JPH07153668A - Positioning stage device and aligner using it - Google Patents

Positioning stage device and aligner using it

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JPH07153668A
JPH07153668A JP30114793A JP30114793A JPH07153668A JP H07153668 A JPH07153668 A JP H07153668A JP 30114793 A JP30114793 A JP 30114793A JP 30114793 A JP30114793 A JP 30114793A JP H07153668 A JPH07153668 A JP H07153668A
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wafer
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伸茂 是永
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真一 原
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Abstract

PURPOSE:To effectively cool a mask, a substrate such as a wafer or the like and a holding plate holding them during an exposure by a method wherein the holding plate which is supported inside an exposure chamber by an elastic member integrated with a base plate, at least one cooling member which is brought close to the holding plate and a cooling means which cools it are provided. CONSTITUTION:A mask-temperature-regulating base 4 and a mask holding plate 6 are coupled integrally via a plurality of mask plate springs 5 as elastic members. Then, a mask cooling block 7 as a cooling member provided with annular face 7a which is faced with the outer circumferential face 6a of the mask holding plate 6 via a very small gap is arranged. Thereby, it is possible to realize a positioning stage device in which a mask, a substrate such as a wafer or the like and the holding plate supporting them during an exposure are cooled effectively and in which there is no fear that vibrations are given to them due to the flow of a temperature-regulating coolant.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光装置におい
てウエハ等基板やマスクの位置決めを行う位置決めステ
ージ装置およびこれを用いた露光装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positioning stage device for positioning a substrate such as a wafer or a mask in a semiconductor exposure device and an exposure device using the positioning stage device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体露光装置においては、露光される
ウエハ等基板(以下、「基板」という。)をマスクや露
光光に対して高精度で位置決めすることが要求される。
基板を保持する保持盤は、一般的に公知のXY駆動機構
等によって大まかに位置決めされるXYステージ上に板
バネ等を介して支持され、該板バネの許す範囲において
XY平面に直交する軸(以下、「Z軸」という。)のま
わりに回動自在になっており、公知の圧電素子等を用い
た微駆動装置によってZ軸のまわりの回転角度を調節さ
れ、最終的な基板の位置決めを行うように構成されてい
る。また、マスクを保持するマスクステージも同様に板
バネ等を介してマスクフレームに支持され、Z軸のまわ
りの微回動調節等が自在であるように構成される。
2. Description of the Related Art In a semiconductor exposure apparatus, it is required to position a substrate such as a wafer to be exposed (hereinafter referred to as "substrate") with high precision with respect to a mask and exposure light.
A holding board for holding a substrate is supported via a leaf spring or the like on an XY stage that is roughly positioned by a generally known XY drive mechanism or the like, and an axis (orthogonal to the XY plane within a range permitted by the leaf spring). (Hereinafter referred to as "Z-axis"), the rotation angle around the Z-axis is adjusted by a fine driving device using a known piezoelectric element or the like, and the final substrate positioning is performed. Is configured to do. Similarly, the mask stage holding the mask is also supported by the mask frame via a leaf spring or the like, and is configured so that fine rotation adjustment about the Z axis can be freely performed.

【0003】図8は荷電粒子蓄積リング放射光(以下、
「SR−X線」という。)を露光光とする露光装置の一
例を示すもので、ヘリウムガス等の減圧雰囲気に制御さ
れる減圧チャンバ101と、減圧チャンバ101内にそ
れぞれ固定されたウエハステージフレーム102aおよ
びマスクステージフレーム102bと、ウエハステージ
フレーム102aに支持されたXYステージ103と、
マスクステージフレーム102bと一体であるマスク温
調ベース104と、複数のマスク板バネ105を介して
マスク温調ベース104と一体的に結合されたマスク保
持盤106と、XYステージ103に保持されたウエハ
微動ステージ108と、これに支持されたウエハ保持盤
109を有し、XYステージ103は、ウエハステージ
フレーム102aと一体であるYガイド103aに沿っ
て複動シリンダ等の駆動装置によってY軸方向に往復移
動される図示しないYステージと、Yステージと一体で
あるXガイド103bに沿って複動シリンダ等の駆動装
置によってX軸方向に往復移動されるXステージ103
cからなる公知のXY駆動機構を有し、また、減圧チャ
ンバ101の底部は防振台101aを介して床面F0
支持されている。
FIG. 8 shows a charged particle storage ring synchrotron radiation (hereinafter,
It is called "SR-X-ray". ) As exposure light, a decompression chamber 101 controlled to a decompression atmosphere such as helium gas, a wafer stage frame 102a and a mask stage frame 102b fixed in the decompression chamber 101, respectively. An XY stage 103 supported by the wafer stage frame 102a,
A mask temperature control base 104 that is integrated with the mask stage frame 102b, a mask holding plate 106 that is integrally connected to the mask temperature control base 104 via a plurality of mask leaf springs 105, and a wafer held by the XY stage 103. The XY stage 103 includes a fine movement stage 108 and a wafer holding plate 109 supported by the fine movement stage 108. The XY stage 103 reciprocates in the Y-axis direction along a Y guide 103a that is integral with the wafer stage frame 102a by a driving device such as a double-acting cylinder. An X stage 103 that is reciprocated in the X-axis direction by a driving device such as a double-acting cylinder along a Y stage (not shown) that is moved and an X guide 103b that is integral with the Y stage.
The decompression chamber 101 has a bottom portion supported on the floor surface F 0 via a vibration isolation base 101a.

【0004】SR−X線L0 は、減圧チャンバ101の
開口101bに接続された図示しないビームダクトから
減圧チャンバ101内へ導入され、マスク保持盤106
に磁気吸着力によって吸着されたマスクM0 を経て、ウ
エハ保持盤109に吸着されたウエハW0 に照射され
る。
The SR-X-ray L 0 is introduced into the decompression chamber 101 from a beam duct (not shown) connected to the opening 101b of the decompression chamber 101, and the mask holding plate 106.
After passing through the mask M 0 attracted by the magnetic attraction force, the wafer W 0 attracted to the wafer holding plate 109 is irradiated.

【0005】マスク温調ベース104とマスク保持盤1
06の間に設けられた各マスク板バネ105は、図9に
示すように、マスク保持盤106とマスク温調ベース1
04に一体的に設けられた薄肉の板状体であり、マスク
保持盤106の周方向のみに所定の弾力性を有し、マス
ク温調ベース104に設けられた切込104aおよびマ
スク保持盤106とマスク温調ベース104の間に形成
された環状の間隙104bの許す範囲内で、図示しない
圧電素子等の微駆動装置によって、マスク保持盤106
をマスク温調ベース104に対して微回動調節できるよ
うに構成されている。なお、各マスク板バネ105は、
マスク温調ベース104とマスク保持盤106を一体的
な環状体として製作したうえで、各切込104aや環状
の間隙104bに沿ってワイヤ放電加工を行うことでマ
スク温調ベース104とマスク保持盤106の双方と一
体的に形成されたものであるが、マスク温調ベース10
4やマスク保持盤106と別体として製作された薄肉の
板状体を公知の方法でマスク温調ベース104とマスク
保持盤106に結合してもよい。
Mask temperature control base 104 and mask holding board 1
As shown in FIG. 9, the mask leaf springs 105 provided between the mask holding plate 106 and the mask temperature control base 1 are connected to each other.
04 is a thin plate-like member integrally provided with the mask holding plate 106, has a predetermined elasticity only in the circumferential direction of the mask holding plate 106, and has a cut 104a provided in the mask temperature control base 104 and the mask holding plate 106. Within a range allowed by the annular gap 104b formed between the mask temperature control base 104 and the mask temperature control base 104, the mask holding plate 106 is controlled by a fine driving device such as a piezoelectric element not shown.
Is configured so that it can be finely adjusted with respect to the mask temperature control base 104. In addition, each mask leaf spring 105
The mask temperature control base 104 and the mask holding plate 106 are manufactured as an integral annular body, and then wire electric discharge machining is performed along each of the cuts 104a and the annular gap 104b to form the mask temperature adjusting base 104 and the mask holding plate. Although it is formed integrally with both the mask temperature control base 106 and the mask temperature control base 10,
4, a thin plate-shaped body manufactured separately from the mask holding board 106 may be joined to the mask temperature control base 104 and the mask holding board 106 by a known method.

【0006】また、ウエハ微動ステージ108も、マス
ク板バネ105と同様の板バネによって微回動調節自在
に支持されており、XYステージ103による大まかな
位置決め後にアライメント光学系によってウエハW0
マスクM0 の間の微小位置ずれを検出し、ウエハ微動ス
テージ108の微駆動装置によってウエハW0 の最終的
位置決めを行う。
The fine wafer movement stage 108 is also supported by a leaf spring similar to the mask leaf spring 105 so as to be capable of fine rotation adjustment. After the rough positioning by the XY stage 103, the wafer W 0 and the mask M are aligned by the alignment optical system. The minute position deviation between 0 is detected, and the fine positioning device for the wafer fine movement stage 108 finally positions the wafer W 0 .

【0007】ウエハW0 の露光中は、極めて高エネルギ
ーであるSR−X線L0 によってウエハW0 やマスクM
0 が加熱され、熱変形を起こすおそれがあるため、温調
ライン104c等によって供給される冷却用の温調流媒
をウエハ微動ステージ108やマスク温調ベース104
の内部配管に流動させ、ウエハ保持盤109やマスク保
持盤106およびこれらの周辺の部材を冷却することで
マスクM0 の温度上昇を防ぐ工夫がなされている。
[0007] During the exposure of the wafer W 0 is, the wafer W 0 and the mask M by the SR-X-ray L 0 is an extremely high-energy
Since 0 may be heated to cause thermal deformation, the temperature control flow medium for cooling supplied by the temperature control line 104c or the like is used as the wafer fine movement stage 108 or the mask temperature control base 104.
The wafer holding plate 109, the mask holding plate 106, and the peripheral members thereof are made to flow through the inner pipe of the above, and the temperature rise of the mask M 0 is prevented.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、マスク保持盤とマスク温調ベースは薄
肉の板バネを介して結合されているだけであり、加えて
マスク保持盤はマスク温調ベースからZ軸方向に突出し
た部分にマスクを吸着する吸着面を有するため、マスク
温調ベースの内部配管に温調流媒を流動させてこれを冷
却しても、マスクを充分に冷却することができない。そ
の結果、マスクの熱歪によって転写パターンが変形する
おそれがある。また、マスク保持盤に内部配管を設けて
これに温調流媒を流動させることでマスク保持盤を直接
冷却する方法も考えられるが、これは、温調流媒の流動
による振動のためにマスクに位置ずれが発生し、転写ず
れを起すおそれがあり、採用できない。ウエハ保持盤に
ついても同様である。
However, according to the above-mentioned conventional technique, the mask holding plate and the mask temperature adjusting base are only connected to each other through a thin leaf spring, and in addition, the mask holding plate is not heated. Since the suction surface for adsorbing the mask is provided at the portion protruding from the adjustment base in the Z-axis direction, even if the temperature adjustment medium is flowed through the internal pipe of the mask temperature adjustment base and cooled, the mask is sufficiently cooled. I can't. As a result, the thermal distortion of the mask may deform the transfer pattern. It is also possible to directly cool the mask holding plate by providing an internal pipe on the mask holding plate and flowing the temperature adjusting flow medium through this, but this is because the mask is caused by vibration due to the flow of the temperature adjusting medium. There is a risk of misregistration in the sheet, which may cause transfer deviation, and therefore cannot be adopted. The same applies to the wafer holder.

【0009】本発明は上記従来の技術の有する問題点に
鑑みてなされたものであり、露光中のマスクやウエハ等
基板とこれらを保持する保持盤を効果的に冷却し、しか
もこれらに温調流媒の流動等による振動を与えるおそれ
のない位置決めステージ装置およびこれを用いた露光装
置を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and it effectively cools the substrate such as the mask or wafer during exposure and the holding plate for holding them, and controls the temperature of these. An object of the present invention is to provide a positioning stage device that does not give vibration due to the flow of a flowing medium and the like, and an exposure apparatus using the positioning stage device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の位置決めステージ装置は、台盤と一体である
弾性部材によって露光室内に支持された保持盤と、該保
持盤に近接する少くとも1個の冷却部材と、これを冷却
する冷却手段を有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a positioning stage device of the present invention is a holding plate supported in an exposure chamber by an elastic member which is integral with a table, and a holding plate close to the holding plate. Both are characterized by having one cooling member and cooling means for cooling the same.

【0011】冷却部材が台盤と一体であり、冷却手段が
前記台盤に設けられた内部配管からなるとよい。
It is preferable that the cooling member is integral with the base and the cooling means is an internal pipe provided on the base.

【0012】また、冷却手段が冷却部材に設けられた内
部配管であってもよい。
Further, the cooling means may be an internal pipe provided on the cooling member.

【0013】[0013]

【作用】マスクまたはウエハ等基板を保持する保持盤は
台盤と一体である弾性部材によって支持され、その弾力
性の許す範囲で微回動調節自在である。保持盤の表面を
冷却部材によって冷却することで、保持盤やこれに保持
されたマスクまたはウエハ等基板を効果的に冷却し、こ
れらに熱歪や位置ずれが発生するのを防ぐことができ
る。冷却手段が冷却部材または台盤に設けられた内部配
管からなれば、温調流媒の流動等による振動がマスクや
ウエハ等基板に伝わるおそれもない。
A holding plate for holding a substrate such as a mask or a wafer is supported by an elastic member which is integrated with a base plate, and can be finely rotated and adjusted within the range of its elasticity. By cooling the surface of the holding plate with the cooling member, it is possible to effectively cool the holding plate and the substrates such as masks and wafers held by the holding plate, and prevent thermal strain and displacement from occurring in them. If the cooling means is a cooling member or an internal pipe provided on the base, there is no possibility that vibration due to the flow of the temperature control medium will be transmitted to the substrate such as the mask or wafer.

【0014】[0014]

【実施例】本発明の実施例を図面に基いて説明する。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0015】図1は第1実施例による露光装置を示すも
ので、これは、荷電粒子蓄積リング放射光(以下、「S
R−X線」という。)を露光光とする露光装置であっ
て、ヘリウムガス等の減圧雰囲気に制御される露光室で
ある減圧チャンバ1と、減圧チャンバ1内にそれぞれ固
定されたウエハステージフレーム2aおよびマスクステ
ージフレーム2bと、ウエハステージフレーム2aに支
持されたXYステージ3と、マスクステージフレーム2
bと一体的に設けられた台盤であるマスク温調ベース4
と、複数の弾性部材であるマスク板バネ5を介してマス
ク温調ベース4と一体的に結合された保持盤であるマス
ク保持盤6と、マスク保持盤6の外周面6aに例えば5
μm程度の微小隙間を介して対向する環状面7aを有す
る冷却部材であるマスク冷却ブロック7と、XYステー
ジ3に保持されたウエハ微動ステージ8と、これに支持
された基板保持手段であるウエハ保持盤9を有し、XY
ステージ3は、ウエハステージフレーム2aと一体であ
るYガイド3aに沿って複動シリンダ等の駆動装置によ
ってY軸方向に往復移動される図示しないYステージ
と、Yステージと一体であるXガイド3bに沿って複動
シリンダ等の駆動装置によってX軸方向に往復移動され
るXステージ3cからなる公知のXY駆動機構を有し、
また、減圧チャンバ1の底部は防振台1aを介して床面
1 に支持される。
FIG. 1 shows an exposure apparatus according to the first embodiment, which is a charged particle storage ring radiation (hereinafter referred to as "S").
R-X-ray ". ) As exposure light, and a decompression chamber 1 which is an exposure chamber controlled in a decompressed atmosphere such as helium gas, a wafer stage frame 2a and a mask stage frame 2b fixed in the decompression chamber 1 respectively. The XY stage 3 supported by the wafer stage frame 2a and the mask stage frame 2
Mask temperature control base 4 which is a base provided integrally with b
A mask holding plate 6 which is a holding plate integrally connected to the mask temperature adjusting base 4 via a mask leaf spring 5 which is a plurality of elastic members, and the outer peripheral surface 6a of the mask holding plate 6 has, for example, 5
A mask cooling block 7 as a cooling member having annular surfaces 7a facing each other with a minute gap of about μm, a wafer fine movement stage 8 held by an XY stage 3, and a wafer holding unit supported by the wafer holding block 7. It has a board 9, XY
The stage 3 includes a Y stage (not shown) that is reciprocally moved in the Y-axis direction by a driving device such as a double-acting cylinder along a Y guide 3a that is integral with the wafer stage frame 2 and an X guide 3b that is integral with the Y stage. A well-known XY drive mechanism including an X stage 3c reciprocally moved in the X-axis direction by a drive device such as a double-acting cylinder.
Further, the bottom of the decompression chamber 1 is supported on the floor surface F 1 via the vibration isolation table 1a.

【0016】SR−X線L1 は、減圧チャンバ1の開口
1bに接続された図示しないビームダクトから減圧チャ
ンバ内へ導入され、マスク保持盤6に磁気吸着力によっ
て吸着されたマスクM1 を経て、ウエハ保持盤9に吸着
されたウエハW1 に照射される。
The SR-X-ray L 1 is introduced into the decompression chamber from a beam duct (not shown) connected to the opening 1b of the decompression chamber 1, and passes through the mask M 1 attracted to the mask holding plate 6 by the magnetic attraction force. The wafer W 1 attracted to the wafer holding plate 9 is irradiated.

【0017】マスク温調ベース4とマスク保持盤6の間
に設けられた各マスク板バネ5は、図2に示すように、
マスク保持盤6の外周面6aからマスク温調ベース4の
内周面に向ってのびる薄肉の板状体であり、これは、マ
スク温調ベース4の内周面に設けられた切込4aによっ
てマスク温調ベース4内に突出している。各マスク板バ
ネ5はマスク保持盤6の周方向のみに所定の弾性を有
し、マスク保持盤6とマスク温調ベース4の間の間隙4
bとマスク温調ベース4の各切込4aの許す範囲内で、
図示しない圧電素子等の微駆動装置によって、マスク保
持盤6をマスク温調ベース4に対して微回動調節できる
ように構成されている。なお、各マスク板バネ5は、マ
スク温調ベース4とマスク保持盤6を一体的な環状体と
して製作したうえで、各切込4aや環状の間隙4bに沿
ってワイヤ放電加工を行うことでマスク温調ベース4と
マスク保持盤6の双方と一体的に形成したものである
が、マスク温調ベース4やマスク保持盤6と別体として
製作された薄肉の板状体を公知の方法でマスク温調ベー
ス4とマスク保持盤6に結合させたものでもよい。
Each mask leaf spring 5 provided between the mask temperature control base 4 and the mask holding plate 6 is, as shown in FIG.
It is a thin plate-like body extending from the outer peripheral surface 6a of the mask holding plate 6 toward the inner peripheral surface of the mask temperature control base 4, and this is formed by a notch 4a provided in the inner peripheral surface of the mask temperature control base 4. It projects into the mask temperature control base 4. Each mask leaf spring 5 has a predetermined elasticity only in the circumferential direction of the mask holding plate 6, and the gap 4 between the mask holding plate 6 and the mask temperature control base 4 is provided.
b, and within the range allowed by each notch 4a of the mask temperature control base 4,
The mask holding plate 6 can be finely adjusted with respect to the mask temperature adjustment base 4 by a fine driving device such as a piezoelectric element (not shown). Each mask leaf spring 5 is manufactured by integrally manufacturing the mask temperature adjusting base 4 and the mask holding plate 6 and then performing wire electric discharge machining along each of the cuts 4a and the annular gap 4b. Although it is formed integrally with both the mask temperature control base 4 and the mask holding board 6, a thin plate-like body manufactured separately from the mask temperature control base 4 and the mask holding board 6 is manufactured by a known method. It may be combined with the mask temperature control base 4 and the mask holding board 6.

【0018】また、ウエハ保持盤9も、マスク板バネ5
と同様の板バネによってウエハ微動ステージ8に微回動
調節自在に支持されており、XYステージ3による大ま
かな位置決め後にアライメント光学系によってウエハW
1 とマスクM1 の間の微小位置ずれを検出し、ウエハ微
動ステージ8とともに図示しない微駆動装置によってウ
エハ保持盤9上のウエハW1 の最終的位置決めを行うよ
うに構成されている。
Further, the wafer holding plate 9 is also the mask leaf spring 5.
It is supported on the wafer fine movement stage 8 by a leaf spring similar to the above so as to be capable of fine rotation adjustment, and after the rough positioning by the XY stage 3, the wafer W is moved by the alignment optical system.
A minute positional deviation between 1 and the mask M 1 is detected, and the wafer W 1 on the wafer holding plate 9 is finally positioned by a minute driving device (not shown) together with the wafer fine moving stage 8.

【0019】マスク冷却ブロック7は例えばSUS等の
熱伝導率の高い材料によって製作され、その底面はマス
ク温調ベース4の表面に固着される。マスク温調ベース
4は図示しない冷却手段である内部配管を有し、該内部
配管には一対の温調ライン4cの一方から温調流媒が供
給されマスク温調ベース4を冷却する。マスク温調ベー
ス4の内部配管を流動した温調流媒は前記一対の温調ラ
イン4cの他方から排出される。このようにして冷却さ
れるマスク温調ベース4は主にマスク冷却ブロック7を
介してマスク保持盤6およびマスクM1 を効率よく冷却
し、SR−X線L1 による露光中にマスクM1 が過熱し
たり位置ずれを起こすのを防ぐ。
The mask cooling block 7 is made of a material having a high thermal conductivity, such as SUS, and its bottom surface is fixed to the surface of the mask temperature control base 4. The mask temperature control base 4 has an internal pipe which is a cooling means (not shown), and the temperature control flow medium is supplied to the internal pipe from one of the pair of temperature control lines 4c to cool the mask temperature control base 4. The temperature control flow medium flowing through the internal pipe of the mask temperature control base 4 is discharged from the other of the pair of temperature control lines 4c. Such masks temperature control base 4 which is cooled in the mainly efficiently cool the mask holding plate 6 and the mask M 1 via a mask cooling block 7, the mask M 1 in the exposure by the SR-X-ray L 1 Prevents overheating and displacement.

【0020】本実施例によれば、マスク温調ベースとマ
スク板バネとマスク保持盤からなるマスクの位置決めス
テージ装置においてマスク冷却ブロックによってマスク
保持盤およびこれに保持されたマスクを極めて効果的に
冷却することができるため、露光中にマスクに熱歪が発
生しこのために転写パターンが変形したり、マスク保持
盤の熱歪によってマスクに位置ずれが発生するおそれが
ない。従って、露光装置の転写、焼付けの精度を大幅に
向上できる。また、ウエハ保持盤のまわりにもマスク冷
却ブロックと同様の冷却ブロックを設けることによって
ウエハ保持盤とウエハを効果的に冷却し、ウエハの熱歪
や位置ずれを防止すれば、露光装置の転写、焼付けの精
度をより一層改善することができる。
According to this embodiment, in the mask positioning stage device including the mask temperature control base, the mask leaf spring, and the mask holding plate, the mask holding block and the mask held by the mask cooling block are cooled very effectively. Therefore, there is no risk that thermal distortion occurs in the mask during exposure and the transfer pattern is deformed due to this, and that the mask is displaced due to thermal distortion of the mask holding plate. Therefore, the accuracy of transfer and printing of the exposure device can be greatly improved. Further, by providing a cooling block similar to the mask cooling block around the wafer holding plate to effectively cool the wafer holding plate and the wafer, and prevent thermal distortion and positional deviation of the wafer, transfer of the exposure apparatus, The baking accuracy can be further improved.

【0021】なお、図3に示すようにマスク冷却ブロッ
ク7と同様の冷却部材であるマスク底面冷却ブロック1
0をマスク温調ベース4の底面と一体的に設け、マスク
底面冷却ブロック10の表面10aをマスク保持盤6の
底面6bに例えば5μm程度の微小隙間を介して対向さ
せれば、マスク保持盤6をさらに一層効率よく冷却する
ことができる。
As shown in FIG. 3, the mask bottom cooling block 1 is a cooling member similar to the mask cooling block 7.
0 is provided integrally with the bottom surface of the mask temperature control base 4, and the surface 10a of the mask bottom cooling block 10 is opposed to the bottom surface 6b of the mask holding board 6 with a minute gap of, for example, about 5 μm. Can be cooled further efficiently.

【0022】図4は第2実施例によるマスクの位置決め
ステージ装置を示し、これは、公知のステッパ等におい
てマスクを水平に位置決めするものであり、第2の台盤
である方形枠状のマスク温調ベース14と、4個の第1
のマスク板バネ15aを介してマスク温調ベース14と
一体的に設けられた台盤であるx微動ステージ16a
と、4個の弾性部材である第2のマスク板バネ15bを
介してx微動ステージ16aと一体的に設けられたy微
動ステージ16bと、これと一体である保持盤であるマ
スク保持盤16cからなり、第1、第2のマスク板バネ
15a,15bは第1実施例のマスク板バネ5と同様
に、マスク温調ベース14とx微動ステージ16aとy
微動ステージ16bを一体化した方形ブロックを作製し
たうえで、ワイヤ放電加工によって、マスク温調ベース
14とx微動ステージ16aとy微動ステージ16bを
互に離間させる溝16dを形成し、各溝16dをさらに
所定の方向へ切込むことで各マスク板バネ15a,15
bを形成させたものである。なお、マスク温調ベース1
4には第1実施例のマスク温調ベース4と同様の冷却手
段である内部配管が設けられ、温調ライン4cと同様の
温調ライン14cが接続されている。
FIG. 4 shows a mask positioning stage apparatus according to the second embodiment, which is used for horizontally positioning the mask in a known stepper or the like, and is a rectangular frame-shaped mask temperature which is a second table. Tone base 14 and 4 firsts
X fine movement stage 16a which is a base integrally provided with the mask temperature control base 14 via the mask leaf spring 15a
From the y fine movement stage 16b provided integrally with the x fine movement stage 16a via the second mask leaf springs 15b which are four elastic members, and the mask holding plate 16c which is a holding plate integrated with the y fine movement stage 16b. Therefore, the first and second mask leaf springs 15a and 15b are similar to the mask leaf spring 5 of the first embodiment in that the mask temperature control base 14 and the x fine movement stage 16a and y.
After forming a rectangular block in which the fine movement stage 16b is integrated, a groove 16d for separating the mask temperature adjustment base 14, the x fine movement stage 16a, and the y fine movement stage 16b from each other is formed by wire electric discharge machining, and each groove 16d is formed. By further cutting in the predetermined direction, the mask leaf springs 15a, 15
b is formed. In addition, mask temperature control base 1
4 is provided with an internal pipe which is a cooling means similar to the mask temperature control base 4 of the first embodiment, and is connected with a temperature control line 14c similar to the temperature control line 4c.

【0023】マスク保持盤16cはマスク温調ベース1
4およびx微動ステージ16aの上面より上方に突出
し、その上面に図示しないマスクを吸着するように構成
されている。
The mask holding board 16c is a mask temperature control base 1
4 and the x fine movement stage 16a are projected upward from the upper surface, and a mask (not shown) is attracted to the upper surface.

【0024】マスク温調ベース14は一対のマスク固定
冷却ブロック17aを有し、x微動ステージ16aは、
各マスク固定冷却ブロック17aに第1実施例と同様の
微小隙間を介して対向する一対の冷却部材であるマスク
x冷却ブロック17bを有し、また、y微動ステージ1
6bは、それぞれの端面が各マスクx冷却ブロック17
bに前述と同様の微小隙間を介して対向する一対の冷却
部材であるマスクy冷却ブロック17cを有し、マスク
固定冷却ブロック17aとマスクx冷却ブロック17b
とマスクy冷却ブロック17cはマスク温調ベース14
とx微動ステージ16aとy微動ステージ16bにそれ
ぞれ一体的に設けられており、両マスクx冷却ブロック
17bのそれぞれの中央部分と両マスクy冷却ブロック
17cのそれぞれの一側面は前述と同様の微小隙間を介
してマスク保持盤16cの4個の側面にそれぞれ対向し
ている。
The mask temperature control base 14 has a pair of mask fixed cooling blocks 17a, and the x fine movement stage 16a is
Each mask fixing cooling block 17a has a mask x cooling block 17b, which is a pair of cooling members facing each other with a minute gap like the first embodiment, and y fine movement stage 1
6b, each end face has each mask x cooling block 17
b has a mask y cooling block 17c, which is a pair of cooling members facing each other with a minute gap similar to that described above, and includes a mask fixed cooling block 17a and a mask x cooling block 17b.
And the mask y cooling block 17c is the mask temperature control base 14
And the x fine movement stage 16a and the y fine movement stage 16b are integrally provided respectively, and the central portions of the respective mask x cooling blocks 17b and the respective side surfaces of the respective mask y cooling blocks 17c have the same minute gaps as described above. The four sides of the mask holding plate 16c are opposed to each other via the.

【0025】本実施例の位置決めステージ装置は、x微
動ステージ16aとy微動ステージ16bを、図示しな
い圧電素子等の駆動装置によって各マスク板バネ15
a,15bの許す範囲内で微動調節することによってマ
スク保持盤16cのX軸方向とY軸方向の微動位置決め
を行う。マスク保持盤16cおよびこれに保持されたマ
スクは、内部配管を有するマスク温調ベース14からの
伝熱によって冷却される各冷却ブロック17a〜17c
によって効率よく冷却されるため、露光中にマスクが位
置ずれを起こしたり、熱歪によって変形したりするおそ
れがない。
In the positioning stage apparatus of the present embodiment, the x fine movement stage 16a and the y fine movement stage 16b are each mask leaf spring 15 by a driving device such as a piezoelectric element (not shown).
By finely adjusting the fine movement within the range of a and 15b, fine movement positioning of the mask holding board 16c in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed. The mask holding plate 16c and the mask held by the mask holding plate 16c are cooled by heat transfer from the mask temperature control base 14 having internal pipes.
Since it is efficiently cooled by the method, there is no risk that the mask will be displaced during exposure and that it will be deformed by thermal strain.

【0026】図5は第3実施例による位置決めステージ
装置を示すもので、これは、公知のステッパ等において
ウエハを水平に位置決めするためのものであり、公知の
XYステージ機構のYステージ23上の台盤であるウエ
ハ微動ステージ28に複数の弾性部材である第1のウエ
ハ板バネ25aを介して弾力的に支持され、圧電素子等
の保持盤駆動手段であるウエハ微駆動装置23aによっ
てZ軸方向に往復移動される保持盤であるウエハ保持盤
29と、その底面に例えば5μm程度の微小隙間を介し
て対向する冷却面27aを有する冷却部材であるウエハ
冷却ブロック27を有し、ウエハ冷却ブロック27は複
数の第2のウエハ板バネ25bを介してYステージ23
と一体的に設けられた支持体24に弾力的に支持されて
いる。Yステージ23の下面には、ウエハ微駆動装置2
3aと同期して駆動される冷却部材駆動手段である一対
の駆動シリンダ23bが設けられ、各駆動シリンダ23
bは、楔形部材23cを水平方向に進退させることでウ
エハ冷却ブロック27をウエハ保持盤29と同期して垂
直方向へ微動させ、ウエハ冷却ブロック27とウエハ保
持盤29の間の隙間が常時一定の寸法に保たれるように
構成されている。
FIG. 5 shows a positioning stage apparatus according to the third embodiment, which is for horizontally positioning a wafer in a known stepper or the like, and is on a Y stage 23 of a known XY stage mechanism. It is elastically supported on the wafer fine movement stage 28, which is a pedestal, via the first wafer leaf springs 25a, which are a plurality of elastic members, and is moved in the Z-axis direction by the wafer fine driving device 23a, which is a holding plate driving means such as a piezoelectric element. The wafer cooling block 27 is a wafer holding plate 29 which is a reciprocating holding plate and a wafer cooling block 27 which is a cooling member having a cooling surface 27a facing the bottom surface thereof with a minute gap of, for example, about 5 μm. Is connected to the Y stage 23 via the plurality of second wafer leaf springs 25b.
Is elastically supported by a support body 24 that is integrally provided with. On the lower surface of the Y stage 23, the wafer fine driving device 2
3a is provided with a pair of drive cylinders 23b, which are cooling member drive means, and each drive cylinder 23 is driven.
In b, the wafer cooling block 27 is finely moved in the vertical direction in synchronization with the wafer holding plate 29 by moving the wedge-shaped member 23c forward and backward so that the gap between the wafer cooling block 27 and the wafer holding plate 29 is always constant. It is designed to be held to size.

【0027】本実施例は、ウエハ冷却ブロック27に冷
却手段である内部配管27bを設け、これに温調ライン
27cから供給された温調流媒を流動させることでウエ
ハ冷却ブロック27の上面を冷却し、これに対向するウ
エハ保持盤9およびこれに保持されたウエハを効果的に
冷却し、露光中のウエハの位置ずれや熱歪等を防ぐ。そ
の結果、高精度の転写、焼付けを行うことができる。
In this embodiment, the wafer cooling block 27 is provided with an internal pipe 27b as a cooling means, and the temperature control flow medium supplied from the temperature control line 27c is caused to flow through the internal pipe 27b to cool the upper surface of the wafer cooling block 27. Then, the wafer holding plate 9 facing the wafer holding plate 9 and the wafer held by the wafer holding plate 9 are effectively cooled to prevent the wafer from being displaced during the exposure, thermal distortion and the like. As a result, highly accurate transfer and printing can be performed.

【0028】次に上記した露光装置を利用した半導体デ
バイスの製造方法の実施例を説明する。図6は微小デバ
イス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、C
CD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフ
ローを示す。ステップS1(回路設計)では半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップS2(マスク製作)で
は設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップS3(ウエハ製造)ではシリコン等の材
料を用いてウエハを製造する。ステップS4(ウエハプ
ロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエ
ハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際
の回路を形成する。次のステップS5(組立)は後工程
と呼ばれ、ステップS4によって作製されたウエハを用
いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップS6(検査)
ではステップS5で作製された半導体デバイスの動作確
認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程
を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ
S7)される。
Next, an embodiment of a method of manufacturing a semiconductor device using the above exposure apparatus will be described. FIG. 6 shows microdevices (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, C
A flow of manufacturing a CD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc. is shown. In step S1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step S2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured.
On the other hand, in step S3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step S4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step S5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer manufactured in step S4, such as an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. including. Step S6 (inspection)
Then, inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step S5 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step S7).

【0029】図7は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップS11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップS12(CVD)ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップS13(電極形成)ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS14
(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステ
ップS15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布
する。ステップS16(露光)では上記説明した露光装
置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップS17(現像)では露光したウエハを現像
する。ステップS18(エッチング)では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップS19(レジス
ト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本
実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった
高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
FIG. 7 shows a detailed flow of the wafer process. In step S11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step S12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. Step S14
In (ion implantation), ions are implanted in the wafer. In step S15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step S16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the exposure apparatus described above. In step S17 (development), the exposed wafer is developed. In step S18 (etching), parts other than the developed resist image are scraped off. In step S19 (resist peeling), the unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which has been difficult to manufacture in the past.

【0030】[0030]

【発明の効果】本発明は、上述のように構成されている
ので、以下に記載するような効果を奏する。
Since the present invention is configured as described above, it has the following effects.

【0031】露光中のマスクやウエハ等基板とこれを保
持する保持盤を効果的に冷却し、しかもこれらに温調流
媒の流動等による振動を与えるおそれのない位置決めス
テージ装置を実現できる。その結果、露光中のマスクや
ウエハ等基板の熱歪や位置ずれあるいは振動による転写
ずれを防ぎ、高精度の転写、焼付けが実現できる。
It is possible to realize a positioning stage device that effectively cools a substrate such as a mask or wafer during exposure and a holding plate that holds the substrate, and that does not give vibration to them due to the flow of the temperature control medium. As a result, it is possible to prevent transfer distortion due to thermal distortion, positional deviation, or vibration of the substrate such as a mask or wafer during exposure, and to realize highly accurate transfer and printing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1実施例による露光装置を示す模式断面図で
ある。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an exposure apparatus according to a first embodiment.

【図2】図1の装置のマスクの位置決めステージ装置の
主要部を示すもので、(a)はマスク冷却ブロック、
(b)はマスク保持盤をそれぞれ示す斜視図である。
FIG. 2 shows a main part of a mask positioning stage device of the apparatus of FIG. 1, in which (a) is a mask cooling block,
(B) is a perspective view showing a mask holding board, respectively.

【図3】第1実施例の位置決めステージ装置の一変形例
を示す模式断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the positioning stage device according to the first embodiment.

【図4】第2実施例によるマスクの位置決めステージ装
置を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a mask positioning stage device according to a second embodiment.

【図5】第3実施例によるウエハの位置決めステージ装
置を示す模式断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing a wafer positioning stage device according to a third embodiment.

【図6】半導体デバイスの製造工程を説明するシーケン
ス図である。
FIG. 6 is a sequence diagram illustrating a semiconductor device manufacturing process.

【図7】ウエハプロセスを説明するシーケンス図であ
る。
FIG. 7 is a sequence diagram illustrating a wafer process.

【図8】従来例による露光装置を示す模式断面図であ
る。
FIG. 8 is a schematic sectional view showing an exposure apparatus according to a conventional example.

【図9】図8の装置のマスクの位置決めステージ装置の
主要部を示す斜視図である。
9 is a perspective view showing a main part of a mask positioning stage device of the apparatus of FIG. 8;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 減圧チャンバ 3 XYステージ 4,14 マスク温調ベース 5,15a,15b マスク板バネ 6,16c マスク保持盤 7 マスク冷却ブロック 8,28 ウエハ微動ステージ 9,29 ウエハ保持盤 10 マスク底面冷却ブロック 16a x微動ステージ 16b y微動ステージ 17a マスク固定冷却ブロック 17b マスクx冷却ブロック 17c マスクy冷却ブロック 23 Yステージ 23b 駆動シリンダ 25a,25b ウエハ板バネ 27 ウエハ冷却ブロック 27b 内部配管 1 Decompression chamber 3 XY stage 4,14 Mask temperature control base 5,15a, 15b Mask leaf spring 6,16c Mask holding plate 7 Mask cooling block 8,28 Wafer fine movement stage 9,29 Wafer holding plate 10 Mask bottom cooling block 16a x Fine movement stage 16b y Fine movement stage 17a Mask fixed cooling block 17b Mask x cooling block 17c Mask y cooling block 23 Y stage 23b Drive cylinders 25a, 25b Wafer leaf spring 27 Wafer cooling block 27b Internal piping

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 台盤と一体である弾性部材によって露光
室内に支持された保持盤と、該保持盤に近接する少くと
も1個の冷却部材と、これを冷却する冷却手段を有する
ことを特徴とする位置決めステージ装置。
1. A holding plate supported in an exposure chamber by an elastic member integrated with a base, at least one cooling member adjacent to the holding plate, and cooling means for cooling the holding plate. Positioning stage device.
【請求項2】 冷却部材が台盤と一体であり、冷却手段
が前記台盤に設けられた内部配管からなることを特徴と
する請求項1記載の位置決めステージ装置。
2. The positioning stage device according to claim 1, wherein the cooling member is integral with the base, and the cooling means is an internal pipe provided on the base.
【請求項3】 冷却手段が冷却部材に設けられた内部配
管からなることを特徴とする請求項1記載の位置決めス
テージ装置。
3. The positioning stage apparatus according to claim 1, wherein the cooling means comprises an internal pipe provided in the cooling member.
【請求項4】 冷却部材が台盤と一体であり、冷却手段
が、前記台盤を支持する第2の台盤に設けられた内部配
管からなることを特徴とする請求項1記載の位置決めス
テージ装置。
4. The positioning stage according to claim 1, wherein the cooling member is integral with the base, and the cooling means is an internal pipe provided on a second base that supports the base. apparatus.
【請求項5】 保持盤を弾性部材の許す範囲内で移動さ
せる保持盤駆動手段と、冷却部材を前記保持盤とともに
移動させる冷却部材駆動手段が設けられていることを特
徴とする請求項3記載の位置決めステージ装置。
5. A holding plate driving means for moving the holding plate within a range permitted by the elastic member, and a cooling member driving means for moving the cooling member together with the holding plate. Positioning stage device.
【請求項6】 保持盤と冷却部材の間の間隙の寸法が約
5μmであることを特徴とする請求項1ないし5いずれ
か1項記載の位置決めステージ装置。
6. The positioning stage apparatus according to claim 1, wherein the size of the gap between the holding plate and the cooling member is about 5 μm.
【請求項7】 請求項1ないし6いずれか1項記載の位
置決めステージ装置と、これに保持された基板を露光す
る露光手段を備えていることを特徴とする露光装置。
7. An exposure apparatus, comprising: the positioning stage apparatus according to claim 1; and exposure means for exposing a substrate held by the positioning stage apparatus.
【請求項8】 請求項1ないし6いずれか1項記載の位
置決めステージ装置と、これに保持されたマスクと、基
板を保持する基板保持手段と、前記マスクを通して照射
される露光光によって前記基板を露光する露光手段を備
えていることを特徴とする露光装置。
8. A positioning stage device according to claim 1, a mask held by the positioning stage device, a substrate holding means for holding the substrate, and the exposure light irradiated through the mask to move the substrate. An exposure apparatus comprising an exposure means for exposing.
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