JPH07167807A - 試料の分析方法 - Google Patents
試料の分析方法Info
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- JPH07167807A JPH07167807A JP5343013A JP34301393A JPH07167807A JP H07167807 A JPH07167807 A JP H07167807A JP 5343013 A JP5343013 A JP 5343013A JP 34301393 A JP34301393 A JP 34301393A JP H07167807 A JPH07167807 A JP H07167807A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、被分析表面のクリーニング時にお
ける再付着物の発生を無くして、清浄な被分析表面の形
成を図るとともに、分析によって表れたオージェピーク
数によって、被分析表面の汚染の影響を確実に判定す
る。 【構成】 フォーカスイオンビームを用いて、試料11に
底面12a を有する穴12を形成した後、穴12の側壁12b に
対する入射角度θを０°より大きくかつ２０°以下に設
定したアルゴンイオンをその側壁12b に照射して、側壁
12b に付着している汚染物質31を除去し、その後、側壁
12b をオージェ電子分光法で分析する。図示はしない
が、オージェ電子分光法で、分析対象元素のオージェピ
ークが二つ表れた場合には、少なくとも分析対象元素を
含む汚染物質が分析部分に付着していると判定し、分析
対象元素のオージェピークが一つ表れた場合には、少な
くとも分析対象元素を含む汚染物質が分析部分に付着し
ていないと判定する。
ける再付着物の発生を無くして、清浄な被分析表面の形
成を図るとともに、分析によって表れたオージェピーク
数によって、被分析表面の汚染の影響を確実に判定す
る。 【構成】 フォーカスイオンビームを用いて、試料11に
底面12a を有する穴12を形成した後、穴12の側壁12b に
対する入射角度θを０°より大きくかつ２０°以下に設
定したアルゴンイオンをその側壁12b に照射して、側壁
12b に付着している汚染物質31を除去し、その後、側壁
12b をオージェ電子分光法で分析する。図示はしない
が、オージェ電子分光法で、分析対象元素のオージェピ
ークが二つ表れた場合には、少なくとも分析対象元素を
含む汚染物質が分析部分に付着していると判定し、分析
対象元素のオージェピークが一つ表れた場合には、少な
くとも分析対象元素を含む汚染物質が分析部分に付着し
ていないと判定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料の断面を分析する
試料の分析方法に関し、特には半導体装置の微小断面を
分析する試料の分析方法に関するものである。
試料の分析方法に関し、特には半導体装置の微小断面を
分析する試料の分析方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の解析では、特定な微小領域
を分析することが要求されている。例えば、オージェ電
子分光法は、空間分解能力に最も優れた分析方法であ
る。オージェ電子分光法によって試料の断面を分析する
には、当該試料をへき開することによって試料の被分析
断面を作り出していた。
を分析することが要求されている。例えば、オージェ電
子分光法は、空間分解能力に最も優れた分析方法であ
る。オージェ電子分光法によって試料の断面を分析する
には、当該試料をへき開することによって試料の被分析
断面を作り出していた。
【０００３】そして近年では、フィールドエミッション
型のオージェ電子分光装置が出現したことによって、１
５ｎｍ□程度の微小領域の分析が可能になっている。ま
た、半導体装置の解析では、層間に存在する微小異物を
分析することが要求されているため、サブミクロン程度
の精度で分析しようとする断面を形成する必要がある。
型のオージェ電子分光装置が出現したことによって、１
５ｎｍ□程度の微小領域の分析が可能になっている。ま
た、半導体装置の解析では、層間に存在する微小異物を
分析することが要求されているため、サブミクロン程度
の精度で分析しようとする断面を形成する必要がある。
【０００４】これに最も適した方法として、フォーカス
イオンビームを用いた加工が提案されている。すなわ
ち、フォーカスイオンビームによって、試料の所望の位
置に底面を有する穴を形成する。その際、フォーカスイ
オンビームで用いたガリウム（Ｇａ）が被分析断面に付
着する。また上記断面には、大気の吸着によって、炭素
（Ｃ），酸素（Ｏ）等による汚染が発生している。この
ため、オージェ電子分光法では、上記汚染を除去するこ
とが必要不可欠になっている。
イオンビームを用いた加工が提案されている。すなわ
ち、フォーカスイオンビームによって、試料の所望の位
置に底面を有する穴を形成する。その際、フォーカスイ
オンビームで用いたガリウム（Ｇａ）が被分析断面に付
着する。また上記断面には、大気の吸着によって、炭素
（Ｃ），酸素（Ｏ）等による汚染が発生している。この
ため、オージェ電子分光法では、上記汚染を除去するこ
とが必要不可欠になっている。
【０００５】この付着したガリウムやその他の汚染物質
を除去するために、アルゴンイオンを用いたスパッタク
リーニングが行われている。そのとき、被分析断面に対
するアルゴンイオンの入射角は３０°〜６０°に設定す
る。このようにして、試料の被分析断面を清浄化する。
その後、上記清浄化した断面をオージェ電子分光分析す
る。
を除去するために、アルゴンイオンを用いたスパッタク
リーニングが行われている。そのとき、被分析断面に対
するアルゴンイオンの入射角は３０°〜６０°に設定す
る。このようにして、試料の被分析断面を清浄化する。
その後、上記清浄化した断面をオージェ電子分光分析す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、試料を
へき開することによって、試料の被分析断面を作り出す
方法では、所望の位置に断面を形成することが難しい。
へき開することによって、試料の被分析断面を作り出す
方法では、所望の位置に断面を形成することが難しい。
【０００７】またフォーカスイオンビームを用いて試料
の被分析断面を形成した場合には、スパッタクリーニン
グを行うが、このとき、フォーカスイオンビームによっ
て断面加工される領域が１０μｍ□程度であるのに対し
て、スパッタクリーニングされる領域はｍｍオーダーの
領域になる。このため、穴の周辺部もスパッタリングさ
れるので、その際にスパッタされた物質が被分析断面に
付着する。特に、アルゴンイオンの入射角が３０°〜６
０°に設定されているので、穴の底部や穴の周辺部はス
パッタリングされやすい。したがって、穴の側壁はスパ
ッタされた物質が付着し易い。このような状態でオージ
ェ電子分光法によって分析を行った場合には、スパッタ
された物質も検出することになるので、正確な分析を行
うことができない。
の被分析断面を形成した場合には、スパッタクリーニン
グを行うが、このとき、フォーカスイオンビームによっ
て断面加工される領域が１０μｍ□程度であるのに対し
て、スパッタクリーニングされる領域はｍｍオーダーの
領域になる。このため、穴の周辺部もスパッタリングさ
れるので、その際にスパッタされた物質が被分析断面に
付着する。特に、アルゴンイオンの入射角が３０°〜６
０°に設定されているので、穴の底部や穴の周辺部はス
パッタリングされやすい。したがって、穴の側壁はスパ
ッタされた物質が付着し易い。このような状態でオージ
ェ電子分光法によって分析を行った場合には、スパッタ
された物質も検出することになるので、正確な分析を行
うことができない。
【０００８】例えば、酸化シリコン層に挟まれたアルミ
ニウム−シリコン合金層のシリコンを分析しようとする
と、酸化シリコン層もアルゴンイオンでスパッタリング
されるため、アルミニウム−シリコン合金層の分析点に
スパッタされたシリコンが付着する。このため、シリコ
ンのオージェピークがアルミニウム−シリコン合金層の
シリコンのものなのか付着したシリコンのものなのか判
別できない。図７のスパッタリングによる検出元素の割
合の変化図に示すように、スパッタリング深さが深くな
るにしたがって、シリコン（Ｓｉ）以外の元素〔例え
ば、ガリウム（Ｇａ），炭素（Ｃ），酸素（Ｏ）〕の割
合は低下しているが、シリコン（Ｓｉ）はほぼ一定して
いる。これは、シリコン（Ｓｉ）の除去量と付着量がほ
ぼ同量であるためである。したがって、アルゴンイオン
を用いたスパッタリングによってシリコン（Ｓｉ）がス
パッタされ、それが付着物となることがわかる。
ニウム−シリコン合金層のシリコンを分析しようとする
と、酸化シリコン層もアルゴンイオンでスパッタリング
されるため、アルミニウム−シリコン合金層の分析点に
スパッタされたシリコンが付着する。このため、シリコ
ンのオージェピークがアルミニウム−シリコン合金層の
シリコンのものなのか付着したシリコンのものなのか判
別できない。図７のスパッタリングによる検出元素の割
合の変化図に示すように、スパッタリング深さが深くな
るにしたがって、シリコン（Ｓｉ）以外の元素〔例え
ば、ガリウム（Ｇａ），炭素（Ｃ），酸素（Ｏ）〕の割
合は低下しているが、シリコン（Ｓｉ）はほぼ一定して
いる。これは、シリコン（Ｓｉ）の除去量と付着量がほ
ぼ同量であるためである。したがって、アルゴンイオン
を用いたスパッタリングによってシリコン（Ｓｉ）がス
パッタされ、それが付着物となることがわかる。
【０００９】本発明は、被分析表面のクリーニング時に
おける再付着物を無くして、清浄な被分析表面を形成す
るのに優れた試料の分析方法を提供する。および、分析
によって表れたオージェピーク数によって、被分析表面
の汚染の影響を確実に判定するのに優れた試料の分析方
法を提供することを目的とする。
おける再付着物を無くして、清浄な被分析表面を形成す
るのに優れた試料の分析方法を提供する。および、分析
によって表れたオージェピーク数によって、被分析表面
の汚染の影響を確実に判定するのに優れた試料の分析方
法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた試料の分析方法である。第１の方
法は、第１工程で、フォーカスイオンビームを用いて、
試料に底面を有する穴を形成する。次いで第２工程で、
穴の側壁に対する入射角度を０°より大きくかつ２０°
以下に設定したアルゴンイオンをその穴の側壁に照射す
ることによって、穴の側壁に付着した汚染物質を除去す
る。その後、第３工程で、穴の側壁を分析する。
成するためになされた試料の分析方法である。第１の方
法は、第１工程で、フォーカスイオンビームを用いて、
試料に底面を有する穴を形成する。次いで第２工程で、
穴の側壁に対する入射角度を０°より大きくかつ２０°
以下に設定したアルゴンイオンをその穴の側壁に照射す
ることによって、穴の側壁に付着した汚染物質を除去す
る。その後、第３工程で、穴の側壁を分析する。
【００１１】第２の方法は、試料に底面を有する穴を形
成した後、オージェ電子分光法によって、当該穴の側壁
を分析する試料の分析方法であって、分析対象とする元
素のオージェピークが顕著に二つ表れた場合には、少な
くとも分析対象とする元素を含む汚染物質が側壁に付着
していると判定し、分析対象とする元素のオージェピー
クが顕著に一つだけ表れた場合には、少なくとも分析対
象とする元素を含む汚染物質が側壁に付着していないと
判定する。
成した後、オージェ電子分光法によって、当該穴の側壁
を分析する試料の分析方法であって、分析対象とする元
素のオージェピークが顕著に二つ表れた場合には、少な
くとも分析対象とする元素を含む汚染物質が側壁に付着
していると判定し、分析対象とする元素のオージェピー
クが顕著に一つだけ表れた場合には、少なくとも分析対
象とする元素を含む汚染物質が側壁に付着していないと
判定する。
【００１２】
【作用】第１の方法では、穴の側壁に対する入射角度を
０°より大きくかつ２０°以下に設定したアルゴンイオ
ンをその穴の側壁に照射することによって、穴の側壁に
付着した汚染物質を除去することから、穴の底部または
穴の周辺部からのスパッタによるスパッタ物の再付着を
防げる。
０°より大きくかつ２０°以下に設定したアルゴンイオ
ンをその穴の側壁に照射することによって、穴の側壁に
付着した汚染物質を除去することから、穴の底部または
穴の周辺部からのスパッタによるスパッタ物の再付着を
防げる。
【００１３】第２の方法では、分析対象とする元素のオ
ージェピークが顕著に二つ表れた場合には、少なくとも
分析対象とする元素を含む汚染物質が側壁に付着してい
ると判定し、分析対象とする元素のオージェピークが顕
著に一つだけ表れた場合には、少なくとも分析対象とす
る元素を含む汚染物質が側壁に付着していないと判定す
ることから、被分析表面に汚染物質が付着しているか否
かの判定が容易かつ簡単になる。
ージェピークが顕著に二つ表れた場合には、少なくとも
分析対象とする元素を含む汚染物質が側壁に付着してい
ると判定し、分析対象とする元素のオージェピークが顕
著に一つだけ表れた場合には、少なくとも分析対象とす
る元素を含む汚染物質が側壁に付着していないと判定す
ることから、被分析表面に汚染物質が付着しているか否
かの判定が容易かつ簡単になる。
【００１４】
【実施例】第１の発明の実施例を図１によって説明す
る。
る。
【００１５】図１は分析方法の説明図であって、まず図
１の（１）に示すように、第１工程では「穴あけ」を行
う。すなわち、フォーカスイオンビームを用いて、試料
１１に底面１２ａを有する穴１２を形成する。上記穴１
２の形状は、例えば、矩形状に形成される。
１の（１）に示すように、第１工程では「穴あけ」を行
う。すなわち、フォーカスイオンビームを用いて、試料
１１に底面１２ａを有する穴１２を形成する。上記穴１
２の形状は、例えば、矩形状に形成される。
【００１６】次いで図１の（２）に示す第２工程では
「クリーニング」を行う。この工程では、上記穴１２の
側壁１２ｂに対する入射角度θを０°より大きくかつ２
０°以下に設定したアルゴンイオン２１を当該側壁１２
ｂに照射する。上記入射角度θは、再付着をできる限り
確実に防止するために、０．数°程度が望ましい。そし
て、上記側壁１２ｂに付着した汚染物質３１（斜線で示
す）、特には、フォーカスイオンビーム加工によって側
壁１２ｂに付着したガリウム（Ｇａ）を除去する。
「クリーニング」を行う。この工程では、上記穴１２の
側壁１２ｂに対する入射角度θを０°より大きくかつ２
０°以下に設定したアルゴンイオン２１を当該側壁１２
ｂに照射する。上記入射角度θは、再付着をできる限り
確実に防止するために、０．数°程度が望ましい。そし
て、上記側壁１２ｂに付着した汚染物質３１（斜線で示
す）、特には、フォーカスイオンビーム加工によって側
壁１２ｂに付着したガリウム（Ｇａ）を除去する。
【００１７】その後図１の（３）に示す第３工程では
「オージェ電子分光法で元素分析」を行う。この工程で
は、例えばオージェ電子分光法によって、上記側壁１２
ｂを分析する。
「オージェ電子分光法で元素分析」を行う。この工程で
は、例えばオージェ電子分光法によって、上記側壁１２
ｂを分析する。
【００１８】上記方法では、アルゴンイオンの入射角度
θを０°より大きくかつ２０°以下に設定したことによ
って、アルゴンイオンを穴１２の側壁１２ｂに照射した
場合、穴１２の側壁１２ｂに付着した汚染物質３１を除
去するとともに、穴１２の底面１２ａおよび穴１２の周
辺領域からのスパッタによるスパッタ物（図示せず）の
再付着は防げる。
θを０°より大きくかつ２０°以下に設定したことによ
って、アルゴンイオンを穴１２の側壁１２ｂに照射した
場合、穴１２の側壁１２ｂに付着した汚染物質３１を除
去するとともに、穴１２の底面１２ａおよび穴１２の周
辺領域からのスパッタによるスパッタ物（図示せず）の
再付着は防げる。
【００１９】次に第２の発明の実施例を以下に説明す
る。まず、分析する部分を図２によって説明する。な
お、図では上記図１と同様の構成部品には同一符号を付
して説明する。
る。まず、分析する部分を図２によって説明する。な
お、図では上記図１と同様の構成部品には同一符号を付
して説明する。
【００２０】図に示すように、フォーカスイオンビーム
加工によって、例えばシリコンデバイスからなる試料１
１に底面１２ａを有する穴１２を形成する。この試料１
１では、酸化シリコン層１３上にアルミニウム系合金層
１４が形成され、その上面に酸化シリコン層１５が形成
されている。したがって、穴１２の側面１２ｂには、酸
化シリコン層１３の断面とアルミニウム系合金層１４の
断面と酸化シリコン層１５の断面とが露出する。
加工によって、例えばシリコンデバイスからなる試料１
１に底面１２ａを有する穴１２を形成する。この試料１
１では、酸化シリコン層１３上にアルミニウム系合金層
１４が形成され、その上面に酸化シリコン層１５が形成
されている。したがって、穴１２の側面１２ｂには、酸
化シリコン層１３の断面とアルミニウム系合金層１４の
断面と酸化シリコン層１５の断面とが露出する。
【００２１】その後オージェ電子分光法によって、当該
穴１２の側壁１２ｂを分析する。
穴１２の側壁１２ｂを分析する。
【００２２】上記のようなシリコンデバイスをオージェ
分光法で分析した場合に、再付着する確率が最も高い元
素はシリコン（Ｓｉ）になる。このシリコンのオージェ
ピークは、９２ｅＶのＳｉ−ＬＶＶと１６１９ｅＶのＳ
ｉ−ＫＬＬの二つがある。そして、電子の非弾性平均自
由行程と電子のエネルギーとの関係を図３に示す。図に
示すように、９２ｅＶのときの電子の非弾性平均自由行
程は０．３ｎｍ程度である。したがって、電子の脱出深
さもほぼ０．３ｎｍになる。また、１６１９ｅＶのとき
の電子の非弾性平均自由行程は３ｎｍ程度である。した
がって、電子の脱出深さは３ｎｍ程度になることが知ら
れている。〔実用オージェ電子分光法（１９８９）志
水，他編（共立出版）ｐ．３０を参照〕
分光法で分析した場合に、再付着する確率が最も高い元
素はシリコン（Ｓｉ）になる。このシリコンのオージェ
ピークは、９２ｅＶのＳｉ−ＬＶＶと１６１９ｅＶのＳ
ｉ−ＫＬＬの二つがある。そして、電子の非弾性平均自
由行程と電子のエネルギーとの関係を図３に示す。図に
示すように、９２ｅＶのときの電子の非弾性平均自由行
程は０．３ｎｍ程度である。したがって、電子の脱出深
さもほぼ０．３ｎｍになる。また、１６１９ｅＶのとき
の電子の非弾性平均自由行程は３ｎｍ程度である。した
がって、電子の脱出深さは３ｎｍ程度になることが知ら
れている。〔実用オージェ電子分光法（１９８９）志
水，他編（共立出版）ｐ．３０を参照〕
【００２３】また、分析しようとする側壁１２ｂでは、
その面がエッチングされる現象と、穴１２の周辺領域４
１をスパッタして発生したスパッタ物が再付着する現象
とが同時に起こっている。このときに形成される再付着
層は非常に薄いものになっている。一方、分析対象とし
ている側壁１２ｂの部分は、フォーカスイオンビームに
よって加工された面であるから、分析しようとする部分
にシリコンが存在しているならば、その厚さは数１００
ｎｍ程度またはそれ以上になっている。
その面がエッチングされる現象と、穴１２の周辺領域４
１をスパッタして発生したスパッタ物が再付着する現象
とが同時に起こっている。このときに形成される再付着
層は非常に薄いものになっている。一方、分析対象とし
ている側壁１２ｂの部分は、フォーカスイオンビームに
よって加工された面であるから、分析しようとする部分
にシリコンが存在しているならば、その厚さは数１００
ｎｍ程度またはそれ以上になっている。
【００２４】したがって、図４に示すように、分析対象
とする元素（シリコン）のオージェピーク、すなわち、
Ｓｉ−ＬＶＶのオージェピーク６１とＳｉ−ＫＬＬのオ
ージェピーク６２とが顕著に検出された場合には、分析
対象とする元素（シリコン）と同様の元素（シリコン）
を含む汚染物質が上記側壁（１２ｂ）に付着していると
判定する。なお、上記顕著に検出された場合とは、オー
ジェピークとノイズとを容易に判別することができる場
合を言う。
とする元素（シリコン）のオージェピーク、すなわち、
Ｓｉ−ＬＶＶのオージェピーク６１とＳｉ−ＫＬＬのオ
ージェピーク６２とが顕著に検出された場合には、分析
対象とする元素（シリコン）と同様の元素（シリコン）
を含む汚染物質が上記側壁（１２ｂ）に付着していると
判定する。なお、上記顕著に検出された場合とは、オー
ジェピークとノイズとを容易に判別することができる場
合を言う。
【００２５】一方図５に示すように、分析対象とする元
素（シリコン）のオージェピーク、すなわち、Ｓｉ−Ｌ
ＶＶのオージェピーク７１が一つだけしか表れなかった
場合には、上記側壁（１２ｂ）に分析対象とする元素
（シリコン）と同様の元素（シリコン）を含む汚染物質
が付着していないと判定する。
素（シリコン）のオージェピーク、すなわち、Ｓｉ−Ｌ
ＶＶのオージェピーク７１が一つだけしか表れなかった
場合には、上記側壁（１２ｂ）に分析対象とする元素
（シリコン）と同様の元素（シリコン）を含む汚染物質
が付着していないと判定する。
【００２６】このようにして、出現したオージェピーク
が分析した側壁の内部に含まれている元素なのか、また
は汚染物質に含まれている元素なのかを判定することが
可能になる。
が分析した側壁の内部に含まれている元素なのか、また
は汚染物質に含まれている元素なのかを判定することが
可能になる。
【００２７】ただし、上記方法において、入射電子のエ
ネルギーを１０ｋＶ以上にして分析を行うと、後方散乱
電子の影響を受けて、分析点以外が二次的に励起され
る。このため、外乱因子となるオージェピークが出現す
るので、汚染物質が付着しているのか否かを正確に分析
することができない。例えば図６に示すように、加速電
圧１０ｋＶで分析を行った場合には、Ｓｉ−ＬＶＶのオ
ージェピーク８１の他にＳｉ−ＫＬＬのオージェピーク
８２が出現する。すなわち、試料の最表面に存在するシ
リコン酸化膜層（図示せず）もしくはシリコン基板（図
示せず）からの信号が表れている。したがって、入射電
子のエネルギーは、５ｋＶ程度に抑えることが好まし
い。
ネルギーを１０ｋＶ以上にして分析を行うと、後方散乱
電子の影響を受けて、分析点以外が二次的に励起され
る。このため、外乱因子となるオージェピークが出現す
るので、汚染物質が付着しているのか否かを正確に分析
することができない。例えば図６に示すように、加速電
圧１０ｋＶで分析を行った場合には、Ｓｉ−ＬＶＶのオ
ージェピーク８１の他にＳｉ−ＫＬＬのオージェピーク
８２が出現する。すなわち、試料の最表面に存在するシ
リコン酸化膜層（図示せず）もしくはシリコン基板（図
示せず）からの信号が表れている。したがって、入射電
子のエネルギーは、５ｋＶ程度に抑えることが好まし
い。
【００２８】また上記第２の発明の方法は、シリコン以
外の元素についても同様のことが言える。例えば、ＬＶ
ＶとＫＬＬの組合せでは、マグネシウム（Ｍｇ）および
アルミニウム（Ａｌ）を判定できる。またＭＮＮとＬＭ
Ｍの組合せでは、イットリウム（Ｙ），ジルコニウム
（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ）およびモリブデン（Ｍｏ）を
判定できる。さらにＮＶＶとＭＮＮの組合せでは、ガド
リニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウ
ム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ），エルビウム（Ｅ
ｒ），ツリウム（Ｔｍ），イッテルビウム（Ｙｂ），ル
テチウム（Ｌｕ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔ
ａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）および金（Ａ
ｕ）を判定できる。
外の元素についても同様のことが言える。例えば、ＬＶ
ＶとＫＬＬの組合せでは、マグネシウム（Ｍｇ）および
アルミニウム（Ａｌ）を判定できる。またＭＮＮとＬＭ
Ｍの組合せでは、イットリウム（Ｙ），ジルコニウム
（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ）およびモリブデン（Ｍｏ）を
判定できる。さらにＮＶＶとＭＮＮの組合せでは、ガド
リニウム（Ｇｄ），テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウ
ム（Ｄｙ），ホルミウム（Ｈｏ），エルビウム（Ｅ
ｒ），ツリウム（Ｔｍ），イッテルビウム（Ｙｂ），ル
テチウム（Ｌｕ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔ
ａ），タングステン（Ｗ），白金（Ｐｔ）および金（Ａ
ｕ）を判定できる。
【００２９】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１記載の
発明によれば、穴の側壁に対する入射角度を０°より大
きくかつ２０°以下に設定したアルゴンイオンをその穴
の側壁に照射することによって、穴の側壁に付着した汚
染物質を除去するので、穴の底面または穴の周辺部から
のスパッタ物が少なくなる。この結果、被分析断面にス
パッタ物が再付着しなくなるで、分析の精度の向上を図
ることができる。
発明によれば、穴の側壁に対する入射角度を０°より大
きくかつ２０°以下に設定したアルゴンイオンをその穴
の側壁に照射することによって、穴の側壁に付着した汚
染物質を除去するので、穴の底面または穴の周辺部から
のスパッタ物が少なくなる。この結果、被分析断面にス
パッタ物が再付着しなくなるで、分析の精度の向上を図
ることができる。
【００３０】請求項２記載の発明によれば、分析対象と
する元素のオージェピークが二つ表れた場合には、側壁
に分析対象とする元素を含む汚染物質が付着していると
判定し、分析対象とする元素のオージェピークが一つだ
け表れた場合には、側壁に分析対象とする元素を含む汚
染物質が付着していないと判定することから、被分析表
面に分析対象とする元素を含む汚染物質が付着している
か否かの判定が容易かつ簡単にできる。
する元素のオージェピークが二つ表れた場合には、側壁
に分析対象とする元素を含む汚染物質が付着していると
判定し、分析対象とする元素のオージェピークが一つだ
け表れた場合には、側壁に分析対象とする元素を含む汚
染物質が付着していないと判定することから、被分析表
面に分析対象とする元素を含む汚染物質が付着している
か否かの判定が容易かつ簡単にできる。
【図１】第１の発明の実施例に関する分析方法の説明図
である。
である。
【図２】第２の発明の実施例に関する分析部分の説明図
である。
である。
【図３】電子の非弾性平均自由行程と電子のエネルギー
との関係図である。
との関係図である。
【図４】オージェ電子分光分析の結果の説明図である。
【図５】オージェ電子分光分析の結果の説明図である。
【図６】加速電圧を過剰印加した場合の説明図である。
【図７】スパッタリング深さによる検出元素の割合の変
化図である。
化図である。
１１ 試料 １２ 穴 １２ａ 底面 １２ｂ 側壁 ３１ 汚染物質 ６１ オージェピーク ６２ オージェピーク ７１ オージェピーク θ 入射角度
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年２月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】そして近年では、フィールドエミッション
型のオージェ電子分光装置が出現したことによって、１
５ｎｍφ程度の微小領域の分析が可能になっている。ま
た、半導体装置の解析では、層間に存在する微小異物を
分析することが要求されているため、サブミクロン程度
の精度で分析しようとする断面を形成する必要がある。
型のオージェ電子分光装置が出現したことによって、１
５ｎｍφ程度の微小領域の分析が可能になっている。ま
た、半導体装置の解析では、層間に存在する微小異物を
分析することが要求されているため、サブミクロン程度
の精度で分析しようとする断面を形成する必要がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１記載の
発明によれば、穴の側壁に対する入射角度を０゜より大
きくかつ２０°以下に設定したアルゴンイオンをその穴
の側壁に照射することによって、穴の側壁に付着した汚
染物質を除去するので、穴の底面または穴の周辺部から
のスパッタ物が少なくなる。この結果、被分析断面にス
パッタ物が再付着しなくなるので、分析の精度の向上を
図ることができる。
発明によれば、穴の側壁に対する入射角度を０゜より大
きくかつ２０°以下に設定したアルゴンイオンをその穴
の側壁に照射することによって、穴の側壁に付着した汚
染物質を除去するので、穴の底面または穴の周辺部から
のスパッタ物が少なくなる。この結果、被分析断面にス
パッタ物が再付着しなくなるので、分析の精度の向上を
図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (2)
- 【請求項１】 フォーカスイオンビームを用いて、試料
に底面を有する穴を形成する第１工程と、 前記穴の側壁に対する入射角度を０°より大きくかつ２
０°以下に設定したアルゴンイオンを当該穴の側壁に照
射することによって、当該穴の側壁に付着した汚染物質
を除去する第２工程と、 その後、前記穴の側壁を分析する第３工程とからなるこ
とを特徴とする試料の分析方法。 - 【請求項２】 試料に底面を有する穴を形成した後、オ
ージェ電子分光法によって、当該穴の側壁を分析する試
料の分析方法において、 分析対象とする元素のオージェピークが顕著に二つ表れ
た場合には、少なくとも分析対象とする元素を含む汚染
物質が前記側壁に付着していると判定し、分析対象とす
る元素のオージェピークが顕著に一つだけ表れた場合に
は、少なくとも分析対象とする元素を含む汚染物質が前
記側壁に付着していないと判定することを特徴とする試
料の分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5343013A JPH07167807A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 試料の分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5343013A JPH07167807A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 試料の分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07167807A true JPH07167807A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18358268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5343013A Pending JPH07167807A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 試料の分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07167807A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101009939B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2011-01-21 | 포항공과대학교 산학협력단 | 전자에너지 손실 분광법에서 발생하는 탄소오염 제거방법 |
| JP2017150840A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法および確認方法 |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP5343013A patent/JPH07167807A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101009939B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2011-01-21 | 포항공과대학교 산학협력단 | 전자에너지 손실 분광법에서 발생하는 탄소오염 제거방법 |
| JP2017150840A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 透過型電子顕微鏡用試料の作製方法および確認方法 |
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