JPH0717800A - 気相化学反応エッチング方法ならびにその装置 - Google Patents

気相化学反応エッチング方法ならびにその装置

Info

Publication number
JPH0717800A
JPH0717800A JP16490793A JP16490793A JPH0717800A JP H0717800 A JPH0717800 A JP H0717800A JP 16490793 A JP16490793 A JP 16490793A JP 16490793 A JP16490793 A JP 16490793A JP H0717800 A JPH0717800 A JP H0717800A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
etching
reaction gas
etched
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16490793A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Suzuki
健 鈴木
Toshiyuki Matsui
俊之 松井
Hiroshi Kimura
浩 木村
Kazuo Koe
和郎 向江
Akihiko Oi
明彦 大井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP16490793A priority Critical patent/JPH0717800A/ja
Publication of JPH0717800A publication Critical patent/JPH0717800A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】金属元素の酸化物もしくは窒化物の気相化学反
応エッチングを容易に可能にするエッチング方法とその
装置構成とを提供する。 【構成】反応ガスとして、水素ガスと、電子受容性ガ
ス:A(Aは炭素数が1〜3のアルカン、アルケンある
いはアルキン類の炭素化水素、もしくはこれらのアルコ
ール類,ケトン類,または前記炭化水素の水素をハロゲ
ンで置換した物質、またはハロゲンの単体)中の少なく
とも1種とを用い、被エッチング物の構成元素を各反応
ガスの作用で個別に母材表面から離脱させる方法とす
る。各反応ガスはこれらを混合し、あるいは個別にプラ
ズマ励起して同時に被エッチング物に作用させてトータ
ルなエッチング量を効率よく得るようにするか、個別に
プラズマ励起された各反応ガスを時間帯をずらせて被エ
ッチング物2に作用させて原子層ごとのエッチングも可
能にする使い方とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、金属元素の酸化物も
しくは窒化物を気相中での化学反応によりエッチングす
るためのエッチング方法ならびにエッチング装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】気相中での化学反応に与かる反応ガス
は、エッチング反応を効果的に行わせるために通常プラ
ズマ励起が行われ、このプラズマ励起には弱電離プラズ
マが用いられている。弱電離プラズマとは中性分子ガス
の一部が電離してイオンと電子が空間中に等量存在した
状態を言う。このうち電子は外部から与えられる電界に
よって10eV程度のエネルギーを持ち、中性気体種と
衝突する事によって、励起された気体種、分解された中
性分子種を発生させる。これらのうち気相化学反応に関
与する高活性な気体種は、イオン、励起種、分解中性分
子種いわゆるラジカルである。
【0003】例えば、Si,GaAsなどの半導体を化
学反応エッチングする場合、エッチングのための反応ガ
スとしてハロゲンを含むガスを用いる。これがプラズマ
中で分解してハロゲンラジカルを生成し、半導体と反応
することでエッチングが行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】被エッチング物が金属
元素の酸化物もしくは窒化物の場合、ハロゲンガスでの
気相化学反応エッチングが非常に困難である。本発明の
目的は、金属元素の酸化物もしくは窒化物の気相化学反
応エッチングを容易に可能にするエッチング方法ならび
にその装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては、金属元素の酸化物もしくは窒化
物の気相化学反応エッチングに、水素ガスと、電子受容
性ガス:A(Aは炭素数が1〜3のアルカン,アルケン
あいはアルキン類の炭化水素、もしくはこれらのアルコ
ール類,ケント類、または前記炭化水素をハロゲンで置
換した物質、またはハロゲンの単体)中の少なくとも1
種とを反応ガスとして用いる方法とする。
【0006】この場合、各反応ガスのプラズマ励起の仕
方と被エッチング物の位置との組合わせにより、以下の
各エッチング方法が可能であり、目的により使い分けす
るようにすれば好適である。 第1のエッチング方法:すべての反応ガスを同時に共通
のプラズマ化空間中に導入して混合ガスのプラズマを発
生させ、このプラズマ中でエッチングを行わせる方法。
【0007】第2のエッチング方法:各反応ガスを共通
のプラズマ化空間中へ時間帯をずらせて導入して隣り合
う時間帯に互いに異なる反応ガスのプラズマを発生さ
せ、該各反応プラズマ中でエッチングを行うようにし
て、反応ガス別エッチングを時系列に、あるいは繰り返
して行う方法。 第3のエッチング方法:すべての反応ガスを同時に共通
のプラズマ化空間を通過させつつプラズマ化空間通過中
にプラズマ励起された混合ガスをプラズマ化空間の外部
に位置する被エッチング物に照射してエッチングを行う
方法。
【0008】第4のエッチング方法:各反応ガスをそれ
ぞれ、互いに独立したプラズマ化空間を同時に通過させ
つつ各プラズマ化空間通過中にプラズマ励起された各反
応ガスを同時に各プラズマ化空間の外部に位置する被エ
ッチング物に照射してエッチングを行う方法。 第5のエッチング方法:各反応ガスをそれぞれ、互いに
独立したプラズマ化空間を通過させつつプラズマ化空間
通過中にプラズマ励起された各反応ガスを、各プラズマ
化空間の外部に位置する被エッチング物に時間帯をずら
せて照射してエッチングを行う方法。
【0009】第6のエッチング方法:第5のエッチング
方法において、時間帯をずらせての各反応ガスの照射
を、各プラズマ化空間で各反応ガスを同時にプラズマ励
起しつつ、各プラズマ化空間と被エッチング物との間に
位置するシャッタの開閉時間帯をずらせることにより行
う方法。 第7のエッチング方法:第5のエッチング方法におい
て、時間帯をずらせての各反応ガスの照射を、各プラズ
マ化空間からの反応ガス照射方向を同一平面内で同方向
として、各プラズマ化空間で各反応ガスを同時にプラズ
マ励起しつつ被エッチング物を前記平面内で反応ガス照
射方向と直角方向に直線移動させることにより行う方
法。
【0010】第8のエッチング方法:第5のエッチング
方法において、時間帯をずらせての各反応ガスの照射
を、各プラズマ化空間からの反応ガス照射方向を同一平
面内で同一中心点へ向かう放射状方向として、各プラズ
マ化空間で各反応ガスを同時にプラズマ励起しつつ被エ
ッチング物を前記平面内で前記中心点を中心とした円軌
道の公転移動をさせることにより行う方法。
【0011】第9のエッチング方法:第5のエッチング
方法において、時間帯をずらせての各反応ガスの照射
を、各反応ガスを各プラズマ化空間を同時に通過させつ
つ各プラズマ化空間のプラズマ励起時間帯をずらせるこ
とにより行う方法。 そして、以上のエッチング方法のうち、特に第6,第7
および第9のエッチング方法を実現するための装置を、
本発明では以下の構成のものとする。
【0012】第6のエッチング方法を実現するための装
置は、互いに独立したプラズマ化空間が、該各プラズマ
化空間からの反応ガス照射方向が共通の1点を通過する
ように配設されるとともに、該共通点位置に被エッチン
グ物を支持する支持機構を備え、かつ該共通点と各プラ
ズマ化空間の反応ガス噴出口との間にそれぞれ、互いに
独立に開閉可能なシャッタが設けられた構成とする。こ
の構成の装置をここでは第6の装置という。
【0013】第7のエッチング方法を実現するための装
置は、互いに独立したプラズマ化空間が、該各プラズマ
化空間からの反応ガス照射方向が同一平面内で同方向と
なるように配設されるとともに該平面内を反応ガス照射
方向と直角方向に被エッチング物を移動させる直線移動
機構を備えた構成とする。この構成の装置をここでは第
7の装置という。なお、第7の装置において、各プラズ
マ化空間の反応ガス噴出口と被エッチング物の移動軌跡
との間にそれぞれ、互いに独立に開閉可能なシャッタが
設けられ、被エッチング物が各プラズマ化空間の反応ガ
ス噴出口前面側に反応ガス噴出口と同軸に位置したとき
のみ被エッチング物前面のシャッタが開くように操作さ
れるようにすればさらに好適である。この構成の装置を
ここでは第7Aの装置という。
【0014】第8のエッチング方法を実現するための装
置は、互いに独立したプラズマ化空間が、該各プラズマ
化空間からの反応ガス照射方向が同一平面内で同一中心
点へ向かう放射状方向となるように配設されるとともに
被エッチング物を該平面内で前記中心点を中心とする円
軌道で公転させる公転移動機構を備えた構成とする。こ
の構成の装置をここでは第8の装置という。なお、第8
の装置において、各プラズマ化空間の反応ガス噴出口と
被エッチング物の移動軌跡との間にそれぞれ、互いに独
立に開閉可能なシャッタが設けられ、被エッチング物が
各プラズマ化空間の反応ガス噴出口前面側に反応ガス噴
出口と同軸に位置したときのみ被エッチング物前面のシ
ャッタが開くように操作されるようにすればさらに好適
である。この構成の装置をここでは第8Aの装置とい
う。
【0015】第9のエッチング方法を実現するための装
置は、互いに独立したプラズマ化空間が、各プラズマ化
空間からの反応ガス照射方向が共通の1点を通過するよ
うに配設されるとともに該共通点位置に被エッチング物
を支持する支持機構を備え、かつ各プラズマ化空間のプ
ラズマ励起操作が時間帯をずらせて行われる構成とする
か(この構成の装置をここでは第91の装置という)、
互いに独立したプラズマ化空間が、該各プラズマ化空間
からの反応ガス照射方向が同一平面内で同方向となるよ
うに配設されるとともに該平面内を反応ガス照射方向と
直角方向に被エッチング物を移動させる直線移動機構を
備え、被エッチング物が各プラズマ化空間の反応ガス噴
出口前面側に反応ガス噴出口と同軸に位置したときのみ
被エッチング物と同軸の反応ガス噴出口を有するプラズ
マ化空間がプラズマ励起操作される構成とするか(この
構成の装置をここでは第92の装置という)、あるいは
互いに独立したプラズマ化空間が、該各プラズマ化空間
からの反応ガス照射方向が同一平面内で同一中心点へ向
かう放射状方向となるように配設されるとともに被エッ
チング物を該平面内で前記中心点を中心とする円軌道で
公転させる公転移動機構を備え、被エッチング物が各プ
ラズマ化空間の反応ガス噴出口前面側に反応ガス噴出口
と同軸に位置したときのみ被エッチング物と同軸の反応
ガス噴出口を有するプラズマ化空間がプラズマ励起操作
される構成とする(この構成の装置をここでは第93の
装置という)。
【0016】
【作用】金属元素の酸化物もしくは窒化物のエッチング
が困難な理由は、酸素,窒素と金属とのイオン結合が強
く、ハロゲンラジカルとの反応が阻害されるからであ
る。本発明による気相化学反応エッチング方法の原理
は、被エッチング物最表面の酸素,窒素を水素により還
元せしめ、最表面でのイオン結合を喪失させ、同時に金
属の最表面元素を電子受容性ガスにより離脱させるもの
である。
【0017】具体的なエッチング方法として、本発明で
は、上述の9方法を提案しているが、これらの方法は、
各反応ガスを同時にプラズマ励起して同時に被エッチン
グ物に作用させる方法と、各反応ガスを個別の各プラズ
マ化空間で同時に、あるいは時間帯をずらせてプラズマ
励起し、各反応ガス別に時間帯をずらせて被エッチング
物に作用させる方法とに大別される。各反応ガスを同時
に被エッチング物に作用させる方法は、必要なエッチン
グ量を短時間に得るために効果的に適用されるもので、
エッチング操作や装置構成が単純になる利点があり、ま
た、各反応ガスを時間帯をずらせて被エッチング物に作
用させる方法は、各反応ガスの圧力と1回当たりのエッ
チング時間とを適宜に設定することにより、原子層ごと
のエッチングも可能になる利点がある。
【0018】各反応ガスを同時に被エッチング物に作用
させる方法は、さらに、各反応ガスを共通のプラズマ化
空間に導入し、その混合ガスをプラズマ励起する方法
(第1,第3のエッチング方法)と、各反応ガスをそれ
ぞれ、互いに独立したプラズマ化空間に導入して各反応
ガス別にプラズマ励起し、プラズマ励起された各反応ガ
スを途中で混合することなく、直接被エッチング物に同
時に照射する方法(第4のエッチング方法)とに分けら
れる。混合ガスをプラズマ励起する場合、被エッチング
物をプラズマ化空間中に置く場合と、プラズマ化空間の
外部においてプラズマ励起された混合ガスを照射する場
合とでは、ガス条件(成分,分圧)が同一でもエッチン
グ速度が異なり、以下に説明する実施例では、被エッチ
ング物をプラズマ化空間の外部に置く場合の方がエッチ
ング速度が大きくなる。しかし装置構成はやや複雑化す
る。また、反応ガス別にプラズマ励起して被エッチング
物に同時に照射する方法では、上記第1,第3いずれの
方法よりもエッチング速度が速くなる。しかし、装置と
して各反応ガスの種類と同数のプラズマ化空間を必要と
する。
【0019】上記第1,第3,第4の方法以外のエッチ
ング方法は、すべて、プラズマ励起された各反応ガスを
時間帯をずらせて被エッチング物に作用させる方法であ
る。これらの方法のうち、被エッチング物をプラズマ化
空間中に置いてエッチングを行う方法ではエッチング速
度が小さく、プラズマ化空間の外部に置いてプラズマ励
起された反応ガス照射を行うものの方がエッチング速度
が速くなる。しかし、プラズマ化空間を各反応ガスの種
類と同数必要とするために、装置がやや複雑,大型化す
る。
【0020】上記9方法とその装置構成における具体的
な作用,効果のちがいについては、以下の実施例の項で
代表例を用いて具体的に説明する。なお、本発明では、
電子受容性ガス中、炭化水素については炭素数が1〜3
のものを反応ガスとしているが、これは、炭素数が多い
と炭化水素が気相になりにくいこと、また、減圧状態で
気相になってもラジカル中で活性化されるとき分子内で
の結合が切れて炭素数が不特定の分子に分解すること、
から、現象のばらつきを小さくして作用を確定的なもの
とするためである。しかし、炭素数が多くても減圧状態
で一旦気化すれば、本発明の目的に適った作用が現れる
ので、炭素数の多い炭化水素でも本発明の思想内にある
物質と考えることができる。
【0021】
【実施例】図1に本発明による気相化学反応エッチング
方法を実現するための装置構成の第1の実施例を示す。
この実施例は、〔手段〕の項に示した第1のエッチング
方法を実現するための装置構成の一例を示し、反応ガス
をプラズマ励起するプラズマ化空間が高周波電源5から
13.56MHz の高周波電圧が印加される平行平板電極
1,1の間に形成されている。水素と、アルカン類炭化
水素(分子式:Cn2n+2)の最低級員であるメタン
(CH4 )とを1:1に混合したガスを、真空容器4内
圧力で1Paになるように流量調節してプラズマを発生
させた。被エッチング物2には酸化物超伝導体のYBa
2 Cu3 x を用い、これを平行平板電極1,1間のプ
ラズマ化空間内に置いて水素、メタンの混合ガスのプラ
ズマを作用させることによりエッチングを行い、3nm
/minのエッチング速度が得られた。
【0022】また、被エッチング物にMgOを用い、同
様にしてエッチングを行い、1.5nm/minのエッ
チング速度が得られた。図2に本発明による気相化学反
応エッチング方法を実現するための装置構成の第2の実
施例を示す。この実施例は、〔手段〕で項に示した第2
のエッチング方法を実現するための装置構成の一例を示
し、真空容器4内へ水素とメタンとを時間帯をずらせて
交互に導入できるよう、水素用配管とメタン用配管とが
それぞれバルブ7,6を介して真空容器4のガス導入口
に接続されている。このほかの装置構成は第1の実施例
の場合と同じである。エッチング時の圧力は、水素,メ
タンともにそれぞれ1Paとした。被エッチング物2へ
のプラズマ作用時間は、水素10秒,メタン10秒と
し、このサイクルを900回繰り返した。
【0023】被エッチング物に酸化物超伝導体:YBa
2 Cu3 x のC軸配向膜を用いた結果、約180nm
のエッチング深さが得られた。この値を1サイクルあた
りのエッチング深さに換算すると0.2nmであり、こ
の値はYBa2 Cu3 x の原子1層分の厚さに相当す
る。したがって水素メタンとによるプラズマ処理1サイ
クルで原子層深さのエッチングが達成されたと考えられ
る。
【0024】また、被エッチング物にMgOを用いた場
合も1サイクルあたりのエッチング深さは0.2nmで
あり、したがってプラズマ処理1サイクルで原子層深さ
のエッチングが達成された考えられる。図3に本発明に
よる気相化学反応エッチング方法を実現するための装置
構成の第3の実施例を示す。この実施例は、〔手段〕の
項に示した第3のエッチング方法を実現するための装置
構成の一例を示し、反応ガスをプラズマ励起するプラズ
マ化空間が、誘導結合型放電管9の内部でその励磁コイ
ル8のほぼ軸方向長さの範囲内に形成される。また、こ
の装置は、放電管9のガス噴出口を介してプラズマ化空
間と連通する真空容器11を備え、被エッチング物2は
真空容器11内に置かれ、エッチングはガス噴出口から
プラズマ励起された反応ガスを照射することにより行わ
れる。
【0025】水素とメタンとを1:1に混合したガス
を、放電管9内圧力で0.5Paになるように流量調節
し、高周波電源5から13.56MHz の高周波電流を励
磁コイル8に流してプラズマを発生させた。反応ガスは
真空容器11内に噴出し被エッチング物2の表面に照射
される。この時の真空容器11内の圧力は2×10-3
aだった。被エッチング物2に酸化物超電導体のYBa
2 Cu3 x を用いた結果、10nm/minのエッチ
ング速度が得られた。また、被エッチング物2にMgO
を用いた場合には6nm/minのエッチング速度であ
った。
【0026】なお、実施例1でエッチングしたYBa2
Cu3 x は、エッチング後の残りの部分が超電導性を
失ってしまったが、これは被エッチング物がプラズマに
さらされ、超伝導体にダメージをあたえたためであると
考えられる。しかし、本装置ではプラズマ化空間とエッ
チング処理室とを分離し、ダメージを軽減したため、超
電導転移温度の劣化は見られなかった。
【0027】図4に本発明による気相化学反応エッチン
グ方法を実現するための装置構成の第4の実施例を示
す。この実施例は、〔手段〕の項に示した第4のエッチ
ング方法を実現するための装置構成の一例を示し、プラ
ズマ化空間を構成する放電管9を反応ガスの種類と同
数、各放電管9からの反応ガス照射方向が共通の1点を
通るように、ここでは反応ガスを水素およびメタンとし
て2個設けるとともに、各放電管9の内部空間とガス噴
出口を介して連通する,各放電管に共通の真空容器12
をエッチング処理室として設けたものである。
【0028】放電管9内のプラズマ励起条件は、励磁コ
イル8の巻数、放電管9内の圧力,励磁コイル8への入
力電力等を各反応ガスで最適化した。エッチングは被エ
ッチング物2を真空容器12内に置き、各放電管9のガ
ス噴出口から反応ガスを被エッチング物2に同時に照射
して行った。被エッチング物に酸化物超伝導体のYBa
2 Cu3 x を用いた結果、30nm/minのエッチ
ング速度が得られた。また、被エッチング物にMgOを
用いた場合には20nm/minのエッチング速度であ
った。
【0029】図5に本発明による気相化学反応エッチン
グ方法を実現するための装置構成の第5の実施例を示
す。この実施例は、〔手段〕の項に示した第6のエッチ
ング方法を実現するための装置構成の一例を示し、実施
例4の装置に対してシャッタ14および15を付加した
ものである。これらのシャッタ14,15は互いに独立
に開閉可能に構成され、交互に開閉することにより、各
反応ガスが時間帯をずらせて繰り返し照射される。ここ
では反応ガスを水素およびメタンとし、シャッタ開放時
間をそれぞれ水素5秒,メタン5秒として、このサイク
ルを900回繰り返した。
【0030】被エッチング物に酸化物超伝導体:YBa
2 Cu3 x のC軸配向膜、およびMgOを用いた場
合、共に1サイクルあたりのエッチング深さは0.2n
mであり、したがって照射処理1サイクルで原子層深さ
のエッチングが達成されたと考えられる。図6に本発明
による気相化学反応エッチング方法を実現するための装
置構成の第6の実施例を示す。この実施例は、〔手段〕
の項で示した第7のエッチング方法を実現するための装
置構成の一例を示し、プラズマ化空間を構成する放電管
9を反応ガスの種類と同数、同一平面内に、かつ反応ガ
スの照射方向が同一平面内で同方向となるように、ここ
では反応ガスを水素およびメタンとして2個設けるとと
もに、各放電管9の内部空間とガス噴出口を介して連通
する。各放電管に共通の真空容器16をエッチング処理
室として設け、かつ、被エッチング物2を上記平面内で
反応ガスの照射方向と直角方向に移動可能としたもので
ある。
【0031】装置をこのように構成すれば、各反応ガス
照射によるエッチングが時間帯をずらせて交互に行わ
れ、移動のさせ方により、各反応ガスごとに均一なエッ
チングが可能になる。本実施例では、反応ガス照射時間
を、水素5秒,メタン5秒とし、このサイクル900回
繰り返した。 被エッチング物に酸化物超伝導帯:YBa2 Cu3 x
のC軸配向膜、およびMgOを用いた場合、共に1サイ
クルあたりのエッチング深さは0.2nmであり、した
がって照射処理1サイクルで原子層深さのエッチングが
達成されたと考えられる。
【0032】図7に本発明による気相化学反応エッチン
グ方法を実現するための装置構成の第7の実施例を示
す。この実施例は、〔手段〕の項に示した第8のエッチ
ング方法を実現するための装置構成の一例を示し、プラ
ズマ化空間を構成する放電管9を反応ガスの種類と同
数、同一平面内に、かつ反応ガスの照射方向が同一平面
内で同一中心点へ向かう放射状方向となるように、ここ
では反応ガスを水素およびメタンとして2個設けるとと
もに、各放電室9の内部空間とガス噴出口を介して連通
する,各放電管に共通の真空容器17をエッチング処理
室として設け、かつ被エッチング物2を前記中心点を通
る軸18まわりに円軌道の公転可能としたものである。
【0033】この装置構成で、反応ガス照射時間を、水
素5秒,メタン5秒とし、このサイクルを900回繰り
返した。 被エッチング物に酸化物超伝導帯:YBa2 Cu3 x
のC軸配向膜、およびMgOを用いた場合、共に1サイ
クルあたりのエッチング深さは0.2nmであり、した
がって照射処理1サイクルで原子層深さのエッチングが
達成されたと考えられる。
【0034】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明では、金属
元素の酸化物もしくは窒化物の気相化学反応エッチング
に、エッチングの反応ガスとして、水素ガスと、電子受
容性ガス:A(Aは炭素数が1〜3のアルカン,アルケ
ンあいはアルキン類の炭化水素、もしくはこれらのアル
コール類,ケント類、または前記炭化水素をハロゲンで
置換した物質、またはハロゲンの単体)中の少なくとも
1種とを用いることとしたので、被エッチング物の構成
元素がそれぞれ個別に効率よく母材表面から離脱し、従
来困難であった金属酸化物もしくは窒化物のエッチング
を容易にかつ効率よく行うことができる。そして、この
反応ガスを用いるエッチング方法として、請求項2の方
法では、簡易なエッチング操作および装置で効率的なエ
ッチングが可能になり、請求項3の方法では、エッチン
グのために共通のプラズマ化空間を利用するので、装置
を大型化することなく、かつ原子層ごとのエッチングが
可能になる。
【0035】請求項4の方法では、装置は請求項2のも
のよりも大型化するがエッチング操作も容易で、かつエ
ッチング速度が向上する。請求項5の方法では、装置は
やや大型化するが、エッチング速度が顕著に向上する。
請求項6の方法では、原子層ごとのエッチングが顕著に
向上する。
【0036】請求項7の方法では、請求項6の効果を、
装置をさほど複雑化することなく達成することができ
る。請求項8の方法では、装置はやや複雑化するが、反
応ガスを被エッチング物表面に垂直に照射することがで
き、原子層ごとに、かつ均一にエッチングを行うことが
できる。
【0037】請求項9の方法では、被エッチング物を円
軌道で公転移動させるようにしたので、請求項8と同様
の効果を、より簡素な装置構成で得ることができる。請
求項10の方法では、請求項6の効果を、請求項5の単
純な装置構成で得ることができる。そして、エッチング
装置として、請求項11の装置では、シャッタを開閉時
間制御可能に構成することは容易に可能であるので、原
子層ごとのエッチングをより精度高く行うことができ
る。
【0038】請求項12の装置では、装置構成はやや複
雑となるが、反応ガスを被エッチング面に垂直に照射す
ることができるので、被エッチング物の移動のさせ方に
より、原子層ごとのエッチングをより均一に行うことが
できる。請求項13の装置では、シャッタの開放時点お
よび開放時間の制御により、原子層ごとのエッチングを
精度高く、かつ均一に行うことができる。
【0039】請求項14の装置では、請求項12と同様
の効果を、請求項12の装置よりもさらに簡易な構成で
得ることができる。請求項15の装置では、請求項13
と同様の効果を、請求項13の装置よりさらに簡易な装
置構成で得ることができる。請求項16の装置では、請
求項11と同様の効果を、請求項11の装置よりさらに
簡易な装置構成で得ることができる。
【0040】請求項17の装置では、請求項13と同様
の効果を、請求項13,15の装置よりさらに簡易な装
置構成で得ることができる。請求項18の装置では、請
求項15と同様の効果を、請求項15の装置よりさらに
簡易な装置構成で得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による気相化学反応エッチング方法を実
現するための装置構成の第1の実施例を示す概要図
【図2】本発明による気相化学反応エッチング方法を実
現するための装置構成の第2の実施例を示す概要図
【図3】本発明による気相化学反応エッチング方法を実
現するための装置構成の第3の実施例を示す概要図
【図4】本発明による気相化学反応エッチング方法を実
現するための装置構成の第4の実施例を示す概要図
【図5】本発明による気相化学反応エッチング方法を実
現するための装置構成の第5の実施例を示す概要図
【図6】本発明による気相化学反応エッチング方法を実
現するための装置構成の第6の実施例を示す概要図
【図7】本発明による気相化学反応エッチング方法を実
現するための装置構成の第7の実施例を示す概要図
【符号の説明】
1 平行平板電極 2 被エッチング物 4 真空容器 5 高周波電源 8 励磁コイル 9 放電管 11 真空容器 12 真空容器 13 真空容器 14 シャッタ 15 シャッタ 16 真空容器 17 真空容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C01G 3/00 ZAA C04B 41/91 ZAA B H01L 21/3065 // C23F 4/00 E 8414−4K (72)発明者 向江 和郎 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 大井 明彦 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属元素の酸化物もしくは窒化物を気相化
    学反応によりエッチングする方法において、水素ガス
    と、電子受容性ガス:A(Aは炭素数が1〜3のアルカ
    ン,アルケンあいはアルキン類の炭化水素、もしくはこ
    れらのアルコール類,ケトン類、または前記炭化水素を
    ハロゲンで置換した物質、またはハロゲンの単体)中の
    少なくとも1種とを反応ガスとして用いることを特徴と
    する気相化学反応エッチング方法。
  2. 【請求項2】請求項第1項に記載の方法において、すべ
    ての反応ガスを同時に共通のプラズマ化空間中に導入し
    て混合ガスのプラズマを発生させ、このプラズマ中でエ
    ッチングを行わせることを特徴とする気相化学反応エッ
    チング方法。
  3. 【請求項3】請求項第1項に記載の方法において、各反
    応ガスを共通のプラズマ化空間中へ時間帯をずらせて導
    入して隣り合う時間帯に互いに異なる反応ガスのプラズ
    マを発生させ、該各反応ガスプラズマ中でエッチングを
    行うようにして、反応ガス別エッチングを時系列に、あ
    るいは繰り返して行うことを特徴とする気相化学反応エ
    ッチング方法。
  4. 【請求項4】請求項第1項に記載の方法において、すべ
    ての反応ガスを同時に共通のプラズマ化空間を通過させ
    つつプラズマ化空間通過中にプラズマ励起された混合ガ
    スをプラズマ化空間の外部に位置する被エッチング物に
    照射してエッチングを行うことを特徴とする気相化学反
    応エッチング方法。
  5. 【請求項5】請求項第1項に記載の方法ににおいて、各
    反応ガスをそれぞれ、互いに独立したプラズマ化空間を
    同時に通過させつつ各プラズマ化空間通過中にプラズマ
    励起された各反応ガスを同時に各プラズマ化空間の外部
    に位置する被エッチング物に照射してエッチングを行う
    ことを特徴とする気相化学反応エッチング方法。
  6. 【請求項6】請求項第1項に記載の方法において、各反
    応ガスをそれぞれ、互いに独立したプラズマ化空間を通
    過させつつプラズマ化空間通過中にプラズマ励起された
    各反応ガスを、各プラズマ化空間の外部に位置する被エ
    ッチング物に時間帯をずらせて照射してエッチングを行
    うことを特徴とする気相化学反応エッチング方法。
  7. 【請求項7】請求項第6項に記載のエッチング方法にお
    いて、時間帯をずらせての各反応ガスの照射が、各プラ
    ズマ化空間で各反応ガスを同時にプラズマ励起しつつ、
    各プラズマ化空間と被エッチング物との間に位置するシ
    ャッタの開閉時間帯をずらせることにより行われること
    を特徴とする気相化学反応エッチング方法。
  8. 【請求項8】請求項第6項に記載のエッチング方法にお
    いて、時間帯をずらせての各反応ガスの照射が、各プラ
    ズマ化空間からの反応ガス照射方向を同一平面内で同方
    向として、各プラズマ化空間で各反応ガスを同時にプラ
    ズマ励起しつつ被エッチング物を前記平面内で反応ガス
    照射方向と直角方向に直線移動させることにより行われ
    ることを特徴とする気相化学反応エッチング方法。
  9. 【請求項9】請求項第6項に記載のエッチング方法にお
    いて、時間帯をずらせての各反応ガスの照射が、各プラ
    ズマ化空間からの反応ガス照射方向を同一平面内で同一
    中心点へ向かう放射状方向として、各プラズマ化空間で
    各反応ガスを同時にプラズマ励起しつつ被エッチング物
    を前記平面内で前記中心点を中心とした円軌道の公転移
    動をさせることにより行われることを特徴とする気相化
    学反応エッチング方法。
  10. 【請求項10】請求項第6項に記載のエッチング方法に
    おいて、時間帯をずらせての各反応ガスの照射が、各反
    応ガスを各プラズマ化空間を同時に通過させつつ各プラ
    ズマ化空間のプラズマ励起時間帯をずらせることにより
    行われることを特徴とする気相化学反応エッチング方
    法。
  11. 【請求項11】請求項第7に記載のエッチング方法を実
    現するための装置であって、互いに独立したプラズマ化
    空間が、該各プラズマ化空間からの反応ガス照射方向が
    共通の1点を通過するように配設されるとともに、該共
    通点位置に被エッチング物を支持する支持機構を備え、
    かつ該共通点と各プラズマ化空間の反応ガス噴出口との
    間にそれぞれ、互いに独立に開閉可能なシャッタが設け
    られていることを特徴とする気相化学反応エッチング装
    置。
  12. 【請求項12】請求項第8項に記載のエッチング方法を
    実現するための装置であって、互いに独立したプラズマ
    化空間が、該各プラズマ化空間からの反応ガス照射方向
    が同一平面内で同方向となるように配設されるとともに
    該平面内を反応ガス照射方向と直角方向に被エッチング
    物を移動させる直線移動機構を備えていることを特徴と
    する気相化学反応エッチング装置。
  13. 【請求項13】請求項第12項に記載の装置において、
    各プラズマ化空間の反応ガス噴出口と被エッチング物の
    移動軌跡との間にそれぞれ、互いに独立に開閉可能なシ
    ャッタが設けられ、被エッチング物が各プラズマ化空間
    の反応ガス噴出口前面側に反応ガス噴出口と同軸に位置
    したときのみ被エッチング物前面のシャッタが開くよう
    に操作されることを特徴とする気相化学反応エッチング
    装置。
  14. 【請求項14】請求項第9項に記載のエッチング方法を
    実現するための装置であって、互いに独立したプラズマ
    化空間が、該各プラズマ化空間からの反応ガス照射方向
    が同一平面内で同一中心点へ向かう放射状方向となるよ
    うに配設されるとともに被エッチング物を該平面内で前
    記中心点を中心とする円軌道で公転させる公転移動機構
    を備えていることを特徴とする気相化学反応エッチング
    装置。
  15. 【請求項15】請求項第14項に記載の装置において、
    各プラズマ化空間の反応ガス噴出口と被エッチング物の
    移動軌跡との間にそれぞれ、互いに独立に開閉可能なシ
    ャッタが設けられ、被エッチング物が各プラズマ化空間
    の反応ガス噴出口前面側に反応ガス噴出口と同軸に位置
    したときのみ被エッチング物前面のシャッタが開くよう
    に操作されることを特徴とする気相化学反応エッチング
    装置。
  16. 【請求項16】請求項第10項に記載のエッチング方法
    を実現するための装置であって、互いに独立したプラズ
    マ化空間が、各プラズマ化空間からの反応ガス照射方向
    が共通の1点を通過するように配設されるとともに該共
    通点位置に被エッチング物を支持する支持機構を備え、
    かつ各プラズマ化空間のプラズマ励起操作が時間帯をず
    らせて行われることを特徴とする気相化学反応エッチン
    グ装置。
  17. 【請求項17】請求項第10項に記載のエッチング方法
    を実現するための装置であって、互いに独立したプラズ
    マ化空間が、該各プラズマ化空間からの反応ガス照射方
    向が同一平面内で同方向となるように配設されるととも
    に該平面内を反応ガス照射方向と直角方向に被エッチン
    グ物を移動させる直線移動機構を備え、被エッチング物
    が各プラズマ化空間の反応ガス噴出口前面側に反応ガス
    噴出口と同軸に位置したときのみ被エッチング物と同軸
    の反応ガス噴出口を有するプラズマ化空間がプラズマ励
    起操作されることを特徴とする気相化学反応エッチング
    装置。
  18. 【請求項18】請求項第10項に記載のエッチング方法
    を実現するための装置であって、互いに独立したプラズ
    マ化空間が、該各プラズマ化空間からの反応ガス照射方
    向が同一平面内で同一中心点へ向かう放射状方向となる
    ように配設されるとともに被エッチング物を該平面内で
    前記中心点を中心とする円軌道で公転させる公転移動機
    構を備え、被エッチング物が各プラズマ化空間の反応ガ
    ス噴出口前面側に反応ガス噴出口と同軸に位置したとき
    のみ被エッチング物と同軸の反応ガス噴出口を有するプ
    ラズマ化空間がプラズマ励起操作されることを特徴とす
    る気相化学反応エッチング装置。
JP16490793A 1993-07-05 1993-07-05 気相化学反応エッチング方法ならびにその装置 Pending JPH0717800A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16490793A JPH0717800A (ja) 1993-07-05 1993-07-05 気相化学反応エッチング方法ならびにその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16490793A JPH0717800A (ja) 1993-07-05 1993-07-05 気相化学反応エッチング方法ならびにその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0717800A true JPH0717800A (ja) 1995-01-20

Family

ID=15802136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16490793A Pending JPH0717800A (ja) 1993-07-05 1993-07-05 気相化学反応エッチング方法ならびにその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0717800A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054993A (ja) * 1996-02-22 2011-03-17 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 誘導結合プラズマ・リアクタ
JP2020535657A (ja) * 2017-09-27 2020-12-03 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 金属酸化物の原子層エッチング

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054993A (ja) * 1996-02-22 2011-03-17 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 誘導結合プラズマ・リアクタ
JP2020535657A (ja) * 2017-09-27 2020-12-03 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 金属酸化物の原子層エッチング

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10141207B2 (en) Operation method of plasma processing apparatus
US6417111B2 (en) Plasma processing apparatus
KR20190095142A (ko) 실리콘 산화물막에 대한 증착후 처리 방법
CN111599717B (zh) 一种半导体反应腔室及原子层等离子体刻蚀机
US20040129212A1 (en) Apparatus and method for delivery of reactive chemical precursors to the surface to be treated
TWI452609B (zh) 用於半導體製程之垂直電漿處理裝置及用於半導體製程之垂直電漿膜形成裝置
KR20160056839A (ko) 에너지 흡수체 가스로의 충돌 공진 에너지 전달을 통한 플라즈마의 vuv 방출의 조정
JPH0629248A (ja) プラズマエッチ方法及び装置
EP0035565A4 (en) METHOD AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF PLASMA.
US11087959B2 (en) Techniques for a hybrid design for efficient and economical plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
JP2006135303A (ja) プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、並びにプラズマ成膜装置に用いられる記憶媒体
TW201546934A (zh) 電漿處理裝置及成膜方法
KR20170049420A (ko) 천이 금속막의 에칭 방법 및 기판 처리 장치
US10011532B2 (en) Remote plasma system and method
US6708700B2 (en) Cleaning of semiconductor processing chambers
KR20180018824A (ko) 조정 가능한 원격 해리
JPH0717800A (ja) 気相化学反応エッチング方法ならびにその装置
EP0807951A2 (en) Magnetic neutral line discharged plasma type surface cleaning apparatus
JP2004006162A (ja) プラズマ処理装置及び可変パワー分配器
US6027662A (en) Materials processing by separately generated process medium constituents
JP6807488B1 (ja) ガス成分のモニタ方法及びその装置並びにそれを用いた処理装置
JP7523553B2 (ja) エッチング方法およびエッチング装置
JP7116248B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
WO2022059440A1 (ja) エッチング方法、プラズマ処理装置、及び基板処理システム
KR20230100215A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법