JPH07179729A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device - Google Patents
Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、局所応力によるアルミ
配線へのダメージが少なく、かつバリの発生が少ない半
導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device in which aluminum stress is less damaged by local stress and burr is less likely to occur.
【0002】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
半導体封止用として使用するエポキシ樹脂組成物として
は、エポキシ樹脂に硬化剤としてフェノール樹脂など、
無機充填剤としてシリカなどを配合したものが一般的に
使用されている。このようなエポキシ樹脂組成物は、例
えばフェノール樹脂組成物等の他の熱硬化性樹脂組成物
と比べて、溶融時の粘度が低く流動性に富んでいるた
め、LSI、IC、トランジスター等の微細なパターン
やワイヤーの損傷を抑えて耐湿性を向上させるのに有効
で、このため半導体封止用として好適に使用されている
ものである。2. Description of the Related Art Conventionally, the problems to be solved by the invention
Examples of the epoxy resin composition used for semiconductor encapsulation include an epoxy resin and a phenol resin as a curing agent,
A compound containing silica or the like as an inorganic filler is generally used. Such an epoxy resin composition has a low viscosity at the time of melting and a high fluidity as compared with other thermosetting resin compositions such as a phenol resin composition, so that it can be applied to fine particles such as LSIs, ICs, and transistors. It is effective for suppressing the damage of various patterns and wires and improving the moisture resistance, and is therefore preferably used for semiconductor encapsulation.
【0003】最近の動向として、シリコンチップの大型
化や配線幅の微細化に伴い、半導体封止材の膨張係数を
シリコンチップのそれに近づけることが要望されてお
り、その方法としてエポキシ樹脂組成物への充填剤配合
量を増やしてその硬化物の膨張係数を低くすることが行
われている。As a recent trend, along with the increase in size of silicon chips and the miniaturization of wiring width, it has been demanded that the expansion coefficient of the semiconductor encapsulating material should be close to that of the silicon chips. It is practiced to increase the compounding amount of the filler to lower the expansion coefficient of the cured product.
【0004】また、シリコンチップにアルミ配線を形成
した場合、アルミ配線上において局所応力が発生すると
いう問題があり、これを防止するため充填剤中の粗粒を
カットすることが行われている。Further, when aluminum wiring is formed on a silicon chip, there is a problem that a local stress is generated on the aluminum wiring, and in order to prevent this, coarse particles in the filler are cut.
【0005】しかしながら、摩耗性の大きな半導体封止
材の成形を数千回又はそれ以上行ったような金型を使用
した場合には、その金型の一部が削られてしまっている
ため従来の粗粒カット品を使用すると厚みが40〜10
0μmのような比較的厚いバリ(以後、これを「厚バ
リ」という)が発生してしまうという問題があった。However, when a die used for molding a semiconductor encapsulant having high abrasion property is performed several thousand times or more, a part of the die has been scraped, which is a conventional method. When using the coarse-grain cut product, the thickness is 40 to 10
There was a problem that a relatively thick burr of 0 μm (hereinafter referred to as “thick burr”) was generated.
【0006】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、局所応力によるアルミ配線のダメージが少なく、か
つ厚バリの発生の少ない成形性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供することを目的
とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device which are less likely to cause damage to aluminum wiring due to local stress and have less thickness burrs. The purpose is to provide.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、エポキシ
樹脂と硬化剤と充填剤とを含有してなるエポキシ樹脂組
成物に対して、平均粒径5〜30μmのシリカ及び/又
はアルミナと平均粒径55〜100μmで粒径150μ
m以上が5重量%以下である球状溶融シリカとを重量比
80:20〜97:3の割合で併用した充填剤を配合す
ることにより、一般的に粗粒を含む充填剤を用いた場合
に起こる局所応力の問題が発生しにくくなり、かつ厚バ
リを防止することができるということを知見し、本発明
をなすに至ったものである。Means for Solving the Problems and Actions The inventors of the present invention have conducted extensive studies to achieve the above object, and as a result, have found that an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent and a filler is used. , Silica and / or alumina having an average particle size of 5 to 30 μm and an average particle size of 55 to 100 μm, and a particle size of 150 μm
In general, when a filler containing coarse particles is used by blending a filler in which m or more and 5 wt% or less of spherical fused silica are used together in a weight ratio of 80:20 to 97: 3. The present invention has been accomplished by finding that the problem of local stress that occurs is less likely to occur and thick burr can be prevented.
【0008】従って、本発明は、エポキシ樹脂と硬化剤
と充填剤とを含有してなるエポキシ樹脂組成物におい
て、上記充填剤として、(A)平均粒径5〜30μmの
シリカ及び/又はアルミナと、(B)平均粒径55〜1
00μmで粒径150μm以上が5重量%以下である球
状溶融シリカとを重量比80:20〜97:3の割合で
使用したことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組
成物及び該組成物の硬化物で封止された半導体装置を提
供する。Therefore, the present invention provides an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent and a filler, wherein the filler is (A) silica and / or alumina having an average particle size of 5 to 30 μm. , (B) Average particle size 55 to 1
Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and spherical epoxy fused silica having a particle diameter of 150 μm or more and 5 μm or less at a diameter of 00 μm in a weight ratio of 80:20 to 97: 3, and the composition. Provided is a semiconductor device sealed with a cured product.
【0009】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、上述したよう
にエポキシ樹脂、硬化剤及び充填剤を主成分として含有
するものである。The present invention will be described in more detail below. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention contains the epoxy resin, the curing agent and the filler as the main components as described above.
【0010】ここで、上記エポキシ樹脂としては、従来
から知られている種々のものを使用することができ、例
えば、エポキシ化オルソクレゾールノボラック樹脂、エ
ポキシ化フェノールノボラック樹脂、脂環式エポキシ樹
脂、エポキシ化ビスフェノール樹脂、置換又は非置換の
トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、エポキシ化ビ
フェニル樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、或いは
これらにハロゲン原子を導入したエポキシ樹脂などを挙
げることができる。なお、これらエポキシ樹脂は、その
使用に当たっては必ずしも1種類の使用に限定されるも
のではなく、2種類又はそれ以上を混合して配合しても
よい。As the epoxy resin, various known resins can be used, for example, epoxidized orthocresol novolac resin, epoxidized phenol novolac resin, alicyclic epoxy resin and epoxy resin. Bisphenol resin, substituted or unsubstituted triphenolalkane type epoxy resin, epoxidized biphenyl resin, naphthalene ring-containing epoxy resin, or epoxy resin in which a halogen atom is introduced into these. It should be noted that these epoxy resins are not necessarily limited to one kind in use, and two or more kinds may be mixed and blended.
【0011】また、硬化剤は特に制限されるものではな
く、使用するエポキシ樹脂に応じて適宜選定することが
でき、例えばアミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェ
ノールノボラック型硬化剤などが挙げられるが、中でも
フェノールノボラック型硬化剤が組成物の成形性、耐湿
性の面でより望ましく、好適に使用できる。なお、フェ
ノールノボラック型硬化剤としては、具体的にフェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂などが例
示される。The curing agent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the epoxy resin used, and examples thereof include amine type curing agents, acid anhydride type curing agents and phenol novolac type curing agents. Among them, a phenol novolac type curing agent is more preferable in terms of moldability and moisture resistance of the composition and can be preferably used. Specific examples of the phenol novolac type curing agent include phenol novolac resin and cresol novolac resin.
【0012】上記硬化剤の配合量はエポキシ樹脂を硬化
させ得る量で、通常使用される量とすることができ、フ
ェノールノボラック型硬化剤を用いた場合、エポキシ樹
脂中のエポキシ基と硬化剤中のOH基との比がモル比で
1:0.5〜1:1.5となるように配合することが好
ましい。The compounding amount of the above-mentioned curing agent is an amount capable of curing the epoxy resin, and can be an amount usually used. When a phenol novolac type curing agent is used, the epoxy group in the epoxy resin and the curing agent are It is preferable to mix them in such a manner that the molar ratio thereof to the OH group is 1: 0.5 to 1: 1.5.
【0013】なお、本発明では、エポキシ樹脂と硬化剤
との反応を促進させる目的で各種硬化促進剤、例えばイ
ミダゾール類、3級アミン類、ホスフィン系化合物、シ
クロアミジン化合物などを配合することが望ましい。そ
の配合量は、特に制限はないが、通常全系に対して0.
05〜1重量%とすることが好ましい。In the present invention, various curing accelerators, such as imidazoles, tertiary amines, phosphine compounds, and cycloamidine compounds, are preferably added for the purpose of promoting the reaction between the epoxy resin and the curing agent. . The blending amount is not particularly limited, but is usually 0.
It is preferably set to 05 to 1% by weight.
【0014】また更に、本発明では硬化物の応力を低下
させる目的で組成物中にシリコーン系ポリマーを配合し
てもよい。シリコーン系ポリマーを配合すると、硬化物
の熱衝撃テストにおけるパッケージクラックの発生を著
しく少なくすることが可能である。このシリコーン系ポ
リマーとしては、例えばエポキシ基、アミノ基、カルボ
キシル基、水酸基、ヒドロシリル基、ビニル基などを有
するシリコーンオイル、シリコーンレジン、シリコーン
ゴム等やこれらシリコーンポリマーと有機重合体、例え
ば置換又は非置換のフェノールノボラック樹脂等との共
重合体を挙げることができる。Furthermore, in the present invention, a silicone polymer may be added to the composition for the purpose of reducing the stress of the cured product. When a silicone-based polymer is blended, it is possible to significantly reduce the occurrence of package cracks in the thermal shock test of the cured product. Examples of the silicone-based polymer include silicone oil having an epoxy group, an amino group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a hydrosilyl group, a vinyl group, etc., a silicone resin, a silicone rubber and the like, and these silicone polymers and organic polymers such as substituted or unsubstituted. Examples thereof include a copolymer with a phenol novolac resin.
【0015】なお、シリコーン系ポリマーの添加量は特
に限定されないが、通常エポキシ樹脂と硬化剤との合計
量100部(重量部、以下同様)に対し1〜50部とす
ることが好ましい。The addition amount of the silicone polymer is not particularly limited, but it is usually preferably 1 to 50 parts per 100 parts (part by weight, the same applies hereinafter) of the total amount of the epoxy resin and the curing agent.
【0016】次に、本発明においては、上述したよう
に、以下の(A)、(B)からなる充填剤を用いるもの
である。 (A)平均粒径5〜30μmのシリカ及び/又はアルミ
ナ (B)平均粒径55〜100μmで粒径150μm以上
が5%(重量%、以下同じ)以下である球状溶融シリカNext, in the present invention, as described above, the following fillers (A) and (B) are used. (A) Silica and / or alumina having an average particle size of 5 to 30 μm (B) Spherical fused silica having an average particle size of 55 to 100 μm and a particle size of 150 μm or more is 5% (% by weight, the same applies below) or less
【0017】ここで、上記(A)成分の充填剤は、平均
粒径が5〜30μm、好ましくは8〜25μmのものを
使用するが、平均粒径が5μmより小さいと得られる組
成物の流動性が悪くなり、一方30μmより大きいと局
所応力が大きくなる。(A)の充填剤としては、結晶シ
リカ、溶融シリカ、アルミナより選択することができ、
またその形状も球状、破砕状であるとを問わなくてもよ
い。The filler as the component (A) used herein has an average particle size of 5 to 30 μm, preferably 8 to 25 μm. If the average particle size is less than 5 μm, the composition obtained will flow. If it is larger than 30 μm, the local stress becomes large. The filler (A) can be selected from crystalline silica, fused silica and alumina,
The shape thereof does not have to be spherical or crushed.
【0018】一方、上記(B)成分の充填剤は、局所応
力の発生を少なくし、厚バリを防止するために有効なも
のであり、平均粒径55〜100μm、好ましくは60
〜90μmのものを使用する。平均粒径が55μmより
小さい場合には厚バリ防止効果が十分発揮されず、10
0μmより大きい場合には150μm以上の粗粒を5%
以下に抑制しにくくなる。On the other hand, the filler as the component (B) is effective for reducing the occurrence of local stress and preventing thick burr, and has an average particle size of 55 to 100 μm, preferably 60.
The one having a thickness of ˜90 μm is used. If the average particle size is smaller than 55 μm, the effect of preventing thick burr is not sufficiently exerted, and 10
If larger than 0 μm, use 5% of coarse particles of 150 μm or more
It becomes difficult to suppress below.
【0019】また、この(B)成分は粒径150μm以
上のものが5%以下である必要があり、好ましくは3%
以下である。5%を超える場合には、局所応力の問題が
発生しやすくなる。The component (B) must have a particle size of 150 μm or more in an amount of 5% or less, preferably 3%.
It is the following. If it exceeds 5%, the problem of local stress tends to occur.
【0020】更に、(B)成分は、(A)及び(B)成
分の合計重量に対して3〜20%、特に5〜15%用い
る。3%未満の場合には十分なバリ止め効果が得られ
ず、20%を超える場合には局所応力の問題が発生しや
すくなる。Further, the component (B) is used in an amount of 3 to 20%, particularly 5 to 15%, based on the total weight of the components (A) and (B). If it is less than 3%, a sufficient burr prevention effect cannot be obtained, and if it exceeds 20%, the problem of local stress tends to occur.
【0021】この(A)、(B)成分からなる充填剤の
充填量は、本発明のエポキシ樹脂組成物全体に対し75
〜94%とすることが好ましく、より好ましくは80〜
92%とする。充填量が75%未満では、得られた硬化
物の膨張係数が大きくなってしまうため応力特性が悪く
なってしまう場合があり、94%を超えると成形時の溶
融粘度が高くなりすぎるためにボイド、未充填などが発
生する場合がある。The filling amount of the filler composed of the components (A) and (B) is 75 with respect to the entire epoxy resin composition of the present invention.
To 94%, more preferably 80 to
92%. If the filling amount is less than 75%, the coefficient of expansion of the obtained cured product becomes large and the stress characteristics may deteriorate. If it exceeds 94%, the melt viscosity at the time of molding becomes too high, resulting in voids. , Unfilling may occur.
【0022】なお、上述した充填剤は、その使用に際し
て予めシランカップリング剤で表面処理した後に使用す
ると、より一層耐湿性の高い硬化物を与える組成物を得
られるものである。When the above-mentioned filler is used after being surface-treated with a silane coupling agent before use, a composition which gives a cured product having higher moisture resistance can be obtained.
【0023】本発明の組成物には、更に必要により各種
の添加剤を配合することができ、例えばカルナバワック
ス等のワックス類、ステアリン酸等の脂肪酸やその金属
塩等の離型剤(中でも接着性、離型性の面からカルナバ
ワックスが好適に用いられる)、有機ゴム系等の可撓性
付与剤、カーボンブラック,コバルトブルー,ベンガラ
等の顔料、酸化アンチモン,ハロゲン化合物等の難燃化
剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等の
表面処理剤、エポキシシラン,ホウ素化合物,アルキル
チタネート等のシランカップリング剤、老化防止剤、そ
の他の添加剤の1種又は2種以上を配合することができ
る。If desired, various additives may be added to the composition of the present invention. For example, waxes such as carnauba wax, release agents such as fatty acids such as stearic acid and metal salts thereof (among others, adhesives). Is preferably used from the standpoint of properties and releasability), flexibility-imparting agents such as organic rubber, pigments such as carbon black, cobalt blue and red iron oxide, flame retardants such as antimony oxide and halogen compounds. , One or more of surface treatment agents such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, epoxysilane, boron compounds, silane coupling agents such as alkyl titanate, antioxidants, and other additives. You can
【0024】なお、本発明のエポキシ樹脂組成物は、そ
の製造に際し、上述した成分の所定量を均一に攪拌、混
合し、予め70〜95℃に加熱してあるニーダー、ロー
ル、エクストルーダー等で混練、冷却し、粉砕する等の
方法で得ることができるが、特にミキシングロール、押
出機を用いた溶融混合法が好適に採用される。ここで、
成分の配合順序に特に制限はない。In the production of the epoxy resin composition of the present invention, a predetermined amount of the above-mentioned components are uniformly stirred and mixed, and the mixture is heated in advance at 70 to 95 ° C. with a kneader, roll, extruder or the like. It can be obtained by a method such as kneading, cooling and pulverizing, and a melt mixing method using a mixing roll and an extruder is particularly preferably used. here,
There is no particular limitation on the order of mixing the components.
【0025】上述したように、本発明のエポキシ樹脂組
成物は局所応力が発生しにくく、バリ特性も良好である
ため、IC、LSI、トランジスター、サイリスタ、ダ
イオード等の半導体装置の封止用として好適に使用する
ことができ、そのほかプリント回路板の製造などにも有
効に使用できる。As described above, since the epoxy resin composition of the present invention is unlikely to generate local stress and has good burr characteristics, it is suitable for sealing semiconductor devices such as ICs, LSIs, transistors, thyristors and diodes. It can also be used effectively for manufacturing printed circuit boards.
【0026】ここで、半導体装置の封止を行う場合は、
従来より採用されている成形法、例えばトランスファー
成形、注型法などを採用して行うことができる。この場
合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜180
℃、ポストキュアーは150〜180℃で2〜16時間
行うことができる。Here, when the semiconductor device is sealed,
It can be carried out by adopting a conventionally used molding method such as transfer molding or casting method. In this case, the molding temperature of the epoxy resin composition is 150 to 180.
C. and post cure can be performed at 150 to 180.degree. C. for 2 to 16 hours.
【0027】[0027]
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、アルミ配線上の局所的な応力不良が発生しにく
く、かつ厚バリの発生の少ない成形性に優れた硬化物を
与えることができ、本発明の組成物の硬化物で封止され
た半導体装置は信頼性の高いものである。EFFECT OF THE INVENTION The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention can give a cured product excellent in moldability in which local stress failure on aluminum wiring is unlikely to occur and thick burr is less likely to occur. The semiconductor device that can be sealed with the cured product of the composition of the present invention has high reliability.
【0028】[0028]
【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部を示す。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. In the following examples, all parts are parts by weight.
【0029】[実施例1,2、比較例1〜3]エポキシ
当量198、軟化点60℃のエポキシ化クレゾールノボ
ラック樹脂51部、エポキシ当量280の臭素化エポキ
シ化フェノールノボラック樹脂6部、フェノール当量1
10、軟化点90℃のフェノールノボラック樹脂33
部、下記式(a)で示される化合物60部と下記式
(b)で示される化合物40部との反応生成物10部、
トリフェニルホスフィン0.65部、三酸化アンチモン
10部、カルナバワックス1.2部、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン1.5部、カーボン1部を
混合したベースに、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン0.6%で表面処理した表1に示すシリカを
表2に示す量で配合し、80℃のミキシングロールで5
分間溶融混合した後、シート状にして取り出し、これを
冷却粉砕して組成物を得た。[Examples 1 and 2, Comparative Examples 1 to 3] Epoxy equivalent of 198, 51 parts of epoxidized cresol novolac resin having a softening point of 60 ° C, 6 parts of brominated epoxidized phenol novolac resin having an epoxy equivalent of 280, and phenol equivalent of 1
10, phenol novolac resin 33 with a softening point of 90 ° C
Part, a reaction product of 60 parts of the compound represented by the following formula (a) and 40 parts of the compound represented by the following formula (b),
Triphenylphosphine (0.65 parts), antimony trioxide (10 parts), carnauba wax (1.2 parts), γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane (1.5 parts), and carbon (1 part) were mixed in a base, and γ-glycidoxypropyl was added. Silica shown in Table 1 surface-treated with 0.6% of trimethoxysilane was blended in an amount shown in Table 2, and mixed with a mixing roll at 80 ° C.
After melt-mixing for a minute, the mixture was taken out as a sheet and cooled and pulverized to obtain a composition.
【0030】[0030]
【化1】 [Chemical 1]
【0031】得られた組成物につき、以下に示す(イ)
〜(ハ)の諸試験を行った。結果を表2に示す。 (イ)スパイラルフロー EMMI規格に準じた金型を使用して175℃、70k
gf/cm2の条件で測定した。 (ロ)バリ 図1に示すバリ測定用金型を用いて、成形温度175±
2℃、成形時間180±5秒間、成形圧力70±5kg
/cm2の条件で、試料20gを成形機に投入後、速や
かにプランジャを降下させ、10秒以内に加圧を開始し
て成形した時の75μm深さへのバリ長さを0.1mm
の単位まで測定した。なお、図中各方向の深さは図1に
示した数値(単位はμm)であり、幅は4mmである。 (ハ)応力不良発生数(局所応力性の評価) 5μm配線幅及び間隔のアルミ配線を有するシリコンチ
ップを搭載した14pinDIPを成形温度175±2
℃、成形時間180±5秒間、成形圧力70±5kg/
cm2の条件で成形した後、180℃で4時間加熱した
試験体を形成し、この試験体を初期状態とした。−50
℃で30分、150℃で30分を1サイクルとして、2
000サイクル終了後のリード端子間の抵抗値が1Ω以
上のものの数を応力不良発生数として調べた。(母数;
40)The composition obtained is shown below (a).
Various tests of (C) were conducted. The results are shown in Table 2. (A) Spiral flow 175 ° C, 70k using a mold conforming to EMMI standard
It was measured under the condition of gf / cm 2 . (B) Burr Molding temperature of 175 ±
2 ℃, molding time 180 ± 5 seconds, molding pressure 70 ± 5kg
After the 20 g of the sample was put into the molding machine under the condition of / cm 2 , the plunger was quickly lowered, and the pressurization was started within 10 seconds to form a burr length of 0.1 mm at a depth of 75 μm when molding.
To the unit of. The depth in each direction in the figure is the numerical value (unit is μm) shown in FIG. 1, and the width is 4 mm. (C) Number of stress failures (evaluation of local stress) 14-pin DIP mounted with a silicon chip having an aluminum wiring with a wiring width of 5 μm and a molding temperature of 175 ± 2
C, molding time 180 ± 5 seconds, molding pressure 70 ± 5 kg /
After molding under the condition of cm 2 , a test body was heated at 180 ° C. for 4 hours to form a test body as an initial state. -50
One cycle consists of 30 minutes at ℃ and 30 minutes at 150 ℃ 2
The number of those having a resistance value between the lead terminals of 1Ω or more after 000 cycles was examined as the number of stress defects. (Parameter;
40)
【0032】[0032]
【表1】 [Table 1]
【0033】[0033]
【表2】 [Table 2]
【0034】表2の結果より、本発明のエポキシ樹脂組
成物を使用すると、バリ特性に優れていると共に、応力
不良発生が起こりにくい即ち局所応力性に優れた硬化物
を得られることが確認された。From the results shown in Table 2, it was confirmed that when the epoxy resin composition of the present invention was used, a cured product which was excellent in burr properties and in which stress defects did not easily occur, that is, excellent in local stress property was obtained. It was
【図1】実施例及び比較例で使用したバリ測定用金型を
示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing burrs measuring molds used in Examples and Comparative Examples.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/31 (72)発明者 戸塚 賢一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number in the agency FI Technical indication location H01L 23/31 (72) Inventor Kenichi Totsuka 1 Hitomi, Osamu Matsuida-cho, Usui-gun, Gunma 10 Shin-Etsu Chemical Industrial Co., Ltd. Silicone Electronic Materials Research Laboratory (72) Inventor Toshio Shiobara 1 Hitomi, Osamu Matsuida-cho, Usui-gun, Gunma Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Claims (3)
を含有してなるエポキシ樹脂組成物において、上記無機
質充填剤として、(A)平均粒径5〜30μmのシリカ
及び/又はアルミナと、(B)平均粒径55〜100μ
mで粒径150μm以上が5重量%以下である球状溶融
シリカとを重量比80:20〜97:3の割合で使用し
たことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。1. An epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler, wherein (A) silica and / or alumina having an average particle size of 5 to 30 μm, B) Average particle size 55 to 100 μ
An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, characterized in that spherical fused silica having a particle size of 150 μm or more and 5 wt% or less is used in a weight ratio of 80:20 to 97: 3.
重量%を配合した請求項1記載の組成物。2. Inorganic filler in 75-94 of the total composition.
The composition according to claim 1, which is blended in a weight percentage.
封止された半導体装置。3. A semiconductor device encapsulated with the cured product of the composition according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34811593A JPH07179729A (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP34811593A JPH07179729A (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07179729A true JPH07179729A (en) | 1995-07-18 |
Family
ID=18394849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP34811593A Pending JPH07179729A (en) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH07179729A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003073527A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34811593A patent/JPH07179729A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003073527A (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Epoxy resin composition and semiconductor device |
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