JPH07161897A - Lead frame and semiconductor with it - Google Patents
Lead frame and semiconductor with itInfo
- Publication number
- JPH07161897A JPH07161897A JP5304936A JP30493693A JPH07161897A JP H07161897 A JPH07161897 A JP H07161897A JP 5304936 A JP5304936 A JP 5304936A JP 30493693 A JP30493693 A JP 30493693A JP H07161897 A JPH07161897 A JP H07161897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- lead frame
- leads
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
それを用いた半導体装置に関し、特に、ダムバーレスリ
ードフレームの樹脂モールド時にリードフレームのリー
ド間からの樹脂流出の防止技術に適用して有効な技術に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame and a semiconductor device using the same, and is particularly effective when applied to a technique for preventing resin leakage from between the leads of the lead frame during resin molding of the dam barless lead frame. It is about technology.
【０００２】[0002]
【従来の技術】樹脂モールド形パッケージは、小型、軽
量のパッケージを低コストで実現できるため、現在で
は、リードピッチが0.５ｍｍ程度、ピン数３０４ピン程
度までの多ピン化ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃ
ｋａｇｅ）形半導体装置などが実現しており、さらに、
リードピッチ0.４ｍｍ〜0.３ｍｍ，４００ピンクラスの
半導体装置が開発されようとしている。2. Description of the Related Art A resin mold type package can realize a small and lightweight package at low cost. Therefore, at present, a multi-pin QFP (Quad Flat Pac) with a lead pitch of about 0.5 mm and a pin count of about 304 pins is available.
Kage) type semiconductor devices have been realized.
A 400-pin class semiconductor device with a lead pitch of 0.4 mm to 0.3 mm is about to be developed.
【０００３】本発明者が検討したところでは、図６に示
すように、樹脂モールド形パッケージからなるＱＦＰ形
半導体装置のリードフレーム３０は、複数のリード３１
で構成され、個々のリード間には、樹脂をせき止めるた
めのダムバー３２がリード３１の幅方向に連結されてい
る。According to a study made by the present inventor, as shown in FIG. 6, a lead frame 30 of a QFP type semiconductor device made of a resin mold type package has a plurality of leads 31.
The dam bar 32 for damming the resin is connected between the individual leads in the width direction of the leads 31.
【０００４】また、リードフレーム３０の中央部には、
半導体チップ（図示せず）を搭載するためのタブ３３が
設けられており、このタブ３３はタブ吊りリード３３ａ
によって固定されている。そして、それらのパターンが
数個以上連結された金属製のリボン構造となっている。Further, in the central portion of the lead frame 30,
A tab 33 for mounting a semiconductor chip (not shown) is provided, and the tab 33 is a tab suspension lead 33a.
Is fixed by. Then, a metallic ribbon structure in which several or more of these patterns are connected is formed.
【０００５】樹脂モールド工程では、タブ３３に半導体
チップが搭載され、当該半導体チップの電極と個々のリ
ード３１にワイヤボンディングされたリードフレーム３
０とを所望のパッケージ形状が刻設された上下一対の金
型間に挟持させ、キャビティ中央部に位置する半導体チ
ップを加圧充填される樹脂によって包み込むようにモー
ルドを行っている。In the resin molding process, the semiconductor chip is mounted on the tab 33, and the lead frame 3 is wire-bonded to the electrodes of the semiconductor chip and the individual leads 31.
0 is sandwiched between a pair of upper and lower molds in which a desired package shape is engraved, and molding is performed so as to wrap the semiconductor chip located in the center of the cavity with the resin to be pressure-filled.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来技術のリードフレームであると、ダムバーを切断
除去しなければならない。そのため、ダムバーを除去す
る技術として、リード間隔に対応した櫛歯状の切断金型
により当該リード間のダムバーを一括して切断除去して
いるが、多ピン化によるリードの狭ピッチ化に伴い、ダ
ムバー切断には、切断金型の製作技術や切断金型の位置
合わせなどの高精度の切断技術が要求され、その対応が
困難となってきている。However, in the case of the above-mentioned conventional lead frame, the dam bar must be cut and removed. Therefore, as a technique for removing the dam bar, the dam bar between the leads is collectively cut and removed by a comb tooth-shaped cutting die corresponding to the lead interval, but with the narrowing of the lead pitch due to the increase in the number of pins, The dam bar cutting requires high-precision cutting technology such as manufacturing technology of cutting dies and positioning of the cutting dies, and it is becoming difficult to deal with it.
【０００７】また、ダムバー切断時に切断バリが発生し
たり、ダムバーに当接する切断金型の歯の先端部が磨耗
してしまうと、切断金型それ自体を交換しなければなら
ず、切断金型のメンテナンスも必要となり、それらに伴
う工数およびコストが増加してしまう。Further, when cutting burrs are generated during cutting of the dam bar, or when the tips of the teeth of the cutting mold that come into contact with the dam bar are worn, the cutting mold itself must be replaced, and the cutting mold itself must be replaced. Maintenance is also required, which increases man-hours and costs associated therewith.
【０００８】さらに、この多ピン化リードのダムバーの
切断は、リードの変形が生じやすいという問題点もあ
る。Further, cutting the dam bar of the multi-pin lead leads to a problem that the lead is apt to be deformed.
【０００９】本発明の目的は、ダムバーを用いることな
く、モールド樹脂材料の流出を確実に防止することので
きるリードフレームおよびそれを用いた半導体装置を提
供することにある。An object of the present invention is to provide a lead frame and a semiconductor device using the same which can surely prevent the mold resin material from flowing out without using a dam bar.
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.
【００１２】すなわち、請求項１記載の発明は、樹脂モ
ールド用のリードフレームであって、リードフレームの
少なくともモールド金型でクランプされる部分のリード
間隔寸法が、モールド樹脂材料に含有されているフィラ
ーの平均径よりも小さくするものである。That is, the invention according to claim 1 is a lead frame for resin molding, wherein a lead interval dimension of at least a portion of the lead frame clamped by a molding die is contained in a molding resin material. Is smaller than the average diameter of.
【００１３】また、請求項２記載の発明は、リードフレ
ームの少なくともモールド金型でクランプされる部分の
リード厚さ寸法が、モールド樹脂材料に含有されている
フィラーの平均径よりも小さくするものである。Further, according to the second aspect of the invention, the lead thickness dimension of at least the portion of the lead frame clamped by the molding die is smaller than the average diameter of the filler contained in the molding resin material. is there.
【００１４】さらに、請求項３記載の発明は、リードフ
レームのモールド金型でクランプされる部分よりも内側
のリードの幅方向に、絶縁性の連結部材が設けられたも
のである。Further, according to the third aspect of the present invention, an insulating coupling member is provided in the width direction of the lead inside the portion of the lead frame clamped by the molding die.
【００１５】また、請求項４記載の発明は、請求項１，
２または３記載のリードフレームを用いて構成されたも
のである。Further, the invention according to claim 4 is based on claim 1,
The lead frame described in 2 or 3 is used.
【００１６】[0016]
【作用】上記のような構成のリードフレームおよびそれ
を用いた半導体装置によれば、ダムバーが無くても樹脂
モールド時におけるモールド樹脂材料の流出を防止する
ことができる。According to the lead frame having the above structure and the semiconductor device using the same, it is possible to prevent the molding resin material from flowing out during resin molding without the dam bar.
【００１７】それにより、ダムバーを切断するための切
断金型が不要となり、切断金型の製作やメンテナンスが
不要となり、それに伴う工数およびコストも不要とな
る。This eliminates the need for a cutting die for cutting the dam bar, eliminating the need for manufacturing and maintaining the cutting die, and the man-hours and costs associated therewith.
【００１８】また、さらに狭ピッチのリードを用いる半
導体装置にも対応ができるようになる。Further, it becomes possible to cope with a semiconductor device using leads with a narrower pitch.
【００１９】[0019]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【００２０】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
よるＱＦＰ形半導体装置のリードフレームの要部平面
図、図２は、本発明の実施例１によるモールド金型にク
ランプされているＱＦＰ形半導体装置のリードフレーム
の要部断面図、図３は、本発明の実施例１による樹脂モ
ールド後のＱＦＰ形半導体装置の要部断面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view of a main portion of a lead frame of a QFP type semiconductor device according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is clamped in a molding die according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of the main part of the lead frame of the QFP type semiconductor device, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the main part of the QFP type semiconductor device after resin molding according to the first embodiment of the present invention.
【００２１】本実施例１において、樹脂モールド用のダ
ムバーレスのリードフレーム１は、リードフレーム１の
中央部に位置するタブ２と、そのタブ２を固定するため
のタブ吊りリード２ａと、複数のリード３よりなり、そ
れらのパターンが数個以上連結された金属製のリボン構
造となっている。In the first embodiment, the dam-barless lead frame 1 for resin molding has a tab 2 located at the center of the lead frame 1, a tab suspension lead 2a for fixing the tab 2, and a plurality of leads. 3 has a ribbon structure made of metal in which several patterns are connected.
【００２２】また、樹脂モールドの外縁部分となるモー
ルドライン部ＭＬに成形されたリード３の樹脂流出防止
リード３ａは、リード間隔寸法Ｓが他のリード３よりも
狭められており、３０μｍ程度のリード間隔となってい
る。Further, the resin outflow prevention lead 3a of the lead 3 formed in the mold line portion ML which is the outer edge portion of the resin mold has a lead interval dimension S narrower than the other leads 3 and is about 30 μm. It has become an interval.
【００２３】さらに、樹脂流出防止リード３ａよりも内
側には、リード３の変形を防止するための、たとえば、
ポリイミドテープ４がリード３の幅方向に接着されてい
る。Further, inside the resin outflow prevention lead 3a, for preventing deformation of the lead 3, for example,
The polyimide tape 4 is adhered in the width direction of the leads 3.
【００２４】次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.
【００２５】樹脂モールドを行うために、図２に示すよ
うに、リードフレーム１の樹脂流出防止リード３ａ部分
が、所望のパッケージ形状が刻設されたモールド金型５
によりクランプされる。In order to perform resin molding, as shown in FIG. 2, the resin outflow prevention lead 3a portion of the lead frame 1 is provided with a molding die 5 in which a desired package shape is engraved.
Clamped by.
【００２６】そして、樹脂モールドが加圧充填されるこ
とによってモールドされるが、この樹脂モールド材料に
は、一般にフィラーが混入されている。このフィラー
は、パッケージの熱膨張係数や機械的強度を調整するた
めのもので、シリカ（ＳｉＯ2)からなっており、フィラ
ーの平均径は５０μｍ程度である。The resin mold is molded by pressure filling, and a filler is generally mixed in this resin mold material. This filler is for adjusting the thermal expansion coefficient and mechanical strength of the package, is made of silica (SiO 2 ), and has an average diameter of about 50 μm.
【００２７】次に、クランプされたリード３とモールド
金型５との隙間は、モールド金型５が樹脂流出防止リー
ド３ａを押さえつけているために、樹脂流出防止リード
３ａのリード間隔寸法Ｓ、すなわち、３０μｍ程度の隙
間となり、フィラーの平均径である５０μｍ程度よりも
小さい隙間となる。Next, the gap between the clamped lead 3 and the molding die 5 is because the molding die 5 presses the resin outflow prevention lead 3a, so that the lead interval dimension S of the resin outflow prevention lead 3a, that is, , About 30 μm, which is smaller than about 50 μm, which is the average diameter of the filler.
【００２８】よって、樹脂モールドが充填されるとフィ
ラーが樹脂流出防止リード３ａ間の隙間に詰まり、モー
ルド樹脂材料の流出が防止されることになる。Therefore, when the resin mold is filled, the filler is clogged in the gap between the resin outflow prevention leads 3a, and the outflow of the mold resin material is prevented.
【００２９】そして、図３に示すように、半導体チップ
６がタブ２上に搭載され、ワイヤ７によってボンディン
グされ、樹脂モールドされることによりパッケージ８が
成形された半導体装置９は、リード３を金型プレスなど
によって切断し、リード３が所定の形状に成形されるこ
とになる。Then, as shown in FIG. 3, the semiconductor chip 9 is mounted on the tab 2, bonded by the wire 7, and molded by resin to form the package 8. In the semiconductor device 9, the lead 3 is gold. The lead 3 is cut into pieces by a die press or the like to be molded into a predetermined shape.
【００３０】また、樹脂モールド時に、樹脂流出防止リ
ード３ａ間やモールド金型５間から、フィラー成分をほ
とんど含まない樹脂バリ（フラッシュレジンバリ）が漏
出する場合があるが、高圧水などを樹脂バリに噴射さ
せ、その衝撃力で樹脂バリを剥離させる液体ホーニング
によって完全に除去することができる。Further, at the time of resin molding, a resin burr (flash resin burr) containing almost no filler component may leak from between the resin outflow prevention leads 3a and between the molding dies 5. Can be completely removed by liquid honing in which the resin burr is peeled off by the impact force.
【００３１】それによって、本実施例１では、リードフ
レーム１にダムバーが不要となり、狭ピッチのリードを
用いる半導体装置にも対応ができるようになる。As a result, in the first embodiment, the dam bar is not required in the lead frame 1, and the semiconductor device using the narrow pitch leads can be applied.
【００３２】また、ダムバーを切断するための切断金型
が不要となり、切断金型の製作やメンテナンスが不要と
なり、それに伴う工数およびコストも不要となる。Further, a cutting die for cutting the dam bar is not required, and manufacturing and maintenance of the cutting die are not required, and man-hours and costs associated therewith are also unnecessary.
【００３３】（実施例２）図４は、本発明の実施例２に
よるＱＦＰ形半導体装置のリードフレームの要部平面
図、図５は、本発明の実施例２によるモールド金型にク
ランプされているＱＦＰ形半導体装置のリードフレーム
の要部断面図である。(Embodiment 2) FIG. 4 is a plan view of a main portion of a lead frame of a QFP type semiconductor device according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 5 is clamped in a molding die according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of a lead frame of a QFP type semiconductor device in which it is present.
【００３４】本実施例２においては、樹脂モールド用の
ダムバーレスのリードフレーム１の樹脂モールドの外縁
部分となるモールドラインＭＬに成形された樹脂流出防
止リード３ｂは、リード厚さ寸法ｄが他の部分のリード
３よりも薄肉化されており、３０μｍ程度の厚さとなっ
ている。In the second embodiment, the resin outflow prevention lead 3b formed in the mold line ML which is the outer edge portion of the resin mold of the lead frame 1 without dam bar for resin molding has the lead thickness dimension d at other portions. The lead 3 is thinner than the lead 3 and has a thickness of about 30 μm.
【００３５】さらに、樹脂流出防止リード３ｂよりも内
側には、リード３の変形を防止するための、たとえば、
ポリイミドテープ４がリード３の幅方向に接着されてい
る。Further, inside the resin outflow prevention lead 3b, for preventing deformation of the lead 3, for example,
The polyimide tape 4 is adhered in the width direction of the leads 3.
【００３６】モールド金型５によりリード３の樹脂流出
防止リード３ｂ部分がクランプされ、樹脂モールドが加
圧充填されることによってモールドされるが、樹脂流出
防止リード３ｂ部分がモールド金型５によってクランプ
されており、その部分の隙間は、３０μｍ程度となりフ
ィラーの平均径の５０μｍ程度よりも狭いために、樹脂
モールドが充填されるとフィラーが樹脂流出防止リード
３ｂ間に詰まり、モールド樹脂材料の流出が防止され
る。The resin outflow prevention lead 3b portion of the lead 3 is clamped by the molding die 5 and is molded by pressure filling the resin mold, but the resin outflow prevention lead 3b portion is clamped by the molding die 5. Since the gap in that portion is about 30 μm, which is narrower than about 50 μm of the average diameter of the filler, when the resin mold is filled, the filler is clogged between the resin outflow prevention leads 3b and the outflow of the mold resin material is prevented. To be done.
【００３７】また、樹脂モールド時に樹脂流出防止リー
ド３ａ間やモールド金型５間から、フィラー成分をほと
んど含まない樹脂バリが漏出する場合があるが、前記実
施例１と同様に液体ホーニングによって完全に除去する
ことができる。In addition, resin burrs containing almost no filler component may leak from between the resin outflow prevention leads 3a and between the molding dies 5 during resin molding. Can be removed.
【００３８】それによって、本実施例２でも、リードフ
レーム１にダムバーが不要となり、狭ピッチのリードを
用いる半導体装置にも対応ができるようになる。As a result, also in the second embodiment, the dam bar is not required in the lead frame 1 and the semiconductor device using the narrow pitch leads can be applied.
【００３９】また、ダムバーを切断するための切断金型
が不要となり、切断金型の製作やメンテナンスが不要と
なり、それに伴う工数およびコストも不要となる。Further, a cutting die for cutting the dam bar is not required, and manufacturing and maintenance of the cutting die are not required, and man-hours and costs associated therewith are also unnecessary.
【００４０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【００４１】前記実施例１，２では、モールド金型５に
クランプされるモールドライン部ＭＬの樹脂流出リード
３ａ部のリード間隔またはリード厚さだけ変更されてい
るが、リード３全体やパッケージから突出しているモー
ルドライン部ＭＬから外側の部分またはパッケージ内の
モールドライン部ＭＬから内側の部分のリード間隔また
はリード厚さを３０μｍ程度にしても効果は同様であ
る。In the first and second embodiments, the lead interval or the lead thickness of the resin outflow lead 3a portion of the mold line portion ML clamped by the molding die 5 is changed, but the lead 3 is protruded from the whole lead 3 or the package. The same effect can be obtained even if the lead interval or lead thickness of the outer portion of the mold line portion ML or the inner portion of the mold line portion ML in the package is about 30 μm.
【００４２】[0042]
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【００４３】（１）本発明によれば、ダムバーをリード
フレームに設けることなく、樹脂モールドの流出を防止
することができ、パッケージ成形後にダムバーを切断す
る工程が不要となり、製造工程の簡略化が実現できる。(1) According to the present invention, the resin mold can be prevented from flowing out without providing the dam bar on the lead frame, and the step of cutting the dam bar after the molding of the package is unnecessary and the manufacturing process can be simplified. realizable.
【００４４】（２）また、本発明においては、上記
（１）により、ダムバーを切断するための切断金型の製
作やメンテナンスが不要となり、作業工数およびコスト
を低減することができ、半導体装置の生産効率が向上す
る。(2) Further, in the present invention, according to the above (1), it is not necessary to manufacture or maintain a cutting die for cutting the dam bar, and it is possible to reduce the number of working steps and costs, and Production efficiency is improved.
【００４５】（３）さらに、本発明では、ダムバーによ
る制約を受けないために、さらに狭ピッチのリード間隔
の半導体装置のパッケージについても対応ができる。(3) Further, according to the present invention, since there is no restriction due to the dam bar, it is possible to deal with a package of a semiconductor device having a lead pitch of a narrower pitch.
【図１】本発明の実施例１によるＱＦＰ形半導体装置の
リードフレームの要部平面図である。FIG. 1 is a plan view of a main part of a lead frame of a QFP type semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例１によるモールド金型にクラン
プされているＱＦＰ形半導体装置のリードフレームの要
部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of a lead frame of a QFP type semiconductor device clamped in a molding die according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例１による樹脂モールド後のＱＦ
Ｐ形半導体装置の要部断面図である。FIG. 3 is a QF after resin molding according to the first embodiment of the present invention.
It is a principal part sectional drawing of a P-type semiconductor device.
【図４】本発明の実施例２によるＱＦＰ形半導体装置の
リードフレームの要部平面図である。FIG. 4 is a plan view of a main part of a lead frame of a QFP type semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例２によるモールド金型にクラン
プされているＱＦＰ形半導体装置のリードフレームの要
部断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of essential parts of a lead frame of a QFP type semiconductor device clamped in a molding die according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明者によって検討されたＱＦＰ形半導体装
置のリードフレームの要部平面図である。FIG. 6 is a plan view of a main part of a lead frame of a QFP type semiconductor device examined by the present inventor.
１ リードフレーム ２ タブ ２ａ タブ吊りリード ３ リード ３ａ 樹脂流出防止リード ３ｂ 樹脂流出防止リード ４ ポリイミドテープ ５ モールド金型 ６ 半導体チップ ７ ワイヤ ８ パッケージ ９ 半導体装置 ＭＬ モールドライン部 Ｓ リード間隔寸法 ｄ リード厚さ寸法 ３０ リードフレーム ３１ リード ３２ ダムバー ３３ タブ ３３ａ タブ吊りリード 1 Lead Frame 2 Tab 2a Tab Hanging Lead 3 Lead 3a Resin Outflow Prevention Lead 3b Resin Outflow Prevention Lead 4 Polyimide Tape 5 Mold Die 6 Semiconductor Chip 7 Wire 8 Package 9 Semiconductor Device ML Mold Line S Lead Spacing Dimension d Lead Thickness Dimension 30 Lead frame 31 Lead 32 Dam bar 33 Tab 33a Tab suspension lead
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 23/31
Claims (4)
体装置に用いられるリードフレームであって、前記リー
ドフレームの少なくともモールド金型でクランプされる
部分のリード間隔寸法が、モールド樹脂材料に含有され
ているフィラーの平均径よりも小さいことを特徴とする
リードフレーム。1. A filler used in a semiconductor device comprising a resin-molded package, wherein a lead interval dimension of at least a portion of the lead frame clamped by a molding die is contained in a molding resin material. Lead frame characterized by being smaller than the average diameter of.
ド金型でクランプされる部分のリード厚さ寸法が、モー
ルド樹脂材料に含有されているフィラーの平均径よりも
小さいことを特徴とする請求項１記載のリードフレー
ム。2. The lead thickness dimension of at least a portion of the lead frame clamped by the molding die is smaller than the average diameter of the filler contained in the molding resin material. Lead frame.
ランプされる部分よりも内側のリードの幅方向に、絶縁
性の連結部材が設けられことを特徴とする請求項１また
は２記載のリードフレーム。3. The lead frame according to claim 1, wherein an insulating coupling member is provided in the width direction of the lead inside the portion of the lead frame clamped by the molding die.
ームを用いて構成されたことを特徴とする半導体装置。4. A semiconductor device comprising the lead frame according to claim 1, 2, or 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5304936A JPH07161897A (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Lead frame and semiconductor with it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5304936A JPH07161897A (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Lead frame and semiconductor with it |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161897A true JPH07161897A (en) | 1995-06-23 |
Family
ID=17939103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5304936A Pending JPH07161897A (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Lead frame and semiconductor with it |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161897A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153946A (en) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | トヨタ自動車株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device |
-
1993
- 1993-12-06 JP JP5304936A patent/JPH07161897A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153946A (en) * | 2014-02-17 | 2015-08-24 | トヨタ自動車株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1315605B1 (en) | Mold and method for encapsulating an electronic device | |
| JP3429246B2 (en) | Lead frame pattern and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
| US7019388B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR100568225B1 (en) | Lead Frame and method for fabricating semiconductor package using the same | |
| JP2005026466A (en) | Semiconductor device and lead frame | |
| US5587606A (en) | Lead frame having deflectable and thereby precisely removed tie bars | |
| JPH07161897A (en) | Lead frame and semiconductor with it | |
| JPH06104364A (en) | Lead frame and method and metallic mold for molding semiconductor chip using it | |
| JPH0574999A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
| JP4455166B2 (en) | Lead frame | |
| JPH07135230A (en) | Electronic device resin sealing method and lead frame provided therefor | |
| JP3246769B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH02105448A (en) | Lead frame | |
| JPH1044180A (en) | Transfer resin sealing method and resin sealing with the method | |
| JP2551835Y2 (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| JP3123976B2 (en) | Resin sealing mold for semiconductor device | |
| KR200168394Y1 (en) | Lead frame of semiconductor package | |
| JP2552139Y2 (en) | Lead frame | |
| JPH07106504A (en) | Lead frame and semiconductor device using same | |
| JPH06188279A (en) | Molding apparatus | |
| JPH0758262A (en) | Lead frame | |
| JPH08167685A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH08227961A (en) | Lead frame for semiconductor device and its manufacture | |
| JPH04316359A (en) | Lead frame and manufacture of semiconductor device using same | |
| JPH05152487A (en) | Lead frame and its manufacturing method and semiconductor device |