JPH07168039A - 光導波路デバイス - Google Patents
光導波路デバイスInfo
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- JPH07168039A JPH07168039A JP31482893A JP31482893A JPH07168039A JP H07168039 A JPH07168039 A JP H07168039A JP 31482893 A JP31482893 A JP 31482893A JP 31482893 A JP31482893 A JP 31482893A JP H07168039 A JPH07168039 A JP H07168039A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 端面露出型の導波路ミラー部を持つ光導波路
デバイスにおいて、導波路ミラー部に悪影響を与えるこ
となく光導波路デバイスの信頼性を向上させるための封
止を施こす。 【構成】 光ＩＣチップ１０の導波路ミラー部６を避け
て、光・電気変換素子７部、及び光・電気変換素子７の
電極８部、及び接続手段２０部、及び外部電極３１部を
含む領域Ｅを封止剤２１によって封止する。光導波路デ
バイスの接続部を保護、強化し、信頼性を向上させる。
デバイスにおいて、導波路ミラー部に悪影響を与えるこ
となく光導波路デバイスの信頼性を向上させるための封
止を施こす。 【構成】 光ＩＣチップ１０の導波路ミラー部６を避け
て、光・電気変換素子７部、及び光・電気変換素子７の
電極８部、及び接続手段２０部、及び外部電極３１部を
含む領域Ｅを封止剤２１によって封止する。光導波路デ
バイスの接続部を保護、強化し、信頼性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光導波路デバイスに関
し、より詳細には、端面露出型の光導波路ミラー、及
び、光・電気変換素子を有する光導波路デバイスにおけ
る保護の強化に関する。
し、より詳細には、端面露出型の光導波路ミラー、及
び、光・電気変換素子を有する光導波路デバイスにおけ
る保護の強化に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩチップ等の端子（パッド）と電子
機器の基板上の配線部（ランド）との間を金属配線材料
で接続する結線方法としては、ワイヤボンディングや、
リードフレームによる方法等がある。しかし、上記従来
技術のような結線方法では、周囲の温度、湿度等の環境
変化や機械的な振動、衝撃等によって、接続部で破壊や
特性変位が起こりやすく、ＬＳＩチップ等の信頼性が高
くない。
機器の基板上の配線部（ランド）との間を金属配線材料
で接続する結線方法としては、ワイヤボンディングや、
リードフレームによる方法等がある。しかし、上記従来
技術のような結線方法では、周囲の温度、湿度等の環境
変化や機械的な振動、衝撃等によって、接続部で破壊や
特性変位が起こりやすく、ＬＳＩチップ等の信頼性が高
くない。
【０００３】更には、光導波路を用いた光ＩＣチップに
おいては、周囲からの迷光を遮断することが重要な課題
であり、更に、光ＩＣチップに限らず、種々の電子部品
において、外部の埃や汚れなどから保護することも大切
である。
おいては、周囲からの迷光を遮断することが重要な課題
であり、更に、光ＩＣチップに限らず、種々の電子部品
において、外部の埃や汚れなどから保護することも大切
である。
【０００４】図４は、従来の光導波路デバイスの一例を
説明するための断面図で、図中、１は光入出力素子（プ
リズムカプラ）、２は保護膜（パッシペーション膜）、
３は導波層（ＳｉＯＮ）、４はバッファ層（Ｓｉ
Ｏ2）、５はシリコン基板（光ＩＣチップ１０の基
板）、６は導波路ミラー部、７は光・電気変換素子（以
下、光素子）、８は光素子７の電極、９はプリズムカプ
ラ１の接着層、１０は光ＩＣチップ、２０は接続手段
（例えば、ワイヤボンディング）、２１は封止剤、３０
は補強基板、３１は基板３０上の外部電極、３２は基板
３０上の光素子７の共通電極である。
説明するための断面図で、図中、１は光入出力素子（プ
リズムカプラ）、２は保護膜（パッシペーション膜）、
３は導波層（ＳｉＯＮ）、４はバッファ層（Ｓｉ
Ｏ2）、５はシリコン基板（光ＩＣチップ１０の基
板）、６は導波路ミラー部、７は光・電気変換素子（以
下、光素子）、８は光素子７の電極、９はプリズムカプ
ラ１の接着層、１０は光ＩＣチップ、２０は接続手段
（例えば、ワイヤボンディング）、２１は封止剤、３０
は補強基板、３１は基板３０上の外部電極、３２は基板
３０上の光素子７の共通電極である。
【０００５】図４に示した従来技術は、上述した問題点
を解決するために、光ＩＣチップ１０の上面に、パッシ
ペーション膜２を施して、外部からの汚れ等に対して保
護しており、更に、補強基板３０に光ＩＣチップ１０を
接合後、ワイヤボンディング２０で、光素子電極８と外
部電極３１とを接続した後、光ＩＣチップ１０全体にわ
たって（ワイヤボンディングを含む）封止剤２１により
封止し、もって、周囲の温度、湿度等の環境変化や機械
的な振動、衝撃等による接続部での破壊や特性変化を起
こしにくくし、また、迷光をさえぎるようにしたもので
ある。
を解決するために、光ＩＣチップ１０の上面に、パッシ
ペーション膜２を施して、外部からの汚れ等に対して保
護しており、更に、補強基板３０に光ＩＣチップ１０を
接合後、ワイヤボンディング２０で、光素子電極８と外
部電極３１とを接続した後、光ＩＣチップ１０全体にわ
たって（ワイヤボンディングを含む）封止剤２１により
封止し、もって、周囲の温度、湿度等の環境変化や機械
的な振動、衝撃等による接続部での破壊や特性変化を起
こしにくくし、また、迷光をさえぎるようにしたもので
ある。
【０００６】図４において、導波路ミラー部６は、端面
露出部分がパッシペーション膜２と同じ材質で覆われて
いるので、その上から、外部の汚れ等から導波層３を保
護するパッシペーション膜２を施こし、更に、その上か
ら封止剤２１により封止をしても導波路ミラー部６にな
んら影響を与えることはなかった。
露出部分がパッシペーション膜２と同じ材質で覆われて
いるので、その上から、外部の汚れ等から導波層３を保
護するパッシペーション膜２を施こし、更に、その上か
ら封止剤２１により封止をしても導波路ミラー部６にな
んら影響を与えることはなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記導波路ミ
ラー部６が端面露出部を空気中または真空中に露出しな
ければならない導波路端面露出型の導波路ミラーにおい
ては、前記保護膜２もエッチング等により取り去られて
おり、この導波路ミラー部６の端面露出部に封止剤２１
が流れ込むと、導波路ミラー部６が要求されている特性
を得ることができなくなってしまう。そのため、この部
分に封止剤を塗布することができなかった。
ラー部６が端面露出部を空気中または真空中に露出しな
ければならない導波路端面露出型の導波路ミラーにおい
ては、前記保護膜２もエッチング等により取り去られて
おり、この導波路ミラー部６の端面露出部に封止剤２１
が流れ込むと、導波路ミラー部６が要求されている特性
を得ることができなくなってしまう。そのため、この部
分に封止剤を塗布することができなかった。
【０００８】そこで、本発明は、端面露出型の導波路ミ
ラーに悪影響を与えることなく、光素子の部分を遮光
し、かつ、電極接続部を保護、強化し、更には、光導波
路デバイス全体にわたる保護、強化、及び遮光を図り、
もって、導波路ミラーの耐久性を向上させた光導波路デ
バイスを提供することを目的とする。
ラーに悪影響を与えることなく、光素子の部分を遮光
し、かつ、電極接続部を保護、強化し、更には、光導波
路デバイス全体にわたる保護、強化、及び遮光を図り、
もって、導波路ミラーの耐久性を向上させた光導波路デ
バイスを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）光入出力素子と、光・電気変換素
子と、前記光入出力素子からの光を前記光・電気変換素
子に導くための光導波路を有し、前記光・電気変換素子
の入力又は出力端子電極が該電極以外の外部導体の外部
電極と接続手段を介して接続され、前記光導波路の最上
層が保護膜で形成され、前記光導波路の一部に導波路端
面露出型の導波路ミラー部を有する光導波路デバイスに
おいて、前記光・電気変換素子部、及び、該光・電気変
換素子の端子電極部、及び、前記接続手段部、及び、前
記外部電極部が封止剤で封止されていること、更には、
（２）光入出力素子と、光・電気変換素子と、前記光入
出力素子からの光を前記光・電気変換素子に導くための
光導波路を有し、前記光・電気変換素子の入力又は出力
端子電極が該電極以外の外部導体の外部電極と接続手段
を介して接続され、前記光導波路の最上層が保護膜で形
成され、前記光導波路の一部に導波路端面露出型の導波
路ミラー部を有する光導波路デバイスにおいて、前記導
波路ミラーの露出部が外気に対して密封され、前記光入
出力素子部を除くすべてが、封止剤で封止されているこ
と、更には、（３）前記導波路端面露出型の導波路ミラ
ーの露出部が不活性ガスと接していることを特徴とした
ものである。
決するために、（１）光入出力素子と、光・電気変換素
子と、前記光入出力素子からの光を前記光・電気変換素
子に導くための光導波路を有し、前記光・電気変換素子
の入力又は出力端子電極が該電極以外の外部導体の外部
電極と接続手段を介して接続され、前記光導波路の最上
層が保護膜で形成され、前記光導波路の一部に導波路端
面露出型の導波路ミラー部を有する光導波路デバイスに
おいて、前記光・電気変換素子部、及び、該光・電気変
換素子の端子電極部、及び、前記接続手段部、及び、前
記外部電極部が封止剤で封止されていること、更には、
（２）光入出力素子と、光・電気変換素子と、前記光入
出力素子からの光を前記光・電気変換素子に導くための
光導波路を有し、前記光・電気変換素子の入力又は出力
端子電極が該電極以外の外部導体の外部電極と接続手段
を介して接続され、前記光導波路の最上層が保護膜で形
成され、前記光導波路の一部に導波路端面露出型の導波
路ミラー部を有する光導波路デバイスにおいて、前記導
波路ミラーの露出部が外気に対して密封され、前記光入
出力素子部を除くすべてが、封止剤で封止されているこ
と、更には、（３）前記導波路端面露出型の導波路ミラ
ーの露出部が不活性ガスと接していることを特徴とした
ものである。
【００１０】
【作用】光・電気変換素子部、及び、光・電気変換素子
の電極部、及び、接続手段部、及び、外部電極部を封止
剤により封止することで、端面露出型の導波路ミラー部
へ悪影響を与えることなく封止した光導波路デバイスを
提供する。
の電極部、及び、接続手段部、及び、外部電極部を封止
剤により封止することで、端面露出型の導波路ミラー部
へ悪影響を与えることなく封止した光導波路デバイスを
提供する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施例を説明するための図で、図１
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断
面図を示し、図中、６ａはミラー端面（反射面）、６ｂ
はミラー裏面（非反射面）で、その他、図４に示した従
来技術と同様の作用をする部分には、図４の場合と同一
の参照番号が付してある。
図１は、本発明の一実施例を説明するための図で、図１
（ａ）は平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断
面図を示し、図中、６ａはミラー端面（反射面）、６ｂ
はミラー裏面（非反射面）で、その他、図４に示した従
来技術と同様の作用をする部分には、図４の場合と同一
の参照番号が付してある。
【００１２】而して、図１に示した実施例では、導波層
３中を伝搬する光を、端面が空気中に露出した導波路ミ
ラー部６，６′によって反射、集光して、光素子７に当
て、電気信号に変換し、該光素子７からの電気信号を電
極８から外部電極３１への接続手段２０（ここではワイ
ヤボンディング）を通し、外部電極３１へ出力されるよ
うになっている。
３中を伝搬する光を、端面が空気中に露出した導波路ミ
ラー部６，６′によって反射、集光して、光素子７に当
て、電気信号に変換し、該光素子７からの電気信号を電
極８から外部電極３１への接続手段２０（ここではワイ
ヤボンディング）を通し、外部電極３１へ出力されるよ
うになっている。
【００１３】更に、本実施例で使用している光ＩＣチッ
プ１０の光導波路は、シリコン基板５上に形成されたＳ
ｉＯ2のバッファ層４と、ＳｉＯＮの導波層３と、この
導波層３を保護する保護膜２の３層とから構成されてお
り、また、導波路ミラー部６は、前記保護膜２、導波層
３及びバッファ層４をエッチング等により取り除くこと
で（以下、導波路ミラー部６の溝）、端面露出型の導波
路ミラー部６を形成している。光素子７は、シリコン基
板５上に設けた拡散層であり、導波層３は、この光素子
７に導波光を導くように光素子７に接触形成され、更
に、光素子７から発生する信号を拾う電極８も光素子７
に接触して引き出されており、また、シリコン基板５は
光素子７の他の電極に相当して、複数ある光素子７の共
通電極として作用するため、光ＩＣチップ１０の底面
（シリコン基板５の底面）は、補強基板３０上に設けら
れた共通電極３２に接合されている。
プ１０の光導波路は、シリコン基板５上に形成されたＳ
ｉＯ2のバッファ層４と、ＳｉＯＮの導波層３と、この
導波層３を保護する保護膜２の３層とから構成されてお
り、また、導波路ミラー部６は、前記保護膜２、導波層
３及びバッファ層４をエッチング等により取り除くこと
で（以下、導波路ミラー部６の溝）、端面露出型の導波
路ミラー部６を形成している。光素子７は、シリコン基
板５上に設けた拡散層であり、導波層３は、この光素子
７に導波光を導くように光素子７に接触形成され、更
に、光素子７から発生する信号を拾う電極８も光素子７
に接触して引き出されており、また、シリコン基板５は
光素子７の他の電極に相当して、複数ある光素子７の共
通電極として作用するため、光ＩＣチップ１０の底面
（シリコン基板５の底面）は、補強基板３０上に設けら
れた共通電極３２に接合されている。
【００１４】導波層３を露出してミラーとする端面は、
ミラーの全反射の臨界角を大きくするために、導波層の
端面を真空中（又は空気中）に露出させるが、これは、
導波層３の屈折率（この屈折率は、厳密には光導波路の
構造で決定される等価屈折率）を外部の屈折率より十分
大きくするためである。従って、封止剤２１で封止する
とき、パッシペーション膜２をエッチング等で除去して
形成した端面露出型導波路ミラー部６の露出部分に、封
止剤２１が入り込むことは避けなければならない。その
ため、本実施例では、この端面露出型導波路ミラー部６
の部分を避けて、封止剤２１で光素子７，電極８，ワイ
ヤボンディング２０，外部電極３１を含む領域Ｅを封止
するようにしている。
ミラーの全反射の臨界角を大きくするために、導波層の
端面を真空中（又は空気中）に露出させるが、これは、
導波層３の屈折率（この屈折率は、厳密には光導波路の
構造で決定される等価屈折率）を外部の屈折率より十分
大きくするためである。従って、封止剤２１で封止する
とき、パッシペーション膜２をエッチング等で除去して
形成した端面露出型導波路ミラー部６の露出部分に、封
止剤２１が入り込むことは避けなければならない。その
ため、本実施例では、この端面露出型導波路ミラー部６
の部分を避けて、封止剤２１で光素子７，電極８，ワイ
ヤボンディング２０，外部電極３１を含む領域Ｅを封止
するようにしている。
【００１５】上記実施例によると、光検出素子周辺の電
極部分の補強及び保護は十分実現でき、かつ、導波路ミ
ラーの特性を劣化させることもない。また、遮光性のあ
る封止剤を用いれば、光素子７周辺を封止するだけで、
導波路３以外から直接光が入ることがなくなるので、光
素子７周辺からの外乱光が入ることはなくなり、遮光効
果を十分に得ることができる。
極部分の補強及び保護は十分実現でき、かつ、導波路ミ
ラーの特性を劣化させることもない。また、遮光性のあ
る封止剤を用いれば、光素子７周辺を封止するだけで、
導波路３以外から直接光が入ることがなくなるので、光
素子７周辺からの外乱光が入ることはなくなり、遮光効
果を十分に得ることができる。
【００１６】図２は、本発明の他の実施例を説明するた
めの図１（ｂ）に相当する断面図で、図中、１１は導波
路ミラー部６の溝部に封止剤２１が入らないようにする
ための蓋で、この蓋１１は、保護膜２とよく密着するよ
うに、保護膜２と密着する側の面は、なるべく平面性を
よくするのがよい。なお、この蓋１１の材質としては、
金属、硝子、またはセラミックス等を用いるのがよい。
めの図１（ｂ）に相当する断面図で、図中、１１は導波
路ミラー部６の溝部に封止剤２１が入らないようにする
ための蓋で、この蓋１１は、保護膜２とよく密着するよ
うに、保護膜２と密着する側の面は、なるべく平面性を
よくするのがよい。なお、この蓋１１の材質としては、
金属、硝子、またはセラミックス等を用いるのがよい。
【００１７】この実施例は、導波路ミラー部６の溝の上
方に蓋１１を接合後、プリズムカプラ１部分以外の光Ｉ
Ｃチップ１０の上面全部及び接続部（ワイヤボンディン
グ２０）を封止剤２１により封止を行なったもので、導
波路ミラー部６の端面に封止剤２１を接触させることな
く封止でき、図１で示した実施例の効果に加え、プリズ
ムカプラ１以外から光が入らなくなり、更に、光ＩＣチ
ップ１０全体の保護、強化、信頼性を向上させることが
できる。
方に蓋１１を接合後、プリズムカプラ１部分以外の光Ｉ
Ｃチップ１０の上面全部及び接続部（ワイヤボンディン
グ２０）を封止剤２１により封止を行なったもので、導
波路ミラー部６の端面に封止剤２１を接触させることな
く封止でき、図１で示した実施例の効果に加え、プリズ
ムカプラ１以外から光が入らなくなり、更に、光ＩＣチ
ップ１０全体の保護、強化、信頼性を向上させることが
できる。
【００１８】更に、図２で示した実施例の蓋１１を接合
するとき、不活性ガスの雰囲気中で蓋１１を接合する
と、導波路ミラー部の溝に不活性ガスが充填され、導波
路端面（６ａ，６′ａ，６ｂ，６′ｂ）は、不活性ガス
と接触することとなり、空気による腐食から端面を守る
ことができ、導波路ミラー部６の端面の耐久性を増すこ
とができる。
するとき、不活性ガスの雰囲気中で蓋１１を接合する
と、導波路ミラー部の溝に不活性ガスが充填され、導波
路端面（６ａ，６′ａ，６ｂ，６′ｂ）は、不活性ガス
と接触することとなり、空気による腐食から端面を守る
ことができ、導波路ミラー部６の端面の耐久性を増すこ
とができる。
【００１９】また、図１，図２で示した実施例は、補強
基板３０を使用したものであるが、本発明は、必ずしも
補強基板を必要とするものではなく、補強基板を使わな
いと、ローコストで封止することができる。図３は、通
常の電子ＩＣのように、セラミックス基板等の補強基板
３０を使わずに封止した実施例の略断面図で、図中、４
０はリードフレーム、４１はアイランド、４２はバンプ
を示し、図３（ａ）は、電極接続にワイヤボンディング
２０を用いたもの、図３（ｂ）は、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）を利用したものである。このＴＡＢを用
いた方法は、電子ＩＣの実装で実績が有り信頼性は高
い。
基板３０を使用したものであるが、本発明は、必ずしも
補強基板を必要とするものではなく、補強基板を使わな
いと、ローコストで封止することができる。図３は、通
常の電子ＩＣのように、セラミックス基板等の補強基板
３０を使わずに封止した実施例の略断面図で、図中、４
０はリードフレーム、４１はアイランド、４２はバンプ
を示し、図３（ａ）は、電極接続にワイヤボンディング
２０を用いたもの、図３（ｂ）は、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）を利用したものである。このＴＡＢを用
いた方法は、電子ＩＣの実装で実績が有り信頼性は高
い。
【００２０】
（１）請求項１に対応する効果：光素子部、及び、光素
子の電極部、及び、接続手段部、及び、外部電極部を封
止剤で封止することにより、電極接続部の保護、及び、
強化が実現でき、また、遮光型の封止剤で封止すること
で、光素子部に直接外乱光が入らなくなり、光導波路デ
バイスの信頼性が向上する。 （２）請求項２に対応する効果：導波路ミラー部の端面
が接する空間を外気に対して密封して光入出力部の部分
を除く全てを封止することにより、（１）の効果に加
え、導波路ミラー部の性能に影響を与えることなく全体
を封止でき、更には、光素子に入る光は、光入出力素子
部以外から入らなくなり、光導波路デバイスの信頼性が
向上する。 （３）請求項３に対応する効果：（２）の効果に加え、
導波路ミラー部の露出部に不活性ガスを接触させておく
ことにより、導波路ミラー部の端面を空気による腐食か
ら守ることができ、導波路ミラー部の耐久性、信頼性を
向上できる。
子の電極部、及び、接続手段部、及び、外部電極部を封
止剤で封止することにより、電極接続部の保護、及び、
強化が実現でき、また、遮光型の封止剤で封止すること
で、光素子部に直接外乱光が入らなくなり、光導波路デ
バイスの信頼性が向上する。 （２）請求項２に対応する効果：導波路ミラー部の端面
が接する空間を外気に対して密封して光入出力部の部分
を除く全てを封止することにより、（１）の効果に加
え、導波路ミラー部の性能に影響を与えることなく全体
を封止でき、更には、光素子に入る光は、光入出力素子
部以外から入らなくなり、光導波路デバイスの信頼性が
向上する。 （３）請求項３に対応する効果：（２）の効果に加え、
導波路ミラー部の露出部に不活性ガスを接触させておく
ことにより、導波路ミラー部の端面を空気による腐食か
ら守ることができ、導波路ミラー部の耐久性、信頼性を
向上できる。
【図１】 本発明の一実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図２】 本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図３】 本発明の更に他の実施例を説明するための図
である。
である。
【図４】 従来の光導波路デバイスの一例を説明するた
めの図である。
めの図である。
１…光入出力素子、２…保護膜、３…導波層、４…バッ
ファ層、５…シリコン基板、６…導波路ミラー部、７…
光・電気変換素子、８…電極、９…接着層、１０…光Ｉ
Ｃチップ、１１…蓋、２０…接続手段、２１…封止剤、
３０…補強基板、３１…外部電極、３２…共通電極、４
０…リードフレーム、４１…アイランド、４２…バン
プ。
ファ層、５…シリコン基板、６…導波路ミラー部、７…
光・電気変換素子、８…電極、９…接着層、１０…光Ｉ
Ｃチップ、１１…蓋、２０…接続手段、２１…封止剤、
３０…補強基板、３１…外部電極、３２…共通電極、４
０…リードフレーム、４１…アイランド、４２…バン
プ。
Claims (3)
- 【請求項１】 光入出力素子と、光・電気変換素子と、
前記光入出力素子からの光を前記光・電気変換素子に導
くための光導波路を有し、前記光・電気変換素子の入力
又は出力端子電極が該電極以外の外部導体の外部電極と
接続手段を介して接続され、前記光導波路の最上層が保
護膜で形成され、前記光導波路の一部に導波路端面露出
型の導波路ミラー部を有する光導波路デバイスにおい
て、前記光・電気変換素子部、及び、該光・電気変換素
子の端子電極部、及び、前記接続手段部、及び、前記外
部電極部が封止剤で封止されていることを特徴とする光
導波路デバイス。 - 【請求項２】 光入出力素子と、光・電気変換素子と、
前記光入出力素子からの光を前記光・電気変換素子に導
くための光導波路を有し、前記光・電気変換素子の入力
又は出力端子電極が該電極以外の外部導体の外部電極と
接続手段を介して接続され、前記光導波路の最上層が保
護膜で形成され、前記光導波路の一部に導波路端面露出
型の導波路ミラー部を有する光導波路デバイスにおい
て、前記導波路ミラーの露出部が外気に対して密封さ
れ、前記光入出力素子部を除くすべてが、封止剤で封止
されていることを特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項３】 前記導波路端面露出型の導波路ミラーの
露出部が不活性ガスと接していることを特徴とする請求
項２に記載の光導波路デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31482893A JPH07168039A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 光導波路デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31482893A JPH07168039A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 光導波路デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07168039A true JPH07168039A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18058091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31482893A Pending JPH07168039A (ja) | 1993-12-15 | 1993-12-15 | 光導波路デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07168039A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000008505A1 (en) * | 1998-08-05 | 2000-02-17 | Seiko Epson Corporation | Optical module |
| JP2009145867A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路、光導波路モジュールおよび光素子実装基板 |
| WO2010023976A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路、光導波路モジュールおよび光素子実装基板 |
-
1993
- 1993-12-15 JP JP31482893A patent/JPH07168039A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000008505A1 (en) * | 1998-08-05 | 2000-02-17 | Seiko Epson Corporation | Optical module |
| US6793405B1 (en) | 1998-08-05 | 2004-09-21 | Seiko Epson Corporation | Optical module |
| JP2009145867A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路、光導波路モジュールおよび光素子実装基板 |
| WO2010023976A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路、光導波路モジュールおよび光素子実装基板 |
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