JPH07176713A - Contact-type image sensor - Google Patents

Contact-type image sensor

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Publication number
JPH07176713A
JPH07176713A JP5344933A JP34493393A JPH07176713A JP H07176713 A JPH07176713 A JP H07176713A JP 5344933 A JP5344933 A JP 5344933A JP 34493393 A JP34493393 A JP 34493393A JP H07176713 A JPH07176713 A JP H07176713A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
conductive layer
image sensor
layer
transparent conductive
Prior art date
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Pending
Application number
JP5344933A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kohei Shimada
康平 嶌田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5344933A priority Critical patent/JPH07176713A/en
Publication of JPH07176713A publication Critical patent/JPH07176713A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To prevent static electricity from discharging through a transparent conductive layer in a contact-type image sensor without imparing a shield effect of the transparent conductive layer. CONSTITUTION:A shielding layer 2 having a transparent window 3 is formed on a transparent substrate 1, and a photoelectric conversion element 4 is formed on the shielding layer. A protective layer 5a made of SiN film is formed on the photoelectric conversion element 4. A transparent conductive layer made of an ITO film is formed on a thin glass sheet as an abrasion-proof layer 6 and these layers are bonded with a transparent conductive adhesive 5b to the transparent substrate 1, on which the shielding layer 2 and the photoelectric conversion layer 4 have been formed. An overall sensor device part 14 is bonded to a frame 13 and put between each copy guide 12 while the shielding layer 2 and the copy guide 12 are grounded, and the copy guide 12 and the transparent conductive layer 7 are isolated to each other. Since the transparent conductive layer is grounded with impedance in between, the discharge can hardly take place through the transparent conductive layer.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリやイメー
ジスキャナ等において用いられる、原稿を密着移動させ
て2次元画像の読み取りを行う密着型イメージセンサに
関し、特に、移動する原稿によって発生する静電気に対
して対策を講じた密着型イメージセンサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact type image sensor used in a facsimile machine, an image scanner or the like for reading a two-dimensional image by closely moving a document, and particularly to static electricity generated by a moving document. The present invention relates to a contact-type image sensor that has taken measures.

【0002】[0002]

【従来の技術】ファクシミリやイメージスキャナ等の原
稿の画像を電気信号に変換する原稿読取装置において、
縮小光学系を持たず主走査方向に原稿幅と等しい一次元
光電変換素子アレイを持ち、副走査方向に機械的に走査
する密着型イメージセンサが、ローコストでしかも装置
の小型化が可能なデバイスとして広く採用されている。
この中でも、光ファイバアレイやロッドレンズアレイを
使用せず、薄板ガラス上に素子を形成したものが注目さ
れている。
2. Description of the Related Art In a document reading device such as a facsimile or an image scanner for converting an image of a document into an electric signal,
A contact image sensor that does not have a reduction optical system and has a one-dimensional photoelectric conversion element array equal to the document width in the main scanning direction and mechanically scans in the sub scanning direction is a device that can be downsized at low cost. Widely adopted.
Among these, attention is paid to a device in which an element is formed on a thin glass plate without using an optical fiber array or a rod lens array.

【0003】図4は、実開平1−125562号公報に
て提案された、この種従来の密着型イメージセンサの断
面図である。同図に示すように、従来の密着型イメージ
センサは、透光性基板1上に透光窓3を有する遮光層2
および光電変換素子4を形成し、全体を透光性保護層5
dで被覆した後さらにその上に透光性導電層7を成膜し
たものである。ここで、光電変換素子4は、図の垂直方
向(すなわち、主走査方向)に所定のピッチで複数個配
置されている。原稿9は、ローラ8により矢印方向に搬
送される。光源10より放射された照明光は透光窓3を
介して原稿面に照射され、その反射光は光電変換素子4
に入射する。このように、光電変換素子4が、図面の垂
直方向に配列され、原稿がこれと垂直方向に搬送される
ことにより、原稿の2次元画像情報を読み取ることがで
きる。
FIG. 4 is a sectional view of a conventional contact-type image sensor of this type proposed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 125562 / 1-1562. As shown in the figure, the conventional contact type image sensor has a light shielding layer 2 having a light transmitting window 3 on a light transmitting substrate 1.
Then, the photoelectric conversion element 4 is formed, and the entire transparent protective layer 5 is formed.
After being coated with d, the transparent conductive layer 7 is further formed thereon. Here, a plurality of photoelectric conversion elements 4 are arranged at a predetermined pitch in the vertical direction of the figure (that is, the main scanning direction). The original 9 is conveyed in the arrow direction by the roller 8. Illumination light emitted from the light source 10 is applied to the document surface through the translucent window 3, and the reflected light is reflected by the photoelectric conversion element 4.
Incident on. In this way, the photoelectric conversion elements 4 are arranged in the vertical direction of the drawing, and the original is conveyed in the vertical direction, so that the two-dimensional image information of the original can be read.

【0004】この従来例では、透光性保護層5d上に透
光性導電層7を設け、これを接地している。このように
構成するのは、密着して搬送される原稿によって発生す
る静電気を放電させて、静電気の電界によって、画信号
にノイズが重畳したり、信号のレベルシフトや、光電変
換素子4や周辺回路の破壊を招くのを防止するためであ
る。
In this conventional example, a transparent conductive layer 7 is provided on the transparent protective layer 5d and is grounded. With this configuration, static electricity generated by a document that is conveyed in close contact is discharged, noise is superimposed on the image signal due to the electric field of the static electricity, signal level shift, photoelectric conversion element 4 and surroundings. This is to prevent the destruction of the circuit.

【0005】図5は、特開昭64−71173号公報に
て提案されたイメージセンサの断面図である。この従来
例は、透光性基板1上に遮光層2、光電変換素子4を形
成し、その上に透光性接着剤5cを介して表面に透光性
導電層7の形成された耐摩耗層6を接着したものであ
る。この耐摩耗層6は、50μm程度の厚みのガラス薄
板であって、これによりITO等からなる透光性導電層
7の摩耗を防止している。そして、透光性導電層7を一
定電位に保つことにより、光電変換素子4や周辺回路
(図示せず)を静電界からシールドし、画信号ノイズや
素子の破壊を防止している。
FIG. 5 is a sectional view of an image sensor proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 64-71173. In this conventional example, a light-blocking layer 2 and a photoelectric conversion element 4 are formed on a transparent substrate 1, and a transparent conductive layer 7 is formed on the surface of the light-shielding layer 2 and a photoelectric conversion element 4 via a transparent adhesive 5c so that abrasion resistance The layer 6 is adhered. The abrasion resistant layer 6 is a thin glass plate having a thickness of about 50 μm, and prevents abrasion of the translucent conductive layer 7 made of ITO or the like. By keeping the translucent conductive layer 7 at a constant potential, the photoelectric conversion element 4 and peripheral circuits (not shown) are shielded from the electrostatic field, and image signal noise and element destruction are prevented.

【0006】静電気対策の施された密着型イメージセン
サとしては、以上のものの外に、透光性導電層7に代
え、導電性接着剤を用いたもの(特開平2−29116
9号公報)や、密着型イメージセンサの直前に除電ブラ
シを配置したもの(特開平3−3473号公報)等が知
られている。
In addition to the above, the contact image sensor provided with a countermeasure against static electricity uses a conductive adhesive instead of the transparent conductive layer 7 (Japanese Patent Laid-Open No. 2-29116).
No. 9), and a static elimination brush arranged immediately before the contact image sensor (Japanese Patent Laid-Open No. 3473/1993).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この実開平1−125
562号公報に記載された従来技術では、透光性導電層
7として用いられるSnO2 膜や、ITO膜は、軟質で
原稿との摩擦によって膜厚が減少するので、長期に渡っ
て安定な静電気防止効果を維持することが困難であっ
た。
[Problems to be Solved by the Invention]
In the prior art described in Japanese Patent No. 562, the SnO 2 film and the ITO film used as the translucent conductive layer 7 are soft and the film thickness is reduced by friction with the original, so that static electricity is stable for a long period of time. It was difficult to maintain the preventive effect.

【0008】また、特開昭64−71173号公報に記
載された従来技術では、原稿9の読取を連続して行う
と、耐摩耗層6と原稿9が摩擦によってそれぞれ相異な
る極性に帯電する。この静電気による電界は、前述のよ
うに所定の電位に保持された透光性導電層7によってシ
ールドされるので、光電変換素子4を含む透光性基板1
上の周辺回路(図示せず)に影響を与えない。ところが
継続して原稿の読取を行うと、耐摩耗層6上の電位は上
昇し、遂には最も放電容易な場所との間で放電が発生す
る。放電の発生する場所は原稿9の入口側または排出側
でのセンサデバイスの端面における透光性導電層7の端
部である。以下に、その理由について説明する。
In the prior art disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 64-71173, when the original 9 is continuously read, the abrasion resistant layer 6 and the original 9 are charged with different polarities due to friction. Since the electric field due to this static electricity is shielded by the transparent conductive layer 7 held at a predetermined potential as described above, the transparent substrate 1 including the photoelectric conversion element 4 is provided.
It does not affect the upper peripheral circuits (not shown). However, when the original is continuously read, the potential on the abrasion resistant layer 6 rises, and finally discharge is generated between the place where the discharge is most easy. The place where the discharge is generated is the end of the transparent conductive layer 7 on the end face of the sensor device on the entrance side or the discharge side of the document 9. The reason will be described below.

【0009】本従来例公報中には、画像読取装置の構造
は明示されていないが、一般的には図6に示す構造とな
っている。すなわち、プリント基板16上に光源10お
よびフレーム13を設け、フレーム上にセンサデバイス
部14を配置し両側に原稿ガイド12を取り付けて密着
型イメージセンサ17を構成する。原稿の円滑な搬送の
ために、原稿ガイド12は、センサデバイス部14に対
し段差を形成しないように取り付けられる。ここで、セ
ンサデバイス部14は、図5に示された、透光性基板1
から耐摩耗層6までの積層構造体である。
Although the structure of the image reading apparatus is not specified in this prior art publication, the structure is generally shown in FIG. That is, the light source 10 and the frame 13 are provided on the printed circuit board 16, the sensor device unit 14 is arranged on the frame, and the document guides 12 are attached to both sides to form the contact image sensor 17. In order to smoothly convey the original, the original guide 12 is attached to the sensor device portion 14 without forming a step. Here, the sensor device unit 14 is the translucent substrate 1 shown in FIG.
To the wear resistant layer 6 are laminated structures.

【0010】このセンサデバイス部は、B4幅の原稿読
取を行うものであれば、257mm程度の主走査方向の
長さと、周辺回路や配線に必要な数ミリの副走査方向の
長さをもつものであり、通常、大判の透光性基板に一括
して成膜しこれを細断して使用している。したがって、
切断の端面には透光性導電層7の端部が露出することに
なる。そして、この端面は原稿ガイド12の端面と突き
合わされ接着されるが、この際に、平面上に段差のない
状態に取り付けるには耐摩耗層6の厚みが50μm程度
であるため、透光性導電層の端部が空気中に全く露出し
ない状態とすることは困難である。而して、原稿9の排
出側では、帯電した原稿9がセンサデバイス部14と離
れる時に電位が急激に上昇する。これは、原稿9とセン
サデバイス部14表面を等価的にコンデンサと見ること
ができ、原稿9とセンサデバイス部14の距離が離れる
ことで電極間隔が大きくなり、容量が減少するので、Q
=CVの関係式から電荷量が変化しないものとすると、
電圧が上昇することになるのである。そして、耐摩耗層
6の上下面には異なる電荷が帯電するためその端部にお
いて電界の変化が急激になり、しかも、透光性導電層7
は接地されているため、ここに透光性導電層7を介して
低インピーダンスの放電路が形成され、耐摩耗層上の電
荷が放電される。
This sensor device unit has a length in the main scanning direction of about 257 mm and a length in the sub scanning direction of several millimeters required for peripheral circuits and wirings, as long as the B4 width document is read. In general, a large-sized light-transmitting substrate is collectively formed into a film, which is then cut into pieces. Therefore,
The end of the translucent conductive layer 7 is exposed at the end face of the cut. Then, this end face is abutted against and adhered to the end face of the document guide 12. At this time, since the abrasion resistant layer 6 has a thickness of about 50 μm in order to be mounted without a step on the plane, the translucent conductive film is used. It is difficult to ensure that the edges of the layers are not exposed to the air at all. Thus, on the discharge side of the document 9, when the charged document 9 separates from the sensor device unit 14, the potential sharply rises. This is because the surfaces of the document 9 and the sensor device unit 14 can be regarded equivalently as a capacitor, and as the distance between the document 9 and the sensor device unit 14 increases, the electrode interval increases and the capacitance decreases.
= If the charge amount does not change from the relational expression of CV,
The voltage will rise. Then, since different charges are charged on the upper and lower surfaces of the abrasion resistant layer 6, the electric field changes sharply at the ends thereof, and moreover, the transparent conductive layer 7
Is grounded, a low-impedance discharge path is formed therethrough through the transparent conductive layer 7, and the charge on the abrasion resistant layer is discharged.

【0011】この放電が発生すると以下のような問題が
起こる。放電電流は透光性導電層7に入るが、ITO膜
やSnO2 膜で光の透過率を低下させないようにするた
めにあまり厚くすることはできず、そのシート抵抗値は
数百Ω/□であるため、放電のあった透光性導電層7が
局所的に発熱して耐摩耗層6や透光性保護層5cが膨張
し、ショックで耐摩耗層6の薄板ガラスが割れて部分的
に剥れる場合がある。これは、原稿9の引っかかりを発
生させジャムの原因となる。
When this discharge occurs, the following problems occur. The discharge current enters the translucent conductive layer 7, but the ITO film or the SnO 2 film cannot be made too thick in order not to reduce the light transmittance, and its sheet resistance value is several hundred Ω / □. Therefore, the translucent conductive layer 7 that has been discharged locally generates heat to expand the abrasion resistant layer 6 and the translucent protective layer 5c, and the thin glass of the abrasion resistant layer 6 is broken by a shock and partially May peel off. This causes the document 9 to be caught and causes a jam.

【0012】さらに、この種の放電現象は数百MHzに
も及ぶ高周波電流となるので、透光性導電層7を接地す
る場所が少ない場合は、透光性導電層が分布定数線路と
なってインダクタンスによって放電電流が流れにくくな
るため、透光性伝導層7に部分的な電位上昇が発生し、
局部的な透光性保護層5cの絶縁破壊を引き起こし、光
電変換素子4や周辺の電気回路および配線等(図示せ
ず)を破壊する問題が発生する。また、このような破壊
に至らなくとも、高周波電流のパルスが接地部に流れる
と、密着型イメージセンサを搭載した装置の接地電位が
部分的に変動する。この現象は、デジタル回路を多数搭
載した原稿読取装置の誤動作の原因となる。
Further, since this kind of discharge phenomenon becomes a high frequency current of several hundred MHz, when there are few places where the transparent conductive layer 7 is grounded, the transparent conductive layer serves as a distributed constant line. Since the discharge current is less likely to flow due to the inductance, a partial increase in potential occurs in the translucent conductive layer 7,
This causes a local dielectric breakdown of the translucent protective layer 5c, which causes a problem that the photoelectric conversion element 4 and surrounding electric circuits and wirings (not shown) are destroyed. Even if such a breakdown does not occur, when a high-frequency current pulse flows to the ground portion, the ground potential of the device equipped with the contact image sensor partially changes. This phenomenon causes a malfunction of a document reading apparatus equipped with a large number of digital circuits.

【0013】また、透光性導電層7の代わりに導電性接
着剤を用いた特開平2−291169号公報に記載され
たものでは、導電性接着剤が高抵抗の材料であるためシ
ールド効果が弱く靜電荷による影響を十分に防ぎきれな
いという欠点があり、さらに、イメージセンサの直前に
除電ブラシを配置する特開平3−3473号公報に記載
されたものでは、耐摩耗層上の帯電は防止できずセンサ
部直後での放電が起こるので、上述の放電に係る問題点
を解決することはできなかった。
Further, in the one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-291169, in which a conductive adhesive is used instead of the transparent conductive layer 7, the conductive adhesive is a material having a high resistance, so that a shielding effect is obtained. It has a drawback that it is weak and cannot fully prevent the influence of the electrostatic charge. Furthermore, in the one disclosed in JP-A-3-3473 in which a static elimination brush is arranged immediately in front of the image sensor, charging on the abrasion resistant layer is prevented. Since the discharge cannot be performed immediately after the sensor unit, the above-mentioned problems related to the discharge cannot be solved.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明によれば、透光性基板(1)上に透光窓
(3)を有する遮光膜(2)および光電変換素子(4)
が形成され、その上に透光性被覆層(5a、5b)、光
透過性導電層(7)および耐摩耗層(6)がこの順に積
層されてなり、前記透光性導電層(7)が抵抗および/
または静電容量を介して接地されていることを特徴とす
る密着型イメージセンサが提供される。そして、好まし
くは、前記遮光膜(2)が接地された導電体でありかつ
前記透光性被覆層(5b)が導電性を有するものであ
る。
In order to solve the above problems, according to the present invention, a light-shielding film (2) having a transparent window (3) on a transparent substrate (1) and a photoelectric conversion element ( 4)
And a light-transmissive coating layer (5a, 5b), a light-transmissive conductive layer (7) and an abrasion resistant layer (6) are laminated in this order on the light-transmissive conductive layer (7). Is resistance and /
Alternatively, there is provided a contact image sensor which is grounded via a capacitance. And, it is preferable that the light shielding film (2) is a grounded conductor and the translucent coating layer (5b) is conductive.

【0015】[0015]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例のセンサデ
バイス部付近の状態を示す断面図である。同図におい
て、1は、ガラス板からなる透光性基板であり、この上
にCr、Al等を成膜し透光窓3を開孔して遮光層2を
作る。この上にアモルファスシリコンを使用して光電変
換素子4を形成する(図の煩雑さを避けるために、電極
および周辺回路は図示しない)。B4版用の密着型イメ
ージセンサの場合、これを例えば1mm当りに8素子の
密度で主走査方向に257mmの長さに渡って配列す
る。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a state near a sensor device portion according to a first embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 is a light-transmissive substrate made of a glass plate, on which Cr, Al or the like is formed and a light-transmissive window 3 is opened to form a light-shielding layer 2. Amorphous silicon is used to form the photoelectric conversion element 4 thereon (the electrodes and peripheral circuits are not shown in order to avoid complication of the drawing). In the case of the contact type image sensor for the B4 plate, the contact type image sensor is arranged, for example, at a density of 8 elements per 1 mm over a length of 257 mm in the main scanning direction.

【0016】光電変換素子4上を部分的にSiNxから
なる透光性保護層5aによって被覆する。透光性保護層
5aはポリイミド、アクリル等の他の絶縁物によって形
成してもよい。従来法と同様に、50μm厚程度のガラ
ス薄板からなる耐摩耗層6上にスパッタ法等により透光
性導電層7となるITO膜やSnO2 膜を成膜し、これ
を透光・導電性接着剤5bにより遮光膜2、光電変換素
子4の形成された透光性基板1上に貼り付ける。ここ
で、透光・導電性接着剤5bには、高分子材料に添加剤
をドープして導電性を付与しこれにエポキシ系等の接着
剤を混合したものを用いることができる。
The photoelectric conversion element 4 is partially covered with a transparent protective layer 5a made of SiNx. The translucent protective layer 5a may be formed of another insulating material such as polyimide or acrylic. Similar to the conventional method, an ITO film or a SnO 2 film to be the translucent conductive layer 7 is formed on the abrasion resistant layer 6 made of a glass thin plate having a thickness of about 50 μm by the sputtering method, etc. The adhesive 5b is applied to the light-shielding film 2 and the light-transmissive substrate 1 on which the photoelectric conversion elements 4 are formed. Here, as the translucent / conductive adhesive 5b, it is possible to use a material in which an additive is added to a polymer material to impart conductivity, and an adhesive such as an epoxy-based material is mixed therein.

【0017】このように形成されたセンサデバイス部1
4を、フレーム部13上に接着し、センサデバイス部1
4の前後に原稿ガイド12を取り付ける。原稿ガイド1
2は導電性材料にて形成されており接地配線により接地
される。また、遮光層2は図示されない接地配線により
接地されている。透光性導電層7は原稿ガイドから絶縁
されている。このように組み立てられた密着型イメージ
センサにおいて、光源10からの光は、遮光層2に形成
された透光窓3を介して原稿9に照射され、その反射光
は光電変換素子4へ入射し電気信号に変換される。原稿
9はローラ8により副走査方向に搬送され、これにより
2次元の画像読取を行うことができる。
The sensor device portion 1 thus formed
4 is adhered onto the frame portion 13 to form the sensor device portion 1
The document guides 12 are attached before and after 4. Document guide 1
Reference numeral 2 is made of a conductive material and is grounded by a ground wiring. Further, the light shielding layer 2 is grounded by a ground wiring (not shown). The transparent conductive layer 7 is insulated from the document guide. In the contact image sensor thus assembled, the light from the light source 10 is applied to the original 9 through the light-transmitting window 3 formed in the light-shielding layer 2, and the reflected light is incident on the photoelectric conversion element 4. It is converted into an electric signal. The original 9 is conveyed in the sub-scanning direction by the roller 8, and thus two-dimensional image reading can be performed.

【0018】図2は、本実施例のセンサデバイス部の電
気的等価回路図である。同図に示されるように、遮光層
2と透光性導電層7とが対向する電極となり、両者間に
抵抗RとコンデンサCが形成されるため、透光性導電層
7は、RとCの並列回路からなる内部インピーダンス1
1によって接地されたことになる。ここで、透光・導電
性接着剤5bの体積抵抗率をρ〔Ω・m〕、透光性導電
層7と遮光層2間の面積をS〔m2 〕、距離をd〔m〕
とすれば、内部インピーダンス11の抵抗Rは次式で求
められる。 R=ρ・(d/S)〔Ω〕 また、コンデンサ容量Cは透光・導電性接着剤5bの比
誘電率をεr とすると、 C=εr ε0 (S/d) (ε0 :真空の誘電率) と求められる。透光性導電層7と接地間に内部インピー
ダンス11が介在したことにより、透光性導電層7を介
しての放電路のインピーダンスが大きくなりこの放電路
を介しての放電は行われにくくなる。放電は主として接
地された原稿ガイドを介して行われることになる。一方
で、光電変換素子4および周辺回路上を覆う透光性導電
層はITO等で形成されているため比較的抵抗値が低
く、そしてコンデンサCを介して接地されているため、
交流的には低インピーダンスであり、上記構成において
透光性導電層7は直接接地された従来例の場合と比較し
てほぼ同様のシールド効果を果たすことができる。
FIG. 2 is an electrical equivalent circuit diagram of the sensor device portion of this embodiment. As shown in the figure, the light-shielding layer 2 and the transparent conductive layer 7 are opposed to each other, and a resistor R and a capacitor C are formed between them, so that the transparent conductive layer 7 is made of R and C. Internal impedance consisting of parallel circuit 1
It is grounded by 1. Here, the volume resistivity of the translucent / conductive adhesive 5b is ρ [Ω · m], the area between the translucent conductive layer 7 and the light shielding layer 2 is S [m 2 ] and the distance is d [m].
Then, the resistance R of the internal impedance 11 is obtained by the following equation. R = ρ · (d / S) [Ω] Further, when the relative permittivity of the light transmitting / conductive adhesive 5b is ε r , the capacitance C of the capacitor is C = ε r ε 0 (S / d) (ε 0 : Dielectric constant of vacuum). Since the internal impedance 11 is interposed between the translucent conductive layer 7 and the ground, the impedance of the discharge path through the translucent conductive layer 7 becomes large, and it becomes difficult to perform the discharge through this discharge path. The discharge is mainly performed through the document guide which is grounded. On the other hand, the translucent conductive layer covering the photoelectric conversion element 4 and the peripheral circuit has a relatively low resistance value because it is made of ITO or the like, and is grounded via the capacitor C.
It has a low impedance in terms of alternating current, and in the above configuration, the transparent conductive layer 7 can achieve substantially the same shield effect as in the case of the conventional example directly grounded.

【0019】ここで、矢印方向に原稿9を搬送すると、
図2に示されるように、耐摩耗層6上には静電気が発生
し、原稿9は反対の極性の静電気を帯びる。この静電気
の極性は原稿9と耐摩耗層6の材質によって異なるが、
ここでは耐摩耗層6が負極性に、原稿9が正極性に帯電
するものとして示されている。耐摩耗層6上の静電気に
よって透光性導電層7は正極性に帯電する。この電荷の
移動は、内部インピーダンス11の抵抗を通して行わ
れ、これにより透光性導電層7の電位が変動するが、内
部インピーダンス11のコンデンサ成分によって定まる
時定数で電位が変動するためその変動は比較的緩やかで
ある。したがって、透光性導電層7の電位変動によっ
て、画像信号にノイズが重畳したり、原稿読取装置が誤
動作を起こすことは回避することができる。
When the original 9 is conveyed in the direction of the arrow,
As shown in FIG. 2, static electricity is generated on the abrasion resistant layer 6, and the original 9 is charged with static electricity of the opposite polarity. The polarity of this static electricity depends on the materials of the original 9 and the abrasion resistant layer 6,
Here, the abrasion resistant layer 6 is shown as negatively charged and the original 9 is shown as positively charged. The transparent conductive layer 7 is positively charged by the static electricity on the abrasion resistant layer 6. The movement of the charges is performed through the resistance of the internal impedance 11, and the potential of the translucent conductive layer 7 fluctuates by this, but since the potential fluctuates with a time constant determined by the capacitor component of the internal impedance 11, the fluctuations are compared It is gentle. Therefore, it is possible to prevent noise from being superimposed on the image signal and malfunction of the document reading device due to the potential variation of the transparent conductive layer 7.

【0020】ここで、内部インピーダンス11における
全体のコンデンサ容量をCとして静電気の電荷を−Qと
すれば、透光性導電層7にはQの電荷が誘起するので、
この電位VITO は VITO =Q/C となり、コンデンサ容量Cに反比例する。従って、予想
される最大電荷における透光性導電層7の電圧が、光電
変換素子4等の誤動作や破損を誘発しない範囲内に収ま
るように容量値を設定すれば、静電気の画像読取装置へ
の影響を排除することができる。
Here, assuming that the total capacitance of the capacitor in the internal impedance 11 is C and the electrostatic charge is -Q, the charge of Q is induced in the transparent conductive layer 7,
This potential V ITO becomes V ITO = Q / C and is inversely proportional to the capacitor capacity C. Therefore, if the capacitance value is set so that the voltage of the translucent conductive layer 7 at the maximum expected charge falls within a range that does not induce malfunction or damage of the photoelectric conversion element 4 or the like, electrostatic image reading apparatus The influence can be eliminated.

【0021】図3は、本発明の第2の実施例の要部を示
す断面図である。同図において、先の実施例の部分と対
応する部分については同一の参照番号が付されているの
で、重複する説明は省略するが、本実施例においては、
透光性導電層7と接地間に集中定数の抵抗R′とコンデ
ンサC′との並列回路が外部インピーダンス15として
接続されている。したがって、本実施例においては内部
インピーダンス11と外部インピーダンス15の並列回
路が透光性導電層7と接地間に接続されたことになる。
FIG. 3 is a sectional view showing the main part of the second embodiment of the present invention. In the figure, parts corresponding to those of the previous embodiment are designated by the same reference numerals, and a duplicate description will be omitted, but in the present embodiment,
A parallel circuit of a lumped resistor R ′ and a capacitor C ′ is connected as an external impedance 15 between the transparent conductive layer 7 and the ground. Therefore, in this embodiment, the parallel circuit of the internal impedance 11 and the external impedance 15 is connected between the transparent conductive layer 7 and the ground.

【0022】透光性導電層7と接地間に接続すべきコン
デンサと抵抗の容量と抵抗値は、使用する光電変換素子
4の形式や、耐摩耗層6および透光・導電性接着剤5b
の厚みや、原稿9の送りの速度にもよるが、B4用の約
260mm×3mmの有効面積を持つセンサデバイス部
14で、耐摩耗層6が50μm、透光・導電性接着剤5
bが5μm程度の膜厚で、G3用の原稿送りの速度であ
れば、C=10-10 〜10-7〔F〕、R=103 〜10
6 〔Ω〕程度とすることが望ましい。ここで、透光・導
電性接着剤5bのみでは、抵抗値が高すぎる場合や容量
が不足する場合があり、そのような場合には本実施例の
ように外部インピーダンス15付加し上記不足分を補う
ようにすれば所望の特性のイメージセンサ部を構成する
ことができるようになる。
The capacitance and resistance value of the capacitor and resistor to be connected between the transparent conductive layer 7 and the ground are the type of the photoelectric conversion element 4 to be used, the abrasion resistant layer 6 and the transparent / conductive adhesive 5b.
The wear resistance layer 6 is 50 μm in the sensor device portion 14 having an effective area of about 260 mm × 3 mm for B4, and the translucent / conductive adhesive 5
If b is a film thickness of about 5 μm and the document feed speed for G3 is C = 10 −10 to 10 −7 [F], R = 10 3 to 10
It is desirable to set it to about 6 [Ω]. Here, the resistance value may be too high or the capacity may be insufficient only with the light transmitting / conductive adhesive 5b. In such a case, the external impedance 15 is added as in the present embodiment to eliminate the above shortage. If supplemented, an image sensor unit having desired characteristics can be constructed.

【0023】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、要旨の変更を伴わない範囲内において各種の変更が
可能である。例えば、実施例では、抵抗とコンデンサの
両方が用いられていたが、いずれか一方のみとすること
ができる。抵抗のみを用いる場合、寄生容量によって決
められる時定数に従って電位変動が行われることにな
り、またコンデンサのみが用いられる場合リーク電流に
よって電荷の充放電が行われることになる。また、透光
性導電層の代わりに、不透光性導電体を用いて照明光、
反射光の光路部に開孔を形成するようにすることがで
き、また網状導電体を用いることができる。さらに、帯
電電荷を除電ブラシを用いて放電させるようにしてもよ
い。また、光電変換素子としては、アモルファスシリコ
ン以外の材料によって形成したものであってもよく、そ
のタイプも光導電型、光起電力型のいずれであってもよ
い。
The preferred embodiment has been described above.
The present invention is not limited to these examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. For example, although both the resistor and the capacitor are used in the embodiment, only one of them may be used. When only the resistor is used, the potential changes according to the time constant determined by the parasitic capacitance, and when only the capacitor is used, the electric charge is charged and discharged by the leak current. Further, instead of the translucent conductive layer, illumination light using a non-translucent conductor,
An aperture can be formed in the optical path of the reflected light, and a mesh conductor can be used. Further, the charge may be discharged by using a charge eliminating brush. The photoelectric conversion element may be formed of a material other than amorphous silicon, and its type may be either a photoconductive type or a photovoltaic type.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の密
着型イメージセンサは、耐摩耗層下の光透過性導電層を
抵抗およびコンデンサによって接地したものであるの
で、光透過性導電層の電位変動を時定数に従った緩やか
なものとすることができる。したがって、本発明によれ
ば、静電気によって画像信号にノイズが重畳したり原稿
読取装置が誤動作を起こしたりする事態を回避すること
ができる。また、本発明によれば、光透過性導電層がイ
ンピーダンスを介して接地しているためこの導電層を介
しての放電路のインピーダンスが高くなり放電が起こり
にくくなる。したがって、放電による過熱や過電圧を回
避することができ装置の破損や誤動作を防止することが
できる。
As described in detail above, in the contact type image sensor of the present invention, the light-transmissive conductive layer under the abrasion resistant layer is grounded by the resistor and the capacitor. The potential fluctuation can be made gentle according to the time constant. Therefore, according to the present invention, it is possible to avoid a situation in which noise is superimposed on an image signal due to static electricity and the document reading apparatus malfunctions. Further, according to the present invention, since the light transmissive conductive layer is grounded via the impedance, the impedance of the discharge path via the conductive layer is increased, and the discharge is less likely to occur. Therefore, overheating and overvoltage due to discharge can be avoided, and damage or malfunction of the device can be prevented.

【0025】また、比較的低抵抗の透光性導電層等によ
って光電変換素子等を覆っており、そしてこの導電層が
コンデンサによって接地されているため、この導電層に
よって良好なシールド効果を得ることができる。さら
に、原稿に接触する部分がガラスからなる耐摩耗層であ
るため摩耗による劣化を防止して長期にわたって安定し
た特性を維持することができる。
Further, since the photoelectric conversion element and the like are covered with a translucent conductive layer having a relatively low resistance and the conductive layer is grounded by the capacitor, a good shielding effect can be obtained by this conductive layer. You can Further, since the portion that comes into contact with the original is the abrasion resistant layer made of glass, deterioration due to abrasion can be prevented and stable characteristics can be maintained for a long period of time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の断面図。FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の電気的等価回路図。FIG. 2 is an electrical equivalent circuit diagram of FIG.

【図3】本発明の第2の実施例の要部断面図。FIG. 3 is a sectional view of a main portion of a second embodiment of the present invention.

【図4】第1の従来例の断面図。FIG. 4 is a sectional view of a first conventional example.

【図5】第2の従来例の断面図。FIG. 5 is a sectional view of a second conventional example.

【図6】密着型イメージセンサの全体の構成を示す断面
図。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the overall configuration of a contact image sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透光性基板 2 遮光
層 3 透光窓 4 光電
変換素子 5a、5d 透光性保護層 5b 透
光・導電性接着剤 5c 透光性接着剤 6 耐摩
耗層 7 透光性導電層 8 ロー
ラ 9 原稿 10 光
源 11 内部インピーダンス 12 原
稿ガイド 13 フレーム 14 セ
ンサデバイス部 15 外部インピーダンス 16 プ
リント基板 17 密着型イメージセンサ
1 Light-transmissive substrate 2 Light-shielding layer 3 Light-transmissive window 4 Photoelectric conversion element 5a, 5d Light-transmissive protective layer 5b Light-transmissive / conductive adhesive 5c Light-transmissive adhesive 6 Abrasion resistant layer 7 Light-transmissive conductive layer 8 Roller 9 original 10 light source 11 internal impedance 12 original guide 13 frame 14 sensor device section 15 external impedance 16 printed circuit board 17 contact image sensor

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透光性基板上に透光窓を有する遮光膜お
よび光電変換素子が形成され、その上に透光性被覆層、
光透過性導電層および耐摩耗層がこの順に積層されてい
る密着型イメージセンサにおいて、前記光透過性導電層
は抵抗および/または静電容量を介して接地されている
ことを特徴とする密着型イメージセンサ。
1. A light-shielding film having a light-transmitting window and a photoelectric conversion element are formed on a light-transmitting substrate, and a light-transmitting coating layer is formed thereon.
In the contact-type image sensor in which a light-transmissive conductive layer and a wear-resistant layer are laminated in this order, the light-transmissive conductive layer is grounded via resistance and / or capacitance. Image sensor.
【請求項2】 前記光透過性導電層が分布定数型抵抗お
よび/または分布定数型静電容量によって接地されてい
ることを特徴とする請求項1記載の密着型イメージセン
サ。
2. The contact image sensor according to claim 1, wherein the light transmissive conductive layer is grounded by a distributed constant resistance and / or a distributed constant capacitance.
【請求項3】 前記光透過性導電層が分布定数型抵抗お
よび/または分布定数型静電容量並びに集中定数型抵抗
および/または集中定数型静電容量によって接地されて
いることを特徴とする請求項1記載の密着型イメージセ
ンサ。
3. The light transmissive conductive layer is grounded by a distributed constant type resistance and / or a distributed constant type electrostatic capacitance and a lumped constant type resistance and / or a lumped constant type electrostatic capacitance. Item 3. The contact image sensor according to Item 1.
【請求項4】 前記遮光膜が接地された導電体でありか
つ前記透光性被覆層が導電性を有していることを特徴と
する請求項1記載の密着型イメージセンサ。
4. The contact image sensor according to claim 1, wherein the light-shielding film is a grounded conductor, and the translucent coating layer has conductivity.
【請求項5】 前記光透過性導電層が、透明導電膜、網
状導電体または光透過用開口部付き導電体のいずれかで
あることを特徴とする請求項1記載の密着型イメージセ
ンサ。
5. The contact image sensor according to claim 1, wherein the light-transmissive conductive layer is any one of a transparent conductive film, a net-shaped conductor, and a conductor with a light-transmitting opening.
【請求項6】 前記耐摩耗層の原稿排出側に隣接して接
地された導電体である原稿ガイドが配置されていること
を特徴とする請求項1記載の密着型イメージセンサ。
6. The contact image sensor according to claim 1, further comprising a document guide which is a grounded conductor and is disposed adjacent to the document discharge side of the abrasion resistant layer.
【請求項7】 前記耐摩耗層の原稿入口側および原稿排
出側に隣接して接地された導電体である原稿ガイドが配
置されていることを特徴とする請求項1記載の密着型イ
メージセンサ。
7. The contact type image sensor according to claim 1, wherein a document guide, which is a grounded conductor, is disposed adjacent to the document entrance side and the document discharge side of the abrasion resistant layer.
【請求項8】 前記耐摩耗層の原稿入口側および/また
は原稿排出側に隣接して除電ブラシが配置されているこ
とを特徴とする請求項1記載の密着型イメージセンサ。
8. The contact type image sensor according to claim 1, wherein a static elimination brush is arranged adjacent to the document entrance side and / or the document discharge side of the abrasion resistant layer.
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