JPH07180053A - Wafer holder - Google Patents

Wafer holder

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Publication number
JPH07180053A
JPH07180053A JP34762993A JP34762993A JPH07180053A JP H07180053 A JPH07180053 A JP H07180053A JP 34762993 A JP34762993 A JP 34762993A JP 34762993 A JP34762993 A JP 34762993A JP H07180053 A JPH07180053 A JP H07180053A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
base
rubber
pin
clamper
Prior art date
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Pending
Application number
JP34762993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Nogami
貴史 野上
Hisashi Maeda
尚志 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP34762993A priority Critical patent/JPH07180053A/en
Publication of JPH07180053A publication Critical patent/JPH07180053A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent the electrification on a wafer by irradiation with ions by freely vertically movably disposing electrically conducting pins in contact with the rear surface of this wafer. CONSTITUTION:This wafer holder is composed of a base 4 for supporting the wafer 2, a rubber-like elastic material 6 disposed on the surface of the wafer 2 supporting region of this base and an annular clamper 8 for pressing the circumferential edge of the wafer 2 toward a base 4. This rubber-like elastic material 6 is provided with plural through holes 6a. The pins 22 of which the front ends project to the upper surface of the rubber-like elastic material 6 through the through holes 6a at the time of rising are freely vertically movably disposed in the lower part of the respective through holes 6a of the rubber-like elastic material 6 in the base 4. Further, springs 24 which elastically push up the respective pins 22 and electrically conduct the pins 22 to the base 4 are, fitted. All these pins 22 and springs 24 are formed of electrical conductors.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えばイオン注入装
置、イオンビームエッチング装置、イオンビーム照射を
併用する薄膜形成装置等のように、ウェーハにイオンビ
ームを照射して処理を施す装置に用いられるものであっ
て、処理対象のウェーハを保持するウェーハ保持装置に
関し、より具体的には、イオンビーム照射に伴うウェー
ハの帯電(チャージアップ)を防止する手段の改良に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used in an apparatus for irradiating a wafer with an ion beam for processing, such as an ion implantation apparatus, an ion beam etching apparatus, and a thin film forming apparatus which uses ion beam irradiation together. The present invention relates to a wafer holding device that holds a wafer to be processed, and more specifically, to improvement of a means for preventing charging (charge-up) of a wafer due to ion beam irradiation.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のウェーハ保持装置の従来例を図
4および図5に示す。
2. Description of the Related Art A conventional example of this type of wafer holding device is shown in FIGS.

【0003】このウェーハ保持装置は、図示しない真空
容器内に設けられていて、ウェーハ2を支持するための
ベース4と、このベース4のウェーハ支持領域の表面に
貼り付けられたゴム状弾性体6と、ウェーハ2の周縁部
をベース4に向けて押さえ付ける環状のクランパー8と
を備えている。ベース4およびクランパー8は例えばア
ルミニウムから成る。ゴム状弾性体6は例えばシリコー
ンゴムから成る。
The wafer holding device is provided in a vacuum container (not shown), and has a base 4 for supporting the wafer 2 and a rubber-like elastic body 6 attached to the surface of the wafer supporting region of the base 4. And an annular clamper 8 for pressing the peripheral edge of the wafer 2 toward the base 4. The base 4 and the clamper 8 are made of aluminum, for example. The rubber-like elastic body 6 is made of, for example, silicone rubber.

【0004】ベース4内には、図示しない冷媒通路が形
成されており、そこに、ウェーハ2を冷却するための冷
却水等の冷媒が流される。
A coolant passage (not shown) is formed in the base 4, and a coolant such as cooling water for cooling the wafer 2 is flown therein.

【0005】ベース4には複数本の(この例では図5に
示すように2本の)クランパー軸10が上下動自在に貫
通しており、それらの先端部にクランパー8が取り付け
られている。各クランパー軸10の下端部は連結板16
に取り付けられている。
A plurality of (in this example, two as shown in FIG. 5) clamper shafts 10 penetrate vertically through the base 4, and the clampers 8 are attached to their tip ends. The lower end of each clamper shaft 10 has a connecting plate 16
Is attached to.

【0006】ベース4の下面には複数本の(この例では
図5に示すように3本の)ガイド軸12が取り付けられ
ており、それらは連結板16を上下動自在に貫通してい
る。各ガイド軸12の周りには、連結板16およびそれ
に取り付けられた物をベース4の下方に弾性的に押し下
げるばね(圧縮コイルばね)14がそれぞれ設けられて
いる。
A plurality of guide shafts 12 (in this example, three guide shafts 12 as shown in FIG. 5) are attached to the lower surface of the base 4, and these guide shafts 12 pass through a connecting plate 16 so as to be vertically movable. Around each guide shaft 12, a spring (compression coil spring) 14 that elastically pushes down the connecting plate 16 and the object attached thereto under the base 4 is provided.

【0007】また、この実施例は、ウェーハ2をベース
4上に搬送アームによって搬出入するタイプの装置に用
いられるものであり、そのため、連結板16の上面に、
ベース4を上下動自在に貫通することができウェーハ2
の縁を支える複数本の(この例では図5に示すように3
本の)ウェーハ受け18が取り付けられている。各ウェ
ーハ受け18の先端部は、クランパー8より所定寸法だ
け下に位置している。
Further, this embodiment is used for an apparatus of a type in which the wafer 2 is carried in and out of the base 4 by a transfer arm, and therefore, the upper surface of the connecting plate 16 is
Wafer 2 that can penetrate base 4 vertically
Multiple edges (in this example, as shown in FIG.
A wafer receiver 18 is attached. The tip of each wafer receiver 18 is located below the clamper 8 by a predetermined dimension.

【0008】図示しないエアシリンダ等によって連結板
16を矢印Aのように押し上げると、クランパー8およ
びウェーハ受け18が矢印Bのように押し上げられ、図
4中に2点鎖線で示すように、ウェーハ受け18によっ
てウェーハ2をベース4から持ち上げることができ、こ
の状態でウェーハ2の搬出入を行うことができる。
When the connecting plate 16 is pushed up by an unillustrated air cylinder or the like as shown by an arrow A, the clamper 8 and the wafer receiver 18 are pushed up as shown by an arrow B, and as shown by a two-dot chain line in FIG. The wafer 2 can be lifted from the base 4 by 18, and the wafer 2 can be loaded and unloaded in this state.

【0009】連結板16の押し上げを止めると、ばね1
4の弾性力によって連結板16ならびにそれに取り付け
られたクランパー8およびウェーハ受け18が押し下げ
られ、クランパー8によってウェーハ2をベース4上の
ゴム状弾性体6に押し付けて保持(クランプ)すること
ができ、この状態でウェーハ2にクランパー8の開口部
を通してイオンビーム20を照射してイオン注入等の処
理を施すことができる。
When the pushing up of the connecting plate 16 is stopped, the spring 1
The connecting plate 16 and the clamper 8 and the wafer receiver 18 attached thereto are pushed down by the elastic force of 4, and the wafer 2 can be pressed (held) by the clamper 8 against the rubber-like elastic body 6 on the base 4, In this state, the wafer 2 can be irradiated with the ion beam 20 through the opening of the clamper 8 to perform a process such as ion implantation.

【0010】ゴム状弾性体6は、ウェーハ2を直接ベー
ス4に押さえ付けたのではミクロ的に見ると両者間の接
触面積が小さくて熱伝導が悪いのを補うためのものであ
り、イオンビーム20の照射に伴ってウェーハ2内に発
生する熱は、このゴム状弾性体6を介してベース4に伝
達され、更にベース4に流される冷媒によって外部に排
出され、それによってウェーハ2が冷却される。
The rubber-like elastic body 6 serves to compensate for the poor heat conduction due to the small contact area between the two when the wafer 2 is directly pressed against the base 4 when viewed microscopically. The heat generated in the wafer 2 due to the irradiation of 20 is transferred to the base 4 through the rubber-like elastic body 6 and is discharged to the outside by the refrigerant flowing in the base 4, whereby the wafer 2 is cooled. It

【0011】ところで、ウェーハ2の表面には通常はレ
ジストあるいは絶縁酸化膜と呼ばれる絶縁膜が形成され
ており、ウェーハ2にイオンビーム20を照射すると、
照射イオンの正電荷がウェーハ2の表面に溜まりやす
い。しかも上記ゴム状弾性体6は絶縁物であり、そのま
までは照射イオンの正電荷がウェーハ2上で逃げ場が無
くなり、ウェーハ2の表面は正に帯電(チャージアッ
プ)する。
By the way, an insulating film usually called a resist or an insulating oxide film is formed on the surface of the wafer 2, and when the wafer 2 is irradiated with the ion beam 20,
The positive charges of the irradiation ions are likely to accumulate on the surface of the wafer 2. Moreover, the rubber-like elastic body 6 is an insulator, and as it is, the positive charge of the irradiation ions does not escape on the wafer 2 and the surface of the wafer 2 is positively charged (charge up).

【0012】そこでこれを防止するため、従来は3本の
ウェーハ受け18の内の1本を導電性材料(より具体的
にはアルミニウム)で形成し(ちなみに残りの2本はア
ルミニウムに樹脂をコーティングしたものである)、ウ
ェーハ2の支持時にこの導電性材料製のウェーハ受け1
8をウェーハ2の裏面に接触させて、ウェーハ2の表面
に溜まる電荷を、当該ウェーハ2のレジストが形成され
ていない側面および裏面を通し、かつこの導電性材料製
のウェーハ受け18を経由して裏面からベース4等へ逃
がして、ウェーハ2上の帯電を防止する構造にしてい
る。
In order to prevent this, one of the three wafer receivers 18 is conventionally formed of a conductive material (more specifically, aluminum) (by the way, the remaining two wafers are coated with resin on aluminum). Wafer support 1 made of this conductive material when supporting the wafer 2.
8 is brought into contact with the back surface of the wafer 2 so that electric charges accumulated on the front surface of the wafer 2 pass through the side surface and the back surface of the wafer 2 on which the resist is not formed, and via the wafer receiver 18 made of a conductive material. The structure is such that the wafer 2 is allowed to escape from the back surface to the base 4 or the like to prevent charging on the wafer 2.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記ウェー
ハ保持装置では、図4中に2点鎖線で示すようにウェー
ハ受け18によってウェーハ2を持ち上げているときは
上記導電性材料製のウェーハ受け18によってウェーハ
2の裏面から電荷を逃がすことができるけれども、ウェ
ーハ2をクランパー8でクランプしてイオンビーム20
を照射するときには、図4中に実線で示すように、ウェ
ーハ受け18は下がっていてウェーハ2に接触していな
いため、ウェーハ2に導電性の物が接触しておらず、そ
のため、イオンビーム照射に伴う正電荷がウェーハ2か
ら流出する経路がなく、ウェーハ2上に正の電荷が溜ま
り、ひいてはウェーハ2の周縁部を押さえているクラン
パー8との間で絶縁破壊による放電を起こすという問題
がある。
However, in the above wafer holding device, when the wafer 2 is being lifted by the wafer receiver 18 as shown by the two-dot chain line in FIG. 4, the wafer holder 18 made of the conductive material is used. Although the charge can be released from the back surface of the wafer 2, the wafer 2 is clamped by the clamper 8 and the ion beam 20
As shown by the solid line in FIG. 4, since the wafer receiver 18 is lowered and is not in contact with the wafer 2, a conductive object is not in contact with the wafer 2. There is no path for the positive charges to flow out from the wafer 2 due to the above, and the positive charges are accumulated on the wafer 2, which in turn causes a discharge due to dielectric breakdown with the clamper 8 that holds the peripheral edge of the wafer 2. .

【0014】ちなみに、クランパー8でウェーハ2の周
縁部をクランプしていても、ウェーハ2の表面には前述
したように絶縁物のレジストあるいは絶縁酸化膜が形成
されているから、クランパー8はレジストに接触してい
るだけであり、このような状態では、ウェーハ2上の電
荷をクランパー8を通してベース4へ逃がすという作用
は殆ど期待できない。
By the way, even if the peripheral edge of the wafer 2 is clamped by the clamper 8, since the resist of the insulating material or the insulating oxide film is formed on the surface of the wafer 2 as described above, the clamper 8 is used as the resist. Only in contact with each other, and in such a state, it is almost impossible to expect the action of letting the charges on the wafer 2 escape to the base 4 through the clamper 8.

【0015】上記のようにしてウェーハ2とクランパー
8との間で放電が起こると、その放電によって、ウェー
ハ2の表面に通常形成されているレジストが剥離し、そ
の剥離した物がウェーハ2の表面に付着してウェーハ2
の処理に悪影響を及ぼす、例えばレジストが剥離した部
分あるいは剥離したレジストが付着した部分の処理が不
完全になり、デバイスの歩留まり低下等を惹き起こすと
いう問題が発生する。
When a discharge is generated between the wafer 2 and the clamper 8 as described above, the resist that is normally formed on the surface of the wafer 2 is peeled off by the discharge, and the peeled product is the surface of the wafer 2. Attached to the wafer 2
However, there is a problem that the processing of the portion where the resist is peeled off or the portion where the peeled resist is attached becomes incomplete, which causes a decrease in device yield and the like.

【0016】そこでこの発明は、ウェーハ上にイオンビ
ーム照射による電荷が溜まるのを防ぐことができるよう
にしたウェーハ保持装置を提供することを主たる目的と
する。
Therefore, it is a primary object of the present invention to provide a wafer holding device capable of preventing charges from being accumulated on a wafer due to ion beam irradiation.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のウェーハ保持装置は、前記ゴム状弾性体
に複数の貫通穴を設け、かつ前記ベース内であってゴム
状弾性体の各貫通穴の下部に、導電性材料から成り上下
動自在であって上昇したときに先端部がゴム状弾性体上
にその貫通穴を通して突き出るピンと、導電性材料から
成り各ピンを弾性的に押し上げると共に各ピンをベース
に電気的に導通させるばねとをそれぞれ設けたことを特
徴とする。
In order to achieve the above object, the wafer holding device of the present invention is provided with a plurality of through holes in the rubber-like elastic body, and each of the rubber-like elastic bodies is in the base. In the lower part of the through hole, which is made of a conductive material, is vertically movable, and when the tip of the pin rises up through the through hole on the rubber-like elastic body, each pin made of a conductive material is pushed up elastically. A spring for electrically connecting each pin to the base is provided, respectively.

【0018】[0018]

【作用】上記構成によれば、クランパーによってウェー
ハをベース上のゴム状弾性体上にクランプすると、各ピ
ンは、ばねによって弾性的に押し上げられているので、
ウェーハの裏面に圧接する。しかも各ピンは、ばねによ
ってベースに導通されているので、この各ピンおよびば
ねによる経路で、ウェーハの裏面からベースへの電荷の
放電経路が形成される。
According to the above construction, when the wafer is clamped on the rubber-like elastic body on the base by the clamper, the pins are elastically pushed up by the springs.
Press contact with the back surface of the wafer. In addition, since each pin is electrically connected to the base by the spring, the path formed by the pin and the spring forms a discharge path for electric charges from the back surface of the wafer to the base.

【0019】従って、イオンビーム照射時のウェーハ上
の正電荷を、ウェーハのレジストが形成されていない側
面および裏面を通し、かつ各ピンおよびばねを通してウ
ェーハの裏面からベースへ逃がすことができるので、ウ
ェーハ上にイオンビーム照射による電荷が溜まるのを防
ぐことができる。
Therefore, the positive charges on the wafer at the time of ion beam irradiation can be released from the back surface of the wafer to the base through the side surface and the back surface of the wafer where the resist is not formed and through each pin and spring. It is possible to prevent accumulation of electric charges due to ion beam irradiation on the top.

【0020】[0020]

【実施例】図1は、この発明の一実施例に係るウェーハ
保持装置を示す断面図である。図2は、図1のウェーハ
保持装置をウェーハを除いて示す平面図である。図3
は、図1中の一つのピン周りを拡大して示す断面図であ
る。図4および図5の従来例と同一または相当する部分
には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相
違点を主に説明する。
1 is a sectional view showing a wafer holding device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing the wafer holding device of FIG. 1 excluding the wafer. Figure 3
[Fig. 2] is an enlarged cross-sectional view showing the periphery of one pin in Fig. 1. The same or corresponding portions as those of the conventional example shown in FIGS. 4 and 5 are designated by the same reference numerals, and the differences from the conventional example will be mainly described below.

【0021】この実施例においては、前述したゴム状弾
性体6に複数の、より具体的には図2に示すように四つ
の貫通穴6aを設けている。各貫通穴6aは、この実施
例では同一円周上に互いに等間隔で設けられている。
In this embodiment, the rubber elastic body 6 is provided with a plurality of through holes 6a, more specifically, four through holes 6a as shown in FIG. The through holes 6a are provided at equal intervals on the same circumference in this embodiment.

【0022】そして、前述したベース4内であってゴム
状弾性体6の各貫通穴6aの下部に、凹部4aをそれぞ
れ設けている。各凹部4a内には、導電性材料から成り
上下動自在なピン22と、導電性材料から成り各ピン2
2を弾性的に押し上げるばね(より具体的には圧縮コイ
ルばね)24とをそれぞれ収納し、蓋26によって蓋を
している。
Then, the recesses 4a are provided in the base 4 and in the lower portions of the through holes 6a of the rubber-like elastic body 6, respectively. Inside each recess 4a, a pin 22 made of a conductive material and movable up and down, and each pin 2 made of a conductive material.
A spring (more specifically, a compression coil spring) 24 that elastically pushes up 2 is housed, and a lid 26 covers the spring.

【0023】各ピン22は、ばね24によって押し上げ
られたとき、その先端部がゴム状弾性体6上にその貫通
穴6aを通してこの例では数mm突き出るよう構成され
ている。
Each pin 22 is so constructed that, when pushed up by a spring 24, its tip projects over the rubber-like elastic body 6 through its through hole 6a by several mm in this example.

【0024】各ピン22は、より具体的にはこの実施例
ではカーボン製である。カーボンは、導電性であり、し
かもウェーハ2に当接してもパーティクル(ゴミ)の発
生が少なく、かつウェーハ2を傷つける恐れがないので
好ましい。
More specifically, each pin 22 is made of carbon in this embodiment. Carbon is preferable because it is electrically conductive, generates less particles (dust) when it comes into contact with the wafer 2, and does not damage the wafer 2.

【0025】蓋26は金属製、より具体的にはベース4
と同様にアルミニウム製である。また、各ばね24も金
属製であり、この各ばね24は、各ピン22を蓋26を
経由してベース4に電気的に導通させる働きもする。
The lid 26 is made of metal, more specifically, the base 4
Like aluminum. Each spring 24 is also made of metal, and each spring 24 also functions to electrically connect each pin 22 to the base 4 via the lid 26.

【0026】このウェーハ保持装置においては、クラン
パー8によってウェーハ2をベース4上のゴム状弾性体
6上にクランプすると、各ピン22は、ばね24によっ
て弾性的に押し上げられているので、ウェーハ2の裏面
に圧接する。しかも各ピン22は、ばね24および蓋2
6によってベース4に電気的に導通されているので、こ
の各ピン22、ばね24および蓋26の経路で、ウェー
ハ2の裏面からベース4への電荷の放電経路が形成され
る。
In this wafer holding device, when the wafer 2 is clamped on the rubber-like elastic body 6 on the base 4 by the clamper 8, the pins 22 are elastically pushed up by the springs 24. Press on the back side. Moreover, each pin 22 has a spring 24 and a lid 2
Since it is electrically connected to the base 4 by 6, the path of each pin 22, the spring 24, and the lid 26 forms a discharge path of electric charges from the back surface of the wafer 2 to the base 4.

【0027】従って、ウェーハ2に対してイオンビーム
20を照射するときに照射イオンによって与えられるウ
ェーハ2上の正電荷を、ウェーハ2のレジストが形成さ
れていない側面および裏面を通し、かつ各ピン22、ば
ね24および蓋26を通してウェーハ2の裏面からベー
ス4へ逃がすことができるので、ウェーハ2上にイオン
ビーム照射による電荷が溜まるのを防ぐことができる。
Therefore, when the wafer 2 is irradiated with the ion beam 20, the positive charges on the wafer 2 given by the irradiation ions pass through the side surface and the back surface of the wafer 2 where the resist is not formed, and each pin 22 Since it is possible to let the back surface of the wafer 2 escape to the base 4 through the spring 24 and the lid 26, it is possible to prevent the electric charge from being accumulated on the wafer 2 due to the ion beam irradiation.

【0028】このようにして、イオンビーム照射に伴う
ウェーハ2の帯電を防ぐことができるので、ウェーハ2
とクランパー8間の放電も防ぐことができ、それによっ
てウェーハ2に対して正常にイオン注入等の処理を施す
ことができるようになる。
In this way, since the wafer 2 can be prevented from being charged with the ion beam irradiation, the wafer 2 can be prevented from being charged.
The discharge between the clamper 8 and the clamper 8 can also be prevented, whereby the wafer 2 can be normally subjected to a process such as ion implantation.

【0029】なお、ウェーハ2をクランパー8によって
クランプせずに単にゴム状弾性体6上へ載せたときも、
各ピン22の先端部はゴム状弾性体6上に突き出てウェ
ーハ2を支えるので、各ピン22はウェーハ2の裏面に
接触する。従ってこのときも、ウェーハ2の裏面からベ
ース4への電荷の放電経路が形成される。
Even when the wafer 2 is simply placed on the rubber-like elastic body 6 without being clamped by the clamper 8,
The tip of each pin 22 projects above the rubber-like elastic body 6 and supports the wafer 2, so that each pin 22 contacts the back surface of the wafer 2. Therefore, also at this time, a discharge path of electric charges from the back surface of the wafer 2 to the base 4 is formed.

【0030】また、ウェーハ2をウェーハ受け18によ
って支えているときは(図4中の2点鎖線参照)、その
内の導電性材料から成るウェーハ受け18によって、ウ
ェーハ2の裏面からベース4等への電荷の放電経路が形
成されるのは、従来例の場合と同様である。
Further, when the wafer 2 is supported by the wafer receiver 18 (see the chain double-dashed line in FIG. 4), the wafer receiver 18 made of a conductive material therein causes the back surface of the wafer 2 to move to the base 4 or the like. The discharge path for the charges is formed as in the case of the conventional example.

【0031】このようにこの実施例では、クランパー8
によってウェーハ2がクランプされているときもされて
いないときも常に、ウェーハ2の裏面からベース4への
電荷の放電経路が形成される。
Thus, in this embodiment, the clamper 8
A discharge path of charge is formed from the backside of the wafer 2 to the base 4 whenever the wafer 2 is clamped or not.

【0032】なお、上記のようなピン22およびばね2
4等の数は、複数であれば任意であるが、多い方が好ま
しく、従って6個または8個等としても良い。また、そ
れらを設ける場所は、ウェーハ2の面内でできるだけ均
等な配置にするのが好ましい。
The pin 22 and the spring 2 as described above are used.
The number such as 4 is arbitrary as long as it is plural, but it is preferable that the number is large, and therefore, 6 or 8 may be used. Further, it is preferable that the places where they are provided are arranged in the plane of the wafer 2 as evenly as possible.

【0033】また、上記はいずれもガイド軸12の周り
にばね14を設けた例を示したが、ガイド軸12を設け
ずに各クランパー軸10の周りにばね14を設けても良
い。
Although the above description shows an example in which the spring 14 is provided around the guide shaft 12, the spring 14 may be provided around each clamper shaft 10 without providing the guide shaft 12.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ウェー
ハ上の電荷を、各ピンおよびばねを通してウェーハの裏
面からベースへ逃がすことができるので、ウェーハ上に
イオンビーム照射による電荷が溜まるのを、即ちウェー
ハが帯電するのを防ぐことができる。その結果、帯電に
よる放電等を防止して、ウェーハに対して正常な処理を
施すことができるようになる。
As described above, according to the present invention, the charge on the wafer can be released from the back surface of the wafer to the base through each pin and the spring, so that the charge due to the ion beam irradiation is not accumulated on the wafer. That is, the wafer can be prevented from being charged. As a result, it is possible to prevent discharge and the like due to charging and perform normal processing on the wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例に係るウェーハ保持装置を
示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a wafer holding device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のウェーハ保持装置をウェーハを除いて示
す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing the wafer holding device of FIG. 1 excluding a wafer.

【図3】図1中の一つのピン周りを拡大して示す断面図
である。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the periphery of one pin in FIG.

【図4】従来のウェーハ保持装置の一例を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a conventional wafer holding device.

【図5】図4のウェーハ保持装置をウェーハを除いて示
す平面図である。
5 is a plan view showing the wafer holding device of FIG. 4 with a wafer removed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 ウェーハ 4 ベース 6 ゴム状弾性体 6a 貫通穴 8 クランパー 22 ピン 24 ばね 26 蓋 2 wafer 4 base 6 rubber-like elastic body 6a through hole 8 clamper 22 pin 24 spring 26 lid

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/3065 21/68 N ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/3065 21/68 N

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウェーハを支持するためのベースと、こ
のベースのウェーハ支持領域の表面に設けられたゴム状
弾性体と、ウェーハの周縁部をベースに向けて押さえ付
ける環状のクランパーとを備えるウェーハ保持装置にお
いて、前記ゴム状弾性体に複数の貫通穴を設け、かつ前
記ベース内であってゴム状弾性体の各貫通穴の下部に、
導電性材料から成り上下動自在であって上昇したときに
先端部がゴム状弾性体上にその貫通穴を通して突き出る
ピンと、導電性材料から成り各ピンを弾性的に押し上げ
ると共に各ピンをベースに電気的に導通させるばねとを
それぞれ設けたことを特徴とするウェーハ保持装置。
1. A wafer comprising a base for supporting a wafer, a rubber-like elastic body provided on a surface of a wafer supporting region of the base, and an annular clamper for pressing a peripheral portion of the wafer toward the base. In the holding device, a plurality of through holes are provided in the rubber-like elastic body, and in the base, below the through-holes of the rubber-like elastic body,
A pin made of a conductive material that can move up and down and its tip protrudes through the through hole on the rubber-like elastic body when it rises, and a pin made of a conductive material that elastically pushes up each pin and electrically connects each pin to the base. And a spring for electrically conducting the wafer, respectively.
JP34762993A 1993-12-24 1993-12-24 Wafer holder Pending JPH07180053A (en)

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