JPH07173623A - Film forming device - Google Patents
Film forming deviceInfo
- Publication number
- JPH07173623A JPH07173623A JP34527893A JP34527893A JPH07173623A JP H07173623 A JPH07173623 A JP H07173623A JP 34527893 A JP34527893 A JP 34527893A JP 34527893 A JP34527893 A JP 34527893A JP H07173623 A JPH07173623 A JP H07173623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- targets
- target
- thin film
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は高真空中に設けられた
基板の表面に窒化物薄膜又は酸化物薄膜を形成するとき
に使用される薄膜作成装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film forming apparatus used for forming a nitride thin film or an oxide thin film on the surface of a substrate provided in a high vacuum.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の薄膜作成装置には種々のものがあ
り、その第1例が図3に示されている。同図において、
真空チャンバー1内の下部にはカソード2が配置され、
カソード2の上にはターゲット3が載置されている。真
空チャンバー1内の上部には基板4がカソード2および
ターゲット3と対向するように配設され、その基板4の
背後には基板加熱機構5が配設されている。また、基板
4前方のターゲット3方向にはシャッタ6が配設されて
いる。カソード2にはスパッタ電源7が接続されてい
る。なお、図中、8は膜厚モニタである。2. Description of the Related Art There are various conventional thin film forming apparatuses, and a first example thereof is shown in FIG. In the figure,
The cathode 2 is arranged in the lower part of the vacuum chamber 1,
A target 3 is placed on the cathode 2. A substrate 4 is arranged in the upper part of the vacuum chamber 1 so as to face the cathode 2 and the target 3, and a substrate heating mechanism 5 is arranged behind the substrate 4. Further, a shutter 6 is arranged in front of the substrate 4 in the direction of the target 3. A sputtering power source 7 is connected to the cathode 2. In the figure, 8 is a film thickness monitor.
【0003】このような従来の第1例においては、カソ
ード2と基板4との間でプラズマ放電が起こり、そのプ
ラズマ放電が安定し、スパツタ速度が安定したことを確
認してから、シャッタ6を開放し、基板加熱機構5によ
り加熱された基板4の表面にターゲット3より飛び出し
たスパッタ粒子が付着し、そこに薄膜が形成されるよう
になる。In the first conventional example as described above, a plasma discharge is generated between the cathode 2 and the substrate 4, and after confirming that the plasma discharge is stable and the sputtering speed is stable, the shutter 6 is turned on. The sputtered particles ejected from the target 3 adhere to the surface of the substrate 4 which is opened and heated by the substrate heating mechanism 5, and a thin film is formed there.
【0004】次に、従来の装置の第2例が図4に示され
ている。同図において、真空チャンバー1内の下部には
2つのカソード2が並列に配置され、各カソード2の上
にはターゲット3が載置されている。真空チャンバー1
内の上部には基板4を載せた基板用ターンテーブル9が
カソード2およびターゲット3と対向するように配設さ
れている。なお、その他の符号で従来の装置の第1例を
示す図3の符号と同一のものは同一物につきその説明を
省略する。Next, a second example of the conventional device is shown in FIG. In the figure, two cathodes 2 are arranged in parallel in the lower part of the vacuum chamber 1, and a target 3 is placed on each cathode 2. Vacuum chamber 1
A substrate turntable 9 on which a substrate 4 is placed is arranged in the upper part of the inside so as to face the cathode 2 and the target 3. Other reference numerals that are the same as those in FIG. 3 showing the first example of the conventional device are the same and the description thereof will be omitted.
【0005】このような従来の第2例においても、カソ
ード2と基板4との間でプラズマ放電が起こり、そのプ
ラズマ中のイオンでターゲット3をスパッタし、基板4
の表面にターゲット3より飛び出したスパッタ粒子が付
着して薄膜が形成されるようになる。その際、各カソー
ド2の上にターゲット3を載置しているので、一つのタ
ーゲット3をスパッタした後、別のターゲット3をスパ
ッタすることができ、基板4の表面に多層膜を形成する
ことができる。Also in such a second conventional example, plasma discharge occurs between the cathode 2 and the substrate 4, and the target 3 is sputtered by the ions in the plasma, so that the substrate 4
The sputtered particles protruding from the target 3 adhere to the surface of the to form a thin film. At that time, since the target 3 is placed on each cathode 2, it is possible to sputter one target 3 and then another target 3 to form a multilayer film on the surface of the substrate 4. You can
【0006】その次に、従来の装置の第3例が図5に示
されている。同図において、真空チャンバー1内の下部
には2つのカソード2がハの字状に並列に配置され、各
カソード2の上にはターゲット3が載置されている。真
空チャンバー1内の上部には基板4を載せた基板回転機
構10がカソード2およびターゲット3と対向するよう
に配設されている。なお、その他の符号で従来の装置の
第1例を示す図3の符号と同一のものは同一物につきそ
の説明を省略する。Next, a third example of the conventional device is shown in FIG. In the figure, two cathodes 2 are arranged in parallel in a V shape in the lower part of the vacuum chamber 1, and a target 3 is placed on each cathode 2. A substrate rotating mechanism 10 on which a substrate 4 is placed is arranged in the upper part of the vacuum chamber 1 so as to face the cathode 2 and the target 3. Other reference numerals that are the same as those in FIG. 3 showing the first example of the conventional device are the same and the description thereof will be omitted.
【0007】このような従来の第3例においても、カソ
ード2と基板4との間でプラズマ放電が起こり、そのプ
ラズマ中のイオンターゲット3をスパッタし、基板4の
表面にターゲット3より飛び出したスパッタ粒子が付着
して薄膜が形成されるようになる。その際、ハの字状に
並列に配置されたカソード2の上にターゲット3を載置
しているので、基板4の表面にターゲット材料の同時付
着が可能になる。Also in the third conventional example as described above, plasma discharge occurs between the cathode 2 and the substrate 4, the ion target 3 in the plasma is sputtered, and the surface of the substrate 4 is sputtered from the target 3. The particles adhere to form a thin film. At this time, since the target 3 is placed on the cathodes 2 arranged in parallel in a V shape, the target material can be simultaneously attached to the surface of the substrate 4.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜作成装置の
第1例は、上記のようにプラズマ放電が起こるカソード
2と基板4との間の距離が短かく限定されているため、
膜厚モニタ8の配置に制約が生じるようになる。それゆ
え、膜厚モニタ8の配置の仕方によっては、基板4の表
面に実際に形成される膜厚と、膜厚モニタ8に表示され
る膜厚とに違いが起こり、正確な膜厚制御が出来なくな
る問題が起きた。In the first example of the conventional thin film forming apparatus, since the distance between the cathode 2 and the substrate 4 where the plasma discharge occurs is short as described above,
There are restrictions on the arrangement of the film thickness monitor 8. Therefore, depending on the arrangement of the film thickness monitor 8, there is a difference between the film thickness actually formed on the surface of the substrate 4 and the film thickness displayed on the film thickness monitor 8, and accurate film thickness control is possible. There was a problem that I could not do it.
【0009】また、第2例は、上記第1例の問題以外に
も次のような問題が起きた。即ち、第2例は、一つのタ
ーゲット3をスパッタした後、別のターゲット3をスパ
ッタして、基板4の表面に多層膜を形成するものであっ
て、各ターゲット3を同時にスパッタするものではな
い。そのため、基板4の表面に形成される薄膜の組成比
を調整することが出来ない問題が起きた。The second example has the following problems in addition to the problems of the first example. That is, the second example is one in which one target 3 is sputtered and then another target 3 is sputtered to form a multilayer film on the surface of the substrate 4, and the targets 3 are not simultaneously sputtered. . Therefore, there is a problem that the composition ratio of the thin film formed on the surface of the substrate 4 cannot be adjusted.
【0010】更に、第3例は、ハの字状に並列に配置さ
れたカソード2上のターゲット3を同時にスパッタでき
るようにしているが、各ターゲット3のエロージョンが
必ずしも均一にはならず、不均一になり易くなる問題が
起きた。Further, in the third example, the targets 3 on the cathodes 2 arranged in parallel in a V-shape can be sputtered at the same time, but the erosion of each target 3 is not always uniform, which is not possible. The problem that it becomes easy to become uniform occurred.
【0011】更にその上、第1例、第2例および第3例
は、窒素ガスやアンモニアガス、あるいは酸素ガスを供
給して、窒素又は酸素の補足を行っいるが、必ずしも完
全とはいえない問題が起きた。Furthermore, in the first, second and third examples, nitrogen gas, ammonia gas or oxygen gas is supplied to supplement nitrogen or oxygen, but it is not always perfect. There was a problem.
【0012】この発明の目的は、従来の上記問題を解決
して、複数のターゲットを同時にスパッタして、薄膜の
膜厚制御および組成比の調整を可能にするとともに、タ
ーゲットのエロージョンを均一にし、窒素又は酸素の補
足を十分に行うことのできる薄膜作成装置を提供するこ
とにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to simultaneously sputter a plurality of targets, to control the film thickness of a thin film and to adjust the composition ratio, and to make the erosion of the target uniform. An object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus capable of sufficiently supplementing nitrogen or oxygen.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、真空チャンバー内に基板と複数のター
ゲットを対向するように配設し、プラズマ放電中のイオ
ンでターゲットをスパッタして基板の表面に薄膜を作成
する薄膜作成装置において、上記基板を載置した基板回
転機構と、上記真空チャンバー内に活性窒素又は活性酸
素を供給する活性ガス供給機構と、上記ターゲットをカ
ソードに取り付けるとともに、上記ターゲット面に中心
軸を直交させるようにヘリカルコイルを配設し、そのヘ
リカルコイルに高周波発振源を接続した複数の高真空高
速プラズマスパッタ源とを備えたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate and a plurality of targets facing each other in a vacuum chamber, and sputters the targets with ions in plasma discharge. In a thin film forming apparatus for forming a thin film on a surface of a substrate, a substrate rotating mechanism on which the substrate is placed, an active gas supply mechanism for supplying active nitrogen or active oxygen into the vacuum chamber, and the target attached to a cathode A plurality of high-vacuum high-speed plasma sputtering sources in which a helical coil is arranged so that the central axis thereof is orthogonal to the target surface and a high-frequency oscillation source is connected to the helical coil are provided.
【0014】[0014]
【作用】この発明においては、基板とカソードとの間で
放電が起こりプラズマが発生するが、プラズマ中のヘリ
コン波はヘリカルコイルにより励起され、高真空高速プ
ラズマスパッタ源内で高密度プラズマが生成される。こ
の高密度プラズマ中のイオンはターゲットをスパッタ
し、スパッタ粒子が基板に付着して、そこに薄膜が形成
されるようになる。その際、複数のターゲットを同時に
スパッタすることが可能になるとともに、基板回転機構
で基板を回転することが可能になり、膜厚および組成比
の調整ができるようになる。更に、真空チャンバー内に
活性窒素又は活性酸素を供給する活性ガス供給機構を備
えているので、真空チャンバー内に窒素又は酸素の補足
が可能になり、窒化又は酸化させながら薄膜を形成する
ことが出来るようになる。In the present invention, a discharge is generated between the substrate and the cathode to generate plasma, but the helicon wave in the plasma is excited by the helical coil to generate high-density plasma in the high-vacuum high-speed plasma sputtering source. . Ions in this high-density plasma sputter the target, and the sputtered particles adhere to the substrate to form a thin film there. At that time, a plurality of targets can be simultaneously sputtered, and the substrate can be rotated by the substrate rotating mechanism, so that the film thickness and the composition ratio can be adjusted. Further, since an active gas supply mechanism for supplying active nitrogen or active oxygen is provided in the vacuum chamber, it is possible to supplement nitrogen or oxygen in the vacuum chamber, and a thin film can be formed while nitriding or oxidizing. Like
【0015】[0015]
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例の薄膜作成装置は
図1に示されており、同図において、真空チャンバー2
1内の下部には2つの高真空高速プラズマスパッタ源2
2がハの字状に並列に配置され、その高真空高速プラズ
マスパッタ源22のカソード23の上にはターゲット2
4が載置されている。真空チャンバー21内の上部には
基板25を載せた基板回転機構26が配設され、基板2
5がターゲット24と対向している。基板25の背後に
は基板加熱機構27が配設されている。また、高真空高
速プラズマスパッタ源22前方のターゲット24側には
シャッタ38が配設されている。更に、真空チャンバー
21には活性ガス供給機構28が設けられ、その活性ガ
ス供給機構28より真空チャンバー21内に活性窒素又
は活性酸素が供給される。活性ガス供給機構28には活
性ガス供給機構用電源29と活性ガス供給機構用ガス制
御装置30とが接続されている。なお、図中、31は膜
厚モニタである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. A thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. 1, in which a vacuum chamber 2
Two high-vacuum high-speed plasma sputtering sources 2 are provided in the lower part of
2 are arranged in parallel in a V shape, and the target 2 is placed on the cathode 23 of the high-vacuum high-speed plasma sputtering source 22.
4 is placed. A substrate rotating mechanism 26 on which a substrate 25 is placed is arranged in the upper portion of the vacuum chamber 21.
5 faces the target 24. A substrate heating mechanism 27 is arranged behind the substrate 25. Further, a shutter 38 is arranged on the target 24 side in front of the high vacuum high speed plasma sputtering source 22. Further, the vacuum chamber 21 is provided with an active gas supply mechanism 28, and the active gas supply mechanism 28 supplies active nitrogen or active oxygen into the vacuum chamber 21. An active gas supply mechanism power source 29 and an active gas supply mechanism gas control device 30 are connected to the active gas supply mechanism 28. In the figure, 31 is a film thickness monitor.
【0016】図2は高真空高速プラズマスパッタ源22
の詳細を示しており、同図において、真空ケース32の
下部にはカソード23が取り付けられ、そのカソード2
3の上にはターゲット24が載置されている。真空ケー
ス32内にはヘリカルコイル33が配設され、そのヘリ
カルコイル33の中心軸はターゲット24面に直交して
いる。ヘリカルコイル33には高周波発振源34が接続
されている。図2において、35は電磁石、36は高周
波電源、37は永久磁石である。FIG. 2 shows a high vacuum high speed plasma sputtering source 22.
In the same figure, the cathode 23 is attached to the lower part of the vacuum case 32, and the cathode 2
A target 24 is placed on the surface 3. A helical coil 33 is arranged in the vacuum case 32, and the central axis of the helical coil 33 is orthogonal to the surface of the target 24. A high frequency oscillation source 34 is connected to the helical coil 33. In FIG. 2, 35 is an electromagnet, 36 is a high frequency power source, and 37 is a permanent magnet.
【0017】このような実施例においては、基板25と
カソード23との間で放電が起こりプラズマが発生する
が、プラズマ中のヘリコン波はヘリカルコイル33によ
り励起され、高真空高速プラズマスパッタ源22内で高
密度プラズマが生成される。この高密度プラズマ中のイ
オンはターゲット24をスパッタし、スパッタ粒子が基
板25に付着して、そこに薄膜が形成されるようにな
る。その際、複数のターゲット24を同時にスパッタす
ることが可能になるとともに、基板回転機構26で基板
25を回転することが可能になり、膜厚および組成比の
調整ができるようになる。更に、真空チャンバー21内
に活性窒素又は活性酸素を供給する活性ガス供給機構2
8を備えているので、真空チャンバー21内に窒素又は
酸素の補足が可能になり、窒化又は酸化させながら薄膜
を形成することが出来るようになる。In such an embodiment, a discharge is generated between the substrate 25 and the cathode 23 to generate plasma, but the helicon wave in the plasma is excited by the helical coil 33, and the inside of the high vacuum high speed plasma sputtering source 22. High density plasma is generated at. Ions in the high-density plasma sputter the target 24, and the sputtered particles adhere to the substrate 25 to form a thin film there. At that time, a plurality of targets 24 can be simultaneously sputtered, and the substrate 25 can be rotated by the substrate rotating mechanism 26, so that the film thickness and the composition ratio can be adjusted. Further, an active gas supply mechanism 2 for supplying active nitrogen or active oxygen into the vacuum chamber 21.
8 is provided, it becomes possible to supplement nitrogen or oxygen in the vacuum chamber 21, and it becomes possible to form a thin film while nitriding or oxidizing.
【0018】[0018]
【発明の効果】この発明は、次のような効果をもってい
る。 高真空高速プラズマスパッタ源内の高密度プラズマ中
のイオンでターゲットをスパッタして、基板に薄膜を形
成するようにしているので、基板25の表面に実際に形
成される膜厚と、膜厚モニタ31に表示される膜厚とに
違いが小さくなり、正確な膜厚制御が可能になる。 複数のターゲットを同時にスパッタすることが可能に
なるとともに、基板回転機構で基板を回転することが可
能になり、膜厚および組成比の調整ができるようにな
る。 真空チャンバー内に活性窒素又は活性酸素を供給する
活性ガス供給機構を備えているので、真空チャンバー内
に窒素又は酸素の補足が可能になり、窒化又は酸化させ
ながら薄膜を形成することが出来るようになる。 高真空高速プラズマスパッタ源内の高密度プラズマ中
のイオンでターゲットをスパッタするようにしているの
で、ターゲットを均一にエロージョンすることが可能に
なる。The present invention has the following effects. Since the target is sputtered by the ions in the high-density plasma in the high-vacuum high-speed plasma sputtering source to form a thin film on the substrate, the film thickness actually formed on the surface of the substrate 25 and the film thickness monitor 31 The difference from the film thickness displayed on the screen becomes small, and accurate film thickness control becomes possible. A plurality of targets can be simultaneously sputtered, and the substrate can be rotated by the substrate rotating mechanism, so that the film thickness and composition ratio can be adjusted. Since an active gas supply mechanism for supplying active nitrogen or active oxygen is provided in the vacuum chamber, it becomes possible to supplement nitrogen or oxygen in the vacuum chamber, so that a thin film can be formed while nitriding or oxidizing. Become. Since the target is sputtered by the ions in the high-density plasma in the high-vacuum high-speed plasma sputtering source, the target can be uniformly eroded.
【図1】この発明の実施例の説明図FIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施例に用いられる高真空高速プラ
ズマスパッタ源の詳細を示す説明図FIG. 2 is an explanatory view showing details of a high vacuum high speed plasma sputtering source used in an embodiment of the present invention.
【図3】従来の薄膜作成装置の第1例を示す説明図FIG. 3 is an explanatory view showing a first example of a conventional thin film forming apparatus.
【図4】従来の薄膜作成装置の第2例を示す説明図FIG. 4 is an explanatory view showing a second example of a conventional thin film forming apparatus.
【図5】従来の薄膜作成装置の第3例を示す説明図FIG. 5 is an explanatory view showing a third example of a conventional thin film forming apparatus.
21・・・・・・・真空チャンバー 22・・・・・・・高真空高速プラズマスパッタ源 23・・・・・・・カソード 24・・・・・・・ターゲット 25・・・・・・・基板 26・・・・・・・基板回転機構 27・・・・・・・基板加熱機構 28・・・・・・・活性ガス供給機構 29・・・・・・・活性ガス供給機構用電源 30・・・・・・・活性ガス供給機構用ガス制御装置 31・・・・・・・膜厚モニタ 32・・・・・・・真空ケース 33・・・・・・・ヘリカルコイル 34・・・・・・・高周波発振源 35・・・・・・・電磁石 36・・・・・・・高周波電源 37・・・・・・・永久磁石 38・・・・・・・シャツタ 21 --- Vacuum chamber 22 --- High-vacuum high-speed plasma sputtering source 23 --- Cathode 24 --- Target 25 --- Substrate 26 ··· Substrate rotating mechanism 27 ··· Substrate heating mechanism 28 ··· · Active gas supply mechanism 29 ··· · Power supply for active gas supply mechanism 30・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Gas control device for active gas supply mechanism 31 ・ ・ ・ ・ Film thickness monitor 32 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Vacuum case 33 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Helical coil 34 ・ ・ ・・ ・ ・ ・ High-frequency oscillator 35 ・ ・ ・ ・ Electromagnet 36 ・ ・ ・ ・ ・ ・ High-frequency power supply 37 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Permanent magnet 38 ・ ・ ・ ・ ・ ・ Shatter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/31
Claims (1)
トを対向するように配設し、プラズマ放電中のイオンで
ターゲットをスパッタして基板の表面に薄膜を作成する
薄膜作成装置において、上記基板を載置した基板回転機
構と、上記真空チャンバー内に活性窒素又は活性酸素を
供給する活性ガス供給機構と、上記ターゲットをカソー
ドに取り付けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を
直交させるようにヘリカルコイルを配設し、そのヘリカ
ルコイルに高周波発振源を接続した複数の高真空高速プ
ラズマスパッタ源とを備えた薄膜作成装置。1. A thin film forming apparatus in which a substrate and a plurality of targets are arranged to face each other in a vacuum chamber, and the target is sputtered by ions in plasma discharge to form a thin film on the surface of the substrate. The mounted substrate rotating mechanism, the active gas supply mechanism for supplying active nitrogen or active oxygen into the vacuum chamber, the target attached to the cathode, and the helical coil arranged so that the central axis is orthogonal to the target surface. A thin film forming apparatus provided with a plurality of high-vacuum high-speed plasma sputtering sources, each of which has a helical coil connected to a high-frequency oscillation source.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5345278A JP3038287B2 (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Thin film production equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5345278A JP3038287B2 (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Thin film production equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07173623A true JPH07173623A (en) | 1995-07-11 |
JP3038287B2 JP3038287B2 (en) | 2000-05-08 |
Family
ID=18375513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5345278A Expired - Lifetime JP3038287B2 (en) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | Thin film production equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3038287B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007518252A (en) * | 2003-12-02 | 2007-07-05 | バッテル メモリアル インスティチュート | Thermoelectric device and its use |
CN102560360A (en) * | 2010-12-16 | 2012-07-11 | 中国科学院福建物质结构研究所 | Preparation equipment system of MgZnO film and method thereof |
US8455751B2 (en) | 2003-12-02 | 2013-06-04 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices and applications for the same |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP5345278A patent/JP3038287B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007518252A (en) * | 2003-12-02 | 2007-07-05 | バッテル メモリアル インスティチュート | Thermoelectric device and its use |
US8455751B2 (en) | 2003-12-02 | 2013-06-04 | Battelle Memorial Institute | Thermoelectric devices and applications for the same |
CN102560360A (en) * | 2010-12-16 | 2012-07-11 | 中国科学院福建物质结构研究所 | Preparation equipment system of MgZnO film and method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3038287B2 (en) | 2000-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3343620B2 (en) | Method and apparatus for forming a thin film by magnetron sputtering | |
EP0884761A1 (en) | Sputtering apparatus with a rotating magnet array | |
JP2000144399A (en) | Sputtering device | |
JP2970317B2 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
JPH1161401A (en) | Sputtering and device therefor | |
JPH07173623A (en) | Film forming device | |
JPH11158625A (en) | Magnetron sputtering film forming device | |
JPH0878333A (en) | Plasma apparatus for formation of film | |
JPH06322534A (en) | Method and device for forming thin film | |
JP2004346387A (en) | Sputtering source, sputtering apparatus and sputtering method | |
JPH07176481A (en) | Multilayer film forming apparatus | |
JPH0578831A (en) | Formation of thin film and device therefor | |
JPS59173265A (en) | Sputtering device | |
US6878241B2 (en) | Method of forming deposited film | |
JPS6361387B2 (en) | ||
JP3712553B2 (en) | Sputtering equipment | |
JPH02290971A (en) | Sputtering device | |
JPH1136063A (en) | Arc type evaporating source | |
JPS63307272A (en) | Ion beam sputtering device | |
JPH0790578A (en) | High-frequency magnetron sputtering device | |
JPS61127862A (en) | Method and device for forming thin film | |
JPH0688222A (en) | Sputter ion plating device | |
JP2005054251A (en) | Sputtering method | |
JPH1150245A (en) | Sputtering film forming device and sputtering target | |
JPH0672299B2 (en) | Sputtering device and sputtering method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |