JPH07161328A - 集束イオンビーム加工装置 - Google Patents

集束イオンビーム加工装置

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JPH07161328A
JPH07161328A JP5308275A JP30827593A JPH07161328A JP H07161328 A JPH07161328 A JP H07161328A JP 5308275 A JP5308275 A JP 5308275A JP 30827593 A JP30827593 A JP 30827593A JP H07161328 A JPH07161328 A JP H07161328A
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JP
Japan
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sample
reference point
ion beam
sample holder
focused ion
Prior art date
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Pending
Application number
JP5308275A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Fujii
利昭 藤井
Munenori Tasai
宗徳 太齋
Yasuhiko Sugiyama
安彦 杉山
Toshio Doi
利夫 土井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP5308275A priority Critical patent/JPH07161328A/ja
Publication of JPH07161328A publication Critical patent/JPH07161328A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 集束イオンビーム装置において、試料の観察
位置を確実に求める。 【構成】 試料を固定する試料ホルダーに、試料ステー
ジの座標系における座標の明かな基準点を設け、その試
料ホルダーに固定された試料と試料ホルダーの基準点の
座標を、機械的に高精度な移動機構を必要としない座標
測定器を用いて測定する。座標を求めた試料を集束イオ
ンビーム装置に設置する。まず、その位置が既知である
試料ホルダーの基準点の位置に移動し、基準点を観察
し、続いて試料の観察位置に先に求めた座標に基づいて
試料を移動して、試料の観察位置に到達する。 【効果】 試料の観察位置を確実に求めることができ、
装置の操作性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集束イオンビーム加工
装置に関するものであり、特に、試料の観察位置を探す
技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】集束イオンビーム加工装置38は、図1
に示すように、イオンを発生するイオン源1と、発生し
たイオンを集束イオンビーム3にするイオンレンズ系2
と、集束イオンビーム3を走査する偏向電極4と、集束
イオンビーム3の照射によって試料5表面から発生する
2次荷電粒子6を検出する検出器7と、検出器7の信号
を増幅する増幅器8と、2次荷電粒子6の平面強度分布
に基づいて試料5表面に形成されているパターンを表示
する画像表示装置9と、試料5を固定する試料ホルダー
10を移動させる試料ステージ11と、試料ステージ1
1の移動を制御する制御系12からなる。
【0003】試料5上の観察箇所を、試料ステージ11
の移動によって集束イオンビーム3が照射される領域に
移動させる。そして、集束イオンビーム3を所定領域に
て走査させながら照射することによって、試料5の表面
から発生する2次荷電粒子6を検出器7にて検出し、試
料5の表面に形成されているパターンや状態を観察す
る。また、試料5の表面の所定領域を集束イオンビーム
の照射によりエッチングしたり、タングステンヘキサカ
ルボニルなどのような金属を含む化合物ガスを集束イオ
ンビーム3照射と同時に吹き付け、化合物ガスに含まれ
ている金属を試料表面の所定領域に堆積させるなどの加
工を行う。
【0004】一般に、上記の集束イオンビーム加工装置
は、半導体製造プロセスにおいて、半導体ウエーハ上に
形成された半導体デバイスの観察、その不良解析や回路
の変更などに用いられている。集束イオンビーム加工装
置38においては、試料5を真空容器である試料室13
内に設置するが、試料室13は検出器7に不要な光を入
れることができないため暗室になっており、外部から試
料5の位置を目視によって把握することが困難である。
また、集束イオンビーム加工装置38の集束イオンビー
ム照射により検出される二次荷電粒子検出による試料観
察では、観察視野は限界がある。従って、試料5の観察
位置を探し出す作業は、装置の操作性を損なう要因とな
り、その作業性を向上することは、集束イオンビーム加
工装置38の操作性を向上する上で重要な技術であり、
いくつかの技術が採用されている。
【0005】第1の例として、図2に示す方法がある。
図2(A)に示すように試料ホルダー10に複数の基準
点22を設ける。試料ホルダー10は、集束イオンビー
ム加工装置38外にて試料5を載置し、試料室13内の
試料ステージの所定位置に搭載される。試料ホルダー1
0の各基準点22は、試料ステージ11の座標系におけ
る座標位置が明らかになっている。図2(B)のように
観察したい試料5の観察位置24が試料ホルダー10の
一つの基準点22の真上になるように試料5を固定す
る。試料5を固定した試料ホルダー10を試料室13内
に設置し、すでに座標の判っている試料ホルダー10の
基準点22の座標位置に試料ステージ11を移動し、そ
の位置に固定されている試料5の観察位置を加工又は観
察する。
【0006】第2の例として、図3(A)に示すよう
に、試料観察位置決定器40を備えた集束イオンビーム
装置加工38がある。試料観察位置決定器40は、試料
室13内の試料ステージ11と同じ座標系を持つ第2の
試料ステージ41と、その第2の試料ステージ41のX
Y方向の位置を制御する第2の試料ステージ制御系34
と、第2の試料ステージ41上の試料5を観察する観察
装置35と、観察装置35の観察像を表示する第2の画
像表示装置36を備えている。
【0007】上記の装置にて、図3(B)に示すよう
に、試料5を試料ホルダー10に載置し、そしてその試
料ホルダー10を第2の試料ステージ41に取り付け
る。第2の試料ステージ41は、試料ホルダー10の位
置を一意的に決めて載置するものである。試料5の観察
位置24が画像表示装置36の指定された場所に表示す
るように第2の試料ステージ制御系34を介して第2の
試料ステージ41を移動させる。そのときの座標を求
め、その座標情報を通信線37を介して集束イオンビー
ム装置38の試料ステージ制御系12に送る。第2の試
料ステージ41で試料5の観察位置24の座標が求めら
れ、そして試料5が固定された試料ホルダー10を、試
料室13内の試料ステージ11に設置し、先に得られた
座標にしたがって試料ステージ11を試料ステージ駆動
装置12にて移動することにより、試料5の観察位置を
決める方法がある。
【0008】
【発明が解決しようとしている課題】前記第1の例にお
いては、図2(C)に示すように試料5が大きい場合、
試料の観察位置24を試料ホルダー10の基準点22の
真上になるように固定することが困難であるという課題
がある。また、試料上に観察位置が複数箇所ある場合、
第1の観察位置を試料ホルダー10の基準点22の真上
になるように固定することができても、その他の第2、
第3の観察位置24、24を容易に求めることができな
いという課題がある。
【0009】前記第2の例においては、高い精度で観察
位置決めを行うことができ、また、第1の例で問題にな
った試料上の複数の観察位置の課題についても問題はな
い。しかし、第2の試料ステージ41は装置本体と同程
度の位置決め精度を求められるため、極めて高価にな
る。また、試料観察位置決定器40を含め装置全体が大
型化して広い設置面積が必要になるという課題があっ
た。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題を解
決するものである。従来の第2の方法は、試料の観察位
置決めの方法としては有効であるが、極めて高価であ
る。装置を安価にかつコンパクトにするものである。
【0011】観察位置を求める方法は、試料室内の試料
ステージに設置したときの座標位置がわかっている複数
の基準点を持つ試料ホルダーに、試料を固定する。試料
上の観察位置と試料ホルダーの基準点の相対位置を測定
する。その後、試料を固定した試料ホルダーを試料室内
の試料ステージに設置し、試料ホルダーの基準点が画像
表示装置に表示されるように移動させる。基準点を画像
表示装置の所定の場所、例えば中央、に表示されるよう
に調整する。続いて、先に求めた相対位置に基づいて試
料ステージを移動させることによって、試料の観察場所
を表示させる。
【0012】試料ホルダーの基準点と試料の観察位置の
相対位置を測定するための安価な第1の手段は、重ねた
とき試料ホルダーの基準点と同じ位置になる基準点を持
つ透明な板に目盛りを付けたものである。第2の手段
は、透明な2次元座標を検出するためのセンサーの埋め
込まれている板と、座標を指示するための座標指示器か
らなる透明タブレットである。
【0013】第3の手段は、撮影装置と、撮影装置の観
察像を表示する装置と、観察像上の相対位置を測定する
手段からなるものである。
【0014】
【作用】上記手段に従い、前記測定器を用いて、試料の
観察位置とその試料の固定されている試料ホルダーの基
準点の相対座標を求める。その後、試料を試料室内の試
料ステージに固定し、試料ステージを試料ホルダーの基
準点の位置に移動する。試料ホルダーの基準点はすでに
わかっているため、移動することができる。試料ホルダ
ーの基準点から先に求めた相対座標に基づいて試料ステ
ージを移動させることによって、試料の観察位置に到達
することができる。
【0015】
【実施例】集束イオンビーム加工装置の主要部分は、従
来技術の項にて説明してあるので、ここでは説明を省略
する。図4に基づいて、第1の実施例について説明す
る。
【0016】試料5を搭載した試料ホルダー10は、位
置出し測定器55を、脱着自在に位置を一定に取り付け
られるようになっている。その構成は以下のようになっ
ている。試料ホルダー10には、位置マーク52が設け
されており、位置出し測定器55には、位置マークに相
当する位置に位置マーク穴56が設けられており、試料
ホルダー10に位置出し測定器55を取り付ける時、位
置マーク52と位置マーク穴56の位置を合わすことに
より、位置出し測定器55の位置を一定にして試料ホル
ダー10に取り付けることができる。また、位置出し測
定器55の平面部には、網目状の目盛り57が描かれて
いる透明な板53が取り付けられている。網目状の目盛
りは、座標を示す。なお、位置出し測定器55の位置を
一定にして試料ホルダー10に取り付ける構成は、いろ
いろアレンジできる。
【0017】試料5を取り付けた試料ホルダー10に、
試料ホルダー10の位置マーク52と、位置出し測定器
55の位置マーク穴56を合わせて位置出し測定器55
を取り付ける。そして、網目状目盛り57を用いて試料
5の観察位置24の座標位置を測定する。目盛りを1ミ
リメートル刻みにすることによって、±0.5ミリメー
トル程度の位置再現性を確認することができる。
【0018】図5に基づいて、第2の実施例について説
明する。図5(A)に示すように、試料5を搭載した試
料ホルダー10に、透明な2次元座標を示すセンサーが
埋め込まれているセンサー板62と、そのセンサー板6
2のセンサーに刺激を送ることによって所定の位置を指
示する座標指示器63からなる透明タブレット61を重
ねる。図5(B)に示すように、透明タブレット61は
通信線65によって集束イオンビーム加工装置38の試
料ステージ制御系67の接続されている。試料ホルダー
10の位置マーク56と試料の観察位置24を座標指示
器63で指示し、その座標情報を試料ステージ駆動装置
12に送信する。試料ホルダー10を試料室13の試料
ステージ11に設置したとき、先に求めた座標情報に基
づいて試料ステージ11を移動させることによって、試
料5を観察位置24に移動させることができる。透明タ
ブレット61としては、静電容量型や電磁誘導型などの
検出方法が知られているが、いずれの方式によっても、
検出精度は±0.5ミリメートル以下が実現されてい
る。
【0019】図6に基づいて第3の実施例について説明
する。図6(A)に示すように、試料5を載置した試料
ホルダー10を、ある特定の倍率を持つ光学レンズ系7
3によって撮影し、撮影した試料像を光電気変換し、光
電気変換された観察像の信号を通信線によってビデオ信
号入力機能を持つコンピューター74に送信し、ビデオ
信号をコンピューター74のディスプレイ75に表示す
る。このとき、コンピューター74はマウスまたはタブ
レットなどのディスプレイ75上の座標を指示すること
のできるディスプレイ座標指示器76も同時に持つ。
【0020】図6(B)に示すように、試料ホルダー1
0の基準点22と試料上の観察位置24を同時に表示で
きるように点線で示す領域83を撮影する。撮影した像
をディスプレイ75の画面上に表示し、画面上に現れる
矢印85をディスプレイ座標指示器76によって移動
し、試料ホルダー10の基準点22と試料5上の観察位
置24を指示する。これによって得られた座標情報を通
信線77によって集束イオンビーム加工装置38の試料
ステージ駆動装置12に送信する。試料5の搭載された
試料ホルダー10を試料室13の試料ステージ11に設
置し、先に得られた座標情報に基づいて試料ステージ1
1を移動させることによって、試料5の観察位置24に
試料5を移動させることができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、従来の方法に比較して、簡単な装置で、確実に観察
目標位置に到達できる。その結果、集束イオンビーム装
置を用いた、観察、加工などの作業の操作性を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】通常の集束イオンビーム加工装置の主要部の断
面図である。
【図2】第1の従来例の試料ホルダーの平面図である。
【図3】図3(A)は、第2の従来例の断面図であり、
図3(B)は、試料ホルダーの平面図である。
【図4】本発明の第1の実施例の試料ホルダーの斜視図
である。
【図5】本発明の第2の実施例の試料ホルダーとタブレ
ットの斜視図である。
【図6】図6(A)は、本発明の第3の実施例の断面図
であり、図6(B)は、試料のの平面図であり、図6
(C)は、試料表面を表示したディスプレイの平面図で
ある。
【符号の説明】
5 試料 10 試料ホルダー 11 試料ステージ 12 試料ステージ駆動装置 13 試料室 22 基準点 24 観察位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土井 利夫 東京都江東区亀戸6丁目31番1号 セイコ ー電子工業株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イオンを発生するイオン源と、前記イオ
    ンを集束イオンビームとするイオンレンズ系と、前記集
    束イオンビームを走査する偏向電極と、前記集束イオン
    ビーム照射により試料の表面から放出される2次荷電粒
    子を検出するの検出器と、前記検出器により検出された
    2次荷電粒子の検出信号を増幅する増幅器と、前記検出
    器により検出された2次荷電粒子の平面強度分布に基づ
    いて試料表面に形成されているパターンを表示する画像
    表示装置と、前記試料を移動するための試料ステージ
    と、前記試料ステージを外部から指示された座標に移動
    させる制御系よりなる集束イオンビーム加工装置におい
    て、 試料ステージの座標系においてその座標が明らかな複数
    の基準点を持つ試料ホルダーを用意し、前記試料ホルダ
    ーに固定された試料の観察位置を、その試料ホルダーの
    基準点との相対座標として測定することのできる測定器
    を用いて求め、試料の固定された試料ホルダーを試料ス
    テージに装着し、試料ホルダーの基準点に試料ステージ
    の座標系に基づいて移動し、その基準点を画像表示装置
    に表示させ、その基準点を画像表示装置の所定の場所
    (例えば中央)に移動し、その位置から先に求めた相対
    位置に移動することによって、試料の所定の観察位置に
    到達することができることを特徴とする集束イオンビー
    ム加工装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、試料ホルダーの基準
    点と試料の観察位置との相対位置の測定器として、透明
    な板に基準点と基準点からの相対座標に相当する目盛り
    の印されているものを用い、試料ホルダーの基準点と透
    明な板の基準点を合わせて重ね、試料ホルダー上の試料
    の相対座標を求めることを特徴とする集束イオンビーム
    加工装置。
  3. 【請求項3】 請求項1において、試料ホルダーの基準
    点と試料の観察位置との相対位置の測定器として、透明
    な2次元座標を示すセンサーの埋め込まれている板と、
    その2次元座標を指示する座標指示器からなる透明タブ
    レットと、その透明タブレットの読み取った座標を集束
    イオンビーム装置の試料ステージ制御系に通信する手段
    からなるものを用い、透明タブレットの下に試料の搭載
    された試料ホルダーを設置し、試料ホルダーの基準点と
    試料の観察位置のそれぞれの座標を座標指示器で透明な
    板に指示することによって求め、それらの座標を集束イ
    オンビーム装置の試料ステージ制御系に送信することを
    特徴とする集束イオンビーム加工装置。
  4. 【請求項4】 請求項1において、試料ホルダーの基準
    点と試料の観察位置との相対位置の測定器として、光学
    像入力装置と、入力光学像を表示する装置と、表示され
    た像から指定された2点間の相対座標を求める装置から
    なり、光学像入力装置によって、試料ホルダーの基準点
    と試料の観察位置が同時に表示されるように入力し、入
    力光学像を表示する装置の表示画面上で、試料ホルダー
    の基準点と試料の観察位置の相対座標を求めることを特
    徴とする集束イオンビーム加工装置。
JP5308275A 1993-12-08 1993-12-08 集束イオンビーム加工装置 Pending JPH07161328A (ja)

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JP5308275A JPH07161328A (ja) 1993-12-08 1993-12-08 集束イオンビーム加工装置

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JP5308275A JPH07161328A (ja) 1993-12-08 1993-12-08 集束イオンビーム加工装置

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JPH07161328A true JPH07161328A (ja) 1995-06-23

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JP5308275A Pending JPH07161328A (ja) 1993-12-08 1993-12-08 集束イオンビーム加工装置

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JP (1) JPH07161328A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002025691A1 (fr) * 2000-09-19 2002-03-28 Advantest Corporation Procede d'inspection d'un faisceau d'electrons et dispositif associe
JP2018055924A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 日本電子株式会社 観察方法および試料観察装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002025691A1 (fr) * 2000-09-19 2002-03-28 Advantest Corporation Procede d'inspection d'un faisceau d'electrons et dispositif associe
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