抵抗R3となる抵抗
体10をそれぞれ被着形成してある。前記接続電極部5a、
5bにはリード端子５を半田付け固定し、引出電極部22a
及び32aにはリード端子６、７をそれぞれ半田付け固定
してある。これにより、第１図に示したようなπ型回路
構成のセラミックフィルタが得られる。
第４図は第２図及び第３図に示したセラミックフィルタ
の振幅−周波数特性及びGDT特性を示す図であり、La3が
GDT特性、Lb3が振幅特性である。第５図は第４図の特性
を得るのに使用された測定回路図であり、R1＝1KΩ、R3
＝1KΩ、R2＝200Ω、信号源抵抗Rs＝330Ω、終端抵抗RL
＝330Ωとした。Ｓは信号源である。
の振幅−周波数特性及びGDT特性を示す図であり、La3が
GDT特性、Lb3が振幅特性である。第５図は第４図の特性
を得るのに使用された測定回路図であり、R1＝1KΩ、R3
＝1KΩ、R2＝200Ω、信号源抵抗Rs＝330Ω、終端抵抗RL
＝330Ωとした。Ｓは信号源である。
第４図の特性図から明らかなように、GDT特性La3は上に
凸の逆Ｕ型であって、比較的平坦な特性となる。
凸の逆Ｕ型であって、比較的平坦な特性となる。
本発明に係る第２のセラミックフィルタは、第10図〜第
13図に示した従来のセラミックフィルタである。第２の
セラミックフィルタは、前述したように、GDT特性が、
第13図の曲線La1で示すように、中間部で凹むＵ型GDT特
性を有する。本考案に係るセラミックフィルタ回路は、
第２のセラミックフィルタを第１のセラミックフィルタ
に対して縦続接続する。これにより、第１のセラミック
フィルタの上に凸となる逆Ｕ型GDT特性と、第２のセラ
ミックフィルタのＵ型GDT特性とが互いに打消し合うよ
うに作用するので、平坦なGDT特性を得ることができ
る。
13図に示した従来のセラミックフィルタである。第２の
セラミックフィルタは、前述したように、GDT特性が、
第13図の曲線La1で示すように、中間部で凹むＵ型GDT特
性を有する。本考案に係るセラミックフィルタ回路は、
第２のセラミックフィルタを第１のセラミックフィルタ
に対して縦続接続する。これにより、第１のセラミック
フィルタの上に凸となる逆Ｕ型GDT特性と、第２のセラ
ミックフィルタのＵ型GDT特性とが互いに打消し合うよ
うに作用するので、平坦なGDT特性を得ることができ
る。
第６図は本考案に係るセラミックフィルタ回路の振幅−
周波数特性及びGDT特性を示す図であり、La4がGDT特
性、Lb4が振幅特性、第７図は同じくその回路図であ
る。第７図において、R1＝1KΩ、R3＝1KΩ、R2＝200
Ω、信号源抵抗Rs＝330Ω、終端抵抗RL＝330Ω、増幅器
AMPの入力抵抗Rin＝50Ω、出力抵抗Rout＝50Ωとし、増
幅器AMPの入出力側に270Ωの抵抗を接続した。
周波数特性及びGDT特性を示す図であり、La4がGDT特
性、Lb4が振幅特性、第７図は同じくその回路図であ
る。第７図において、R1＝1KΩ、R3＝1KΩ、R2＝200
Ω、信号源抵抗Rs＝330Ω、終端抵抗RL＝330Ω、増幅器
AMPの入力抵抗Rin＝50Ω、出力抵抗Rout＝50Ωとし、増
幅器AMPの入出力側に270Ωの抵抗を接続した。
第６図の特性図から明らかなように、第15図の従来の場
合と異なって、平坦なGDT特性La4が得られている。
合と異なって、平坦なGDT特性La4が得られている。
次に、本考案に係るセラミックフィルタ回路の周波数選
択特性改善効果を説明する。周波数選択度は、一般に、
振幅最大点（損失が最小になる点。選択中心周波数が対
応する）から20dB低下した点での周波数帯域幅によって
評価され、20dB低下点での周波数帯域幅が狭ければ狭い
ほど、周波数選択度が優れていると評価する。第１図〜
第３図に示した第１のセラミックフィルタを単独で用い
た場合の振幅−周波数特性を図示する第４図において、
最大点のゲインは約−12dBであり、最大点から18dB低下
した−30dBでの周波数帯域幅は、約、 11.05MHz−10.3MHz＝0.75MHz である。一方、本考案に係るセラミックフィルタ回路の
振幅−周波数特性を図示する第６図において、最大点の
ゲインは約−22dBであり、最大点から18dB低下した−40
dBでの周波数帯域幅は、約、 10.95MHz−10.45MHz＝0.5MHz である。なお、前述したように、周波数選択度は振幅最
大点から20dB低下した点での周波数帯域幅によって評価
されるが、第４図及び第６図のデータは最大点から18dB
低下した点のデータが最小であるので、20dB低下点での
データの代わりに18dB低下点でのデータを用いた。
択特性改善効果を説明する。周波数選択度は、一般に、
振幅最大点（損失が最小になる点。選択中心周波数が対
応する）から20dB低下した点での周波数帯域幅によって
評価され、20dB低下点での周波数帯域幅が狭ければ狭い
ほど、周波数選択度が優れていると評価する。第１図〜
第３図に示した第１のセラミックフィルタを単独で用い
た場合の振幅−周波数特性を図示する第４図において、
最大点のゲインは約−12dBであり、最大点から18dB低下
した−30dBでの周波数帯域幅は、約、 11.05MHz−10.3MHz＝0.75MHz である。一方、本考案に係るセラミックフィルタ回路の
振幅−周波数特性を図示する第６図において、最大点の
ゲインは約−22dBであり、最大点から18dB低下した−40
dBでの周波数帯域幅は、約、 10.95MHz−10.45MHz＝0.5MHz である。なお、前述したように、周波数選択度は振幅最
大点から20dB低下した点での周波数帯域幅によって評価
されるが、第４図及び第６図のデータは最大点から18dB
低下した点のデータが最小であるので、20dB低下点での
データの代わりに18dB低下点でのデータを用いた。
第１図〜第３図に示した第１のセラミックフィルタを単
独で用いた場合の振幅−周波数特性を図示する第４図か
ら得られた周波数帯域幅0.75MHzと、本考案に係るセラ
ミックフィルタ回路の振幅−周波数特性を図示する第６
図から得られた周波数帯域幅0.5MHzとの比較から明らか
なように、本考案に係るセラミックフィルタ回路によれ
ば、フィルタ特性として基本的な周波数選択特性を改善
できる。
独で用いた場合の振幅−周波数特性を図示する第４図か
ら得られた周波数帯域幅0.75MHzと、本考案に係るセラ
ミックフィルタ回路の振幅−周波数特性を図示する第６
図から得られた周波数帯域幅0.5MHzとの比較から明らか
なように、本考案に係るセラミックフィルタ回路によれ
ば、フィルタ特性として基本的な周波数選択特性を改善
できる。
上記実施例の外にも、第８図に示すように、セラミック
フィルタ素子f1、f2と並列に接続される抵抗R2、R3のそ
れぞれに対し、コンデンサC2、C3を並列的に接続した回
路等も有効である。第９図は第８図に示したセラミック
フィルタによる振幅−周波数特性及びGDT特性を示す図
であり、La5がGDT特性、Lb5が振幅特性である。この特
性図から明らかなように、非常に平坦なGDT特性が得ら
れる。なお、第９図の特性は、第８図において、R1＝1K
Ω、R3＝1KΩ、R2＝200Ω、信号源抵抗Rs＝330Ω、終端
抵抗RL＝330Ω、コンデンサC2＝20PF、コンデンサC3＝2
0PFとした場合の特性である。
フィルタ素子f1、f2と並列に接続される抵抗R2、R3のそ
れぞれに対し、コンデンサC2、C3を並列的に接続した回
路等も有効である。第９図は第８図に示したセラミック
フィルタによる振幅−周波数特性及びGDT特性を示す図
であり、La5がGDT特性、Lb5が振幅特性である。この特
性図から明らかなように、非常に平坦なGDT特性が得ら
れる。なお、第９図の特性は、第８図において、R1＝1K
Ω、R3＝1KΩ、R2＝200Ω、信号源抵抗Rs＝330Ω、終端
抵抗RL＝330Ω、コンデンサC2＝20PF、コンデンサC3＝2
0PFとした場合の特性である。
以上、２素子型セラミックフィルタを例にとって説明し
たが、３素子型或いは４素子型等、更に多段のセラミッ
クフィルタにおいても同様に適用が可能である。
たが、３素子型或いは４素子型等、更に多段のセラミッ
クフィルタにおいても同様に適用が可能である。
〈考案の効果〉 以上述べたように、GDT特性の平坦化と、周波数選択特
性の改善とを同時に達成することができ、Hi-Fi FMチュ
ーナの中間周波フィルタとして好適なエネルギー閉じ込
め型セラミックフィルタ回路を提供できる。
性の改善とを同時に達成することができ、Hi-Fi FMチュ
ーナの中間周波フィルタとして好適なエネルギー閉じ込
め型セラミックフィルタ回路を提供できる。
第１図は本考案に係るセラミックフィルタ回路を達成す
る第１のセラミックフィルタのシンボル図、第２図は第
１のセラミックフィルタの平面図、第３図は同じくその
底面図、第４図は第２図及び第３図に示した第１のセラ
ミックフィルタの振幅−周波数特性及びGDT特性を示す
図、第５図は同じくその測定回路図、第６図は本考案に
係るセラミックフィルタ回路の振幅−周波数特性及びGD
T特性を示す図、第７図は本考案に係るセラミックフィ
ルタ回路の回路図、第８図は本考案に係る第１のセラミ
ックフィルタの別の実施例におけるシンボル図、第９図
は同じくその振幅−周波数特性及びGDT特性を示す図、
第10図は従来のセラミックフィルタのシンボル図、第11
図は従来のセラミックフィルタの平面図、第12図は同じ
くその底面図、第13図は第10図〜第12図に示した従来の
セラミックフィルタの振幅−周波数特性及びGDT特性を
示す図、第14図は従来のセラミックフィルタを複数個用
いた場合のセラミックフィルタ回路の回路図、第15図は
第14図に示したセラミックフィルタ回路の振幅−周波数
特性及びGDT特性を示す図である。 １……圧電基板 21〜23、31〜33……駆動電極 ８〜10……抵抗体
る第１のセラミックフィルタのシンボル図、第２図は第
１のセラミックフィルタの平面図、第３図は同じくその
底面図、第４図は第２図及び第３図に示した第１のセラ
ミックフィルタの振幅−周波数特性及びGDT特性を示す
図、第５図は同じくその測定回路図、第６図は本考案に
係るセラミックフィルタ回路の振幅−周波数特性及びGD
T特性を示す図、第７図は本考案に係るセラミックフィ
ルタ回路の回路図、第８図は本考案に係る第１のセラミ
ックフィルタの別の実施例におけるシンボル図、第９図
は同じくその振幅−周波数特性及びGDT特性を示す図、
第10図は従来のセラミックフィルタのシンボル図、第11
図は従来のセラミックフィルタの平面図、第12図は同じ
くその底面図、第13図は第10図〜第12図に示した従来の
セラミックフィルタの振幅−周波数特性及びGDT特性を
示す図、第14図は従来のセラミックフィルタを複数個用
いた場合のセラミックフィルタ回路の回路図、第15図は
第14図に示したセラミックフィルタ回路の振幅−周波数
特性及びGDT特性を示す図である。 １……圧電基板 21〜23、31〜33……駆動電極 ８〜10……抵抗体
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−188127（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−2727（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭53−139244（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−51336（ＪＰ，Ｕ) 安宅彦三郎著「電気回路論」第139頁〜 第142頁、昭和36年11月10日 共立出版株 式会社発行
Claims (1)
- 【請求項１】第１のセラミックフィルタと、第２のセラ
ミックフィルタとを含むセラミックフィルタ回路であっ
て、 前記第１のセラミックフィルタは、複数個のセラミック
フィルタ素子を多段接続し、前記セラミックフィルタ素
子の段間にπ型抵抗回路を接続して構成され、上に凸と
なる群遅延時間−周波数特性を有しており、 前記第２のセラミックフィルタは、中間部で凹むＵ型の
群遅延時間−周波数特性を有し、前記第１のセラミック
フィルタと縦続接続されているセラミックフィルタ回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985094094U JPH0718185Y2 (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | セラミックフィルタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985094094U JPH0718185Y2 (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | セラミックフィルタ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS623118U JPS623118U (ja) | 1987-01-09 |
| JPH0718185Y2 true JPH0718185Y2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=30652350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985094094U Expired - Lifetime JPH0718185Y2 (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | セラミックフィルタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718185Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53139244U (ja) * | 1977-04-07 | 1978-11-04 | ||
| JPS5642418A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | Bulk wave piezoelectric resonator device |
| JPS572727U (ja) * | 1980-06-02 | 1982-01-08 |
-
1985
- 1985-06-20 JP JP1985094094U patent/JPH0718185Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 安宅彦三郎著「電気回路論」第１３９頁〜第１４２頁、昭和３６年１１月１０日共立出版株式会社発行 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS623118U (ja) | 1987-01-09 |
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