JPH07153664A - Mask holding device and aligner using it as well as manufacture of device - Google Patents

Mask holding device and aligner using it as well as manufacture of device

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JPH07153664A
JPH07153664A JP29991793A JP29991793A JPH07153664A JP H07153664 A JPH07153664 A JP H07153664A JP 29991793 A JP29991793 A JP 29991793A JP 29991793 A JP29991793 A JP 29991793A JP H07153664 A JPH07153664 A JP H07153664A
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JP
Japan
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mask
chuck
magnetic
ray
force
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JP29991793A
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Japanese (ja)
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Nobushige Korenaga
伸茂 是永
Shinichi Hara
真一 原
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To hold a mask in an X-ray exposure operation in the substantially same state as in an EB drawing operation to manufacture the mask by s method wherein means which generate a force to pull the mask to the side of a mask- chuck holding face are installed so as to correspond to three point support positions. CONSTITUTION:A mask chuck 11 is installed on an aligner body. Coupling holes 12 are made in three places which correspond to a conical-hole part 5, a V-groove part 6 and a plane part 7, and balls 10 are fixed to the holes. When a mask is attached to the mask chuck 11, the center of every ball 10 and the center of a magnetic ring 8 are made to coincide on the same normal line. Four each of electromagnet units 13 in a total of 12 units are arranged around the circumference of the three balls 10 so as to be symmetric with respect to an axis. Then, a line of magnetic force which passes the magnetic ring 8 on the side of the mask from a yoke on one side and which is circulated via a yoke on the other side is generated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は露光装置などに用いられ
るマスクの保持方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for holding a mask used in an exposure apparatus or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路の集積度は近年ますます
高密度化が進んでおり、これらを製造するための半導体
製造装置も、高集積度化に伴って焼付線幅が細まり、よ
り高い露光精度が要求されている。焼付線幅をより細く
するには、露光に使用する光源の波長を短くするのが有
効である。そこで、現在一般的に使用されている紫外光
よりも波長の短いX線を用いたX線露光装置の開発が進
められている。
2. Description of the Related Art In recent years, the degree of integration of semiconductor integrated circuits has become higher and higher, and the semiconductor manufacturing equipment for manufacturing them has a higher printing line width due to the higher integration density. Exposure accuracy is required. To make the printing line width narrower, it is effective to shorten the wavelength of the light source used for exposure. Therefore, development of an X-ray exposure apparatus using X-rays having a wavelength shorter than that of ultraviolet light, which is generally used at present, is underway.

【0003】図11は従来のプロキシミティギャップ方
式のX線露光装置に搭載されているX線マスクとマスク
チャックの概略を示す。図11(a)はX線マスクであ
る。100は補強用のマスクフレーム、101はシリコ
ンからなるマスク基板、102はマスク基板の一部をバ
ックエッチングによって除去して形成した無機膜(マス
クメンブレン)、103はマスクメンブレン上にEB描
画装置等によって描画形成された半導体回路等の転写パ
ターンである。105は磁性体材料で作られた磁性リン
グで、マスク支持フレーム1に埋め込まれている。図1
1(b)は磁気吸着方式のマスクチャックを示す。11
0はリング形状のチャックベースで、内部には露光用X
線が通過する孔111が設けられている。112は磁気
ユニットで、磁性リング105に対応して円周状に配置
され、X線マスクを吸着保持するのに十分な磁力を発生
する。この構成において、X線マスクのマスクフレーム
100はチャックベース110の保持面に面接触によっ
て磁気吸着され保持される。又、この磁気吸着方式のほ
かに真空吸着方式もあり、その場合、磁気ユニットの代
わりにバキュームポートとなり、真空力によってマスク
フレームとチャックベースとが面接触して吸着保持され
る。
FIG. 11 schematically shows an X-ray mask and a mask chuck mounted on a conventional proximity gap type X-ray exposure apparatus. FIG. 11A shows an X-ray mask. Reference numeral 100 is a reinforcing mask frame, 101 is a mask substrate made of silicon, 102 is an inorganic film (mask membrane) formed by removing a part of the mask substrate by back etching, and 103 is an EB drawing device or the like on the mask membrane. It is a transfer pattern of a semiconductor circuit or the like formed by drawing. Reference numeral 105 denotes a magnetic ring made of a magnetic material, which is embedded in the mask support frame 1. Figure 1
Reference numeral 1 (b) shows a magnetic chuck type mask chuck. 11
0 is a ring-shaped chuck base, and the inside is an exposure X
A hole 111 through which the wire passes is provided. A magnetic unit 112 is circumferentially arranged corresponding to the magnetic ring 105 and generates a magnetic force sufficient to attract and hold the X-ray mask. In this structure, the mask frame 100 of the X-ray mask is magnetically attracted and held by the holding surface of the chuck base 110 by surface contact. In addition to this magnetic attraction method, there is also a vacuum attraction method. In that case, a vacuum port is used instead of the magnetic unit, and the mask frame and the chuck base are brought into surface contact with each other by a vacuum force to be attracted and held.

【0004】しかしながら、これらの吸着保持方式は、
マスクフレーム100とチャックベース110とは面接
触であるため、両者の接触面は高い平面度に仕上げる必
要がある。仮に、マスク作製時、EB描画装置によって
転写パターンを形成する時点で、マスクフレーム100
の吸着面に僅かでも反りなどの歪みがあると、X線露光
装置のチャックベース110に保持した際、マスクフレ
ーム100の反りが矯正されることによってマスクフレ
ーム100が変形し、この応力がマスク基板101、マ
スクメンブレン102を介して転写パターン103に伝
わり、転写パターン103が描画時に対して歪んでしま
う可能性がある。転写パターン103が形成されるマス
クメンブレン102の厚さは2μm程度であり、数mm
厚のマスク基板101やマスクフレーム100に比べれ
ば、その剛性は非常に小さい。このため、マスク基板1
01やマスクフレーム100の歪みは、マスクメンブレ
ン102に多大な影響を与えて転写パターンにも大きな
歪みをもたらす。これは極薄のマスクメンブレン上に転
写パターンが形成されているマスクに特有の問題といえ
る。
However, these adsorption holding methods are
Since the mask frame 100 and the chuck base 110 are in surface contact with each other, it is necessary to finish the contact surfaces between them with high flatness. If the transfer pattern is formed by the EB drawing device during mask fabrication, the mask frame 100
If there is a slight distortion such as a warp on the suction surface of the mask frame 100, the warp of the mask frame 100 is corrected and the mask frame 100 is deformed when the mask frame 100 is held by the chuck base 110 of the X-ray exposure apparatus. 101 is transmitted to the transfer pattern 103 through the mask membrane 102, and the transfer pattern 103 may be distorted with respect to the time of drawing. The thickness of the mask membrane 102 on which the transfer pattern 103 is formed is about 2 μm and is several mm.
Compared with the thick mask substrate 101 and the mask frame 100, the rigidity thereof is very small. Therefore, the mask substrate 1
01 and the distortion of the mask frame 100 have a great influence on the mask membrane 102 and also cause a large distortion on the transfer pattern. This can be said to be a problem peculiar to a mask in which a transfer pattern is formed on an ultrathin mask membrane.

【0005】これを解決する方式として、マスクがマス
クチャックにチャックされた時、保持力によりX線マス
クが変形を受けない、言い換えれば、パターン形成時の
マスクフレームの歪んだ状態を保ったまま保持する方法
(以下、キネマティックマウントと称する)が提案され
ている。
As a method of solving this, when the mask is chucked by the mask chuck, the X-ray mask is not deformed by the holding force, in other words, the mask frame is held while maintaining the distorted state at the time of pattern formation. A method of doing so (hereinafter referred to as a kinematic mount) has been proposed.

【0006】図12はキネマティックマウントの例を示
す。図12(a)はキネマティックマウント用のX線マ
スクを示す。117は円錐形状(じょうご形状)の孔
部、118は平面部、119は図中X方向に沿って直線
状に切込み溝が形成されたV溝部であり、これらはマス
クフレーム100の保持面に形成されている。図12
(b)はキネマティックマウント用のマスクチャックを
示す。チャックベース110の保持面には、上記マスク
の円錐孔部117、平面部118、V溝部119とそれ
ぞれ係合する球状突起物120が3ケ所に設けられてい
る。又、3点においてマスクを機械的に押え付けて保持
するためのクランプ機構115が設けられている。
FIG. 12 shows an example of a kinematic mount. FIG. 12A shows an X-ray mask for a kinematic mount. Reference numeral 117 is a conical (funnel-shaped) hole portion, 118 is a flat surface portion, and 119 is a V groove portion in which a linear cut groove is formed along the X direction in the drawing, and these are formed on the holding surface of the mask frame 100. Has been done. 12
(B) shows a mask chuck for a kinematic mount. On the holding surface of the chuck base 110, spherical protrusions 120 that engage with the conical hole portion 117, the flat surface portion 118, and the V groove portion 119 of the mask are provided at three locations. Further, a clamp mechanism 115 for mechanically pressing and holding the mask at three points is provided.

【0007】この構成においては、以下に示す保持状態
となり、マスクの6自由度が過剰拘束なく位置決めされ
る。
In this structure, the holding state shown below is established and the six degrees of freedom of the mask are positioned without being excessively constrained.

【0008】 このキネマティックマウントによれば、露光時のマスク
保持の際にマスクフレーム100を変形させる外力は殆
ど働かず、EB描画装置によるマスクパターン形成時と
同一状態でマスク保持(無歪保持)できるため、マスク
支持フレームの変形によるパターン歪みが抑制できると
いう特徴がある。
[0008] According to this kinematic mount, an external force that deforms the mask frame 100 hardly acts when holding the mask during exposure, and the mask can be held (strain-free) in the same state as when the mask pattern is formed by the EB drawing device. The feature is that pattern distortion due to deformation of the mask support frame can be suppressed.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記キネマティックマウントの例では、クランプ機構11
5をマスクと近接対向するウエハ側、つまりプロキシミ
ティギャップ側に設けている。ここでクランプ機構がウ
エハに触れないようにするには、マスクの転写パターン
が形成されている部分の断面厚さを、クランプ機構の断
面厚さとマスクフームのクランプされる部分の断面厚さ
との和より大きくしなければならない。
However, in the above example of the kinematic mount, the clamp mechanism 11 is used.
5 is provided on the side of the wafer that closely faces the mask, that is, on the proximity gap side. In order to prevent the clamp mechanism from touching the wafer, the cross-sectional thickness of the portion where the transfer pattern of the mask is formed is defined as the sum of the cross-sectional thickness of the clamp mechanism and the cross-sectional thickness of the portion to be clamped of the mask fume. It has to be big.

【0010】特に、縦型のX線露光装置ではマスクを垂
直に立てた状態でマスクチャックに保持しなければなら
ず、このためにはクランプ機構によって重力に打ち勝つ
だけの十分なクランプ力を発生させる必要がある。よっ
て、クランプ機構を薄く設計することは困難であり、ひ
いてはマスクの薄型化も困難となる。
Particularly, in the vertical type X-ray exposure apparatus, the mask must be held vertically on the mask chuck, and for this purpose, a clamping mechanism generates a sufficient clamping force to overcome gravity. There is a need. Therefore, it is difficult to design the clamp mechanism to be thin, and it is difficult to make the mask thin.

【0011】つまり、強いクランプ力とマスク薄型化と
は両立しない。又、ウエハとクランプ機構が触れいない
ようにするためのシーケンスやフェールセーフ機構も複
雑なものとなる。
That is, the strong clamping force and the thin mask are not compatible. In addition, the sequence and the fail-safe mechanism for preventing the wafer from contacting the clamp mechanism are complicated.

【0012】よって、プロキシミティギャップという特
殊事情がないEB露光装置はともかく、プロキシミティ
ギャップ方式のX線露光装置においては、機械的なクラ
ンプ機構によってマスクを押え付けて保持する方式はあ
まり好ましくない。
Accordingly, in the proximity gap type X-ray exposure apparatus, the method of holding and holding the mask by a mechanical clamp mechanism is not preferable, in spite of the EB exposure apparatus which does not have the special situation of proximity gap.

【0013】本発明は上記課題を解決するものであり、
キネマティックマウント方式などの3点支持のチャッキ
ングにおいて、機械的なクランプ機構を用いずに、X線
露光時のマスク保持をマスク作製のEB描画時のそれと
実質的に同じ状態とすることが可能なマスク保持装置
や、これを用いた露光装置、デバイス製造方法などを提
供することを目的とする。
The present invention is to solve the above problems,
In three-point support chucking such as kinematic mount method, mask holding during X-ray exposure can be made substantially the same as that during EB drawing during mask making without using a mechanical clamping mechanism. Another object of the present invention is to provide a mask holding device, an exposure device using the same, a device manufacturing method, and the like.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明のある形態は、露光用マスクをマスクチャック保持面
に3つの位置で支持するマスク保持装置において、マス
クをマスクチャック保持面側に引張る力を発生する手段
を、前記3つの位置に対応してそれぞれ設けたことを特
徴とするマスク保持装置である。ここで前記力を発生す
る手段は、前記3つの位置に対応してマスクチャック保
持面に設けた磁気吸引機構、あるいは前記3つの位置に
対応してマスクチャック保持面に設けた真空吸引機構な
どが好ましい。
According to one mode of the present invention for solving the above problems, in a mask holding device for supporting an exposure mask on a mask chuck holding surface at three positions, the mask is pulled toward the mask chuck holding surface. The mask holding device is characterized in that means for generating force are provided respectively corresponding to the three positions. Here, the means for generating the force is a magnetic attraction mechanism provided on the mask chuck holding surface corresponding to the three positions, or a vacuum attraction mechanism provided on the mask chuck holding surface corresponding to the three positions. preferable.

【0015】[0015]

【実施例】【Example】

<実施例1>以下、本発明の第1実施例を図面を用いて
説明する。図1はX線マスクを装着した状態のX線露光
装置のマスクチャックの構成図、図2はマグネットチャ
ックの詳細図、図3はEB描画装置へのマスクの取付状
態を示す。
<First Embodiment> A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of a mask chuck of an X-ray exposure apparatus with an X-ray mask attached, FIG. 2 is a detailed view of a magnet chuck, and FIG. 3 is a state in which the mask is attached to an EB drawing apparatus.

【0016】図1において、X線マスクは、金などから
なる転写パターン4が形成された(マスクメンブレン
(無機膜)2のついたマスク基板(シリコンウエハ)3
を、マスクフレーム1の表面に接着した構成となってい
る。又、マスクフレーム1の裏面には、先の従来例で説
明したのと同様の、マスクチャックに設けられた3個の
球10が当接するための円錐孔部5、V溝部6、平面部
7が設けられている。それらの周辺には、リング形状の
磁性リング8を取り付けるためのリング状の溝9が加工
用の逃げ溝と共に設けられている。後述するように、E
B描画装置でX線マスクを作製する際には磁性リング8
は取付けないが、完成したX線マスクを露光装置のマス
クチャックに固定する際には接着等によって磁性リング
8をマスクに取り付ける。磁性リング8の材質として
は、ステンレス鋼など磁性を有するものが用いられる。
In FIG. 1, the X-ray mask has a transfer pattern 4 made of gold or the like (a mask substrate (silicon wafer) 3 with a mask membrane (inorganic film) 2).
Is bonded to the surface of the mask frame 1. Further, on the back surface of the mask frame 1, the same conical hole portion 5, the V groove portion 6, and the flat surface portion 7 for contacting the three spheres 10 provided on the mask chuck similar to those described in the above conventional example. Is provided. A ring-shaped groove 9 for mounting the ring-shaped magnetic ring 8 is provided around them along with a relief groove for processing. As described below, E
When the X-ray mask is produced by the B drawing device, the magnetic ring 8
However, when fixing the completed X-ray mask to the mask chuck of the exposure apparatus, the magnetic ring 8 is attached to the mask by adhesion or the like. As a material for the magnetic ring 8, a magnetic material such as stainless steel is used.

【0017】一方、露光装置本体にはマスクチャック1
1が設けられている。マスクチャック11の表面には先
の円錐孔部、V溝部、平面部に対応した3か所に係合孔
12が設けられ、ここに3個の球10が固定されてい
る。マスクをマスクチャック11に装着した際には、球
10の中心と磁性リング8の中心とが同一法線上に一致
するようになっている。更に、マスクチャック11面と
マスクフレーム1の下面とが平行になるように、チャッ
ク面11に対する各球10の出張り高さが調整されてい
る。これは、係合孔12の大きさをそれぞれ異ならせる
か、あるいは球10自体の大きさを各々異ならせること
によって達成する。
On the other hand, the mask chuck 1 is provided on the main body of the exposure apparatus.
1 is provided. Engagement holes 12 are provided on the surface of the mask chuck 11 at three positions corresponding to the conical hole portion, the V groove portion, and the flat surface portion, and three balls 10 are fixed thereto. When the mask is mounted on the mask chuck 11, the center of the sphere 10 and the center of the magnetic ring 8 are aligned on the same normal line. Further, the protruding height of each sphere 10 with respect to the chuck surface 11 is adjusted so that the surface of the mask chuck 11 and the lower surface of the mask frame 1 are parallel to each other. This is achieved by making the sizes of the engagement holes 12 different or the sizes of the balls 10 themselves different.

【0018】なお、変形例としては、球ではなく先端が
球面形状の突起を係合孔12に固定しても良い。又、本
実施例では3個の球をマスクチャック側に、円錐孔部、
V溝部、平面部をマスクフレーム側に設ける構成とした
が、これらを逆転して配置しても良い。又、3つの球に
係合する部分は必ずしも円錐孔部、V溝部、平面部の組
み合わせにする必要はなく、例えば全て円錐孔部にした
り、あるいは全てV溝部にしても良い。これら変形例は
本実施例に限らず、後述の第2実施例以降にも同様に適
用できる。
As a modification, instead of a sphere, a protrusion having a spherical tip may be fixed to the engaging hole 12. In addition, in this embodiment, three balls are placed on the mask chuck side, a conical hole portion,
Although the V groove portion and the flat surface portion are provided on the mask frame side, they may be reversed. Further, the portions engaging with the three balls do not necessarily have to be a combination of a conical hole portion, a V groove portion, and a flat surface portion, and may be all conical hole portions or all V groove portions, for example. These modified examples are not limited to the present embodiment, and can be similarly applied to the second and subsequent embodiments described later.

【0019】3個の球10のそれぞれの周囲には、電磁
石ユニット13が軸対称に4つずつ、合計12個が配置
されている。電磁石ユニット13の詳細を図2に3面図
として示す。各ユニットは永久磁石14、コイル15、
ヨーク16からなる。永久磁石14は厚さ方向に着磁さ
れ、一方のヨーク16からマスク側の磁性リング8を通
り、他方のヨークを経て循環するような磁力線を発生す
る。コイル15は電流ループの存在する平面部の法線が
上記磁力線の方向に一致するように巻かれている。
Around each of the three balls 10, four electromagnet units 13 are arranged axially symmetrically, 12 in total. Details of the electromagnet unit 13 are shown in FIG. Each unit has a permanent magnet 14, a coil 15,
It consists of a yoke 16. The permanent magnets 14 are magnetized in the thickness direction, and generate magnetic lines of force that pass from one yoke 16 through the magnetic ring 8 on the mask side and circulate through the other yoke. The coil 15 is wound so that the normal line of the plane portion where the current loop exists coincides with the direction of the magnetic force line.

【0020】X線マスクの作製は、SiCメンブレン蒸
着、バックエッチング、マスクフレーム接着といった工
程を経た後、図3に示すようにEB描画装置のマスクチ
ャック20に装着されて、電子ビーム25によってパタ
ーンニングが行われる。マスクチャック20には、上記
説明したX線露光装置のマスクチャックに設けたものと
同様の位置関係の係合孔21が設けられ、ここに3個の
球22が固定されている。そしてこれらの球22に対応
して、マスクを保持するための3組のクランプ用アーム
23が設けられている。それぞれのアーム23は対応し
た球22の中心を押すように構成されている。
The fabrication of the X-ray mask, after passing through steps such as SiC membrane vapor deposition, back etching and mask frame adhesion, is mounted on the mask chuck 20 of the EB drawing apparatus as shown in FIG. 3 and patterned by the electron beam 25. Is done. The mask chuck 20 is provided with an engagement hole 21 having a positional relationship similar to that provided in the mask chuck of the X-ray exposure apparatus described above, and three balls 22 are fixed thereto. Corresponding to these balls 22, three sets of clamp arms 23 for holding the mask are provided. Each arm 23 is configured to push the center of the corresponding ball 22.

【0021】マスク製造にあたってEB描画装置にX線
マスクを固定するには、マスクチャック20の3個の球
22にマスクフレームの円錐孔部5、V溝部6、平面部
7がそれぞれ当接するように位置決めした後、3組のア
ーム23でクランプする。各クランプ力のベクトルは、
各球22の中心を通りパターン面に垂直な方向を持つ。
キネマティックマウントであるのでパターンが歪むこと
はない。こうしてマスクパターン形成が完了したら、マ
スクフレーム1のリング状溝9の磁性リング取付面に磁
性リング8を接着等で取り付けてマスクは完成する。磁
性リング8の取付けは、X線露光装置にX線マスクを装
着したとき、マスクチャックのヨークと数十μm程度の
ギャップを介して対向するよう治具で微調整しながら行
なう。
In order to fix the X-ray mask to the EB drawing device in the mask manufacturing, the conical hole portion 5, the V groove portion 6 and the flat surface portion 7 of the mask frame are brought into contact with the three spheres 22 of the mask chuck 20, respectively. After positioning, it is clamped by three sets of arms 23. The vector of each clamping force is
It has a direction passing through the center of each sphere 22 and perpendicular to the pattern surface.
The pattern is not distorted because it is a kinematic mount. When the mask pattern formation is completed in this way, the magnetic ring 8 is attached to the magnetic ring attachment surface of the ring-shaped groove 9 of the mask frame 1 by an adhesive or the like to complete the mask. When the X-ray mask is mounted on the X-ray exposure apparatus, the magnetic ring 8 is attached while being finely adjusted by a jig so as to face the yoke of the mask chuck with a gap of about several tens of μm.

【0022】完成したマスクをX線露光装置に装着する
際の手順を以下に示す。まずX線露光装置のマスクチャ
ック11の電磁石ユニット13のコイル15に永久磁石
14の磁力線を打ち消すような向きに電流を流す。この
ときチャックの電磁石ユニット13はヨーク16上に磁
性リング8が微小ギャップで対向しても何ら力を及ぼさ
ない。次にマスクチャック上の3個の球10に、マスク
フレーム1の円錐孔部5、V溝部6、平面部7を当接す
るよう、不図示のマスクハンドで位置決めし、その後、
電磁石ユニット13のコイル15の通電を切る。すると
永久磁石の磁力線により3個の磁性リング8はヨーク1
6の面と微小ギャップを保ちながら、マスクチャック側
に引張られ、X線マスクは3個の球10を機械基準とし
て固定される。ここで磁性リング8の中心に球10がく
る配置となっており、また、各球10の周りの電磁石ユ
ニット13が軸対称に配置されているため、磁性リング
8にかかる引張力の合力のベクトルは、球10の中心を
通り且つチャック面に垂直な方向となる。従って、X線
マスクがX線露光装置上に固定されたときと、EB描画
装置上に固定されたときとを比較してみると、位置決め
の機械基準、保持力のベクトルの位置及び方向は共に同
一であり、同一状態でのマスクの保持固定が実現でき
る。これによりEB描画とX線露光の間でパターン歪み
が発生せず、高精度の露光転写が行なえる。
The procedure for mounting the completed mask on the X-ray exposure apparatus will be described below. First, an electric current is applied to the coil 15 of the electromagnet unit 13 of the mask chuck 11 of the X-ray exposure apparatus in such a direction as to cancel the magnetic lines of force of the permanent magnet 14. At this time, the electromagnet unit 13 of the chuck exerts no force even if the magnetic ring 8 faces the yoke 16 with a minute gap. Next, the conical hole portion 5, the V groove portion 6, and the flat surface portion 7 of the mask frame 1 are brought into contact with the three balls 10 on the mask chuck with a mask hand (not shown), and then,
The coil 15 of the electromagnet unit 13 is deenergized. Then, the magnetic lines of the permanent magnets cause the three magnetic rings 8 to move to the yoke 1.
6 is pulled toward the mask chuck side while maintaining a small gap with the surface of 6, and the X-ray mask is fixed with the three balls 10 as a mechanical reference. Since the sphere 10 is located at the center of the magnetic ring 8 and the electromagnet units 13 around each sphere 10 are arranged in axial symmetry, the resultant vector of the tensile force applied to the magnetic ring 8 is shown. Is a direction that passes through the center of the sphere 10 and is perpendicular to the chuck surface. Therefore, comparing the time when the X-ray mask is fixed on the X-ray exposure device and the time when it is fixed on the EB drawing device, both the mechanical reference of positioning, the position and direction of the holding force vector are The same mask can be held and fixed in the same state. As a result, pattern distortion does not occur between EB writing and X-ray exposure, and exposure transfer can be performed with high accuracy.

【0023】<実施例2>上記実施例の変形例のいくつ
かを以下に示す。図4、図5は第2実施例を示す。先の
実施例に対して、マスクへの磁性リングの取付けに3つ
の間接部材17を介している点が構成上の違いである。
先の実施例と同一の符号は同一の部材を表わす。
<Embodiment 2> Some of the modifications of the above embodiment are shown below. 4 and 5 show a second embodiment. The difference from the above-described embodiment is that the attachment of the magnetic ring to the mask involves three indirect members 17.
The same reference numerals as in the previous embodiment represent the same members.

【0024】間接部材17は3種類あり、チャック側に
設けられた球が当接する円錐孔部、V溝部、平面部がそ
れぞれ形成されている。各間接部材17は研削等で高精
度に仕上げられた取付基準面と、磁性リング18が取り
付けるための4か所メネジ部が設けられる。磁性リング
18にはネジ用のざぐりが設けられ、ここにネジ19を
入れて磁性リング18を間接部材17に4か所でねじ止
めするようになっている。間接部材17は非磁性のステ
ンレス鋼等の非磁性金属でつくられ、磁性リング18は
磁性のステンレス鋼等で作られる。又、磁性リング18
のネジの位置はX線露光装置に固定時に相対する、マス
クチャックの電磁石ユニットのヨークとは位相がずれた
位置に設けられ、電磁石ユニット永久磁石の磁力線を減
ずることがないようになっている。
There are three types of indirect members 17, each of which has a conical hole portion, a V groove portion, and a flat surface portion, which are provided on the chuck side and are in contact with a sphere. Each indirect member 17 is provided with a mounting reference surface finished with high precision by grinding or the like, and four female screw portions for mounting the magnetic ring 18. The magnetic ring 18 is provided with a counterbore for a screw, and a screw 19 is inserted therein to screw the magnetic ring 18 to the indirect member 17 at four positions. The indirect member 17 is made of non-magnetic metal such as non-magnetic stainless steel, and the magnetic ring 18 is made of magnetic stainless steel. Also, the magnetic ring 18
The position of the screw is provided at a position opposed to the yoke of the electromagnet unit of the mask chuck, which is opposed to the X-ray exposure apparatus when fixed, so that the magnetic lines of force of the permanent magnet of the electromagnet unit are not reduced.

【0025】先の実施例と同様、EB描画装置に固定す
るとき(図5)はX線マスクに磁性リングのない状態で
機械的にクランプ、X線露光装置に固定するとき(図
4)は磁性リングを取付けて磁力によりクランプし、両
者でのクランプ力は同一ベクトル位置及び方向となる。
Similar to the previous embodiment, when fixing to the EB drawing device (FIG. 5), mechanically clamping the X-ray mask without a magnetic ring, and fixing to the X-ray exposure device (FIG. 4). The magnetic ring is attached and clamped by magnetic force, and the clamping force of both is the same vector position and direction.

【0026】本実施例ではさらに、磁性リングの取り外
しがいつでも可能であるという利点がある。先の実施例
ではマスクが完成した後は2度とEB関係装置には装着
できないが、本実施例では磁性リングはネジ止めであ
り、これを取り外すことによりマスク完成後でもEB関
係装置に装着が可能である。これはEB測長機などでマ
スクのパターンニング精度を測定するときに有効であ
る。
The present embodiment further has the advantage that the magnetic ring can be removed at any time. In the previous embodiment, once the mask is completed, it cannot be mounted on the EB-related device again, but in this embodiment, the magnetic ring is screwed, and by removing this, it can be mounted on the EB-related device even after the mask is completed. It is possible. This is effective when measuring the mask patterning accuracy with an EB length measuring machine or the like.

【0027】さらに本実施例によれば、仮にX線露光装
置へに固定時に磁気吸引で磁性リングの近辺に歪が発生
することがあっても、この歪みは間接部材で吸収され、
マスクフレームひいては転写パターンに歪み及ぶことが
ない。
Furthermore, according to the present embodiment, even if a strain is generated near the magnetic ring due to magnetic attraction when the device is fixed to the X-ray exposure apparatus, this strain is absorbed by the indirect member,
The mask frame and the transfer pattern are not distorted.

【0028】<実施例3>図6、図7は第3の実施例を
示す。これまでの実施例は磁気吸着方式であったが、本
実施例では真空吸着方式を採用したことを特徴とする。
これまでの実施例と同一の符号は同一の部材を表わす。
<Third Embodiment> FIGS. 6 and 7 show a third embodiment. Although the magnetic adsorption method has been used in the above-mentioned embodiments, this embodiment is characterized in that the vacuum adsorption method is adopted.
The same reference numerals as those used in the above embodiments represent the same members.

【0029】図6において、X線マスクのマスクフレー
ム1の裏面には3つの間接部材30が取付けられ、各々
には先の図4と同様、円錐孔部、V溝部、平面部が底面
に形成されている。又、各間接部材30の周辺にはシー
ル部材31が固着されている。間接部材30の材質は金
属、非金属いずれでもよく、シール部材31の材質は柔
らかく機密性の高い物が用いられる。
In FIG. 6, three indirect members 30 are attached to the back surface of the mask frame 1 of the X-ray mask, and each of them has a conical hole portion, a V groove portion, and a flat surface portion formed on the bottom surface, as in FIG. Has been done. A sealing member 31 is fixed around each indirect member 30. The material of the indirect member 30 may be either metal or non-metal, and the material of the seal member 31 is soft and highly airtight.

【0030】一方、X線露光装置のマスクチャック面に
固定された3個の球10の各々の周囲には、リング形状
の真空吸引溝32が設けられ、各吸引溝32は経路33
を介して真空ポンプ34に接続され、吸引溝32に真空
を供給するようになっている。
On the other hand, a ring-shaped vacuum suction groove 32 is provided around each of the three spheres 10 fixed to the mask chuck surface of the X-ray exposure apparatus.
It is connected to a vacuum pump 34 via a vacuum pump and supplies a vacuum to the suction groove 32.

【0031】図7はEB描画装置へのマスク装着を説明
するための図である。クランプ用アーム23によって機
械的なクランプを行なうのは先の図3、図5と同様であ
る。マスクチャック20の表面にはシール部材31がく
る位置に逃げ溝35が設けられている。これは、マスク
の間接部材30、シール部材31、EB描画装置のチャ
ック面によって真空領域を形成されないようにするため
である。
FIG. 7 is a diagram for explaining the mounting of the mask on the EB drawing apparatus. Mechanical clamping by the clamping arm 23 is the same as in FIGS. 3 and 5 described above. An escape groove 35 is provided on the surface of the mask chuck 20 at a position where the seal member 31 comes. This is to prevent a vacuum region from being formed by the indirect member 30 of the mask, the seal member 31, and the chuck surface of the EB drawing device.

【0032】EB描画装置によって作製されたX線マス
クをX線露光装置のマスクチャックに装着する手順を以
下に示す。まず、吸引溝32をX線露光装置が置かれる
雰囲気、例えば150TorrのHeと同一雰囲気にす
る。そして3個の球10に各間接部材30にそれぞれ設
けられた円錐孔部、V溝部、平面部が当接するように不
図示のマスクハンドで位置決めする。位置決め後、真空
ポンプ34を作動させて各吸引溝32に真空を与える。
すると各球10の周りは間接部材30、シール部材3
1、マスクチャック20の表面によって真空領域が形成
され、周囲の雰囲気圧力との差圧により間接部材30が
マスクチャック側に引張る引張力が発生する。こうして
X線マスクは3個の球10を機械基準として固定され
る。ここでリング形状の真空吸引溝32の中心に球10
が置かれた配置となっているため、間接部材30にかか
る引張力のベクトルは、球10の中心を通り且つパター
ン面に垂直な方向となる。従って、先の実施例と同様、
X線マスクがX線露光装置上に固定されたときと、EB
描画装置上に固定されたときとを比較してみると、位置
決めの機械基準、保持力のベクトルの位置及び方向は共
に同一であり、同一状態でのマスクの保持固定が実現で
きる。これによりEB描画とX線露光の間でパターン歪
みが発生せず、高精度の露光転写が行なえる。
The procedure for mounting the X-ray mask produced by the EB drawing apparatus on the mask chuck of the X-ray exposure apparatus will be described below. First, the suction groove 32 is set to the atmosphere in which the X-ray exposure apparatus is placed, for example, the same atmosphere as He of 150 Torr. Then, the three balls 10 are positioned by a mask hand (not shown) so that the conical hole portion, the V groove portion, and the flat surface portion provided in each indirect member 30 come into contact with each other. After positioning, the vacuum pump 34 is operated to apply a vacuum to each suction groove 32.
Then, around each sphere 10, the indirect member 30 and the seal member 3 are provided.
1. A vacuum region is formed by the surface of the mask chuck 20, and a tensile force that pulls the indirect member 30 toward the mask chuck is generated due to the pressure difference from the ambient atmospheric pressure. In this way, the X-ray mask is fixed with the three balls 10 as a mechanical reference. Here, the sphere 10 is placed at the center of the ring-shaped vacuum suction groove 32.
Is placed, the vector of the tensile force applied to the indirect member 30 passes through the center of the sphere 10 and is perpendicular to the pattern surface. Therefore, as in the previous embodiment,
When the X-ray mask is fixed on the X-ray exposure device,
When compared with the case where the mask is fixed on the drawing apparatus, the mechanical reference for positioning, the position and direction of the holding force vector are the same, and the mask can be held and fixed in the same state. As a result, pattern distortion does not occur between EB writing and X-ray exposure, and exposure transfer can be performed with high accuracy.

【0033】<実施例4>次に上記説明したマスク及び
マスクチャックを用いた微小デバイス(半導体装置、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシンなど)製造用の露光装置
の実施例を説明する。図8は本実施例のX線露光装置の
構成を示す図である。図中、SR放射源30から放射さ
れたシートビーム形状のシンクロトロン放射光31を、
凸面ミラー32によって放射光軌道面に対して垂直な方
向に拡大する。凸面ミラー32で反射拡大した放射光
は、シャッタ33によって照射領域内での露光量が均一
となるように調整し、シャッタ33を経た放射光はX線
マスク34に導かれる。X線マスク34は上記説明した
ようなマウント方式で不図示のマスクチャックに保持さ
れている。X線マスク34に形成されている露光パター
ンを、ステップ&リピート方式やスキャニング方式など
によってウエハ35上に露光転写する。
<Embodiment 4> Next, an embodiment of an exposure apparatus for manufacturing a microdevice (semiconductor device, thin film magnetic head, micromachine, etc.) using the mask and mask chuck described above will be described. FIG. 8 is a view showing the arrangement of the X-ray exposure apparatus according to this embodiment. In the figure, a sheet beam-shaped synchrotron radiation 31 emitted from the SR radiation source 30 is
The convex mirror 32 magnifies the emitted light in a direction perpendicular to the orbital surface. The radiated light reflected and expanded by the convex mirror 32 is adjusted by the shutter 33 so that the exposure amount in the irradiation area becomes uniform, and the radiated light passing through the shutter 33 is guided to the X-ray mask 34. The X-ray mask 34 is held by a mask chuck (not shown) by the mounting method as described above. The exposure pattern formed on the X-ray mask 34 is exposed and transferred onto the wafer 35 by a step & repeat method or a scanning method.

【0034】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イスの製造方法の実施例を説明する。図9は微小デバイ
ス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CC
D、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフロ
ーを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイス
の回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセ
ス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と
呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダ
イシング、ボンディング)、パッケージング工程(チッ
プ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステ
ップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、
耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半
導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)され
る。
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described. Fig. 9 shows microdevices (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, CC
D, thin film magnetic head, micromachine, etc.). In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step 2 (mask manufacturing), a mask having the designed circuit pattern is manufactured. On the other hand, in step 3 (wafer manufacturing), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by the lithography technique using the mask and the wafer prepared above. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip by using the wafer manufactured in step 4, such as an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), and the like. including. In step 6 (inspection), an operation confirmation test of the semiconductor device manufactured in step 5,
Conduct inspections such as durability tests. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0035】図10は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方
法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導
体デバイスを製造することができる。
FIG. 10 shows a detailed flow of the wafer process. In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized. In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 13 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted in the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. In step 16 (exposure), the circuit pattern of the mask is printed and exposed on the wafer by the exposure apparatus described above. In step 17 (development), the exposed wafer is developed. In step 18 (etching), parts other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), the resist that is no longer needed after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which has been difficult to manufacture in the past.

【0036】[0036]

【発明の効果】本発明によれば、機械的なクランプ機構
を用いずに、マスク作製時のEB描画装置への機械的ク
ランプと実質的に同じ状態でX線露光装置へマスクをチ
ャックできる。ウエハ側にクランプ機構を設ける必要が
ないため、マスクの薄型化が達成できる。
According to the present invention, the mask can be chucked to the X-ray exposure apparatus in substantially the same state as the mechanical clamp to the EB drawing apparatus at the time of mask production without using a mechanical clamp mechanism. Since it is not necessary to provide a clamp mechanism on the wafer side, the mask can be made thinner.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例のX線露光装置の構成図で
ある。
FIG. 1 is a configuration diagram of an X-ray exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1実施例の磁気ユニットの詳細図である。FIG. 2 is a detailed view of the magnetic unit of the first embodiment.

【図3】第1実施例のEB描画装置の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of an EB drawing apparatus according to a first embodiment.

【図4】本発明の第2実施例のX線露光装置の構成図で
ある。
FIG. 4 is a configuration diagram of an X-ray exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図5】第2実施例のEB描画装置の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of an EB drawing apparatus according to a second embodiment.

【図6】本発明の第3実施例のX線露光装置の構成図で
ある。
FIG. 6 is a configuration diagram of an X-ray exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図7】第3実施例のEB描画装置の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of an EB drawing apparatus according to a third embodiment.

【図8】X線露光装置の実施例を示す全体図である。FIG. 8 is an overall view showing an embodiment of an X-ray exposure apparatus.

【図9】デバイス製造方法のフローを示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a flow of a device manufacturing method.

【図10】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
FIG. 10 is a diagram showing a detailed flow of a wafer process.

【図11】従来の磁気吸着方式のマスクチャックを説明
する図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a conventional magnetic chuck type mask chuck.

【図12】従来のキネマティックマウント方式のマスク
チャックを説明する図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a conventional kinematic mount type mask chuck.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 マスクフレーム 2 マスクメンブレン 3 マスク基板 4 転写パターン 5 円錐孔部 6 V溝部 7 平面部 8 磁性リング 9 リング状溝 10 球 11 マスクチャック(X線露光装置側) 12 係合孔 13 磁気ユニット 14 永久磁石 15 磁気コイル 16 ヨーク 20 マスクチャック(EB露光装置側) 21 係合孔 22 球 23 クランプ用アーム 1 Mask Frame 2 Mask Membrane 3 Mask Substrate 4 Transfer Pattern 5 Conical Hole 6 V Groove 7 Plane 8 Magnetic Ring 9 Ring-shaped Groove 10 Sphere 11 Mask Chuck (X-Ray Exposure Device Side) 12 Engagement Hole 13 Magnetic Unit 14 Permanent Magnet 15 Magnetic coil 16 Yoke 20 Mask chuck (EB exposure device side) 21 Engagement hole 22 Sphere 23 Clamping arm

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 露光用マスクをマスクチャック保持面に
3つの位置で支持するマスク保持装置において、マスク
をマスクチャック保持面側に引張る力を発生する手段
を、前記3つの位置に対応してそれぞれ設けたことを特
徴とするマスク保持装置。
1. In a mask holding device for supporting an exposure mask on a mask chuck holding surface at three positions, a means for generating a force for pulling the mask toward the mask chuck holding surface is provided corresponding to each of the three positions. A mask holding device characterized by being provided.
【請求項2】 前記力を発生する手段は、前記3つの位
置に対応してマスクチャック保持面に設けた磁気吸引機
構を有する請求項1のマスク保持装置。
2. The mask holding device according to claim 1, wherein the means for generating the force has a magnetic attraction mechanism provided on the mask chuck holding surface corresponding to the three positions.
【請求項3】 前記力を発生する手段は、前記3つの位
置に対応してマスクチャック保持面に設けた真空吸引機
構を有する請求項1のマスク保持装置。
3. The mask holding device according to claim 1, wherein the means for generating the force has a vacuum suction mechanism provided on the mask chuck holding surface corresponding to the three positions.
【請求項4】 前記マスクはX線露光用のマスクである
請求項1のマスク保持装置。
4. The mask holding device according to claim 1, wherein the mask is a mask for X-ray exposure.
【請求項5】 請求項1のマスク保持装置と、該マスク
保持装置に保持されたマスクの転写パターンをウエハに
露光転写する露光手段とを有することを特徴とする露光
装置。
5. An exposure apparatus comprising: the mask holding device according to claim 1; and an exposure means for exposing and transferring a transfer pattern of a mask held by the mask holding device onto a wafer.
【請求項6】 前記露光手段はX線によって露光を行な
う請求項5の露光装置。
6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein said exposure means performs exposure with X-rays.
【請求項7】 請求項5又は6の露空装置を用いてデバ
イスを製造する工程を有することを特徴とするデバイス
製造方法。
7. A device manufacturing method, comprising a step of manufacturing a device using the dew air conditioner according to claim 5.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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