JPH071759B2 - Method for polishing semiconductor wafer - Google Patents
Method for polishing semiconductor waferInfo
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- JPH071759B2 JPH071759B2 JP2120413A JP12041390A JPH071759B2 JP H071759 B2 JPH071759 B2 JP H071759B2 JP 2120413 A JP2120413 A JP 2120413A JP 12041390 A JP12041390 A JP 12041390A JP H071759 B2 JPH071759 B2 JP H071759B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ウェーハの研磨方法に関し、詳しく
は、半導体ウェーハの研磨工程に使用するウェーハ保持
プレートの面修正処理方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for polishing a semiconductor wafer, and more particularly to a method for correcting a surface of a wafer holding plate used in a polishing step for a semiconductor wafer.
［従来の技術］ ICやLSIなどの半導体装置の基板に用いられる半導体ウ
ェーハは、少なくともその一表面が高度に鏡面仕上され
ていなければならない。この鏡面研磨は、研磨機の定盤
に貼り付けられているポリシングパッド上に、例えば、
微細な砥粒を含んだ研磨液を供給しながら研磨機を回転
させ、パッド表面にウェーハ表面を押し付けることによ
って行われている。このような鏡面加工においては、ウ
ェーハを回転しているパッドに対して確実に保持してお
くことが必要である。従来、松脂やパラフィン、ワック
スなどを用いて半導体ウェーハを平滑なウェーハ保持プ
レートに固着する方法が広く用いられている。[Prior Art] At least one surface of a semiconductor wafer used as a substrate of a semiconductor device such as an IC or an LSI must be highly mirror-finished. This mirror polishing is performed on the polishing pad attached to the surface plate of the polishing machine, for example,
This is performed by rotating a polishing machine while supplying a polishing liquid containing fine abrasive grains and pressing the wafer surface against the pad surface. In such mirror finishing, it is necessary to securely hold the wafer against the rotating pad. Conventionally, a method of fixing a semiconductor wafer to a smooth wafer holding plate using pine resin, paraffin, wax or the like has been widely used.
［発明が解決しようとする課題］ ところが、従来の半導体ウェーハの固着方法ではウェー
ハ保持プレートが平滑なため、第５図（ａ）に示すよう
にウェーハ保持プレート2a上にゴミ４がある場合、その
まま半導体ウェーハ１を保持すると、その部分の半導体
ウェーハ１が浮き上がりウェーハ保持プレート2aに固着
されず、そのまま研磨すると第５図（ｂ）に示すように
半導体ウェーハ１の一部に凹みが生じ、均一な厚さに研
磨できないという問題があった。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional semiconductor wafer fixing method, since the wafer holding plate is smooth, if there is dust 4 on the wafer holding plate 2a as shown in FIG. When the semiconductor wafer 1 is held, that portion of the semiconductor wafer 1 does not float and is not fixed to the wafer holding plate 2a, and if it is polished as it is, a part of the semiconductor wafer 1 is dented, resulting in a uniform recess. There was a problem that the thickness could not be polished.
また、半導体ウェーハ１をワックス等の接着剤３でウェ
ーハ保持プレート2aに固着する際に、接着剤３（第１図
参照）のまわりが悪く、均一な厚さで半導体ウェーハ１
を固着させることができないため、半導体ウェーハ１を
高精度の平坦度を有する鏡面に研磨できないという問題
もあった。Further, when the semiconductor wafer 1 is fixed to the wafer holding plate 2a with the adhesive 3 such as wax, the adhesive 3 (see FIG. 1) does not have a good circumference and the semiconductor wafer 1 has a uniform thickness.
Therefore, there is also a problem that the semiconductor wafer 1 cannot be polished to a mirror surface having high precision flatness.
本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
は、半導体ウェーハ研磨用ウェーハ保持プレートのウェ
ーハ保持面を粗らすことによって、半導体ウェーハを均
一にウェーハ保持プレートに固着させ、ウェーハを高精
度の平坦度を有する鏡面に研磨することにある。The present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to roughen the wafer holding surface of a wafer holding plate for polishing a semiconductor wafer, thereby fixing the semiconductor wafer uniformly to the wafer holding plate, It is to polish to a mirror surface having high precision flatness.
［課題を解決するための手段］ 本発明は、使用に伴い上記ウェーハ保持プレート表面の
面粗さが低下してきた場合に所定の面粗さに戻すための
面修正処理方法を提供するものであり、この面修正処理
方法は、面修正処理時に発生するパーティクルを完全に
除去することができ、従って、半導体ウェーハ研磨工程
に直ちに使用可能にするものである。[Means for Solving the Problem] The present invention provides a surface correction processing method for returning the surface roughness of the wafer holding plate to a predetermined surface roughness when the surface roughness of the surface of the wafer holding plate is reduced due to use. This surface correction processing method can completely remove particles generated during the surface correction processing, and therefore can be immediately used in the semiconductor wafer polishing process.
すなわち本発明は、面粗さRa＝0.5〜3.0μｍのウェーハ
保持プレートを半導体ウェーハの研磨に使用するととも
に、使用後のウェーハ保持プレートについて、粒径の比
較的大きいラップ材により面粗さRa＝0.5〜3.0μｍにラ
ップ処理を行い、その後NaOHを含有する薬液にて洗浄処
理し、該洗浄処理後のウェーハ保持プレートを半導体ウ
ェーハの研磨に再使用することを特徴とする半導体ウェ
ーハの研磨方法に関する。That is, according to the present invention, a wafer holding plate having a surface roughness Ra = 0.5 to 3.0 μm is used for polishing a semiconductor wafer, and the used wafer holding plate has a surface roughness Ra = The present invention relates to a method for polishing a semiconductor wafer, which comprises performing a lap treatment to 0.5 to 3.0 μm, then performing a cleaning treatment with a chemical solution containing NaOH, and reusing the wafer holding plate after the cleaning treatment for polishing a semiconductor wafer. .
次に本発明を詳しく説明する。Next, the present invention will be described in detail.
本発明の半導体ウェーハ研磨用ウェーハ保持プレート
は、第１図に示すようにその表面が適度に粗れているた
め、ゴミ４がウェーハ保持プレート２上にある場合でも
ゴミ４がその凹部分に入り込み、研磨時の半導体ウェー
ハ１の凹みを防止できる。Since the surface of the wafer holding plate for polishing a semiconductor wafer of the present invention is appropriately rough as shown in FIG. 1, even if the dust 4 is on the wafer holding plate 2, the dust 4 enters the concave portion thereof. It is possible to prevent the depression of the semiconductor wafer 1 during polishing.
また、表面の粗さのため、接着剤３のまわりが良く均一
に分布し、半導体ウェーハ１をウェーハ保持プレート２
に均一に接着させることができる。Further, because of the roughness of the surface, the periphery of the adhesive 3 is well distributed and evenly distributed, so that the semiconductor wafer 1 is held by the wafer holding plate
Can be evenly adhered to.
ウェーハ保持プレート２に使用される材料としては、あ
る程度の硬度を有するもので、金属、ガラス、セラミッ
クス等が好ましい。The material used for the wafer holding plate 2 has a certain degree of hardness and is preferably metal, glass, ceramics or the like.
また、ウェーハ保持プレート２の表面粗さとしてはRa＝
0.5〜3.0μｍの範囲とされる。Raが0.5μｍ未満の場合
は、粗さが不十分であり、既述のゴミ等による不均一な
鏡面研磨が行われる。また、Raが3.0μｍを越えると保
持プレート自身の持つ凹凸がウェーハ研磨に反映し、均
一な鏡面研磨がし難くなり、また、保持プレート表面の
凸部が欠けやすくなり、研磨に悪影響を与える。また、
一度に複数個の半導体ウェーハ１をウェーハ保持プレー
ト２に固着させたり、あるいは大きさの異なる半導体ウ
ェーハ１を固着させたりするため、ウェーハ保持プレー
ト２の全面が粗れていることが好ましい。Further, the surface roughness of the wafer holding plate 2 is Ra =
The range is 0.5 to 3.0 μm. If Ra is less than 0.5 μm, the roughness is insufficient and the uneven mirror polishing due to the dust or the like is performed. Further, when Ra exceeds 3.0 μm, the unevenness of the holding plate itself is reflected in the wafer polishing, and it becomes difficult to perform uniform mirror polishing, and the projections on the surface of the holding plate are easily chipped, which adversely affects the polishing. Also,
In order to fix a plurality of semiconductor wafers 1 to the wafer holding plate 2 at one time or to fix semiconductor wafers 1 having different sizes, it is preferable that the entire surface of the wafer holding plate 2 is rough.
また、半導体ウェーハ１をウェーハ保持プレート２に固
着させる接着剤３としては、ワックス、パラフィン、松
脂等が好ましく、研磨後、半導体ウェーハ１に付着して
いる接着剤３を洗浄等で容易に除去できるものが好まし
い。The adhesive 3 for fixing the semiconductor wafer 1 to the wafer holding plate 2 is preferably wax, paraffin, pine resin, or the like, and the adhesive 3 attached to the semiconductor wafer 1 can be easily removed by washing or the like after polishing. Those are preferable.
また、接着方法としては、ワックスを揮発性の溶剤で希
釈し、スプレーで微粒子状でウェーハ保持プレート２に
厚さ約１〜２μｍで制御しつつコートする。更に、この
ウェーハ保持プレート２を加熱しつつ半導体ウェーハ１
を接着し、弾性シートを介し、定盤をあてて加圧後自然
冷却して固着させる。As an adhesion method, wax is diluted with a volatile solvent and is sprayed onto the wafer holding plate 2 while controlling the thickness thereof to be about 1 to 2 μm. Further, while heating the wafer holding plate 2, the semiconductor wafer 1
Is adhered, and a surface plate is applied through an elastic sheet to apply pressure, and then naturally cooled and fixed.
以上のように半導体ウェーハ１をウェーハ保持プレート
２に固着させて、第２図に示すように定盤５に押圧して
回転させ研磨材にて研磨する。As described above, the semiconductor wafer 1 is fixed to the wafer holding plate 2, pressed against the surface plate 5 as shown in FIG.
ところが、ウェーハ保持プレートは、数回使用すると、
半導体ウェーハの保持部以外の部分は半導体ウェーハが
研磨されると同様に研磨がすすみ、当初の表面粗さが失
われる。ウェーハは手作業でウェーハ保持プレートに固
着させるため、毎回全く同じ場所に固着させるのは困難
で、少し位置がずれるため、前記の理由により、固着さ
せた部分のウェーハ保持プレートの表面粗さは一定でな
く、上記鏡面研磨の進行によって、表面粗さの低下した
部分にウェーハの一部が接着剤で固着されたときは、接
着剤が均一に分散されず、接着剤の厚さが不均一とな
る。すなわち、第４図に示すように、オリジナルの粗面
部6aはその微小凹凸の凸部先端がウェーハにほぼ直接接
し、鏡面研磨中に平滑になった粗面部6bは接着剤層厚さ
１〜３μｍでウェーハが接着され、接着剤厚さに好まし
くないムラができる。このために、ウェーハが固着され
た状態で、その非固着面の平坦度が悪化し、このまま鏡
面研磨されると、研磨量がその平坦度の悪化に応じて行
われ、場合によっては数ミクロンのへこみを生ずる。ま
た、上記の表面粗さの低下したウェーハ保持プレート表
面では、作業雰囲気からの粒子汚染で、第４図で示した
ような状況が起こる。そして、ウェーハの研磨面上でへ
こみとなる。また、より大きな半導体ウェーハを研磨す
る場合も同様に固着させた部分の粗さが一定でないた
め、均一な厚さに鏡面研磨できない。そこで、本発明で
は複数回使用したウェーハ保持プレートの面修正を行な
うことによって、ウェーハ保持プレートの表面の粗さを
修正し、再びウェーハ保持プレートの使用を可能とす
る。However, if the wafer holding plate is used several times,
The portion of the semiconductor wafer other than the holding portion is polished in the same manner as the semiconductor wafer is polished, and the initial surface roughness is lost. Since the wafer is manually fixed to the wafer holding plate, it is difficult to fix it at the exact same place every time.Because the position shifts a little, the surface roughness of the fixed wafer holding plate is constant for the above reasons. However, due to the progress of the mirror polishing, when a part of the wafer is fixed to the portion where the surface roughness is reduced by the adhesive, the adhesive is not uniformly dispersed, and the thickness of the adhesive becomes uneven. Become. That is, as shown in FIG. 4, in the original rough surface portion 6a, the tips of the fine irregularities are almost in direct contact with the wafer, and the rough surface portion 6b, which is smoothed during mirror polishing, has an adhesive layer thickness of 1 to 3 μm. The wafer is bonded by the above, and the thickness of the adhesive is not preferable. For this reason, the flatness of the non-fixed surface is deteriorated in a state where the wafer is fixed, and if the wafer is mirror-polished as it is, the amount of polishing is performed according to the deterioration of the flatness, and in some cases, a few microns. Causes a dent. Further, on the surface of the wafer holding plate whose surface roughness is lowered, the situation as shown in FIG. 4 occurs due to particle contamination from the working atmosphere. Then, it becomes a dent on the polished surface of the wafer. In addition, when polishing a larger semiconductor wafer, similarly, the roughness of the fixed portion is not constant, and therefore mirror polishing cannot be performed to a uniform thickness. Therefore, in the present invention, the surface roughness of the wafer holding plate used a plurality of times is corrected to correct the surface roughness of the wafer holding plate, and the wafer holding plate can be used again.
ウェーハ保持プレートの面修正の方法としては、ラップ
材を使用して研磨し、全面を均一な粗さとする。面修正
後のウェーハ保持プレートの表面の粗さとしては、もと
の粗さ、すなわち、Ra＝0.5〜3.0μｍであり、また、使
用するラップ材としては、Ra＝0.5〜3.0μｍの粗さに研
磨できる。Al2O3やSiC等が好ましく、これらを単独また
は混合して使用することができる。As a method of correcting the surface of the wafer holding plate, polishing is performed using a wrap material so that the entire surface has a uniform roughness. The surface roughness of the wafer holding plate after the surface modification is the original roughness, that is, Ra = 0.5 to 3.0 μm, and the wrap material used is Ra = 0.5 to 3.0 μm. Can be polished to. Al 2 O 3 and SiC are preferable, and these can be used alone or in combination.
面修正中、ウェーハ保持プレートの研磨面においては、
面修正が遊離砥粒による研磨によって行われ、その過程
でウェーハ保持プレート研磨面の微小クラックとその剥
離を起こすためラップ剤以外の新たな粒子（パーティク
ル）が発生し、かかる研磨面を単に洗浄化のための洗浄
を行い乾燥するのみでは、ウェーハ保持プレート表面の
粗さの凹凸の谷間に、あるいはクラックの中に保持され
た上記微粒子およびラップ剤粒子自身が残存し、従って
かかるウェーハ保持プレート上に半導体ウェーハをワッ
クス等で接着して半導体ウェーハの研磨を行ったとき
に、前記２種類の粒子が遊離して、半導体ウェーハの鏡
面研磨剤に混入し、半導体ウェーハの研磨面に作用する
ため、均一な研磨ができずスクラッチの要因となる。こ
れらを完全に除去するためには、面修正後、ウェーハ保
持プレートを化学薬品によって腐蝕洗浄する。本発明者
らは、アルカリ界面活性剤による洗浄等を検討したが、
パーティクルは、単なる洗浄では完全には除去できず、
化学薬品による腐蝕によって溶解する洗浄により、完全
に除去することができる知見を得、鋭意検討した結果、
NaOHを含有する薬液にて洗浄することによって、パーテ
ィクルを溶解し、完全に除去することを可能とした。During surface correction, on the polished surface of the wafer holding plate,
Surface modification is performed by polishing with loose abrasive grains, and in the process, minute cracks on the polishing surface of the wafer holding plate and peeling occur, so new particles (particles) other than the lapping agent are generated, and such polishing surface is simply cleaned. Only by performing cleaning for and drying, the fine particles and the lapping agent particles themselves retained in the valleys of the roughness of the wafer holding plate surface or in the cracks remain, and thus on the wafer holding plate. When the semiconductor wafer is adhered with wax or the like to polish the semiconductor wafer, the two types of particles are released and mixed into the mirror-polishing agent of the semiconductor wafer, which acts on the polishing surface of the semiconductor wafer, so that it is uniform. It is not possible to polish it well, which causes scratches. In order to completely remove these, after the surface modification, the wafer holding plate is corrosively cleaned with a chemical. The present inventors have examined cleaning with an alkaline surfactant,
Particles cannot be completely removed by simple cleaning,
As a result of earnest study, we obtained the knowledge that it can be completely removed by cleaning that dissolves due to corrosion by chemicals.
By cleaning with a chemical solution containing NaOH, it was possible to dissolve the particles and completely remove them.
薬液処理後、ウェーハ保持プレートを水洗、乾燥させ
て、再びウェーハの鏡面研磨工程に使用可能となる。After the chemical treatment, the wafer holding plate is washed with water and dried so that it can be used again in the wafer mirror polishing step.
［実施例］ 次に本発明を実施例を挙げて詳しく説明する。EXAMPLES Next, the present invention will be described in detail with reference to examples.
実施例１ 半径260mm、直径520mm、厚さ18mmの平坦なガラスプレー
トをGC＃320とGC＃240を4:1で混合したラップ材にて表
面の粗さがRa＝1.84μｍとなるように研磨して、ウェー
ハ保持プレートを加温し、その上にワックスを接着剤と
して薄層を形成後、この上に直径６インチ、厚さ0.5〜
0.6mmの研削、化学エッチング加工を施したシリコンウ
ェーハを第３図に示すように中心に１枚、その周辺に６
枚等間隔に配置し、ガラスプレートの背面から加熱した
ままウェーハの上にほぼ同形の鉄製定盤を載せ、加圧し
て１時間保持後冷却した。その後、第２図に示すように
定盤に押圧して回転させ、研磨材としてシリカ微粒子を
水に分散したスラリーを使用し、鏡面研磨した。研磨
後、シリコンウェーハをウェーハ保持プレートよりはず
し、有機溶剤および中性洗剤にてワックスを除去した。
上記の研磨により高精度の平坦度を有する鏡面研磨され
たシリコンウェーハが得られた。Example 1 A flat glass plate having a radius of 260 mm, a diameter of 520 mm, and a thickness of 18 mm was polished with a wrap material in which GC # 320 and GC # 240 were mixed in a ratio of 4: 1 so that the surface roughness was Ra = 1.84 μm. Then, the wafer holding plate is heated, a thin layer is formed on the wafer holding plate using wax as an adhesive, and a diameter of 6 inches and a thickness of 0.5 to
As shown in Fig. 3, one silicon wafer with 0.6 mm grinding and chemical etching was placed at the center and 6 at the periphery.
An iron plate having substantially the same shape was placed on the wafer while being heated from the back surface of the glass plate, and the plates were pressed and held for 1 hour and then cooled. Thereafter, as shown in FIG. 2, the platen was pressed and rotated, and mirror polishing was performed using a slurry in which silica fine particles were dispersed in water as an abrasive. After polishing, the silicon wafer was removed from the wafer holding plate, and the wax was removed with an organic solvent and a neutral detergent.
By the above polishing, a mirror-polished silicon wafer having a highly accurate flatness was obtained.
このようにして、上記ウェーハ保持プレートを100回の
研磨に使用した後、このウェーハ保持プレートの面粗さ
Raを面粗さ計にて測定した。In this way, after using the wafer holding plate for polishing 100 times, the surface roughness of the wafer holding plate
Ra was measured with a surface roughness meter.
常時ウェーハ貼付部分 Ra＝1.82μｍ （第３図１） 常時研磨部分内周部 Ra＝1.25μｍ （第３図７） 常時研磨部分外周部 Ra＝1.53μｍ （第３図８） このウェーハ保持プレートを上記のラップ材を用いて研
磨し、面修正を行った。面修正後、ウェーハ保持プレー
トを1,1,1−トリクロロエタンに浸漬脱脂し、更に、1,
1,1-トリクロロエタンの蒸気にて洗浄し、その後、NaOH
10％溶液に浸漬した。次に、純水で十分にガラスプレー
ト表面のNaOHを除去後、更にイソプロピルアルコールに
浸漬して乾燥させた。Continuously wafer pasted part Ra = 1.82 μm (Fig. 3) Continuously polished part inner circumference Ra = 1.25 μm (FIG. 3) Continuously polished part outer circumference Ra = 1.53 μm (FIG. 3) This wafer holding plate Polishing was performed using the above-mentioned wrap material to perform surface correction. After the surface modification, dip and degrease the wafer holding plate in 1,1,1-trichloroethane.
Wash with 1,1-trichloroethane vapor, then NaOH
Immersed in 10% solution. Next, pure water was used to sufficiently remove the NaOH on the surface of the glass plate, and the glass plate was further immersed in isopropyl alcohol and dried.
次にこのウエーハ保持プレートの面粗さを面粗さ計にて
測定すると次のようであった。Next, the surface roughness of this wafer holding plate was measured with a surface roughness meter as follows.
外周部 Ra＝1.92μｍ R/2 Ra＝1.77μｍ 中心部 Ra＝1.84μｍ このウェーハ保持プレートを使用して、上記と同一の要
領でウェーハを研磨したところ、高精度の平坦度の鏡面
を有するシリコンウェーハが得られた。Peripheral Ra = 1.92 μm R / 2 Ra = 1.77 μm Center Ra = 1.84 μm Using this wafer holding plate, a wafer was polished in the same manner as above. Silicon with a highly precise mirror surface was obtained. A wafer was obtained.
［発明の効果］ 以上の説明で明らかなように、本発明の半導体ウェーハ
の研磨方法によれば、面粗さRaが0.5〜3.0μｍのウェー
ハ保持プレートを半導体ウェーハの研磨に使用するとと
もに、使用後のウェーハ保持プレートについて所定のラ
ップ処理および、その後のNaOH含有薬液による洗浄処理
を行うことによって、もとの面粗さにしてウエーハの研
磨に使用するので、ウェーハをウェーハ保持プレートに
均一に接着させることができるのに加えて、ウェーハ保
持プレート上にゴミが存在するときにも該ゴミによる悪
影響を防止することができ、従ってウェーハを高精度の
平坦度を有する鏡面に研磨することができる効果があ
る。[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the method for polishing a semiconductor wafer of the present invention, a wafer holding plate having a surface roughness Ra of 0.5 to 3.0 μm is used for polishing a semiconductor wafer and used. The wafer holding plate afterwards is subjected to a predetermined lapping process and then a cleaning process with a NaOH-containing chemical solution to obtain the original surface roughness, which is used for polishing the wafer, so that the wafer is uniformly adhered to the wafer holding plate. In addition to being able to make it possible, it is possible to prevent the adverse effect of dust even when there is dust on the wafer holding plate, and therefore it is possible to polish the wafer to a mirror surface having high precision flatness. There is.
第１図〜第３図は本発明に係るもので、第１図はウェー
ハ保持プレートにウェーハを固着させた状態を示す断面
図、第２図はこのウェーハ保持プレートを使用してウェ
ーハを研磨する状態を示す断面図、第３図はウェーハ保
持プレート上の半導体ウェーハの配置の一例を示す平面
図、第４図はウエーハ保持プレートの平滑になった粗面
部で接着剤厚さのムラが発生する理由を説明するための
模式的断面図、第５図（ａ）は従来のウェーハ保持プレ
ートにウェーハを固着させた状態を示す断面図、第５図
（ｂ）は第５図（ａ）の状態で研磨した後のウェーハの
断面図である。 １……半導体ウェーハ、2,21,2a……ウェーハ保持プレ
ート、３……接着剤、４……ゴミ、５……定盤、6a……
オリジナルの粗面部、6b……鏡面研磨中に平滑になった
粗面部、７……ウェーハ保持プレート（ガラスプレー
ト）の常時研磨部分内周部、８……ウェーハ保持プレー
ト（ガラスプレート）の常時研磨部分外周部1 to 3 relate to the present invention. FIG. 1 is a sectional view showing a state in which a wafer is fixed to a wafer holding plate, and FIG. 2 is used to polish the wafer using this wafer holding plate. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state, FIG. 3 is a plan view showing an example of arrangement of semiconductor wafers on a wafer holding plate, and FIG. 4 is unevenness in adhesive thickness on a smooth roughened surface portion of a wafer holding plate. A schematic cross-sectional view for explaining the reason, FIG. 5 (a) is a cross-sectional view showing a state in which a wafer is fixed to a conventional wafer holding plate, and FIG. 5 (b) is a state in FIG. 5 (a). It is sectional drawing of the wafer after polishing by. 1 ... Semiconductor wafer, 2,21,2a ... Wafer holding plate, 3 ... Adhesive, 4 ... Dust, 5 ... Surface plate, 6a ...
Original rough surface, 6b: Rough surface that became smooth during mirror polishing, 7: Inner peripheral portion of wafer polishing plate (glass plate), 8: Continuous polishing of wafer supporting plate (glass plate) Peripheral part
Claims (1)
レートを半導体ウェーハの研磨に使用するとともに、使
用後のウェーハ保持プレートについて、粒径の比較的大
きいラップ材により面粗さRa＝0.5〜3.0μｍにラップ処
理を行い、その後NaOHを含有する薬液にて洗浄処理し、
該洗浄処理後のウェーハ保持プレートを半導体ウェーハ
の研磨に再使用することを特徴とする半導体ウェーハの
研磨方法。1. A wafer holding plate having a surface roughness Ra = 0.5 to 3.0 μm is used for polishing a semiconductor wafer, and the used wafer holding plate has a surface roughness Ra = of a lapping material having a relatively large grain size. Lapping treatment to 0.5-3.0 μm, then washing treatment with a chemical solution containing NaOH,
A method of polishing a semiconductor wafer, wherein the wafer holding plate after the cleaning treatment is reused for polishing the semiconductor wafer.
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| 辻薦著「精密洗浄技術」昭和５８年２月２０日発行、工学図書株式会社第１９頁第１１２〜１１３頁 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0417332A (en) | 1992-01-22 |
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